CN116635566A - 用于沉积蒸镀材料的沉积源、沉积设备及其方法 - Google Patents
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Abstract
根据本公开内容的各方面，提供了用于在基板上沉积蒸镀材料层的沉积源、沉积设备和方法。所述沉积源(100)包括：坩埚(104)，所述坩埚用于提供蒸镀材料；第一喷嘴区(110)，所述第一喷嘴区在第一方向上延伸并具有与所述坩埚(104)连通的第一多个喷嘴(101)；以及第二喷嘴区(120)，所述第二喷嘴区从所述第一喷嘴区(110)的端部在所述第一方向上延伸，所述第二喷嘴区(120)具有与所述坩埚(104)连通的第二多个喷嘴(102)，其中所述第二多个喷嘴(102)中的每个相邻喷嘴在朝向所述第一喷嘴区的方向上倾斜。所述沉积设备(200)包括：真空腔室(201)；根据本公开内容的各方面的沉积源(100)；以及基板运输机或源运输机，所述基板运输机用于将所述基板S运输经过所述沉积源(100)，所述源运输机用于将所述沉积源(100)运输经过所述基板S。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式涉及蒸镀源，特别是用于金属或金属合金的蒸镀源，以及用于在基板、特别是柔性基板上沉积一个或多个层的沉积设备。特别地，本公开内容的实施方式涉及用于用一个或多个层涂覆基板以例如用于薄膜太阳能电池生产、柔性显示器生产或薄膜电池生产的设备。更特别地，本公开内容的实施方式涉及用于在卷对卷(roll-to-roll,R2R)工艺中涂覆柔性基板的设备和方法。特定地，本公开内容的实施方式涉及一种具有蒸镀源的沉积设备，该蒸镀源具有改善的层均匀性和改善的沉积效率。另外，本公开内容的实施方式涉及操作蒸镀源的方法和操作具有蒸镀源的沉积设备的方法。
背景技术
在柔性基板上沉积薄层是用于许多应用的生产工艺。柔性基板在柔性基板涂覆设备的一个或多个腔室中进行涂覆。柔性基板(诸如由塑料或预涂覆纸制成的箔)在辊或滚筒上被引导并以此方式经过沉积材料源。涂覆基板的可能应用的范围是从为包装行业提供涂覆箔到为柔性电子器件和先进技术应用(诸如智能电话、平板TV和太阳能电池板)沉积薄膜。
可使用不同沉积工艺以获得具有期望性质的层。例如，在热蒸镀沉积工艺中，蒸镀材料沉积到基板、例如柔性基板上以用于在基板上提供涂层。涂层的性质和功能尤其是取决于涂层厚度。因此，需要将涂层厚度控制在预定范围内。例如，可通过调整要沉积在基板上的材料的沉积速率来调整涂层厚度。
当在卷对卷(R2R)工艺中在基板、特别是薄膜基板上沉积一个或多个蒸镀材料层时，在基板的边缘处实现高涂覆均匀性可能有挑战性。现有技术中存在了一些解决方案，诸如增加在基板的边缘处的喷嘴数量、增大在基板的边缘处的喷嘴直径或添加附加喷嘴以与基板的边缘重叠。然而，随着沉积在屏蔽件上的材料量增加，这些方法典型地导致涂覆效率降低。
鉴于上文所述，提供了与传统的沉积系统和方法相比有所改善的沉积源、沉积设备及其方法。
发明内容
鉴于上文所述，提供了一种用于在基板上沉积蒸镀材料层的沉积源、一种用于将蒸镀材料沉积到基板上的沉积设备和一种用于在基板上沉积蒸镀材料层的方法。另外的方面、优点和特征从从属权利要求、说明书和附图中显而易见。
根据本公开内容的一方面，提供了一种用于在基板上沉积蒸镀材料层的沉积源。所述沉积源包括：坩埚，所述坩埚用于提供蒸镀材料；第一喷嘴区，所述第一喷嘴区在第一方向上延伸并具有与所述坩埚连通的第一多个喷嘴；以及第二喷嘴区，所述第二喷嘴区从所述第一喷嘴区的端部在所述第一方向上延伸，所述第二喷嘴区具有与所述坩埚连通的第二多个喷嘴，其中所述第二多个喷嘴中的每个相邻喷嘴在朝向所述第一喷嘴区的方向上倾斜。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种用于在基板上沉积蒸镀材料的沉积设备。