KR102505828B1 - 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

[과제] 기판과 마스크의 얼라인먼트의 정밀도를 향상시키는 것
[해결 수단] 얼라인먼트 장치는 기판 및 마스크의 위치맞춤을 행한다. 검지 수단은, 마스크에 형성된 제1 마스크 마크 및 제2 마스크 마크, 및 제1 마스크 마크에 대응하여 기판에 형성된 제1 기판 마크를 검지한다. 설정 수단은, 검지 수단에 의해 검지된 제1 기판 마크의 위치 정보에 기초하여, 제2 마스크 마크에 대응하는 기판 상의 가상 위치 정보를 설정한다. 위치 조정 수단은, 검지 수단에 의해 검지된 제1 마스크 마크, 제2 마스크 마크 및 제1 기판 마크의 위치 정보와, 가상 위치 정보에 기초하여, 기판 및 마스크의 위치 조정을 행한다.

Description

얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체{ALIGNMENT APPARATUS, FILM FORMING APPARATUS, ALIGNMENT METHOD, MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE, PROGRAM, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체에 관한 것이다.
유기 EL 표시 장치(유기 EL 디스플레이) 등의 제조에 있어서는, 증착용의 마스크를 사용하여 증착 재료를 기판에 증착시키는 경우가 있다. 특허문헌 1에서는, 마스크를 사용한 증착 처리를 행할 때에, 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하는 것이 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본특허공개 제2019-189943호 공보
그런데, 풀 컬러 표시를 행하는 유기 EL 표시 장치에서는, 일반적으로, 적(R), 녹(G), 청(B)의 발광색마다 구분 성막 증착을 행하는 경우가 있지만, 혼색의 방지나 고정세화 등의 관점에서, 이들 구분 성막은 고정밀도로 행해지는 것이 바람직하다. 그 때문에, 기판과 마스크의 얼라인먼트의 정밀도의 개선이 요망된다.
본 발명은, 기판과 마스크의 얼라인먼트의 정밀도를 향상시키는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면으로서의 얼라인먼트 장치는, 마스크에 형성된 제1 마스크 마크 및 제2 마스크 마크, 및 상기 제1 마스크 마크에 대응하여 기판에 형성된 제1 기판 마크를 검지하는 검지 수단과, 상기 검지 수단에 의해 검지된 상기 제1 기판 마크의 위치 정보에 기초하여, 상기 제2 마스크 마크에 대응하는 상기 기판 상의 가상 위치 정보를 설정하는 설정 수단과, 상기 검지 수단에 의해 검지된 상기 제1 마스크 마크, 상기 제2 마스크 마크 및 상기 제1 기판 마크의 위치 정보와, 상기 가상 위치 정보에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 행하는 위치 조정 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 기판과 마스크의 얼라인먼트의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시형태에 따른 전자 디바이스의 제조 장치의 구성의 일부를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 성막 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 일 실시형태에 따른 기판 보유지지 유닛의 사시도이다.
도 4는 도 2의 성막 장치의 하드웨어의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 5의 (a) ∼ (c)는 마스크 및 기판의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 6은 성막 장치에 의한 얼라인먼트 공정의 개략을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은 파인 얼라인먼트 공정의 일례를 설명하는 도면이다.
도 8은 처리부의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다.
도 9의 (a) 및 (b)는 처리부의 처리 예를 나타내는 플로우차트이다.
도 10은 표시부의 표시 예를 나타내는 도면이다.
도 11의 (a)는 유기 EL 표시 장치의 전체 도면이고, (b)는 1화소의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 실시형태는 청구범위에 따른 발명을 한정하는 것이 아니고, 또한 실시형태에서 설명되고 있는 특징의 조합 모두가 발명에 필수적인 것이라고는 할 수 없다. 실시형태에서 설명되고 있는 복수의 특징 중 2개 이상의 특징이 임의로 조합되어도 된다. 또한, 동일 또는 마찬가지의 구성에는 동일한 참조 번호를 붙이고, 중복된 설명은 생략한다.
이하의 설명에 있어서, X 방향 및 Y 방향은 직교하는 수평 방향, Z 방향은 연직 방향을 나타낸다. 또한, 성막시의 기판의 짧은 길이 방향(단변에 평행한 방향)을 X 방향으로 하고, 긴 길이 방향(장변에 평행한 방향)을 Y 방향으로 한다. 또한, Z축 주위의 회전각을 θ로 나타낸다. 한편, 이하의 설명에서는 기판의 형상이 장방형인 경우에 대해 설명하지만, 기판의 형상은 장방형으로 한정되지 않는다. 기판의 형상이 장방형이 아닌 경우에는, 기판의 피처리면 내의 직교하는 2개의 방향을 X 방향 및 Y 방향으로 하면 된다.
<제1 실시형태>
<제조 장치>
도 1은 일 실시형태에 따른 전자 디바이스의 제조 장치(100)의 구성의 일부를 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 1의 제조 장치(100)는, 예를 들면, 유기 EL 표시 장치의 표시 패널의 제조에 사용된다. 스마트폰용의 표시 패널의 경우, 예를 들면 제6 세대의 풀 사이즈(약 1850mm×약 1500mm) 또는 하프 컷 사이즈(약 1500mm×약 925mm)의 기판(5)(도 2 참조)에 유기 EL 형성을 위한 성막을 행한 후, 그 기판(5)을 다이싱하여 복수의 작은 사이즈의 패널이 작성된다.
도 1의 예에서는, 제조 장치(100)는, 복수의 클러스터형 유닛(CU1, CU2, CU3(도시하지 않음), …)이 연결실을 통해 연결된 구조를 갖는다. 클러스터형 유닛이란, 기판 반송 수단으로서의 반송 로봇의 주위에 복수의 성막실이 배치된 구성의 성막 유닛을 말한다. 도 1에는, 제조 장치(100)가 갖는 복수의 클러스터형 유닛 중 일부의 클러스터형 유닛(CU1, CU2) 및 연결실(CN1, CN2)의 구성을 나타내고 있지만, 도시하지 않은 다른 클러스터형 유닛 및 연결실도 마찬가지의 구성을 가지고 있다. 한편, 성막 유닛의 상류에는, 예를 들면, 기판의 스토커(stocker), 가열 장치, 세정 등의 전처리 장치 등이 설치되어도 되고, 성막 유닛의 하류에는, 예를 들면, 봉지 장치, 가공 장치, 처리 완료된 기판의 스토커 등이 설치되어도 되고, 이들 전체를 합쳐서 전자 디바이스의 제조 장치가 구성되어도 된다.
클러스터형 유닛(CU1)은, 유닛의 중앙에 배치된 반송실(TR1)과, 반송실(TR1)의 주위에 배치된 복수의 성막실(EV11∼EV14) 및 마스크실(MS11∼MS12)을 갖는다. 인접하는 2개의 유닛(CU1과 CU2)의 사이는 연결실(CN1)에 의해 접속되어 있고, 마찬가지로, 인접하는 2개의 유닛(CU2과 CU3(도시하지 않음))의 사이는 연결실(CN2)에 의해 접속되어 있다. 보다 구체적으로는, 유닛(CU1, CU2)이 갖는 반송실(TR1과 TR2)의 사이가 연결실(CN1)에 의해 접속되어 있고, 유닛(CU2, CU3(도시하지 않음))이 갖는 반송실(TR2과 TR3(도시하지 않음))의 사이가 연결실(CN2)에 의해 접속되어 있다. 클러스터형 유닛(CU1) 내의 각 실(TR1, EV11∼EV14, MS11∼MS12), 및 연결실(CN1)은 공간적으로 이어져 있고, 그 내부는 진공 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되어 있다. 본 실시형태에서는, 유닛(CUx) 및 연결실(CNx)을 구성하는 각 실은 도시하지 않은 진공 펌프(진공 배기 수단)에 접속되어 있고, 각각 독립적으로 진공 배기가 가능하게 되어 있다. 각각의 실은 「진공 챔버」또는 단순히 「챔버」라고도 불린다. 한편, 본 명세서에서 「진공」이란, 대기압보다 낮은 압력의 기체로 채워진 상태, 달리 말하면 감압 상태를 말한다.
반송실(TR1)에는, 기판(5) 및 마스크(3)를 반송하는 반송 수단으로서의 반송 로봇(RR1)이 설치되어 있다. 반송 로봇(RR1)은, 예를 들면, 다관절 아암에, 기판(5) 및 마스크(3)를 보유지지하는 로봇 핸드가 부착된 구조를 갖는 다관절 로봇이다. 클러스터형 유닛(CU1) 내에서, 기판(3)은 기판(3)의 피처리면(피성막면)이 중력 방향 하방을 향한 수평 상태를 유지한 채로, 반송 로봇(RR1)이나 후술하는 반송 로봇(RC1) 등의 반송 수단에 의해 반송된다. 반송 로봇(RR1)이나 반송 로봇(RC1)이 가지는 로봇 핸드는, 기판(3)의 피처리면의 주연 영역을 보유지지하도록 보유지지부를 갖는다. 반송 로봇(RR1)은, 상류측의 패스실(PS0), 성막실(EV11∼EV14), 하류측의 버퍼실(BC1)의 사이의 기판(3)의 반송을 행한다. 또한, 반송 로봇(RR1)은, 마스크실(MS11)과 성막실(EV11, EV13)의 사이의 마스크(3)의 반송, 및 마스크실(MS12)과 성막실(EV13, EV14)의 사이의 마스크(3)의 반송을 행한다. 반송 로봇(RR1)이나 반송 로봇(RC1)이 가지는 로봇 핸드는, 반송 제어부에 저장된 소정의 프로그램에 따라, 각각 소정의 움직임을 행하도록 구성되어 있다. 각 로봇의 움직임은, 복수의 기판에 대해 복수의 성막실, 복수의 유닛에서 순차적으로, 또는 동시 병행적으로 성막을 행할 때에 있어서, 복수의 기판이 효율적으로 반송되도록 설정된다. 한편, 반송 경로 상에 있어서의 기판의 위치는, 예를 들면 아암의 처짐 정도의 변동 등에 기인한 로봇 핸드의 움직임의 오차 등에 의해, 이상적인 반송 위치로부터 벗어나게 되는 경우가 있다. 로봇 핸드의 움직임을 미세하게 조정하기 위해, 로봇 핸드의 움직임을 결정하는 프로그램은 필요에 따라 수정된다.
