CN111697146B - 发光器件及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种发光器件及显示面板,所述发光器件包括:层叠设置的空穴传输层、能级调配层和发光层,所述空穴传输层与所述能级调配层的平均活化能之间具有第一差值,所述能级调配层与所述发光层的主体材料的平均活化能之间具有第二差值,所述第一差值的绝对值和所述第二差值的绝对值大于0eV。通过上述方式,本申请能够通过活化能匹配的方式改善发光器件的寿命。

Description

发光器件及显示面板
技术领域
本申请属于显示技术领域,具体涉及一种发光器件及显示面板。
背景技术
OLED显示面板中的蓝色发光器件、绿色发光器件和红色发光器件的寿命不一致,在长时间点亮时存在白光颜色变化的问题。例如,一般而言,蓝色发光器件的寿命偏短,因此OLED显示面板长时间使用后存在偏红色或绿色或黄色的情况。
为了解决该问题,目前通常使用的方法包括:调整蓝色发光器件、绿色发光器件和红色发光器件的开口面积,将三者的寿命水平差异缩小。然而,从工艺角度考虑,蓝色发光器件、绿色发光器件和红色发光器件的开口面积比例无法无限制的扩大或缩小。因此,需要寻找另一种方式来改善发光器件的寿命。
发明内容
本申请提供了一种发光器件和显示面板,以通过活化能匹配的方式改善发光器件的寿命。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种发光器件,包括:层叠设置的空穴传输层、能级调配层和发光层,所述空穴传输层与所述能级调配层的平均活化能之间具有第一差值,所述能级调配层与所述发光层中的主体材料的平均活化能之间具有第二差值,所述第一差值的绝对值和所述第二差值的绝对值大于0eV。
其中,所述发光层为蓝色发光层,所述第一差值的绝对值大于等于所述第二差值的绝对值。
其中,所述第一差值的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV,所述第二差值的绝对值大于等于0.05eV且小于等于0.1eV。
其中,所述蓝色发光层还包括掺杂材料,所述能级调配层与所述掺杂材料的平均活化能之间具有第三差值,所述第三差值的绝对值小于所述第二差值的绝对值。
其中,所述第三差值的绝对值小于0.05eV。
其中,所述发光层为绿色发光层,所述第一差值的绝对值大于等于0.05eV且小于等于0.1eV,所述第二差值的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV;所述绿色发光层还包括掺杂材料,所述能级调配层与所述掺杂材料的平均活化能之间具有第三差值,所述第三差值的绝对值小于0.05eV。
其中,所述发光层为红色发光层,所述第一差值的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV,所述第二差值的绝对值小于0.05eV;所述红色发光层包括掺杂材料,所述能级调配层与所述掺杂材料的平均活化能之间具有的第三差值,所述第三差值的绝对值小于0.05eV。
其中,所述能级调配层包括电子阻挡层。
其中,还包括:第一能级层,位于所述电子阻挡层与所述发光层之间,且所述第一能级层的平均活化能介于所述电子阻挡层和所述发光层的主体材料的平均活化能之间;和/或,第二能级层,位于所述电子阻挡层与所述空穴传输层之间,且所述第二能级层的平均活化能介于所述电子阻挡层和所述空穴传输层的平均活化能之间。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种显示面板,包括上述任一实施例中所述的发光器件。
区别于现有技术情况,本申请的有益效果是:本申请所提供的发光器件中空穴传输层与能级调配层的平均活化能之间具有非零的第一差值,能级调配层与发光层中的主体材料的平均活化能之间具有非零的第二差值。本申请中利用平均活化能来衡量发光器件中能级匹配情况,能够提高空穴的注入效率和迁移效率,延长发光器件的寿命,使得发光器件的发光效率提升。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1为本申请发光器件一实施方式的结构示意图;
图2为实验例和对比例随时间变化的色坐标示意图;
图3为本申请发光器件另一实施方式的结构示意图;
