CN106103790A - 蒸镀装置及其控制方法、使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法 - Google Patents
蒸镀装置及其控制方法、使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法 Download PDFInfo
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Abstract
一种共蒸镀不同的蒸镀材料的蒸镀装置，包括：腔室，蒸镀对象物设于腔室内；向蒸镀对象物吐出第1蒸镀材料的蒸气的第1蒸镀源；向蒸镀对象物吐出第2蒸镀材料的蒸气的第2蒸镀源；对第1蒸镀材料进行加热的第1加热部；对第2蒸镀材料进行加热的第2加热部；和控制第1加热部及第2加热部的加热控制部；加热控制部构成为能够将第1及第2加热部控制成第2蒸镀材料的升温比第1蒸镀材料的升温滞后预定时间而开始。
Description
技术领域
本发明涉及在器件的制造中使用的蒸镀装置及其控制方法、使用了该蒸镀装置的蒸镀方法、器件的制造方法。特别是，涉及包括使由不同材质构成的蒸镀材料分别从吐出口吐出到腔室内的多个蒸镀原的蒸镀装置、蒸镀装置的控制方法、蒸镀方法。
背景技术
在有机发光元件和/或薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以后简称为“TFT”)等器件中，使用有机发光元件中的有机发光层和/或TFT中的有机半导体层等用于发挥特定的功能的有机功能层。例如，有机发光元件具有在基板上按顺序层叠有金属电极、多层有机功能层、透明电极层的构成，各层主要通过真空蒸镀法在腔室之中形成。在真空蒸镀法中，通常使用在腔室内的例如上部设置基板、在下部设置蒸镀源的高真空的腔室(例如，专利文献1)。在蒸镀源，例如在内部具有坩埚，收纳有有机物质。在坩埚的周围设有加热装置，通过加热而蒸发的有机物质的气体向腔室内扩散，与基板接触、凝固而形成薄膜状的有机功能层。
在有机发光元件的领域，提出一种蒸镀装置，在腔室内设置有：配置了用于形成有机薄膜的主要的蒸镀材料的蒸发源；和配置了微量的特定的添加蒸镀材料的蒸发源(例如，专利文献2)。在该文献中，记载了在将它们同时共蒸镀(co-evaporation)而堆积于基板上来形成有机发光元件的功能层时，发光效率和/或亮度等特性提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2005－310471号公报
专利文献2:日本特开平10－195639号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在使用真空蒸镀法向基板蒸镀蒸镀材料而形成功能层时，存在如下情况：向腔室内运入蒸镀材料时微量的大气中的水分等杂质或向腔室内飞散的共蒸镀中的另一方的蒸镀材料的氧化物或者氢氧化物等化合物(以后，称为“杂质等”)混入蒸镀材料。特别是，在共蒸镀中，一方的蒸镀源所使用的蒸镀材料具有容易与杂质等反应的特性的情况下，具有该蒸镀材料与杂质等反应引起变质进而材料特性劣化的问题。
本发明的目的在于，提供在共蒸镀中减轻蒸镀材料的变质和/或材料特性的劣化的蒸镀装置及其控制方法、使用该蒸镀装置的蒸镀方法及器件的制造方法。
用于解决课题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的一技术方案所涉及的蒸镀装置，是向蒸镀对象物共蒸镀不同的蒸镀材料的蒸镀装置，其特征在于，包括：腔室，所述蒸镀对象物设于该腔室内；向所述蒸镀对象物吐出第1蒸镀材料的蒸气的第1蒸镀源；向所述蒸镀对象物吐出第2蒸镀材料的蒸气的第2蒸镀源；对所述第1蒸镀材料进行加热的第1加热部；对所述第2蒸镀材料进行加热的第2加热部；和控制所述第1加热部及所述第2加热部的加热控制部；所述加热控制部构成为，能够将所述第1及第2加热部控制成所述第2蒸镀材料的升温比所述第1蒸镀材料的升温滞后预定时间而开始。
发明的效果
本发明的一技术方案所涉及的蒸镀装置，在器件制造工序中，能够防止从另一方的蒸镀源排出的杂质等进入到收纳了容易与杂质等反应的蒸镀材料的蒸镀源内。因此，能够防止容易与杂质等反应的蒸镀材料与杂质等反应。结果，在共蒸镀中，能够减轻蒸镀材料的变质和/或材料特性的劣化。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的蒸镀装置1的构造的示意剖视图。
图2是表示在蒸镀装置1内对基板蒸镀蒸镀物质的样态的示意图。
图3是表示实施方式1所涉及的蒸镀源的构成的立体图。
图4是实施方式1所涉及的蒸镀源的示意剖视图。
图5是表示使用了实施方式1所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。
图6是表示使用了实施方式1的变形例1所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。
图7是表示使用了实施方式1的变形例2所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。
图8是表示使用了实施方式1的变形例3所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。
图9是表示使用了实施方式1的变形例4所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。
图10是对作为实施方式2所涉及的器件的制造方法的一形态的有机EL装置的制造方法进行说明的工序图。
图11是表示发明者在实验研究中使用的蒸镀装置中的蒸镀源的剖面构造的示意图。
图12是表示发明者实验研究的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。
图13是表示发明者实验研究的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图的一例的概略图。
图14是表示发明者实验研究的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图的一例的概略图。
具体实施方式
《得到具体实施方式的经过》
在有机发光元件的领域，提出了下述的技术，在腔室内设有：用于形成有机薄膜的主要的蒸镀材料(以下称为“主材料”)的蒸发源；和微量的特定的添加蒸镀材料(以下称为“添加材料”)的蒸发源；将主材料与添加材料同时共蒸镀于基板上。
然而，在真空蒸镀法中，具有下述的课题：向腔室内的蒸镀源内补充蒸镀材料时杂质等与蒸镀材料一起向蒸镀源内混入，通过加热从蒸镀源放出的杂质等与蒸镀材料反应而引起材料特性的劣化。特别是，在共蒸镀中使用的不同的蒸镀材料中一方的蒸镀材料具有比另一方的蒸镀材料容易与杂质等反应的性质的情况下，具有该性质的蒸镀材料与杂质等反应引起的变质和/或材料特性的劣化成为问题。
以下，对发明者通过研究而发现的共蒸镀中的课题进行说明。
图11是表示发明者在实验研究中使用的蒸镀装置中的蒸镀源的剖面构造的示意图。在腔室102内，内设有蒸镀源106A、106B(以后，在不区别两者时取代A或B而标注X，对于在图11中存在于各蒸镀源内及各个蒸镀源的各要素也同样)。在构成各蒸镀源106A的壳体120A中，例如在内部具有坩埚110A，收纳有蒸镀材料101A。在坩埚110A的周围设有加热装置130A，通过加热而蒸发的蒸镀材料的蒸气101A1从吐出口123A向腔室102内扩散。同样，在构成蒸镀源106B的壳体120B中具有在内部收纳有蒸镀材料101B的坩埚110B，通过加热装置130B的加热而蒸发的蒸镀材料的蒸气101B1从吐出口123B向腔室102内扩散。扩散的蒸气101A1、101B1在腔室102内混合，与基板接触、凝固，在基板上形成由蒸镀材料101A、101B构成的薄膜状的有机功能层。
在这样的蒸镀装置中，蒸镀材料向腔室102内的各蒸镀源的补充通过以下的工艺进行。
1)成膜结束后，将腔室102内的多个蒸镀源106X返回到室温，然后，将腔室102内的压力设为大气压。
2)从各蒸镀源106X将用于放入蒸镀材料101X的坩埚110X取出到腔室102外。
3)向各坩埚110X分别填充蒸镀材料101X。蒸镀材料101X在室温下由液体或固体构成。
