CN110003091A - 一种含有三芳胺和咔唑的化合物及其应用 - Google Patents

一种含有三芳胺和咔唑的化合物及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种含有三芳胺和咔唑的化合物及其应用，本发明提供的有机化合物的结构如通式(1)所示。本发明提供的化合物具有较高的玻璃化转变温度和分子热稳定性以及合适的HOMO能级，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。

Description

一种含有三芳胺和咔唑的化合物及其应用
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域，尤其是涉及一种含有三芳胺和咔唑的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。
背景技术
当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，OLED器件的发光效率和使用寿命等性能还需要进一步提升。目前对OLED发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压、提高器件的发光效率、提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能的OLED功能材料。
应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，分别为电荷注入传输材料和发光材料。进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。
为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电性能，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料具有良好双极性，适当的HOMO/LUMO能阶等。
构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED 器件结构则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包括空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的OLED器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现也可能完全迥异。
因此，针对当前OLED器件的产业应用要求以及OLED器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合、性能更高的OLED功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前的OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本发明申请人提供了一种含有三芳胺和咔唑的化合物及其应用。本发明化合物含有三芳胺和咔唑，具有较高的玻璃化转变温度和分子热稳定性，合适的HOMO能级，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。
本发明的技术方案如下：一种含有三芳胺和咔唑的化合物，所述化合物的结构如通式(1) 所示：
通式(1)中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5分别独立的表示为取代的或未取代的C6-C30的芳基、取代的或未取代的C2-C30杂芳基，Ar6表示为通式(2)或通式(3)所示结构；且通式 (1)中有且只有一个或两个通式(2)或通式(3)所示结构；当Ar6表示为通式(3)，且L 表示为亚苯基或烷基取代的芴基时，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5不表示为取代的或未取代的苯基；
通式(2)中，R1表示为取代的或未取代的C6-C30的芳基，取代的或未取代的C2-C30杂芳基；
通式(3)中，L表示为单键、取代的或未取代的C6-C30的亚芳基，取代的或未取代的C2-C30亚杂芳基；
通式(2)和通式(3)中，所述Z表示为C、N或C-R；R表示为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、C1-C20的烷基、C3-C20的环烷基、C1-C20的烷氧基、C6-C30芳基、C2-C30杂芳基；
所述“取代的”是指至少一个氢原子由以下取代基来替代：卤素原子、氰基、C1-C20的烷基、C3-C20的环烷基、C1-C20的烷氧基、C6-C30芳基、C2-C30杂芳基；
所述杂芳基和亚杂芳基中的杂原子选自N、O或S。
作为本发明的进一步改进，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5分别独立的表示为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的二联苯基、取代的或未取代的三联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的呋喃基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或未取代的哒嗪基、取代的或未取代的二苯并呋喃基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的喹啉基、取代的或未取代的异喹啉基、取代的或未取代的喹唑啉基、取代的或未取代的二苯并噻吩基、取代的或未取代的萘啶基中的一种。
作为本发明的进一步改进，所述R1表示为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的二联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或未取代的哒嗪基、取代的或未取代的喹啉基、取代的或未取代的异喹啉基、取代的或未取代的喹唑啉基中的一种；
所述L表示为取代的或未取代的亚苯基、取代的或未取代的亚萘基、取代的或未取代的亚二联苯基、取代的或未取代的亚吡啶基、取代的或未取代的亚嘧啶基、取代的或未取代的亚吡嗪基、取代的或未取代的亚哒嗪基、取代的或未取代的亚喹啉基、取代的或未取代的亚异喹啉基、取代的或未取代的亚喹唑啉基中的一种；
