KR20190121355A - 유기 전자발광 디바이스 및 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20190121355A
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Abstract

유기 전자발광 디바이스 및 디스플레이 장치가 제공된다. 유기 전자발광 디바이스는 제1 전도 층 그룹, 제2 전도 층 그룹, 및 제1 전도 층 그룹과 제2 전도 층 그룹 사이에 배열되고 2개와 오믹 접촉하는 발광 층을 포함한다. 제1 전도 층 그룹은 발광 층과 오믹 접촉하는 전자 차단 층 및 전자 차단 층과 오믹 접촉하는 정공 수송 층을 포함한다. 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 HOMO 에너지 레벨과 발광 층의 HOMO 에너지 레벨 사이에 위치된다. 전자 차단 층의 LUMO 에너지 층은 정공 수송 층의 LUMO 층 및 발광 층의 LUMO 층보다 더 얕다. 적절한 HOMO 에너지 레벨 및 LUMO 에너지 레벨을 가진 전자 차단 층을 선택함으로써, 전하 캐리어들의 균형은 더 양호하게 조절될 수 있어, 유기 전자발광 디바이스의 디바이스 수명을 개선하고, 제품의 성능을 보장한다.

Description

유기 전자발광 디바이스 및 디스플레이 장치
본 출원은 평면 패널 디스플레이의 분야에 관한 것으로, 특히 유기 전자발광 디바이스 및 디스플레이 장치에 관한 것이다.
유기 발광 디바이스(Organic Light-Emitting Device)(OLED)는 유기 고체 상태 반도체를 발광 재료로서 사용하는 발광 디바이스이다. 간단한 준비 공정, 낮은 비용, 낮은 전력 소비, 높은 휘도, 광범위한 동작 온도 등을 갖는 장점들로 인해, OLED는 넓은 응용 전망을 갖는다.
기존 OLED의 구조체는 일반적으로 애노드 층, 캐소드 층, 및 애노드 층과 캐소드 층 사이에 배치되는 발광 층을 포함한다. 정공 수송 층 및 정공 주입 층은 발광 층과 애노드 층 사이에 추가로 제공된다. 전자 수송 층 및 전자 주입 층은 발광 층과 캐소드 층 사이에 추가로 제공된다. OLED 상에 인가되는 외부 전계의 효과 하에, 전자들 및 정공들은 캐소드 및 애노드 각각으로부터 발광 층으로 주입되고 그 다음 발광 층에서 이동, 재조합, 및 붕괴되어, 광 방출을 실현한다.
발광 층은 일반적으로 적색 서브픽셀 발광 층, 녹색 서브픽셀 발광 층, 및 청색 서브픽셀 발광 층을 포함한다. 적색 서브픽셀 발광 층의 수명은 우수한 반면에 녹색 및 청색 서브픽셀 발광 층들의 수명은 열등하며, 그것은 OLED 디스플레이 패널이 일정 기간 동안 사용된 후에 백색 광 색도 좌표들의 시프트를 야기한다. 따라서, OLED 디스플레이 품질은 영향을 받고, 긴 수명을 필요로 하는 분야에서의 OLED의 적용은 제한된다.
따라서, 녹색 서브픽셀 발광 층 및 청색 서브픽셀 발광 층의 수명을 연장하는 것은 본 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 해결될 긴급한 문제이다.
본 출원의 목적은 유기 전자발광 디바이스 및 디스플레이 장치를 제공하여 디바이스 수명을 연장하고 제품 성능을 보장하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 출원은 유기 전자발광 디바이스를 제공하며, 이 디바이스는 제1 전도 층 그룹, 제2 전도 층 그룹, 및 제1 전도 층 그룹과 제2 전도 층 그룹 사이에 배치되고 2개의 그룹과 오믹 접촉하는 발광 층을 포함하며, 제1 전도 층 그룹은 발광 층과 오믹 접촉하는 전자 차단 층, 및 전자 차단 층과 오믹 접촉하는 정공 수송 층을 포함한다. 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것과 발광 층의 것 사이이고, 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것 및 발광 층의 것보다 더 얕다.
임의로, 정공 수송 층의 HOMO 에너지 레벨은 발광 층의 것과 동등하거나 이보다 더 얕고, 정공 수송 층의 LUMO 에너지 레벨은 발광 층의 것과 동등하거나 이보다 더 얕다.
