CN102732843A - 用于形成薄膜的大容量沉积设备 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,所述设备包括:多个源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于所述多个源容器中;蒸发室,所述蒸发室在所述源容器上方与所述源容器耦合并连通,且来自所述源容器的已蒸发源材料穿过所述蒸发室;喷孔,所述喷孔形成于所述蒸发室的顶部上并向上喷射穿过所述蒸发室的所述已蒸发源材料;第一加热器,所述第一加热器在所述蒸发室内部提供于所述源容器上方并供热给所述源容器以蒸发容纳于所述源容器中的所述源材料;传感器,所述传感器安装在所述蒸发室中并感测穿过所述蒸发室的已蒸发源材料的量;和控制器,所述控制器从所述传感器获得关于所述蒸发室中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从源容器蒸发的源材料的量。
Description
相关申请案的交叉引用
本申请主张2011年4月13日在韩国知识产权局申请的第10-2011-0034340号韩国专利申请的优先权及权利,所述申请的全部内容以引用的方式并入。
技术领域
本发明涉及一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,并且尤其涉及一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,其中有机物可蒸发并以薄膜的形式沉积于衬底上。
背景技术
有机发光装置是一种自身可以发光的下一代显示装置,与液晶显示器(LCD)装置的性能相比,下一代显示装置具有良好的视角、对比度、响应速度、功耗等。
有机发光装置包括以矩阵型连接于扫描线与数据线之间并形成像素的有机发光二极管。有机发光二极管包括阳极、阴极和在阳极与阴极之间形成并具有空穴传输层、有机发光层及电子传输层的有机薄膜层。当在阳极与阴极之间施加预定电压时,从阳极注入的空穴和从阴极注入的电子在发光层中重新组合,同时基于能量差而发射光。
在用于有机薄膜层的沉积过程中使用的有机物不需要高汽压,并且与无机物不同,有机物在高温下容易分解和变性。由于此材料性质,由钨材料制成的源容器装满有机物,并且加热此源容器以蒸发有机物,从而在衬底上沉积常规的有机薄膜。
然而,源容器能够储存的有机物的量有限,且因此出现了以下问题:有机物必须在沉积过程中频繁地重新装填,而且在所有这些场合下,用于形成薄膜的大容量沉积设备应在装填过程中停机。
虽然最近已提出一种通过提供大容量源容器来增加有机物的装填量的方法,但是因供应了更多热量给源容器以便加热增大的源容器并蒸发有机物,因此仍出现有机物变性的问题。
发明内容
因此,认为本发明可解决前述问题,并且本发明一方面提供一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,其中多个源容器用以增加待容纳的源材料的量,以便可以延长用于沉积薄膜的设备的暂停周期,并且在增加源材料的蒸发速度的同时降低源材料的蒸发温度,以便可以提高设备的使用效率。
根据本发明的示范性实施例,提供一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,设备包括:多个源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于多个源容器中;蒸发室,蒸发室在源容器上方与源容器耦合并连通,且来自源容器的已蒸发源材料穿过蒸发室;喷孔,喷孔形成于蒸发室的顶部上并向上喷射穿过蒸发室的已蒸发源材料;第一加热器,第一加热器在蒸发室内部提供于源容器上方并供热给源容器以蒸发容纳于源容器中的源材料;传感器,传感器安装在蒸发室中并感测穿过蒸发室的已蒸发源材料的量;和控制器,控制器从传感器获得关于蒸发室中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从源容器蒸发的源材料的量。
根据本发明的另一个示范性实施例,提供一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,设备包括:多个源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于多个源容器中;蒸发室,蒸发室在源容器上方与源容器耦合并连通,且来自源容器的已蒸发源材料穿过蒸发室;喷孔,喷孔形成于蒸发室的顶部上并向上喷射穿过蒸发室的已蒸发源材料;第一加热器,第一加热器在蒸发室内部提供于源容器上方并供热给源容器以蒸发容纳于源容器中的源材料;多个传感器,多个传感器安装在源容器中并感测从源容器流出的已蒸发源材料的量;和控制器,控制器从传感器获得关于源容器中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从源容器蒸发的源材料的量。