图4为对比例2中能级匹配层循环伏安曲线示意图;
图5为实验例2中能级匹配层循环伏安曲线示意图;
图6为对比例2对应的发光器件随温度变化的发光效率曲线示意图;
图7为实验例2对应的发光器件随温度变化的发光效率曲线示意图;
图8为对比例2和实验例2随温度变化的色坐标示意图;
图9为本申请显示面板一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
请参阅图1,图1为本申请发光器件一实施方式的结构示意图,该发光器件10包括层叠设置的空穴传输层100、能级调配层102和发光层104,空穴传输层100与能级调配层102的平均活化能之间具有第一差值ΔEa1,能级调配层102与发光层104中的主体材料的平均活化能之间具有第二差值ΔEa2,第一差值ΔEa1的绝对值和第二差值ΔEa2的绝对值大于0eV。
其中,活化能是指某一物质要成为活化分子所需要的能量,活化能越低表明其需要克服的势垒越低。活化能可以采用如下阿伦尼乌斯(Arrhenius)公式计算获得:Ea=E0+mRT,其中,Ea为活化能,E0和m为与温度无关的常数,T为温度,R为摩尔气体常数。此外,经上述计算公式获得的活化能的单位为焦耳J,通过简单的换算公式即可将上述活化能的单位转换为电子伏特eV,其中,换算公式为:1eV=1.602176565*10-19J。
当空穴传输层100、能级调配层102和发光层104由单一物质形成时,单一物质的活化能Ea即为其对应的空穴传输层100或能级调配层102或发光层104的平均活化能。
当空穴传输层100、能级调配层102和发光层104由多种物质混合形成时,多种物质对应的空穴传输层100或能级调配层102或发光层104的平均活化能的计算过程可以为:首先获得各个物质的活化能Ea与其对应的摩尔质量分数乘积值;然后将上述各个乘积值进行求和,以获得平均活化能。或者,在其他实施方式中,也可直接对上述空穴传输层100、或能级调配层102或发光层104的整体进行热重分析,根据热重分析结果直接计算获得其对应的平均活化能。其中,热重分析是指在程序控制温度下,获得物质的质量随温度(或时间)的变化关系的方法;当利用热重分析技术获得热重曲线后,通过差减微分(Freeman-Carroll)法或积分(OWAZa)法等即可计算获得平均活化能。
现有技术中一般利用最高占据能级轨道HOMO/最低占据能级轨道LOMO来衡量发光器件10的能级匹配情况,HOMO/LOMO仅考虑了空穴的注入效率;而本申请中利用平均活化能来衡量发光器件10中能级匹配情况,能够综合考虑空穴的注入效率和迁移效率,相比传统的HOMO/LOMO的方式,可以延长发光器件10的寿命,使得发光器件10的发光效率提升。
在本实施例中,上述能级调配层102可以为电子阻挡层,其材质可以为含有螺芴基团的单个芳胺结构、含有螺环单元的单个芳胺结构等。上述能级调配层102的设计方式不仅可以起到能级匹配的目的,而且能够阻挡阴极的电子,以进一步提高发光器件10的发光效率。
此外,上述空穴传输层100的材质可以为聚对苯撑乙烯类、聚噻吩类、聚硅烷类、三苯甲烷类、三芳胺类、腙类、吡唑啉类、嚼唑类、咔唑类、丁二烯类等。
在一个实施方式中,当上述发光层104为蓝色发光层时,其第一差值ΔEa1的绝对值大于等于第二差值ΔEa2的绝对值。该设计方式可以使得集中于能级调配层102和发光层104的界面处的空穴数量低于空穴传输层100和能级调配层102的界面处的空穴数量,避免空穴过于集中在发光层104界面,减缓发光材料劣化,进而提高发光器件10的寿命。
在一个应用场景中,当上述发光层104为蓝色发光层时,第一差值ΔEa1的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV,第二差值ΔEa2的绝对值大于等于0.05eV且小于等于0.1eV。例如,上述第一差值ΔEa1的绝对值可以为0.12eV、0.14eV等,上述第二差值ΔEa2的绝对值可以为0.06eV、0.08eV等。上述第一差值ΔEa1和第二差值ΔEa2范围的设计方式可以有效提升蓝色发光层的寿命,降低蓝色发光层与红色发光层和绿色发光层之间的寿命差异,降低色偏发生的概率。
例如,上述能级调配层102的平均活化能比空穴传输层100的平均活化能而言,具有-0.1eV至-0.2eV(例如,-0.15eV、-0.18eV等)的差值,蓝色发光层的平均活化能相比空穴传输层100的平均活化能而言,具有-0.2eV至-0.3eV(例如,-0.25eV、-0.28eV等)的差值。上述设计方式可以使得蓝色发光器件的寿命和发光效率较高。
