JP2005276755A - 電気光学装置及びその製造方法、蒸着装置、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の構成元素を含む陰極の組成が高度に制御され、もって高効率の電荷輸送性を得られるとともに、容易に製造可能な電気光学装置を提供する
【解決手段】 本発明に係るＥＬ表示装置は、画素電極と陰極との間に発光層６０を挟持してなり、陰極５０が、低仕事関数金属を含む第１金属層６１と、前記低仕事関数金属より高い仕事関数を有する高仕事関数金属を含む第２金属層６２とを交互に積層した積層金属膜５１を備えた構成とされている。
【選択図】 図６

Description

本発明は、電気光学装置及びその製造方法、蒸着装置、電子機器に関するものである。

電気光学装置の一形態である有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置とも言う）として、陰極と陽極の間に有機発光層を配設した構成のものが知られている。上記の構造を備えた有機ＥＬ素子では、陽極から直接または正孔注入層を介して発光層に注入された正孔と陰極から直接または電子注入層を介して発光層に注入された電子とが再結合することによって発光を生じる。
このような発光機構に基づく有機ＥＬ素子の発光特性を向上させるための手段としては、有機発光材料や注入材料（正孔注入材料，電子注入材料）の改良、陰極材料の選択や改良等が知られている。例えば特許文献１には、陰極にＡｌとＬｉとの合金を用いることが開示されており、特許文献２には、陰極にＣａとＬｉとの合金を用いることが開示されている。
特開平５−１２１１７２号公報 特開平９−２３２０７９号公報

上述の各文献に記載の２元系材料からなる陰極を用いる場合、２つの蒸着源から同時に材料を気化させて基板上に蒸着するいわゆる共蒸着という成膜方法が用いられている。しかしながら、係る共蒸着を用いる成膜方法では、形成される薄膜の組成を高精度に制御できないという問題がある。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、複数の構成元素を含む陰極の組成が高度に制御され、もって高効率の電荷輸送性を得られるとともに、容易に製造可能な電気光学装置を提供することを目的としている。また本発明は、先の電気光学装置を容易かつ高い再現性をもって製造する方法を提供することを目的としている。

本発明は、上記課題を解決するために、陽極と陰極との間に電気光学層を挟持してなる電気光学装置であって、前記陰極が、低仕事関数金属を含む第１金属層と、前記低仕事関数金属より高い仕事関数を有する高仕事関数金属を含む第２金属層とを交互に積層した積層金属膜を備えていることを特徴とする電気光学装置を提供する。
係る構成の電気光学装置によれば、前記陰極が第１金属層と第２金属層とを交互に積層してなる積層金属膜を含む構成とされているので、低仕事関数金属による電気光学層への良好な電子注入性と、高仕事関数金属による良好な導電性とを兼ね備えた陰極とすることができる。これにより電気光学層に高効率に電子が供給され、表示が明るく、かつ低消費電力の電気光学装置を得ることができる。また、第１金属層と第２金属層とを積層形成する構成とされているので、共蒸着により２元素系の陰極を形成する場合と異なり、各層の層厚を変更するのみで容易に低仕事関数金属と高仕事関数金属との組成比を調整することが可能であり、また組成比の制御性、並びに再現性にも優れたものとなる。
またさらに上記構成の積層金属膜においては、その膜厚方向において第１金属層と第２金属層の膜厚を適宜変更することで、膜厚方向の部位により組成比を異ならせることができる。従って、例えば電気光学層の特性に合わせて積層金属膜の組成を変更でき、特性の最適化された電気光学装置を容易に得ることができる。

本発明の電気光学装置では、前記積層金属膜の構成層のうち、前記電気光学層と隣接する位置に配された層が前記第１金属層であることが好ましい。このような構成とすれば、前記電気光学層に隣接して低仕事関数金属からなる第１金属層が配されるので、陰極から電気光学層への電子注入性を高めることができる。

本発明の電気光学装置では、前記積層金属膜の構成層のうち、電気光学層と反対側の表層に配置された層が前記第２金属層であることが好ましい。このような構成とすれば、当該陰極に電流を供給する配線等との接続部につき導電性に優れた高仕事関数金属を含む第２金属層が配されるので、配線等から陰極への電子輸送性を良好なものとすることができる。

本発明の電気光学装置では、前記積層金属膜が、一定の膜厚の前記第１金属層と一定の膜厚の前記第２金属層とを交互に積層した構造を備えている構成とすることができる。この構成によれば、所望の特性を具備した積層金属膜を容易かつ効率的に製造可能になり、もって効率的に製造可能な電気光学装置を提供することができる。

本発明の電気光学装置では、前記積層金属膜の膜厚方向の複数の部位において、互いに隣接する前記第１金属層の膜厚ｄ１と第２金属層の膜厚ｄ２との比（ｄ１／ｄ２）が異なっている構成とすることもできる。この構成によれば、積層金属膜の膜厚方向にて低仕事関数金属と高仕事関数金属との組成比を任意に変更できるので、積層金属膜と隣接する層（電気光学層等）との界面近傍の状態を最適化することができるとともに、電気光学層の種類の変更にも容易に対応可能になる。

本発明の電気光学装置では、前記膜厚比（ｄ１／ｄ２）が、前記積層金属膜の膜厚方向において、前記電気光学層側では相対的に小さく、前記電気光学層と反対側では相対的に大きくなっている構成とすることが好ましい。この構成によれば、電気光学層と隣接する部位では低仕事関数金属の含有率を大きくして電気光学層への良好な電子注入性を得られ、かつ配線等と接続される電気光学層と反対側の部位においては高仕事関数金属による良好な導電性並びに安定性を得ることができる。従って、電気光学層への電子注入／輸送性に優れ、かつ被膜の安定性にも優れた陰極を得ることができる。

本発明の電気光学装置では、前記第１金属層及び第２金属層の層厚が、１０ｎｍ以下であることが好ましい。また、より好ましくは、前記層厚は５ｎｍ以下であり、さらに望ましくは１ｎｍ以下である。この場合の層厚は、各蒸着源の成膜レートに基づく計算上の層厚であって、実際に形成した第１金属層及び第２金属層が、積層膜中で前記層厚を有する明確な層構造とされることを要しない。
前記層厚の下限値は、前記第１金属層及び第２金属層の形成に用いる蒸着装置等の成膜装置において、良好な再現性をもって均一な堆積が可能とされる最低厚さまで薄くすることができる。従って、可能ならば各層の層厚を０．１ｎｍ未満としてもよい。

本発明の電気光学装置では、前記積層金属膜の前記電気光学層と反対側に、前記高仕事関数金属を含み、前記積層膜を構成する第１金属層及び前記第２金属層より大きい膜厚を有する電極膜が設けられている構成とすることもできる。この構成によれば、導電性や膜質の安定性に優れた高仕事関数金属を含む電極膜により、積層金属膜への電子供給性を良好なものとすることができるとともに、積層金属膜（特にそれに含まれる低仕事関数金属）を良好に保護することが可能になる。

本発明の電気光学装置では、前記低仕事関数金属が、マグネシウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属からなる群より選ばれる１種以上の金属であることが好ましい。
また本発明の電気光学装置では、前記高仕事関数の金属材料が、導電性の遷移金属からなる群より選ばれる１種以上の金属であることが好ましい。

本発明の電気光学装置では、前記電気光学層が、有機発光層を含むものである構成とすることができる。この構成によれば、高効率に有機発光層への電子注入が成され、もって高輝度表示が可能であり、かつ低消費電力の有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することができる。

