CN103849857A - 薄膜沉积源、沉积装置和使用该沉积装置的沉积方法 - Google Patents

Abstract

公开了一种薄膜沉积源、一种沉积装置和一种使用该沉积装置的沉积方法。所述沉积装置包括：沉积源，该沉积源包括将沉积物质喷射在基板的表面上并被布置为沿第一方向的多个喷嘴；和至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分来控制所述沉积物质的喷射区域。

Description

薄膜沉积源、沉积装置和使用该沉积装置的沉积方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年12月3日在韩国知识产权局递交的第10-2012-0139082号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

所公开技术涉及薄膜沉积源、沉积装置和使用该沉积装置的沉积方法。

背景技术

用于制造显示装置、半导体设备、太阳能电池等的各种过程大部分包含薄膜沉积过程。包括在液晶显示器、场发射显示器、等离子体显示器和电致发光显示器中的多种薄膜例如通过沉积过程形成。

在各种沉积过程之中，用于通过蒸发沉积物质而在基板上形成薄膜的气相沉积过程通常在真空沉积室中使用热沉积过程来执行。即，基板被安装在真空沉积室中，并且面向基板的一个表面的沉积源被安装为通过加热容纳在沉积源中的沉积物质而允许沉积物质被蒸发。使气相的沉积物质在真空状态下与基板接触，以便随后被凝结，由此在基板上形成薄膜。

在通过气相沉积在基板上形成薄膜的场合，有必要控制薄膜的厚度。即，有必要根据目标设备的特性均匀地或非均匀地控制薄膜的厚度。例如，在薄膜的厚度被均匀控制的场合，沉积源可被安装在远离基板的中心的位置，并且基板随后可被旋转。然而，在这种情况下，沉积室可变得笨重。另外，由于沉积源被安装在远离基板中心的位置，所以从沉积源喷射的大部分气态沉积物质可能被沉积在沉积室中，而非基板上。另外，当基板具有大的面积时，难于旋转基板，并且沉积室变得笨重。

为了克服这些缺点，已经提出数个方法，包括在固定基板的同时平行于基板的一个表面移动沉积源的方法以及在固定沉积源的同时平行于沉积源的一个表面移动基板的方法。在所提出的方法中，不必旋转基板。因而，不必过度增加室的尺寸。另外，由于在沉积源被定位为邻近基板的状态下执行沉积，所以大部分沉积物质可被沉积在基板的一个表面上。所提出的方法可能更适合在基板具有大的面积时应用。

这里，沉积源可包括沿一个方向线性布置的具有与基板的长侧或短侧一样的长度多个喷嘴。例如，当沉积源包括沿一个方向布置的具有基板的短侧的长度的多个喷嘴时，其沿基板的长侧方向从基板的一个短侧的下部分移动到另一侧的下部分，并且沉积物质被沉积在基板的一个表面上。以这种方式，沉积源通过一次扫描来执行沉积过程。可替代地，沉积源可在多次扫描时执行沉积过程，即，借助多次通过基板。

为了调整形成在基板表面上的薄膜的厚度，喷嘴的形状和布置可被调整。然而，当具有各种尺寸的基板利用相同的沉积装备时，喷嘴应该具有各种形状和布置，以便与不同的基板对应。另外，为了改变喷嘴的形状和布置，有必要通过沉积装置的复压来移除真空，以做出这种变化，由此降低加工效率。

发明内容

公开一沉积装置方面，该沉积装置能在沉积过程期间在不损失真空的情况下控制沉积在基板的一个表面上的薄膜的厚度。

还公开涉及沉积方法的方面，该沉积方法能在沉积过程期间在不损失真空的情况下控制沉积在基板的一个表面上的薄膜的厚度。

所公开的方面还包括沉积源，该沉积源能在沉积过程期间在不取消真空的情况下控制沉积在基板的一个表面上的薄膜的厚度。

上述和其它方面将在优选实施例的下面的描述中被描述或将从优选实施例的下面的描述中而明显。

根据一个方面，一种薄膜沉积装置，包括：沉积源，该沉积源包括多个喷嘴，该多个喷嘴将用于形成薄膜的沉积物质喷射在基板的一个表面上，并沿第一方向布置；和至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分来控制所述沉积物质的喷射区域。