4)将填充有蒸镀材料101X的各坩埚110X放回到腔室102内的各蒸镀源106X。
5)对腔室102内抽真空，然后，对蒸镀材料101X加热。图12是表示发明者实验研究的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。在时刻t0，开始加热装置130A、130B进行的加热，蒸镀材料101A、101B升温到各自的蒸镀时加热温度TA、TB。
6)然后，进行利用蒸镀的成膜工艺。此时，各蒸镀源106A、106B内的压力成为与蒸镀材料101A、101B的蒸镀速率相应的压力PA、PB。在图12所示的条件下，是有可能成为PB＞PA的情况。
在上述工艺中，通过3)向各坩埚110X内补充蒸镀材料101X时杂质等与蒸镀材料101X一起向坩埚110X内混入；通过4)将坩埚110X放回到腔室102内时杂质等与蒸镀材料101X一起混入。在这里，杂质等例如原来就包含于蒸镀材料101X的内部，或在向大气开放时被吸附于坩埚的内周面。然后，通过5)中的加热，杂质等从蒸镀材料101X和/或坩埚110X向蒸镀源106X外蒸发，向腔室102内扩散。扩散的杂质等如图12所示，在从开始加热的时刻t0到t1的、直到杂质等通过真空泵排气到腔室102外为止的时间Δt内，存在于腔室102内，腔室102内的压力P上升。
发明者通过实验发现了：此时，在各蒸镀源106A、106B内的压力PA、PB为PB＞PA的情况下，气体通过蒸镀源106A的吐出口123A从腔室102内向蒸镀源106内逆流。关于PB＞PA的情况，可以想到的有：图13所示那样的加热装置130B比加热装置130A先开始升温的情况，图14所示那样的加热装置130B的升温速度比加热装置130A快的情况，和/或以使得蒸镀材料101B的蒸镀速率比蒸镀材料101A的蒸镀速率高的方式设定加热装置130A、130B的温度曲线图的情况等。
如上所述，在上述时间Δt，在腔室102内的气体中包含向蒸镀源106B外吐出、向腔室102内扩散的杂质等。在该情况下，向腔室102内扩散的杂质等与气体一起从腔室102内进入到蒸镀源106A内。
假设，在蒸镀材料101A具有比蒸镀材料101B容易与杂质等反应的性质的情况下，从蒸镀源106B放出、进入蒸镀源106A内的杂质等与蒸镀材料101A反应，由此蒸镀材料101A的变质和/或材料特性的劣化成为问题。另外，在设置了具有吐出口123X的壳体120X的蒸镀源106X，蒸镀材料101X通过加热处于活性比较高的状态，所以处于容易与杂质等反应的条件下，特别是在蒸镀材料101X中使用有机材料的情况下，容易产生例如有机材料分子的H置换为OH基等蒸镀材料的劣化。另外，在共蒸镀中从不同的蒸镀源蒸发的蒸镀材料在蒸镀对象物上混合，这是没有问题的，但例如在坩埚110A内对蒸镀材料101A加热时，蒸镀材料101B的化合物(氧化物、氢氧化物等)与蒸镀材料101A混合，由此存在蒸镀材料101A劣化的情况。
对于上述问题，想到了：若能够防止杂质等向收纳有多个蒸镀材料101X中容易与杂质等反应的蒸镀材料的蒸镀源内进入，则有效防止该蒸镀材料的劣化。因此，发明者对为此的方法进行了锐意研究。于是，想到了记载于以下的实施方式的能够减轻蒸镀材料的变质和/或材料特性的劣化的蒸镀装置及其控制方法、使用该蒸镀装置的蒸镀方法、及器件的制造方法。
《具体实施方式的概要》
本实施方式所涉及的蒸镀装置，是向蒸镀对象物共蒸镀不同的蒸镀材料的蒸镀装置，其特征在于，包括：腔室，所述蒸镀对象物设于该腔室内；向所述蒸镀对象物吐出第1蒸镀材料的蒸气的第1蒸镀源；向所述蒸镀对象物吐出第2蒸镀材料的蒸气的第2蒸镀源；对所述第1蒸镀材料进行加热的第1加热部；对所述第2蒸镀材料进行加热的第2加热部；和控制所述第1加热部及所述第2加热部的加热控制部；所述加热控制部构成为，能够将所述第1及第2加热部控制成所述第2蒸镀材料的升温比所述第1蒸镀材料的升温滞后预定时间而开始。
另外，在其他的技术方案中，也可以设为下述的构成：所述第1蒸镀源具有收纳所述第1蒸镀材料并且开设有吐出所述第1蒸镀材料的蒸气的吐出口的第1壳体；所述第2蒸镀源具有收纳所述第2蒸镀材料并且开设有吐出所述第2蒸镀材料的蒸气的吐出口的第2壳体
另外，在其他的技术方案中，也可以设为下述的构成：所述加热控制部构成为，能够将所述第1及第2加热部控制成所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度比所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度高。
另外，本实施方式所涉及的蒸镀装置的控制方法，是使用蒸镀装置向所述蒸镀对象物共蒸镀不同的第1蒸镀材料及第2蒸镀材料的蒸镀装置的控制方法，其特征在于：在所述第1蒸镀材料由比所述第2蒸镀材料容易与水或氧结合的材料构成时，将所述第1蒸镀材料设为所述第1蒸镀材料，将所述第2蒸镀材料设为所述第2蒸镀材料，将所述第1及第2加热部控制成所述第2蒸镀材料的升温比所述第1蒸镀材料的升温滞后所述预定时间而开始。
另外，在其他的技术方案中，也可以设为下述的构成：将所述第1及第2加热部控制成，成为使得所述第1蒸镀材料的蒸镀速率比所述第2蒸镀材料的蒸镀速率高的所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度及所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度。
另外，在其他的技术方案中，也可以设为下述的构成：在所述第1加热部的加热中，使所述第1蒸镀材料的温度从常温附近的温度阶段性地升温到所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度；在所述第2加热部的加热中，使所述第2蒸镀材料的温度从常温附近的温度阶段性地升温到所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度。
另外，在其他的技术方案中，也可以设为下述的构成：在所述第1加热部的加热中，将所述第1蒸镀材料的温度从常温附近的温度一度提高到超过所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度的温度后，降低到所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度。另外，在其他的技术方案中，也可以设为下述的构成：在所述第2加热部的加热中，将所述第2蒸镀材料的温度从常温附近的温度一度提高到超过所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度的温度后，降低到所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度。
另外，本实施方式所涉及的蒸镀装置的蒸镀方法，是使用上述蒸镀装置的控制方法向所述蒸镀对象物共蒸镀不同的第1蒸镀材料及第2蒸镀材料的蒸镀方法，其特征在于：所述第1蒸镀材料为由有机功能材料构成的主材料，所述第2蒸镀材料为由金属材料构成的添加材料。
另外，本实施方式所涉及的器件的制造方法，其特征在于：使用上述蒸镀方法，在所述蒸镀对象物上形成由所述第1及第2蒸镀材料构成的层。
另外，本实施方式所涉及的蒸镀装置，也可以设为下述的构成：所述加热控制部进而构成为，能够将所述第1及第2加热部控制成所述第1蒸镀材料从蒸镀时加热温度向常温附近的温度的降温比所述第2蒸镀材料从蒸镀时加热温度向常温附近的温度的降温滞后而进行。
另外，本实施方式所涉及的蒸镀装置的控制方法，是上述使用蒸镀装置向所述蒸镀对象物共蒸镀不同的第1蒸镀材料及第2蒸镀材料的蒸镀装置的控制方法，可以设为下述的构成：在所述第1蒸镀材料由比所述第2蒸镀材料容易与水或氧结合的材料构成时，将所述第1蒸镀材料设为所述第1蒸镀材料，将所述第2蒸镀材料设为所述第2蒸镀材料，将所述第1及第2加热部控制成所述第1蒸镀材料从蒸镀时加热温度向常温附近的温度的降温比所述第2蒸镀材料从蒸镀时加热温度向常温附近的温度的降温滞后而进行。
另外，在其他的技术方案中，也可以设为下述的构成：在所述第1蒸镀材料的降温中，使所述第1蒸镀材料的温度从所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度阶段性地降低到常温附近的温度；在所述第2蒸镀材料的降温中，使所述第2蒸镀材料的温度从所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度阶段性地降低到常温附近的温度。