次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、陽極と陰極の間に電気光学層を挟持してなる電気光学装置の製造方法であって、前記陰極を形成する工程が、低仕事関数の金属材料を含む第１金属層と、前記低仕事関数の金属材料より高い仕事関数を有する金属材料を含む第２金属層とを交互に積層することにより積層金属膜を形成する工程を含む工程であることを特徴としている。
このように、陰極形成工程に積層金属膜を形成する工程が含まれる製造方法を採用することで、第１金属層及び第２金属層のそれぞれの層厚を適宜変更することで容易に積層金属膜における低仕事関数金属と高仕事関数金属との組成比を調整することが可能になる。従って従来の共蒸着による２元素系の陰極の形成方法では得られなかった高精度の組成比制御が可能になる。また共蒸着の場合には蒸着源の状態が経時的に変化した場合、形成する陰極の組成比が変化することが問題となるが、本製造方法では、複数の金属層を交互に成膜するので、それらの成膜速度が経時的に変化したとしても容易に修正することが可能であり、長時間の成膜処理に耐える量産に好適な製造方法である。

本発明の電気光学装置の製造方法では、前記積層金属膜を形成するに際して、前記第１金属層と、該第１金属層と隣接する前記第２金属層との膜厚比を変化させつつ複数の前記第１金属層及び第２金属層を積層することもできる。
この製造方法によれば、積層金属膜の膜厚方向にて、低仕事関数金属と高仕事関数金属との組成比を容易に調整できるので、電気光学層又は配線等との組み合わせに係る特性の最適化を容易に行うことができる。

本発明の電気光学装置の製造方法では、前記積層金属膜を形成するに際して、前記第１金属層の膜厚ｄ１と、該第１金属層と隣接する前記第２金属層の膜厚ｄ２との比（ｄ１／ｄ２）が、当該積層金属膜の膜厚方向における前記電気光学層側では相対的に大きく、前記電気光学層と反対側では相対的に小さくなるように前記第１金属層及び第２金属層を積層することもできる。
この製造方法によれば、積層金属膜の膜厚方向の電気光学層側では、低仕事関数金属の含有率を高めて良好な電子注入性を得られ、また電気光学層と反対側の配線等との接続部を成す部位においては、高仕事関数金属の含有率を高めて良好な導電性、及び膜質安定性を得ることができる。従って本製造方法によれば電気光学層に対して高効率に電子を供給できる陰極を具備し、もって明るい表示の得られる電気光学装置を製造できる。

次に、本発明の蒸着装置は、基体上に堆積させる蒸着種を放出する複数の蒸着源を具備してなる蒸着装置であって、前記複数の蒸着源から放出される蒸着種を自身の開閉動作によって遮蔽可能な遮蔽手段と、所定の前記蒸着種のみが前記基体上に堆積されるように前記遮蔽手段の開閉動作を制御し、前記基体上に複数種の蒸着種を順次堆積させる成膜制御手段とを備えたことを特徴とする。
この構成によれば、前記成膜制御手段によって、特定の蒸着種のみを基体上に選択的に堆積させることができる蒸着装置を提供することができるので、先に記載の本発明に係る電気光学装置の製造法に用いて好適な蒸着装置が提供される。

本発明の蒸着装置は、前記遮蔽手段が、前記複数の蒸着源のそれぞれに対応して複数設けられており、前記成膜制御手段が、前記複数の遮蔽手段を順次開閉して前記基体上に複数種の蒸着種を順次堆積させる構成とすることもできる。

本発明の蒸着装置は、前記遮蔽手段に、前記複数の蒸着源に跨って対向配置される遮蔽板と、該遮蔽板を板面内で回動ささせる回転駆動部とが設けられ、前記遮蔽板の板面には、所定の前記蒸着種のみを通過させるための開口部が設けられており、前記遮蔽板の回転により前記開口部の位置を順次移動し、前記開口部を介して所定の蒸着種を順次前記基体上に堆積させるように前記回転駆動部を駆動制御する成膜制御手段を備えた構成とすることもできる。

本発明の蒸着装置は、基体上に堆積させる蒸着種を放出する複数の蒸着源を成膜容器内に配置してなる蒸着装置であって、前記複数の蒸着源が、前記成膜容器内を区画してなる複数の蒸着室にそれぞれ配置されるとともに、前記複数の蒸着室間で前記基体を移動する基体搬送手段が設けられており、
前記基体搬送手段を駆動して前記基体を複数の前記蒸着室間で相互に移動して該基体上に所定の前記蒸着種を順次堆積させる成膜制御部を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、基体を移動させることによって当該基体上に堆積させる蒸着種を選択でき、もって特定の蒸着種のみを基体上に堆積させる動作を繰り返すことができ、所定の積層構造を備えた積層金属膜を形成できる蒸着装置が提供される。

次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、発光効率が高く、あるいは低消費電力の表示部を具備した電子機器が提供される。

（ＥＬ表示装置）
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
まず、本発明に係る電気光学装置の一実施の形態として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたＥＬ表示装置について説明する。

図１は、ＥＬ表示装置１の配線構造を示す図である。ＥＬ表示装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置である。
ＥＬ表示装置（電気光学装置）１は、図１に示すように、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有する。

走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に画素領域Ｘが設けられている。走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。

画素領域Ｘの各々には、走査線１０１を介してゲート電極への走査信号の供給を受けるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３とが設けられている。また、駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と陰極（電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。本ＥＬ表示装置にあっては、画素電極２３と陰極５０と機能層１１０とにより発光素子（有機ＥＬ素子）が構成されている。

上記ＥＬ表示装置１において、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態とされると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン／オフ状態が定まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ込み、陰極５０との間の機能層１１０に流れる電流量に応じて機能層１１０が発光する。

次に、ＥＬ表示装置１の具体的な構成について図２〜図５を参照して説明する。
ＥＬ表示装置１は、図２に示すように、支持体である基板２０上に設けられた画素部３を主体として構成されている。ＥＬ表示装置１はアクティブマトリクス型であるので、前記画素部３には、図示は省略しているが、平面視マトリクス状に配列された複数の画素電極、及びこれらの画素電極に対応して設けられたＴＦＴ、及びそれに接続された信号線や電源線等が設けられている。
なお、本発明においては、基板２０と後述するようにこれの上に形成されるスイッチング用ＴＦＴや各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体と称している。（図３、４中では符号２００で示している。）

画素部３は、中央部分の実表示領域４（図２中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲のダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。実表示領域４には、それぞれに画素電極を有する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂが図示Ａ−Ｂ方向及びＣ−Ｄ方向にそれぞれ所定の間隔で離間した状態でマトリクス状に配列されている。実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。これら走査線駆動回路８０、８０は、実際には、ダミー領域５の下層部に形成されている。

さらに、実表示領域４の図２中上側には、検査回路９０が配置されている。この検査回路９０は、ＥＬ表示装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。なお、この検査回路９０も、ダミー領域５の下層部に形成されている。

走査線駆動回路８０及び検査回路９０は、その駆動電圧が、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）及び駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されるよう構成されている。また、これら走査線駆動回路８０及び検査回路９０への駆動制御信号及び駆動電圧は、このＥＬ表示装置１の作動制御を行う所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）及び駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信及び印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０及び検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。

ＥＬ表示装置１は、図３、図４に示すように基体２００上に画素電極２３と正孔注入層７０と発光層６０と陰極５０とを積層してなる発光素子（有機ＥＬ素子）を多数形成し、さらにこれらを覆って緩衝層２１０、ガスバリア層３０等を形成したものとなっている。この場合、上記発光層６０と正孔注入／輸送層７０とからなる層が、図１に示した機能層１１０に相当するものとなる。
画素電極２３と陰極５０との間に挟み込む機能層には、発光層６０を単体で用いることもできるが、発光層６０とともに正孔注入／郵送層７０を用いることで発光素子の効率を向上させることができる。さらには、前記発光層６０及び正孔注入／輸送層７０とともに、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるものであってもよい。さらには、正孔阻止層（ホールブロック層）、電子阻止層（エレクトロンブロック層）を備えるものであってもよい。

