CN113637948A - 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法以及存储介质 - Google Patents

对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法以及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN113637948A
CN113637948A CN202110480488.2A CN202110480488A CN113637948A CN 113637948 A CN113637948 A CN 113637948A CN 202110480488 A CN202110480488 A CN 202110480488A CN 113637948 A CN113637948 A CN 113637948A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mask
mark
position information
marks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110480488.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113637948B (zh
Inventor
小林康信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN113637948A publication Critical patent/CN113637948A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113637948B publication Critical patent/CN113637948B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法以及存储介质。提高基板与掩模的对准的精度。对准装置进行基板和掩模的对位。检测构件检测设置于掩模的第一掩模标记和第二掩模标记、以及与第一掩模标记对应地设置于基板的第一基板标记。设定构件基于由检测构件检测到的第一基板标记的位置信息，设定与第二掩模标记对应的基板上的假想位置信息。位置调整构件基于假想位置信息和由检测构件检测到的第一掩模标记、第二掩模标记及第一基板标记的位置信息，进行基板和掩模的位置调整。

Description

对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法以及存 储介质
技术领域
本发明涉及对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法以及存储介质。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)等的制造中，有时使用蒸镀用的掩模将蒸镀材料蒸镀到基板上。在专利文献1中，公开了在进行使用了掩模的蒸镀处理时进行基板与掩模的对准。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-189943号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在进行全彩色显示的有机EL显示装置中，通常，有时按红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的每个发光色分开涂敷并进行蒸镀，但从防止混色、高精细化等观点出发，优选高精度地进行这些分开涂敷。因此，希望改善基板与掩模的对准的精度。
本发明的目的在于提供一种提高基板与掩模的对准的精度的技术。
用于解决课题的方案
作为本发明的一方案的对准装置的特征在于，具备：检测构件，所述检测构件检测设置于掩模的第一掩模标记和第二掩模标记、以及与所述第一掩模标记对应地设置于基板的第一基板标记；设定构件，所述设定构件基于由所述检测构件检测到的所述第一基板标记的位置信息，设定与所述第二掩模标记对应的所述基板上的假想位置信息；以及位置调整构件，所述位置调整构件基于所述假想位置信息和由所述检测构件检测到的所述第一掩模标记、所述第二掩模标记及所述第一基板标记的位置信息，进行所述基板和所述掩模的相对位置调整。
另外，作为本发明的另一方案的对准装置的特征在于，具备：检测构件，所述检测构件对设置于掩模的第一掩模标记和第二掩模标记、与所述第一掩模标记对应地设置于基板的第一基板标记以及与所述第二掩模标记对应地设置于所述基板的第二基板标记进行检测；设定构件，所述设定构件基于由所述检测构件检测到的所述第一基板标记的位置信息，设定与所述第二基板标记对应的所述基板上的假想位置信息；以及位置调整构件，所述位置调整构件基于所述假想位置信息和由所述检测构件检测到的所述第一掩模标记、所述第二掩模标记及所述第一基板标记的位置信息，进行所述基板和所述掩模的相对位置调整。
另外，作为本发明的另一方案的成膜装置的特征在于，具备：上述对准装置和经由所述掩模在所述基板上成膜的成膜构件。
另外，作为本发明的另一方案的对准方法的特征在于，包括：检测工序，在所述检测工序中，检测设置于掩模的第一掩模标记和第二掩模标记、以及与所述第一掩模标记对应地设置于基板的第一基板标记；设定工序，在所述设定工序中，基于在所述检测工序中检测到的所述第一基板标记的位置信息，设定与所述第二掩模标记对应的所述基板上的假想位置信息；以及位置调整工序，在所述位置调整工序中，基于在所述检测工序中检测到的所述第一掩模标记、所述第二掩模标记及所述第一基板标记的位置信息和在所述设定工序中设定的所述假想位置信息，进行所述基板和所述掩模的位置调整。
另外，作为本发明的另一方案的对准方法的特征在于，包括：检测工序，在所述检测工序中，对设置于掩模的第一掩模标记和第二掩模标记、与所述第一掩模标记对应地设置于基板的第一基板标记以及与所述第二掩模标记对应地设置于所述基板的第二基板标记进行检测；设定工序，在所述设定工序中，基于在所述检测工序中检测到的所述第一基板标记的位置信息，设定与所述第二基板标记对应的所述基板上的假想位置信息；以及位置调整工序，在所述位置调整工序中，基于在所述检测工序中检测到的所述第一掩模标记、所述第二掩模标记及所述第一基板标记的位置信息和在所述设定工序中设定的所述假想位置信息，进行所述基板和所述掩模的相对位置调整。
另外，作为本发明的另一方案的电子器件的制造方法的特征在于，包括：位置调整工序，在所述位置调整工序中，利用上述对准方法进行基板和掩模的相对位置调整；以及成膜工序，在所述成膜工序中，经由通过所述位置调整工序进行了相对位置调整的所述掩模对所述基板进行成膜。
另外，作为本发明的另一方案的计算机能够读取的存储介质存储有用于使计算机执行上述对准方法的程序。
发明效果
根据本发明，能够提高基板与掩模的对准的精度。
附图说明
图1是示意性地表示一实施方式的电子器件的制造装置的结构的一部分的俯视图。
图2是示意性地表示一实施方式的成膜装置的结构的剖视图。
图3是一实施方式的基板保持单元的立体图。
图4是表示图2的成膜装置的硬件的结构例的图。
图5(a)～(c)是表示掩模以及基板的结构例的俯视图。
图6是示意性地表示由成膜装置进行的对准工序的概略的图。
图7是说明精对准工序的一例的图。
图8是表示处理部的处理例的流程图。
图9(a)以及(b)是表示处理部的处理例的流程图。
图10是表示显示部的显示例的图。
图11(a)是有机EL显示装置的整体图，(b)是表示一个像素的截面结构的图。
附图标记说明
3掩模、5基板、10成膜装置、14位置调整机构(位置调整构件)、16检测单元(检测构件)、181处理部(设定构件)
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行详细说明。另外，以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明，另外，在实施方式中说明的特征的所有组合并不是发明所必需的。在实施方式中说明的多个特征中的两个以上的特征也可以任意组合。另外，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