为了验证上述设计的实际效果,设计了如下对比例1和实验例1,其中,实验例1中空穴传输层100和能级调配层102的平均活化能的第一差值ΔEa1的绝对值为0.1eV,能级调配层102和蓝色发光层104中的主体材料的平均活化能的第二差值ΔEa2的绝对值为0.05eV。对比例1和实验例1的差别在于发光器件不包括能级调配层102。对比例1和实验例1对应的发光器件的性能检测结果如下表1所示。
表1对比例1和实验例1对应的发光器件性能检测对照表
Figure BDA0002535651980000061
从上述表1中内容可以看出,实验例1和对比例1对应的发光器件所发出的光线的色坐标CIEx、CIEy基本相同、发光器件的Von@1nits和Vd也基本相同,其中,Von@1nits指在微小亮度1nits时的电压值;Vd是指在操作亮度1200nits时的电压值。而实验例1的BI值相比对比例1而言提高了20%,实验例1在1200nits亮度下持续的时间相比对比例而言提高了28%,其中,BI为cd/A/CIEy,cd/A为发光效率,CIEy为CIExy1931的坐标,因为蓝光发光效率cd/A容易受CIEy数值影响,所以业界一般定义蓝光效率会用BI值。从上述性能检测结果可以看出,本申请所采用的方案可以明显提高蓝色发光器件的发光效率和发光寿命。
此外,请参阅图2,图2为实验例1和对比例1随时间变化的色坐标示意图。从图2中可以明显看出,实验例1相比对比例1而言,蓝色发光器件随时间的推移其寿命提高,白光色坐标变化减小。
在一个应用场景中,当上述发光层104为蓝色发光层,且蓝色发光层包括蓝色发光主体材料BH和蓝色发光掺杂材料BD时,能级调配层102与蓝色发光掺杂材料BD的平均活化能之间具有第三差值ΔEa3,第三差值ΔEa3的绝对值小于第二差值ΔEa2的绝对值。其中,蓝色发光主体材料BH主要作用是传递能量和防止三线态能量淹灭,蓝色发光掺杂材料BD主要作用是负责发光。当蓝色发光层发光时,能量在蓝色发光主体材料BH和蓝色发光掺杂材料BD之间进行传递,上述平均活化能的设计方式可以使得能级调配层102所传输的空穴可以较为容易地到达蓝色发光掺杂材料BD,蓝色发光主体材料BH能够将能量有效传输至蓝色发光掺杂材料BD,降低能量回流的概率,保证发光效率。
此外,在本实施例中,蓝色发光主体材料BH的平均活化能相比空穴传输层100而言,具有-0.2eV至-0.3eV的差值;蓝色发光掺杂材料BD的平均活化能相比空穴传输层100而言,具有-0.2eV至-0.3eV的差值。该蓝色发光主体材料BH可以为咔唑基团衍生物、芳基硅衍生物、芳族衍生物、金属络合物衍生物等,蓝色发光掺杂材料BD可以为荧光掺杂材料(例如,卟啉类化合物、香豆素类染料、喹吖啶酮类化合物、芳胺类化合物等)或磷光掺杂材料(例如,含有金属铱的络合物等)等。
进一步,当第二差值ΔEa2的绝对值大于等于0.05eV且小于等于0.1eV时,上述能级调配层102与蓝色发光掺杂材料BD的平均活化能之间的第三差值ΔEa3的绝对值小于0.05eV,例如,第三差值ΔEa3的绝对值可以为0.04eV、0.03eV等。上述第二差值ΔEa2和第三差值ΔEa3的设计方式可以有效提升蓝色发光层的发光效率;例如,上述第二差值ΔEa2的设计方式有利于累积一定数量的空穴和电子,空穴和电子再结合形成激子以提升发光效率;上述第三差值ΔEa3的设计方式有利于空穴从能级调配层102注入到蓝色发光掺杂材料BD中。
在另一个实施方式中,当上述发光层104为绿色发光层时,空穴传输层100和能级调配层102之间的第一差值ΔEa1的绝对值大于等于0.05eV且小于等于0.1eV,能级调配层102与发光层104绿色发光主体材料的平均活化能之间的第二差值ΔEa2的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV。例如,上述第一差值ΔEa1的绝对值可以为0.06eV、0.08eV等,第二差值ΔEa2的绝对值可以为0.14eV、0.13eV等。上述第一差值ΔEa1和第二差值ΔEa2范围的设计方式可以有效提升绿色发光器件的寿命和发光效率。