基体２００を構成する基板２０としては、ボトムエミッション型のＥＬ表示装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０としては、透明あるいは半透明のものを用いる。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適である。トップエミッション型のＥＬ表示装置の場合、この基板２０の対向側であるガスバリア層３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。

基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、その上に発光素子（有機ＥＬ素子）が多数設けられている。発光素子は、図５に示すように、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔注入／輸送層７０と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を含む発光層６０と、陰極５０とが順に形成された構成を備えている。そして、この構成のもと、発光素子はその発光層６０において、正孔注入／輸送層７０から注入された正孔と陰極５０から供給された電子との再結合により発光を得るようになっている。

画素電極２３は、ボトムエミッション型ではＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料により形成される。トップエミッション型の場合には透光性である必要はなく、適宜な導電材料により形成できる。上記画素電極２３上に配される正孔注入／輸送層７０の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などを用いることができる。具体例を挙げるならば、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液を用いた液相法により形成することができる。

発光層６０の形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。また上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
さらに発光層６０上には、必要に応じて電子注入層を形成することもできる。

本実施形態に係るＥＬ表示装置１では、正孔注入／輸送層７０と発光層６０とは、図３〜図５に示すように基体２００上にて格子状に形成された親液性制御層２５と有機バンク層２２１とによって囲まれて配置され、これにより囲まれた正孔注入／輸送層７０及び発光層６０は単一の発光素子（有機ＥＬ素子）を成す素子層を構成している。
ここで、図５に示すように、上記有機バンク層２２１の開口部２２１ａの各壁面の基体２００表面に対する角度は１１０度以上１７０度以下の範囲とされている。係る角度とするならば、発光層６０をウエットプロセスにより形成する際に、開口部２２１ａ内に配置されやすくなり製造工程上好ましい。

陰極５０は、図３及び図４に示すように、実表示領域４及びダミー領域５の総面積より広い面積に形成され、前記両領域４，５を覆うように形成されている。すなわち、陰極５０は、発光層６０と有機バンク層２２１の上面、さらには有機バンク層２２１の外側部を形成する壁面を覆った状態で基体２００上に形成されている。そして陰極５０は、図４に示すように有機バンク層２２１の外側で基体２００の外周部に形成された陰極用配線２０２に接続されている。この陰極用配線２０２にはフレキシブル基板が接続されており、このフレキシブル基板上の配線を介して図示しない駆動ＩＣ１００（図２参照。）と導電接続されている。

ここで図６（ａ）は、陰極５０を含む発光素子の要部を拡大して示す断面構成図であり、図６（ｂ）は、陰極５０を構成する積層金属膜５１を拡大して示す断面構成図である。同図に示すように、本実施形態の場合、陰極５０は、発光層６０側から順に積層金属膜５１と電極膜５２とを積層した構造を備えている。

積層金属膜５１は、図６（ｂ）に示すように、複数の第１金属層６１と複数の第２金属層６２とを交互に積層した構造を備えている。そして、第１金属層６１は、いわゆる低仕事関数金属を主体としてなる層であり、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属から選ばれる１種以上の金属であることが好ましい。具体的には、Ｍｇ，Ｎａ，Ｌｉ，Ｃｓ，Ｒｂ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｙｂ，Ｅｒ，Ｔｂ，Ｓｍ，Ｌａ等から選択される金属材料により形成できる。

また第２金属層６２は、前記低仕事関数金属より高い仕事関数を有する高仕事関数金属を主体としてなる。例えば、良好な導電性を有する遷移金属を好適なものとして挙げることができる。具体的には、Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ等から選択される金属材料により形成できる。
なお、第２金属層６２の形成材料を成す高仕事関数金属は、上に挙げた遷移金属から選択した金属を用いることが好ましいが、先の低仕事関数金属より高い仕事関数を有する金属であれば適用することが可能である。

上記構成の積層金属膜５１における第１金属層６１と第２金属層６２の組み合わせとしては、Ｍｇ／Ａｇ、Ｍｇ／Ａｕ、あるいはＬｉ／Ａｌの組み合わせであることが好ましい。これらの組み合わせを採用することで、発光層６０への良好な電子注入性を得ることができる。

積層金属膜５１の膜厚は、ボトムエミッション型の場合には、２０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。このような範囲の膜厚とすれば、発光層６０にて発生した光を良好に反射し、基板２０側への光取り出し効率を高めることができる。２００ｎｍを超える膜厚としても、積層金属膜５１による効果はほとんど変わらず、むしろ積層金属膜５１を形成する工程に長時間を要することとなるため好ましくない。トップエミッション型の場合には、積層金属膜５１の膜厚は５〜２０ｎｍの範囲とすることが好ましい。発光層６０からの出力光を良好に透過させる必要があるからである。膜厚が５ｎｍ未満であると、積層金属膜５１を設けることによる発光層６０への電子注入性を向上させる効果が十分に得られない。

第１金属層６１及び第２金属層６２の層厚は、形成する積層金属膜５１の組成により適宜異ならせることとなるが、例えば第１金属層６１としてマグネシウム（Ｍｇ）を用い、第２金属層６２として銀（Ａｇ）を用いて、Ｍｇ／Ａｇの組成比が１：１０である積層金属膜５１を形成する場合には、例えば第１金属層６１の層厚を０．１ｎｍ、第２金属層６２の層厚を１ｎｍとして、所定の合計膜厚となるまで第１金属層６１と第２金属層６２とを交互に積層すればよい。

第１金属層６１、第２金属層６２の１層の層厚は、１０ｎｍ以下であることが好ましい。また、より好ましくは、前記層厚は５ｎｍ以下であり、さらに望ましくは１ｎｍ以下である。１０ｎｍを超える層厚では、構成元素によっては下層を覆うような被膜を形成する場合があり、このように被膜が形成されると導電性や電子注入性を低下させるおそれがある。また上記層厚は可能な限り薄くすることが好ましいが、成膜装置の性能によっては基板上への堆積状態に不均一を生じる可能性があり、また金属積層膜５１の成膜時間が長くなり製造効率を低下させる可能性もあるため、過度に薄くすることは却って好ましくない。

上記積層構造を具備した積層金属膜５１において、発光層６０と隣接する層には、前記低仕事関数金属を主体とする第１金属層６１が配置されることが好ましい。このような構成とすることで、低仕事関数金属からなる第１金属層６１と高仕事関数金属からなる第２金属層６２とを積層した構造であっても、発光層６０への良好な電子注入性を得ることができ、発光素子を高効率に発光させることができる。

他方、積層金属膜５１の発光層６０と反対側の表層には、高仕事関数金属を主体とする第２金属層６２が配置されることが好ましい。このような構成とすることで、上記低仕事関数金属に比して安定であり、かつ良好な導電性を有する高仕事関数金属と電極膜５２とが当接することとなるので、電極膜５２から積層金属膜５１への円滑な電子輸送を実現できる。そして、上記第１金属層６１を発光層６０側へ配し、かつ電極膜５２側に第２金属層６２を配するならば、陰極配線から電極膜５２及び積層金属膜５１を介して発光層６０に到る経路における電子輸送が円滑に成され、さらに高効率に発光素子を発光させることができる。

陰極５０の図示上層側を構成する電極膜５２の材料としては、先の第２金属層６２を構成する高仕事関数金属、すなわち良好な導電性を有する遷移金属を用いることができる。電極膜５２の形成材料は、前記積層金属膜５１の第２金属層６２と同一の金属材料としてもよく、異なる材料とすることもできる。なお、トップエミッション型の場合には光透過性である必要があるので、電極膜５２にはＩＴＯ等の透光性導電材料が用いられる。

