CN104356004A

CN104356004A - 一种新型芳香类化合物的合成及其在oled器件上的应用

Info

Publication number: CN104356004A
Application number: CN201410573268.4A
Authority: CN
Inventors: 叶中华; 张兆超; 李崇; 王立春
Original assignee: Jiangsu Sanyue Optoelectronic Technology Co Ltd
Current assignee: Jiangsu Sunera Technology Co Ltd
Priority date: 2014-10-23
Filing date: 2014-10-23
Publication date: 2015-02-18
Anticipated expiration: 2034-10-23
Also published as: CN104356004B

Abstract

本发明提供了一种主体为1,3,5-三(芳基胺基)苯基团的芳香胺类化合物的合成方法及其在有机发光二极管中的应用。该材料具有良好的光电特性，易形成非晶型薄膜，具有较高的玻璃化转移温度和分解温度，合适的HOMO和LUMO能级，因此该类材料可做为有机电致发光器件中空穴注入、空穴传输或者空穴注入传输材料使用。

Description

一种新型芳香类化合物的合成及其在OLED器件上的应用

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种主体为1，3，5-三(芳基胺基)苯基集团化合物的合成方法，及其作为独立的空穴注入材料、独立的空穴传输材料或者空穴注入传输材料在有机发光二极管上的应用。

背景技术

有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。

当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展。但是，和实际的产品应用要求相比，OLED器件的发光效率，使用寿命等性能还需要进一步提升。

OLED发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层，以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件，当对OLED发光器件的两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料膜层中正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生OLED电致发光。

对于OLED发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率，提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能OLED的功能材料。

应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，即电荷注入传输材料和发光材料，进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料和空穴注入传输材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料要求材料具有良好双极性，适当的HOMO/LUMO能阶等。

构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED器件结构，则包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包含空穴注入材料，空穴传输材料，发光材料，电子注入材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的OLED器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现，也可能完全迥异。

因此，针对当前OLED器件的产业应用要求，以及OLED器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合，具有高性能的OLED功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。

就当前OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料的开发显得尤为重要。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种新型芳香类化合物的合成方法及其在OLED器件上的应用。本发明制作出的OLED器件具有良好的光电性能，能够满足面板制造企业的要求。

本发明的技术方案如下：

本发明的目的之一在于立足当前OLED显示和照明企业的技术发展需求，提供一种可以提高OLED发光器件性能，以1,3,5-三(芳基胺基)苯基集团为主体化合物的系列材料。

本发明的另一目的是提供一种以以1,3,5-三(芳基胺基)苯基集团为主体的芳香胺类化合物在OLED上的应用。

本发明的另一目的在于上述化合物的制备方法。

本发明通过下述方案实现：

一种新型芳香类化合物材料，该化合物以1,3,5-三(芳基胺基)苯基团为主体，其分子结构如通式(1)所示：

通式(1)中，A≠B≠C；

通式(1)中，A、B和C均采用通式(2)表示：

通式(2)中，Ar₁通过C-N键和通式(1)中的N原子链接，Ar₁和Ar₂分别为苯、联苯、萘、蒽、菲、咔唑、芴等芳香类化合物或其衍生物；R表示碳原子数为1～6的烷基或碳原子数为6～50的环烷基，n为整数。

此外，该化合物的分子结构还可以如通式(3)所示：

通式(3)中，R₁、R₂、R₃分别为苯、联苯、萘、蒽、菲、咔唑、芴等化合物或其衍生物；或者R₁、R₂、R₃为碳原子数为1～6的烷基或碳原子数为6～50的环烷基；

通式(3)中，其中R₁、R₂、R₃不相同。

其中，A、B、C分别为：

具体的，该材料的分子结构式可以为下列所示：

以上所述的新型芳香类化合物的制备方法，包括以下步骤：

(1)以1-氯-3-溴-5-碘苯和芳香胺类化合物a为原料，甲苯或者二甲苯为溶剂，在氮气保护下，加入叔丁醇钠，以醋酸钯和叔丁基磷为催化剂，100～140℃回流反应8～10小时，得到中间体A；

(2)然后将中间体A再和芳香胺类化合物b进行碳氮偶联反应得到中间体B；

(3)中间体B再和4-甲基-N-苯基苯胺、二对甲苯基胺、双(4'-甲基-[1,1'-联苯]-4-基)胺或者其它芳香胺类化合物为原料，进行碳氮偶联反应得到目标化合物的粗产物；