所述R表示为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、甲氧基、乙氧基、金刚烷基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的二联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或未取代的哒嗪基、取代的或未取代的喹啉基、取代的或未取代的异喹啉基、取代的或未取代的喹唑啉基中的一种；
所述取代基选自氟原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、甲氧基、乙氧基、金刚烷基、苯基、联苯基、萘基、呋喃基、咔唑基、噻吩基或吡啶基中的一种或多种。
作为本发明的进一步改进，所述通式(1)的化合物具体结构为：
一种所述的含有三芳胺和咔唑的化合物的应用，应用于制备有机电致发光器件。
一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件的阳极与阴极之间具有多层有机薄膜层，至少一层有机薄膜层含有所述含有三芳胺和咔唑的化合物。
作为本发明的进一步改进，所述有机电致发光器件的电子阻挡材料或空穴传输材料含有所述含有三芳胺和咔唑的化合物。
一种照明或显示元件，所述照明或显示元件含有所述的有机电致发光器件。
与现有技术相比，本发明有益的技术效果在于：
(1)本发明的化合物含有三芳胺和咔唑，具有高的三线态能级(T1)，作为OLED发光器件的电子阻挡层材料使用可有效阻挡发光层的激子能量传递至空穴传输层中，提高激子在发光层中的复合效率，提高能量利用率，从而提高器件发光效率。
(2)本发明化合物支链呈放射状，使得分子间的距离变大，使得使得本发明申请化合物具有较高的Tg温度，且具有较小的分子间作用力。分子间作用力较小使得本发明申请化合物具有较小的蒸镀温度，既保证了材料在量产时长时间蒸镀材料不分解，又降低了由于蒸镀温度的热辐射对Mask的形变影响。
(3)本发明的化合物使得电子和空穴在发光层的分布更加平衡，在恰当的HOMO能级下，提升了空穴注入和传输性能；在合适的LUMO能级下，又起到了电子阻挡的作用，提升激子在发光层中的复合效率；可有效提高激子利用率和高荧光辐射效率，降低器件电压，提高器件的电流效率和寿命；从而更易于获得器件的高效率。说明本发明的化合物在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；
图中：1为透明基板层，2为ITO阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为电子阻挡层，6为发光层，7为电子传输或空穴阻挡层，8为电子注入层，9为阴极反射电极层， 10为光取出层。
图2为本发明器件的电流效率随温度的变化曲线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明进行具体描述。
下述实施例中所有原料均采购于烟台万润精细化工股份有限公司。
中间体E的合成如下，为了更清楚的说明，同一种物质在不同的反应中出现用不同的代号表示；
以中间体E1的合成为例：
(1)、250ml的三口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.12mol原料A1，0.1mol原料B1，0.3mol叔丁醇钾，1×10-3molPd2(dba)3，1×10-3molP(t-Bu)3，150ml甲苯，加热至100℃回流24小时，取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到中间体C1；元素分析结构(分子式C18H13Br2N)：理论值：C,53.63；H,3.25；Br,39.64；N,3.47；测试值： C,53.64；H,3.25；Br,39.64；N,3.46。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为403.117，实测值为403.092；
(2)、250ml的三口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.12mol中间体C1，0.1mol原料D1，0.3mol叔丁醇钾，1×10-3molPd2(dba)3，1×10-3molP(t-Bu)3，150ml甲苯，加热至105℃回流24小时，取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到中间体 E1；元素分析结构(分子式C30H23BrN2)：理论值：C,73.32；H,4.72；Br,16.26；N,5.70；测试值：C,73.30；H,4.73；Br,16.27；N,5.70。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为491.432，实测值为491.45；
中间体E的合成与中间体E-1的合成方法类似，用到的原料A、原料B和原料D如下表1所示：
表1
下面实施例中中间体H的合成如下：
以中间体H1的合成为例：
250ml的三口瓶，在通入氮气的气氛下，加入0.1mol原料F1，0.12mol原料G1，0.3mol 叔丁醇钾，1×10-3molPd2(dba)3，1×10-3molP(t-Bu)3，150ml甲苯，加热至105℃回流24小时，取样点板，反应完全；自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到中间体H1；元素分析结构(分子式C24H18N2)：理论值：C,86.20；H,5.43；N,8.38；测试值：C,86.22；H,5.42；N,8.37。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为334.422，实测值为334.38；
中间体H的合成与中间体H-1的合成方法类似，用到的原料F和原料G如下表2所示：
表2
实施例1化合物1的合成：