根据另一方面，一种薄膜沉积装置，包括：沉积源，该沉积源包括喷射沉积在基板的一个表面上的沉积物质的至少一个喷嘴；和至少一个快门，该至少一个快门被定位在所述至少一个喷嘴的上方，并控制所述沉积物质的喷射区域，其中所述快门根据沉积在所述基板的所述一个表面上的所述沉积物质的厚度和所述沉积物质的预定厚度之间的差而被控制。

根据又一方面，一种薄膜沉积方法，包括：通过从沉积源喷射沉积物质而在基板上形成薄膜；测量所述薄膜的厚度并比较所述薄膜的所述厚度与预定厚度；以及在所述薄膜的所述厚度大于所述预定厚度时，遮蔽所述沉积物质的面向所述薄膜的喷射区域的至少一部分，其中所述喷射区域在所述基板和所述沉积源之间。

根据又一方面，一种薄膜沉积源，包括：多个喷嘴，该多个喷嘴喷射沉积在基板的一个表面上的沉积物质，并沿第一方向布置；和至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分来控制所述沉积物质的喷射区域。

附图说明

所公开技术的上述和其它特征和优点通过参照附图详细描述其某些实施例而将变得更明显，其中：

图1为根据该技术的一实施例的沉积装置的透视图；

图2为图1中示出的沉积装置的侧视图；

图3为图1中示出的沉积装置的主视图；

图4为图1中示出的沉积装置的控制器的方块图；

图5为例示图1中示出的沉积装置的沉积源和快门的第一应用示例的俯视图；

图6为例示在图5中示出的快门被利用之前和之后随薄膜的长度而定的薄膜的厚度的曲线图；

图7为例示图1中示出的沉积装置的沉积源和快门的第二应用示例的俯视图；

图8为例示在图7中示出的快门被利用之前和之后随薄膜的长度而定的薄膜的厚度的曲线图；

图9、图10、图12和图13为根据该技术的其它实施例的沉积装置的沉积源和快门的俯视图；

图11为沿图10的线XI-XI’截取的快门的侧视图。

具体实施方式

通过参考待参照附图详细描述的实施例，所公开技术的各方面和特征以及用于实现各方面和特征的方法将明显。然而，所描述的技术不限于在下文中公开的实施例，而是能以多种形式被实施。在说明书中限定的诸如详细结构和元件之类的内容只不过是提供为辅助本领域普通技术人员全面理解本发明的特定细节，并且所公开技术仅被限定在所附权利要求书的范围内。

用于表示元件在另一元件上或位于不同层或一层上的术语“上”包括元件直接位于另一元件或一层上的情况和元件经由另一层或又一元件位于另一元件上的情况两者。在所公开技术的整体描述中，相同的附图标记在各个附图中被用于相同的元件。

尽管术语“第一、第二等等”被用于描述多种组成元件，但是该组成元件不被这些术语限制。术语仅用于将一组成元件与其它组成元件区分开。因此，在以下描述中，第一组成元件可为第二组成元件。

在下文中，将参照附图更详细地描述所公开技术的各实施例。

图1为根据所公开技术的一实施例的薄膜沉积装置的透视图，图2为图1中示出的沉积装置的侧视图，图3为图1中示出的沉积装置的主视图，图4为图1中示出的沉积装置的控制器600的方块图。

参见图1至图4，沉积装置包括沉积源100和快门200。另外，沉积装置可包括厚度测量传感器300和控制器600。

沉积装置可被用于制造显示装置、半导体装置、太阳能电池等的过程。例如，沉积装置可被用于形成包括在液晶显示器、场发射显示器、等离子体显示器和电致发光显示器中的多种薄膜的过程中。

沉积装置典型地将包括沉积室（未示出）。沉积室的内部典型地在沉积过程期间被保持在真空状态下。为了保持真空状态，沉积室可包括至少一个真空泵，例如，低温泵。沉积源100、快门200和厚度测量传感器300可被安装在沉积室内。控制器600可被安装在沉积室的内部或外部。

沉积源100、快门200和厚度测量传感器300可被定位在沉积室内部的一部分中，基板400可被定位在沉积室内部的另一部分。例如，在执行气相沉积过程的沉积装置中，沉积源100、快门200和厚度测量传感器300可被定位在沉积室的下部分中，基板400可被定位在沉积室的上部分中。