임의로, 정공 수송 층에 대한 에너지 레벨 차이는 범위가 2.7 eV에서 3.5 eV까지 이르고, 발광 층의 호스트 재료에 대한 에너지 레벨 차이는 범위가 2.7 eV에서 3.4 eV까지 이르고, 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르고, 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 1.9 eV에서 2.1 eV까지 이르고 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨과 LUMO 에너지 레벨 사이의 에너지 레벨 차이는 3.2 eV보다 더 크다.
임의로, 발광 층은 형광 재료로 제조되는 청색 서브픽셀 발광 층을 포함하고, 청색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 전자 차단 층은 스피로플루오렌 그룹을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료로 제조된다.
임의로, 단일 방향족 아민의 구조체의 구조 식은 이하로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상이다:
Figure pct00001
임의로, 정공 수송 층에 대한 에너지 레벨 차이는 범위가 2.7 eV에서 3.5 eV까지 이르고, 발광 층의 호스트 재료에 대한 에너지 레벨 차이는 범위가 2.8 eV에서 3.5 eV까지 이르고, 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르고, 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 1.8 eV에서 2.0 eV까지 이르고, 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨과 LUMO 에너지 레벨 사이의 에너지 레벨 차이는 3.2 eV보다 더 크다.
임의로, 발광 층은 양극성 인광 재료로 제조되는 녹색 서브픽셀 발광 층을 포함하고, 녹색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 전자 차단 층은 스피로사이클릭 유닛을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료로 제조된다.
임의로, 단일 방향족 아민의 구조체의 구조 식은 이하로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상이다:
Figure pct00002
임의로, 발광 층은 청색 서브픽셀 발광 층 및 녹색 서브픽셀 발광 층을 포함하고, 청색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 전자 차단 층은 50Å 내지 100Å의 두께를 갖고, 녹색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 전자 차단 층은 100Å 내지 400Å의 두께를 갖고, 제2 전도 층 그룹 내의 녹색 서브픽셀 발광 층 위에 위치되는 정공 차단 층은 50Å 내지 100Å의 두께를 갖는다.
따라서, 본 출원은 또한 기판을 포함하는 디스플레이 장치, 및 기판 상에 형성되는 상기 설명된 유기 전자발광 디바이스를 제공한다.
선행 기술과 비교하여, 본 출원에 의해 제공되는 유기 전자발광 디바이스 및 디스플레이 장치에서, 유기 전자발광 디바이스는 제1 전도 층 그룹, 제2 전도 층 그룹, 및 제1 전도 층 그룹과 제2 전도 층 그룹 사이에 배치되고 2개의 그룹과 오믹 접촉하는 발광 층을 포함한다. 제1 전도 층 그룹은 발광 층과 오믹 접촉하는 전자 차단 층, 및 전자 차단 층과 오믹 접촉하는 정공 수송 층을 포함한다. 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것과 발광 층의 것 사이이고, 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것 및 발광 층의 것보다 더 얕다. 적절한 HOMO 에너지 레벨 및 LUMO 에너지 레벨을 갖는 전자 차단 층을 선택하는 것은 캐리어들의 균형을 더 양호하게 조절할 수 있으며, 따라서 유기 전자발광 디바이스의 수명을 연장하고 제품 성능을 보장한다.
도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 유기 전자발광 디바이스의 개략 구조도이다.
도 2는 본 출원의 실시예 1에 따른 유기 전자발광 디바이스의 수명 비교도이다.
도 3은 본 출원의 실시예 2에 따른 유기 전자발광 디바이스의 수명 비교도이다.
상기 설명된 바와 같이, 녹색 서브픽셀 발광 층 및 청색 서브픽셀 발광 층의 수명은 유기 전자발광 디바이스의 수명에 심하게 영향을 미친다. 따라서, 녹색 서브픽셀 발광 층 및 청색 서브픽셀 발광 층의 수명을 연장하여 유기 전자발광 디바이스의 수명을 연장하는 것이 요구된다.
출원인은, 외부 전압이 애노드 층과 캐소드 층 사이에 가해질 때 그리고 외부 전압에 의한 구동 하에, 애노드 층으로부터 주입되는 정공들이 정공 주입 층 및 정공 수송 층을 통해 발광 층으로 진입할 것이고, 캐소드 층으로부터 주입되는 전자들이 전자 주입 층 및 전자 수송 층을 통해 발광 층으로 진입할 것임을 발견했다. 발광 층으로 진입했던 정공들 및 전자들은 재조합 영역에서 여기자들(excitons)을 형성하기 위해 재조합된다. 여기자들의 방사 및 전이는 광 방출 현상을 초래하며, 즉 전자발광을 형성한다.