마스크실(MS11∼MS12)에는, 각각 2개씩 마스크 스토커가 설치된다. 각각의 실에 설치되는 일방의 마스크 스토커에는 사용전의 마스크(3)가 수용되고, 타방의 마스크 스토커에는 사용을 완료한 마스크(3)가 수용된다. 마스크실(MS11)에는, 성막실(EV11, EV13)에서의 성막에서 사용되기 전의 마스크(3)와 사용된 후의 마스크(3)가 스톡(stock)되고, 마스크실(MS12)에는, 성막실(EV12, EV14)에서 사용되는 마스크(3)가 스톡되어 있다.
성막실(EV11∼EV14)은 기판(5)의 표면에 재료층을 성막하기 위한 실이다. 여기서, 성막실(EV11)과 성막실(EV13)은 동일한 기능을 갖는 실(동일한 성막 처리를 실시 가능한 실)이며, 마찬가지로 성막실(EV12)과 성막실(EV14)도 동일한 기능을 갖는 실이다. 이 구성에 의해, 성막실(EV11)→성막실(EV12)이라고 하는 제1 루트에서의 성막 처리와, 성막실(EV13)→성막실(EV14)이라고 하는 제2 루트에서의 성막 처리를 병렬로 실시할 수 있다.
연결실(CN1)은 유닛(CU1)과 유닛(CU2)을 접속하고, 유닛(CU1)에서 성막된 기판(5)을 후단의 유닛(CU2)으로 전달하는 기능을 가지고 있다. 본 실시형태의 연결실(CN1)은, 상류측에서부터 순서대로, 버퍼실(BC1), 선회실(TC1), 및 패스실(PS1)로 구성된다. 다만, 연결실(CN1)의 구성은 이것에 한정되지 않고, 버퍼실(BC1) 또는 패스실(PS1)만으로 연결실(CN1)이 구성되어 있어도 된다.
버퍼실(BC1)은, 유닛(CU1) 내의 반송 로봇(RR1)과, 연결실(CN1) 내의 반송 로봇(RC1)의 사이에서, 기판(5)의 전달을 행하기 위한 실이다. 버퍼실(BC1)은, 유닛(CU1)과 후단의 유닛(CU2)의 사이에 처리 속도의 차이가 있는 경우, 또는, 하류측의 문제의 영향으로 기판(5)을 통상대로 흐르게 할 수 없는 경우 등에, 복수의 기판(5)을 일시적으로 수용함으로써, 기판(5)의 반입 속도나 반입 타이밍을 조정하는 기능을 가진다. 예를 들면, 버퍼실(BC1) 내에는, 복수 매의 기판(5)을 기판(5)의 피처리면이 중력 방향 하방을 향하는 수평 상태를 유지한 채로 수납 가능한 다단 구조의 기판 수납 선반(카세트라고도 불림)과, 기판(5)을 반입 또는 반출하는 단을 반송 위치에 맞추기 위해 기판 수납 선반을 승강시키는 승강 기구가 설치된다.
선회실(TC1)은 기판(5)의 방향을 180도 회전시키기 위한 실이다. 선회실(TC1) 내에는, 버퍼실(BC1)로부터 패스실(PS1)로 기판(5)을 전달하는 반송 로봇(RC1)이 설치되어 있다. 기판(5)의 상류측의 단부를 「후단」, 하류측의 단부를 「전단」이라고 부르는 경우에, 반송 로봇(RC1)은, 버퍼실(BC1)에서 수취한 기판(5)을 지지한 상태로 180도 선회하여 패스실(PS1)로 넘겨줌으로써, 버퍼실(BC1) 내와 패스실(PS1) 내에서 기판(5)의 전단과 후단이 바뀌도록 한다. 이에 의해, 성막실에 기판(5)을 반입할 때의 방향을, 상류측의 유닛(CU1)과 하류측의 유닛(CU2)에서 동일한 방향으로 할 수 있다. 그 결과, 기판(5)에 대한 성막의 스캔 방향이나 마스크(3)의 방향을 각 유닛(CUx)에서 일치시킬 수 있고, 마스크(M)의 관리가 간이화되어 사용성을 높일 수 있다.
패스실(PS1)은, 연결실(CN1) 내의 반송 로봇(RC1)과, 하류측의 유닛(CU2) 내의 반송 로봇(RR2)의 사이에서, 기판(5)의 전달을 행하기 위한 실이다. 본 실시형태에서는, 패스실(PS1) 내에서 기판(5)의 얼라인먼트가 행해진다. 기판(5)은 반송 로봇(RR1) 및 반송 로봇(RC1)에 의해 반송되지만, 기판의 반송 과정이나 기판의 전달 시에 기판의 위치에 어긋남이 생길 수 있다. 이에, 패스실(PS1) 내에서의 기판(5)의 위치를 이상적인 위치에 맞추도록 얼라인먼트하여 둠으로써, 하류측의 유닛(CU2)의 각 성막실로 반입될 때의 기판의 위치 정밀도를 높일 수 있다. 그 결과, 해당 성막실에 있어서의 얼라인먼트의 정밀도를 높이거나, 얼라인먼트에 필요한 택트 타임을 단축시킬 수 있다.
성막실(EV11∼EV14), 마스크실(MS11∼MS12), 반송실(TR1), 버퍼실(BC1), 선회실(TC1), 패스실(PS1)의 사이에는, 개폐 가능한 문(예를 들면, 도어 밸브 또는 게이트 밸브)이 설치되어 있어도 되고, 항상 개방된 구조이어도 된다.
각 성막실(EV11∼EV14)에는 각각 성막 장치(10)(증착 장치)가 설치되어 있다. 성막 장치(10)는, 반송 로봇(RR1)으로부터의 기판(5)의 전달, 기판(5)과 마스크(3)(도 2 참조)의 상대위치의 조정(얼라인먼트), 마스크(3) 상으로의 기판(5)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 프로세스를 자동으로 행한다. 한편, 각 성막실(EV11∼EV14) 내의 성막 장치(10)는, 증발원(도 2 참조)이나 마스크(3)의 차이 등은 있지만, 주된 구성은 공통되어 있다. 성막 장치(10)의 상세 내용에 대해서는 <성막 장치>에서 설명한다.
한편, 제조 장치(100)는, 전술한 유기 EL 표시 장치의 표시 패널에 한정되지 않고, 제조 과정에 있어서 기판 표면에 진공 증착이나 스퍼터, CVD 등의 각종 성막 방법에 의해 원하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 제품의 제조에 사용 가능하다. 구체적으로는, 제조 장치(100)는, 박막 태양 전지나 유기 광전 변환 소자(유기 박막 촬상 소자)와 같은 유기 전자 디바이스나, 광학 부재 등의 제조에 사용 가능하다. 또한, 성막 장치(10)에서 성막이 행해지는 기판(5)의 재료로서는, 유리, 수지, 금속 등의 재료를 적절히 선택 가능하고, 유리 상에 폴리이미드 등의 수지층이 형성된 것이 바람직하게 사용된다. 또한, 증착 재료로서는, 유기 재료, 무기 재료 등의 재료를 적절히 선택 가능하다.
<성막 장치>
도 2는 일 실시형태에 따른 성막 장치(10)의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 3은 일 실시형태에 따른 기판 보유지지 유닛(13)의 사시도이다. 성막 장치(10)는, 마스크(3)를 사용하여 증착 재료를 기판(5)에 증착시킴으로써, 기판(5)에 대해 소정의 패턴으로의 성막을 행하는 장치이다. 본 실시형태에서는, 성막 장치(10)는 챔버(11), 증발원(12), 기판 보유지지 유닛(13), 위치 조정 기구(14)(도 4 참조), 마스크대(15), 검지 유닛(16), 및 냉각 유닛(17)을 포함한다.
챔버(11)는 그 내부를 진공 분위기, 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지한다. 챔버(11)의 내부에는, 주로 증발원(12), 기판 보유지지 유닛(13), 마스크대(15) 및 냉각 유닛(17)이 설치되어 있다.
증발원(12)은, 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기로 유지된 챔버(11) 내에서 증착 재료를 증발 또는 승화시켜 기판(5) 상에 성막하는 성막 수단이다. 예를 들면, 증발원(12)은, 증착 재료를 가열 증발시키기 위한 히터 등의 열원, 증착 재료를 수용하는 용기, 증착 레이트를 감시하는 증착 모니터 등을 포함할 수 있다. 본 실시형태에서는, 증발원(12)은 복수의 노즐(도시하지 않음)이 X 방향으로 나란히 배치되고, 각각의 노즐로부터 증착 재료가 방출되는 리니어 증발원이다. 증발원(12)은, 증발원 이동 기구(도시하지 않음)에 의해 Y 방향으로 왕복 이동된다.
기판 보유지지 유닛(13)은, 챔버(11) 내에서 기판(5)을 보유지지, 반송한다. 본 실시형태에서는, 기판 보유지지 유닛(13)은, 지지 프레임(131)과, 기판 액추에이터(132)와, 클램프 부재(133)와, 클램프 액추에이터(134)를 포함한다.
지지 프레임(131)은 기판(5)을 지지한다. 일 실시형태에 있어서, 지지 프레임(131)은, 기판(5)을 지지했을 때에 기판을 둘러싸도록 설치되는 프레임부(1311)와, 프레임부(1311)로부터 프레임부(1311)의 내측으로 연장하며, 기판(5)의 4변의 근방(한 쌍의 단변의 근방 및 한 쌍의 장변의 근방)을 아래쪽에서부터 지지하는 복수의 지지부(1312)를 갖는다. 기판 액추에이터(132)는, 프레임부(1311)에 접속하도록 설치되고, 지지 프레임(131)을 상하 방향(Z 방향)으로 이동시킴으로써, 지지 프레임(131)에 지지된 기판(5)을 상하로 이동시킨다. 한편, 도 3의 예에서는 프레임부(1311)는 사각 형상의 기판(5)의 외주를 둘러싸도록 한 잘린 부분이 없는 사각형 프레임형으로 하였지만, 이것에 한정되지 않고, 부분적으로 절결부가 있는 사각형 프레임형이어도 된다. 프레임부(1311)에 절결부를 형성함으로써, 반송 로봇(RR1)으로부터 기판 보유지지 유닛(13)의 지지부(1312)로 기판(5)을 전달할 때에 반송 로봇(RR1)을 프레임부(1311)를 피해 퇴피시킬 수 있게 되어, 기판(5)의 반송 및 전달의 효율을 향상시킬 수 있다.