所述沉积设备包括：真空腔室；根据本公开内容的各方面的沉积源；以及基板运输机，所述基板运输机用于将所述基板运输经过所述沉积源。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种用于在基板上沉积蒸镀材料的沉积设备。所述沉积设备包括：真空腔室；根据本公开内容的各方面的沉积源；以及源运输机，所述源运输机用于将所述沉积源运输经过所述基板。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种用于在基板上沉积蒸镀材料层的方法。所述方法包括：将蒸镀材料从在第一方向上延伸的第一沉积区沉积到所述基板上；以及将蒸镀材料从从所述第一沉积区的端部在所述第一方向上延伸的第二沉积区沉积到所述基板上，其中所述蒸镀材料从所述第二沉积区在多个方向上沉积，每个方向朝所述第一沉积区倾斜。
本公开内容的实施方式允许在基板的边缘处的改善的涂覆均匀性、以及提高的涂覆效率。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征，可通过参考实施方式来得到上文简要地概述的本公开内容的更特别的描述。附图涉及本公开内容的实施方式并在下文中进行描述：
图1示出了根据本公开内容的实施方式的沉积源的喷嘴布置和使用该沉积源沉积在基板的边缘部分上的层厚度的曲线图；
图2示出了根据本公开内容的实施方式的沉积源的透视图；
图3示出了根据本公开内容的实施方式的沉积源的截面图；并且
图4示出了根据本公开内容的实施方式的沉积设备的示意性侧视图。
具体实施方式
现在将详细地参考本公开内容的各种实施方式，各图中示出了这些实施方式的一个或多个示例。在以下对各图的描述内，相同的参考标记是指相同的部件。仅描述相对于各别实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式提供并且不意在作为本公开内容的限制。另外，被例示或描述为一个实施方式的部分的特征可在其他实施方式上或结合其他实施方式使用，以产生又另外的实施方式。说明书旨在包括此类修改和变化。
将参考图1，图1示出了沉积源100的喷嘴101、102在基板S的一维度上的布置。特别地，示出了从基板S的宽度的中心线开始并朝基板S的外边缘延伸的跨基板S的宽度的一半的喷嘴布置。在本公开内容的示例性图中，仅示出沉积源100的一半从在左侧的基板S的中心线延伸到基板S的外边缘，并且可预期沉积源100还从基板S的中心线延伸到基板S的相对外边缘。特别地，沉积源100的喷嘴101、102的布置关于基板S的中心线成镜像。喷嘴101、102沿第一方向布置，其中第一方向在平行于基板S的表面的方向上延伸。特别地，第一方向在基板S的宽度方向上延伸，即在图中的左右方向上延伸。
如图1示例性地所示，提供总宽度为1200mm的基板S，从在0mm处的基板S的中心线延伸到在+600mm处的外边缘。然而，这些尺寸仅作为示例提供。沉积源100设置有沿第一方向布置以用于将蒸镀材料层沉积到基板S上的多个喷嘴101、102。屏蔽件210相对于沉积源100进一步设置在基板S后面。
沉积在基板S上的所得层沿基板S的宽度的厚度的示例性曲线图进一步示于图1中。标称层厚度1.0是待沉积层的目标厚度。根据现有技术的沉积源，第一多个喷嘴101设置在第一喷嘴区110中。特别地，第一喷嘴区110跨基板S的宽度延伸，并且第一多个喷嘴101在第一方向上均匀分布，使得蒸镀材料在垂直于基板S的表面的方向上沉积。
由现有技术的沉积源沉积在基板S上的层的最终厚度T2是不均匀的。特别地，该层的厚度T2在靠近基板S的边缘的区域中减小。为了改善沉积层的均匀性，根据现有技术的其他沉积源可提供附加喷嘴101，使得第一喷嘴区110延伸超过基板S的外边缘，或者可在基板S的外边缘区域中设置具有更大直径的喷嘴101，从而产生层厚度T3。然而，此类解决方案存在问题，因为由于沉积宽度的增大，沉积在屏蔽件210上而不是基板S上的材料量增加，从而导致材料浪费增加和沉积源100的沉积效率受损.