在以下的说明中，X方向以及Y方向表示正交的水平方向，Z方向表示铅垂方向。另外，将成膜时的基板的宽度方向(与短边平行的方向)设为X方向，将长度方向(与长边平行的方向)设为Y方向。另外，用θ表示绕Z轴的旋转角。需要说明的是，在以下的说明中，对基板的形状为长方形的情况进行说明，但基板的形状并不限定于长方形。在基板的形状不是长方形的情况下，将基板的被处理面内的正交的两个方向设为X方向以及Y方向即可。
<第一实施方式>
<制造装置>
图1是示意性地表示一实施方式的电子器件的制造装置100的结构的一部分的俯视图。图1的制造装置100例如用于有机EL显示装置的显示面板的制造。在智能手机用的显示面板的情况下，例如在第六代的全尺寸(约1850mm×约1500mm)或半切割尺寸(约1500mm×约925mm)的基板5(参照图2)上进行用于形成有机EL的成膜后，切割该基板5而制作多个小尺寸的面板。
在图1的例子中，制造装置100具有多个群组型单元(CU1、CU2、CU3(未图示)，…)经由连结室连结的结构。群组型单元是指，在作为基板输送构件的输送机器人的周围配置有多个成膜室的结构的成膜单元。在图1中示出制造装置100具有的多个群组型单元中的一部分群组型单元CU1、CU2以及连结室CN1、CN2的结构，但未图示的其他群组型单元以及连结室也具有同样的结构。需要说明的是，在成膜单元的上游，例如也可以设置基板的储料器、加热装置、清洗等前处理装置等，在成膜单元的下游，例如也可以设置密封装置、加工装置、已处理基板的储料器等，也可以将它们整体合起来构成电子器件的制造装置。
群组型单元CU1具有配置在单元的中央的输送室TR1、以及配置在输送室TR1的周围的多个成膜室EV11～EV14和掩模室MS11～MS12。相邻的两个单元CU1与CU2之间由连结室CN1连接，同样地，相邻的两个单元CU2与CU3(未图示)之间由连结室CN2连接。更具体地说，单元CU1、CU2具有的输送室TR1与TR2之间由连结室CN1连接，单元CU2、CU3(未图示)具有的输送室TR2与TR3(未图示)之间由连结室CN2连接。群组型单元CU1内的各室TR1、EV11～EV14、MS11～MS12以及连结室CN1在空间上相连，其内部被维持为真空或氮气等非活性气体环境。在本实施方式中，构成单元CUx以及连结室CNx的各室与未图示的真空泵(真空排气构件)连接，能够分别独立地进行真空排气。各个室也被称为“真空腔”或简称为“腔室”。需要说明的是，在本说明书中，“真空”是指充满了比大气压低的压力的气体的状态、换言之是减压状态。
在输送室TR1设置有输送基板5以及掩模3的作为输送构件的输送机器人RR1。输送机器人RR1例如是具有在多关节臂上安装有保持基板5以及掩模3的机械手的结构的多关节机器人。在群组型单元CU1内，基板3在保持基板3的被处理面(被成膜面)朝向重力方向下方的水平状态的状态下，由输送机器人RR1、后述的输送机器人RC1等输送构件输送。输送机器人RR1、输送机器人RC1具有的机械手具有保持部，以保持基板3的被处理面的周缘区域。输送机器人RR1进行上游侧的通路室PS0、成膜室EV11～EV14、下游侧的缓冲室BC1之间的基板3的输送。另外，输送机器人RR1进行掩模室MS11与成膜室EV11、EV13之间的掩模3的输送、以及掩模室MS12与成膜室EV13、EV14之间的掩模3的输送。输送机器人RR1、输送机器人RC1具有的机械手构成为，按照存储于输送控制部的规定的程序分别进行规定的动作。各机器人的动作被设定为，在针对多个基板在多个成膜室、多个单元中依次或同时并行地进行成膜时，高效地输送多个基板。需要说明的是，输送路径上的基板的位置有时会因例如臂的弯曲情况的变动等引起的机械手的动作的误差等而从理想的输送位置偏移。为了微调机械手的动作，根据需要对决定机械手的动作的程序进行修正。
在掩模室MS11～MS12分别设置有两个掩模储料器。在设置于各个室的一个掩模储料器中收容有使用前的掩模3，在另一个掩模储料器中收容有已使用的掩模3。在掩模室MS11中，存放有在成膜室EV11、EV13中的成膜中使用之前的掩模3和使用后的掩模3，在掩模室MS12中存放有在成膜室EV12、EV14中使用的掩模3。
成膜室EV11～EV14是用于在基板5的表面成膜材料层的室。在此，成膜室EV11和EV13是具有相同功能的室(能够实施相同的成膜处理的室)，同样地成膜室EV12和EV14也是具有相同功能的室。根据该结构，能够并列地实施成膜室EV11→EV12这样的第一路径中的成膜处理和成膜室EV13→EV14这样的第二路径中的成膜处理。
连结室CN1具有将单元CU1与单元CU2连接并将在单元CU1中成膜后的基板5交接到后段的单元CU2的功能。本实施方式的连结室CN1从上游侧起依次由缓冲室BC1、回旋室TC1以及通路室PS1构成。但是，连结室CN1的结构并不限于此，也可以仅由缓冲室BC1或通路室PS1构成连结室CN1。
缓冲室BC1是用于在单元CU1内的输送机器人RR1与连结室CN1内的输送机器人RC1之间进行基板5的交接的室。缓冲室BC1具有如下功能：在单元CU1与后段的单元CU2之间存在处理速度之差的情况下，或者在因下游侧的故障的影响而无法使基板5如通常那样输送的情况下等，通过暂时收容多个基板5来调整基板5的送入速度、送入定时。例如，在缓冲室BC1内设置有：能够在保持基板5的被处理面朝向重力方向下方的水平状态的状态下收容多张基板5的多层结构的基板收纳搁板(也称为盒体)；以及为了使送入或送出基板5的层与输送位置对齐而使基板收纳搁板升降的升降机构。
回旋室TC1是用于使基板5的朝向旋转180度的室。在回旋室TC1内设置有从缓冲室BC1向通路室PS1交接基板5的输送机器人RC1。在将基板5的上游侧的端部称为“后端”、将下游侧的端部称为“前端”的情况下，输送机器人RC1在支承在缓冲室BC1接收到的基板5的状态下回旋180度并交接到通路室PS1，从而在缓冲室BC1内和通路室PS1内将基板5的前端和后端调换。由此，能够使向成膜室送入基板5时的朝向在上游侧的单元CU1和下游侧的单元CU2中成为相同的朝向。其结果是，能够使相对于基板5的成膜的扫描方向、掩模3的朝向在各单元CUx中一致，能够简化掩模M的管理，提高可用性。
通路室PS1是用于在连结室CN1内的输送机器人RC1与下游侧的单元CU2内的输送机器人RR2之间进行基板5的交接的室。在本实施方式中，在通路室PS1内进行基板5的对准。基板5由输送机器人RR1以及输送机器人RC1输送，但在基板的输送的过程中、基板的交接时，基板的位置可能产生偏移。因此，通过以使通路室PS1内的基板5的位置与理想的位置对齐的方式进行对准，能够提高被送入下游侧的单元CU2的各成膜室时的基板的位置精度。其结果是，能够提高该成膜室中的对准的精度，或者缩短对准所需的生产节拍时间。
在成膜室EV11～EV14、掩模室MS11～MS12、输送室TR1、缓冲室BC1、回旋室TC1、通路室PS1之间，既可以设置有能够开闭的门(例如，门阀或闸阀)，也可以是始终开放的结构。
在各成膜室EV11～EV14分别设置有成膜装置10(蒸镀装置)。成膜装置10自动进行来自输送机器人RR1的基板5的交接、基板5和掩模3(参照图2)的相对位置的调整(对准)、基板5向掩模3上的固定、成膜(蒸镀)等一系列的工艺。需要说明的是，各成膜室EV11～EV14内的成膜装置10虽然存在蒸发源(参照图2)、掩模3的差异等，但主要的结构是共通的。关于成膜装置10的详细情况，在<成膜装置>中进行说明。
需要说明的是，制造装置100不限于上述的有机EL显示装置的显示面板，能够用于在制造过程中通过真空蒸镀、溅射、CVD等各种成膜方法在基板表面形成所希望的图案的薄膜(材料层)的产品的制造。具体而言，制造装置100能够用于薄膜太阳能电池、有机光电转换元件(有机薄膜摄像元件)那样的有机电子器件、光学部件等的制造。另外，作为在成膜装置10中进行成膜的基板5的材料，可以适当选择玻璃、树脂、金属等材料，优选使用在玻璃上形成有聚酰亚胺等树脂层的材料。另外，作为蒸镀材料，可以适当选择有机材料、无机材料等材料。
<成膜装置>
图2是示意性地表示一实施方式的成膜装置10的结构的剖视图。另外，图3是一实施方式的基板保持单元13的立体图。成膜装置10是通过使用掩模3将蒸镀材料蒸镀到基板5上，从而对基板5以规定的图案进行成膜的装置。在本实施方式中，成膜装置10包括腔室11、蒸发源12、基板保持单元13、位置调整机构14(参照图4)、掩模台15、检测单元16以及冷却单元17。