클램프 부재(133)는 지지 프레임(131)과 함께 기판(5)을 보유지지한다. 구체적으로는, 클램프 부재(133)는, 기판(5)의 장변의 근방(이하, 단지 「장변」이라고 칭하는 경우가 있음)을 지지하고 있는 복수의 지지부(1312)의 위치에 대응하여 각각 설치된 복수의 압압 부재(1331)와, 기판(5)의 각 장변을 따라 각각 설치되며, 압압 부재(1331)를 지지하는 베이스부(1332)를 포함하고, 압압 부재(1331)를 지지부(1312)에 압압시킨다. 이에 의해, 기판(5)이 압압 부재(1331)와 지지부(1312)에 의해 끼워진다. 클램프 액추에이터(134)는, 클램프 부재(133)를 상하 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 지지 프레임(131) 및 클램프 부재(133)는, 기판(5)을 협지하거나, 협지 상태로부터 해방하거나 한다. 한편, 클램프 액추에이터(134)는, 기판 액추에이터(132)에 의해 지지 프레임(131)과 함께 상하 방향으로 이동하도록 설치됨으로써, 지지 프레임(131)이 상승 또는 하강해도 기판(5)의 협지 상태가 변화되지 않도록 구성될 수 있다. 한편, 지지부(1312)는 「수취 핑거」또는 「핑거」라고도 불리고, 압압 부재(1331)는 「클램프」라고도 불리는 경우가 있다.
위치 조정 기구(14)(도 4 참조)는, 기판(5) 및 마스크(3)의 상대적인 위치 조정을 행한다. 구체적으로는, 위치 조정 기구(14)는, 기판(5) 및 마스크(3)의 XY 방향의 상대위치 및 Z축 주위의 상대각도에 대해 조정을 행한다. 본 실시형태에서는, 위치 조정 기구(14)는, 기판 보유지지 유닛(13)을 X 방향으로 이동시키는 액추에이터, 기판 보유지지 유닛(13)을 Y 방향으로 이동시키는 액추에이터, 및 기판 보유지지 유닛(13)을 Z축 주위로 회전시키는 액추에이터를 구비한다(모두 도시하지 않음). 이에 의해, 위치 조정 기구(14)는, 마스크(3)의 위치를 유지하면서, 기판(5)을 보유지지한 기판 보유지지 유닛(13)을 이동시킴으로써 위치 조정을 행한다. 그러나, 위치 조정 기구(14)는, 기판(5)의 위치를 유지하면서 마스크(3)를 이동시키거나, 기판(5) 및 마스크(3)의 양쪽을 이동시키거나 함으로써, 이들의 상대위치를 조정해도 된다.
여기서, 본 실시형태의 성막 장치(10)는, 위치 조정 기구(14)에 의해, 기판(5)과 마스크(3)간의 얼라인먼트로서, 러프 얼라인먼트 및 파인 얼라인먼트의 2단계의 얼라인먼트를 실행한다. 러프 얼라인먼트는 기판(5) 및 마스크(3)의 대략적인 위치 조정이며, 파인 얼라인먼트는 러프 얼라인먼트보다 고정밀도의 기판(5) 및 마스크(3)의 위치 조정이다. 이들의 상세 내용에 대해서는 후술한다.
마스크대(15)는, 챔버(11) 내에서 마스크를 지지하는 대이며, 기판 보유지지 유닛(13)의 하방 그리고 증발원(12)의 상방에 설치된다. 성막시에는, 마스크대(15)에 지지된 마스크(3) 위에 기판(5)이 재치된다.
검지 유닛(16)은, 기판(5) 및 마스크(3)에 형성된 얼라인먼트용의 마크를 검지한다. 본 실시형태에서는, 검지 유닛(16)은, 러프 얼라인먼트용의 마크를 검지하는 복수의 카메라(1601, 1602)와, 파인 얼라인먼트용의 마크를 검지하는 복수의 카메라(1611∼1614)를 포함한다. 카메라(1601, 1602)는, 기판(5)의 단변 중앙 부근의 소정 영역을 각각 촬영하여, 마스크 마크(301, 302) 및 기판 마크(501, 502)(도 5의 (a)∼도 5의 (c) 참조)를 검지한다. 또한, 카메라(1611∼1614)는, 기판(5)의 코너 부근의 소정 영역을 각각 촬영하여, 마스크 마크(311∼314) 및 기판 마크(511∼514)(도 5의 (a)∼도 5의 (c) 참조)를 각각 검지한다. 한편, 이하의 설명에서, 카메라(1601, 1602)를 총칭하여 러프 카메라(160)라고 부르고, 카메라(1611∼1614)를 총칭하여 파인 카메라(161)라고 부르는 경우가 있다. 또한, 검지 유닛(16)은, 카메라에 한정되지 않고 다른 광학적인 방법으로 마크를 검지해도 된다.
냉각 유닛(17)은 기판(5)을 냉각하고, 그 온도 상승을 억제함으로써 유기 재료의 변질이나 열화를 억제한다. 본 실시형태에서는, 냉각 유닛(17)은, 냉각판(170)과, 냉각판 액추에이터(171)를 포함한다.
냉각판(170)은 기판(5)을 냉각하는 판형상의 부재이며, 예를 들면 증발원(12)에 의해 성막이 이루어지는 기판(5)의 영역과 같은 정도의 크기를 갖는다. 예를 들면, 냉각판(170)은, 기판 보유지지 유닛(13)에 의해 보유지지된 기판(5)의 상측에 위치하도록 설치되고, 기판(5)의 성막이 이루어지는 면과 반대측의 면에 접촉함으로써 기판(5)을 냉각한다. 또한, 냉각판(170)은, 자력에 의해 마스크(3)를 기판(5)으로 끌어당겨, 기판(5)과 마스크(3)의 밀착성을 높이는 마그넷판을 겸하고 있어도 된다. 한편, 냉각판(170)과는 별체로 마그넷판이 설치되는 구성도 채용 가능하다. 또한, 냉각판(170)은 수냉 기구 등에 의해 적극적으로 기판(5)을 냉각하는 것에 한정되지 않고, 수냉 기구 등은 설치되어 있지 않으나 기판(5)과 접촉함으로써 기판(5)의 열을 빼앗도록 한 판형상 부재이어도 된다. 냉각판(170)은 누름판이라고 부를 수도 있다.
냉각판 액추에이터(171)는, 냉각판(170)을 상하 방향(Z 방향)으로 이동시킨다. 한편, 냉각판(170)과 마그넷판이 별체로 설치되는 경우에는, 이들을 독립적으로 이동 가능하도록, 마그넷판을 상하 방향으로 이동시키는 액추에이터가 별도 설치되어도 된다.
<제어 구성>
도 4는 도 2에 나타낸 성막 장치(10)의 하드웨어의 구성예를 나타내는 도면이다. 도 4에서는, 기판(5)과 마스크(3)의 얼라인먼트에 관련되는 구성을 중심으로 나타내고 있다. 예를 들면, 성막 장치(10)는, 제조 장치(100)를 통괄적으로 제어하는 호스트 컴퓨터(H)로부터의 지시에 기초하여, 소정의 동작을 실행한다.
제어부(18)는, 처리부(181)와, 기억부(182)와, I/F부(183)(인터페이스부)를 구비하고, 이들은 서로 도시하지 않은 버스에 의해 접속되어 있다. 처리부(181)는 예를 들면 CPU이다. 처리부(181)는, 기억부(182)에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 위치 조정 기구(14)나 각종 액추에이터(20)의 구동을 제어한다. 기억부(182)는, 예를 들면, RAM, ROM, 하드 디스크 등이며, 처리부(181)가 실행하는 프로그램 이외에, 각종의 데이터가 저장된다. I/F부(183)는, 처리부(181)와 외부 디바이스와의 신호의 송수신을 중계한다. I/F부(183)는, 예를 들면, 통신 I/F나 입출력 I/F로 구성된다.
표시부(19)는 각종 정보를 표시한다. 또한, 각종 액추에이터(20)로서는, 전술한 기판 액추에이터(132), 클램프 액추에이터(134), 냉각판 액추에이터(171) 등이 포함될 수 있다.
<기판 및 마스크>
도 5의 (a)∼(c)는 마스크(3) 및 기판(5)의 구성예를 나타내는 평면도이며, 도 5의 (a)는 마스크(3) 단독, 도 5의 (b)는 기판(5) 단독, 도 5의 (c)는 마스크(3)와 기판(5)을 겹쳐진 상태를 나타내고 있다. 한편, 도 5의 (c)에 있어서, 영역(R1∼R6)은 각각, 카메라(1611∼1614, 1601, 1602)의 검지 영역을 나타낸다. 또한, 도 5의 (a)∼(c)는, 이해를 용이하게 하기 위해 각 마크를 강조하여 나타내고 있기 때문에, 실제의 사이즈와는 다르다.
마스크(3)는, 원하는 패턴으로 기판(5)에 증착 재료를 증착하기 위한 것이다. 마스크(3)의 기판(5)과 겹치는 영역에는, 소정의 패턴의 개구가 형성되어 있고(도 5의 (a) 등에서는 생략), 기판(5)의 일방의 면이 마스크(3)에 덮여진 상태로 증착을 행함으로써, 개구에 따른 패턴으로 기판(5)에 증착 재료가 증착된다. 한편, 마스크(3)로서는, 프레임 형상의 마스크 프레임에 수㎛∼수십㎛ 정도의 두께의 마스크 박이 용접 고정된 구조를 갖는 마스크를 사용할 수 있다. 마스크(3)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 인바(invar) 재료 등의 열팽창 계수가 작은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 마스크(3)에는, 러프 얼라인먼트용의 마스크 마크(301, 302) 및 파인 얼라인먼트용의 마스크 마크(311∼314)가 형성되어 있다. 마스크 마크(301, 302)는 각각, 마스크(3)의 단변의 중앙 부근에 형성되고, 대응하는 카메라(1601, 1602)에 의해 검지된다. 마스크 마크(311∼314)는 각각, 마스크(3)의 코너 부근에 형성되고, 대응하는 카메라(1611∼1614)에 의해 검지된다. 한편, 이하의 설명에 있어서, 마스크 마크(301, 302)를 총칭하여 마스크 러프 마크(30)라고 부르고, 마스크 마크(311∼314)를 총칭하여 마스크 파인 마크(31)라고 부르는 경우가 있다. 즉, 마스크 러프 마크(30)는 러프 카메라(160)에 의해 검지되고, 마스크 파인 마크(31)는 파인 카메라(161)에 의해 검지된다.