在一个应用场景中,绿色发光层也可以由绿色发光主体材料GH和绿色发光掺杂材料GD形成,能级调配层102与绿色掺杂材料GD的平均活化能之间具有第三差值ΔEa3,第三差值ΔEa3的绝对值小于0.05eV。且绿色发光主体材料GH与绿色发光掺杂材料GD的平均活化能之间具有0.08-0.12eV的绝对值差值。例如,绿色发光主体材料GH平均活化能相比空穴传输层100而言,具有0.15eV至0.2eV的差值,绿色发光掺杂材料GD的平均活化能相比空穴传输层100而言,具有0.05eV至0.15eV的差值,上述能级调配层102的平均活化能相比空穴传输层100的平均活化能而言,具有0.05eV至0.1eV(例如,0.06、0.08eV等)的差值。
在又一个实施方式中,当上述发光层104为红色发光层时,空穴传输层100和能级调配层102之间的第一差值ΔEa1的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV,能级调配层102与发光层104的红色发光主体材料平均活化能之间的第二差值ΔEa2的绝对值小于0.05eV。例如,上述第一差值ΔEa1的绝对值可以为0.12eV、0.14eV等,上述第二差值ΔEa2的绝对值可以为0.04eV、0.03eV等。上述第一差值ΔEa1和第二差值ΔEa2范围的设计方式可以有效提升红色发光器件的寿命和发光效率。
在一个应用场景中,红色发光层也可以由红色发光主体材料RH和红色发光掺杂材料RD形成,能级调配层102与红色掺杂材料RD的平均活化能之间具有第三差值ΔEa3,第三差值ΔEa3的绝对值小于0.05eV。且红色发光主体材料RH与红色发光掺杂材料RD的平均活化能之间具有0.08-0.12eV的绝对值差值。例如,红色发光主体材料RH平均活化能相比空穴传输层100而言,具有0.20eV至0.25eV的差值,红色发光掺杂材料RD的平均活化能相比空穴传输层100而言,具有0.10eV至0.15eV的差值,上述能级调配层102的平均活化能相比空穴传输层100的平均活化能而言,具有0.10eV至0.15eV(例如,0.12、0.14eV等)的差值。
此外,当能级调配层102为电子阻挡层时,本申请所提供的发光器件还可以包括:第一能级层,位于电子阻挡层与发光层104之间,且第一能级层的平均活化能介于电子阻挡层和发光层104的平均活化能之间。该设计方式可以减缓电子阻挡层与发光层104界面冲击产生的寿命损失,提升发光器件的寿命。
和/或,第二能级层,位于电子阻挡层与空穴传输层100之间,且第二能级层的平均活化能介于电子阻挡层和空穴传输层100的平均活化能之间。该设计方式可以减缓电子阻挡层与空穴传输层100界面冲击产生的寿命损失,提升发光器件的寿命。
另外,请再次参阅图1,图1中所给出的发光器件10为单层器件结构,其还可包括阴极108和阳极106。当然,在其他实施例中,其也可在图1中所示的发光层104与阴极108之间增加一层电子传输层。
或者,如图3所示,图3为本申请发光器件另一实施方式的结构示意图。上述发光器件10a除了包括图1中的结构层外,还可在图1中所示的发光层104a与阴极108a之间增加电子传输层103a和能级匹配层101a,且能级匹配层101a与发光层104a接触。上述发光器件10a的结构设计比较简单,且易于制备。其中,电子传输层103a与能级匹配层101a的平均活化能之间具有第四差值ΔEa4,能级匹配层101a与发光层104a的主体材料的平均活化能之间具有第五差值ΔEa4,第四差值ΔEa4的绝对值小于第五差值ΔEa5的绝对值。
现有技术中一般利用最高占据能级轨道HOMO/最低占据能级轨道LOMO来衡量发光器件10a的能级匹配情况,HOMO/LOMO仅考虑了电子的注入效率;而本申请中利用平均活化能来衡量发光器件10a中能级匹配情况,能够综合考虑温度、电子的注入效率和迁移效率,相比传统的HOMO/LOMO的方式,可以延长发光器件10a的寿命,使得发光器件10a的发光效率提升,且降低其发光效率随温度大幅度变化的现象。且上述设计方式中,通过电子和空穴两侧活化能的设计方式,可以降低电子累积于特定界面的概率,并达到较高效率的空穴/电子结合率,并使空穴/电子结合率随电流变化而改变的状态减缓。