腔室11将其内部维持为真空环境或氮气等非活性气体环境。在腔室11的内部主要设置有蒸发源12、基板保持单元13、掩模台15以及冷却单元17。
蒸发源12是在维持为真空环境或非活性气体环境的腔室11内使蒸镀材料蒸发或升华而在基板5上成膜的成膜构件。例如，蒸发源12可以包括用于加热蒸镀材料并使其蒸发的加热器等热源、收容蒸镀材料的容器、监视蒸镀率的蒸镀监视器等。在本实施方式中，蒸发源12是多个喷嘴(未图示)在X方向上排列配置并从各个喷嘴放出蒸镀材料的线性蒸发源。蒸发源12通过蒸发源移动机构(未图示)在Y方向上往复移动。
基板保持单元13在腔室11内保持、输送基板5。在本实施方式中，基板保持单元13包括支承框体131、基板致动器132、夹持部件133以及夹持致动器134。
支承框体131支承基板5。在一实施方式中，支承框体131具有：以在支承基板5时包围基板的方式设置的框部1311；以及从框部1311向框部1311的内侧延伸并从下侧支承基板5的4边的附近(一对短边的附近以及一对长边的附近)的多个支承部1312。基板致动器132以与框部1311连接的方式设置，通过使支承框体131在上下方向(Z方向)上移动，从而使支承于支承框体131的基板5上下移动。需要说明的是，在图3的例子中，框部1311设为包围矩形的基板5的外周那样的没有缝隙的矩形框形，但并不限定于此，也可以是局部存在切口的矩形框形。通过在框部1311设置切口，能够在从输送机器人RR1向基板保持单元13的支承部1312交接基板5时使输送机器人RR1避开框部1311而退避，能够提高基板5的输送以及交接的效率。
夹持部件133与支承框体131一起保持基板5。具体而言，夹持部件133包括：与支承基板5的长边的附近(以下有时简称为“长边”)的多个支承部1312的位置对应地分别设置的多个按压部件1331；以及沿着基板5的各长边分别设置并支承按压部件1331的基部1332，使按压部件1331按压于支承部1312。由此，基板5被按压部件1331和支承部1312夹入。夹持致动器134使夹持部件133在上下方向上移动。由此，支承框体131以及夹持部件133夹持基板5，或从夹持状态释放。需要说明的是，夹持致动器134可以构成为，通过设置成通过基板致动器132与支承框体131一起在上下方向上移动，由此，即便支承框体131上升或下降，基板5的夹持状态也不会发生变化。需要说明的是，支承部1312有时也被称为“承接爪”或“指部”，按压部件1331有时也被称为“夹持件”。
位置调整机构14(参照图4)进行基板5和掩模3的相对位置调整。具体而言，位置调整机构14对基板5和掩模3的XY方向的相对位置以及绕Z轴的相对角度进行调整。在本实施方式中，位置调整机构14具备使基板保持单元13在X方向上移动的致动器、使基板保持单元13在Y方向上移动的致动器以及使基板保持单元13绕Z轴旋转的致动器(均未图示)。由此，位置调整机构14一边维持掩模3的位置，一边使保持有基板5的基板保持单元13移动，从而进行位置调整。但是，位置调整机构14也可以通过一边维持基板5的位置一边使掩模3移动、或者使基板5和掩模3双方移动来调整它们的相对位置。
在此，本实施方式的成膜装置10通过位置调整机构14，作为基板5与掩模3之间的对准，执行粗对准以及精对准这2个阶段的对准。粗对准是基板5和掩模3的大致的位置调整，精对准是精度比粗对准高的高精度的基板5和掩模3的位置调整。关于它们的详细情况在后面叙述。
掩模台15是在腔室11内支承掩模的台，设置在基板保持单元13的下方且蒸发源12的上方。在成膜时，在支承于掩模台15的掩模3上载置基板5。
检测单元16对设置于基板5以及掩模3的对准用的标记进行检测。在本实施方式中，检测单元16包括：检测粗对准用的标记的多个照相机1601、1602、以及检测精对准用的标记的多个照相机1611～1614。照相机1601、1602分别拍摄基板5的短边中央附近的规定区域，检测掩模标记301、302以及基板标记501、502(参照图5(a)～图5(c))。另外，照相机1611～1614分别拍摄基板5的角附近的规定区域，分别检测掩模标记311～314以及基板标记511～514(参照图5(a)～图5(c))。需要说明的是，在以下的说明中，有时将照相机1601、1602统称为粗略照相机160，将照相机1611～1614统称为精细照相机161。另外，检测单元16不限于照相机，也可以通过其他光学方法来检测标记。
冷却单元17冷却基板5，抑制其温度上升，从而抑制有机材料的变质、劣化。在本实施方式中，冷却单元17包括冷却板170和冷却板致动器171。
冷却板170是对基板5进行冷却的板状的部件，例如具有与由蒸发源12进行成膜的基板5的区域相同程度的大小。例如，冷却板170以位于由基板保持单元13保持的基板5的上侧的方式设置，通过与基板5的进行成膜的面相反的一侧的面接触来冷却基板5。另外，冷却板170也可以兼用作通过磁力将掩模3向基板5吸引而提高基板5与掩模3的紧贴性的磁铁板。需要说明的是，也可以采用与冷却板170分体地设置磁铁板的结构。另外，冷却板170并不限定于通过水冷机构等积极地冷却基板5，也可以是虽然未设置水冷机构等但通过与基板5接触来吸收基板5的热量的板状部件。冷却板170也可以称为按压板。
冷却板致动器171使冷却板170在上下方向(Z方向)上移动。需要说明的是，在冷却板170与磁铁板分体设置的情况下，也可以另行设置使磁铁板在上下方向上移动的致动器，以使它们能够独立地移动。
<控制结构>
图4是表示图2所示的成膜装置10的硬件的结构例的图。在图4中，以与基板5和掩模3的对准相关的结构为中心进行表示。例如，成膜装置10基于来自对制造装置100进行统括控制的主计算机H的指示，执行规定的动作。
控制部18具备处理部181、存储部182以及I/F部183(接口部)，它们通过未图示的总线相互连接。处理部181例如是CPU。处理部181通过执行存储部182中存储的程序来控制位置调整机构14、各种致动器20的驱动。存储部182例如是RAM、ROM、硬盘等，除了存储处理部181执行的程序之外，还存储各种数据。I/F部183对处理部181与外部设备的信号的收发进行中继。I/F部183例如由通信I/F、输入输出I/F构成。
显示部19显示各种信息。另外，作为各种致动器20，可以包括上述的基板致动器132、夹持致动器134、冷却板致动器171等。
<基板以及掩模>
图5(a)～(c)是表示掩模3以及基板5的结构例的俯视图，图5(a)表示掩模3单体，图5(b)表示基板5单体，图5(c)表示掩模3与基板5重叠的状态。需要说明的是，在图5(c)中，区域R1～R6分别表示照相机1611～1614、1601、1602的检测区域。另外，图5(a)～(c)为了容易理解而强调表示各标记，因此，与实际的尺寸不同。
掩模3用于以所希望的图案在基板5上蒸镀蒸镀材料。在掩模3的与基板5重叠的区域形成有规定的图案的开口(在图5(a)等中省略)，在基板5的一侧的面被掩模3覆盖的状态下进行蒸镀，从而以与开口相应的图案在基板5上蒸镀蒸镀材料。需要说明的是，作为掩模3，可以使用具有如下结构的掩模：在框状的掩模框架上焊接固定有数μm～数十μm左右的厚度的掩模箔。掩模3的材质没有特别限定，优选使用因瓦合金材料等热膨胀系数小的金属。
另外，在掩模3上设置有粗对准用的掩模标记301、302以及精对准用的掩模标记311～314。掩模标记301、302分别设置于掩模3的短边的中央附近，由对应的照相机1601、1602检测。掩模标记311～314分别设置于掩模3的角附近，由对应的照相机1611～1614检测。需要说明的是，在以下的说明中，有时将掩模标记301、302总称为掩模粗略标记30，将掩模标记311～314总称为掩模精细标记31。即，掩模粗略标记30由粗略照相机160检测，掩模精细标记31由精细照相机161检测。
基板5是成为要蒸镀蒸镀物质的对象的部件，具有使由检测单元16进行检测的光透过的透过性。在通过输送机器人RR1将基板5输送到腔室11内时，基板5在保持于基板保持单元13的状态下，通过位置调整机构14在基板5与掩模3之间进行位置调整。另外，通过使基板5具有透过性，即便在掩模3与检测单元16之间配置有基板5，检测单元16也能够检测掩模标记30、31。
在基板5上设置有粗对准用的基板标记501、502以及精对准用的基板标记511～514。基板标记501、502分别设置于基板5的短边的中央附近，由对应的照相机1601、1602检测。基板标记511～514分别设置于基板5的角附近，由对应的照相机1611～1614检测。需要说明的是，在以下的说明中，有时将基板标记501、502总称为基板粗略标记50，将基板标记511～514总称为基板精细标记51。即，基板粗略标记50由粗略照相机160检测，基板精细标记51由精细照相机161检测。