기판(5)은, 증착 물질이 증착되는 대상이 되는 부재이며, 검지 유닛(16)에 의해 검지되는 광을 투과하는 투과성을 갖는다. 기판(5)은, 반송 로봇(RR1)에 의해 기판(5)이 챔버(11) 내로 반송되면, 기판 보유지지 유닛(13)에 보유지지된 상태에서, 위치 조정 기구(14)에 의해 마스크(3)와의 사이에서 위치 조정이 행해진다. 또한, 기판(5)이 투과성을 가짐으로써, 마스크(3)와 검지 유닛(16)의 사이에 기판(5)이 배치되어 있어도 검지 유닛(16)이 마스크 마크(30, 31)를 검지할 수 있다.
기판(5)에는, 러프 얼라인먼트용의 기판 마크(501, 502) 및 파인 얼라인먼트용의 기판 마크(511∼514)가 형성되어 있다. 기판 마크(501, 502)는 각각, 기판(5)의 단변의 중앙 부근에 형성되고, 대응하는 카메라(1601, 1602)에 의해 검지된다. 기판 마크(511∼514)는 각각, 기판(5)의 코너 부근에 형성되고, 대응하는 카메라(1611∼1614)에 의해 검지된다. 한편, 이하의 설명에 있어서, 기판 마크(501, 502)를 총칭하여 기판 러프 마크(50)라고 부르고, 기판 마크(511∼514)를 총칭하여 기판 파인 마크(51)라고 부르는 경우가 있다. 즉, 기판 러프 마크(50)는 러프 카메라(160)에 의해 검지되고, 기판 파인 마크(51)는 파인 카메라(161)에 의해 검지된다.
본 실시형태에서는, 기판 마크(50, 51)는 각각, 위치 검지용 마크(50a, 51a)와 각도 검지용 마크(50b, 51b)에 의해 구성된다. 그러나, 이들이 일체로 된 구성이나 각 기판 마크(50, 51)의 위치만을 검지하는 구성도 채용 가능하다. 또는, 기판 파인 마크(51)는 위치 검지용 마크(51a) 및 각도 검지용 마크(51b)에 의해 구성되고, 기판 러프 마크(50)는 위치 검지용 마크(50a)만으로 구성되어도 된다. 즉, 기판 마크(50, 51) 중 어느 일방은 위치 검지용 마크 및 각도 검지용 마크에 의해 구성되고, 타방은 위치 검지용 마크만으로 구성되어도 된다.
또한, 본 실시형태에서는, 러프 얼라인먼트에 있어서는, 기판 러프 마크(50)와 그들에 대응하는 마스크 러프 마크(30)의 위치 관계가 소정 조건을 만족하도록 기판(5) 및 마스크(3)의 상대위치가 조정된다. 또한, 파인 얼라인먼트에 있어서는, 기판 파인 마크(51)와 그들에 대응하는 마스크 파인 마크(31)의 위치 관계가 소정 조건을 만족하도록 기판(5) 및 마스크(3)의 상대위치가 조정된다.
<얼라인먼트 공정의 개략>
도 6은 성막 장치(10)에 의한 얼라인먼트 공정의 개략을 모식적으로 나타내는 도면이다. 상태(ST1∼ST2)는 얼라인먼트 실시전의 상태, 상태(ST3)는 러프 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태, 상태(ST4∼ST8)는 파인 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태를 각각 나타내고 있다.
상태(ST1)는, 기판(5)이 반송 로봇(RR1)에 의해 챔버(11) 내로 반입된 상태를 나타내고 있다. 이 상태에서는, 기판(5)은 지지 프레임(131) 상에 재치되어 있지만, 클램프 부재(133)는 기판(5)의 상방으로 이격되어 있다. 따라서, 기판(5)은 협지되어 있지 않다. 또한, 기판(5)은 자중에 의해 중앙 부분이 처져 있다.
상태(ST2)는, 지지 프레임(131)과 클램프 부재(133)에 의해 기판(5)이 협지된 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 상태(ST1)로부터, 클램프 액추에이터(134)에 의해 클램프 부재(133)가 하방으로 이동함으로써 지지 프레임(131)과 클램프 부재(133)에 의해 기판(5)의 장변을 협지하고 있다.
상태(ST3)는, 러프 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 러프 카메라(160)에 의해, 기판 러프 마크(50) 및 마스크 러프 마크(30)를 검지하고, 그 검지 결과에 기초하여 위치 조정 기구(14)가 기판(5)의 XY 방향의 위치 및 Z축 주위의 회전각 θ를 조정한다. 한편, 위치 조정 기구(14)에 의한 조정 후, 다시 러프 카메라(160)에 의해 기판 러프 마크(50) 및 마스크 러프 마크(30)를 검지하고, 검지 결과가 조건을 만족하지 않는 경우에는 다시 위치 조정 기구(14)에 의한 위치 조정을 행해도 된다.
상태(ST4) 이후는, 파인 얼라인먼트가 실행되고 있는 상태를 나타내고 있다. 상태(ST4)는, 기판 액추에이터(132)에 의해 기판 보유지지 유닛(13)을 하강시켜 파인 카메라(161)에 의해 기판 파인 마크(51) 및 마스크 파인 마크(31)의 검지를 행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 한편, 검지 결과가 조건을 만족하고 있는 경우에는 상태(ST5, ST6)를 생략해도 된다. 여기서, 얼라인먼트에 의한 위치 조정의 정밀도를 향상시키기 위해서는, 검지 유닛(16)에 의한 각 마크의 검지 정밀도를 높이는 것이 요구된다. 그 때문에, 높은 정밀도에서의 위치 조정이 요구되는 파인 얼라인먼트에서 사용되는 파인 카메라(161)로서는, 높은 해상도로 화상을 취득 가능한 카메라를 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 카메라의 해상도를 높이면, 피사계 심도가 얕아지기 때문에, 촬영 대상이 되는 기판(5)에 형성되어 있는 마크와 마스크(3)에 형성되어 있는 마크를 동시에 촬영하기 위해 양쪽 마크를 파인 카메라(161)의 광축 방향에서 한층 더 접근시킬 필요가 있다. 이에, 본 실시형태에서는, 파인 얼라인먼트에 있어서 기판 파인 마크(51) 및 마스크 파인 마크(31)를 검지할 때에, 기판(5)을, 러프 얼라인먼트에 있어서 기판 러프 마크(50) 및 마스크 러프 마크(30)를 검지할 때보다도 마스크(3)에 접근시킨다. 이 때, 도 6의 상태(ST4)에 나타내는 바와 같이, 기판(5)은 부분적으로 마스크(3)와 접촉한 상태가 된다. 기판(5)은 주연 영역이 지지되어 있으므로 자중에 의해 중앙부가 처진 상태가 되기 때문에, 전형적으로는, 기판(5)의 중앙부가 부분적으로 마스크(3)와 접촉한 상태가 된다.
한편, 러프 얼라인먼트에 있어서는 도 6의 상태(ST3)에 나타내는 바와 같이 기판(5)과 마스크(3)가 이격된 상태로, 기판 러프 마크(50) 및 마스크 러프 마크(30)의 검지와, 기판(5) 및 마스크(3)의 위치 조정이 행해진다. 러프 얼라인먼트에 있어서는, 비교적 피사계 심도가 깊은 러프 카메라(160)를 사용함으로써, 기판(5)과 마스크(3)가 이격된 채로 얼라인먼트를 행할 수 있다. 본 실시형태에서는, 이와 같이, 러프 얼라인먼트에 의해 기판(5)과 마스크(3)를 이격시킨 채로 대략적으로 위치의 조정을 행하고 나서, 위치 조정의 정밀도가 보다 높은 파인 얼라인먼트를 행하도록 하고 있다. 이에 의해, 파인 얼라인먼트에 있어서 마크의 검지를 위해 기판(5)과 마스크(3)를 접근시켜 접촉시켰을 때에는, 기판(5)과 마스크(3)는 그 상대위치가 이미 어느 정도 조정되어 있기 때문에, 기판(5) 위에 형성되어 있는 막의 패턴과 마스크(3)의 개구 패턴이 어느 정도 정렬된 상태로 접촉하게 된다. 그 때문에, 기판(5)과 마스크(3)가 접촉하는 것에 의한 기판(5) 위에 형성되어 있는 막에 대한 손상을 저감할 수 있다. 즉, 본 실시형태와 같이 기판(5)과 마스크(3)를 이격시킨 채로 대략적으로 위치 조정을 행하는 러프 얼라인먼트와, 기판(5)과 마스크(3)를 부분적으로 접촉시키는 공정을 포함하는 파인 얼라인먼트를 조합시켜 실행함으로써, 기판(5) 위에 형성되어 있는 막에 대한 손상을 저감하면서 고정밀도의 위치 조정을 실현할 수 있다.
상태(ST5)는, 카메라(161)에 의한 검지 결과에 기초하여, 기판(5)의 위치 조정을 행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 기판 액추에이터(132)에 의해 기판 보유지지 유닛(13)을 상승시켜 기판(5)을 마스크(3)로부터 이격시킨 후에, 위치 조정 기구(14)가 기판(5)의 XY 방향의 위치 및 Z축 주위의 회전각 θ를 조정하고 있다.
상태(ST6)는, 기판(5)을 마스크(3)에 다시 접근시켜, 기판(5)이 마스크(3)에 접촉한 상태에서 카메라(161)에 의해 기판 마크(51) 및 마스크 마크(31)를 검지하고 있는 상태를 나타내고 있다. 검지 결과가 조건을 만족하고 있는 경우에는 상태(ST7)로 진행하고, 조건을 만족하지 않는 경우에는 상태(ST5)로 되돌아간다.
상태(ST7)는, 기판(5)을 마스크(3) 상에 재치하고, 그 위에 냉각판(170)을 겹친 상태를 나타내고 있다. 구체적으로는, 기판 액추에이터(132)에 의해 기판 보유지지 유닛(13)을 하강시켜 기판(5)을 마스크(3) 상에 재치한 후, 냉각판 액추에이터(171)에 의해 냉각판(170)을 하강시켜 냉각판(170)을 기판(5)에 접촉시키고 있다.