为了解决层的不均匀性和受损的沉积效率的问题，提供了根据本公开内容的方面的用于在基板S上沉积蒸镀材料层的沉积源100。根据本公开内容的沉积源100包括设置在第一喷嘴区110的外区域上的第二喷嘴区120，其中第二喷嘴区120中的每个喷嘴102朝第一喷嘴区110向内倾斜。通过以这种方式倾斜第二喷嘴区120中的喷嘴102，可增加可沉积在基板S的外边缘附近的区域中的材料量。然而，避免了与现有技术的沉积源相关联的不利影响，因为通过倾斜第二喷嘴区120中的外喷嘴102，沉积区域的宽度未有加宽。
在本公开内容的上下文中，对喷嘴的“方向”或“取向”的任何提及是指喷嘴的主轴的方向，即，由所述喷嘴发射的材料的喷射锥(spray cone)的主轴的方向。喷嘴“指向”某一点或“向”某一点“定向”是指喷嘴的主轴被定向以便指向所述点。
再次参考图1中的曲线图，示出了从根据本公开内容的沉积源100沉积的所得层的厚度T3。沉积源100包括第一喷嘴区110的喷嘴101和第二喷嘴区120的喷嘴102，其中所有喷嘴101、102具有相同直径和相同喷射锥角，并且第二喷嘴区120的喷嘴102指向基板S的外边缘。可增大在基板S的外边缘附近的区域中的所得厚度T3，同时沉积区域的总宽度保持相对窄。因此，可改善在基板S的外边缘附近的区域中的厚度，而不会造成屏蔽件210上的材料沉积增加。因此，可进一步调节喷嘴101、102，特别是第二喷嘴区120中的喷嘴102，例如喷嘴方向、喷嘴直径或喷射锥角，以便在不增大沉积区域的宽度的情况下跨基板S的整个宽度产生均匀厚度。
现在参考图2和图3，根据本公开内容的实施方式的沉积源100包括用于提供蒸镀材料的坩埚104、在第一方向上延伸并具有与坩埚104连通的第一多个喷嘴101的第一喷嘴区110、以及从第一喷嘴区110的端部在第一方向上延伸的第二喷嘴区120，第二喷嘴区120具有与坩埚104连通的第二多个喷嘴102。第二多个喷嘴102中的每个相邻喷嘴在朝第一喷嘴区110的方向上倾斜。为了清楚起见，仅沉积源100的端部在图2和图3中示出，即仅示出了沉积源100的具有第一喷嘴区110的端部和第二喷嘴区120的部分，该部分被构造用于在基板S的边缘附近的区域中沉积材料层。如前所述，沉积源100可具有第二端部，该第二端部是图中所示的第一端部的镜像，在基板S的相对边缘附近的区域中具有另外第二多个喷嘴102。
通过提供具有朝第一喷嘴区110倾斜(即朝沉积区域的内区倾斜)的多个喷嘴102的第二喷嘴区120，可在基板S的外边缘的区域中沉积的蒸镀材料量可增加，而不使沉积区域的宽度过大，使得例如在屏蔽件210上沉积较少废料。由此可见，可在不损害沉积源的沉积效率的情况下改善沉积层的均匀性。
根据本公开内容各方面的沉积源100可包括歧管103、用于容纳一定量的源材料M并具有至少一个加热器的坩埚104、以及它们之间的连接管105。喷嘴101、102可布置在歧管103上，使得每个喷嘴101、102与坩埚104连通。沉积源100的部件组合以形成可被称为蒸镀器的结构，即用于蒸镀源材料的沉积源。
在本公开内容中，“用于蒸镀源材料的沉积源”可被理解为被构造成用于通过采用加热器加热源材料来蒸镀源材料的蒸镀器。例如，“源材料”可以是蒸镀温度为约100℃至约600℃的材料。特别地，“源材料”可以是有机材料，例如用于有机发光二极管(OLED)生产。
在本公开内容中，“坩埚”可被理解为具有用于待通过加热坩埚来蒸镀的材料的贮存器的装置。因此，“坩埚”可被理解为可被加热以通过源材料的蒸发和升华中的至少一种来将源材料M气化成气体的源材料贮存器。贮存器可具有用于接收待蒸镀的源材料M的内部容积。例如，坩埚的内部容积可在100cm3与3000cm3之间、特别是在700cm3与1700cm3之间并更特别是1200cm3。