沉积源100将沉积物质喷射在基板400的表面上。沉积源100通常将包括沉积源保持器110和喷嘴120。沉积源保持器110可具有容纳在其中的沉积物质，并可包括加热沉积物质的加热器（未示出）。加热器加热固相或液相的沉积物质，以产生气态沉积物质，并将所产生的气态沉积物质通过喷嘴120喷射出沉积源100。在图1和图3中示出的示例性实施例中，沉积源保持器110可被成形为长方体，该长方体被形成为沿第一方向延伸与基板的宽度W一样长，但是各实施例不限于此。

喷嘴120被形成在沉积源100的一个表面上，以面向基板400的沉积物质被沉积在其上的一个表面。喷嘴120通常包括沿第一方向布置的多个喷嘴。喷嘴120可被布置为一排或多排。如图1所示，喷嘴120中的每个均可具有形成为圆形的孔，但是各实施例不限于此。可替代地，喷嘴120中的每个均可具有形成为椭圆形或多边形的孔，各个喷嘴120可具有彼此不同的形状。另外，多个喷嘴120可被形成在相同的平面上，但是多个喷嘴120中的至少一个可被形成在与其它喷嘴被形成于其上的平面不同的平面上。另外，虽然图1示出多个喷嘴120彼此等距隔开，但是所公开技术的各方面不限于此。而是，多个喷嘴120可以以彼此不同的间隔隔开。

多个喷嘴120通常沿第一方向以与基板400的长侧或短侧对应的长度布置。在图1和图3中示出的示例性实施例中，多个喷嘴120可沿第一方向以基板的宽度W布置。这里，基板的宽度W可为基板400的短侧的长度。如上所述，当多个喷嘴120以与基板400的短侧对应的长度平行于基板400的短侧布置时，沉积源100沿基板400的长侧方向从基板400的一个短侧的下部分移动到基板400的另一短侧的下部分，并可将沉积物质沉积在基板400的表面上。以这种方式，沉积源100被用于在扫描基板一次的同时执行沉积过程。可替代地，沉积源100在扫描多次或多遍的同时（即，在往复的同时）执行沉积过程。在图1和图2中示出的示例性实施例中，多个喷嘴120沿平行于基板400的短侧的x方向被布置在一排，而沉积源100沿平行于基板400的长侧的y方向移动，并沿z方向喷射沉积物质，从而将沉积物质沉积在基板400的一个表面上。

快门200被定位在喷嘴120上方，并打开或遮蔽沉积物质的喷射通道jp的至少一部分。即，快门200可通过打开或遮蔽沉积物质的喷射通道jp的至少一部分来控制沉积物质的喷射区域jr。这里，喷射通道jp可为从喷嘴120喷射的沉积物质的移动路线。喷射区域jr可为沉积物质在两个快门200之间的穿过区段。换言之，喷射区域jr可在基板400和沉积源100之间。

如上所描述，沉积物质的喷射区域jr被控制，由此调整形成在基板400的与受控喷射区域jr对应的一个表面上的薄膜500的厚度th。

快门200可被形成为沿与多个喷嘴120相同的方向延伸，即，沿第一方向。另外，快门200可被布置为平行于多个喷嘴120，并可被定位在多个喷嘴120的至少一侧上方。另外，快门200可与沉积源100整体形成。另外，快门200可包括多个快门。在一示例性实施例中，快门200可包括两个快门（或子快门），两个快门中的一个可被定位在多个喷嘴120的一侧上方，而另一个可被定位在多个喷嘴120的另一侧上方。在这种情形下，从喷嘴120喷射的沉积物质的喷射通道jp可被建立在两个快门200之间。即，该两个快门200可被用作喷嘴120上的快门构件，以限定沉积物质的最大喷射区域jr。参见图2，随后将被描述的第一快门板保持器210a和第二快门板保持器210b可限定沉积物质的最大喷射区域jr。通过使用快门机构，能根据待铺设的薄膜的期望厚度选择性调整扇形喷雾。