另外，本实施方式所涉及的蒸镀方法，是使用上述蒸镀装置的控制方法向所述蒸镀对象物共蒸镀不同的第1蒸镀材料及第2蒸镀材料的蒸镀方法，其特征在于：所述第1蒸镀材料为由有机功能材料构成的主材料，所述第2蒸镀材料为由金属材料构成的添加材料。
另外，本实施方式所涉及的器件的制造方法，其特征在于：使用上述蒸镀方法，在所述蒸镀对象物上形成由所述第1及第2蒸镀材料构成的层。
《实施方式1》
以下，参照附图对实施方式所涉及的蒸镀装置及使用了蒸镀装置的器件的制造方法进行说明。
＜蒸镀装置1＞
(整体构成)
图1是表示实施方式1所涉及的蒸镀装置1的构造的示意剖视图。蒸镀装置1是向基板100的表面蒸镀蒸镀物质的装置。如图1所示，蒸镀装置1包括腔室2。在腔室2的腔室排气口3连接有真空泵(未图示)，能够将腔室2中维持为真空。腔室2的内部空间通过分隔板4上下分隔，基板100被在分隔板4上运送。在腔室2的侧壁，设有：将基板100运入到腔室2内的运入口5a，和将基板100从腔室2运出的运出口5b。基板100通过运送单元，从运入口5a间歇地运入到腔室2内，在分隔板4上通过而从运出口5b运出。
在腔室2内的分隔板4的下方，设置有喷出蒸镀物质的蒸镀源6A(第1蒸镀源)及蒸镀源6B(第2蒸镀源)。从蒸镀源6A及6B喷出的蒸镀物质例如为形成有机EL元件的电极和/或功能层的物质，为无机物或者有机物。例如，可以是，作为构成有机发光元件的功能层的主材料在蒸镀源6A收纳作为形成有机发光元件的功能层的材料的二胺、TPD、香豆素、喹吖啶酮等，作为添加材料在蒸镀源6B收纳例如Ba、Ni、Li、Mg、Au、Ag等金属材料。
在分隔板4，开设有供从该蒸镀源6A及6B放出的蒸镀物质通过的窗4a，该窗4a能够由闸门7开闭。在这样的蒸镀装置1中，在将闸门7打开了的状态下，一边从蒸镀源6A及6B喷出蒸镀物质一边运送基板100，由此从蒸镀源6喷出的蒸镀物质通过窗4a，被蒸镀于基板100的下表面。
在腔室2的内部，在蒸镀源6A的上方，设置有测定从蒸镀源6A向基板100每单位时间供给蒸镀物质的量(蒸发速率)的传感器8A。在蒸镀源6B的上方，设置有测定来自蒸镀源6B的蒸发速率的传感器8B。通过参照由传感器8A及8B测定的蒸镀物质的蒸发速率，设定运送基板100的速度等。另外，在将蒸镀物质图形蒸镀于基板100的情况下，将形成有图形的掩模设置于基板100的下表面侧而进行蒸镀。
图2是表示在蒸镀装置1内对基板100蒸镀蒸镀物质的样态的示意图。在该图中窗4a为开放了的状态。如图2所示，蒸镀源6A及6B为在与运送方向A正交的宽度方向B上伸长的直线状的蒸镀源(线源)，蒸镀源6A及6B以分别将纵长方向设为平行的状态配置。一边向运送方向A运送基板100，一边将来自蒸镀源6A及6B的蒸镀物质通过窗4a蒸镀于基板100的下表面。
在上述的蒸镀装置1，通过参照由传感器8A及8B测定的蒸镀物质的蒸发速率，将添加材料相对于主材料的蒸发速度控制为预定的比率，将主材料和添加材料通过共蒸镀同时堆积于蒸镀对象物100上而形成功能层。由此，能够形成改善了发光效率和/或亮度等的功能层。
(蒸镀源6)
图3是表示蒸镀源6A及6B(以后，在不区别两者时取代A或B而标注X，对于在图1及图2中存在于各蒸镀源内及各蒸镀源的各要素也同样)的构成的立体图。图4是蒸镀源6X的示意剖视图。蒸镀源6X包括：收纳成为蒸镀物质的来源的蒸镀材料101X的坩埚10X，收纳该坩埚10X的壳体20X，和安装于壳体20X的周围以及下侧的加热部30X；壳体20X以及加热部30X被安装于腔室2的下空间。坩埚10X是收纳蒸镀材料101X的长条状的容器，具有长方形状的底板11X和侧板12X，其上表面侧被开放。坩埚10X例如能够通过将不锈钢板材成型为长方体状而制作。作为制作坩埚10X的原料，除了不锈钢板，也能够使用碳、钛、钽、钼等的板材。壳体20X为长条的长方体形状，能够在其内部空间收纳坩埚10X。
壳体20X包括：具有收纳坩埚10X的凹部空间21cX的长条长方体状的壳体主体部21X，覆盖凹部空间21cX的上表面开口的壳体盖部22X，和对壳体主体部21X的一端开口部进行开闭的开闭门24X；在壳体盖部22X排列设置有多个吐出口23X。壳体主体部21X、壳体盖部22X、开闭门24X分别通过对金属板(例如不锈钢板)进行成型而制作。
壳体主体部21X具有长方形状的底板21aX和周壁21bX，壳体盖部22X通过螺丝等固定于周壁21bX之上，开闭门24X通过铰链等能够开闭地安装于壳体主体部21X的一端部。
加热部30X设置成覆盖壳体主体部21X的底板21aX以及周壁21bX的外表面下部。该加热部30X例如是将护套型加热器31X收纳于加热部外壳32X而构成的。在加热部30X，连接有加热控制部40。另外，在壳体20X安装有测定蒸镀源6X的温度的温度传感器41X。而且，加热控制部40一边监视由温度传感器41X测定的温度一边以使得该温度与预定的设定温度(参照图5(a)的温度曲线图)一致的方式控制加热部30X的输出。
在这样的构成的蒸镀源6X，通过加热部30X对坩埚10X内的蒸镀材料101X加热而生成的蒸气(蒸镀物质)充满壳体20X内，从排列设置于壳体盖部22X的多个吐出口23X喷出。此时，在坩埚10X的上部的壳体主体部21X的上部开口设有壳体盖部22X，所以壳体20X的内部能够由蒸发的蒸镀材料充满，充满壳体20X内的蒸镀材料101X的蒸气通过壳体20X内压而从各吐出口23X以相同压力喷出。即，壳体20X的内部空间作为暂时地储存的蒸镀材料101X的蒸气的缓冲器而起作用，在壳体20X的内部压力比壳体20X之外稍高的状态下，蒸镀物质从在Y方向上排列设置的多个各吐出口23X被整流而喷出。通过该方法，即使蒸发前的蒸镀材料存在纵长方向的温度不均，也能够使蒸发的蒸镀材料101X一度充满壳体20X内部，所以能够以相同蒸发速率向腔室2喷出。结果，基板宽度方向上的膜厚的均匀性提高。
一般来说，在使用真空蒸镀法向作为蒸镀对象物的基板等进行蒸镀时，在蒸镀面内，蒸发速率和/或膜厚在面内不均匀，例如在有机发光元件导致亮度不均。与此相对，在蒸镀装置1中，如上所述，通过一度使蒸镀材料的蒸气充满于坩埚内部，即使在蒸镀材料存在纵长方向的温度不均的情况下，也能够以相同蒸发速率向腔室喷出蒸气，能够减轻对纵长方向的蒸发速率变动的影响。
＜使用蒸镀装置1进行的蒸镀方法＞
对使用蒸镀装置1对基板100的表面进行蒸镀的工序进行说明。在本实施方式中。以蒸镀材料101A(第1蒸镀材料)具有比蒸镀材料101B(第2蒸镀材料)容易与杂质等反应的性质的情况为例。在这里，在蒸镀材料101A为具有比蒸镀材料101B容易与杂质等反应的性质的材料的情况下，蒸镀材料101A具有比蒸镀材料101B容易与水或氧结合的特性。图5是表示使用实施方式1所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。在蒸镀装置1中，基于该图5所示的温度曲线图控制蒸镀源6的温度和压力。首先，如图3所示，向各坩埚10X分别填充蒸镀材料101X，将该坩埚10X放入腔室2内的壳体20X之中，将开闭门24X关闭。
在将闸门7关闭了的状态下，从运入口5a向腔室2内运入基板100，驱动真空泵而将腔室2内从大气压减压到高真空P0(例如，0.1～10-5Pa)。
在将腔室2内减压到高真空P0后，在时刻tA0，在将腔室2内保持为高真空P0的状态下，驱动蒸镀源6A的加热部30A(第1加热部)，对坩埚10A进行加热。使蒸镀源6A的温度以急剧的温度梯度升温到蒸镀材料101A的蒸镀时加热温度(以后，称为“蒸镀温度”)TA。该蒸镀温度TA为比坩埚10A内的蒸镀材料101A开始蒸发的温度高的温度，例如处于250～350℃的范围内。
此时，蒸镀源6A的温度在到蒸镀温度TA为止的升温中途超过蒸镀材料101A的脱气温度。所谓脱气温度，是吸附于蒸镀材料101A的杂质等脱离的温度，例如处于100℃～200℃的范围内。在蒸镀源6A的温度超过蒸镀材料101A的脱气温度时，吸附于蒸镀材料101A的杂质等从吐出口23A向壳体20A外放出，腔室2内的压力由于杂质等而上升。
然后，在从蒸镀材料101A充分将杂质等除去了时，腔室2内的压力在时刻tA1，再次减少到高真空P0附近。从时刻tA0到时刻tA1的时间ΔtA例如能够通过下述而确定：预先进行对蒸镀材料101A加热的实验，通过气体分析测定所放出的杂质量，由此求出充分将杂质除去的时间，来确定时间ΔtA。