在本公开内容中，“用于加热源材料的加热器”可被理解为被构造为加热源材料M、特别是将源材料M气化为气态源材料或称为“蒸镀材料”的加热单元或加热装置。在如本文所描述的那样由加热器加热源材料时，设置在坩埚104的内部容积中的源材料M被加热到源材料M蒸发的温度。例如，初始地，待蒸镀材料可以是粉末的形式。如图3示例性地所示，加热并气化坩埚104中的源材料M，并且蒸镀材料然后从坩埚104流出，通过连接管105并进入歧管103，以被分配到喷嘴101、102中的每一者。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，第二多个喷嘴102中的每个喷嘴以随着距第一喷嘴区110的距离增大而增大的角度倾斜。如图3示例性地所示，第二喷嘴区120设置有四个喷嘴102。最接近第一喷嘴区110的第一喷嘴102以小角度倾斜，第二喷嘴102略微地比第一喷嘴102倾斜得更多，第三喷嘴102再次略微地倾斜得更多，并且最远离第一喷嘴区110的最后一个喷嘴102具有最大倾斜角度。通过基于喷嘴距第一喷嘴区110的距离来逐渐倾斜喷嘴102，相应喷嘴102的喷射锥可定向成与基板S而不是屏蔽件210重叠。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，第二多个喷嘴102可指向位于基板S的表面上的共同点P。如图中示例性所示，共同点P位于基板S的边缘，但本公开内容不限于此。特别地，共同点P可位于基板S的边缘的50mm内，更特别地位于基板S的边缘的10mm内。可调整共同点P的位置以最小化沉积区域在屏蔽件210上的重叠量，以减少材料浪费并提高沉积效率。
第一喷嘴区110在图中示例性地示出为跨基板S的整个宽度延伸。然而，本公开内容不限于此，并且第一喷嘴区110可在第一方向上延伸小于基板的宽度或超过基板的宽度。特别地，第一喷嘴区110可在第一方向上跨基板的宽度的至少80％、跨基板的宽度的至少90％或跨基板的宽度的至少95％延伸。特别地，第一喷嘴区110可在第一方向上延伸直到位于基板S上的共同点P。
根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，第一多个喷嘴101和第二多个喷嘴102可沿第一方向布置。特别地，第一多个喷嘴101和第二多个喷嘴102可沿跨基板S的宽度方向的共同线布置。然而，本公开内容不限于此，并且喷嘴101、102可布置在替代布置中。例如，第一多个喷嘴101和/或第二多个喷嘴102可布置在一行或多行喷嘴101、102中，以喷嘴101、102的Z字形布置，或者在喷嘴之间的距离不均匀。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，第一多个喷嘴101中的每个喷嘴在垂直于基板S的方向上定向。第一多个喷嘴101的垂直取向允许保持基板的内区域、即在基板S的外边缘区域之间的区域中的沉积材料层的均匀性。然而，本公开内容不限于此，并且第一多个喷嘴101中的一个或多个喷嘴可相对于基板S的运输方向在向前或向后的方向上倾斜。特别地，第一多个喷嘴101中的一个或多个喷嘴可在由基板S的运输方向和垂直于基板S的方向限定的平面中倾斜。更特别地，第一多个喷嘴中的一个或多个喷嘴可绕对应于第一方向的轴线倾斜。
第二多个喷嘴102中的喷嘴中的每一个倾斜的方向是朝第一喷嘴区110。换句话说，布置在第一喷嘴区110外部的第二多个喷嘴102中的每个喷嘴朝第一喷嘴区110向内倾斜。更特别地，平面可由喷嘴101、102延伸的第一方向和垂直于基板S的方向限定，其中第二多个喷嘴102中的每个喷嘴在所述平面中倾斜。