(4)粗产物通过柱层析、打浆和重结晶等手段进行提纯，梯度升华后得到高纯度的白色最终品。

所述芳香胺类化合物a为N-(2-萘基)-2-萘胺、二(萘-2-基)胺、双(9-(萘-2-基)-9H-咔唑-3-基)胺或者其它芳香胺类化合物；

所述芳香胺类化合物b为N-苯基苯胺、双(4'-甲基-[1,1'-联苯]-4-基)胺、二(萘-2-基)胺或者其它芳香胺类化合物。

以上所述的新型芳香类化合物材料作为独立的空穴注入材料、空穴传输材料或者空穴注入传输材料运用于有机电致发光器件。

本发明有益的技术效果在于：

本发明所述OLED材料可应用于OLED发光器件制作，并且可以获得良好的器件表现，所述材料作为OLED发光器件的独立的空穴注入材料、空穴传输材料或者空穴注入传输材料使用时，器件驱动电压能够明显降低，表明其有良好的空穴注入、空穴传输能力；同时，器件的发光效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；对于器件寿命提升非常明显。本发明所述OLED材料在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。

附图说明

图1是本发明所列举的材料应用的OLED器件的结构图；

图2是本发明所列举的材料的化学结构式示意图。

具体实施方式

为了更加清楚的了解本发明的技术手段和实用目的，通过列举实施例和比较例，同时辅以图片加以说明。

实施例1(DMPPT)

现提供该化合物的具体合成路线：

250ml的四口瓶，氮气保护下，加入31.7克(0.1M)1-氯-3-溴-5-碘苯，26.9克(0.1M)N-(2-萘基)-2-萘胺，11.52克(0.12M)叔丁醇钠，0.7克醋酸钯，0.5克CXA(正丁基二(1-金刚烷基)膦)，200ml甲苯，加热回流8小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱得到32.8克淡黄色固体3-溴-5-氯-苯基-2,2-二萘基胺，纯度(HPLC)为98.72％，收率71.5％。

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入23克(0.05M)(3-溴-5-氯-苯基)-2,2-二萘基胺，8.46克(0.05M)N-苯基苯胺，6.78克(0.06M)叔丁醇钾，0.4克三(二亚苄基丙酮)二钯(pd₂(dba)₃)，0.2克三叔丁基磷，150ml二甲苯，加热回流8小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到19.8克白色固体5-氯-N,N-二(9H-芴-2-基)-N,N-二苯-1,3-二胺，纯度(HPLC)为98.67％,收率72.5％。

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入10.1克(0.025M)5-氯-N,N-二(9H-芴-2-基)-N,N-二苯-1,3-二胺，4.75克(0.025M)4-甲基-N-苯基苯胺，2.88克(0.03M)叔丁醇钠，0.3克pd₂(dba)₃，0.2克三叔丁基磷，100ml甲苯，加热回流10小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到13.5克淡黄色固体，用甲苯:乙醇＝2:1(体积比)混合溶剂打浆，重结晶后得到13.5克白色固体，纯度(HPLC)为99.57％，收率69.9％。

对该产物进行核磁图谱(1H NMR)分析，结果如下：

(200MHz,TMS):5.13(s,3H),7.49(d,2H),6.69(t,4H),6.63(t,4H),7.74(t,2H),7.54(t,4H),7.84(d,2H),7.52(s,4H),7.77(d,2H),7.88(t,2H),7.20(t,4H),7.50(t,2H),7.36(t,2H),7.51(d,4H),6.81(d,2H),7.41(s,2H)

元素分析结构(分子式C₆₂H₄₅N₃)：理论值C,89.50；H,5.45；N,5.05

测试值：C,89.60；H,5.30；N,5.10

上述分析结构表明，本实施例所合成材料与目标化合物接近，同时经核磁和元素分析确认，合成化合物与目标化合物一致。

实施例2(DMDPR)

现提供该化合物的具体合成路线：

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入15.85克(0.05M)1-氯-3-溴-5-碘苯，13.5克二(萘-2-基)胺，9.55克(0.05M)碘化亚铜，15.9克碳酸钠，0.5克邻菲啰啉，200ml甲苯，加热回流15小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到16.3克白色中间体A1，纯度(HPLC)99.03％，收率71.2％。

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入9.17克(0.02M)中间体A1，6.99克(0.02M)双(4'-甲基-[1,1'-联苯]-4-基)胺，5.76克(0.03M)叔丁醇钠，0.5克醋酸钯，0.2克CXA，150ml甲苯，加热回流8小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到11.5克白色中间体B1，纯度(HPLC)98.47％，收率79.2％。