また本実施形態に係る積層金属膜５１では、互いに隣接する第１金属層６１の層厚ｄ１（図６（ｂ）参照）と第２金属層６２の層厚ｄ２との比（ｄ１／ｄ２）が、積層金属膜５１の膜厚方向（積層方向）で連続的に又は部分的に異なっている構成とすることができる。例えば、積層金属膜５１の発光層６０側の部位で先の層厚比（ｄ１／ｄ２）を大きくすれば、低仕事関数金属を主体とする第１金属層６１の割合が大きくなるので、積層金属膜５１から発光層６０への電子注入性を向上させることができる。また、発光層６０と反対側の部位で層厚比（ｄ１／ｄ２）を小さくすれば、高仕事関数金属の割合が大きくなるので、電極膜５２からの電子輸送性が良好になる。

また発光層６０と隣接する部位の層厚比（ｄ１／ｄ２）を大きくするとともに電極膜５２と隣接する部位の層厚比（ｄ１／ｄ２）を小さくし、さらにそれらの中間の部位では層厚比（ｄ１／ｄ２）が、前記両端の部位の中間の比となっている構成とすることもできる。この場合、層厚比（ｄ１／ｄ２）を膜厚方向で連続的に変化させて形成する場合に比して、形成工程で層厚比（ｄ１／ｄ２）を変化させる回数が少なくなるので、製造工程の簡素化、及び容易性の点で都合がよい。

このように陰極５０として、その下層側（発光層６０側）に、低仕事関数金属を主体とする第１金属層６１と高仕事関数金属を主体とする第２金属層６２とを交互に複数層積層した積層金属膜５１を備えたものとしたことで、本実施形態に係る発光素子は、電極膜５２から積層金属膜５１を介して発光層６０に良好に電子注入が成され、高効率に発光可能な発光素子となっている。
従来のＬｉ／Ａｌ系材料等を用いた陰極では、２元素の蒸着種を同時に堆積させる共蒸着により成膜を行っていたため、上記２元素の組成比を制御するのが困難であるという問題があったが、本実施形態の如く第１金属層６１と第２金属層６２とを交互に積層する構成としたことで、積層金属膜５１全体での組成比を高精度に制御することが可能になっている。さらには、発光層６０側及びその反対側の電極膜５２側でそれぞれ適切な組成比の積層膜を形成できるため、良好な導電性と電子注入性とを具備した高性能の陰極とすることができる。

陰極５０の上層側には、図６（ａ）に示すような陰極保護層５５を形成してもよい。係る陰極保護層５５は珪素化合物や金属化合物などの無機化合物により形成され、陰極保護層５５を設けることで製造プロセス時に陰極５０が腐食されてしまうのを防止できる。また陰極５０を無機化合物からなる陰極保護層５５で覆うことにより、陰極５０及び発光層６０への酸素等の侵入を良好に防止することができる。なお、陰極保護層５５は、１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚さに形成することが好ましく、基体２００の外周部の絶縁層２８４を覆う領域まで延設しておくのがよい。

陰極５０（又は陰極保護層５５）上には、有機バンク層２２１よりも広い範囲で陰極５０を覆う緩衝層２１０が設けられている。緩衝層２１０は、有機バンク層２２１の形状に倣う凸凹形状を有する陰極５０上の領域を平坦化するように形成される。そして緩衝層２１０は、基体２００側から発生する反りや体積変化により発生する応力を緩和し、有機バンク層２２１から陰極５０等が剥離するのを防止する機能を奏する。また緩衝層２１０の上面はほぼ平坦化されているので、その上に形成されるガスバリア層３０の平坦性も保持でき、応力集中によるガスバリア層３０のクラックを防止することができる。

緩衝層２１０の形成材料としては、主成分としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリエステルなどを含む有機化合物材料が好ましい。これらの有機化合物材料は、有機溶剤で希釈して粘度を調整可能であり、また下記の反応材料を混合してエポキシオリゴマー、アクリルオリゴマー、ポリウレタン等とすることで光硬化性ないし熱硬化性を付与できる点で利便性が高い。上記反応材料としては、湿気によって反応が進行するトリレンジイソシアネートなどのイソシアネート化合物やメチルトリメトキシシランなどのアルコキシシラン化合物、或いは、アミノケトンやヒドリキシケトン、ビスアシルフォスフィンフオキサイドなどの光重合反応剤を用いるのがよい。これらの反応材料を混合すれば、比較的低温の加熱処理或いは光照射により反応を進行させ、緩衝層２１０を硬化させることができるので、発光層６０の耐熱上限温度（約１２０℃〜１４０℃）以下の温度で緩衝層２１０を硬化でき、加熱による発光層６０への悪影響を抑えることができる。なお、緩衝層形成材料には、乾燥重合時の収縮防止などを目的として微粒子を添加してもよい。

緩衝層２１０上には、この緩衝層２１０が露出している部位をも覆うようにしてガスバリア層３０が設けられている。ガスバリア層３０は、基体２００外周部の絶縁層２８４上まで延設されている。この絶縁層２８４上に配されたガスバリア層３０は、先に記載の陰極保護層５５と当接していても構わない。

ガスバリア層３０は、内側の陰極５０や発光層６０への酸素や水分の浸入を防止し、酸素や水分による陰極５０や発光層６０の劣化等を抑えるために設けられる層であり、例えば無機化合物により形成される。係るガスバリア層３０の形成材料としては、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物等を用いるのがよい。また珪素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックス等もその形成材料として適用できる。
ガスバリア層３０が無機化合物で形成されていれば、特に陰極５０上層側の電極膜５２がＩＴＯである場合に、ガスバリア層３０と陰極５０との密着性を良好なものとすることができ、欠陥のない緻密なガスバリア層３０を形成できるので、酸素や水分に対するバリア性をより良好なものとすることができる。

ガスバリア層３０としては、例えば上述した珪素化合物から選択した２種以上の材料からなる層を積層した構造も適用できる。例えば、陰極５０側から珪素窒化物層、珪素酸窒化物層の順に形成した構成や、陰極５０側から珪素酸窒化物層、珪素酸化物層の順に積層した構成とすることができる。
また、組成比の異なる珪素酸窒化物層を２層以上積層する構成も適用することができる。この場合、内側（陰極５０側）の珪素窒化物層の酸素濃度が、外側の珪素窒化物層の酸素濃度より低くなるようにすることが好ましい。このように陰極５０側の珪素窒化物層の酸素濃度を低くすることで、ガスバリア層３０中の酸素が陰極５０を通ってその内側の発光層６０に到り、発光層６０を劣化させてしまうといったことも防止でき、発光層６０の長寿命化を図ることができる。

ガスバリア層３０としては、積層構造とすることなく、その組成を不均一にして特にその酸素濃度が連続的に、あるいは非連続的に変化するような構成とすることもできる。この場合にも、陰極５０側の酸素濃度が外側の酸素濃度より低くなるようにすることが、上述した理由にから好ましい。

ガスバリア層３０の層厚は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。１０ｎｍ未満である場合、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に孔が形成されてしまい、ガスバリア性を損なうおそれがある。また５００ｎｍを越えると応力による割れが生じ易くなるからである。
またトップエミッション型のＥＬ表示装置を構成する場合、そのガスバリア層３０は透光性とする必要がある。この場合、その材質や膜厚を適宜に調整することにより、可視光領域における光線透過率を例えば８０％以上とすることが好ましい。

ガスバリア層３０上には、図５及び図６（ａ）に示すように、ガスバリア層３０を覆う保護層２０４が設けられている。この保護層２０４は、ガスバリア層３０側に配された接着層２０５と表面保護層２０６とを備えて構成されている。
接着層２０５は、ガスバリア層３０上に表面保護層２０６を固定し、また外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を奏するものである。この接着層２０５は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料を用いるとともに、後述する表面保護層２０６に比して柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤として形成されたものである。このような接着剤には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される接着層２０５とガスバリア層３０との密着性を向上させることができ、機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。
また、特にガスバリア層３０が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層３０との密着性を向上させることができ、したがってガスバリア層３０のガスバリア性を高めることができる。