快门200可包括快门板保持器210和快门板220。快门板保持器210支撑快门板220，被形成为沿第一方向延伸与基板的宽度W一样长，并可被布置为平行于多个喷嘴120。快门板保持器210可包括多个快门板保持器。在图1和图2中示出的示例性实施例中，长方体形状的两个快门板保持器210，即，第一快门板保持器210a和第二快门板保持器210b可被彼此对称地形成在多个喷嘴120的一侧的上部分和多个喷嘴120的另一侧的上部分处。

快门板220可基本控制沉积物质的喷射区域jr。快门板220可沿朝向喷嘴120的方向从快门板保持器210伸出，以控制沉积物质的喷射区域jr。例如，参见图2，快门板220遮蔽沉积物质的喷射通道jp的一部分，如虚线所示，由此缩小沉积物质的喷射区域jr。快门板220可从快门板保持器210可滑动地伸出。另外，快门板220以收回状态被固定，以便随后随着其展开而伸出。如上所述，快门板220可沿朝向喷嘴120的方向以各种方式伸出。

快门板220可包括多个快门板（或称多个子快门板）。另外，快门板保持器210可包括至少一个快门板保持器。在图1和图2中示出的示例性实施例中，第一快门板220a可被安装在第一快门板保持器210a中，第二快门板220b可被安装在第二快门板保持器210b中。

快门板220可被安装在快门板保持器210的内表面上。这里，快门板保持器210的内表面可为快门板保持器210的面向喷嘴120的一个表面。另外，当快门板保持器210的宽度被分成两半时，快门板220可被形成在任一侧处。在图1中示出的示例性实施例中，当第一快门板保持器210a的如沿x方向测量的宽度被分成两半时，第一快门板220a可被形成在左侧。当第二快门板保持器210b的如沿x方向测量的宽度被分成两半时，第二快门板220b可被形成在右侧。

快门板220可从快门板保持器210的内表面朝向喷嘴120伸出，以平行于基板400的一个表面。另外，当快门板220包括多个快门板时，多个快门板220可被形成在相同的平面上。在图1中示出的示例性实施例中，第一快门板220a和第二快门板220b被形成在相同的平面上，但是所公开技术的各方面不限于此。而是，第一快门板220a和第二快门板220b被形成在不同的平面上。

快门板220可为板的形状。快门板220的一端可由快门板保持器210支撑，快门板220的面向快门板220的该一端的另一端可朝向喷嘴120伸出。在示例性实施例中，快门板220的另一端的至少一部分可被收回。换言之，快门板220的伸出距离沿朝向快门板保持器210的中心的方向减小。在图1中示出的示例性实施例中，第一快门板220a沿正x方向朝向第一快门板保持器210a收回，第二快门板220b沿负x方向朝向第二快门板保持器210b收回。而且，第一快门板220a和第二快门板220b关于沉积源100的中心对称。

厚度测量传感器300将实时测量沉积在基板400的表面上的薄膜500的厚度。厚度测量传感器300可被形成为沿多个喷嘴120布置所沿的第一方向延伸。另外，厚度测量传感器300可被定位为平行于多个喷嘴120，并可沿与沉积源100移动所沿的方向相同的方向移动。另外，厚度测量传感器300可与沉积源100整体形成。

厚度测量传感器300可包括传感器保持器310、光发射部分320和光接收部分330。传感器保持器310可支撑光发射部分320和光接收部分330，并可成形为被形成以沿第一方向延伸的长方体形状。光发射部分320和光接收部分330可被形成在传感器保持器310的面向基板400的沉积物质被沉积在其上的一个表面的表面上。光发射部分320和光接收部分330可被形成为彼此平行，并可沿第一方向延伸与基板400的短侧或长侧的长度一样长。在图1中示出的示例性实施例中，光发射部分320和光接收部分330可被形成为沿x方向延伸与基板400的短侧对应的长度，即，延伸基板400的宽度W。

光发射部分320可如实线所示的那样将光照射到沉积在基板400的一个表面上的薄膜500中，并且光接收部分330可接收从薄膜500反射的光，以测量薄膜的厚度th。由于光发射部分320和光接收部分330的长度与基板400的宽度W对应，所以厚度测量传感器300能一次测量沿第一方向的薄膜厚度th。另外，由于厚度测量传感器300沿垂直于第一方向的方向并平行于基板400的一个表面随沉积源100移动，所以沉积在基板400的一个表面上的薄膜的薄膜厚度th能通过一次扫描而被测量。另外，薄膜厚度th能通过在往复的同时多次扫描而被更准确地测量。