经过脱气所需要的时间ΔtA后，在腔室2内被减压到高真空P0附近以后的时刻tB0，在将腔室2内保持为高真空P0附近的状态下，驱动蒸镀源6B的加热部30B(第2加热部)而对坩埚10B进行加热。使蒸镀源6B的温度以急剧的温度梯度升温到蒸镀材料101B的蒸镀温度TB。该蒸镀温度TB为比坩埚10B内的蒸镀材料101B开始蒸发的温度高的温度，例如处于250～350℃的范围内。此时，蒸镀源6B的温度在到蒸镀温度TB为止的升温中途超过蒸镀材料101B的脱气温度。在蒸镀源6B的温度超过了蒸镀材料101B的脱气温度时，吸附于蒸镀材料101B的杂质等从吐出口23B向壳体20B外放出，腔室2内的压力由于杂质等而上升。然后，在从蒸镀材料101B充分将杂质等除去了时，腔室2内的压力在时刻tB1，再次减压到高真空P0附近。
一般来说，在设置了具有吐出口23X的壳体20X的蒸镀源6X，蒸镀材料101X通过加热而处于活性比较高的状态，所以处于容易与杂质等反应的条件下，特别是在蒸镀材料101X使用有机材料的情况下，容易产生例如有机材料分子的H置换为OH基等蒸镀材料的劣化。
在共蒸镀中，从蒸镀源蒸发的真正的材料彼此在作为蒸镀对象物的基板上混合，这是没有问题的，但例如在壳体20A内对蒸镀材料101A进行加热时，若蒸镀材料101B变为氧化物、氢氧化物等化合物而混合，则具有蒸镀材料101A劣化的可能性。
针对于此，在本蒸镀方法中，在从开始蒸镀源6A的升温的时刻tA0到开始蒸镀源6B的升温的时刻tB0的期间，关于各蒸镀源6A、6B内的压力PA、PB，PA＞PB的关系成立。即，加热控制部40以使得蒸镀材料101B的升温比蒸镀材料101A的升温滞后预定时间而开始的方式控制加热部30A及加热部30B。因此，能够防止在从时刻tA0到时刻tB0的期间，气体通过蒸镀源6A的吐出口23A向蒸镀源106A的壳体20A内逆流。
在这里，所谓“滞后预定时间而开始”，指的是，以在加热装置30A的升温时不发生PB＞PA那样的情况的程度，蒸镀材料101B的升温比蒸镀材料101A的升温滞后而开始。
结果，能够防止在收纳了容易与杂质等反应的蒸镀材料101A的蒸镀源6A的升温时，杂质等与从另一方的蒸镀源6B排出的气体一起进入到蒸镀源6A内。故而，能够防止由于从蒸镀源6B放出的、进入到蒸镀源6A内的杂质等与蒸镀材料101A反应，导致蒸镀材料101A变质或蒸镀材料101A的材料特性劣化。
另外，也可以设为下述的构成：以加热装置30A比加热装置30B升温速度快从而PA＞PB的方式，控制加热部30A及加热部30B。进而，也可以设为下述的构成：将加热部30A及加热部30B控制为，以使得在升温时蒸镀材料101A的蒸镀速率比蒸镀材料101B的蒸镀速率高的方式设定加热装置30A、30B的温度曲线图，由此成为PA＞PB。这是因为，可得到同样的效果。
时刻tB0以后，将蒸镀源6A、6B的温度分别维持为蒸镀温度TA、TB。在从蒸镀材料101B充分除去杂质等、腔室2内的压力减压到高真空P0的时刻tB1以后，对于基板100进行蒸镀。即，当由传感器8A、8B测定的蒸镀材料的蒸发速率稳定了时，将闸门7打开，一边运送基板100，一边向基板100的下表面蒸镀蒸镀物质。由此，在基板100的下表面，均匀地蒸镀由蒸镀材料101A及蒸镀材料101B构成的蒸镀物质。
在这里，关于蒸镀材料101A、101B的各蒸镀速率，优选将蒸镀源6A、6B的温度分别设为蒸镀温度TA、TB，以使得蒸镀材料101A的蒸镀速率比蒸镀材料101B的蒸镀速率高。由此，在蒸镀源6B的温度到达蒸镀温度TB以后的期间也同样是，各蒸镀源6A、6B内的压力PA、PB为PA＞PB的关系成立，能够防止气体通过蒸镀源6A的吐出口23A向蒸镀源6A的壳体20A内逆流。结果，能够防止从蒸镀源6B放出、进入到蒸镀源6A内的杂质等与蒸镀材料101A反应，由此产生蒸镀材料101A的变质和/或材料特性的劣化。
在对于基板100的蒸镀结束时，将闸门7关闭，从运出口5b取出基板100。通过反复进行这样的工序，对多个基板100进行蒸镀。
伴随着蒸镀，被收纳于坩埚10X内的蒸镀材料101X变少时，使蒸镀源6X的温度降低，将真空泵停止，打开开闭门24X而将坩埚10X从壳体20X取出，向坩埚10X补给蒸镀材料101X。
在使蒸镀源6X的温度降低时，降低到蒸镀材料101X的蒸发开始温度附近，在蒸镀源6X的温度降低到蒸发开始温度后将真空泵停止，使温度进一步降低，降低到室温。或者，也可以在蒸镀源6X的温度降低到室温后将真空泵停止。
＜效果＞
如以上说明，蒸镀装置1，是向蒸镀对象物100共蒸镀不同的蒸镀材料101X的蒸镀装置1，包括：腔室2，蒸镀对象物100设于腔室2内；向蒸镀对象物100吐出第1蒸镀材料101A的蒸气的第1蒸镀源6A；向蒸镀对象物100吐出第2蒸镀材料101B的蒸气的第2蒸镀源6B；对第1蒸镀材料101A进行加热的第1加热部30A；对第2蒸镀材料101B进行加热的第2加热部30B；和控制第1加热部30A及第2加热部30B的加热控制部40；加热控制部40构成为，能够将第1及第2加热部30A、30B控制成第2蒸镀材料101B的升温比第1蒸镀材料101A的升温滞后预定时间而开始。另外，蒸镀装置1的控制方法，其特征在于：在第1蒸镀材料101A由比第2蒸镀材料101B容易与水或氧结合的材料构成时，将第1及第2加热部30A、30B控制成得第2蒸镀材料101B的升温比第1蒸镀材料101A的升温滞后预定时间而开始。
由此，能够防止在收纳了容易与杂质等反应的第1蒸镀材料101A的蒸镀源6A的升温时，从另一方的蒸镀源6B排出的杂质等进入到蒸镀源6A内。
另外，其特征在于：将第1及第2加热部30A、30B控制成，成为使得第1蒸镀材料101A的蒸镀速率比第2蒸镀材料101B的蒸镀速率高的第2蒸镀材料101B的蒸镀温度TB及第1蒸镀材料101A的蒸镀温度TA。由此，在收纳了容易与杂质等反应的第1蒸镀材料101A的蒸镀源6A的温度到达蒸镀温度TA以后也能够防止从另一方的蒸镀源6B排出的杂质等进入到蒸镀源6A内。因此，能够防止通过蒸镀工艺，容易与杂质等反应的第1蒸镀材料101A与杂质等反应。结果，在共蒸镀中，能够减轻第1蒸镀材料101A及第2蒸镀材料101B的变质和/或材料特性的劣化。
＜变形例1＞
以上，对实施方式1所涉及的蒸镀装置1及其控制方法、使用了蒸镀装置1的蒸镀方法进行了说明，但本发明当然并不限定于上述的实施方式1所示的例子。也能够将例示的构成设为以下的构成。在上述的实施方式所涉及的蒸镀装置1及使用了蒸镀装置1的蒸镀方法中，设为在蒸镀材料101A、101B升温后、以急剧的温度梯度分别升温到蒸镀温度TA、TB的构成。然而，只要为能够以使得蒸镀材料101B的升温比蒸镀材料101A的升温滞后预定时间而开始的方式控制加热部30A、30B的构成即可，也能够设为下述的构成。
图6是表示使用实施方式1的变形例1所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。如图6所示，在加热部30A的加热中，使蒸镀材料101A的温度从常温附近的温度经由比蒸镀材料101A的蒸镀温度TA低的温度TA－阶段性地升温到蒸镀温度TA。并且，在加热部30B的加热中，也可以设为使蒸镀材料101B的温度从常温附近的温度经由比蒸镀材料101B的蒸镀温度TB低的温度TB－阶段性地升温到蒸镀温度TB的构成。
在使用变形例1所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中，具体地为以下的构成。
首先，在腔室2内减压到高真空P0后，在时刻tA0，在将腔室2内保持为真空的状态下，驱动蒸镀源6A的加热部30A，对坩埚10A进行加热。在时刻tA0～tA1，使蒸镀源6A的温度以急剧的温度梯度升温到从蒸镀材料放出杂质气体的脱气温度TA－。脱气温度TA－为吸附于蒸镀材料101A的水分等杂质脱离的温度，例如处于100℃～200℃的范围内。
在这里，通过在将腔室2内减压到高真空P0的状态下对坩埚10A进行加热，能够在某种程度上除去腔室2内的杂质后，开始坩埚10A的加热。因此，例如与假设在将腔室2内保持为大气压的状态下对坩埚10A加热的情况比较，能够减轻腔室2内的杂质与蒸镀材料的反应。