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入7.27克(0.01M)中间体B1，1.97克(0.01M)二对甲苯基胺，1.15克(0.012M)叔丁醇钠，0.2克pd₂(dba)₃，0.2克三叔丁基磷，100ml甲苯，加热回流12小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到6.5克白色固体，纯度(HPLC)99.25％，收率73.2％。

对该产物进行核磁图谱(1H NMR)分析，结果如下：

(200MHz,TMS):5.13(s,3H),7.49(d,2H),6.69(t,4H),6.51(t,4H),7.74(t,2H),7.54(t,4H),7.84(d,2H),7.33(s,4H),6.98(s,4H),7.29(s,4H),7.77(d,2H),7.88(s,2H),7.50(d,2H),7.36(t,2H),2.34(t,12H)

元素分析结构(分子式C₆₆H₅₃N₃)：理论值C,89.25；H,6.01；N,4.73

测试值：C,89.22；H,6.06；N,4.70

上述分析结构表明，本实施例所合成材料与目标化合物接近，同时经核磁和元素分析确认合成化合物与目标化合物一致。

实施例3(DMRTT)

现提供该化合物的具体合成路线：

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入15.9克(0.05M)1-氯-3-溴-5碘苯，30克双(9-(萘-2-基)-9H-咔唑-3-基)胺，9.55克(0.05M)碘化亚铜，15.9克碳酸钠，0.5克邻菲啰啉，180ml甲苯，加热回流20小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到29.7克白色中间体A2，纯度(HPLC)98.62％，收率75.3％。

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入15.8克(0.02M)中间体A2，5.4克(0.02M)二(萘-2-基)胺，5.76克(0.03M)叔丁醇钠，0.5克醋酸钯，0.2克CXA，150ml甲苯，加热回流12小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到15.5克白色中间体B2，纯度(HPLC)98.37％，收率79.5％。

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入9.8克(0.01M)中间体B2，3.5克(0.01M)双(4'-甲基-[1,1'-联苯]-4-基)胺，1.15克(0.012M)叔丁醇钠，0.2克pd2(dba)3，0.1克三叔丁基磷，120ml甲苯，加热回流10小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到10.3克白色固体，纯度(HPLC)99.10％，收率80.1％。

对该产物进行核磁图谱(1H NMR)分析，结果如下：

(200MHz,TMS):7.94(s,2H),8.55d,2H),7.38(t,2H),6.75(t,2H),7.83(t,2H),5.13(t,3H),7.49(d,2H),6.69(s,4H),6.77(d,2H),7.24(t,2H),7.54(t,4H),7.84(t,2H),7.33(t,6H),7.29(d,4H),7.36(t,4H),7.25(t,2H),8.00(t,6H),7.77(t,2H),7.88(t,2H),7.50(d,2H),7.59(d,4H),2.34(t,6H)

元素分析结构(分子式C₉₆H₆₇N₅)：理论值C,89.34；H,5.23；N,5.43

测试值：C,89.30；H,5.20；N,5.50

实施例4(DMTET)

现提供该化合物的具体合成路线：

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入15.9克(0.05M)1-氯-3-溴-5-碘苯，20.1克a，9.55克(0.05M)碘化亚铜，15.9克碳酸钠，0.5克邻菲啰啉，150ml甲苯，加热回流15小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到20.7克白色中间体A3，纯度(HPLC)98.5％，收率70％。

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入11.8克(0.02M)中间体A3，5.4克(0.02M)b，5.76克(0.03M)叔丁醇钠，0.5克醋酸钯，0.2克CXA，150ml甲苯，加热回流10小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到12克白色中间体B3，纯度(HPLC)98.60％，收率75.6％。

250ml的四口瓶，在通入氮气的气氛下，加入7.9克(0.01M)中间体B3，1.7克(0.01M)d，1.15克(0.012M)叔丁醇钠，0.2克pd₂(dba)₃，0.1克三叔丁基磷，100ml甲苯，加热回流10小时，反应完全。自然冷却，过滤，滤液旋蒸，过硅胶柱，得到7.3克白色固体，纯度(HPLC)99.20％，收率80％。