在氮气气氛下，向500ml三口烧瓶中加入0.01mol中间体E1、0.015mol中间体H1、0.03 mol叔丁醇钾、5×10-5molPd2(dba)3和5×10-5mol P(t-Bu)3，然后加入150ml甲苯将其溶解，加热至100℃，回流24小时，利用TLC观察反应，直至反应完全。自然冷却至室温，过滤，将滤液旋蒸至无馏分。所得物质通过硅胶柱(石油醚作为洗脱剂)纯化，得到化合物1，纯度99.85％，收率82.8％；元素分析结构(分子式C54H40N4)：理论值：C,87.07；H,5.41；N,7.52；测试值：C,87.05；H,5.42；N,7.53。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为744.942，实测值为744.99。
实施例2化合物14的合成：
化合物14的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体H2替换中间体H1；元素分析结构(分子式C66H48N4)：理论值：C,88.36；H,5.39；N,6.25；测试值：C,88.37；H,5.39；N,6.24。 ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为897.138，实测值为897.10。
实施例3化合物30的合成：
化合物30的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E2替换中间体E1，用中间体 H3替换中间体H1；元素分析结构(分子式C72H52N4)：理论值：C,88.86；H,5.39；N,5.76；测试值：C,88.85；H,5.39；N,5.77。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为973.236，实测值为973.25。
实施例4化合物40的合成：
化合物40的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体H4替换中间体H1；元素分析结构(分子式C66H48N4)：理论值：C,88.36；H,5.39；N,6.25；测试值：C,88.38；H,5.38；N,6.24。 ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为897.138，实测值为897.09。
实施例5化合物56的合成：
化合物56的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E3替换中间体E1，用中间体 H5替换中间体H1；元素分析结构(分子式C72H52N4)：理论值C,88.86；H,5.39；N,5.76；测试值：C,88.84；H,5.39；N,5.78。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为973.236，实测值为973.26。
实施例6化合物68的合成：
化合物68的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E3替换中间体E1，用中间体 H6替换中间体H1；元素分析结构(分子式C72H52N4)：理论值C,88.86；H,5.39；N,5.76；测试值：C,88.85；H,5.40；N,5.76。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为973.236，实测值为973.20。
实施例7化合物79的合成：
化合物79的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E4替换中间体E1，用中间体 H7替换中间体H1；元素分析结构(分子式C66H48N4)：理论值C,88.36；H,5.39；N,6.25；测试值：C,88.35；H,5.39；N,6.26。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为897.138，实测值为897.16。
实施例8化合物95的合成：
化合物95的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E5替换中间体E1，用中间体 H2替换中间体H1；元素分析结构(分子式C64H46N6)：理论值：C,85.50；H,5.16；N,9.35；测试值：C,85.51；H,5.17；N,9.33。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为899.114，实测值为899.05。
实施例9化合物106的合成：
化合物106的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E6替换中间体E1，中间体 H8替换中间体H1；元素分析结构(分子式C67H47N5)：理论值：C,87.27；H,5.14；N,7.59；测试值：C,87.28；H,5.14；N,7.58。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为922.148，实测值为922.09。
实施例10化合物120的合成：
化合物120的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E3替换中间体E1，中间体H9替换中间体H1；元素分析结构(分子式C71H51N5)：理论值C,87.53；H,5.28；N,7.19；测试值：C,87.53；H,5.27；N,7.20。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为974.224，实测值为974.36。
实施例11化合物130的合成：
化合物130的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体H10替换中间体H1；元素分析结构(分子式C59H43N5)：理论值：C,86.21；H,5.27；N,8.52；测试值：C,86.23；H,5.26；N,8.51。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为822.028，实测值为822.0。
实施例12化合物144的合成：
化合物144的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E7替换中间体E1，中间体 H11替换中间体H1；元素分析结构(分子式C76H62N4)：理论值：C,88.51；H,6.06；N,5.43；测试值：C,88.52；H,6.06；N,5.42。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为1031.360，实测值为1031.34。