在这些实施例中，控制器600根据如由厚度测量传感器300测量的薄膜500的测量厚度（在下文中，被称为测量薄膜厚度Th_m）和预定厚度（在下文中，被称为目标薄膜厚度Th_g）之间的差来控制快门200。尽管未例示控制器600的位置，但是控制器600可与沉积源100或快门200成整体或分开。控制器600可包括厚度计算部分610、厚度存储部分620、厚度比较部分630和补偿计算部分640。

厚度计算部分610从厚度测量传感器300接收测量薄膜厚度Th_m的数据，并可获得随从基准点沿第一方向的薄膜长度l而定的薄膜厚度th的图形表示，以随后将所获得的图形和表示提供到薄膜比较部分630。

厚度存储部分620将预定目标薄膜厚度Th_g提供到厚度比较部分630。目标薄膜厚度Th_g根据期望设备的特性而可在基板400上处处为均匀的或非均匀的。

厚度比较部分630接收来自厚度计算部分610的测量薄膜厚度Th_m和来自厚度存储部分620的目标薄膜厚度Th_g，并可计算随薄膜长度l而定的测量薄膜厚度Th_m和目标薄膜厚度Th_g之间的差，以随后将计算差提供到补偿计算部分640。在示例性实施例中，通过从测量薄膜厚度Th_m减去目标薄膜厚度Th_g而获得的值的数据可被提供到补偿计算部分640。

补偿计算部分640根据测量薄膜厚度Th_m和目标薄膜厚度Th_g之间的差打开或遮蔽快门200。

在用于均匀控制薄膜厚度th的示例性实施例中，如果在沿第一方向与基准点St隔开预定距离的特定位置处通过从测量薄膜厚度Th_m减去目标薄膜厚度Th_g获得的值为正值，即，如果测量薄膜厚度Th_m大于目标薄膜厚度Th_g，则使面向特定位置的快门板220伸出以遮蔽沉积物质的喷射通道jp。这里，面向特定位置的快门板220可被直接定位在特定位置下方。在这种情形下，通过从测量薄膜厚度Th_m减去目标薄膜厚度Th_g获得的值的绝对值越大，快门板220伸出的越多，由此遮蔽更大量的沉积物质的喷射通道jp，并缩小沉积物质的喷射区域jr。如果快门220以这种方式被遮蔽，则沉积在基板400的与被遮蔽的快门200对应的一个表面上的薄膜500的厚度th被减小，由此均匀地控制薄膜厚度th。

在用于均匀调整薄膜厚度th的另一示例性实施例中，如果在沿第一方向与基准点St隔开预定距离的特定位置处通过从测量薄膜厚度Th_m减去目标薄膜厚度Th_g获得的值为负值，即，如果目标薄膜厚度Th_g大于测量薄膜厚度Th_m，则面向特定位置的快门板220被插入快门板保持器210中或被收回，由此打开沉积物质的喷射通道jp。在这种情形下，通过从测量薄膜厚度Th_m减去目标薄膜厚度Th_g获得的值的绝对值越大，则快门板220被插入或收回的越多，由此打开更大量的沉积物质的喷射通道jp，并扩大沉积物质的喷射区域jr。如果快门200以这种方式打开，则沉积在基板400的与打开的快门200对应的一个表面上的薄膜500的厚度th增加的比例被增加，由此均匀控制薄膜厚度th。

将参照图5和图6描述前述实施例的具体示例，即，第一应用示例。在第一应用中，薄膜厚度th被均匀控制。图5为例示图1中示出的沉积装置的沉积源100和快门200的第一应用示例的俯视图。图6为例示在图5中示出的快门200被利用之前和之后随薄膜的长度l而定的薄膜的厚度th的曲线图。

首先，参见图6，在快门200未被利用的情形下，测量薄膜厚度Th_m，即，在校正之前测量的薄膜厚度B可以以从基准点St朝向薄膜长度l的波形形状表示。即，参见图3，在校正之前在基板400的两端处测量的薄膜厚度B可能大于目标薄膜厚度Th_g，在校正之前在基板400的中心处测量的薄膜厚度B可能小于目标薄膜厚度Th_g。