在本实施例中,能级匹配层101a可以为空穴阻挡层,其材质可以为2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉BCP、1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯TPBi、三(8-羟基喹啉)合铝(III)Alq3、8-羟基喹啉-锂Liq、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)BAlq、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑TAZ等中至少一种。上述能级匹配层101a的设计方式不仅可以起到能级匹配的目的,而且能够阻挡阳极的空穴,以进一步提高发光器件10a的发光效率。
进一步,在选取能级匹配层101a的材质时,可以选取经历循环伏安测试的电流变化率小于1%的材质;其中,循环伏安测试的温度可以为室温或高于室温。该设计方式可以保证能级匹配层101a在长时间运转以及相应温度下的性能稳定性,进而改善其在低灰阶时发光效率随温度变化的问题。
在一个实施方式中,上述发光层104a为蓝色发光层,电子传输层103a与能级匹配层101a的平均活化能之间的第四差值ΔEa4的绝对值小于0.05eV,能级匹配层101a与发光层104的主体材料的平均活化能之间的第五差值ΔEa5的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV。上述第四差值ΔEa4的绝对值可以为0.02eV、0.04eV等,上述第五差值ΔEa5的绝对值可以为0.12eV、0.14eV等。上述第四差值ΔEa4和第五差值ΔEa5范围的设计方式可以有效提升蓝色发光层在不同温度下的发光效率,且降低不同温度下的发光效率的差值,进而降低白光偏移的情况。
在一个应用场景中,上述能级匹配层101a的平均活化能相比电子传输层103a的平均活化能而言,具有-0.05eV至0eV(例如,-0.02eV、-0.03eV等)的差值,蓝色发光层的主体材料的平均活化能相比电子传输层103a的平均活化能而言,具有0.05eV至0.15eV(例如,0.11eV、0.14eV等)的差值。上述设计方式可以使得蓝色发光器件的寿命和发光效率较高。
在一个应用场景中,上述蓝色发光层包括蓝色发光主体材料BH和蓝色发光掺杂材料BD,蓝色发光掺杂材料BD与能级匹配层101a的平均活化能之间具有第六差值ΔEa6,第六差值ΔEa6的绝对值小于第五差值ΔEa5的绝对值。其中,蓝色发光主体材料BH主要作用是传递能量和防止三线态能量淹灭,蓝色发光掺杂材料BD主要作用是负责发光。当蓝色发光层发光时,能量在蓝色发光主体材料BH和蓝色发光掺杂材料BD之间进行传递,上述平均活化能的设计方式可以使得能级匹配层101a所传输的电子可以较为容易地到达蓝色发光掺杂材料BD,蓝色发光主体材料BH能够将能量有效传输至蓝色发光掺杂材料BD,降低能量回流的概率,保证发光效率。
进一步,上述蓝色发光掺杂材料BD与能级匹配层101a的平均活化能之间的第六差值ΔEa6的绝对值小于0.05eV,例如,第六差值ΔEa6的绝对值可以为0.04eV,0.02eV等。与此同时,上述蓝色发光掺杂材料BD与蓝色发光主体材料BH的平均活化能之间的差值可以在0.05eV至0.1eV之间,例如,0.06eV、0.08eV等。上述第六差值ΔEa6和第五差值ΔEa5的设计方式可以有效提升蓝色发光层的发光效率;例如,上述第六差值ΔEa6的设计方式有利于累积一定数量的空穴和电子,空穴和电子再结合形成激子以提升发光效率;上述第五差值ΔEa5的设计方式有利于蓝色发光主体材料BH能够将能量有效传输至蓝色发光掺杂材料BD,降低能量回流的概率,保证发光效率。
为了验证上述设计的实际效果,设计了如下对比例2和实验例2;
其中,对比例2中各层的活化能设计如下:蓝色发光主体材料BH与蓝色发光掺杂材料BD之间的平均活化能差值的绝对值为0.02eV,蓝色发光掺杂材料BD与能级匹配层101a之间的平均活化能差值的绝对值为0.02eV;蓝色发光主体材料BH与能级匹配层101a之间的平均活化能差值的绝对值为0.03eV,能级匹配层101a与电子传输层103a之间的平均活化能差值的绝对值为0.03eV。具体地,在该对比例中,蓝色发光主体材料BH、蓝色发光掺杂材料BD、能级匹配层101a的活化能相对电子传输层103a而言,差值均为正值。