实施例13化合物151的合成：
化合物151的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体H12替换中间体H1；元素分析结构(分子式C62H50N4O2)：理论值：C,84.33；H,5.71；N,6.34；O,3.62；测试值：C,84.32；H, 5.70；N,6.35；O,3.63。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为883.108，实测值为883.23。
实施例14化合物168的合成：
化合物168的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E8替换中间体E1；元素分析结构(分子式C66H46N4O)：理论值：C,87.01；H,5.09；N,6.15；O,1.76；测试值：C,87.01；H,5.10；N,6.15；O,1.75。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为911.121，实测值为911.104。
实施例15化合物186的合成：
化合物186的制备方法同实施例1，不同之处在于用中间体E9替换中间体E1，中间体 H13替换中间体H1；元素分析结构(分子式C70H50N4)：理论值：C,88.76；H,5.32；N,5.92；测试值：C,88.78；H,5.31；N,5.91。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为947.198，实测值为947.09。本发明的有机化合物在发光器件中使用，可以作为空穴传输/电子阻挡层材料使用。对本发明化合物1、14、24、30、56、64、68、74、79、85、95、106、115、120、130、144、151、 159、158、186、189和192分别进行T1能级、热性能、HOMO能级、空穴迁移率和CV氧化稳定性的测试，检测结果如表3所示。
表3
注：三线态能级T1是由日立的F4600荧光光谱仪测试，材料的测试条件为2*10- 5mol/L 的甲苯溶液；玻璃化温度Tg由示差扫描量热法(DSC，德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定，升温速率10℃/min；热失重温度Td是在氮气气氛中失重1％的温度，在日本岛津公司的TGA-50H热重分析仪上进行测定，氮气流量为20mL/min；最高占据分子轨道HOMO能级是由电离能量测试系统(IPS3)测试，测试为大气环境；空穴迁移率：将材料制作成单电荷器件，用SCLC方法测定；循环伏安测试采用科斯特仪器有限公司的CS350H电化学工作站，四丁基六氟磷酸作为电解质，溶解为二氯甲烷溶液；扫描速率为100mv/s。
由上表数据可知，本发明的有机化合物具有高的玻璃转化温度，可提高材料膜相态稳定性，进一步提高器件使用寿命；具有高的T1能级，可以阻挡发光层能量损失，从而提升器件发光效率；良好的空穴迁移率和合适的HOMO能级可以解决载流子的注入问题，可降低器件电压；具有良好的CV氧化稳定性，进一步保证了器件的使用寿命。因此，本发明有机化合物用于OLED器件的功能层后，可有效提高器件的发光效率及使用寿命。
以下通过器件实施例1-23和器件比较例1详细说明本发明合成的化合物在器件中作为空穴传输层、电子阻挡层的应用效果。器件实施例2-23以及器件比较例1与器件实施例1相比，所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中的空穴传输层材料或电子阻挡层材料做了更换。器件叠层结构如表4所示，各器件的性能测试结果如表5所示。
器件实施例1
具体制备过程如下：
如图1所示，透明基板层1为透明PI膜，对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的HAT-CN作为空穴注入层3使用。接着蒸镀60nm厚度的化合物1作为空穴传输层4。随后蒸镀20nm厚度的化合物EB-1作为电子阻挡层5。上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作OLED 发光器件的发光层6，其结构包括OLED发光层6所使用GH-1、GH-2作为主体材料，GD-1 作为掺杂材料，掺杂材料掺杂比例为10％重量比，发光层膜厚为30nm。在上述发光层6之后，继续真空蒸镀电子传输层材料为ET-1和Liq。该材料的真空蒸镀膜厚为30nm，此层为空穴阻挡/电子传输层7。在空穴阻挡/电子传输层7上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的氟化锂(LiF)层，此层为电子注入层8。在电子注入层8上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为15nm 的Mg：Ag电极层，此层为阴极层9使用。在阴极层9上，真空蒸镀70nm的CP-1，作为CPL 层10。如上所述地完成OLED发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电流效率以及器件的寿命，结果如表5所示。
表4
各器件实施例和器件比较例1的效率和寿命数据见表5所示。
表5
编号 电流效率(cd/A) 色彩 LT97寿命(Hr)@5000nits
器件实施例1 125.43 绿光 135.8
器件实施例2 134.89 绿光 127.7
器件实施例3 125.10 绿光 132.8
器件实施例4 126.75 绿光 129.0
器件实施例5 125.54 绿光 129.3
器件实施例6 133.35 绿光 127.8
器件实施例7 132.03 绿光 125.1
器件实施例8 130.49 绿光 127.2
器件实施例9 124.77 绿光 130.9
器件实施例10 136.10 绿光 128.9
器件实施例11 133.02 绿光 137.7
器件实施例12 132.14 绿光 138.2
器件实施例13 140.50 绿光 135.4
器件实施例14 130.93 绿光 142.2
器件实施例15 132.03 绿光 138.7
器件实施例16 128.07 绿光 139.9