상태(ST8)는, 카메라(161)에 의한 최종적인 위치 확인을 실행하고 있는 상태를 나타내고 있다. 상태(ST7)에서 기판(5)이 마스크(3)와 냉각판(170) 사이에 끼워진 상태가 된 후에, 클램프 액추에이터(134)에 의해 클램프 부재(133)가 상방으로 이동함으로써 클램프 부재(133)가 기판(5)으로부터 이격되고, 기판(5)의 장변의 협지 상태가 해제된다. 그 후, 기판 액추에이터(132)에 의해 기판 보유지지 유닛(13)을 하강시켜, 기판(5)의 주연 영역과 접촉하고 있던 지지 프레임(131)의 복수의 지지부(1312)를 기판(5)으로부터 이격시킨다. 이에 의해, 기판(5)은 기판 보유지지 유닛(13)으로부터 이격되고, 마스크(3)와 냉각판(170)에 의해 협지된 상태가 된다. 이 상태에서, 파인 카메라(161)에 의해 기판 파인 마크(51) 및 마스크 파인 마크(31)를 검지하고, 이들 위치 관계가 조건을 만족하고 있는지 여부를 확인한다. 이들 위치 관계가 조건을 만족하고 있으면, 기판(5)과 마스크(3)의 얼라인먼트를 종료하고, 조건을 만족하고 있지 않으면, 상태(ST5)로 되돌아간다.
도 7은 파인 얼라인먼트 공정의 일례를 설명하는 도면이다.
처리부(181)는, 각 카메라(1611∼1614)의 검지 결과에 기초하여, 마스크(3)에 형성된 복수의 마스크 마크(311∼314)의 위치(P1∼P4)를 취득한다. 본 실시형태에서는, 위치(P1∼P4)는 각각, 원형의 마스크 마크(311∼314)의 중심 위치이다. 또한, 본 실시형태에서는, 기억부(182)에는, 각 카메라(1611∼1614)의 각각의 시야 내에 있어서의 좌표계(카메라 좌표계)와, 성막 장치(10)의 전체에 있어서의 좌표계(월드 좌표계(world coordinate system))를 관련짓는 정보가 기억되어 있다. 처리부(181)는, 각 카메라(1611∼1614)의 각각의 검지 결과에 기초하여, 각각의 카메라 좌표계에 있어서의 마스크 마크(311∼314)의 위치(P1∼P4)의 좌표를 산출한다. 처리부(181)는, 전술한 카메라 좌표계와 월드 좌표계를 관련짓는 정보로부터 복수의 마스크 마크(311∼314)의 위치(P1∼P4)의 월드 좌표계에 있어서의 좌표를 취득한다.
또한, 처리부(181)는, 각 카메라(1611∼1614)의 검지 결과에 기초하여, 기판(5)에 형성된 복수의 기판 마크(511∼514)로부터, 마스크 마크(311∼314)의 각각에 대응하는 목표 위치(511T∼514T)를 기판(5) 상에 설정한다. 한편, 목표 위치(511T∼514T)에 대해서도 마스크 마크(311∼314)의 위치(P1∼P4)와 마찬가지로, 카메라 좌표계와 월드 좌표계를 관련지은 정보에 기초하여, 월드 좌표계에 있어서의 좌표로 설정된다. 본 실시형태에서는, 십자형의 위치 검지용 마크(511a∼514a)의 X 방향으로 연장하는 부분으로부터, 소정 거리만큼 기판(5)의 내측 위치에 목표 위치(511T∼514T)가 설정된다. 한편, 도 7에서는, 위치(P1)와 목표 위치(511T) 간의 거리를 L1로 나타내고 있다. 위치(P2∼P4)와 목표 위치(512T∼514T)의 사이의 각각의 거리에 대해서도 마찬가지로 L2∼L4로 나타내고 있다.
그리고, 처리부(181)는, 복수의 마스크 마크(311∼314)의 위치(P1∼P4)와, 그들에 대응하는 목표 위치(511T∼514T)에 기초하여, 위치 조정 기구(14)에 의해 기판(5)과 마스크(3)의 상대위치를 조정한다. 일례로서, 먼저, 처리부(181)는, 위치(P1∼P4)의 중심(重心)과, 목표 위치(511T∼514T)의 중심(重心)이 일치하도록 위치 조정 기구(14)에 의해 기판(5)의 위치를 조정한다. 그 후, 처리부(181)는, 거리(L1∼L4)의 제곱 합이 최소가 되도록, 위치(P1∼P4)의 중심과 목표 위치(511T∼514T)의 중심이 일치한 상태를 유지하면서 기판(5)을 위치 조정 기구(14)에 의해 회전시킨다. 한편, 설명한 얼라인먼트 방법은 예시이며, 다른 주지된 기술을 적용 가능하다.
그런데, 전술한 바와 같이, 유기 EL 표시 장치에 있어서 적(R), 녹(G), 청(B)의 발광색마다 구분 성막 증착을 행하는 경우 등에는, 고정밀도의 얼라인먼트가 요구된다. 여기서, 기판 파인 마크(51) 및 마스크 파인 마크(31)를 사용하여 얼라인먼트를 행할 시에는, 서로 대응지어지는 기판 파인 마크(51) 및 마스크 파인 마크(31)의 세트의 수가 많을수록 얼라인먼트 후의 기판(5)과 마스크(3)의 어긋남이 작은 값에 수렴하여, 얼라인먼트의 정밀도가 향상된다. 이것은, 기판 파인 마크(51) 및 마스크 파인 마크(31)를 형성할 때의 가공 오차나 각 파인 카메라(161)에 의한 검지 오차 등의 각종 오차가 평균화되기 때문이다. 한편, 여기서는 기판 파인 마크(51) 및 마스크 파인 마크(31)에 대해 설명하지만, 기판 러프 마크(50) 및 마스크 러프 마크(30)에 대해서도 마찬가지이다.
한편, 기판(5)은 복수의 성막실로 순차 반송되면서 복수의 증착 재료에 의한 성막이 반복 행하여지기 때문에, 반송시나 성막시에 기판(5)의 마크가 형성되어 있는 영역에도 재료가 부착되는 등으로 오염되는 경우가 있다. 또는, 증착 공정 전의 TFT 회로 형성 공정(백플레인(backplane) 공정) 등에 있어서 기판(5)의 마크가 형성되어 있는 영역이 오염되고, 오염된 상태의 기판(5)이 증착을 행하는 성막실로 반입되어 오는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 얼라인먼트를 행할 때에, 기판(5)의 오염 등에 의해 검지 유닛(16)이 기판 마크(51)를 검지할 수 없는 경우가 있다. 기판 마크(511∼514) 중의 어느 것을 검지할 수 없었던 경우, 검지된 기판 마크와 그에 대응하는 마스크 마크에만 기초하여 얼라인먼트를 행하는, 즉, 검지할 수 없었던 마크는 사용하지 않고, 사용하는 마크의 세트의 수를 통상시보다 줄여 얼라인먼트를 행하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 이 경우, 대응되는 기판 파인 마크(51) 및 마스크 파인 마크(31)의 세트의 수가 적어짐으로써, 얼라인먼트를 요구되는 정밀도로 행할 수 없는 경우가 있다.
또한, 제조시에는, 동일한 마스크(3)를 사용하여 복수의 기판(5)에 대해 성막을 행하는 경우가 있다. 여기서, 검지되지 않는 기판 마크(51)가 1개 있는 경우에 검지할 수 있었던 나머지 3개의 기판 마크(51)로 얼라인먼트를 행하면, 4개의 기판 마크(51)를 사용하여 얼라인먼트를 행한 경우와 다른 위치로 얼라인먼트 결과가 수렴하여 버리는 경우가 있다. 이 결과, 동일한 제조 로트(여기서는, 동일한 마스크(3)를 사용하여 성막을 행한 기판(3)을 하나의 제조 로트라고 함) 내에서 기판(5)에 대한 성막 위치에 편차가 생겨 버리는 경우가 있다.
이에, 본 실시형태에서는, 보다 고정밀도의 얼라인먼트를 행하기 위해, 처리부(181)가 이하의 처리를 실행하고 있다.
<처리 예>
도 8은 처리부(181)의 처리 예를 나타내는 플로우차트이며, 파인 얼라인먼트를 행할 때의 처리의 개략을 나타내고 있다. 보다 구체적으로는, 검지 유닛(16)의 검지 결과에 기초하여, 기판(5) 상에 가상적인 마크(가상 마크)를 설정하고, 가상 마크를 사용하여 얼라인먼트를 행하는 경우의 처리가 나타내어져 있다. 예를 들면, 본 플로우차트는, 도 6의 상태(ST4∼ST5)로 도시한 동작 중에서 실행된다. 또한, 본 플로우차트는, 예를 들면 처리부(181)가 기억부(182)에 기억되어 있는 프로그램을 판독하여 실행함으로써 실현된다.
스텝(S1)에서, 처리부(181)는 마크 검지 처리를 행한다. 구체적으로는, 처리부(181)는, 검지 유닛(16)으로서의 카메라(1611∼1614)에 의해, 마스크(3)에 형성된 마스크 마크(311∼314), 및 마스크 마크(311∼314)에 각각 대응하여 기판(5)에 형성된 기판 마크(511∼514)를 검지한다. 한편, 처리부(181)는, 검지 유닛(16)에 의해 검지할 수 없는 마크(마스크 파인 마크(31) 또는 기판 파인 마크(51))가 있는 경우에는, 그런 취지의 정보를 취득할 수 있다.
스텝(S2)에서, 처리부(181)는, 가상 위치 정보 설정 처리를 행한다. 본 실시형태에서는, 처리부(181)는, 스텝(S1)에서 검지할 수 없었던 기판 파인 마크(51)가 있는 경우에, 검지할 수 있었던 기판 파인 마크(51)의 위치에 기초하여, 검지할 수 없었던 기판 파인 마크(51)에 대응하는 가상 마크(51V)(도 10 참조)의 가상 위치 정보를 기판(5) 상에 설정한다. 처리의 상세 내용에 대해서는 후술한다(도 9의 (a) 참조).