根据本发明的又一个示范性实施例,提供一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,设备包括:多个源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于多个源容器中;蒸发室,蒸发室在源容器上方与源容器耦合并连通,且来自源容器的已蒸发源材料穿过蒸发室;喷孔,喷孔形成于蒸发室的顶部上并向上喷射穿过蒸发室的已蒸发源材料;多个第一加热器,多个第一加热器提供于源容器中并供热给源容器以蒸发容纳于源容器中的源材料;传感器,传感器安装在蒸发室中并感测穿过蒸发室的已蒸发源材料的量;和控制器,控制器从传感器获得关于蒸发室中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从源容器蒸发的源材料的量。
根据本发明的又一个示范性实施例,提供一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,设备包括:多个源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于多个源容器中;蒸发室,蒸发室在源容器上方与源容器耦合并连通,且来自源容器的已蒸发源材料穿过蒸发室;喷孔,喷孔形成于蒸发室的顶部上并向上喷射穿过蒸发室的已蒸发源材料;多个第一加热器,多个第一加热器提供于源容器中并供热给源容器以蒸发容纳于源容器中的源材料;多个传感器,多个传感器安装在源容器中并感测从源容器流出的已蒸发源材料的量;和控制器,控制器从传感器获得关于源容器中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从源容器蒸发的源材料的量。
设备可进一步包括多个传送单元,多个传送单元分别耦合到源容器并在变得靠近第一加热器或变得远离第一加热器的方向上传送源容器中的源材料。
控制器从传感器获得关于已蒸发源材料的量的反馈,并且如果已蒸发源材料的量低于预设参考量,控制器就传输信号至传送单元以使得源材料可以在变得靠近第一加热器的方向上传送,或者控制器传输用于升高第一加热器的温度的信号,并且如果已蒸发源材料的量高于预设参考量,控制器就传输信号至传送单元以使得源材料可在变得远离第一加热器的方向上传送,或者控制器传输用于降低第一加热器的温度的信号。
设备可进一步包括阻挡板,阻挡板提供于蒸发室内部并防止容纳于源容器中的源材料或外来材料在第一加热器供热给源材料的同时喷溅并附着到喷孔。
阻挡板可形如平板并与蒸发室的内壁以预定距离间隔开。
设备可进一步包括第二加热器,第二加热器提供于蒸发室的顶部或侧面上并供热给蒸发室以防止穿过蒸发室的已蒸发源材料相变成液态或固态。
源容器可分离地耦合到蒸发室。
如上所述,根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备减少了加热源材料以防止包含于源容器中的源材料变性所需的热的量,并且加快了来自多个源容器的源材料的蒸发速度以便加快使薄膜沉积于衬底上的速度。
另外,在根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备中,通过调整源容器与第一加热器之间的距离或第一加热器的温度来控制从源容器蒸发的源材料的量,从而稳定地维持已蒸发源材料的量。
此外,根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备防止从源容器向上溅射的源材料或外来材料附着到喷孔,并且在不暂停生产的情况下使得长时间的连续生产成为可能。
另外,在根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备中,可以通过第一加热器的温度控制迅速完成源容器中的源材料的温度反应;可在无大变化的情况下持续地维持用于源容器中的源材料的所需目标温度;并且源材料可以稳定地蒸发,由此完成均匀沉积和大面积沉积。
另外,根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备可以防止穿过蒸发室的已蒸发源材料相变成液态或固态,并且防止保持不沉积于衬底上的已蒸发源材料附着并堵塞喷孔。
附图说明
通过示范性实施例的以下描述与附图相结合,本发明的以上和/或其他方面将变得显而易见且更易理解,其中:
图1为根据本发明的第一示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备的示意图;
图2为根据本发明的第二示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备的示意图;
图3为根据本发明的第三示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备的示意图;
图4为根据本发明的第四示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备的示意图。
具体实施方式
在下文中,将根据附图来描述根据本发明的用于形成薄膜的大容量沉积设备的示范性实施例。
图1为根据本发明的第一示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备的示意图。