表面保護層２０６は、接着層２０５上に設けられて保護層２０４の表面側を構成するものであり、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有してなる層である。具体的には、高分子層（プラスチックフィルム）やＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）層、ガラスなどによって形成できる。なお、トップエミッション型のＥＬ表示装置とする場合には、表面保護層２０６、接着層２０５を共に透光性のものにする必要がある。

次に、発光素子の下層側に設けられた回路部１１について図５を参照して説明する。この回路部１１は、基板２０上に形成されて基体２００を構成している。基板２０の表面には下地としてＳｉＯ_２を主体とする下地保護層２８１が形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ_２及び／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。

シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａを成している。このゲート電極２４２は、図示しない走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ_２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。

またシリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂ及び高濃度ソース領域２４１Ｓが形成される一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられており、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を形成している。
高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とに渡って開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。ソース電極２４３は、上述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とに渡って開孔するコンタクトホール２４４ａを介してソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。

ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２などを用いることもできる。そして、第２層間絶縁層２８４の表面上にＩＴＯからなる画素電極２３が形成され、その一部は第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。

なお、走査線駆動回路８０及び検査回路９０に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。

画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面には、画素電極２３と、上述した親液性制御層２５及び有機バンク層２２１とが設けられている。親液性制御層２５は、例えばＳｉＯ_２などの親液性材料を主体とするものであり、有機バンク層２２１は、アクリルやポリイミドなどからなるものである。親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａ、及び有機バンク層２２１に囲まれてなる開口部２２１ａの内部の画素電極２３上に、正孔注入／輸送層７０と発光層６０とがこの順に積層されている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル、ポリイミドなどの材料と比べて親液性が高いことを意味している。
以上に説明した基板２０上の第２層間絶縁層２８４までの層により、先の回路部１１が構成されている。

ここで、本実施形態のＥＬ表示装置１は、カラー表示を行うべく、各発光層６０が、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。例えば、発光層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用発光層、緑色に対応した緑色用発光層、青色に対応した青色用有機ＥＬ層とをそれぞれに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素を形成する構成が適用できる。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、例えば有機バンク層２２１と親液性制御層２５との間に形成されている。

（ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法の一実施の形態として、先の実施形態に係るＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。

＜蒸着装置＞
まず製造方法の説明に先立ち、ＥＬ表示装置１の製造に好適に用いることができる３種類の蒸着装置３００，４００，５００の構成について説明する。図７は蒸着装置３００、図８は蒸着装置４００、図９は蒸着装置５００をそれぞれ示す図である。

［第１構成例］
まず、蒸着装置の第１構成例としての蒸着装置３００について図７を参照して説明する。図７（ａ）の側断面図に示すように、蒸着装置３００は、箱形の成膜容器３１０と、その内部に収容された２つの蒸着源３３１，３３２と、これらの蒸着源３３１，３３２に対応して設けられた２つのシャッタ３２１，３２２とを主体として構成されている。成膜容器３１０は、蒸着源３３１，３３２等を収容した蒸着室３１１を主体としてなり、蒸着室３１１の上方に、基体搬入部３１２と、基体搬出部３１３とが設けられている。これら基体搬入部３１２と基体搬出部３１３との間の成膜容器３１０内に基体２０が支持されて成膜工程に供されるようになっている。蒸着室３１１の底部近傍の側壁部に、ゲートバルブ３１５を介して真空ポンプ３１６が接続されている。
なお、基体搬入部３１２及び基体搬出部３１３は、蒸着室３１１内を真空状態に保持したまま基板２０の導入／導出を行えるようになっており、複数の基板２０への成膜を連続的に処理できるようになっている。

蒸着室３１１の底部に、２つの蒸着源３３１，３３２が配置され、これらの蒸着源３３１，３３２の背面側（図示下面側）にヒータ（加熱手段）３３７，３３７がそれぞれ配設されている。蒸着源３３１はボート３３４と、ボート３３４上に載置された成膜材料３４１とを備えており、蒸着源３３２はボート３３４と、ボート３３４上に載置された成膜材料３４２とを備えている。これらの蒸着源３３１，３３２では、ヒータ３３７によりボート３３４を加熱することで、成膜材料３４１，３４２から蒸着種を放出させるようになっている。

蒸着源３３１，３３２と基体２０との間には、シャッタ（遮蔽手段）３２１，３２２がそれぞれの蒸着源に対応して配置されている。図７（ｂ）は、基板２０側から蒸着源３３１，３３２を見た平面図である。シャッタ３２１，３２２は、それぞれ平面視半円状を成す板状の部材であり、蒸着室３１１内にて蒸着源３３１，３３２を隔離するように立設された隔壁部材３１８を挟んで両者が略円形状を成すように配置されている。シャッタ３２１，３２４は、図７（ｂ）上方の端部において、図７（ａ）上下方向に延びる駆動軸３２３，３２２によってそれぞれ軸支されている。駆動軸３２３，３２４は、成膜制御手段３５０に接続されており、係る成膜制御手段３５０から供給される駆動信号により軸周りに回転し、シャッタ３２１，３２２をそれらの板面内で回動可能とされている。

そして、図７（ｂ）に示すように、シャッタ３２１，３２２は、上記回動動作によって、蒸着源３３１，３３２と基板２０との間で開閉動作可能になっている。また成膜制御手段３５０は、シャッタ３２１，３２２を連動して動作させることが可能であり、図７（ｂ）に示すようにシャッタ３２１を「開」位置、シャッタ３２２を「閉」位置とした状態と、同図に２点鎖線で示すシャッタ３２１が「閉」位置、シャッタ３２２を「開」位置とした状態とを切り替えるように動作させることができる。すなわち、シャッタ３２１が「開」位置、シャッタ３２２が「閉」位置である場合、蒸着源３３１の成膜材料３４１から放出される蒸着種のみを選択的に基板２０上に堆積させることができ、逆にシャッタ３２１が「閉」位置、シャッタ３２２が「開」位置である場合には、蒸着源３３２の成膜材料３４２から放出される蒸着種のみを選択的に基板２０上に堆積させることができる。

［第２構成例］
次に、蒸着装置の第２構成例としての蒸着装置４００について図８を参照して説明する。図８（ａ）は蒸着装置４００の側断面図である。図８において、図７と同一の符号が付された構成要素は同様の構成要素であり、以下ではその詳細な説明は省略する。

図８に示す蒸着装置４００は、成膜容器３１０内に配された蒸着源３３１，３３２と基板２０との間に設けられたシャッタ（遮蔽手段）４２１、及びそれに接続された成膜制御手段４５０の形態に特徴を有しており、その他の構成は先の蒸着装置３００と同様である。図８（ｂ）は、基板２０側から蒸着源３３１，３３２を見た平面図である。図８（ａ）、（ｂ）に示すようにシャッタ４２１は円盤状の部材であって、その板面内に平面視矩形状の開口部４２１ａが設けられたものである。そして、シャッタ４２１は、その円心にて駆動軸４２３により支持され、駆動軸４２３はそれに接続された成膜制御手段４５０からの駆動信号により軸周りに回動し、シャッタ４２１を周方向に回転させるようになっている。前記開口部４２１ａは、所定の位置において蒸着源３３１，３３２に載置された成膜材料３４１，３４２がその内部に配されるようになっている。