스텝(S3)에서, 처리부(181)는 위치 조정 처리를 행한다. 구체적으로는, 처리부(181)는, 스텝(S1)에서의 검지 결과에 기초한 마스크 마크(311∼314) 및 기판 마크(511∼514)의 위치, 및 스텝(S2)에서 설정한 가상 마크(51V)의 가상 위치 정보에 기초하여, 기판(5) 및 마스크(3)의 위치 조정을 행한다. 처리의 상세 내용에 대해서는 후술한다.
스텝(S4)에서, 처리부(181)는, 위치 조정 후에 다시 마크 검지 처리를 행한다. 구체적인 처리는 스텝(S1)과 마찬가지이다. 스텝(S5)에서, 처리부(181)는, 스텝(S4)의 검지 결과가 소정 조건을 만족하는지 여부를 판정하고, 만족하고 있으면 플로우차트를 종료하고, 만족하고 있지 않으면 스텝(S3)의 처리로 되돌아간다. 예를 들면, 처리부(181)는, 복수의 마스크 마크(311∼314)의 위치(P1∼P4)와, 그들에 대응하는 목표 위치(511T∼514T) 간의 거리의 제곱 합이 소정값 이하인 경우에 소정 조건을 만족한다고 판정한다.
도 9의 (a)는 처리부(181)의 처리 예를 나타내는 플로우차트이며, 도 8의 플로우차트의 스텝(S2)의 구체예를 나타내고 있다.
스텝(S201)에서, 처리부(181)는, 스텝(S1)에서 검지할 수 없는 기판 마크(511∼514)가 있었는지 여부를 판정한다. 검지할 수 없는 기판 마크(51)가 있는 경우에는 스텝(S202)으로 진행하고, 검지해야 할 모든 기판 파인 마크(51)를 검지할 수 있는 경우에는 스텝(S203)으로 진행한다.
스텝(S202)에서, 처리부(181)는, 가상 마크(51V)의 가상 위치 정보를 설정한다. 예를 들면, 처리부(181)는, 스텝(S1)에서 검지한 기판 파인 마크(51)의 위치를 기준으로 하여, 스텝(S1)에서 검지할 수 없었던 기판 파인 마크(51)의 위치를 추정하여 그 위치 정보를 취득한다. 그리고, 취득한 위치 정보를, 스텝(S1)에서 검지할 수 없었던 기판 파인 마크(51)에 대응하는 가상 마크(51V)의 가상 위치 정보로서 설정한다. 일반적으로, 기판(5) 상의 각 기판 파인 마크(51)의 상대적인 위치 관계는, 기판(5)의 사이즈나 종류 등에 따라 미리 정해져 있다. 달리 말하면, 각 기판 파인 마크(51)는, 미리 결정된 설계 치수에 기초하여 기판(5) 상에 형성되어 있다. 따라서, 처리부(181)는, 적어도 1개의 기판 파인 마크(51)의 위치 정보 및 각도 정보에 기초하여, 다른 기판 파인 마크(51)의 위치 정보를 추정할 수 있다. 또한, 처리부(181)는, 적어도 2개의 기판 파인 마크(51)의 위치 정보에 기초하여, 다른 기판 파인 마크(51)의 위치 정보를 추정할 수 있다.
가상 마크(51V)의 가상 위치 정보의 설정 방법의 구체예를, 우측상부의 기판 마크(512)가 검지되지 않은 경우를 예로 설명한다. 예를 들면, 기판 마크(511) 및 기판 마크(512)의 상대적인 위치 관계에 대한 정보를 미리 기억부(182)가 기억해 둔다. 그리고, 처리부(181)는, 이 정보와, 검지 유닛(16)에 의해 검지한 기판 마크(511)의 위치 정보 및 각도 정보에 기초하여, 기판 마크(512)의 위치 정보를 추정하여 취득하고, 그 위치를 가상 마크(51V)의 가상 위치 정보로서 설정한다.
또한, 예를 들면, 처리부(181)는, 검지 유닛(16)에 의해 검지한 복수의 기판 마크(511, 513, 514) 중 적어도 2개의 위치 정보에 기초하여 가상 마크(51V)의 가상 위치 정보를 설정해도 된다. 처리부(181)는, 좌측하부의 기판 마크(513)로부터 우측하부의 기판 마크(514)까지의 X 방향 거리(D1) 및 Y 방향 거리(D2)를 취득하고, 좌측상부의 기판 마크(511)를 기점으로 하여, X 방향으로 D1, Y 방향으로 D2 진행한 위치에 가상 마크(51V)를 설정해도 된다. 또는, 기판 마크(511), 기판 마크(512), 및 기판 마크(513)의 상대적인 위치 관계에 대한 정보를 미리 기억부(182)가 기억해 두어도 된다. 이 경우에는, 처리부(181)는, 기억부(182)가 기억하고 있는 상대적인 위치 관계의 정보와, 검지 유닛(16)에 의해 검지한 기판 마크(511) 및 기판 마크(513)의 위치 정보에 기초하여, 기판 마크(512)의 위치 정보를 추정하여 취득하고, 그 위치를 가상 마크(51V)의 가상 위치 정보로서 설정할 수도 있다.
스텝(S203)에서, 처리부(181)는, 각종 마크를 표시부(19)에 표시한다. 도 10은 표시부(19)의 표시 예를 나타내는 도면이며, 기판 마크(512)를 검지할 수 없었던 경우의 예를 나타내고 있다. 표시부(19)의 표시 화면(191)에는, 카메라(1611∼1614)의 촬영 화상이 각각 표시되어 있다. 또한, 카메라(1612)의 촬영 화상 상에는, S202에서 설정된 가상 위치 정보에 기초하여 가상 마크(51V)(가상 위치 검지용 마크(51Va) 및 가상 각도 검지용 마크(51Vb))가 표시되어 있다. 또한, 각 카메라(161)의 촬영 화상 상에는, 기판 마크(51) 또는 가상 마크(51V)에 기초하여 설정된 목표 위치(T511∼T514)가 표시되어 있다. 한편, 스텝(S1)에서 검지할 수 없는 기판 마크(511∼514)가 없는 경우에는 가상 위치 정보가 설정되지 않으므로, 처리부(181)는 카메라(1611∼1614)의 촬영 화상을 표시부(19)에 표시시킨다.
이와 같이, 설정된 가상 마크(51V)가 표시부(19)의 표시 화면(191)에 표시됨으로써, 가상 마크(51V)가 설정된 것을 장치의 사용자가 용이하게 인식할 수 있다. 한편, 표시부(19)에 의한 표시의 양태는 적절히 설정 가능하다. 또한, 본 스텝을 생략하고, 표시부(19)에 의한 표시를 행하지 않고 플로우차트를 종료해도 된다.
도 9의 (b)는 처리부(181)의 처리 예를 나타내는 플로우차트이며, 도 8의 플로우차트의 스텝(S3)의 구체예를 나타내고 있다.
스텝(S301)에서, 처리부(181)는, 스텝(S202)에서 가상 마크(51V)의 가상 위치 정보가 설정되어 있는지 여부를 확인한다. 처리부(181)는, 가상 위치 정보가 설정되어 있는 경우에는 스텝(S302)으로 진행하고, 설정되어 있지 않은 경우에는 스텝(S303)으로 진행한다.
스텝(S302)에서, 처리부(181)는, 검지 유닛(161)에 의해 검지한 마스크 마크(311∼314) 및 기판 마크(511∼514), 및 스텝(S202)에서 설정한 가상 위치 정보에 기초하여 위치 조정을 행한다. 스텝(S303)에서, 처리부(181)는, 검지 유닛(161)에 의해 검지한 마스크 마크(311∼314) 및 기판 마크(511∼514)에 기초하여 위치 조정을 행한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 기판 파인 마크(51)에 기초하여 가상 마크(51V)를 설정한다. 예를 들면, 처리부(181)는, 검지 유닛(16)의 검지 결과에 기초하는, 마스크 마크(311)에 대응하는 기판 마크(311)의 위치에 기초하여, 마스크 마크(312)에 대응하도록 기판(5) 상에 가상 마크(51V)를 설정한다. 따라서, 보다 많은 마스크 마크(31)에 대해, 기판 파인 마크(51) 또는 가상 마크(51V)가 대응지어지기 때문에, 얼라인먼트 후의 기판(5)과 마스크(3)의 어긋남이 작은 값으로 수렴하여, 얼라인먼트의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
덧붙여 말하면, 본 실시형태에서는, 검지할 수 없었던 기판 파인 마크(51)가 있는 경우에, 검지한 기판 파인 마크(51)에 기초하여 검지할 수 없었던 기판 파인 마크(51)에 대응하는 가상 마크(51V)를 설정한다. 이에 의해, 검지할 수 없었던 기판 파인 마크(51)가 있는 경우라도, 기판(5)과 마스크(3)의 얼라인먼트의 정밀도를 유지할 수 있다.
또한, 기판 파인 마크(51)는, 예를 들면 포토리소그래피 및 에칭 등에 의해 고정밀도로 형성된다. 전형적으로는, 기판(5)에 형성되는 복수의 기판 파인 마크(51)는, 하나의 포토마스크를 사용한 한번의 노광에 의해 일괄적으로 패터닝되기 때문에, 각각의 마크의 위치 관계도 고정밀도로 형성된다. 따라서, 검지할 수 없었던 기판 파인 마크(51)에 대해 가상 마크(51V)를 고정밀도로 설정할 수 있다. 그 때문에, 가상 마크(51V)를 사용하여 얼라인먼트를 행하는 경우라도 제조 과정에 있어서의 로트 내의 얼라인먼트의 편차도 억제할 수 있다.
<전자 디바이스의 제조 방법>
다음으로, 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시 장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.
먼저, 제조하는 유기 EL 표시 장치에 대해 설명한다. 도 11의 (a)는 유기 EL 표시 장치(50)의 전체 도면, 도 11의 (b)는 1화소의 단면 구조를 나타내는 도면이다.
도 11의 (a)에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 표시 장치(50)의 표시 영역(51)에는, 발광 소자를 복수 구비하는 화소(52)가 매트릭스 형상으로 복수 개 배치되어 있다. 상세한 것은 나중에 설명하지만, 발광 소자의 각각은, 한 쌍의 전극 사이에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 한편, 여기서 말하는 화소란, 표시 영역(51)에 있어서 원하는 색의 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 컬러 유기 EL 표시 장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광 소자(52R), 제2 발광 소자(52G), 및 제3 발광 소자(52B)의 복수의 부화소의 조합에 의해 화소(52)가 구성되어 있다. 화소(52)는, 적색(R) 발광 소자와 녹색(G) 발광 소자와 청색(B) 발광 소자의 3종류의 부화소의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 이에 한정되지 않는다. 화소(52)는 적어도 1종류의 부화소를 포함하면 되고, 2종류 이상의 부화소를 포함하는 것이 바람직하고, 3종류 이상의 부화소를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 화소(52)를 구성하는 부화소로서는, 예를 들면, 적색(R) 발광 소자와 녹색(G) 발광 소자와 청색(B) 발광 소자와 황색(Y) 발광 소자의 4종류의 부화소의 조합이어도 된다.