为了进一步调节在基板S的边缘附近的区域中的沉积层的均匀性，可调整第二多个喷嘴102的性质。例如，相应喷嘴的直径可增大以从特定喷嘴沉积更多材料，或可减小以从特定喷嘴沉积更少材料。根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，第一多个喷嘴101可具有第一喷嘴直径，并且第二多个喷嘴102可具有小于第一喷嘴直径的第二喷嘴直径。更特别地，第二多个喷嘴102的每个喷嘴的喷嘴直径可基于距第一喷嘴区110的距离而逐渐减小。例如，第二多个喷嘴102中最靠近第一喷嘴区110的第一喷嘴可具有等于或略小于第一喷嘴直径的直径，并且第二多个喷嘴102的最远离第一喷嘴区110的最后一个喷嘴可具有第二多个喷嘴102的最小直径。
类似地，第二多个喷嘴102中的相应喷嘴的喷射锥角可被调整以调节在基板S的边缘附近的区域中沉积层的均匀性。例如，相应喷嘴的喷射锥角可增大以在更宽沉积区中沉积来自特定喷嘴的材料，或可减小以在更窄沉积区中沉积来自特定喷嘴的材料。根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，第一多个喷嘴101可具有第一喷射锥角，并且第二多个喷嘴102可具有小于第一喷射锥角的第二喷射锥角。更特别地，第二多个喷嘴102中的每个喷嘴的喷射锥角可基于距第一喷嘴区110的距离而逐渐减小。例如，第二多个喷嘴102中最靠近第一喷嘴区110的第一喷嘴可具有等于或略小于第一喷嘴直径的喷射锥角，并且第二多个喷嘴102的最远离第一喷嘴区110的最后一个喷嘴可具有第二多个喷嘴102的最小喷射锥角。
第二多个喷嘴102中的每个相应喷嘴倾斜的角度取决于在垂直于基板S的方向上从喷嘴到基板S的表面的距离D。特别地，距离D可被定义为在垂直于基板S的方向上从第一多个喷嘴101的出口到基板S的沉积表面的距离。如果距离D大于第二喷嘴区120的宽度，则第二多个喷嘴102的最外侧喷嘴倾斜的角度可能变得过大。因此，第二喷嘴区120在第一方向上的长度可小于第一多个喷嘴101与基板S之间的距离D。
现在参考图4，根据本公开内容的另一方面，提供了一种用于将蒸镀材料沉积到基板上的沉积设备200。沉积设备200包括真空腔室201、设置在真空腔室201中的根据本文描述的方面和实施方式的沉积源100、以及用于将基板S运输经过沉积源100的基板运输机。这种布置被称为“动态”沉积设备，因为在沉积工艺期间，基板S相对于真空腔室201移动。例如，根据这种实施方式的动态沉积设备可用于在柔性基板(诸如卷材或箔)或刚性基板(诸如玻璃基板)上沉积蒸镀材料层。
在本公开内容中，“真空腔室”将被理解为被构造用于在真空气氛(atmosphere)中处理基板S的腔室。本文所使用的术语“真空”可在具有小于例如10毫巴的真空压力的技术真空的意义上理解。典型地，在本文所描述的真空腔室中的压力可在10-5毫巴与约10-8毫巴之间、更典型地在10-5毫巴与10-7毫巴之间，并且甚至更典型地在约10-6毫巴与约10-7毫巴之间。根据一些实施方式，真空腔室中的压力可被认为是在该真空腔室内的蒸镀材料的分压或总压，当仅存在蒸镀材料作为要在真空腔室中沉积的组分时，两者可近似相同。在一些实施方式中，真空腔室中的总压可在约10-4毫巴至约10-7毫巴的范围内，尤其是在真空腔室中存在除蒸镀材料之外的第二组分、诸如气体或类似物的情况下。
根据优选实施方式，基板S是柔性薄膜基板，基板运输机为卷对卷基板运输机，如图4示例性地所示。基板运输机可包括基板S从其上解绕的源辊(source roll)204和处理过的基板S卷绕到其上的卷收辊(take-up roll)205。源辊204可设置在第一卷轴(spool)腔室202中，并且基板可通过第一卷轴腔室202与真空腔室201之间的阀或门。因此，第一卷轴腔室202可用作用于装载和卸载源辊204的锁定腔室。类似地，卷收辊205可设置在第二卷轴腔室203中，并且基板可从真空腔室201通过阀或门到达第二卷轴腔室203。因此，第二卷轴腔室203可用作用于装载和卸载卷收辊205的锁定腔室。基板运输机还可包括多个辊206，该多个辊将基板S导引通过沉积设备200，特别是通过沉积源100。沉积设备200还可包括至少一个屏蔽件210，该至少一个屏蔽件被提供用于保护真空腔室210的壁和/或真空腔室210内设置的其他部件。