在本实施方式中，基板标记50、51分别由位置检测用标记50a、51a和角度检测用标记50b、51b构成。但是，也可以采用它们成为一体的结构、仅检测各基板标记50、51的位置的结构。或者，也可以是，基板精细标记51由位置检测用标记51a以及角度检测用标记51b构成，基板粗略标记50仅由位置检测用标记50a构成。即，也可以是，基板标记50、51中的任一方由位置检测用标记以及角度检测用标记构成，另一方仅由位置检测用标记构成。
另外，在本实施方式中，在粗对准中，调整基板5和掩模3的相对位置，以使基板粗略标记50和与它们对应的掩模粗略标记30之间的位置关系满足规定条件。另外，在精对准中，调整基板5和掩模3的相对位置，以使基板精细标记51和与它们对应的掩模精细标记31之间的位置关系满足规定条件。
<对准工序的概略>
图6是示意性地表示由成膜装置10进行的对准工序的概略的图。状态ST1～ST2表示对准实施前的状态，状态ST3表示正执行粗对准的状态，状态ST4～ST8表示正执行精对准的状态。
状态ST1表示基板5被输送机器人RR1送入到腔室11内的状态。在该状态下，基板5载置于支承框体131上，但夹持部件133向基板5的上方分离。因此，基板5未被夹持。另外，基板5因自重而使中央部分挠曲。
状态ST2表示由支承框体131和夹持部件133夹持基板5的状态。具体而言，通过夹持致动器134使夹持部件133从状态ST1向下方移动，从而利用支承框体131和夹持部件133夹持基板5的长边。
状态ST3表示正执行粗对准的状态。具体而言，通过粗略照相机160检测基板粗略标记50以及掩模粗略标记30，位置调整机构14基于该检测结果来调整基板5的XY方向的位置以及绕Z轴的旋转角θ。需要说明的是，也可以在位置调整机构14的调整后，再次通过粗略照相机160检测基板粗略标记50以及掩模粗略标记30，在检测结果不满足条件的情况下，再次进行基于位置调整机构14的位置调整。
状态ST4以后表示正执行精对准的状态。状态ST4表示通过基板致动器132使基板保持单元13下降，通过精细照相机161进行基板精细标记51以及掩模精细标记31的检测的状态。需要说明的是，在检测结果满足条件的情况下，也可以省略状态ST5、ST6。在此，为了提高基于对准的位置调整的精度，要求提高检测单元16对各标记的检测精度。因此，作为在要求高精度下的位置调整的精对准中使用的精细照相机161，优选使用能够以高分辨率取得图像的照相机。但是，若提高照相机的分辨率，则景深变浅，因此，为了同时拍摄成为拍摄对象的形成于基板5的标记和形成于掩模3的标记，需要使两标记在精细照相机161的光轴方向上更接近。因此，在本实施方式中，当在精对准中检测基板精细标记51以及掩模精细标记31时，使基板5比在粗对准中检测基板粗略标记50以及掩模粗略标记30时接近掩模3。此时，如图6的状态ST4所示，基板5成为与掩模3部分接触的状态。由于基板5的周缘区域被支承，因此，基板5成为中央部因自重而挠曲的状态，所以，典型的是，成为基板5的中央部与掩模3部分接触的状态。
需要说明的是，在粗对准中，如图6的状态ST3所示，在基板5与掩模3分离的状态下，进行基板粗略标记50和掩模粗略标记30的检测、以及基板5和掩模3的位置的调整。在粗对准中，通过使用景深较深的粗略照相机160，能够在基板5与掩模3分离的状态下进行对准。在本实施方式中，在如上所述通过粗对准在使基板5与掩模3分离的状态下大致进行位置的调整后，进行位置调整的精度更高的精对准。由此，当在精对准中为了检测标记而使基板5和掩模3接近并接触时，由于基板5和掩模3的相对位置已经在一定程度上被调整，因此，形成在基板5上的膜的图案和掩模3的开口图案以在一定程度上整齐排列的状态接触。因此，能够减少因基板5与掩模3接触而导致形成在基板5上的膜的损伤。即，通过如本实施方式那样组合执行在使基板5与掩模3分离的状态下大致进行位置调整的粗对准和包括使基板5与掩模3部分接触的工序在内的精对准，能够减少对形成在基板5上的膜的损伤并且实现高精度的位置调整。
状态ST5表示基于照相机161的检测结果进行基板5的位置调整的状态。具体而言，在通过基板致动器132使基板保持单元13上升而使基板5从掩模3分离后，位置调整机构14对基板5的XY方向的位置以及绕Z轴的旋转角θ进行调整。
状态ST6表示使基板5再次接近掩模3，在基板5与掩模3接触的状态下通过照相机161检测基板标记51和掩模标记31的状态。在检测结果满足条件的情况下进入状态ST7，在不满足条件的情况下返回到状态ST5。
状态ST7表示将基板5载置于掩模3上，并在其上重叠冷却板170的状态。具体而言，在通过基板致动器132使基板保持单元13下降而将基板5载置于掩模3上之后，通过冷却板致动器171使冷却板170下降而使冷却板170与基板5接触。
状态ST8表示由照相机161执行最终的位置确认的状态。在状态ST7下基板5成为被掩模3和冷却板170夹持的状态后，通过夹持致动器134使夹持部件133向上方移动，由此夹持部件133从基板5分离，基板5的长边的夹持状态被解除。此后，通过基板致动器132使基板保持单元13下降，使与基板5的周缘区域接触的支承框体131的多个支承部1312从基板5分离。由此，基板5从基板保持单元13分离，成为被掩模3和冷却板170夹持的状态。在该状态下，通过精细照相机161检测基板精细标记51以及掩模精细标记31，确认它们的位置关系是否满足条件。如果它们的位置关系满足条件，则结束基板5和掩模3的对准，如果不满足条件，则返回到状态ST5。
图7是说明精对准工序的一例的图。
处理部181基于各照相机1611～1614的检测结果，取得设置于掩模3的多个掩模标记311～314的位置P1～P4。在本实施方式中，位置P1～P4分别是圆形的掩模标记311～314的中心位置。另外，在本实施方式中，在存储部182中存储有将各照相机1611～1614各自的视野内的坐标系(照相机坐标系)与成膜装置10的整体的坐标系(世界坐标系)关联起来的信息。处理部181基于各照相机1611～1614各自的检测结果，计算各个照相机坐标系中的掩模标记311～314的位置P1～P4的坐标。处理部181从将上述的照相机坐标系与世界坐标系相关联的信息中取得多个掩模标记311～314的位置P1～P4在世界坐标系中的坐标。
另外，处理部181基于各照相机1611～1614的检测结果，从设置于基板5的多个基板标记511～514，将与掩模标记311～314分别对应的目标位置511T～514T设定在基板5上。需要说明的是，关于目标位置511T～514T，也与掩模标记311～314的位置P1～P4同样地，基于将照相机坐标系与世界坐标系关联起来的信息，通过世界坐标系中的坐标来设定。在本实施方式中，在基板5的内侧的、与十字形的位置检测用标记511a～514a的沿X方向延伸的部分相距规定距离的位置，设定目标位置511T～514T。需要说明的是，在图7中，用L1表示位置P1与目标位置511T之间的距离。位置P2～P4与目标位置512T～514T之间的各个距离也同样地用L2～L4表示。
接着，处理部181基于多个掩模标记311～314的位置P1～P4和与它们对应的目标位置511T～514T，通过位置调整机构14调整基板5和掩模3的相对位置。作为一例，首先，处理部181通过位置调整机构14调整基板5的位置，以使位置P1～P4的重心与目标位置511T～514T的重心一致。此后，处理部181一边维持位置P1～P4的重心与目标位置511T～514T的重心一致的状态一边通过位置调整机构14使基板5旋转，以使距离L1～L4的平方和成为最小。另外，说明的对准方法是例示，能够应用其他公知的技术。
另外，如上所述，在有机EL显示装置中按红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的每个发光色分开涂敷并进行蒸镀的情况下等，要求高精度的对准。在此，在使用基板精细标记51以及掩模精细标记31进行对准时，相互对应的基板精细标记51以及掩模精细标记31的组的数量越多，对准后的基板5与掩模3的偏移收敛为越小的值，对准精度越提高。这是因为，形成基板精细标记51以及掩模精细标记31时的加工误差、各精细照相机161的检测误差等各种误差被平均化。需要说明的是，在此对基板精细标记51以及掩模精细标记31进行说明，但对于基板粗略标记50以及掩模粗略标记30也是同样的。