전자들 및 정공들의 상이한 주입 속도들로 인해, 발광 층의 재조합 영역으로 주입되는 전자들 및 정공들의 수들은 상이하며, 따라서 유기 전자발광 디바이스의 발광 효율 및 수명의 감소를 야기한다. 특히, 녹색 서브픽셀 발광 층 및 청색 서브픽셀 발광 층에 대해, 수명이 크게 단축된다.
연구를 통해, 출원인은 적절한 HOMO 에너지 레벨 및 LUMO 에너지 레벨을 가진 재료가 전자 차단 층으로서 선택되면, 전자 주입 속도 및 정공 주입 속도가 더 양호하게 조절될 수 있으며, 즉, 캐리어들의 균형이 더 양호하게 조절될 수 있으며, 따라서 녹색 서브픽셀 발광 층 및 청색 서브픽셀 발광 층의 수명을 연장하므로 유기 전자발광 디바이스의 수명을 연장하는 것을 발견했다.
추가 연구를 통해, 출원인은 유기 전자발광 디바이스를 제공하며, 이 디바이스는 제1 전도 층 그룹, 제2 전도 층 그룹, 및 제1 전도 층 그룹과 제2 전도 층 그룹 사이에 배치되고 2개의 그룹과 오믹 접촉하는 발광 층을 포함한다. 제1 전도 층 그룹은 발광 층과 오믹 접촉하는 전자 차단 층, 및 전자 차단 층과 오믹 접촉하는 정공 수송 층을 포함한다. 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것과 발광 층의 것 사이이고, 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것 및 발광 층의 것보다 더 얕다.
적절한 HOMO 에너지 레벨 및 LUMO 에너지 레벨을 가진 전자 차단 층의 선택은 캐리어들의 균형을 더 양호하게 조절할 수 있으며, 따라서 유기 전자발광 디바이스의 수명을 연장하고 제품 성능을 보장한다.
최고 전자 에너지 레벨을 가진 점유 궤도가 최고 점유 분자 궤도(Highest Occupied Molecular Orbital)로 칭해지며, 그것이 HOMO로서 축약된다는 점이 주목되어야 한다. 최저 전자 에너지 레벨을 가진 비점유 궤도는 최저 비점유 분자 궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)로 칭해지며, 그것은 LUMO로서 축약된다. 따라서, HOMO의 전체 명칭은 최고 점유 분자 궤도이고 LUMO의 것은 최저 비점유 분자 궤도이다. 경계 분자 궤도의 이론은 단일 원자와 유사한 "원자가 전자"가 분자에 존재하고, 분자의 원자가 전자가 경계 전자인 것을 제안한다. 따라서, 분자들 사이의 화학 반응 동안, 우선 작용되는 분자 궤도들은 경계 궤도들이고, 핵심적 역할을 하는 전자들은 경계 전자들이다. 분자의 HOMO는 그것의 전자들에 상대적으로 느슨한 제약을 가하고, 전자 도너의 성질을 갖는다. 그러나, LUMO는 전자들에 대해 강한 친화도를 갖고, 전자 어셉터의 성질을 갖는다.
본 출원의 내용을 더 분명하고 이해하기 더 쉽게 하기 위해, 본 출원은 첨부 도면들을 참조하여 아래에 추가로 설명된다. 분명히, 본 출원은 특정 실시예들에 제한되지 않고, 본 기술분야의 통상의 기술자들에게 널리 공지된 일반적 대체들은 또한 본 출원의 보호 범위 내에 있다.
게다가, 본 출원은 개략도들에 의해 상세히 설명된다. 본 출원의 실시예를 상세히 예시할 때, 개략도들은 설명을 용이하게 할 목적으로 이하의 일반적 비율들을 갖지 않고 부분적으로 확대되고 본 출원은 이에 제한되지 않는다.
도 1을 참조하면, 도 1은 본 출원의 일 실시예에 제공되는 유기 전자발광 디바이스의 개략 구조도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 유기 전자발광 디바이스는 제1 전도 층 그룹, 제2 전도 층 그룹, 및 제1 전도 층 그룹과 제2 전도 층 그룹 사이에 배치되고 2개의 그룹과 오믹 접촉하는 발광 층(50)을 포함한다. 제1 전도 층 그룹은 제1 전극(10), 발광 층(50)과 오믹 접촉하는 전자 차단 층(40), 전자 차단 층(40)과 오믹 접촉하는 정공 수송 층(30), 및 정공 주입 층(20)을 포함한다. 즉, 제1 전도 층 그룹은 제1 전극(10), 정공 주입 층(20), 정공 수송 층(30), 및 전자 차단 층(40)을 포함하며, 이들은 연속적으로 형성된다. 전자 차단 층(40)의 HOMO 에너지 레벨은 정공 수송 층(30)의 것과 발광 층(50)의 것 사이이고, 전자 차단 층(40)의 LUMO 에너지 레벨은 정공 수송 층(30)의 것 및 발광 층(50)의 것보다 더 얕다.