元素分析结构(分子式C₆₈H₅₃N₅)：理论值C,89.54；H,5.86；N,4.60

测试值：C,89.30；H,5.70；N,5.00

上述分析结构表明，本实施例所合成材料与目标化合物接近，同时经元素分析确认合成化合物与目标化合物一致。

本发明的化合物不仅可以期待作为图1结构中的空穴注入层材料使用，还可以作为空穴传输层材料或者作为空穴注入传输层材料使用。

以下通过实施例4～16和比较例1、比较例2、比较例3详细说明本发明合成的OLED材料在器件上的应用效果。

图1是本发明OLED材料应用的器件结构，其中1为透明基板层，2为ITO，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为发光层，6为电子传输层，7为电子注入层，8为反射电极层。

实施例5

对ITO透明电极(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥后再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。

在进行了上述洗涤之后的ITO阳极(即透明基板层1)上，利用真空蒸镀装置，蒸镀实施例1制备得到的材料，其膜厚为10nm，这层有机材料作为空穴注入层3使用。紧接着蒸镀20nm厚度的TCTA(4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺)作为空穴传输层4。

上述空穴传输材料蒸镀结束后，制作OLED发光器件的发光层，其结构包括OLED发光层5所使用材料CBP(4,4'-二(9-咔唑)联苯)作为主体材料，Ir(ppy)₃(三(2-苯基吡啶)合铱)作为磷光掺杂材料，磷光材料掺杂比例为4％重量比，发光层膜厚为25nm。

在上述发光层之后，继续真空蒸镀电子传输层材料为Alq₃(8-羟基喹啉铝)。该材料的真空蒸镀膜厚为20nm，此层为电子传输层6。

在电子传输层6上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的氟化锂(LiF)层，此层为电子注入层7。

在电子注入层7上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的铝(Al)层，此层为阴极反射电极层8使用。

如上所述地完成OLED发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的发光效率，发光光谱以及器件的电流-电压特性。其结果显示在表1。

实施例6

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入层3的材料改变为实施例2制备得到的材料。

实施例6所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例7

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入层3的材料改变为实施例3制备得到的材料。

实施例7所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例8

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入层3的材料改变为实施例4制备得到的材料。

实施例8所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例9

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入/传输层(3/4)的材料改变为实施例1制备得到的材料，蒸镀膜厚20nm。

实施例9所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例10

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入/传输层(3/4)的材料改变为实施例2制备得到的材料，蒸镀膜厚20nm。

实施例10所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例11

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入/传输层(3/4)的材料改变为实施例3制备得到的材料，蒸镀膜厚20nm。

实施例11所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例12

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入/传输层(3/4)的材料改变为实施例4制备得到的材料，蒸镀膜厚20nm。

实施例12所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例13

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入层3材料由实施例1的结构化合物改为NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)，蒸镀膜厚10nm。OLED发光器件的空穴传输层4的材料改变为实施例1制备得到的材料，蒸镀膜厚20nm。

实施例13所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例14

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入层3材料由实施例1的结构化合物改为NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)，蒸镀膜厚10nm。OLED发光器件的空穴传输层4的材料改变为实施例2制备得到的材料，蒸镀膜厚20nm。

实施例14所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例15

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入层3材料由实施例1的结构化合物改为NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)，蒸镀膜厚10nm。OLED发光器件的空穴传输层4的材料改变为实施例3制备得到的材料，蒸镀膜厚20nm。

实施例15所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

实施例16

本实施例与实施例5不同之处在于：OLED发光器件的空穴注入层3材料由实施例1的结构化合物改为NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)，蒸镀膜厚10nm。OLED发光器件的空穴传输层4的材料改变为实施例4制备得到的材料，蒸镀膜厚20nm。

实施例16所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

比较例1

比较例1与实施例5所不同的是：OLED发光器件的空穴注入层3的材料由实施例1的结构化合物换成NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)。

比较例2

比较例2与实施例5所不同的是：OLED发光器件的空穴注入/传输层(3/4)的材料由实施例1的结构化合物换成TCTA(4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺)，蒸镀厚度20nm。

比较例3

比较例3与实施例5所不同的是：OLED发光器件的空穴注入层3材料由实施例1的结构化合物改为NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)，蒸镀膜厚10nm。OLED发光器件的空穴传输层4的材料换成TCTA(4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺)，蒸镀厚度20nm。

本发明所述实施例5至实施例8为发明应用例，与比较例1相比，应用实施例5-8所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中所使用的部分材料进行了一些调整，对比使用了本发明所述部分OLED材料。