器件实施例17 131.04 绿光 137.6
器件实施例18 128.95 绿光 138.6
器件实施例19 135.77 绿光 142.1
器件实施例20 131.81 绿光 139.8
器件实施例21 134.34 绿光 135.6
器件实施例22 131.48 绿光 133.8
器件实施例23 132.25 绿光 132.1
器件比较例1 116 绿光 80.5
LT97指的是在电流密度为10m/cm2情况下，器件亮度衰减到97％所用时间；
寿命测试系统为日本SystemEngineer'sCo.,LTD开发的型号为EAS-62C的OLED器件寿命测试仪。
由表5的器件数据结果可以看出，本发明的有机发光器件无论是在效率还是寿命均相对于已知材料的OLED器件获得较大的提升。
进一步的本发明材料制备的OLED器件在低温下工作时效率也比较稳定，将器件实施例 2、11、22和器件比较例1在-10～80℃区间进行效率测试，所得结果如表6和图2所示。
表6
从表6和图2的数据可知，器件实施例2、11、22为本发明材料和已知材料搭配的器件结构，与器件比较例1相比，不仅低温效率高，而且在温度升高过程中，效率平稳升高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种含有三芳胺和咔唑的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1)所示：
通式(1)中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5分别独立的表示为取代的或未取代的C6-C30的芳基、取代的或未取代的C2-C30杂芳基，Ar6表示为通式(2)或通式(3)所示结构；且通式(1)中有且只有一个或两个通式(2)或通式(3)所示结构；当Ar6表示为通式(3)，且L表示为亚苯基或烷基取代的芴基时，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5不表示为取代的或未取代的苯基；
通式(2)中，R1表示为取代的或未取代的C6-C30的芳基，取代的或未取代的C2-C30杂芳基；
通式(3)中，L表示为单键、取代的或未取代的C6-C30的亚芳基，取代的或未取代的C2-C30亚杂芳基；
通式(2)和通式(3)中，所述Z表示为C、N或C-R；R表示为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、C1-C20的烷基、C3-C20的环烷基、C1-C20的烷氧基、C6-C30芳基、C2-C30杂芳基；
所述“取代的”是指至少一个氢原子由以下取代基来替代：卤素原子、氰基、C1-C20的烷基、C3-C20的环烷基、C1-C20的烷氧基、C6-C30芳基、C2-C30杂芳基；
所述杂芳基和亚杂芳基中的杂原子选自N、O或S。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和Ar5分别独立的表示为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的二联苯基、取代的或未取代的三联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的呋喃基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或未取代的哒嗪基、取代的或未取代的二苯并呋喃基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的喹啉基、取代的或未取代的异喹啉基、取代的或未取代的喹唑啉基、取代的或未取代的二苯并噻吩基、取代的或未取代的萘啶基中的一种。
3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1表示为取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的二联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或未取代的哒嗪基、取代的或未取代的喹啉基、取代的或未取代的异喹啉基、取代的或未取代的喹唑啉基中的一种；
所述L表示为取代的或未取代的亚苯基、取代的或未取代的亚萘基、取代的或未取代的亚二联苯基、取代的或未取代的亚吡啶基、取代的或未取代的亚嘧啶基、取代的或未取代的亚吡嗪基、取代的或未取代的亚哒嗪基、取代的或未取代的亚喹啉基、取代的或未取代的亚异喹啉基、取代的或未取代的亚喹唑啉基中的一种；
所述R表示为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、甲氧基、乙氧基、金刚烷基、取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的二联苯基、取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或未取代的哒嗪基、取代的或未取代的喹啉基、取代的或未取代的异喹啉基、取代的或未取代的喹唑啉基中的一种；
所述取代基选自氟原子、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、甲氧基、乙氧基、金刚烷基、苯基、联苯基、萘基、呋喃基、咔唑基、噻吩基或吡啶基中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述通式(1)的化合物具体结构为：
5.一种如权利要求1～4任一项所述的含有三芳胺和咔唑的化合物的应用，其特征在于，应用于制备有机电致发光器件。
6.一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件的阳极与阴极之间具有多层有机薄膜层，其特征在于，至少一层有机薄膜层含有权利要求1～4任一项所述含有三芳胺和咔唑的化合物。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，所述有机薄膜层包含电子阻挡层和/或空穴传输层，其特征在于，所述电子阻挡层和/或空穴传输层含有权利要求1～4任一项所述含有三芳胺和咔唑的化合物。
8.一种照明或显示元件，其特征在于，所述照明或显示元件含有权利要求6或7任一项所述的有机电致发光器件。
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