参考图1,在此示范性实施例中的用于形成薄膜的大容量沉积设备(此设备是能够蒸发有机物并将有机物以薄膜形式沉积于衬底上的设备)包括源容器110、蒸发室120、喷孔130、第一加热器140、冷却器146、传感器150、控制器160、传送单元170、阻挡板180和第二加热器190。
本发明提供一种用于制造有机发光装置(OLED)的设备,其中在示范性实施例中使用的源材料作为实例可为有机物。
源容器110形如一侧开口的气缸,待沉积于衬底10上的源材料1以固态或液态容纳于源容器110中。在此示范性实施例中,提供了多个源容器110,并且多个源容器110各自耦合到蒸发室120的底侧。通常,源容器110由钨材料制成并且装满作为源材料1而沉积于衬底10上的有机物。
因提供了多个源容器11并且分散了容纳于源容器110中的源材料1的量,因此与单一大容量源容器相比,减少加热源材料1所需的热量具有可能性。因此,防止通过供应的热量使容纳于源容器110中的源材料变性具有可能性。另外,加快从多个源容器110蒸发的源材料的蒸发速度具有可能性,且因此也可以加快使薄膜沉积于衬底10上的速度。
此时,源容器110可与真空管线(此图未显示)连接以使源容器110的内部保持在真空压力条件下,同时执行沉积过程。源材料1在源容器110中的高温和高压下变性。为了防止源材料1变性,源容器110中必须保持低温和低压。另外,真空度大大影响了源材料1的蒸发点。蒸发点倾向于随着真空度的减少而降低,因此在源容器110中保持低真空度对防止源材料变性更有效。
提供来自源容器110的已蒸发源材料1穿过的空间的蒸发室120在源容器110的上侧与源容器110耦合并连通。以固态或液态容纳于源容器110中的源材料1通过将在后文描述的第一加热器140加热,并且经加热的源材料1向上气化并汽化。将已蒸发源材料1引入布置于源容器110上方的蒸发室120中,且接着已蒸发源材料1穿过蒸发室120,以使蒸发材料1可通过喷孔130(将在后文描述)喷射到衬底10。
蒸发室120具有足够大的体积来容纳相当大量的已蒸发源材料1。因为从源容器110蒸发的源材料1充分地容纳于蒸发室120中,所以可以稳定地维持通过喷孔130向衬底10喷射的源材料的量。形成蒸发室120以得到足够的内部空间,且因此蒸发室120充当一种累积器。
蒸发室120可分离地耦合到源容器110。当源材料1(即,待沉积于衬底10上的有机物)装填在源容器110中时,暂停沉积过程并且将源容器110与蒸发室120分离。其后,如果源材料1完全装填于源容器110中,那么源容器110再次耦合到蒸发室120,并且重新开始沉积过程。
喷孔130形成于蒸发室的顶部上,喷孔130是用于向上(即向衬底10)喷射穿过蒸发室120的已蒸发源材料1的开口。喷孔130在衬底10的宽度方向上对准并且面向衬底10。
喷孔130可以按喷嘴的形式制造成为单独的部分,并且喷孔130可耦合到蒸发室120并且可作为通孔一体地形成于蒸发室120的上部壁上。
供热给源容器110以便蒸发容纳于源容器110中的源材料的第一加热器140在蒸发室120内部安装于源容器110上方。
只要可以为蒸发源材料1提供热能,第一加热器140便可具有各种形状。例如,可以使用核心加热器、灯加热器等等。在此示范性实施例中,将核心加热器用作第一加热器140。通过将电阻热丝绕在蒸发室120内部的板周围来完成第一加热器140。此时,电阻热丝可包含Ta、W、Mo或以上物质的合金。
在此示范性实施例中,第一加热器140安装于与源容器110连通的蒸发室120中,使得来自第一加热器140的热量可以在无介质的情况下直接传递到源容器110。因此,可通过第一加热器140的温度控制迅速完成源容器110中的源材料1的温度反应,并且可在无大变化的情况下持续地维持用于源容器110中的源材料1的所需目标温度。
冷却器146冷却容纳于源容器110中的源材料1,以便防止通过来自第一加热器140的热量使容纳于源容器110中的源材料1变性。冷却器146安装于源容器110外面并且可经配置以围绕源容器110的外圆周。
可通过以能够冷却装满源材料1的源容器110内部的各种形式来完成冷却器146。在此示范性实施例中,冷却夹套用作实例。通过用冷却通道围绕源容器110的外圆周来配置冷却器146,冷却液在冷却通道中流动。
传感器150安装在蒸发室120中并感测穿过蒸发室120的已蒸发源材料1的量。根据由传感器150感测的已蒸发源材料的量,控制第一加热器140的温度和传送单元170的操作方向或传送速度,由此调整已蒸发源材料1的量。
控制器160从传感器150获得关于蒸发室120中的源材料1的量的反馈并控制第一加热器140或传送单元170,从而控制从源容器110蒸发的源材料1的量。
举例而言,如果蒸发室120中的源材料的量低于参考量,控制器160就传输信号到传送单元170,以便源材料1可在变得靠近第一加热器140的方向上传送,或控制器160传输用于升高第一加热器140的温度的信号,从而增加源容器110中蒸发的源材料的量。
另一方面,如果蒸发室120中的源材料的量高于参考量,控制器160就传输信号到传送单元170,以便源材料1可在变得远离第一加热器140的方向上传送,或控制器160传输用于降低第一加热器140的温度的信号,从而减少源容器110中蒸发的源材料的量。