上記構成を備えた蒸着装置４００では、シャッタ４２１を駆動軸４２３により回転させることで開口部４２１ａの位置を移動し、蒸着源３３１，３３２のいずれかが基板２０と対向する状態（シャッタ「開」位置）と、基板２０からみて隠蔽された状態（シャッタ「閉」位置）とを切替可能になっている。そして、蒸着源３３１に対してシャッタ４２１が「開」位置であれば、蒸着源３３２に対しては「閉」位置となり、成膜材料３４１から放出される蒸着種のみが基板２０上に選択的に堆積される。逆に蒸着源３３２に対してシャッタ４２１が「開」位置であれば、成膜材料３４２のみが基板２０上に選択的に堆積される。

［第３構成例］
次に、蒸着装置の第３構成例としての蒸着装置５００について図９を参照して説明する。図９は蒸着装置５００の側断面図である。図９において図７ないし図８と同一の符号が付された構成要素は先の実施形態と同構成の構成要素である。
図９に示す蒸着装置５００は、箱形の成膜容器５１０と、２つの蒸着源３３１，３３２とを主体として構成されている。成膜容器５１０には、その内部を区画する隔壁部材５１８が設けられており、この隔壁部材５１８により区画形成された２つの蒸着室５０１，５０２を備えている。前記両蒸着室５０１，５０２には、それぞれ蒸着源３３１，３３２が収容されている。蒸着室５０１，５０２の図示上方には、基体搬入部５１２と、基体搬出部５１３とが設けられ、これらの基体搬入部５１２と基体搬出部５１３との間に基板２０が配置されて蒸着処理に供される。
なお、蒸気基体搬入部５１２及び基体搬出部５１３も先の蒸着装置３００と同様に、蒸着室５０１，５０２を真空状態に保持したまま基板２０の導入／導出を行うことが可能に構成されている。

また、成膜容器５１０内に、成膜室５０１，５０２の上方で基板２０を支持するとともに移動させる基体搬送手段（図示略）が配設されており、この基体搬送手段には、それを駆動制御する成膜制御手段５５０が接続されている。
そして、前記基体搬送手段は、成膜制御手段５５０から供給される駆動信号によって、基板２０を所定位置に移動させる。すなわち、成膜室５０１の蒸着源３３１と対向する位置、及び成膜室５０２の蒸着源３３２と対向する位置に相互に基板２０を移動可能になっている。

上記構成を備えた蒸着装置５００では、成膜制御手段５５０によって基板２０を移動させることで、基板２０上に堆積させる蒸着種を選択できるようになっている。すなわち、基板２０を蒸着室５０１上に配置すれば、蒸着源３３１の成膜材料４２１から放出される蒸着種のみが基板２０上に選択的に堆積される。このとき、蒸着源３３２からも蒸着種が放出されていたとしても、隔壁部材５１８により遮蔽されるため、基板２０上には堆積しない。また基板２０が成膜室５０２の上方に配置された状態であれば、基板２０上には、蒸着源３３２の成膜材料３４２から放出される蒸着種のみが選択的に堆積される。

＜製造方法＞
次にＥＬ表示装置１の製造方法につき、図１０から図１２を参照して説明する。図１０から図１２に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応している。また、基板２０の表面に回路部１１を形成する工程については、従来技術と変わらないので説明を省略している。

まず、図１０（ａ）に示すように、表面に回路部１１が形成された基板２０の全面を覆うように、画素電極２３となる導電膜を形成した後、この透明導電膜をパターニングすることで画素電極２３を形成する。画素電極２３は、第２層間絶縁層２８４に貫設されたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通している。また画素電極２３を形成すると同時にダミー領域のダミーパターン２６も形成しておく。
なお、図３、４では、これら画素電極２３、ダミーパターン２６を総称して画素電極２３としていたが、このダミーパターン２６は、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成となっており、孤立した島状を成して配置されている。その平面形状は実表示領域に形成されている画素電極２３の形状とほぼ同一の形状であるが、表示領域に形成されている画素電極２３の形状と異なる構造であってもよい。

次いで、図１０（ｂ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁膜上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能なように形成する。逆に、開口部２５ａを設けないダミーパターン２６においては、絶縁層（親液性制御層）２５が正孔移動遮蔽層となり正孔移動を生じないようにそれを覆って形成する。
続いて、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置する凹状部に不図示のＢＭ（ブラックマトリックス）を形成する。具体的には、親液性制御層２５の凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。

そして、図１０（ｃ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは上述したＢＭを覆うように有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層の形成方法としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミドなどのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、スリットダイコート法などの各種塗布法により塗布して有機層を形成し、更に、この有機層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層に開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａに壁面を有した有機バンク層２２１を形成する。なお、有機層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。また有機バンク層２２１は、少なくとも駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとする。

次いで、有機バンク層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成する。具体的には、プラズマ処理を、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とで構成する。
すなわち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ_２プラズマ処理）を行う。次いで、撥インク化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ_４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
なお、このＣＦ_４プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。

次いで、正孔注入／輸送層形成工程によって正孔注入／輸送層７０の形成を行う。この正孔注入／輸送層形成工程では、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スリットダイコート法などにより、正孔注入／輸送層材料を電極面２３ｃ上に塗布し、その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔注入／輸送層７０を形成する。
なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層７０および有機発光層６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。

正孔注入／輸送層材料を例えばインクジェット法で選択的に塗布する場合には、まず、インクジェットヘッド（図示略）に正孔注入／輸送層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。そして、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔注入／輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層７０を形成する。
ここで、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面２３ｃ上にて広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴が弾かれて付着しない。従って、液滴が所定の吐出位置から外れて有機バンク層２２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に転がり込む。

次いで、発光層形成工程によって有機発光層６０の形成を行う。この発光層形成工程では、例えばインクジェット法により、発光層形成材料を正孔注入／輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に有機発光層６０を形成する。この発光層形成工程では、正孔注入／輸送層７０の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔注入／輸送層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。
なお、この発光層形成工程では、インクジェット法によって例えば青色（Ｂ）の発光層形成材料を青色の表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）についてもそれぞれその表示領域に選択的に塗布し、乾燥処理する。

次いで、図１１（ｄ）に示すように、陰極形成工程によって陰極５０の形成を行う。この陰極形成工程では、図６に示した低仕事関数金属を主体とする第１金属層６１と、高仕事関数金属を主体とする第２金属層６２とを交互に複数積層することで積層金属膜５１を形成する積層金属膜形成工程と、積層金属膜５１上に電極膜５２を形成する電極膜形成工程とを行う。

積層金属膜形成工程は、先の図７ないし図９に示した蒸着装置３００，４００，５００のいずれかを用いて行うことが好ましいが、本製造方法に適用できる成膜装置を限定するものではない。まず、図７に示した蒸着装置３００を用いた積層金属膜形成工程につき説明する。
蒸着装置３００を用いて積層金属膜５１を形成するには、まず蒸着源３３１の成膜材料３４１として、例えばマグネシウム（Ｍｇ）を用意するとともにボート３３４上に載置し、蒸着源３３２の成膜材料３４２として銀（Ａｇ）を用意するとともにボート３３４上に載置する。このとき、シャッタ３２１，３２２はいずれも「閉」位置としておく。

次いで、成膜容器３１０を密閉し、真空ポンプ３１６を動作させるとともにゲートバルブ３１５を解放して成膜容器３１０内を所定の真空度に保持する。その後、基体搬入部３１２を介して基板２０を成膜容器３１０内に導入し、図７（ａ）に示す所定位置にて支持する。