另一方面，基板5被依次输送到多个成膜室并且反复进行使用多个蒸镀材料的成膜，因此，在输送时或成膜时，有时在基板5的形成有标记的区域也附着材料等而弄脏。或者，有时在蒸镀工序之前的TFT电路形成工序(背板工序)等中弄脏基板5的形成有标记的区域，处于被弄脏的状态的基板5被送入进行蒸镀的成膜室。在这种情况下，在进行对准时，有时因基板5被弄脏等而导致检测单元16无法检测基板标记51。在未能检测到基板标记511～514中的任一个的情况下，可考虑仅基于能够检测到的基板标记和与其对应的掩模标记进行对准，即，不使用未能检测到的标记，而使所使用的标记的组的数量比通常时减少而进行对准。但是，在该情况下，有时因相对应的基板精细标记51以及掩模精细标记31的组的数量变少而不能以要求的精度进行对准。
另外，在制造时，有时使用相同的掩模3对多个基板5进行成膜。在此，若在有一个无法检测的基板标记51的情况下利用能够检测到的剩下的三个基板标记51进行对准，则有时会导致对准结果收敛于与使用四个基板标记51进行对准的情况不同的位置。其结果是，在相同的制造批次(在此，将使用相同的掩模3进行了成膜的基板3作为一个制造批次)内，有时会导致相对于基板5的成膜位置产生偏差。
因此，在本实施方式中，为了进行更高精度的对准，处理部181执行以下的处理。
<处理例>
图8是表示处理部181的处理例的流程图，表示进行精对准时的处理的概略。更具体地说，示出基于检测单元16的检测结果，在基板5上设定假想的标记(假想标记)，并使用假想标记进行对准的情况下的处理。例如，本流程图在图6的状态ST4～ST5所示的动作中执行。另外，本流程图例如通过由处理部181读出并执行存储于存储部182的程序来实现。
在步骤S1中，处理部181进行标记检测处理。具体而言，处理部181通过作为检测单元16的照相机1611～1614，检测设置于掩模3的掩模标记311～314、以及与掩模标记311～314分别对应地设置于基板5的基板标记511～514。需要说明的是，处理部181在存在通过检测单元16无法检测的标记(掩模精细标记31或基板精细标记51)的情况下，能够取得该情况的信息。
在步骤S2中，处理部181进行假想位置信息设定处理。在本实施方式中，在存在在步骤S1中未能检测到的基板精细标记51的情况下，处理部181基于能够检测到的基板精细标记51的位置，将与未能检测到的基板精细标记51对应的假想标记51V(参照图10)的假想位置信息设定在基板5上。处理的详细情况在后面叙述(参照图9(a))。
在步骤S3中，处理部181进行位置调整处理。具体而言，处理部181根据基于步骤S1中的检测结果的掩模标记311～314及基板标记511～514的位置、以及在步骤S2中设定的假想标记51V的假想位置信息，进行基板5和掩模3的位置调整。处理的详细情况在后面叙述。
在步骤S4中，处理部181在位置调整后再次进行标记检测处理。具体的处理与步骤S1相同。在步骤S5中，处理部181判定步骤S4的检测结果是否满足规定条件，如果满足则结束流程图，如果不满足则返回到步骤S3的处理。例如，处理部181在多个掩模标记311～314的位置P1～P4和与它们对应的目标位置511T～514T之间的距离的平方和为规定值以下的情况下，判定为满足规定条件。
图9(a)是表示处理部181的处理例的流程图，表示图8的流程图的步骤S2的具体例。
在步骤S201中，处理部181判定是否存在在步骤S1中无法检测的基板标记511～514。在存在无法检测的基板标记51的情况下进入步骤S202，在能够检测到应检测的所有的基板精细标记51的情况下进入步骤S203。
在步骤S202中，处理部181设定假想标记51V的假想位置信息。例如，处理部181以在步骤S1中检测到的基板精细标记51的位置为基准，推定在步骤S1中未能检测到的基板精细标记51的位置，取得该位置信息。接着，将取得的位置信息设定为与在步骤S1中未能检测到的基板精细标记51对应的假想标记51V的假想位置信息。通常，基板5上的各基板精细标记51的相对位置关系根据基板5的尺寸、种类等而预先决定。换言之，各基板精细标记51基于预先决定的设计尺寸形成在基板5上。因此，处理部181能够基于至少一个基板精细标记51的位置信息以及角度信息来推定其他基板精细标记51的位置信息。另外，处理部181能够基于至少两个基板精细标记51的位置信息来推定其他基板精细标记51的位置信息。
以未检测到右上的基板标记512的情况为例，对假想标记51V的假想位置信息的设定方法的具体例进行说明。例如，存储部182预先存储关于基板标记511和基板标记512的相对位置关系的信息。接着，处理部181基于该信息和由检测单元16检测到的基板标记511的位置信息及角度信息，推定并取得基板标记512的位置信息，并将该位置设定为假想标记51V的假想位置信息。
另外，例如，处理部181也可以基于由检测单元16检测到的多个基板标记511、513、514中的至少两个位置信息来设定假想标记51V的假想位置信息。处理部181也可以取得从左下的基板标记513到右下的基板标记514的X方向距离D1和Y方向距离D2，以左上的基板标记511为起点，在沿X方向前进了D1、沿Y方向前进了D2的位置设定假想标记51V。或者，存储部182也可以预先存储关于基板标记511、基板标记512以及基板标记513的相对位置关系的信息。在该情况下，处理部181也可以基于存储部182所存储的相对位置关系的信息和由检测单元16检测到的基板标记511及基板标记513的位置信息，推定并取得基板标记512的位置信息，并将该位置设定为假想标记51V的假想位置信息。
在步骤S203中，处理部181将各种标记显示于显示部19。图10是表示显示部19的显示例的图，示出未能检测到基板标记512的情况下的例子。在显示部19的显示画面191上分别显示出照相机1611～1614的拍摄图像。另外，在照相机1612的拍摄图像上，基于在S202中设定的假想位置信息，显示出假想标记51V(假想位置检测用标记51Va以及假想角度检测用标记51Vb)。另外，在各照相机161的拍摄图像上，显示出基于基板标记51或假想标记51V而设定的目标位置T511～T514。需要说明的是，在没有在步骤S1中无法检测的基板标记511～514的情况下，不设定假想位置信息，因此，处理部181使照相机1611～1614的拍摄图像显示于显示部19。
这样，通过在显示部19的显示画面191上显示所设定的假想标记51V，装置的使用者能够容易地识别设定了假想标记51V这种情况。需要说明的是，显示部19的显示方式能够适当设定。另外，也可以省略本步骤，不进行显示部19的显示而结束流程图。
图9(b)是表示处理部181的处理例的流程图，表示图8的流程图的步骤S3的具体例。
在步骤S301中，处理部181确认在步骤S202中是否设定了假想标记51V的假想位置信息。处理部181在设定了假想位置信息的情况下进入步骤S302，在未设定假想位置信息的情况下进入步骤S303。
在步骤S302中，处理部181基于由检测单元161检测到的掩模标记311～314和基板标记511～514、以及在步骤S202中设定的假想位置信息进行位置调整。在步骤S303中，处理部181基于由检测单元161检测到的掩模标记311～314和基板标记511～514进行位置调整。
如以上说明的那样，根据本实施方式，基于基板精细标记51设定假想标记51V。例如，处理部181根据基于检测单元16的检测结果的、与掩模标记311对应的基板标记311的位置，与掩模标记312对应地在基板5上设定假想标记51V。因此，基板精细标记51或假想标记51V与更多的掩模标记31相对应，因此，对准后的基板5与掩模3的偏移收敛为较小的值，能够提高对准精度。
进一步来说，在本实施方式中，在存在未能检测到的基板精细标记51的情况下，基于检测到的基板精细标记51，设定与未能检测到的基板精细标记51对应的假想标记51V。由此，即便在存在未能检测到的基板精细标记51的情况下，也能够维持基板5与掩模3的对准精度。
另外，基板精细标记51例如通过光刻以及蚀刻等高精度地形成。典型的是，设置于基板5的多个基板精细标记51通过使用了一个光掩模的一次曝光而一并构图，因此，各个标记的位置关系也高精度地形成。因此，能够相对于未能检测到的基板精细标记51高精度地设定假想标记51V。因此，即便在使用假想标记51V进行对准的情况下，也能够抑制制造过程中的批次内的对准的偏差。