此时,一个传感器150安装在蒸发室120中,且因此控制器160同时控制将在后文描述的多个传送单元170。
提供多个传送单元170,并且多个传送单元170分别耦合到多个源容器110并使源容器110中的源材料1在变得靠近第一加热器140或变得远离第一加热器130的方向上往复运动。因此,传送单元170用以调整源材料1与第一加热器140之间的距离,从而控制源容器110中蒸发的源材料的量。
只要可以具有线性往复运动,便可以按各种形式配置传送单元170。举例而言,可以使用所属领域的技术人员所熟知的气缸、线性电动机、旋转电动机和滚珠螺杆的组合以及类似结构,因此将省略以上元件的详细描述。
阻挡板180防止容纳于源容器110中的源材料或外来材料在第一加热器140供热给源容器1的同时溅射并附着到喷孔140。
当源容器110中的源材料由第一加热器140加热时,气化的源材料1通常从固态或液态源材料1的表面汽化。然而,液态源材料1可能会突然溅起,或者混合在源材料1中的外来材料可能会突然洒落。
因为溅射的源材料1或外来材料附着到喷孔130,所以出现了堵塞喷孔130的问题。如果喷孔130被堵塞,那么必须暂停过程以用新的过程取代或清洁喷孔130,并且接着重新开始此过程。在此情况下,设备的产量减少。
因此,阻挡板180阻挡未蒸发但却溅射并附着到喷孔130的源材料1或外来材料并且使得长时间的连续生产成为可能,从而增加设备的产量。
同时,来自阻挡板的顶部的热量可以通过连通路径传递到源材料1。在此情况下,蒸发源材料1的量可能取决于预料不到的外在因素而变化,蒸发源材料1的量的控制是基于第一加热器140与源材料1之间的距离或第一加热器140的温度。蒸发源材料1的量的改变直接影响有机发光二极管的厚度,并且产生缺陷产品。
因此,阻挡板180用以完全拦截从外部传递到源材料1的热量,从而消除可能影响蒸发源材料1的量的外在因素。
阻挡板180形如平板并安装在蒸发室120内部,并且阻挡板180布置在第一加热器140上方。另外,阻挡板180与蒸发室120的内壁以预定距离间隔,以便已蒸发源材料可以穿过阻挡板180与蒸发室120的内壁之间的空间并且朝喷孔130移动。
供热给蒸发室120以便防止穿过蒸发室120的已蒸发源材料相变成液态或固态的第二加热器170安装在蒸发室120的顶部和侧面。
同样地,第二加热器170可以使用核心加热器、加热灯等,并且第二加热器170按以下方式形成:电阻热丝安置成与蒸发室120的顶部平行。此时,现在所使用的电阻热丝可能含有Ta、W、Mo或以上物质的合金。
第二加热器170防止已蒸发源材料不沉积于衬底10上却附着并堵塞喷孔130的现象。保持在蒸发室中的已蒸发源材料1累积于喷孔130的一侧并且因此导致相变成固态而堵塞喷孔130。因此,第二加热器170升高喷孔130周围的温度,以便总能使喷孔130周围的源材料保持在气化状态。
如上所述,根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备包括多个源容器以分散包含于源容器中的源材料的量,以便可以减少加热源材料所需的热的量以防止包含于源容器中的源材料变性,并且可以加快来自多个源容器的源材料的蒸发速度以加快将薄膜沉积于衬底上的速度。
另外,在根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备中,通过调整源容器与第一加热器之间的距离或第一加热器的温度来控制从源容器蒸发的源材料的量,从而稳定地维持已蒸发源材料的量。
此外,根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备防止从源容器向上溅射的源材料或外来材料附着到喷孔,并且在不暂停生产的情况下使得长时间的连续生产成为可能。
另外,在根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备中,在无介质的情况下将热量直接从第一加热器传递到源容器,以便可以通过第一加热器的温度控制迅速完成源容器中的源材料的温度反应;可以在无大变化的情况下持续地维持用于源容器中的源材料的所需目标温度;并且源材料可以稳定地蒸发,由此完成均匀沉积和大面积沉积。
另外,在根据本发明的示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备中,用于供热给蒸发室的第二加热器安装在蒸发室的顶部上,以便可以防止穿过蒸发室的已蒸发源材料相变成液态或固态,并且可以防止保持不沉积于衬底上的已蒸发源材料附着并堵塞喷孔。
图2为根据本发明的第二示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备的示意图。
参考图2,根据本示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备200特征在于,多个传感器250分别安装在源容器110中。在图2中,元件具有与图1中所示由相同数字提及的元件的配置和功能相同的配置和功能,因此将省略所述元件的详细描述。