以上の準備が終了したならば、蒸着源３３１，３３２のヒータ３３７を動作させ、各成膜材料３４１，３４２を所定の温度に加熱する。そして、ボート３３４，３３４が所定温度に達し、成膜材料３４１，３４２からの蒸発が開始されたならば、成膜制御手段３５０により、シャッタ３２１，３２２の動作を開始し、基板２０への積層金属膜５１の成膜を行う。つまり、蒸着源３３１，３３２からそれぞれＭｇ，Ａｇの蒸気（蒸着種）を放出させた状態で、シャッタ３２１，３３２を所定時間ずつ交互に開閉動作させることで、基板２０上に所定膜厚のＭｇ層（第１金属層６１）とＡｇ層（第２金属層６２）とを交互に積層させる。そして、積層金属膜５１が所定の膜厚（例えば２０ｎｍ）に達したならば、シャッタ３２１，３２２の動作を停止し、基板２０を基体搬出部３１３から容器外へ搬送する。

このように蒸着装置３００を用いることで、第１金属層６１及び第２金属層６２の層厚を高精度に制御しつつ積層金属膜５１を形成することができ、容易に所望の組成比の積層金属膜５１（陰極５０）を得ることができる。従って本実施形態に係る製造方法によれば、その組成が高精度に制御され、もって所望の特性を具備した陰極を再現性よく形成することができ、高効率に発光可能な発光素子を得ることができる。

またシャッタ３２１，３２２の開閉時間を調整することで、成膜される第１金属層６１及び第２金属層６２の層厚を任意に調整することができ、例えば発光層６０側では、仕事関数の低いＭｇ（第１金属層６１）の含有量の多い積層金属膜を形成し、電極膜５２側では仕事関数の高いＡｇの含有量の多い積層金属膜を形成することも容易である。

また、蒸着装置３００は蒸着源３３１，３３２から放出される蒸着種を互いに独立に成膜するようになっているので、それぞれの成膜速度をモニタする膜厚モニタを各蒸着源３３１，３３２に対応して設けておけば、それぞれの蒸着源の成膜速度が経時的に変化しても容易に成膜速度の調整が可能であり、長時間に渡り均質な積層金属膜５１を得られるようになっている。

また、図８に示した蒸着装置４００を用いる場合、成膜容器３１０内を真空状態とし、基板２０を所定位置に導入した後、蒸着源３３１，３３２の加熱を開始する工程までは先の蒸着装置３００と同様である。但しこれらの工程においては、蒸着源３３１，３３２と基板２０との間に配設されたシャッタ４２１の開口部４２１ａは、蒸着源３３１，３３２と対向しない位置（すなわち「閉」位置）に保持しておく。

そして、上記成膜の準備が完了したならば、成膜制御手段４５０により駆動軸４２３を駆動してシャッタ４２１を回転させ、例えば蒸着源３３１の前面に開口部４２１ａを配置させる。すると、蒸着源３３１から放出されているＭｇ蒸気が開口部４２１ａを介して基板２０上に到達し、基板２０上にＭｇ層（第１金属層６１）が形成される。次いで、基板２０上に所定層厚のＭｇ層が形成されたならば、シャッタ４２１を回転させて開口部４２１ａを他方の蒸着源３３２の前面に配置し、蒸着源３３２から放出されるＡｇ蒸気を基板２０に到達させ、上記Ｍｇ層上にＡｇ層（第２金属層６２）を積層する。以降、これらのＭｇ層形成工程とＡｇ層形成工程とを交互に繰り返し行うことで、所定膜厚のＭｇ／Ａｇ積層膜からなる積層金属膜５１を基板２０上に形成することができる。

このように蒸着装置４００によっても、先の蒸着装置３００と同等の積層金属膜５１を形成することができ、蒸着装置３００を用いた場合と同様の効果を得ることができる。

さらに、図９に示した蒸着装置５００を用いる場合、成膜容器５１０内を真空状態とし、基板２０を、基体搬入部５１２から成膜容器内の所定位置に導入する。そして、蒸着源３３１，３３２からの蒸着種の放出を開始したならば、成膜制御手段５５０により基板２０を蒸着室５０１と蒸着室５０２との間で相互に移動させる動作を開始する。すなわち、基板２０が蒸着室５０１の蒸着源３３１と対向する状態では蒸着源３３１から放出されるＭｇ蒸気のみが基板２０に到達してその表面にＭｇ層（第１金属層６１）を形成し、基板２０が他方の蒸着室５０２の蒸着源３３２と対向する位置に移動された状態では蒸着源３３２から放出されるＡｇ蒸気のみが基板２０に到達してその表面にＡｇ層（第２金属層６２）を形成する。

そして、基板２０を蒸着室間で相互に移動させる動作を繰り返すことにより、所定層厚のＭｇ層とＡｇ層とが交互に積層された構造の積層金属膜５１を基板２０上に形成することができる。
このように蒸着装置５００によっても、先の蒸着装置３００，４００と同等の積層金属膜５１を形成することができ、蒸着装置３００，４００を用いた場合と同様の効果を得ることができる。

上記工程により積層金属膜５１を形成したならば、次に、積層金属膜５１の表面に電極膜５２を形成する。この電極膜５２を形成するに際しても、積層金属膜５１の形成に用いたのと同様の蒸着装置を用いることができ、さらに電極膜５１を第２金属層６２と同一の材料によって形成する場合には、上記積層金属膜５１を形成する工程に連続して第２金属層６２の蒸着源３３２を用いて電極膜５２を形成することもできる。このように積層金属膜５１と電極膜５２とを同一の蒸着装置にて連続的に形成すれば、積層金属膜５１と電極膜５２との界面の清浄度を向上させることができ、両層の密着性並びに電子輸送性を高めることができる。

次に図１１に戻り、同図（ｅ）に示すように、緩衝層２１０を塗布方式（液相法）により形成する。陰極５０上に塗布される緩衝層材料は、その粘度が有機溶剤により、１００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは、１〜３０ｍＰａ・ｓ程度に調整される。緩衝層材料の粘度を低粘度に調整することにより、陰極５０表面の凹部に前記材料が入り込むように良好に流動するので、緩衝層２１０の上面を滑らかに連続した略平坦面に形成することができる。なお、緩衝層２１０中に収縮防止用の微粒子を配する場合には、予め所定の含有量となるように緩衝層材料の中に上記微粒子を添加しておけばよい。

緩衝層材料は、有機バンク層２２１を覆う領域に、スリットダイコート（或いはカーテンコート）法により塗布することができる。また、インクジェット装置により塗布してもよい。インクジェット法で形成する場合には、まず、インクジェットヘッド（図示略）に緩衝層材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを陰極５０に対向させ、インクジェットヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を陰極５０に吐出することで所定量の緩衝層材料を陰極５０上に塗布することができる。

続いて、陰極５０上に塗布した緩衝層材料を硬化させる乾燥（硬化）工程を行う。硬化条件としては、大気圧または減圧下において１２０℃以下で加熱、或いは光を照射する。これにより、緩衝層材料の粘度を調整するために加えられた有機溶媒が揮発して硬化が進み、緩衝層２１０が形成される。
このように、１２０℃以下の低温下の加熱、或いは光照射を行うことにより緩衝層２１０を硬化させるので、発光層６０をその耐熱上限温度以上に加熱させてしまうことがない。したがって、良好な発光層６０が得られる。

次に、図１１（ｆ）に示すように、陰極５０、緩衝層２１０を覆って、すなわち基体２００上にて露出する陰極５０の全ての部位を覆った状態にガスバリア層３０を形成する。ここで、このガスバリア層３０の形成方法としては、高密度プラズマ成膜法により珪素酸窒化物などの珪素化合物を形成する。

また、ガスバリア層３０の形成については、上述したように珪素化合物によって単層で形成してもよく、また２層以上の珪素化合物や珪素化合物とは異なる材料と組み合わせて複数の層に積層して形成してもよく、さらには、単層で形成するものの、その組成を膜厚方向で連続的あるいは非連続的に変化させるようにして形成してもよい。