바람직하게는, 제2 전도 층 그룹은 제2 전극(90), 발광 층(50)과 오믹 접촉하는 정공 차단 층(60), 정공 차단 층(60)과 오믹 접촉하는 전자 수송 층(70), 및 전자 주입 층(80)을 포함한다. 즉, 제2 전도 층 그룹은 제2 전극(90), 전자 주입 층(80), 전자 수송 층(70), 및 정공 차단 층(60)을 포함하며, 이들은 연속적으로 형성된다. 구체적으로, 정공 차단 층(60), 전자 수송 층(70), 및 전자 주입 층(80)은 발광 층(50) 상에 연속적으로 형성된다.
바람직하게는, 제1 전극(10)은 애노드 층이고, 제2 전극(90)은 캐소드 층이다.
발광 층(50)은 적색 서브픽셀 발광 층, 녹색 서브픽셀 발광 층, 및 청색 서브픽셀 발광 층을 포함한다. 녹색 서브픽셀 발광 층 및 청색 서브픽셀 발광 층에 대해, 전자 차단 층(40)은 상이한 HOMO 에너지 레벨들 및 LUMO 에너지 레벨들을 가질 수 있고, 또한 상이한 재료들로 제조될 수 있으며, 그것은 특정 실시예들을 사용하여 아래에 설명된다.
실시예 1
청색 서브픽셀 발광 층을 일 예로서 사용하여 설명이 주어진다.
상기 설명된 바와 같이, 전자 차단 층, 정공 수송 층, 정공 주입 층, 및 제1 전극은 청색 서브픽셀 발광 층 아래에 연속적으로 배치되고; 정공 차단 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층, 및 제2 전극은 청색 서브픽셀 발광 층 위에 연속적으로 배치된다.
청색 서브픽셀 발광 층의 호스트 재료는 형광 재료로 제조된다. 형광 재료는 대부분의 경우들에 전자 타입 재료이고 캐리어들은 정공 수송 층과 발광 층 사이의 계면에 주로 집중되며, 그것에 의해 디바이스 수명은 상대적으로 짧아진다. 적절한 HOMO 및 LUMO 에너지 레벨들 및 적절한 이동도를 가진 전자 차단 층의 추가를 통해, 전자들의 주입은 청색 서브픽셀 발광 층의 수명을 개선하기 위해 제어된다.
일반적으로, 정공 수송 층의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.0 eV에서 5.5 eV까지 이르고, 바람직하게는 5.2 eV이고; 그것의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 2.0 eV에서 2.3 eV까지 이르며, 이 레벨은 바람직하게는 2.1 eV이다. 청색 서브픽셀 발광 층의 호스트 재료의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.7 eV에서 6.1 eV까지 이르며, 이 레벨은 바람직하게는 6.0 eV이고; 그것의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 2.7 eV에서 3.0 eV까지 이르며, 이 레벨은 바람직하게는 3.0 eV이다. 가운데에 추가되는 전자 차단 층은 바람직하게는 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르며, 예컨대 5.2 eV, 5.3 eV, 5.4 eV 또는 5.5 eV인 깊은 HOMO 에너지 레벨을 갖는 재료로 제조되도록 요구된다. 전자 차단 층은 바람직하게는 범위가 1.9 eV에서 2.1 eV까지 이르며, 예컨대 1.9 eV, 2.0 eV, 또는 2.1 eV인 얕은 LUMO 에너지 레벨을 갖도록 요구된다. 더욱이, 전자 차단 층의 재료에 대해, HOMO 에너지 레벨과 LUMO 에너지 레벨 사이의 에너지 레벨 차이(Eg)는 큰 것이 요구되며, 이 차이는 바람직하게는 3.2 eV보다 더 크고, 따라서 정공 주입 및 전자 차단을 용이하게 한다. 그러나, 깊은 HOMO 에너지 레벨을 가진 재료는 통상 낮은 이동도를 갖는다. 디바이스 전압을 고려해 볼 때, 전자 차단 층은 바람직하게는 50Å 내지 100Å의 두께를 가져서, 낮은 전력 소비 제품을 획득한다. 예를 들어, 전자 차단 층은 50Å, 60Å, 70Å, 80Å, 90Å 또는 100Å의 두께를 갖는다.