提供多个传感器250以分别安装到源容器110中。在此,传感器250感测从源容器110流出的已蒸发源材料的量。
控制器260从传感器250获得关于源容器中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从源容器110蒸发的源材料的量。根据由传感器250感测的已蒸发源材料的量,控制第一加热器140的温度和传送单元170的操作方向或传送速度,由此调整已蒸发源材料的量。
此时,在每一个源容器110中安装一个传感器250,以便控制器260可以单独地控制多个传送单元170。
因为在每一个源容器110中安装一个传感器250,所以存在控制器260可以调整蒸发源材料的量的多种选择。即,如果多个源容器110完全缺乏蒸发量,那么控制器260可升高第一加热器140的温度或同时控制多个传送单元170以缩短源材料与第一加热器140之间的距离。另一方面,如果某一源容器110缺乏蒸发量,那么控制器260可以在不改变第一加热器140的温度的情况下只控制耦合到对应源容器110的传送单元170,从而缩短源材料与第一加热器140之间的距离。
在具有前述配置的用于形成薄膜的大容量沉积设备中,传感器安装在每一个源容器中,并且存在控制器可以控制蒸发源材料的量的多种选择,从而对维持源容器中的均匀蒸发量产生影响。
图3为根据本发明的第三示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备的示意图。
参考图3,根据本示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备300的特征在于,多个加热器340分别安装在源容器110中。在图3中,元件具有与图1中所示由相同数字提及的元件的配置和功能相同的配置和功能,因此将省略所述元件的详细描述。
提供多个加热器340以分别安装在源容器110中。在此,加热器340布置在冷却器146上方,同时围绕源容器110的外圆周。
控制器260从安装在蒸发室120中的传感器150获得关于源容器110中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从源容器110蒸发的源材料的量。
此时,用于感测源材料的蒸发量的传感器150安装在蒸发室120中,以便控制器360可以同时控制多个传送单元170并单独地控制多个第一加热器340。
如果蒸发室120缺乏蒸发室120中的源材料的蒸发量,那么控制器360可升高每一第一加热器340的温度或同时控制多个传送单元170以缩短源材料与第一加热器340之间的距离。
图4为根据本发明的第四示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备的示意图。
参考图4,根据本示范性实施例的用于形成薄膜的大容量沉积设备400特征在于,多个加热器440和多个传感器450分别安装在源容器110中。在图4中,元件具有与图1中所示由相同数字提及的元件的配置和功能相同的配置和功能,因此将省略所述元件的详细描述。
提供多个加热器440以分别安装在源容器110中并且布置在冷却器146上方,同时围绕源容器110的外圆周。
控制器460从传感器450获得关于源容器110中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从源容器110蒸发的源材料的量。
此时,用于感测源材料的蒸发量的传感器150安装在每一个蒸发室120中,以便控制器460可以单独控制多个传送单元170并单独地控制多个第一加热器340。
因为传感器250分别安装在源容器110中,所以存在控制器460可以调整蒸发源材料的量的多种选择。即,如果多个源容器110完全缺乏蒸发量,那么控制器460可升高所有第一加热器140的温度或同时控制多个传送单元170以缩短源材料与第一加热器440之间的距离。另一方面,如果某一源容器110缺乏蒸发量,那么控制器460可升高耦合到对应源容器110的第一加热器440的温度或只控制耦合到对应源容器110的传送单元170,从而缩短源材料与第一加热器440之间的距离。
虽然已展示并描述了本发明的少数示范性实施例,但是所属领域的技术人员应该理解,可以在不脱离本发明的原理和精神的情况下对这些实施例作出改变,本发明的范围由所附的权利要求书及其等效物来确定。
Claims (10)
1.一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,所述设备包含:
多个源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于所述多个源容器中;
蒸发室,所述蒸发室在所述源容器上方与所述源容器耦合并连通,并且来自所述源容器的已蒸发源材料穿过所述蒸发室;
喷孔,所述喷孔形成于所述蒸发室的顶部上并向上喷射穿过所述蒸发室的所述已蒸发源材料;
第一加热器,所述第一加热器在所述蒸发室内部提供于所述源容器上方并供热给所述源容器以蒸发容纳于所述源容器中的所述源材料;
传感器,所述传感器安装在所述蒸发室中并感测穿过所述蒸发室的已蒸发源材料的量;和