<电子器件的制造方法>
接着，说明电子器件的制造方法的一例。以下，作为电子器件的例子而例示有机EL显示装置的结构以及制造方法。
首先，说明制造的有机EL显示装置。图11(a)是有机EL显示装置50的整体图，图11(b)是表示一个像素的截面结构的图。
如图11(a)所示，在有机EL显示装置50的显示区域51，呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素52。每一个发光元件具有具备被一对电极夹着的有机层的结构，详细情况在后面说明。需要说明的是，在此所说的像素是指在显示区域51中能够进行所希望的颜色的显示的最小单位。在彩色有机EL显示装置的情况下，通过示出彼此不同的发光的第一发光元件52R、第二发光元件52G、第三发光元件52B的多个副像素的组合来构成像素52。像素52大多由红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件以及蓝色(B)发光元件这3种副像素的组合构成，但并不限于此。像素52只要包含至少一种副像素即可，优选包含两种以上的副像素，更优选包含3种以上的副像素。作为构成像素52的副像素，例如，也可以是红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件、蓝色(B)发光元件以及黄色(Y)发光元件这四种副像素的组合。
图11(b)是图11(a)的A-B线处的局部截面示意图。像素52具有由有机EL元件构成的多个副像素，该有机EL元件在基板53上具备第一电极(阳极)54、空穴输送层55、红色层56R/绿色层56G/蓝色层56B中的任一个、电子输送层57以及第二电极(阴极)58。其中，空穴输送层55、红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B、电子输送层57相当于有机层。红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(也有时记为有机EL元件)对应的图案。另外，第一电极54按照每个发光元件分离地形成。空穴输送层55、电子输送层57以及第二电极58既可以在多个发光元件52R、52G、52B共用而形成，也可以按照每个发光元件形成。即，如图11(b)所示，也可以在空穴输送层55在多个副像素区域作为共用的层而形成的基础上，红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B按照每个副像素区域分离地形成，进而在其上，电子输送层57和第二电极58在多个副像素区域作为共用的层而形成。需要说明的是，为了防止接近的第一电极54之间的短路，在第一电极54之间设置有绝缘层59。并且，由于有机EL层会因水分、氧而劣化，因此，设置有用于保护有机EL元件免受水分、氧侵蚀的保护层60。
在图11(b)中，空穴输送层55、电子输送层57用一层示出，但根据有机EL显示元件的结构，也可以由具有空穴阻挡层、电子阻挡层的多层形成。另外，也可以在第一电极54与空穴输送层55之间形成空穴注入层，该空穴注入层具有能够顺畅地进行空穴从第一电极54向空穴输送层55的注入的能带结构。同样地，也可以在第二电极58与电子输送层57之间也形成电子注入层。
红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B的每一个既可以由单一的发光层形成，也可以通过层叠多层而形成。例如，也可以由2层构成红色层56R，由红色的发光层形成上侧的层，由空穴输送层或电子阻挡层形成下侧的层。或者，也可以由红色的发光层形成下侧的层，由电子输送层或空穴阻挡层形成上侧的层。通过这样在发光层的下侧或上侧设置层，调整发光层中的发光位置，调整光路长度，从而具有提高发光元件的色纯度的效果。需要说明的是，在此，示出了红色层56R的例子，但在绿色层56G、蓝色层56B中也可以采用同样的结构。另外，层叠数也可以为2层以上。并且，既可以如发光层和电子阻挡层那样层叠不同材料的层，也可以层叠相同材料的层，例如层叠2层以上的发光层等。
接着，对有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体说明。在此，假定红色层56R由下侧层56R1和上侧层56R2这2层构成，绿色层56G和蓝色层56B由单一的发光层构成的情况。
首先，准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及第一电极54的基板53。需要说明的是，基板53的材质没有特别限定，可以由玻璃、塑料、金属等构成。在本实施方式中，作为基板53，使用在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺的膜的基板。
在形成有第一电极54的基板53上通过棒涂或旋涂来涂敷丙烯酸或聚酰亚胺等树脂层，通过光刻法以在形成有第一电极54的部分形成开口的方式对树脂层进行构图而形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将构图有绝缘层59的基板53送入第一成膜室，将空穴输送层55作为共用的层而成膜于显示区域的第一电极54之上。空穴输送层55使用掩模进行成膜，该掩模在最终成为一个个的有机EL显示装置的面板部分的每个显示区域51形成有开口。
接着，将形成至空穴输送层55的基板53送入第二成膜室。进行基板53与掩模的对准，将基板载置于掩模上，在空穴输送层55上的、基板53的配置发出红色光的元件的部分(形成红色的副像素的区域)成膜红色层56R。在此，在第二成膜室中使用的掩模是仅在成为有机EL显示装置的副像素的基板53上的多个区域中的、成为红色的副像素的多个区域形成有开口的高精细掩模。由此，包括红色发光层的红色层56R仅在基板53上的成为多个副像素的区域中的成为红色的副像素的区域成膜。换言之，红色层56R在基板53上的成为多个副像素的区域中的成为蓝色的副像素的区域、成为绿色的副像素的区域不进行成膜，而选择性地成膜在成为红色的副像素的区域。
与红色层56R的成膜同样地，在第三成膜室中成膜绿色层56G，进而在第四成膜室中成膜蓝色层56B。在红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B的成膜完成之后，在第五成膜室中，在整个显示区域51成膜电子输送层57。电子输送层57作为共用的层而形成于三种颜色的层56R、56G、56B。
将形成至电子输送层57的基板移动到第六成膜室，成膜第二电极58。在本实施方式中，在第一成膜室～第六成膜室中通过真空蒸镀进行各层的成膜。但是，本发明并不限定于此，例如第六成膜室中的第二电极58的成膜也可以通过溅射来成膜。此后，将形成至第二电极68的基板移动到密封装置，通过等离子体CVD成膜保护层60(密封工序)，有机EL显示装置50完成。需要说明的是，在此，通过CVD法形成保护层60，但并不限定于此，也可以通过ALD法、喷墨法来形成。
在此，第一成膜室～第六成膜室中的成膜使用形成有与要形成的各个层的图案对应的开口的掩模来成膜。在成膜时，在进行基板53和掩模的相对位置调整(对准)之后，在掩模之上载置基板53进行成膜。在此，在各成膜室中进行的对准工序如上述的对准工序那样进行。
<其他实施方式>
在第一实施方式中，在存在通过检测单元16无法检测的基板精细标记51的情况下，设定假想标记。但是，也可以采用不论有无通过检测单元16无法检测的基板精细标记51都设定假想标记的结构。例如，也可以在原本设置于基板5的基板精细标记51的数量少于掩模精细标记31的数量的情况下，以与不存在对应的基板精细标记51的掩模精细标记31对应的方式设定假想标记51V。由此，与仅通过实际设置于基板5的基板精细标记51和存在对应的基板精细标记51的掩模精细标记31进行对准的情况相比，使用的掩模精细标记31与基板标记51或假想标记51V的组的数量变多，因此，能够提高对准的精度。
另外，在第一实施方式中，在精对准工序中设定假想标记，但也可以采用在粗对准工序中设定假想标记的结构。另外，不限于执行粗对准和精对准这2个阶段的对准的情况，在实施一种对准或实施3个阶段以上的对准的情况下也可以采用上述实施方式的结构。