接下来，在时刻tA1蒸镀源6A的温度到达脱气温度TA－后，在时刻tA1～tA2的期间，维持温度TA－附近的恒定温度或者缓和的温度梯度。该期间例如能够通过下述而确定：预先进行对蒸镀材料进行加热的实验，通过气体分析测定所放出的杂质量，由此求出充分将杂质除去的时间，来确定该期间。
在蒸镀源6A的温度超过了蒸镀材料101A的脱气温度时，吸附于蒸镀材料101A的杂质等从吐出口23A向壳体20A外放出，腔室2内的压力由于杂质等而上升。然后，在从蒸镀材料101A充分将杂质等除去了时，腔室2内的压力在时刻tB0再次减少到高真空P0附近。由此，能够将在补充蒸镀材料101A时向蒸镀源6A的壳体20A内混入的杂质等向壳体20A外排出。
在这里，通过将排气期间中的蒸镀源6A的温度维持为脱气温度TA－以上且小于蒸镀温度TA，能够设为杂质等蒸发但不产生蒸镀材料101A的蒸发的条件。由此能够防止蒸镀材料的浪费，有助于低成本化。
在经过脱气所需要的期间tA1～tA2后，在期间tA2～tA3，升温到蒸镀温度TA。该蒸镀温度TA为蒸镀材料101A的蒸发温度，例如处于250～350℃的范围内。
接下来，在时刻tB0，驱动蒸镀源6B的加热部30B，对坩埚10B进行加热。在时刻tB0～tB1，使蒸镀源6B的温度以急剧的温度梯度升温到从蒸镀材料101B放出杂质等的脱气温度TB－。脱气温度TB－为吸附于蒸镀材料101B的水分等杂质等脱离的温度，例如处于100℃～200℃的范围内。
接下来，在时刻tB1蒸镀源6的温度到达脱气温度TB－后，在时刻tB1～tB2的期间，维持温度TB－附近的恒定温度或者缓和的温度梯度。由此，能够将在补充蒸镀材料101B时与蒸镀源6B一起向蒸镀源6B的壳体20B内混入的杂质向壳体20B外排出。
在期间tB2～tB3中，升温到蒸镀温度TB。该蒸镀温度TB是蒸镀材料101B的蒸发温度，例如处于250～350℃的范围内。在蒸镀源6B的温度超过了蒸镀材料101B的脱气温度时，吸附于蒸镀材料101B的杂质等从吐出口23B向壳体20B外放出，腔室2内的压力由于杂质等而上升。然后，在从蒸镀材料101B充分将杂质等除去了时，腔室2内的压力在时刻tB4再次减少到高真空P0附近。
时刻tB0以后将蒸镀源6A、6B的温度分别维持为蒸镀温度TA、TB。在从蒸镀材料101B充分除去杂质等、腔室2内的压力减压到高真空P0附近的时刻tB4以后，对于基板100进行蒸镀。即，在由传感器8A、8B测定的蒸镀材料的蒸发速率稳定了时，打开闸门7，一边运送基板100，一边向基板100的下表面蒸镀蒸镀物质。由此，在基板100的下表面均匀地蒸镀蒸镀物质。
如上所述，在本变形例所涉及的蒸镀装置中，为了抑制壳体20X与腔室2的流通、提高壳体20X的内压而设置吐出口23X，所以蒸镀材料101通过加热而处于活性比较高的状态，从而处于容易与杂质等反应的条件下，特别是在蒸镀材料101X使用有机材料的情况下，容易产生例如有机材料分子的H置换为OH基等蒸镀材料的劣化。
与此相对，在本变形例中，能够在开始蒸镀前将与蒸镀材料101X一起向蒸镀源6X的壳体20X内混入的杂质向壳体20X外排出，所以能够防止杂质与蒸镀材料反应。另外，通过将温度维持为脱气温度TA－、TB－附近，能够抑制杂质气体一下子蒸发完。
另外，与实施方式1同样，在蒸镀材料101A由比蒸镀材料101B容易与水或氧结合的材料构成时，以使得蒸镀材料101B的升温比蒸镀材料101A的升温滞后预定时间而开始的方式控制第1及第2加热部30A、30B。
由此，能够防止在收纳了容易与杂质等反应的蒸镀材料101A的蒸镀源6A的升温时，从另一方的蒸镀源6B排出的杂质等进入到蒸镀源6A内。结果，在蒸镀工序中能够减轻蒸镀材料的变质和/或材料特性的劣化。
＜变形例2＞
在上述的实施方式所涉及的蒸镀装置1及使用蒸镀装置1的蒸镀方法中，设为在蒸镀材料101A、101B升温后、以急剧的温度梯度分别升温到蒸镀温度TA、TB的构成。然而，只要是能够以使得蒸镀材料101B的升温比蒸镀材料101A的升温滞后预定时间而开始的方式控制加热部30A、30B的构成即可，也能够设为下述的构成。
图7是表示使用实施方式1的变形例2所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。如图7所述，可以设为下述的构成：在加热部30A的加热中，将蒸镀材料101A的温度从常温附近的温度一度提高到超过蒸镀材料101A的蒸镀温度TA的温度TA+后，降温到蒸镀材料101A的蒸镀温度TA。并且，也可以设为下述的构成：在加热部30B的加热中，将蒸镀材料101B的温度从常温附近的温度一度提高到超过蒸镀材料101B的蒸镀温度TB的温度TB+后，降温到蒸镀材料101B的蒸镀温度TB。由此，除了实施方式1所记载的效果，还能够起到以下的效果。即，通过一度提高到超过蒸镀材料101X的蒸镀温度TA的温度TA+，到从蒸镀材料101X除去杂质等为止的时间减少，能够以更稳定的状态确认蒸镀材料101X的蒸发速率，能够缩短从蒸镀源6A的升温开始到蒸镀开始的时间。这是因为，能够缩短从开始蒸镀源6A的升温的时刻tA0、到从蒸镀材料101X充分除去杂质等、腔室2内的压力减压到高真空P0附近的时刻tB1为止的时间。
＜变形例3＞
图8是表示使用实施方式1的变形例3所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。如图8所示，可以设为下述的构成：在加热部30A的加热中，使蒸镀材料101A的温度从常温附近的温度经由比蒸镀温度TA低的温度TA－阶段地升温而一度提高到超过蒸镀材料101A的蒸镀温度TA的温度TA+后，降温到蒸镀温度TA。并且，也可以设为下述的构成：在加热部30B的加热中，使蒸镀材料101B的温度从常温附近的温度经由比蒸镀温度TB低的温度TB－阶段地升温而一度提高到超过蒸镀材料101B的蒸镀温度TB的温度TB+后，降温到蒸镀温度TB。由此，能够得到上述变形例1及3所记载的效果。
＜变形例4＞
在上述的实施方式所涉及的蒸镀装置1及使用蒸镀装置1的蒸镀方法中，构成为能够以使得蒸镀材料101B的升温比蒸镀材料101A的升温滞后预定时间而开始的方式控制加热部30A、30B。然而，也能够进而构成为能够以使得蒸镀材料101A的降温比蒸镀材料101B的降温滞后预定时间而开始的方式控制第1及第2加热部30A、30B。
图9是表示使用实施方式1的变形例4所涉及的蒸镀装置1的蒸镀方法中的蒸镀源的温度曲线图及腔室2内的压力曲线图的一例的概略图。如图9所示，也可以设为下述的构成：在蒸镀材料101A由比蒸镀材料101B容易与水或氧结合的材料构成时，以使得蒸镀材料101A从蒸镀温度TA向常温附近的温度的降温比蒸镀材料101B从蒸镀温度TB向常温附近的温度的降温滞后而进行的方式控制加热部30A、30B。另外，进而，也可以设为下述的构成：在蒸镀材料101A的降温中，使蒸镀材料101A的温度从蒸镀材料101A的蒸镀温度TA阶段地降低到常温附近的温度；在蒸镀材料101B的降温中，使蒸镀材料101B的温度从蒸镀材料101B的蒸镀温度TB阶段地降低到常温附近的温度。由此，除了实施方式1所记载的效果，还能够起到以下的效果。即，能够防止在将容易与杂质等反应的蒸镀材料101A收纳于壳体20A内的蒸镀源6A的降温时从另一方的蒸镀源6B排出的蒸镀材料101B进入到蒸镀源6A内。由此，能够防止作为与蒸镀材料101A不同种材料的蒸镀材料101B在蒸镀前的阶段混入到蒸镀材料101A。
《实施方式2》
(有机EL元件的制造工序)
图10是对作为实施方式2所涉及的器件的制造方法的一样态的有机EL装置的制造方法进行说明的工序图。图10所示的基板1是在TFT基板上涂敷感光性树脂并通过经由光掩模的曝光、显影形成有平坦化膜的基板。
如图10(a)所示，在基板100上，依次形成阳极200、ITO层300、空穴注入层400，在空穴注入层400上形成堤500。伴随于此在堤500彼此间形成成为元件形成区域的凹部空间500a。
阳极200通过下述而形成：通过例如溅射形成Ag薄膜，通过例如光刻法将该Ag薄膜图形形成为矩阵状。另外，Ag薄膜也可以使用上述的蒸镀方法通过真空蒸镀等形成。
ITO层300通过用例如溅射形成ITO薄膜、通过例如光刻法对该ITO薄膜进行图形形成而形成。
空穴注入层400使用包含WOx或MoxWyOz的组合物、通过使用上述的蒸镀方法的真空蒸镀法和/或溅射等技术形成。
堤500通过如下而形成：在空穴注入层400上涂敷堤材料等而形成堤材料层、将形成的堤材料层的一部分除去。堤材料层的除去能够通过在堤材料层上形成抗蚀剂图形、然后蚀刻而进行。在堤材料层的表面，也可以根据需要通过使用氟系材料的等离子处理等实施拨液处理。堤500为线堤，在基板1上，互相平行地形成有多个线堤。