实验例2中各层的活化能设计如下:蓝色发光主体材料BH与蓝色发光掺杂材料BD之间的平均活化能差值的绝对值为0.1eV,蓝色发光掺杂材料BD与能级匹配层101a之间的平均活化能差值的绝对值为0.04eV;蓝色发光主体材料BH与能级匹配层101a之间的平均活化能差值的绝对值为0.11eV,能级匹配层101a与电子传输层103a之间的平均活化能差值的绝对值为0.02eV。具体地,在该实验例2中,蓝色发光主体材料BH、蓝色发光掺杂材料BD的活化能相对电子传输层103a而言,差值均为正值;而能级匹配层101a的活化能相对电子传输层103a而言,差值为负值。
请参阅图4和图5,图4为对比例2中能级匹配层循环伏安曲线示意图,图5为实验例2中能级匹配层循环伏安曲线示意图。从图中可以看出,实验例2的能级匹配层材料在经历100次循环伏安后,其电流变化较小。经计算发现,对比例2的能级匹配层材料在经历100次循环伏安后,其电流变化率为4.4%,而实验例2的能级匹配层材料在经历100次循环伏安后,其电流变化率仅为0.5%。
请参阅图6和图7,图6为对比例2对应的发光器件随温度变化的发光效率曲线示意图,图7为实验例2对应的发光器件随温度变化的发光效率曲线示意图。从图中可以看出,实验例2的发光器件在各个温度下的发光效率变化明显小于对比例2的发光器件。且对比例2的发光效率小于实验例2,为达到相同的显示亮度,对比例2所需的驱动电流较大;例如,如图6和图7所示,为达到相同的亮度,对比例2中需要0.12mA/cm2的电流密度,而实验例2需要0.108mA/cm2的电流密度。
另外,经对比发现,对应于同一个电流密度0.12mA/cm2,对比例2中的发光器件在55℃下的发光效率相对25℃下的发光效率降低,且为25℃下发光效率的88.5%。对应于同一个电流密度0.108mA/cm2,实验例2中的发光器件在55℃下的发光效率相对25℃下的发光效率增加,且为25℃下发光效率的111.6%。
进一步,请参阅图8,图8为对比例2和实验例2随温度变化的色坐标示意图。从图中可以看出,相对于对比例2而言,实验例2的白光随温度变化偏移较小。
上述实施例中主要针对发光层104a为蓝色发光层的情况,当然,对于其他颜色的发光层,上述方式同样适用。
例如,当发光层104a为绿色发光层时,能级匹配层101a与电子传输层103a的平均活化能之间的第四差值的绝对值小于0.05eV,绿色发光主体材料GH与能级匹配层101a的平均活化能之间的第五差值的绝对值小于0.05eV,绿色发光主体材料GH与绿色发光掺杂材料GD之间的平均活化能的差值的绝对值在0.05eV至0.1eV之间,绿色发光掺杂材料GD与能级匹配层101a之间的平均活化能的第六差值的绝对值小于0.1eV。在一个应用场景中,上述能级匹配层101a相对于电子传输层103a而言,具有大于0且小于0.05eV的平均活化能的差异;上述绿色发光主体材料相对于电子传输层103a而言,具有大于-0.05eV且小于0eV的平均活化能的差异;上述绿色发光掺杂材料相对于绿色发光主体材料而言,具有大于等于-0.1eV且小于等于-0.05eV的活化能的差异。
又例如,当发光层104a为红色发光层时,能级匹配层101a与电子传输层103a的平均活化能之间的第四差值的绝对值小于0.05eV,红色发光层的红色发光主体材料与能级匹配层101a的平均活化能之间的第五差值的绝对值小于0.05eV,红色发光主体材料RH与红色发光掺杂材料RD之间的平均活化能的差值的绝对值在0.08eV至0.12eV之间,红色发光掺杂材料RD与能级匹配层101a之间的平均活化能的第六差值的绝对值在0.08eV至0.12eV之间。在一个应用场景中,上述能级匹配层101a相对于电子传输层103a而言,具有大于0且小于0.05eV的平均活化能的差异;上述红色发光主体材料相对于电子传输层103a而言,具有大于0至0.05eV的平均活化能的差异;上述红色发光掺杂材料相对于红色发光主体材料而言,具有大于等于-0.1eV且小于等于0eV的活化能的差异。
此外,当能级匹配层101a为空穴阻挡层时,本申请所提供的发光器件还可以包括:第三能级层,位于空穴阻挡层与发光层104a之间,且第三能级层的平均活化能介于空穴阻挡层和发光层104a的平均活化能之间。该设计方式可以减缓空穴阻挡层与发光层104a界面冲击产生的寿命损失,提升发光器件的寿命。