そして、図１２に示すように、ガスバリア層３０上に接着層２０５と表面保護層２０６からなる保護層２０４が設けられる。接着層２０５は、スクリーン印刷法やスリットダイコート法などによりガスバリア層３０上に略均一に塗布され、その上に表面保護層２０６が貼り合わされる。
このようにガスバリア層３０上に保護層２０４を設ければ、表面保護層２０６が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、有機発光層６０や陰極５０、さらにはガスバリア層もこの表面保護層２０６によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、接着層２０５が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層３０やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。

以上のようにして、ＥＬ表示装置１が作製される。このようなＥＬ表示装置１にあっては、積層金属膜５１の形成に際して先の図７ないし図９に示した蒸着装置３００，４００，５００を用いて、各金属層６１，６２の層厚を高度に制御しつつ成膜するので、組成を高精度に制御された積層金属膜５１を長時間に渡り再現性よく得ることができる。これにより、電極膜５２から発光層６０へ効率よく電子を供給することができ、高輝度、高効率の発光が可能な発光素子を得ることができ、もって明るく、かつ輝度の均一性にも優れたＥＬ表示装置とすることができる。

なお、上記実施の形態では、電気光学装置にＥＬ表示装置１を適用した例を示したが、本発明はこれに限定されることなく、基本的に電気光学層を陽極と陰極との間に挟持した形態の電気光学装置であれば問題なく適用可能である。

（電子機器）
次に、本発明のＥＬ表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。本発明の電子機器は、前記のＥＬ表示装置を表示部として有したものであり、具体的には図１３に示すものが挙げられる。
図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１３において、符号１３００は携帯電話本体を示し、符号１３０１は前記のＥＬ表示装置を用いた表示部、１３０２は操作ボタン、１３０３は受話部、１３０４は送話部をそれぞれ示している。この電子機器は、明るい表示が得られ、かつ低消費電力の表示部を備えたものとなっている。

図１は、ＥＬ表示装置の配線構造を示す図。 図２は、同、平面構成図。 図３は、図２のＡ−Ｂ線に沿う断面構成図。 図４は、図２のＣ−Ｄ線に沿う断面構成図。 図５は、図３の要部拡大断面図。 図６は、図５の要部拡大断面図。 図７は、蒸着装置の断面構成図（ａ）及び要部の平面構成図（ｂ）。 図８は、蒸着装置の断面構成図（ａ）及び要部の平面構成図（ｂ）。 図９は、蒸着装置の断面構成図。 図１０は、ＥＬ表示装置の断面工程図。 図１１は、ＥＬ表示装置の断面工程図。 図１２は、ＥＬ表示装置の断面工程図。 図１３は、電子機器の一例を示す斜視構成図。

符号の説明

１…表示装置（電気光学装置）、２３…画素電極（陽極）、３０…ガスバリア層、５０…陰極、５１…積層金属膜、５２…電極膜、６０…発光層、６１…第１金属層、６２…第２金属層、１１０…機能層、２００…基体、２０４…保護層、２１０…緩衝層、２２１…有機バンク層、３００，４００，５００…蒸着装置、３１０，５１０…成膜容器、３１１，５０１，５０２…蒸着室、３３１，３３２…蒸着源、３３４…ボート、３４１，３４２…成膜材料、３２１，３２２，４２１…シャッタ（遮蔽手段）、４２１ａ…開口部、３５０，４５０，５５０…成膜制御手段

Claims (18)

1. 陽極と陰極との間に電気光学層を挟持してなる電気光学装置であって、
   前記陰極が、低仕事関数金属を含む第１金属層と、前記低仕事関数金属より高い仕事関数を有する高仕事関数金属を含む第２金属層とを交互に積層した積層金属膜を備えていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記積層金属膜の構成層のうち、前記電気光学層と隣接する位置に配された層が前記第１金属層であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記積層金属膜の構成層のうち、電気光学層と反対側の表層に配置された層が前記第２金属層であることを特徴とする電気光学装置。
4. 前記積層金属膜が、一定の膜厚の前記第１金属層と一定の膜厚の前記第２金属層とを交互に積層した構造を備えていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
5. 前記積層金属膜の膜厚方向の複数の部位において、互いに隣接する前記第１金属層の膜厚ｄ１と第２金属層の膜厚ｄ２との比（ｄ１／ｄ２）が異なっていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記膜厚比（ｄ１／ｄ２）が、前記積層金属膜の膜厚方向において、前記電気光学層側では相対的に小さく、前記電気光学層と反対側では相対的に大きくなっていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記積層金属膜の前記電気光学層と反対側に、前記高仕事関数金属を含み、前記積層膜を構成する第１金属層及び前記第２金属層より大きい膜厚を有する電極膜が設けられていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 前記低仕事関数金属が、マグネシウム、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属からなる群より選ばれる１種以上の金属であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 前記高仕事関数の金属材料が、導電性の遷移金属からなる群より選ばれる１種以上の金属であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
10. 前記電気光学層が、有機発光層を含むことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の電気光学装置。
11. 陽極と陰極の間に電気光学層を挟持してなる電気光学装置の製造方法であって、
    前記陰極を形成する工程が、低仕事関数の金属材料を含む第１金属層と、前記低仕事関数の金属材料より高い仕事関数を有する金属材料を含む第２金属層とを交互に積層することにより積層金属膜を形成する工程を含む工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
12. 前記積層金属膜を形成するに際して、前記第１金属層と、該第１金属層と隣接する前記第２金属層との膜厚比を変化させつつ複数の前記第１金属層及び第２金属層を積層することを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
13. 前記積層金属膜を形成するに際して、前記第１金属層の膜厚ｄ１と、該第１金属層と隣接する前記第２金属層の膜厚ｄ２との比（ｄ１／ｄ２）が、当該積層金属膜の膜厚方向における前記電気光学層側では相対的に大きく、前記電気光学層と反対側では相対的に小さくなるように前記第１金属層及び第２金属層を積層することを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
14. 基体上に堆積させる蒸着種を放出する複数の蒸着源を具備してなる蒸着装置であって、
    前記複数の蒸着源から放出される蒸着種を自身の開閉動作によって遮蔽可能な遮蔽手段と、
    所定の前記蒸着種のみが前記基体上に堆積されるように前記遮蔽手段の開閉動作を制御し、前記基体上に複数種の蒸着種を順次堆積させる成膜制御手段と
    を備えたことを特徴とする蒸着装置。
15. 前記遮蔽手段が、前記複数の蒸着源のそれぞれに対応して複数設けられており、
    前記成膜制御手段が、前記複数の遮蔽手段を順次開閉して前記基体上に複数種の蒸着種を順次堆積させることを特徴とする請求項１４に記載の蒸着装置。
16. 前記遮蔽手段に、前記複数の蒸着源に跨って対向配置される遮蔽板と、該遮蔽板を板面内で回動ささせる回転駆動部とが設けられ、前記遮蔽板の板面には、所定の前記蒸着種のみを通過させるための開口部が設けられており、
    前記遮蔽板の回転により前記開口部の位置を順次移動し、前記開口部を介して所定の蒸着種を順次前記基体上に堆積させるように前記回転駆動部を駆動制御する成膜制御手段を備えたことを特徴とする請求項１４に記載の蒸着装置。
17. 基体上に堆積させる蒸着種を放出する複数の蒸着源を成膜容器内に配置してなる蒸着装置であって、
    前記複数の蒸着源が、前記成膜容器内を区画してなる複数の蒸着室にそれぞれ配置されるとともに、前記複数の蒸着室間で前記基体を移動する基体搬送手段が設けられており、
    前記基体搬送手段を駆動して前記基体を複数の前記蒸着室間で相互に移動して該基体上に所定の前記蒸着種を順次堆積させる成膜制御部を備えたことを特徴とする蒸着装置。
18. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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