本文所用的术语“下游”可指相应腔室或相应部件相对于另一腔室或部件沿基板运输路径的位置。例如，在操作期间，基板S经由多个辊206沿基板运输路径从第一卷轴腔室202被导引通过真空腔室201，并且随后被导引到第二卷轴腔室203。因此，真空腔室201布置在第一卷轴腔室202下游，并且第二卷轴腔室203布置在真空沉积腔室201下游。
尽管未明确示出，但应理解，根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，可提供一个或多个另外的真空腔室。例如，可在第一卷轴腔室202与真空沉积腔室201之间提供一个或多个另外的真空腔室。附加地或替代地，一个或多个另外的真空腔室可设置在真空腔室201与第二卷轴腔室203之间。
根据替代实施方式，沉积设备200包括：真空腔室201；根据本文描述的方面和实施方式的沉积源100，该沉积源100设置在真空腔室201中；以及用于将沉积源100运输经过基板S的源运输机。这种布置被称为“静态”沉积设备，因为在沉积工艺期间，基板S相对于真空腔室201是静止的。例如，根据此种实施方式的静态沉积设备可用于在刚性基板(诸如玻璃基板)上沉积蒸镀材料层。
还提供一种或多种用于操作本公开内容中描述的沉积源100的方法，特别是一种或多种用于使用本文描述的沉积源100在基板S上沉积蒸镀材料层的方法。这些方法可进一步扩展到用于操作本公开内容中描述的沉积设备200的方法。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种用于在基板S上沉积蒸镀材料层的方法。该方法包括：将蒸镀材料从在第一方向上延伸的第一沉积区沉积到基板上；以及将蒸镀材料从从第一沉积区的端部在第一方向上延伸的第二沉积区沉积到基板S上，其中蒸镀材料从第二沉积区在多个方向上沉积，每个方向朝第一沉积区倾斜。特别地，第一沉积区可对应于本文描述的沉积源100的第一喷嘴区110，而第二沉积区可对应于本文描述的沉积源100的第二喷嘴区120。从第二沉积区沉积蒸镀材料的多个方向可各自对应于本文描述的沉积源100的多个第二喷嘴102的相应喷嘴的取向方向。
根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，可向位于基板上的共同点P引导来自第二沉积区的蒸镀材料。特别地，共同点P可位于基板S的边缘上。更特别地，共同点P可位于基板S的边缘的50mm内，更特别地位于基板S的边缘的10mm内。可调整共同点P的位置以最小化沉积区在屏蔽件210上的重叠量，以减少材料浪费并提高沉积效率。
虽然前述内容针对的是本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设想本公开内容的其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。
Claims (16)
1.一种用于在基板(S)上沉积蒸镀材料层的沉积源(100)，包括：
坩埚(104)，所述坩埚(104)用于提供蒸镀材料；
第一喷嘴区(110)，所述第一喷嘴区在第一方向上延伸并具有与所述坩埚(104)连通的第一多个喷嘴(101)；以及
第二喷嘴区(120)，所述第二喷嘴区从所述第一喷嘴区(110)的端部在所述第一方向上延伸，所述第二喷嘴区(120)具有与所述坩埚(104)连通的第二多个喷嘴(102)，
其中所述第二多个喷嘴(102)中的每个相邻喷嘴在朝向所述第一喷嘴区(110)的方向上倾斜。