接下来，形成作为功能层的发光层600。如图10(b)所示，向堤500彼此间的成为子像素形成区域的凹部空间500a，通过喷墨法填充包含有机发光层的材料的墨，使印刷成膜的该膜干燥，进行烘烤处理，从而形成发光层600。
在图10中在1对堤500间仅示出1层发光层600，但在基板1上，在图10的纸面横向上反复排列形成有红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层。在该工序中，填充包含R、G、B中任意一方的有机发光材料的墨600a、在减压下使填充的墨600a干燥，从而如图10(c)所示那样形成发光层600。
接下来，如图10(d)所示，依次形成电子注入层700、阴极800、封止层900。在这里，电子注入层700例如能够使用掺杂了碱金属或者碱土类金属的有机材料，可以如下形成：用上述的蒸镀方法，共蒸镀作为主材料的有机材料、作为添加材料的碱金属或者碱土类金属。在该情况下，有机材料为主材料，所以蒸镀速率设定得比作为添加材料的碱金属或者碱土类金属高，因此可以将收纳了有机材料的壳体的内压设定为比收纳了碱金属或者碱土类金属的壳体的内压高。因此，能够防止从收纳了碱金属或者碱土类金属的壳体放出的杂质等和/或碱金属或者碱土类金属或者其化合物等进入到收纳了容易与杂质等反应的有机材料的壳体。
另外，虽然在图10中未图示，但也可以在发光层600之下，通过湿式方式形成作为功能层的空穴输送层。另外，也可以发光层600之上通过湿式方式形成作为功能层的电子输送层。
阴极800通过例如溅射法而薄膜成型ITO。
封止层900在涂敷树脂密封材料后、照射UV而使该树脂密封材料固化而形成。进而，也可以在其上载置玻璃板而封止。
经过以上的工序，完成有机EL装置，制造出器件。
如以上说明，通过用实施方式1所示的蒸镀方法成膜空穴注入层400、电子注入层700等有机功能层，能够防止杂质与蒸镀材料反应。结果，在蒸镀工序中，能够减轻蒸镀材料的变质和/或材料特性的劣化。另外，能够削减通过蒸镀成膜的有机功能层所含的杂质量，能够成膜杂质少的有机功能层。另外，对于Ag薄膜等金属层，也能够适用实施方式1至3所示的蒸镀方法。
《总结》
如以上说明，上述各实施方式所涉及的蒸镀装置，是向蒸镀对象物共蒸镀不同的蒸镀材料的蒸镀装置，采用下述的构成，包括：腔室，所述蒸镀对象物设于该腔室内；向所述蒸镀对象物吐出第1蒸镀材料的蒸气的第1蒸镀源；向所述蒸镀对象物吐出第2蒸镀材料的蒸气的第2蒸镀源；对所述第1蒸镀材料进行加热的第1加热部；对所述第2蒸镀材料进行加热的第2加热部；和控制所述第1加热部及所述第2加热部的加热控制部；所述加热控制部构成为，能够将所述第1及第2加热部控制成所述第2蒸镀材料的升温比所述第1蒸镀材料的升温滞后预定时间而开始。
由此，在器件制造工序中，能够防止从另一方的蒸镀源排出的杂质等进入到收纳了容易与杂质等反应的蒸镀材料的蒸镀源内。因此，能够防止容易与水分等杂质反应的蒸镀材料与杂质反应。结果，在共蒸镀中，能够减轻蒸镀材料的变质和/或材料特性的劣化。
《其他的变形例》
1.在上述实施方式中，在腔室2中仅设有2个蒸镀源6，但也能够在腔室内设置3个以上的蒸镀源，在该情况下也在各蒸镀源适用在上述实施方式中说明的构成，由此能够抑制坩埚与壳体的附着固定。
2.在上述实施方式中，如图1所示，蒸镀源6的壳体20被设置于腔室2的底板上，但壳体20也可以与腔室2形成为一体。
3.在上述实施方式中，对于蒸镀源为长条状的线源的情况进行了说明，但也可以不必是线源，例如圆筒状的蒸镀源也能够同样实施。即，只要是在壳体的凹空间收纳有坩埚、通过开设有多个吐出口的盖体覆盖凹空间的开口部的蒸镀源即可，与蒸镀源的形状无关地，在坩埚的底面和/或坩埚的凸缘设置多个支撑凸部、或在壳体设置多个支撑凸部，由此能够同样得到抑制坩埚与壳体的附着固定的效果。
4.在上述实施方式5中，使用具有1个喷墨头的液滴吐出装置，将墨涂敷于基板，形成发光层600。然而，例如也能够通过蒸镀法成膜发光层600。在该情况下，能够适用实施方式1至4所示的蒸镀方法而成膜，能够防止杂质混入到成膜的有机功能层。
5.上述的工序的执行顺序是为了具体地说明本发明而例示的，也可以是上述以外的顺序。另外，上述工序的一部分也可以与其他的工序同时(并列)执行。另外，也可以将各实施方式所涉及的液滴吐出装置的吐出口检查方法、液滴吐出装置的检查方法、检查方法、器件的制造方法、以及其变形例的功能中至少一部分组合。进而，对于本实施方式实施本领域技术人员能想到的范围内的变更而得的各种变形例也包含于本发明。
《补充》
以上说明的实施方式都表示本发明的优选的一具体例。实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态、工序、工序的顺序等为一例，并不意在限定本发明。另外，对于实施方式中的构成要素中、没有记载于表示本发明的最上位概念的独立权利要求中的工序，作为构成更优选的形态的任意的构成要素而进行说明。
另外，为了使发明容易理解，在上述各实施方式中列举的各图的构成要素的比例尺有时与实际不同。另外本发明并不限定于上述各实施方式的记载，在不脱离本发明的宗旨的范围内能够适当变更。
进而，在蒸镀装置中在基板上也存在电路部件、引线等构件，但对于电气布线、电气电路能够基于该技术领域中的常识而实施各种实施方式，与本发明的说明无直接关系，所以将说明省略。另外，上述所示的各图为示意图，不一定严密地进行图示。
产业上的可利用性
本发明能够广泛利用于蒸镀装置、以及使用蒸镀方法制造的例如有机发光元件和/或TFT基板等器件的制造领域的全体等。
附图标记说明
1：蒸镀装置
2：腔室
3：腔室排气口
4：分隔板
4a：窗
5a：运入口
5b：运出口
6(6A、6B、(6X))：蒸镀源(第1蒸镀源6A、第2蒸镀源6B)
7：闸门
8(8A、8B)：传感器
10(10A、10B、(10X))：坩埚
20(20A、20B、(20X))：壳体
21(21A、21B、(21X))：壳体主体部
21a(21aA、21aB、(21aX))：底板
21b(21bA、21bB、(21bX))：周壁
22(22A、22B、(22X))：壳体盖部
30(30A、30B、(30X))：加热部(第1加热部30A、第2加热部30B)
40：加热控制部
100：基板(蒸镀对象物)
101(101A、101B、(101X))：蒸镀材料(第1蒸镀材料101A、第2蒸镀材料101B)
Claims (15)
1.一种蒸镀装置，是向蒸镀对象物共蒸镀不同的蒸镀材料的蒸镀装置，包括：
腔室，所述蒸镀对象物设于该腔室内；
向所述蒸镀对象物吐出第1蒸镀材料的蒸气的第1蒸镀源；
向所述蒸镀对象物吐出第2蒸镀材料的蒸气的第2蒸镀源；
对所述第1蒸镀材料进行加热的第1加热部；
对所述第2蒸镀材料进行加热的第2加热部；和
控制所述第1加热部及所述第2加热部的加热控制部；
所述加热控制部构成为，能够将所述第1及第2加热部控制成所述第2蒸镀材料的升温比所述第1蒸镀材料的升温滞后预定时间而开始。
2.如权利要求1所述的蒸镀装置，
所述第1蒸镀源具有收纳所述第1蒸镀材料并且开设有吐出所述第1蒸镀材料的蒸气的吐出口的第1壳体；
所述第2蒸镀源具有收纳所述第2蒸镀材料并且开设有吐出所述第2蒸镀材料的蒸气的吐出口的第2壳体。
3.如权利要求1所述的蒸镀装置，
所述加热控制部构成为，能够将所述第1及第2加热部控制成所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度比所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度高。
4.一种蒸镀装置的控制方法，是使用如权利要求1或2所述的蒸镀装置向所述蒸镀对象物共蒸镀不同的第1蒸镀材料及第2蒸镀材料的蒸镀装置的控制方法，
在所述第1蒸镀材料由比所述第2蒸镀材料容易与水或氧结合的材料构成时，
将所述第1蒸镀材料设为所述第1蒸镀材料，将所述第2蒸镀材料设为所述第2蒸镀材料，
将所述第1及第2加热部控制成所述第2蒸镀材料的升温比所述第1蒸镀材料的升温滞后所述预定时间而开始。
5.如权利要求4所述的蒸镀装置的控制方法，