这里，薄膜厚度th能通过利用图5中示出的快门200而被校正。详细地，第一快门板220a和第二快门板220b遮蔽与基板400的两端对应的沉积物质的喷射通道jp，由此降低基板400的两端处的薄膜形成速度。因此，与校正之前测量的薄膜厚度B相比，在快门200被利用的情况下，测量薄膜厚度Th_m，即，校正之后测量的薄膜厚度A，可被均匀地校正。

将参照图7和图8描述前述实施例的另一具体示例中，即，第二应用。与第一应用中相似，在第二应用中，薄膜厚度th被均匀控制。图7为例示图1中示出的沉积装置的沉积源100和快门200的第二应用的俯视图。图8为例示在图7中示出的快门200被利用之前和之后随薄膜的长度l而定的薄膜的厚度th的曲线图。

首先，参见图8，在未利用快门200的情况下，测量薄膜厚度Th_m’，即，在校正之前测量的薄膜厚度B’可从基准点St朝向薄膜长度l方向增加。即，参见图3，在校正之前在远离基准点St的部分处测量的薄膜厚度B’可能大于目标薄膜厚度Th_g，并且在校正之前在靠近基准点St的部分测量的薄膜厚度B’可能小于目标薄膜厚度Th_g。

这里，薄膜厚度th能通过利用图7中示出的快门200而被校正。更详细地，第一快门板220a被插入快门板保持器210中，并打开与靠近基准点St的部分对应的沉积物质的喷射通道jp，并且第二快门板220b遮蔽与远离基准点St的部分对应的沉积物质的喷射通道jp，由此提高靠近基准点St的部分处的薄膜形成速度，同时降低远离基准点St的部分处的薄膜形成速度。因此，与在校正之前测量的薄膜厚度B’相比，在图8中示出的快门200被利用的情形下，测量薄膜厚度Th_m’，即，在校正之后测量的薄膜厚度A’可被均匀校正。

如上所描述，在根据所公开技术的一实施例的沉积装置中，沉积在基板400的一个表面上的薄膜的厚度th能在沉积过程期间不移除真空的情况下被控制。

另外，薄膜的期望厚度能通过沉积过程期间实时校正薄膜厚度th而被容易地获得。

图9、图10、图12和图13为根据所公开技术的其它实施例的沉积装置的沉积源100、101和快门201、202、203、204的俯视图。图11为沿图10的线XI-XI’截取的快门的侧视图。

图9至图13例示用于补偿如图6中所示的在校正之前测量的薄膜厚度B的沉积源100、101和快门201、202、203、204。如图6所示的在校正之后测量的薄膜厚度th能通过利用沉积源100、101和快门201、202、203、204而被均匀地控制。为了便于解释，与图1至图8中示出的那些元件基本相同的元件由相同的附图标记指示，并且其重复解释将被省略。

首先，在根据所公开技术的另一实施例的沉积装置中，快门201可包括沿第一方向布置的多个快门板221。多个快门板221被独立控制，以打开或遮蔽沉积物质的喷射通道jp。在一示例性实施例中，多个快门板221中的至少两个可以伸出不同的距离，以控制沉积物质的喷射区域jr。在另一示例性实施例中，安装在第一快门板保持器210a中的多个第一快门板221a和安装在第二快门板保持器210b中的多个第二快门板221b彼此对称。

其次，在根据所公开技术的又一实施例的沉积装置中，如图10所示，快门202可包括沿第一方向布置的多个快门板222，与图9中示出的沉积装置快门201相似。然而，多个快门板222可从快门板保持器210朝向喷嘴120伸出相同的距离。在一示例性实施例中，安装在第一快门板保持器210中的多个第一快门板222a和安装在第二快门板保持器210b中的多个第二快门板222b可彼此对称。

然而，参见图11，多个快门板222中的至少两个可具有不同的高度。在图11中，高度可与从快门板保持器210的底表面沿z方向的距离对应。即，一些快门板222具有相对大的高度，由此减小沉积物质的喷射角。另外，其它快门板222具有相对小的高度，由此增加沉积物质的喷射角。