另外，在第一实施方式中，处理部181设定假想标记51V，并将该位置信息设定为假想位置信息，但也可以不设定假想标记51V。即，处理部181基于由检测单元16检测到的基板精细标记51的位置信息，设定与由检测单元16检测到的基板精细标记51以外的基板精细标记51的位置相关的信息(假想位置信息)即可。该假想位置信息的一例是上述的假想标记51V。或者，假想位置信息也可以是设定在基板5上的掩模精细标记31的目标位置(在第一实施方式中，为目标位置511T～514T)的信息。即，在第一实施方式中，基于假想标记51V的假想位置信息求出基板5上的掩模精细标记31的目标位置，但也可以直接将掩模精细标记31的目标位置设定为假想位置信息。
另外，在设定了假想位置信息的情况下，也可以将设定了假想位置信息这种信息存储在日志数据内。换言之，处理部181也可以具备日志数据输出部，该日志数据输出部输出包含是否设定了假想位置信息这种信息在内的日志数据。通过将该信息存储在日志数据内，装置的使用者通过参照日志数据，能够确认对哪个基板设定了假想位置信息。在设定假想位置信息进行对准并进行了成膜的情况下，也有可能成为与不设定假想位置信息的通常情况不同的成膜结果。因此，通过使装置的使用者能够区别设定假想位置信息而进行了成膜的基板，能够容易地进行生产管理。需要说明的是，在设定了假想位置信息的情况下，也可以对识别该基板5的基板识别信息赋予标记信息，被赋予了该标记信息的基板5通过为了确认成膜结果而在成膜装置的下游侧设置的检查装置优先进行检查。由此，能够进一步提高生产率。
本发明并不限定于上述实施方式，能够在发明的要点的范围内进行各种变形、变更。另外，本发明也可以在将实现上述实施方式的一个以上的功能的程序(软件)经由网络或各种存储介质向系统或装置提供且该系统或装置的计算机中的一个以上的处理器读出程序并执行的处理中，由该程序以及存储该程序的计算机能够读取的非暂时性的存储介质构成。

Claims (17)

1.一种对准装置，其特征在于，所述对准装置具备：
检测构件，所述检测构件检测设置于掩模的第一掩模标记和第二掩模标记、以及与所述第一掩模标记对应地设置于基板的第一基板标记；
设定构件，所述设定构件基于由所述检测构件检测到的所述第一基板标记的位置信息，设定与所述第二掩模标记对应的所述基板上的假想位置信息；以及
位置调整构件，所述位置调整构件基于所述假想位置信息和由所述检测构件检测到的所述第一掩模标记、所述第二掩模标记及所述第一基板标记的位置信息，进行所述基板和所述掩模的相对位置调整。
2.如权利要求1所述的对准装置，其特征在于，
所述对准装置还具备显示部，所述显示部显示基于由所述设定构件设定的所述假想位置信息的假想标记。
3.如权利要求1所述的对准装置，其特征在于，
所述检测构件是以与所述第一掩模标记和所述第二掩模标记分别对应的方式设置的多个照相机。
4.如权利要求1所述的对准装置，其特征在于，
在所述掩模上设置有多个所述第一掩模标记，
在所述基板上，以与多个所述第一掩模标记分别对应的方式设置有多个所述第一基板标记，
所述设定构件基于由所述检测构件检测到的多个所述第一基板标记的位置信息，设定所述假想位置信息。
5.如权利要求1所述的对准装置，其特征在于，
所述设定构件基于由所述检测构件检测到的所述第一基板标记的位置信息以及角度信息，设定所述假想位置信息。
6.一种对准装置，其特征在于，所述对准装置具备：
检测构件，所述检测构件对设置于掩模的第一掩模标记和第二掩模标记、与所述第一掩模标记对应地设置于基板的第一基板标记以及与所述第二掩模标记对应地设置于所述基板的第二基板标记进行检测；
设定构件，所述设定构件基于由所述检测构件检测到的所述第一基板标记的位置信息，设定与所述第二基板标记对应的所述基板上的假想位置信息；以及
位置调整构件，所述位置调整构件基于所述假想位置信息和由所述检测构件检测到的所述第一掩模标记、所述第二掩模标记及所述第一基板标记的位置信息，进行所述基板和所述掩模的相对位置调整。
7.如权利要求6所述的对准装置，其特征在于，
所述设定构件在所述检测构件未能检测到所述第二基板标记的情况下设定所述假想位置信息。
8.如权利要求7所述的对准装置，其特征在于，
在所述检测构件能够检测到所述第二基板标记的情况下，所述位置调整构件基于由所述检测构件检测到的所述第一掩模标记、所述第二掩模标记、所述第一基板标记以及所述第二基板标记的位置信息，进行所述基板和所述掩模的相对位置调整。
9.如权利要求6所述的对准装置，其特征在于，
所述对准装置还具备显示部，所述显示部显示基于由所述设定构件设定的所述假想位置信息的假想标记。
10.如权利要求6所述的对准装置，其特征在于，
所述检测构件是以与所述第一掩模标记和所述第二掩模标记分别对应的方式设置的多个照相机。
11.如权利要求6所述的对准装置，其特征在于，
在所述掩模上设置有多个所述第一掩模标记，
在所述基板上，以与多个所述第一掩模标记分别对应的方式设置有多个所述第一基板标记，
所述设定构件基于由所述检测构件检测到的多个所述第一基板标记的位置信息，设定所述假想位置信息。
12.如权利要求6所述的对准装置，其特征在于，
所述设定构件基于由所述检测构件检测到的所述第一基板标记的位置信息以及角度信息，设定所述假想位置信息。
13.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：
权利要求1～12中任一项所述的对准装置；以及
经由所述掩模在所述基板上成膜的成膜构件。
14.一种对准方法，其特征在于，所述对准方法包括：
检测工序，在所述检测工序中，检测设置于掩模的第一掩模标记和第二掩模标记、以及与所述第一掩模标记对应地设置于基板的第一基板标记；
设定工序，在所述设定工序中，基于在所述检测工序中检测到的所述第一基板标记的位置信息，设定与所述第二掩模标记对应的所述基板上的假想位置信息；以及
位置调整工序，在所述位置调整工序中，基于在所述检测工序中检测到的所述第一掩模标记、所述第二掩模标记及所述第一基板标记的位置信息和在所述设定工序中设定的所述假想位置信息，进行所述基板和所述掩模的位置调整。
15.一种对准方法，其特征在于，所述对准方法包括：
检测工序，在所述检测工序中，对设置于掩模的第一掩模标记和第二掩模标记、与所述第一掩模标记对应地设置于基板的第一基板标记以及与所述第二掩模标记对应地设置于所述基板的第二基板标记进行检测；
设定工序，在所述设定工序中，基于在所述检测工序中检测到的所述第一基板标记的位置信息，设定与所述第二基板标记对应的所述基板上的假想位置信息；以及
位置调整工序，在所述位置调整工序中，基于在所述检测工序中检测到的所述第一掩模标记、所述第二掩模标记及所述第一基板标记的位置信息和在所述设定工序中设定的所述假想位置信息，进行所述基板和所述掩模的相对位置调整。
16.一种电子器件的制造方法，其特征在于，所述电子器件的制造方法包括：
位置调整工序，在所述位置调整工序中，利用权利要求14或15所述的对准方法进行基板和掩模的相对位置调整；以及
成膜工序，在所述成膜工序中，经由通过所述位置调整工序进行了相对位置调整的所述掩模对所述基板进行成膜。
17.一种计算机能够读取的存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有用于使计算机执行权利要求14或15所述的对准方法的程序。
CN202110480488.2A 2020-05-11 2021-04-30 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法以及存储介质 Active CN113637948B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020083339A JP7068381B2 (ja) 2020-05-11 2020-05-11 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
JP2020-083339 2020-05-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113637948A true CN113637948A (zh) 2021-11-12
CN113637948B CN113637948B (zh) 2024-03-08

Family

ID=78415767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110480488.2A Active CN113637948B (zh) 2020-05-11 2021-04-30 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法以及存储介质