도 11의 (b)는 도 11의 (a)의 A-B 선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(52)는, 기판(53) 상에 제1 전극(양극)(54)과, 정공 수송층(55)과, 적색층(56R)·녹색층(56G)·청색층(56B) 중 어느 하나와, 전자 수송층(57)과, 제2 전극(음극)(58)을 구비하는 유기 EL 소자로 구성되는 복수의 부화소를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(55), 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B), 전자 수송층(57)이 유기층에 해당한다. 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)은, 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광 소자(유기 EL 소자라고 기술하는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(54)은, 발광 소자마다 분리해서 형성되어 있다. 정공 수송층(55)과 전자 수송층(57)과 제2 전극(58)은, 복수의 발광 소자(52R, 52G, 52B)에 걸쳐 공통으로 형성되어 있어도 되고, 발광 소자마다 형성되어 있어도 된다. 즉, 도 11의 (b)에 나타낸 바와 같이, 정공 수송층(55)이 복수의 부화소 영역에 걸쳐 공통 층으로서 형성된 후에 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)이 부화소 영역마다 분리해서 형성되고, 나아가 그 위에 전자 수송층(57)과 제2 전극(58)이 복수의 부화소 영역에 걸쳐 공통 층으로서 형성되어 있어도 된다. 한편, 근접한 제1 전극(54) 사이에서의 쇼트를 방지하기 위해, 제1 전극(54) 사이에 절연층(59)이 설치되어 있다. 나아가, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(60)이 설치되어 있다.
도 11의 (b)에서는 정공 수송층(55)이나 전자 수송층(57)이 하나의 층으로 나타내어져 있지만, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라, 정공 블록층이나 전자 블록층을 갖는 복수의 층으로 형성되어도 된다. 또한, 제1 전극(54)과 정공 수송층(55)의 사이에는 제1 전극(54)으로부터 정공 수송층(55)으로의 정공의 주입이 원활하게 행해지도록 하는 것이 가능한 에너지 밴드 구조를 갖는 정공 주입층을 형성해도 된다. 마찬가지로, 제2 전극(58)과 전자 수송층(57)의 사이에도 전자 주입층을 형성해도 된다.
적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)의 각각은, 단일 발광층으로 형성되어 있어도 되고, 복수의 층을 적층함으로써 형성되어 있어도 된다. 예를 들면, 적색층(56R)을 2층으로 구성하고, 상측의 층을 적색의 발광층으로 형성하고, 하측의 층을 정공 수송층 또는 전자 블록층으로 형성해도 된다. 또는, 하측의 층을 적색의 발광층으로 형성하고, 상측의 층을 전자 수송층 또는 정공 블록층으로 형성해도 된다. 이와 같이 발광층의 하측 또는 상측에 층을 설치함으로써, 발광층에 있어서의 발광 위치를 조정하고, 광로 길이를 조정함으로써, 발광 소자의 색 순도를 향상시키는 효과가 있다. 한편, 여기서는 적색층(56R)의 예를 나타냈지만, 녹색층(56G)이나 청색층(56B)에서도 마찬가지의 구조를 채용해도 된다. 또한, 적층 수는 2층 이상이어도 된다. 나아가, 발광층과 전자 블록층과 같이 상이한 재료의 층이 적층되어도 되고, 예를 들면 발광층을 2층 이상 적층하는 등, 동일한 재료의 층이 적층되어도 된다.
다음으로, 유기 EL 표시 장치의 제조 방법의 예에 대해 구체적으로 설명한다. 여기서는, 적색층(56R)이 하측 층(56R1)과 상측 층(56R2)의 2층으로 이루어지고, 녹색층(56G)과 청색층(56B)은 단일의 발광층으로 이루어지는 경우를 상정한다.
먼저, 유기 EL 표시 장치를 구동하기 위한 회로(도시하지 않음) 및 제1 전극(54)이 형성된 기판(53)을 준비한다. 한편, 기판(53)의 재질은 특별히 한정되지 않고, 유리, 플라스틱, 금속 등으로 구성할 수 있다. 본 실시형태에서는, 기판(53)으로서, 유리 기판 상에 폴리이미드 필름이 적층된 기판을 사용한다.
제1 전극(54)이 형성된 기판(53) 위에 아크릴 또는 폴리이미드 등의 수지층을 바 코트나 스핀 코트로 코팅하고, 수지층을 리소그래피법에 의해, 제1 전극(54)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(59)을 형성한다. 이 개구부가, 발광 소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.
절연층(59)이 패터닝된 기판(53)을 제1 성막실에 반입하고, 정공 수송층(55)을, 표시 영역의 제1 전극(54) 위에 공통 층으로서 성막한다. 정공 수송층(55)은, 최종적으로 각각의 유기 EL 표시 장치의 패널 부분이 되는 표시 영역(51)마다 개구가 형성된 마스크를 사용하여 성막된다.
다음으로, 정공 수송층(55)까지 형성된 기판(53)을 제2 성막실에 반입한다. 기판(53)과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 기판을 마스크 위에 재치하고, 정공 수송층(55) 위의, 기판(53)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분(적색의 부화소를 형성하는 영역)에, 적색층(56R)을 성막한다. 여기서, 제2 성막실에서 사용하는 마스크는, 유기 EL 표시 장치의 부화소가 되는 기판(53) 상에 있어서의 복수의 영역 중, 적색의 부화소가 되는 복수의 영역에만 개구가 형성된 매우 세밀한(고정세) 마스크이다. 이에 의해, 적색 발광층을 포함하는 적색층(56R)은, 기판(53) 상의 복수의 부화소가 되는 영역 중 적색의 부화소가 되는 영역에만 성막된다. 달리 말하면, 적색층(56R)은, 기판(53) 상의 복수의 부화소가 되는 영역 중 청색 부화소가 되는 영역이나 녹색의 부화소가 되는 영역에는 성막되지 않고, 적색의 부화소가 되는 영역에 선택적으로 성막된다.
적색층(56R)의 성막과 마찬가지로, 제3 성막실에 있어서 녹색층(56G)을 성막하고, 나아가 제4 성막실에 있어서 청색층(56B)을 성막한다. 적색층(56R), 녹색층(56G), 청색층(56B)의 성막이 완료된 후, 제5 성막실에 있어서 표시 영역(51)의 전체에 전자 수송층(57)을 성막한다. 전자 수송층(57)은 3색의 층(56R, 56G, 56B)에 공통 층으로서 형성된다.
전자 수송층(57)까지 형성된 기판을 제6 성막실로 이동시키고, 제2 전극(58)을 성막한다. 본 실시형태에서는, 제1 성막실∼제6 성막실에서는 진공 증착에 의해 각 층의 성막을 행한다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들면 제6 성막실에 있어서의 제2 전극(58)의 성막은 스퍼터에 의해 성막하도록 해도 된다. 그 후, 제2 전극(68)까지 형성된 기판을 봉지 장치로 이동시켜 플라즈마 CVD에 의해 보호층(60)을 성막하여(봉지 공정), 유기 EL 표시 장치(50)가 완성된다. 한편, 여기서는 보호층(60)을 CVD법에 의해 형성하는 것으로 했지만, 이에 한정되지 않고, ALD법이나 잉크젯법에 의해 형성해도 된다.
여기서, 제1 성막실∼제6 성막실에서의 성막은, 형성되는 각각의 층의 패턴에 대응한 개구가 형성된 마스크를 사용하여 성막된다. 성막 시에는, 기판(53)과 마스크의 상대적인 위치 조정(얼라인먼트)을 행한 후에, 마스크 위에 기판(53)을 재치하여 성막이 행해진다. 여기서, 각 성막실에 있어서 행해지는 얼라인먼트 공정은, 전술한 얼라인먼트 공정과 같이 행해진다.
<다른 실시형태>
제1 실시형태에서는, 검지 유닛(16)에 의해 검지할 수 없는 기판 파인 마크(51)가 있는 경우에 가상 마크를 설정하고 있다. 그러나, 검지 유닛(16)에 의해 검지할 수 없는 기판 파인 마크(51)의 유무에 관계없이 가상 마크를 설정하는 구성도 채용 가능하다. 예를 들면, 원래 기판(5)에 형성되는 기판 파인 마크(51)의 수가 마스크 파인 마크(31)의 수보다 적은 경우에, 대응하는 기판 파인 마크(51)가 존재하지 않는 마스크 파인 마크(31)에 대응하도록 가상 마크(51V)가 설정되어도 된다. 이에 의해, 실제로 기판(5)에 형성되어 있는 기판 파인 마크(51)와, 대응하는 기판 파인 마크(51)가 존재하는 마스크 파인 마크(31)에 의해서만 얼라인먼트를 행하는 경우보다도, 사용하는 마스크 파인 마크(31)와 기판 마크(51) 또는 가상 마크(51V)의 세트의 수가 많아지므로, 얼라인먼트의 정밀도를 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 실시형태에서는 파인 얼라인먼트 공정에 있어서 가상 마크를 설정하고 있지만, 러프 얼라인먼트 공정에 있어서 가상 마크를 설정하는 구성도 채용 가능하다. 또한, 러프 얼라인먼트와 파인 얼라인먼트의 2단계의 얼라인먼트를 실행하는 경우로 한정되지 않고, 1종류의 얼라인먼트를 실시하거나, 또는 3단계 이상의 얼라인먼트를 실시하는 경우에도 상기 실시형태에 따른 구성을 채용 가능하다.