和/或,第四能级层,位于空穴阻挡层与电子传输层103a之间,且第四能级层的平均活化能介于空穴阻挡层和电子传输层103a的平均活化能之间。该设计方式可以减缓空穴阻挡层与电子传输层103a界面冲击产生的寿命损失,提升发光器件的寿命。
请参阅图9,图9为本申请显示面板一实施方式的结构示意图。本申请所提供的显示面板20可以包括上述任一实施例中所提及的发光器件。其中,该显示面板20可以包括层叠设置的阵列基板200、发光层202、封装层204等。该发光层202中可以包含上述任一实施例中所提及的发光器件,该发光器件可以为蓝色发光器件、红色发光器件或绿色发光器件。
在本实施例中,当发光层202中包含蓝色发光器件、红色发光器件和绿色发光器件时,该蓝色发光器件、红色发光器件和绿色发光器件的空穴传输层可以由同一材质形成,而能级调配层可根据所设计的活化能要求选择不同的材质。该设计方式可以降低工艺制备的难度。当然,在其他实施例中,蓝色发光器件、红色发光器件和绿色发光器件的空穴传输层也可分别由不同材质形成,本申请对此不作限定。
以上所述仅为本申请的实施例,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种发光器件,其特征在于,包括:
层叠设置的空穴传输层、能级调配层和发光层,所述空穴传输层与所述能级调配层的平均活化能之间具有第一差值,所述能级调配层与所述发光层中的主体材料的平均活化能之间具有第二差值,所述第一差值的绝对值和所述第二差值的绝对值大于0eV;
所述发光层包括蓝色发光层,所述蓝色发光层中所述第一差值的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV,所述第二差值的绝对值大于等于0.05eV且小于等于0.1eV,且所述第一差值的绝对值大于所述第二差值的绝对值。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,
所述蓝色发光层还包括掺杂材料,所述能级调配层与所述掺杂材料的平均活化能之间具有第三差值,所述第三差值的绝对值小于所述第二差值的绝对值。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,
所述第三差值的绝对值小于0.05eV。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,
所述发光层还包括绿色发光层,所述绿色发光层中所述第一差值的绝对值大于等于0.05eV且小于等于0.1eV,所述第二差值的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV;
所述绿色发光层还包括掺杂材料,所述能级调配层与所述掺杂材料的平均活化能之间具有第三差值,所述第三差值的绝对值小于0.05eV。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,
所述发光层还包括红色发光层,所述红色发光层中所述第一差值的绝对值大于等于0.1eV且小于等于0.15eV,所述第二差值的绝对值小于0.05eV;
所述红色发光层包括掺杂材料,所述能级调配层与所述掺杂材料的平均活化能之间具有的第三差值,所述第三差值的绝对值小于0.05eV。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,
所述能级调配层为电子阻挡层。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,还包括:
第一能级层,位于所述电子阻挡层与所述发光层之间,且所述第一能级层的平均活化能介于所述电子阻挡层和所述发光层的主体材料的平均活化能之间;
和/或,第二能级层,位于所述电子阻挡层与所述空穴传输层之间,且所述第二能级层的平均活化能介于所述电子阻挡层和所述空穴传输层的平均活化能之间。
8.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的发光器件。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111697146B (zh) * 2020-06-11 2022-04-19 云谷(固安)科技有限公司 发光器件及显示面板
CN114639788A (zh) * 2020-12-15 2022-06-17 云谷(固安)科技有限公司 发光器件、材料筛选方法及显示面板