比较例1和实施例5-8所制作的OLED发光器件的结果显示在列表1中。

表1

由表1的结果可以看出，本发明所述OLED材料可应用于OLED发光器件制作，并且可以获得良好的器件表现。实施例1、实施例2、实施例3和实施例4所制备的材料作为OLED发光器件的空穴注入层3使用时，器件驱动电压能够明显降低，表明其有良好的空穴注入能力；同时，器件的发光效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；对于器件寿命提升非常明显。

本发明所述实施例9至实施例12为发明应用例，与比较例2相比，应用实施例9-12所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中所使用的部分材料进行了一些调整，对比使用了本发明所述部分OLED材料。

比较例2和实施例9-12所制作的OLED发光器件的结果显示在列表2中

表2

由表2的结果可以看出，本发明所述OLED材料可应用于OLED发光器件制作，并且可以获得良好的器件表现。实施例1、实施例2、实施例3和实施例4所制备的材料作为OLED发光器件的空穴注入/传输层(3/4)使用时，器件驱动电压能够明显降低，表明其有良好的空穴注入和传输能力；同时，器件的发光效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；对于器件寿命提升非常明显。

本发明所述实施例13至实施例16为发明应用例，与比较例3相比，应用实施例13-16所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中所使用的部分材料进行了一些调整，对比使用了本发明所述部分OLED材料。

比较例3和实施例13-16所制作的OLED发光器件的结果显示在列表3中

表3

由表3的结果可以看出，本发明所述OLED材料可应用于OLED发光器件制作，并且可以获得良好的器件表现。实施例1、实施例2、实施例3和实施例4所制备的材料作为OLED发光器件的空穴传输层4使用时，器件驱动电压能够明显降低，表明其有良好的空穴传输能力；同时，器件的发光效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；对于器件寿命提升非常明显。

从以上数据应用来看，本发明所述OLED材料在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。

虽然已通过实施例和优选实施方式公开了本发明，但应理解，本发明不限于所公开的实施方式。相反，本领域技术人员应明白，其意在涵盖各种变型和类似的安排。因此，所附权利要求的范围应与最宽的解释相一致以涵盖所有这样的变型和类似的安排。

Claims

1.一种新型芳香类化合物材料，其特征在于该化合物以1,3,5-三(芳基胺基)苯基团为主体，其分子结构如通式(1)所示：

通式(1)中，A≠B≠C；

通式(1)中，A、B和C均采用通式(2)表示：

通式(2)中，Ar₁通过C-N键和通式(1)中的N原子链接，Ar₁和Ar₂分别为苯、联苯、萘、蒽、菲、咔唑、芴芳香类化合物或其衍生物；R表示碳原子数为1～6的烷基或碳原子数为6～50的环烷基，n为整数。

2.根据权利要求1所述的新型芳香类化合物材料，其特征在于该化合物的分子结构如通式(3)所示：

通式(3)中，R₁、R₂、R₃分别为苯、联苯、萘、蒽、菲、咔唑、芴化合物或其衍生物；或者R₁、R₂、R₃为碳原子数为1～6的烷基或碳原子数为6～50的环烷基；

通式(3)中，其中R₁、R₂、R₃不相同。

3.根据权利要求1所述的新型芳香类化合物材料，其特征在于A、B、C分别为：

4.根据权利要求1所述的新型芳香类化合物材料，其特征在于该化合物的分子结构式为：

5.一种权利要求1～4任一项所述的新型芳香类化合物材料的制备方法，其特征在于其包括以下步骤：

(3)中间体B再和4-甲基-N-苯基苯胺、二对甲苯基胺、双(4′-甲基-[1,1′-联苯]-4-基)胺或者其它芳香胺类化合物为原料，进行碳氮偶联反应得到目标化合物的粗产物；

(4)粗产物通过柱层析、打浆和重结晶手段进行提纯，梯度升华后得到高纯度的白色最终品。

6.根据权利要求5所述的新型芳香类化合物材料的制备方法，其特征在所述芳香胺类化合物a为N-(2-萘基)-2-萘胺、二(萘-2-基)胺、双(9-(萘-2-基)-9H-咔唑-3-基)胺或者其它芳香胺类化合物；

所述芳香胺类化合物b为N-苯基苯胺、双(4′-甲基-[1,1′-联苯]-4-基)胺、二(萘-2-基)胺或者其它芳香胺类化合物。

7.一种有机电致发光器件，其特征在于将权利要求1所述的新型芳香类化合物材料作为独立的空穴注入材料，单独的空穴传输材料或者空穴注入/传输材料用于有机电致发光二极管。