또한, 제1 실시형태에서는, 처리부(181)는 가상 마크(51V)를 설정하고, 그 위치 정보를 가상 위치 정보로서 설정하고 있지만, 가상 마크(51V)를 설정하지 않아도 된다. 즉, 처리부(181)는, 검지 유닛(16)에 의해 검지한 기판 파인 마크(51)의 위치 정보에 기초하여, 검지 유닛(16)에 의해 검지한 기판 파인 마크(51) 이외의 기판 파인 마크(51)의 위치에 관한 정보(가상 위치 정보)를 설정하면 된다. 이 가상 위치 정보의 일례가 전술한 가상 마크(51V)이다. 또는, 가상 위치 정보는, 기판(5) 상에 설정하는 마스크 파인 마크(31)의 목표 위치(제1 실시형태에서 말하면 목표 위치(511T∼514T))의 정보이어도 된다. 즉, 제1 실시형태에서는, 가상 마크(51V)의 가상 위치 정보에 기초하여 기판(5) 상의 마스크 파인 마크(31)의 목표 위치가 구해지지만, 직접적으로 마스크 파인 마크(31)의 목표 위치가 가상 위치 정보로서 설정되어도 된다.
또한, 가상 위치 정보를 설정한 경우에는, 가상 위치 정보를 설정한 것을 로그 데이터 내에 기억하도록 해도 된다. 달리 말하면, 처리부(181)는, 가상 위치 정보를 설정했는지 여부의 정보를 포함하는 로그 데이터를 출력하는 로그 데이터 출력부를 구비하고 있어도 된다. 해당 정보를 로그 데이터 내에 기억하도록 함으로써, 장치의 사용자가 로그 데이터를 참조함으로써, 어느 기판에 대해 가상 위치 정보를 설정하였다는 것을 확인할 수 있게 된다. 가상 위치 정보를 설정하여 얼라인먼트를 행하고, 성막한 경우에는, 가상 위치 정보를 설정하지 않는 통상의 경우와는 다른 성막 결과로 될 가능성도 있다. 그 때문에, 가상 위치 정보를 설정하여 성막을 행한 기판을 장치의 사용자가 구별할 수 있도록 함으로써, 생산 관리를 용이하게 할 수 있게 된다. 또한, 가상 위치 정보를 설정한 경우에는, 그 기판(5)을 식별하는 기판 식별 정보에 플래그 정보를 부여하도록 하고, 해당 플래그 정보가 부여되어 있는 기판(5)은 성막 장치의 하류측에서 성막 결과를 확인하기 위해 설치되는 검사 장치에서 우선적으로 검사를 행하도록 해도 된다. 이에 의해, 생산성을 보다 향상시킬 수 있다.
발명은 상기 실시형태에 제한되는 것이 아니고, 발명의 요지의 범위 내에서, 다양한 변형 및 변경이 가능하다. 또한, 본 발명은, 전술한 실시형태의 하나 이상의 기능을 실현하는 프로그램(소프트웨어)을, 네트워크 또는 각종 기억 매체를 통해 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 하나 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리에 있어서, 그 프로그램, 및 해당 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독가능한 비일시적인 기억 매체에 의해 구성되어도 된다.
3: 마스크
5: 기판
10: 성막 장치
14: 위치 조정 기구(위치 조정 수단)
16: 검지 유닛(검지 수단)
181: 처리부(설정 수단)

Claims (18)

  1. 마스크에 형성된 제1 마스크 마크 및 제2 마스크 마크, 및 상기 제1 마스크 마크에 대응하여 기판에 형성된 제1 기판 마크를 검지하는 검지 수단과,
    상기 검지 수단에 의해 검지된 상기 제1 기판 마크의 위치 정보에 기초하여, 상기 제2 마스크 마크에 대응하는 상기 기판 상의 가상 위치 정보를 설정하는 설정 수단과,
    상기 검지 수단에 의해 검지된 상기 제1 마스크 마크, 상기 제2 마스크 마크 및 상기 제1 기판 마크의 위치 정보와, 상기 가상 위치 정보에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 행하는 위치 조정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 설정 수단에 의해 설정된 상기 가상 위치 정보에 기초한 가상 마크를 표시하는 표시부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 검지 수단은, 상기 제1 마스크 마크 및 상기 제2 마스크 마크의 각각에 대응하도록 설치된 복수의 카메라인 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 마스크에는, 복수의 상기 제1 마스크 마크가 형성되고,
    상기 기판에는, 복수의 상기 제1 마스크 마크의 각각에 대응하도록 복수의 상기 제1 기판 마크가 형성되고,
    상기 설정 수단은, 상기 검지 수단에 의해 검지된 복수의 상기 제1 기판 마크의 위치 정보에 기초하여 상기 가상 위치 정보를 설정하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 설정 수단은, 상기 검지 수단에 의해 검지된 상기 제1 기판 마크의 위치 정보 및 각도 정보에 기초하여 상기 가상 위치 정보를 설정하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  6. 마스크에 형성된 제1 마스크 마크 및 제2 마스크 마크, 및 상기 제1 마스크 마크에 대응하여 기판에 형성된 제1 기판 마크 및 상기 제2 마스크 마크에 대응하여 상기 기판에 형성된 제2 기판 마크를 검지하는 검지 수단과,
    상기 검지 수단에 의해 검지된 상기 제1 기판 마크의 위치 정보에 기초하여, 상기 제2 기판 마크에 대응하는 상기 기판 상의 가상 위치 정보를 설정하는 설정 수단과,
    상기 검지 수단에 의해 검지된 상기 제1 마스크 마크, 상기 제2 마스크 마크 및 상기 제1 기판 마크의 위치 정보와, 상기 가상 위치 정보에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 행하는 위치 조정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 설정 수단은, 상기 검지 수단이 상기 제2 기판 마크를 검지할 수 없었던 경우에 상기 가상 위치 정보를 설정하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 검지 수단이 상기 제2 기판 마크를 검지할 수 있었던 경우에는, 상기 위치 조정 수단은, 상기 검지 수단에 의해 검지된 상기 제1 마스크 마크, 상기 제2 마스크 마크, 상기 제1 기판 마크, 및 상기 제2 기판 마크의 위치 정보에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 행하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 설정 수단에 의해 설정된 상기 가상 위치 정보에 기초한 가상 마크를 표시하는 표시부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 검지 수단은, 상기 제1 마스크 마크 및 상기 제2 마스크 마크의 각각에 대응하도록 설치된 복수의 카메라인 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 마스크에는, 복수의 상기 제1 마스크 마크가 형성되고,
    상기 기판에는, 복수의 상기 제1 마스크 마크의 각각에 대응하도록 복수의 상기 제1 기판 마크가 형성되고,
    상기 설정 수단은, 상기 검지 수단에 의해 검지된 복수의 상기 제1 기판 마크의 위치 정보에 기초하여 상기 가상 위치 정보를 설정하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 설정 수단은, 상기 검지 수단에 의해 검지된 상기 제1 기판 마크의 위치 정보 및 각도 정보에 기초하여 상기 가상 위치 정보를 설정하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 얼라인먼트 장치와,
    상기 마스크를 통해 상기 기판 상에 성막하는 성막 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  14. 마스크에 형성된 제1 마스크 마크 및 제2 마스크 마크, 및 상기 제1 마스크 마크에 대응하여 기판에 형성된 제1 기판 마크를 검지하는 검지 공정과,
    상기 검지 공정에서 검지된 상기 제1 기판 마크의 위치 정보에 기초하여, 상기 제2 마스크 마크에 대응하는 상기 기판 상의 가상 위치 정보를 설정하는 설정 공정과,
    상기 검지 공정에서 검지된 상기 제1 마스크 마크, 상기 제2 마스크 마크 및 상기 제1 기판 마크의 위치 정보와, 상기 설정 공정에서 설정된 상기 가상 위치 정보에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 위치 조정을 행하는 위치 조정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 방법.
  15. 마스크에 형성된 제1 마스크 마크 및 제2 마스크 마크, 및 상기 제1 마스크 마크에 대응하여 기판에 형성된 제1 기판 마크 및 상기 제2 마스크 마크에 대응하여 상기 기판에 형성된 제2 기판 마크를 검지하는 검지 공정과,
    상기 검지 공정에서 검지된 상기 제1 기판 마크의 위치 정보에 기초하여, 상기 제2 기판 마크에 대응하는 상기 기판 상의 가상 위치 정보를 설정하는 설정 공정과,
    상기 검지 공정에서 검지된 상기 제1 마스크 마크, 상기 제2 마스크 마크 및 상기 제1 기판 마크의 위치 정보와, 상기 설정 공정에서 설정된 상기 가상 위치 정보에 기초하여, 상기 기판 및 상기 마스크의 상대적인 위치 조정을 행하는 위치 조정 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 얼라인먼트 방법.
  16. 제14항 또는 제15항에 기재된 얼라인먼트 방법에 의해 기판과 마스크의 상대적인 위치 조정을 행하는 위치 조정 공정과,
    상기 위치 조정 공정에 의해 상대적인 위치 조정이 행하여진 상기 마스크를 통해 상기 기판에 성막을 행하는 성막 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
  17. 삭제
  18. 제14항 또는 제15항에 기재된 얼라인먼트 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 기억한, 컴퓨터가 판독가능한 기억 매체.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024021807A (ja) * 2022-08-04 2024-02-16 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
KR20240031509A (ko) * 2022-08-30 2024-03-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010504A (ja) 2006-06-27 2008-01-17 Tokki Corp アライメント装置及び方法
KR101479943B1 (ko) 2013-10-29 2015-01-12 주식회사 에스에프에이 기판과 마스크의 얼라인 시스템 및 얼라인 방법
KR101979149B1 (ko) 2018-04-27 2019-05-15 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 방법, 이를 사용한 증착방법 및 전자디바이스 제조방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004303559A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Tohoku Pioneer Corp アライメント装置及び方法、並びにこれを用いて製造される有機ｅｌ素子
JP4534011B2 (ja) * 2004-06-25 2010-09-01 京セラ株式会社 マスクアライメント法を用いたディスプレイの製造方法
KR101104608B1 (ko) * 2005-11-01 2012-01-12 사천홍시현시기건유한공사 얼라인먼트 방법
KR101893309B1 (ko) * 2017-10-31 2018-08-29 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디스바이스 제조방법
KR20190124610A (ko) * 2018-04-26 2019-11-05 캐논 톡키 가부시키가이샤 기판 반송 시스템, 전자 디바이스 제조장치 및 전자 디바이스 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010504A (ja) 2006-06-27 2008-01-17 Tokki Corp アライメント装置及び方法
KR101479943B1 (ko) 2013-10-29 2015-01-12 주식회사 에스에프에이 기판과 마스크의 얼라인 시스템 및 얼라인 방법
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