将所述第1及第2加热部控制成，成为使得所述第1蒸镀材料的蒸镀速率比所述第2蒸镀材料的蒸镀速率高的所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度及所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度。
6.如权利要求4所述的蒸镀装置的控制方法，
在所述第1加热部的加热中，使所述第1蒸镀材料的温度从常温附近的温度阶段性地升温到所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度；在所述第2加热部的加热中，使所述第2蒸镀材料的温度从常温附近的温度阶段性地升温到所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度。
7.如权利要求4所述的蒸镀装置的控制方法，
在所述第1加热部的加热中，将所述第1蒸镀材料的温度从常温附近的温度一度提高到超过所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度的温度后，降低到所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度。
8.如权利要求7所述的蒸镀装置的控制方法，
在所述第2加热部的加热中，将所述第2蒸镀材料的温度从常温附近的温度一度提高到超过所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度的温度后，降低到所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度。
9.一种蒸镀方法，是使用如权利要求4至8的任意1项所述的蒸镀装置的控制方法向所述蒸镀对象物共蒸镀不同的第1蒸镀材料及第2蒸镀材料的蒸镀方法，
所述第1蒸镀材料为由有机功能材料构成的主材料，所述第2蒸镀材料为由金属材料构成的添加材料。
10.一种器件的制造方法，
使用如权利要求9所述的蒸镀方法、在所述蒸镀对象物上形成由所述第1及第2蒸镀材料构成的层。
11.如权利要求1所述的蒸镀装置，
所述加热控制部进而构成为，能够将所述第1及第2加热部控制成所述第1蒸镀材料从蒸镀时加热温度向常温附近的温度的降温比所述第2蒸镀材料从蒸镀时加热温度向常温附近的温度的降温滞后而进行。
12.一种蒸镀装置的控制方法，是使用如权利要求11所述的蒸镀装置向所述蒸镀对象物共蒸镀不同的第1蒸镀材料及第2蒸镀材料的蒸镀装置的控制方法，
在所述第1蒸镀材料由比所述第2蒸镀材料容易与水或氧结合的材料构成时，
将所述第1蒸镀材料设为所述第1蒸镀材料，将所述第2蒸镀材料设为所述第2蒸镀材料，
将所述第1及第2加热部控制成所述第1蒸镀材料从蒸镀时加热温度向常温附近的温度的降温比所述第2蒸镀材料从蒸镀时加热温度向常温附近的温度的降温滞后而进行。
13.如权利要求12所述的蒸镀装置的控制方法，
在所述第1蒸镀材料的降温中，使所述第1蒸镀材料的温度从所述第1蒸镀材料的蒸镀时加热温度阶段性地降低到常温附近的温度；
在所述第2蒸镀材料的降温中，使所述第2蒸镀材料的温度从所述第2蒸镀材料的蒸镀时加热温度阶段性地降低到常温附近的温度。
14.一种蒸镀方法，是使用如权利要求12或13所述的蒸镀装置的控制方法向所述蒸镀对象物共蒸镀不同的第1蒸镀材料及第2蒸镀材料的蒸镀方法，
所述第1蒸镀材料为由有机功能材料构成的主材料，所述第2蒸镀材料为由金属材料构成的添加材料。
15.一种器件的制造方法，
使用如权利要求14所述的蒸镀方法，在所述蒸镀对象物上形成由所述第1及第2蒸镀材料构成的层。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106521423A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-03-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板 |
| CN109962178A (zh) * | 2017-12-25 | 2019-07-02 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种oled超薄盖板的制作方法和触摸屏以及制作方法 |
| CN110670022A (zh) * | 2018-07-02 | 2020-01-10 | 三星显示有限公司 | 沉积装置及利用该沉积装置的沉积方法 |
| CN114250443A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-29 | 天津津航技术物理研究所 | 一种红外透明导电薄膜掺杂方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106929805B (zh) * | 2015-12-31 | 2022-02-25 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 容纳并加热材料的坩埚以及包括坩埚和加热器布置的系统 |
| CN106929802B (zh) * | 2015-12-31 | 2021-06-04 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 用于加热坩埚的加热器设备和用于蒸发或升华材料的系统 |
| KR102662181B1 (ko) * | 2018-11-28 | 2024-04-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 증발 재료를 증착하기 위한 증착 소스, 증착 장치, 및 이를 위한 방법들 |
| CN110690353B (zh) * | 2019-09-06 | 2021-01-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种串联oled器件的制备方法 |
| WO2024171548A1 (ja) * | 2023-02-16 | 2024-08-22 | 大陽日酸株式会社 | ガス供給方法及びガス供給装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004018903A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 複合材料薄膜の形成方法およびその装置 |
| JP2004059982A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着方法 |
| JP2005203248A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Sony Corp | 蒸着方法及び蒸着装置 |
| JP2009256710A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置 |
| CN102257175A (zh) * | 2008-12-18 | 2011-11-23 | 安赛乐米塔尔法国公司 | 用于在金属带上沉积合金涂层的工业蒸汽发生器（ii） |
| JP2012077375A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-04-19 | Panasonic Corp | 真空蒸着装置 |
| CN102732843A (zh) * | 2011-04-13 | 2012-10-17 | 韩商Snu精密股份有限公司 | 用于形成薄膜的大容量沉积设备 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0818902B2 (ja) * | 1989-11-02 | 1996-02-28 | シャープ株式会社 | 気相成長装置 |
| JP3483719B2 (ja) * | 1997-01-09 | 2004-01-06 | 株式会社アルバック | 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置 |