전자 차단 층의 재료는 바람직하게는 스피로플루오렌 그룹들을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료이고, 그것의 일차 구조 식은 이하로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다:
Figure pct00003
청색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 전자 차단 층은 스피로플루오렌 그룹들을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료로 제조되고, 전자 차단 층의 재료의 HOMO 에너지 레벨은 바람직하게는 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르며 그것의 LUMO 에너지 레벨은 바람직하게는 범위가 1.9 eV에서 2.1 eV까지 이를 때, 유기 전자발광 디바이스의 수명이 분명히 개선되는 점이 실험들을 통해 증명된다. 도 2는 수명 개선의 구체적 효과를 도시하며, 여기서 횡좌표는 개선 전 및 후의 디바이스를 표시하고 종좌표는 수명(단위: h)을 표시한다. 개선 전의 디바이스의 평균 수명은 약 67h이고, 개선 후의 디바이스의 평균 수명은 약 118h인 점은 도 2로부터 알 수 있다. 따라서, 디바이스 수명은 40%만큼 연장된다.
실시예 2
녹색 서브픽셀 발광 층을 일 예로서 사용하여 설명이 주어진다.
상기 설명된 바와 같이, 전자 차단 층, 정공 수송 층, 정공 주입 층, 및 제1 전극은 녹색 서브픽셀 발광 층 아래에 연속적으로 배치되고; 정공 차단 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층, 및 제2 전극은 녹색 서브픽셀 발광 층 위에 연속적으로 배치된다.
녹색 서브픽셀 발광 층은 등가 정공들 및 전자들을 양극성 인광 재료로 주로 제조된다. 캐리어 재조합 영역은 상대적으로 넓고 정공 수송 층에서 멀리 떨어져 있다. 적절한 HOMO 에너지 레벨 및 LUMO 에너지 레벨 및 적절한 이동도를 갖는 재료로 제조되는 전자 차단 층을 추가하는 것을 통해, 정공 캐리어들의 균형은 녹색 서브픽셀 발광 층의 수명을 개선하기 위해 제어된다.
일반적으로, 정공 수송 층의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.0 eV에서 5.5 eV까지 이르며, 이 레벨은 바람직하게는 5.2 eV이고; 그것의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 2.0 eV에서 2.3 eV까지 이르며, 이 레벨은 바람직하게는 2.1 eV이다. 녹색 서브픽셀 발광 층의 호스트 재료의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.3 eV에서 5.6 eV까지 이르며, 이 레벨은 바람직하게는 5.5 eV이고; 그것의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 2.1 eV에서 2.5 eV까지 이르며, 이 레벨은 바람직하게는 2.0 eV이다. 가운데에 추가되는 전자 차단 층의 재료의 HOMO 에너지 레벨은 깊은 것으로 요구되며, 이 레벨은 바람직하게는 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르며, 예컨대 5.2 eV, 5.3 eV, 5.4 eV 또는 5.5 eV이다. 전자 차단 층의 재료의 LUMO 에너지 레벨은 얕은 것으로 추가로 요구되며, 이 레벨은 바람직하게는 범위가 1.8 eV에서 2.0 eV, 예컨대 1.8 eV, 1.9 eV, 또는 2.0 eV까지 이른다. 더욱이, 전자 차단 층의 재료에 대해, HOMO 에너지 레벨과 LUMO 에너지 레벨 사이의 에너지 레벨 차이(Eg)는 큰 것으로 요구되며, 이 차이는 바람직하게는 3.2 eV보다 더 크고, 따라서 정공 주입 및 전자 차단을 용이하게 한다. 인광 재료들의 시스템에 존재되는 3중 상태의 ?칭(quenching)으로 인해, 정공 차단 층의 재료에 대한 3중 상태(T1)의 에너지 레벨은 2.6 eV보다 더 크도록 요구된다. 동시에, 깊은 HOMO 에너지 레벨을 가진 재료는 낮은 이동도를 갖는다. 디바이스 전압을 고려해 볼 때, 전자 차단 층은 바람직하게는 100Å 내지 400Å의 두께를 가져서 낮은 전력 소비 제품을 획득한다. 예를 들어, 전자 차단 층은 100Å, 200Å, 300Å 또는 400Å의 두께를 갖는다. 정공 차단 층은 바람직하게는 50Å 내지 100Å의 두께를 갖는다. 예를 들어, 정공 차단 층은 50Å, 60Å, 70Å, 80Å, 90Å 또는 100Å의 두께를 갖는다.