控制器,所述控制器从所述传感器获得关于所述蒸发室中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从所述源容器蒸发的源材料的量。
2.一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,所述设备包含:
多个源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于所述多个源容器中;
蒸发室,所述蒸发室在所述源容器上方与所述源容器耦合并连通,并且来自所述源容器的已蒸发源材料穿过所述蒸发室;
喷孔,所述喷孔形成于所述蒸发室的顶部上并向上喷射穿过所述蒸发室的所述已蒸发源材料;
第一加热器,所述第一加热器在所述蒸发室内部提供于所述源容器上方并供热给所述源容器以蒸发容纳于所述源容器中的所述源材料;
多个传感器,所述多个传感器安装在所述源容器中并感测从所述源容器流出的已蒸发源材料的量;和
控制器,所述控制器从所述传感器获得关于所述源容器中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从所述源容器蒸发的源材料的量。
3.一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,所述设备包含:
多个源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于所述多个源容器中;
蒸发室,所述蒸发室在所述源容器上方与所述源容器耦合并连通,并且来自所述源容器的已蒸发源材料穿过所述蒸发室;
喷孔,所述喷孔形成于所述蒸发室的顶部上并向上喷射穿过所述蒸发室的所述已蒸发源材料;
多个第一加热器,所述多个第一加热器提供于所述源容器中并供热给所述源容器以蒸发容纳于所述源容器中的所述源材料;
传感器,所述传感器安装在所述蒸发室中并感测穿过所述蒸发室的已蒸发源材料的量;和
控制器,所述控制器从所述传感器获得关于所述蒸发室中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从所述源容器蒸发的源材料的量。
4.一种用于形成薄膜的大容量沉积设备,所述设备包含:
多个源容器,待沉积于衬底上的源材料以固态或液态容纳于所述多个源容器中;
蒸发室,所述蒸发室在所述源容器上方与所述源容器耦合并连通,并且来自所述源容器的已蒸发源材料穿过所述蒸发室;
喷孔,所述喷孔形成于所述蒸发室的顶部上并向上喷射穿过所述蒸发室的所述已蒸发源材料;
多个第一加热器,所述多个第一加热器提供于所述源容器中并供热给所述源容器以蒸发容纳于所述源容器中的所述源材料;
多个传感器,所述多个传感器安装在所述源容器中并感测从所述源容器流出的已蒸发源材料的量;和
控制器,所述控制器从所述传感器获得关于所述源容器中的已蒸发源材料的量的反馈并控制从所述源容器蒸发的源材料的量。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的设备,其特征在于,所述设备进一步包含多个传送单元,所述多个传送单元分别耦合到所述源容器并在变得靠近所述第一加热器或变得远离所述第一加热器的方向上传送所述源容器中的所述源材料。
6.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述控制器从所述传感器获得关于已蒸发源材料的所述量的反馈,并且如果已蒸发源材料的所述量低于预设参考量,所述控制器就传输信号到所述传送单元以使得所述源材料可以在变得靠近所述第一加热器的方向上传送,或者所述控制器传输用于升高所述第一加热器的温度的信号,并且如果已蒸发源材料的所述量高于预设参考量,所述控制器就传输信号到所述传送单元以使得所述源材料可在变得远离所述第一加热器的方向上传送,或者所述控制器传输用于降低所述第一加热器的温度的信号。
7.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的设备,其特征在于,所述设备进一步包含阻挡板,所述阻挡板提供于所述蒸发室内部并防止容纳于所述源容器中的所述源材料或外来材料在所述第一加热器供热给所述源材料的同时喷溅并附着到所述喷孔。
8.根据权利要求7所述的设备,其特征在于,所述阻挡板形如平板并与所述蒸发室的内壁以预定距离间隔开。
9.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的设备,其特征在于,所述设备进一步包含第二加热器,所述第二加热器提供于所述蒸发室的顶部或侧面上并供热给所述蒸发室以防止穿过所述蒸发室的所述已蒸发源材料相变成液态或固态。
10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备,其特征在于,所述源容器可分离地耦合到所述蒸发室。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103695848A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备及其蒸镀方法 |