其次，根据如图12中所示的所公开技术的又一实施例的沉积装置，快门203可合并到多个喷嘴120中的每个中。快门203打开或遮蔽喷嘴120，与照相机快门相似，由此通过改变喷嘴120的开口的尺寸来控制各个喷嘴120的喷射量。

其次，根据如图13中示出的所公开技术的又一实施例的沉积装置，沉积源101可包括沿第一方向延长的狭缝形的喷嘴121。在一示例性实施例中，喷嘴121可为狭缝喷嘴。另外，快门204被合并到喷嘴121中的每个中，并可控制各个喷嘴121的喷射量，与图12中示出的沉积装置相似。在一示例性实施例中，快门204可包括从喷嘴121的一侧伸出的多个快门叶片250和连接快门叶片250并遮蔽喷嘴121中的至少一些的快门板260。这里，快门叶片250可为细棒形，并且快门板260可为柔性膜。

在下文中，将参照图1至图4描述所公开技术的一实施例的沉积方法。

根据所公开技术的一实施例的沉积方法可包括：通过从沉积源100喷射沉积物质而在基板400上形成薄膜500；测量薄膜500的厚度，即，测量薄膜厚度Th_m；以及比较测量薄膜厚度Th_m与预定厚度，即，目标薄膜厚度Th_g。另外，根据所公开技术的一实施例的沉积方法可包括，当测量薄膜厚度Th_m大于目标薄膜厚度Th_g时，遮蔽面向薄膜500的沉积物质的喷射区域jr的至少一部分，和/或当目标薄膜厚度Th_g大于测量薄膜厚度Th_m时，打开面向薄膜500的沉积物质的喷射区域jr的至少一部分。

在下文中，将参照图1至图4描述根据所公开技术的一实施例的沉积源100。

除沉积源保持器110和喷嘴120之外，根据所公开技术的一实施例的沉积源100可包括快门200、厚度测量传感器300和控制器600。即，沉积源100可与快门200、厚度测量传感器300和控制器600整体形成。

虽然所公开技术已参照其示例性实施例被特别示出和描述，但是本领域普通技术人员将理解的是，在其中可做出形式和细节上的各种变化，而不背离如由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围。因此，期望的是本实施例在所有方面被认为是例示性的而非限制性的，参考所附权利要求书而非前述描述来表明本发明的范围。

Claims (20)

1.一种薄膜沉积装置，包括：

沉积源，该沉积源包括多个喷嘴，该多个喷嘴喷射沉积物质以便在基板的一个表面上形成薄膜并且该多个喷嘴沿平行于所述基板的长侧或短侧的第一方向布置；和

至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分而控制所述沉积物质的喷射区域。

2.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述至少一个快门被形成为沿所述第一方向延伸，被布置为平行于所述多个喷嘴，并被定位在所述多个喷嘴的至少一侧的上方。

3.如权利要求2所述的薄膜沉积装置，其中所述至少一个快门包括两个子快门，并且所述两个子快门中的一个被定位在所述多个喷嘴的上方和一侧，所述两个子快门中的另一个被定位在所述多个喷嘴的上方和另一侧，并且所述沉积物质的所述喷射通道被建立在所述两个子快门之间。

4.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述至少一个快门包括：

至少一个快门板保持器，该至少一个快门板保持器被形成为沿所述第一方向延伸并被布置为平行于所述多个喷嘴；和

至少一个快门板，该至少一个快门板沿朝向所述多个喷嘴的方向从所述至少一个快门板保持器伸出，

其中所述至少一个快门板伸出的距离沿朝向所述至少一个快门板保持器的中心的方向减小。

5.如权利要求4所述的薄膜沉积装置，其中所述至少一个快门板包括多个子快门板并沿所述第一方向布置，所述多个子快门板关于所述沉积源的中心对称，并且所述多个子快门板中的至少两个以不同的距离伸出，以控制所述沉积物质的所述喷射区域。

6.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述至少一个快门包括多个快门板，该多个快门板被布置为沿所述第一方向平行于所述多个喷嘴，并且所述多个快门板中的至少两个具有不同的高度，并被构造为控制所述沉积物质的喷射角。