CN114639789B (zh) * 2020-12-15 2024-07-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 材料筛选方法、发光器件的制作方法及显示面板
CN114639790B (zh) * 2020-12-15 2024-07-26 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 发光器件、材料筛选方法及显示面板
CN114639786A (zh) 2020-12-15 2022-06-17 云谷(固安)科技有限公司 发光器件及显示面板
CN114639787A (zh) * 2020-12-15 2022-06-17 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 发光器件及其制作方法、材料筛选方法、显示面板
CN112909190B (zh) * 2021-01-21 2024-03-12 云谷(固安)科技有限公司 发光器件、显示面板及显示面板的制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101853924A (zh) * 2005-02-15 2010-10-06 株式会社半导体能源研究所 发光元件以及发光器件
JP2011216778A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el表示装置およびその製造方法
CN105576146A (zh) * 2016-03-23 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法和显示装置
CN109384265A (zh) * 2017-08-02 2019-02-26 Tcl集团股份有限公司 纳米金属氧化物薄膜的制备方法及其应用
CN109427985A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011065137A1 (ja) * 2009-11-27 2011-06-03 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法、ならびに有機エレクトロルミネッセンス表示装置
CN110003091A (zh) * 2019-04-09 2019-07-12 江苏三月光电科技有限公司 一种含有三芳胺和咔唑的化合物及其应用
CN111697146B (zh) * 2020-06-11 2022-04-19 云谷(固安)科技有限公司 发光器件及显示面板
CN111697147B (zh) * 2020-06-11 2022-09-06 云谷(固安)科技有限公司 发光器件及显示面板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101853924A (zh) * 2005-02-15 2010-10-06 株式会社半导体能源研究所 发光元件以及发光器件
JP2011216778A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機el表示装置およびその製造方法
CN105576146A (zh) * 2016-03-23 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法和显示装置
CN109384265A (zh) * 2017-08-02 2019-02-26 Tcl集团股份有限公司 纳米金属氧化物薄膜的制备方法及其应用
CN109427985A (zh) * 2017-08-31 2019-03-05 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件及显示装置

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Pledgor: YUNGU (GU'AN) TECHNOLOGY Co.,Ltd.

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