CN106103790A (zh) * | 2014-03-11 | 2016-11-09 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 蒸镀装置及其控制方法、使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法 |
CN106148898A (zh) * | 2015-04-28 | 2016-11-23 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 具有优化的热排放特性的孔板 |
CN106851861A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-06-13 | 波音公司 | 实现优化的固化结构的高级多栅热源及其制造方法 |
CN108048797A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-18 | 上海升翕光电科技有限公司 | 一种三t型oled蒸镀线源 |
WO2018176563A1 (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种蒸发源 |
CN110656308A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 佳能特机株式会社 | 蒸发源及蒸镀装置 |
CN112899644A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-04 | 山东欣远新材料科技有限公司 | 一种金刚石膜氧化硼掺杂方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102493131B1 (ko) * | 2018-02-06 | 2023-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기물 증착 장치와, 이를 이용한 유기물의 증착 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020090934A (ko) * | 2002-08-27 | 2002-12-05 | 에이엔 에스 주식회사 | 유기 반도체 장치의 유기물질 증착원 장치 및 그 방법 |
CN101082121A (zh) * | 2006-06-03 | 2007-12-05 | 应用材料合资有限公司 | 有机蒸镀器、涂敷设备、及其使用方法 |
CN101106848A (zh) * | 2006-07-13 | 2008-01-16 | 佳能株式会社 | 淀积装置 |
WO2010056057A2 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Snu Precision Co., Ltd. | Deposition material supply apparatus and substrate treatment apparatus having the same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003155555A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-30 | Eiko Engineering Co Ltd | 薄膜堆積用複合分子線源セル |
ATE326555T1 (de) * | 2002-07-19 | 2006-06-15 | Lg Electronics Inc | Quelle zur thermischen pvd-beschichtung für organische elektrolumineszente schichten |
JP4139158B2 (ja) * | 2002-07-26 | 2008-08-27 | 松下電工株式会社 | 真空蒸着方法 |
JP4493926B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
US20070231490A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Eastman Kodak Company | Uniformly vaporizing metals and organic materials |
JP5179739B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2013-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法 |
US8153201B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device, and evaporation donor substrate |