2.根据权利要求1所述的沉积源(100)，其中所述第二多个喷嘴(102)中的每个喷嘴以随着距所述第一喷嘴区(110)的距离增大而增大的角度倾斜。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的沉积源(100)，其中所述第二多个喷嘴(102)指向位于所述基板(S)的表面上的共同点(P)。
4.根据权利要求3所述的沉积源(100)，其中所述第一喷嘴区(110)在所述第一方向上延伸直至所述共同点(P)，并且所述共同点(P)位于所述基板(S)的边缘的50mm内，特别是位于所述基板(S)的所述边缘的10mm内，更特别是位于所述基板(S)的所述边缘上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的沉积源(100)，其中所述第一多个喷嘴(101)和所述第二多个喷嘴(102)沿所述第一方向布置。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的沉积源(100)，其中所述第二多个喷嘴(102)在由所述第一方向和垂直于所述基板(S)的方向限定的平面中倾斜。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的沉积源(100)，其中所述第一多个喷嘴(101)中的每个喷嘴定向在垂直于所述基板(S)的方向上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的沉积源(100)，其中所述第一多个喷嘴(101)具有第一喷嘴直径，并且所述第二多个喷嘴(102)具有小于所述第一喷嘴直径的第二喷嘴直径。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的沉积源(100)，其中所述第一多个喷嘴(101)具有第一喷射锥角，并且所述第二多个喷嘴(102)具有小于所述第一喷射锥角的第二喷射锥角。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的沉积源(100)，其中所述第二喷嘴区(120)具有在所述第一方向上的长度，所述长度小于在所述第一多个喷嘴(101)与所述基板(S)之间的距离(D)。
11.一种用于将蒸镀材料沉积到基板(S)上的沉积设备(200)，包括：
真空腔室(201)；
根据权利要求1至10中任一项所述的沉积源(100)，所述沉积源设置在所述真空腔室(201)中；以及
基板运输机，所述基板运输机用于将所述基板运输经过所述沉积源(100)。
12.根据权利要求11所述的沉积设备(200)，其中所述基板(S)是柔性薄膜基板，并且所述基板运输机是卷对卷基板运输机。
13.一种用于将蒸镀材料沉积到基板上的沉积设备(200)，包括：
真空腔室(201)；
根据权利要求1至10中任一项所述的沉积源(100)，所述沉积源设置在所述真空腔室(201)中；以及
源运输机，所述源运输机用于将所述沉积源(100)运输经过所述基板(S)。
14.一种用于在基板(S)上沉积蒸镀材料层的方法，包括：
将蒸镀材料从在第一方向上延伸的第一沉积区沉积到所述基板上；以及
将蒸镀材料从从所述第一沉积区的端部在所述第一方向上延伸的第二沉积区沉积到所述基板(S)上，
其中所述蒸镀材料从所述第二沉积区在多个方向上沉积，每个方向朝所述第一沉积区倾斜。
15.根据权利要求14所述的方法，其中从所述第二沉积区沉积的所述蒸镀材料指向位于所述基板(S)上的共同点(P)。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一沉积区在所述第一方向上延伸直至所述共同点(P)，并且所述共同点(P)位于所述基板(S)的边缘的50mm内，特别是位于所述基板(S)的所述边缘的20mm内，更特别是位于所述基板(S)的所述边缘上。
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