| JP2000012218A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-14 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子の製造装置および製造方法 |
| US7517551B2 (en) * | 2000-05-12 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device |
| JP4704605B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2011-06-15 | 淳二 城戸 | 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法 |
| JP4911555B2 (ja) * | 2005-04-07 | 2012-04-04 | 国立大学法人東北大学 | 成膜装置および成膜方法 |
| JP2007066564A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び製造装置 |
| JP2007291506A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Canon Inc | 成膜方法 |
| JP5179739B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法 |
| JP5063969B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法 |
| JP5020650B2 (ja) * | 2007-02-01 | 2012-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法および蒸着装置の製造方法 |
| JP5527933B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2014-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置の制御方法、成膜方法、成膜装置、有機ｅｌ電子デバイスおよびその制御プログラムを格納した記憶媒体 |
| JP2010159448A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Canon Inc | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP5718362B2 (ja) * | 2010-12-14 | 2015-05-13 | シャープ株式会社 | 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| JP2012238555A (ja) * | 2011-05-13 | 2012-12-06 | Nitto Denko Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法、その製造装置及び有機ｅｌ素子 |
| JP5779804B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2015-09-16 | 日東電工株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| WO2015136859A1 (ja) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 蒸着装置及び蒸着装置を用いた蒸着方法、及びデバイスの製造方法 |
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-
2018
- 2018-06-22 US US16/015,946 patent/US20180298489A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004018903A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 複合材料薄膜の形成方法およびその装置 |
| JP2004059982A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-02-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着方法 |
| JP2005203248A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Sony Corp | 蒸着方法及び蒸着装置 |
| JP2009256710A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置 |
| CN102257175A (zh) * | 2008-12-18 | 2011-11-23 | 安赛乐米塔尔法国公司 | 用于在金属带上沉积合金涂层的工业蒸汽发生器（ii） |
| JP2012077375A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-04-19 | Panasonic Corp | 真空蒸着装置 |
| CN102732843A (zh) * | 2011-04-13 | 2012-10-17 | 韩商Snu精密股份有限公司 | 用于形成薄膜的大容量沉积设备 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106521423A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-03-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板 |
| US20170222191A1 (en) * | 2016-11-28 | 2017-08-03 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Vacuum evaporation device and method thereof, and organic light-emitting display panel |
| US10170730B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-01-01 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Vacuum evaporation device and method thereof, and organic light-emitting display panel |
| CN109962178A (zh) * | 2017-12-25 | 2019-07-02 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种oled超薄盖板的制作方法和触摸屏以及制作方法 |
| CN109962178B (zh) * | 2017-12-25 | 2021-11-23 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种oled超薄盖板的制作方法和触摸屏以及制作方法 |
| CN110670022A (zh) * | 2018-07-02 | 2020-01-10 | 三星显示有限公司 | 沉积装置及利用该沉积装置的沉积方法 |
| CN114250443A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-29 | 天津津航技术物理研究所 | 一种红外透明导电薄膜掺杂方法 |
| CN114250443B (zh) * | 2021-11-30 | 2024-01-05 | 天津津航技术物理研究所 | 一种红外透明导电薄膜掺杂方法 |
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