-
2011
- 2011-04-13 KR KR1020110034340A patent/KR101233629B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-04-12 JP JP2012090746A patent/JP2012219377A/ja active Pending
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- 2012-04-13 CN CN2012101203644A patent/CN102732843A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020090934A (ko) * | 2002-08-27 | 2002-12-05 | 에이엔 에스 주식회사 | 유기 반도체 장치의 유기물질 증착원 장치 및 그 방법 |
CN101082121A (zh) * | 2006-06-03 | 2007-12-05 | 应用材料合资有限公司 | 有机蒸镀器、涂敷设备、及其使用方法 |
CN101106848A (zh) * | 2006-07-13 | 2008-01-16 | 佳能株式会社 | 淀积装置 |
WO2010056057A2 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Snu Precision Co., Ltd. | Deposition material supply apparatus and substrate treatment apparatus having the same |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103695848A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备及其蒸镀方法 |
CN103695848B (zh) * | 2013-12-30 | 2015-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备及其蒸镀方法 |
CN106103790A (zh) * | 2014-03-11 | 2016-11-09 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 蒸镀装置及其控制方法、使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法 |
CN106103790B (zh) * | 2014-03-11 | 2018-12-07 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 蒸镀装置及其控制方法、使用了蒸镀装置的蒸镀方法、以及器件的制造方法 |
CN106148898A (zh) * | 2015-04-28 | 2016-11-23 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 具有优化的热排放特性的孔板 |
CN106851861A (zh) * | 2015-11-16 | 2017-06-13 | 波音公司 | 实现优化的固化结构的高级多栅热源及其制造方法 |
CN106851861B (zh) * | 2015-11-16 | 2021-10-26 | 波音公司 | 实现优化的固化结构的高级多栅热源及其制造方法 |
WO2018176563A1 (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种蒸发源 |
CN108048797A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-18 | 上海升翕光电科技有限公司 | 一种三t型oled蒸镀线源 |
CN110656308A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 佳能特机株式会社 | 蒸发源及蒸镀装置 |
CN110656308B (zh) * | 2018-06-29 | 2023-01-03 | 佳能特机株式会社 | 蒸发源及蒸镀装置 |
CN112899644A (zh) * | 2021-01-21 | 2021-06-04 | 山东欣远新材料科技有限公司 | 一种金刚石膜氧化硼掺杂方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201244223A (en) | 2012-11-01 |
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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