7.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述至少一个快门被合并到所述多个喷嘴的每个中，并控制所述多个喷嘴的喷射量。

8.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，其中所述沉积源沿垂直于所述第一方向并平行于所述基板的一个表面的方向移动。

9.如权利要求1所述的薄膜沉积装置，进一步包括：

厚度测量传感器，该厚度测量传感器测量所述薄膜的厚度；和

控制器，该控制器根据所述薄膜的所述厚度和预定厚度之间的差来控制所述至少一个快门。

10.如权利要求9所述的薄膜沉积装置，其中所述厚度测量传感器被形成为沿所述第一方向延伸并被布置为平行于所述多个喷嘴。

11.如权利要求9所述的薄膜沉积装置，其中所述控制器包括：

厚度计算部分，该厚度计算部分计算所述薄膜的所述厚度；

厚度存储部分，该厚度存储部分存储所述预定厚度；

厚度比较部分，该厚度比较部分计算所述薄膜的所述厚度和所述预定厚度之间的差；和

补偿计算部分，该补偿计算部分根据所述差控制所述至少一个快门，以被打开或遮蔽。

12.如权利要求11所述的薄膜沉积装置，其中所述补偿计算部分在所述薄膜的所述厚度大于所述预定厚度时遮蔽面向所述薄膜的所述至少一个快门，并在所述预定厚度大于所述薄膜的所述厚度时打开面向所述薄膜的所述至少一个快门。

13.一种薄膜沉积装置，包括：

沉积源，该沉积源包括至少一个喷嘴，该至少一个喷嘴喷射沉积在基板的表面的沉积物质；和

至少一个快门，该至少一个快门被定位在所述至少一个喷嘴的上方并控制所述沉积物质的喷射区域，

其中所述至少一个快门根据沉积在所述基板的所述表面的所述沉积物质的厚度与所述沉积物质的预定厚度之间的差而被控制。

14.如权利要求13所述的薄膜沉积装置，其中所述至少一个喷嘴被成形为沿平行于所述基板的长侧或短侧的第一方向延长的狭缝，并且所述至少一个快门被合并到所述至少一个喷嘴的每个中，并控制所述至少一个喷嘴的喷射量。

15.如权利要求14所述的薄膜沉积装置，其中所述至少一个快门包括：

多个快门叶片，该多个快门叶片从所述至少一个喷嘴的一侧伸出；和

快门板，该快门板将所述多个快门叶片彼此连接以关闭所述至少一个喷嘴中的至少一些。

16.如权利要求13所述的薄膜沉积装置，其中当沉积在所述基板的所述表面的所述沉积物质的所述厚度大于所述沉积物质的所述预定厚度时，所述至少一个快门依据沉积在所述基板的所述表面的所述沉积物质的所述厚度与所述沉积物质的所述预定厚度之间的差而遮蔽所述喷射区域。

17.一种薄膜沉积方法，包括：

通过从沉积源喷射沉积物质而在基板上形成薄膜；

测量所述薄膜的厚度并比较所述薄膜的所述厚度与预定厚度；以及

当所述薄膜的所述厚度大于所述预定厚度时，遮蔽所述沉积物质的面向所述薄膜的喷射区域的至少一部分，

其中所述喷射区域在所述基板和所述沉积源之间。

18.如权利要求17所述的沉积方法，在所述测量所述薄膜的厚度并比较所述薄膜的所述厚度与所述预定厚度之后，进一步包括当所述预定厚度大于所述薄膜的所述厚度时，打开所述沉积物质的面向所述薄膜的所述喷射区域的至少一部分。

19.一种薄膜沉积源，包括：

多个喷嘴，该多个喷嘴喷射沉积在基板的一个表面的沉积物质并沿平行于所述基板的长侧或短侧的第一方向布置；和

至少一个快门，该至少一个快门通过打开或遮蔽所述沉积物质的喷射通道的至少一部分而被控制所述沉积物质的喷射区域。

20.如权利要求19所述的薄膜沉积源，进一步包括：

厚度测量传感器，该厚度测量传感器测量沉积在所述基板的所述一个表面的所述沉积物质的厚度；和

控制器，该控制器根据所述沉积物质的被测量的所述厚度和所述沉积物质的预定厚度之间的差来控制所述至少一个快门。

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