전자 차단 층의 재료는 바람직하게는 스피로사이클릭 유닛들을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료로 제조되고, 그것의 일차 구조 식은 이하로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상이다:
Figure pct00004
녹색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 전자 차단 층은 스피로사이클릭 유닛들을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료로 제조되고, 전자 차단 층의 재료의 HOMO 에너지 레벨은 바람직하게는 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르며 그것의 LUMO 에너지 레벨은 바람직하게는 범위가 1.8 eV에서 2.0 eV까지 이를 때, 유기 전자발광 디바이스의 수명이 분명히 개선되는 점이 실험들을 통해 증명된다. 도 3은 수명 개선의 구체적 효과를 도시하며, 여기서 횡좌표는 개선 전 및 후의 디바이스를 표시하고, 종좌표 수명(단위: h)을 표시한다. 개선 전의 디바이스의 평균 수명은 약 69h이고, 개선 후의 디바이스의 평균 수명은 약 109h인 점은 도 3으로부터 알 수 있다. 따라서, 디바이스 수명은 35%만큼 연장된다.
상술한 2개의 실시예의 검증이 동시에 수행된다는 점이 주목되어야 한다. 즉, 청색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되고 녹색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 전자 차단 층들이 동시에 개선되어, 디바이스 수명을 검증한다. 유기 전자발광 디바이스의 수명은 적어도 35% 연장된다.
따라서, 본 출원은 또한 기판을 포함하는 디스플레이 장치 및 기판 상에 형성되는 상기 설명된 유기 전자발광 디바이스를 제공한다.
구체적으로, 디스플레이 장치는 제1 전극, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 발광 층, 정공 차단 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층, 및 제2 전극을 포함하며, 이들은 기판 상에 연속적으로 형성된다. 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것과 발광 층의 것 사이이고, 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것 및 발광 층의 것보다 더 얕다.
게다가, 발광 층은 적색 서브픽셀 발광 층, 녹색 서브픽셀 발광 층, 및 청색 서브픽셀 발광 층을 포함한다. 청색 서브픽셀 발광 층 아래의 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르고, 그것의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 1.9 eV에서 2.1 eV까지 이른다. 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨과 LUMO 에너지 레벨 사이의 에너지 레벨 차이는 3.2 eV보다 더 크고, 전자 차단 층은 바람직하게는 스피로플루오렌 그룹들을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료로 제조된다. 녹색 서브픽셀 발광 층 아래의 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르고, 그것의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 1.8 eV에서 2.0 eV까지 이른다. 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨과 LUMO 에너지 레벨 사이의 에너지 레벨 차이는 3.2 eV보다 더 크고, 전자 차단 층은 바람직하게는 스피로사이클릭 유닛들을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료로 제조된다.
게다가, 청색 서브픽셀 발광 층 아래의 전자 차단 층은 바람직하게는 50Å 내지 100Å의 두께를 갖는다. 녹색 서브픽셀 발광 층 아래의 전자 차단 층은 바람직하게는 100Å 내지 400Å의 두께를 갖고, 녹색 서브픽셀 발광 층 위의 정공 차단 층은 바람직하게는 50Å 내지 100Å의 두께를 갖는다.
결론적으로, 본 출원에 의해 제공되는 유기 전자발광 디바이스 및 디스플레이 장치에서, 유기 전자발광 디바이스는 제1 전도 층 그룹, 제2 전도 층 그룹, 및 제1 전도 층 그룹과 제2 전도 층 그룹 사이에 배치되고 2개의 그룹과 오믹 접촉하는 발광 층을 포함한다. 제1 전도 층 그룹은 발광 층과 오믹 접촉하는 전자 차단 층, 및 전자 차단 층과 오믹 접촉하는 정공 수송 층을 포함한다. 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것과 발광 층의 것 사이이고, 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 정공 수송 층의 것 및 발광 층의 것보다 더 얕다. 적절한 HOMO 에너지 레벨 및 LUMO 에너지 레벨을 갖는 전자 차단 층을 선택하는 것은 캐리어들의 균형을 더 양호하게 조절할 수 있으며, 따라서 유기 전자발광 디바이스의 수명을 연장하고 제품 성능을 보장한다.
상기 설명들은 본 출원의 바람직한 실시예들일 뿐이고, 본 출원의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다. 개시에 따라 본 기술분야의 통상의 기술자들에 의해 이루어지는 모든 변경들 및 수정들은 본 출원의 첨부된 청구항들의 범위 내에 있어야 한다.

Claims (10)

  1. 유기 전자발광 디바이스로서,
    제1 전도 층 그룹,
    제2 전도 층 그룹, 및
    상기 제1 전도 층 그룹과 상기 제2 전도 층 그룹 사이에 배치되고 상기 2개의 그룹과 오믹 접촉하는 발광 층
    을 포함하며,
    상기 제1 전도 층 그룹은 상기 발광 층과 오믹 접촉하는 전자 차단 층 및 상기 전자 차단 층과 오믹 접촉하는 정공 수송 층을 포함하고,
    상기 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 상기 정공 수송 층의 HOMO 에너지 레벨과 상기 발광 층의 HOMO 에너지 레벨 사이이고, 상기 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 상기 정공 수송 층의 LUMO 에너지 레벨 및 상기 발광 층의 LUMO 에너지 레벨보다 더 얕은 유기 전자발광 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정공 수송 층의 HOMO 에너지 레벨은 상기 발광 층의 HOMO 에너지 레벨과 동등하거나 더 얕고, 상기 정공 수송 층의 LUMO 레벨은 상기 발광 층의 LUMO 레벨과 동등하거나 더 얕은 유기 전자발광 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 정공 수송 층에 대한 에너지 레벨 차이는 범위가 2.7 eV에서 3.5 eV까지 이르고, 상기 발광 층의 호스트 재료에 대한 에너지 레벨 차이는 범위가 2.7 eV에서 3.4 eV까지 이르고, 상기 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르고, 상기 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 1.9 eV에서 2.1 eV까지 이르고, 상기 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨과 LUMO 에너지 레벨 사이의 에너지 레벨 차이는 3.2 eV보다 더 큰 유기 전자발광 디바이스.
  4. 제1항에 있어서, 상기 발광 층은 형광 재료로 제조되는 청색 서브픽셀 발광 층을 포함하고, 상기 청색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 상기 전자 차단 층은 스피로플루오렌 그룹(spirofluorene group)을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료로 제조되는 유기 전자발광 디바이스.
  5. 제4항에 있어서, 상기 단일 방향족 아민의 구조체의 구조 식은 이하로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상인 유기 전자발광 디바이스.
    Figure pct00005
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 정공 수송 층에 대한 에너지 레벨 차이는 범위가 2.7 eV에서 3.5 eV까지 이르고, 상기 발광 층의 호스트 재료에 대한 에너지 레벨 차이는 범위가 2.8 eV에서 3.5 eV까지 이르고, 상기 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨은 범위가 5.2 eV에서 5.5 eV까지 이르고, 상기 전자 차단 층의 LUMO 에너지 레벨은 범위가 1.8 eV에서 2.0 eV까지 이르고, 상기 전자 차단 층의 HOMO 에너지 레벨과 LUMO 에너지 레벨 사이의 에너지 레벨 차이는 3.2 eV보다 더 큰 유기 전자발광 디바이스.
  7. 제1항에 있어서, 상기 발광 층은 양극성 인광 재료로 제조되는 녹색 서브픽셀 발광 층을 포함하고, 상기 녹색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 상기 전자 차단 층은 스피로사이클릭 유닛(spirocyclic unit)을 함유하는 단일 방향족 아민의 구조체를 갖는 재료로 제조되는 유기 전자발광 디바이스.
  8. 제7항에 있어서, 상기 단일 방향족 아민의 구조체의 구조 식은 이하로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상인 유기 전자발광 디바이스.
    Figure pct00006
  9. 제1항에 있어서, 상기 발광 층은 청색 서브픽셀 발광 층 및 녹색 서브픽셀 발광 층을 포함하고; 상기 청색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 상기 전자 차단 층은 50Å 내지 100Å의 두께를 갖고, 상기 녹색 서브픽셀 발광 층 아래에 위치되는 상기 전자 차단 층은 100Å 내지 400Å의 두께를 갖고, 상기 제2 전도 층 그룹 내의 상기 녹색 서브픽셀 발광 층 위에 위치되는 상기 정공 차단 층은 50Å 내지 100Å의 두께를 갖는 유기 전자발광 디바이스.
  10. 디스플레이 장치로서, 기판 및 상기 기판 상에 형성되는 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 정의된 바와 같은 유기 전자발광 디바이스를 포함하는 디스플레이 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021137512A1 (en) * 2019-12-30 2021-07-08 LG Display Co.,Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110165063A (zh) * 2019-05-27 2019-08-23 深圳市华星光电技术有限公司 量子棒发光二极管器件
KR102500996B1 (ko) * 2019-07-12 2023-02-20 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 패널
US11925046B2 (en) * 2019-08-02 2024-03-05 Kyushu University, National University Corporation Light-emitting device, light-emitting method, and organic light-emitting element
CN111063818A (zh) * 2019-12-26 2020-04-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN111697146B (zh) * 2020-06-11 2022-04-19 云谷（固安）科技有限公司 发光器件及显示面板
CN115513389A (zh) * 2021-06-23 2022-12-23 京东方科技集团股份有限公司 一种蓝光发光器件、其制作方法及显示装置
JP2024519155A (ja) * 2022-01-27 2024-05-08 中国科学院理化技術研究所 有機電界発光素子
CN116669441A (zh) * 2023-07-31 2023-08-29 宁德时代新能源科技股份有限公司 太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090014373A (ko) * 2001-08-29 2009-02-10 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 금속착물을 포함하는 캐리어수송층을 구비한 유기발광장치
US20160248030A1 (en) * 2014-09-04 2016-08-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent display deivce, a fabricating method thereof and a display device

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002175887A (ja) 2000-12-07 2002-06-21 Denso Corp 有機ｅｌ素子
US6951694B2 (en) * 2002-03-29 2005-10-04 The University Of Southern California Organic light emitting devices with electron blocking layers
JP2007059687A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP5226187B2 (ja) * 2006-02-21 2013-07-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
CN101688114B (zh) * 2007-07-05 2014-07-16 巴斯夫欧洲公司 包含至少一种选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基二苯并呋喃、二甲硅烷基二苯并噻吩、二甲硅烷基二苯并磷杂环戊二烯、二甲硅烷基二苯并噻吩s-氧化物和二甲硅烷基二苯并噻吩s，s-二氧化物的二甲硅烷基化合物的有机发光二极管
US20090191427A1 (en) 2008-01-30 2009-07-30 Liang-Sheng Liao Phosphorescent oled having double hole-blocking layers
CN103026526A (zh) * 2010-07-16 2013-04-03 旭硝子欧洲玻璃公司 用于有机发光器件的半透明导电基板
CN102738400B (zh) 2011-03-31 2015-11-25 海洋王照明科技股份有限公司 一种白光电致发光器件
EP2695213B1 (de) * 2011-04-05 2019-11-13 Merck Patent GmbH Organische elektrolumineszenzvorrichtung
KR101358784B1 (ko) 2012-02-14 2014-02-10 삼성디스플레이 주식회사 개선된 효율 특성을 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102017743B1 (ko) * 2013-01-04 2019-09-04 삼성디스플레이 주식회사 개선된 효율 특성을 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102232331B1 (ko) 2013-04-08 2021-03-25 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 디바이스
CN103227294B (zh) 2013-04-28 2015-08-19 陕西科技大学 一种红绿磷光oled器件及其制造方法
CN104183712A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置、显示屏及其终端
EP2846371A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-11 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Inverted solar cell and process for producing the same
CN103715360B (zh) * 2013-12-23 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件、显示装置
CN104934544A (zh) * 2014-03-21 2015-09-23 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104241540A (zh) * 2014-09-04 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置
CN107251258B (zh) * 2014-10-24 2019-04-26 德山新勒克斯有限公司 利用有机电子元件用组成物的显示器及有机电子元件
WO2016080310A1 (ja) * 2014-11-20 2016-05-26 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
CN107112439B (zh) * 2014-12-22 2020-04-10 默克专利有限公司 用于电子器件的材料
US11538995B2 (en) 2015-07-29 2022-12-27 Merck Patent Gmbh Materials for organic electroluminescent devices
KR102504124B1 (ko) * 2015-07-31 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN105244446B (zh) 2015-08-28 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN105206715B (zh) * 2015-09-16 2019-09-17 Tcl集团股份有限公司 一种激子限域结构的qled及其制备方法
CN108137445B (zh) * 2015-12-04 2021-03-19 广州华睿光电材料有限公司 螺环衍生物、高聚物、混合物、组合物以及有机电子器件
US10069096B1 (en) * 2017-06-21 2018-09-04 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. WOLED device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090014373A (ko) * 2001-08-29 2009-02-10 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 금속착물을 포함하는 캐리어수송층을 구비한 유기발광장치
US20160248030A1 (en) * 2014-09-04 2016-08-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent display deivce, a fabricating method thereof and a display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021137512A1 (en) * 2019-12-30 2021-07-08 LG Display Co.,Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting device including the same

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