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7068381B2 (zh)
KR (1) KR102505828B1 (zh)
CN (1) CN113637948B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024021807A (ja) * 2022-08-04 2024-02-16 キヤノントッキ株式会社 アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
KR20240031509A (ko) * 2022-08-30 2024-03-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010504A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Tokki Corp アライメント装置及び方法
JP2019192898A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 キヤノントッキ株式会社 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
CN110408886A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 佳能特机株式会社 对准方法、使用对准方法的蒸镀方法及电子器件制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004303559A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Tohoku Pioneer Corp アライメント装置及び方法、並びにこれを用いて製造される有機ｅｌ素子
JP4534011B2 (ja) 2004-06-25 2010-09-01 京セラ株式会社 マスクアライメント法を用いたディスプレイの製造方法
KR101104608B1 (ko) * 2005-11-01 2012-01-12 사천홍시현시기건유한공사 얼라인먼트 방법
KR101479943B1 (ko) 2013-10-29 2015-01-12 주식회사 에스에프에이 기판과 마스크의 얼라인 시스템 및 얼라인 방법
KR101893309B1 (ko) 2017-10-31 2018-08-29 캐논 톡키 가부시키가이샤 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막장치, 성막방법, 및 전자 디스바이스 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008010504A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Tokki Corp アライメント装置及び方法
JP2019192898A (ja) * 2018-04-26 2019-10-31 キヤノントッキ株式会社 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
CN110408886A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 佳能特机株式会社 对准方法、使用对准方法的蒸镀方法及电子器件制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113637948B (zh) 2024-03-08
KR20210137901A (ko) 2021-11-18
JP2021178986A (ja) 2021-11-18
JP7068381B2 (ja) 2022-05-16
KR102505828B1 (ko) 2023-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7202858B2 (ja) 基板搬送システム、電子デバイスの製造装置及び電子デバイスの製造方法
JP7247013B2 (ja) アライメント方法、これを用いた蒸着方法及び電子デバイスの製造方法
CN111519158B (zh) 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法
JP7296303B2 (ja) アライメントシステム、成膜装置、成膜方法、電子デバイスの製造方法、および、アライメント装置
JP7244401B2 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法
JP2018198232A (ja) 基板載置装置、基板載置方法、成膜装置、成膜方法、アライメント装置、アライメント方法、および、電子デバイスの製造方法
CN113637948B (zh) 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法以及存储介质
KR102625055B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체
JP2022114212A (ja) 成膜装置
CN111118445A (zh) 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法
KR102625048B1 (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램, 및 기억 매체
KR102527120B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
CN113851406A (zh) 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质
JP7150776B2 (ja) 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
WO2024029221A1 (ja) アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
CN113846305A (zh) 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质
CN115341178A (zh) 成膜装置、存储介质、位置检测精度评价方法、成膜装置调整方法及电子器件的制造方法
WO2024034236A1 (ja) アライメント装置、成膜装置、制御方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体
KR102578750B1 (ko) 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
WO2023210096A1 (ja) 成膜装置、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
CN116330309A (zh) 动作设定装置、动作设定方法及电子器件的制造方法
KR20220120477A (ko) 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 모델 마크 생성 방법, 모델 마크, 및 기억 매체
KR20220000824A (ko) 기판 반송 장치, 기판 처리 시스템, 기판 반송 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 프로그램 및 기억 매체
JP2022167957A (ja) 成膜装置及び電子デバイスの製造方法
JP2021028419A (ja) マスクアライメント方法、成膜方法、マスクアライメント装置、及び成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant