CN115341178A - 成膜装置、存储介质、位置检测精度评价方法、成膜装置调整方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

成膜装置、存储介质、位置检测精度评价方法、成膜装置调整方法及电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及成膜装置、存储介质、位置检测精度的评价方法、成膜装置的调整方法及电子器件的制造方法，提供一种评价对准用的标记的位置的检测精度的技术。提供一种成膜装置。检测部件执行对设置于基板的基板标记的位置及设置于掩模的掩模标记的位置进行检测的检测处理。位置调整部件基于由所述检测部件进行的所述检测处理的结果，执行所述基板及所述掩模的相对的位置调整。运算部件针对在使所述基板及所述掩模静止的状态下由所述检测部件执行的多次所述检测处理的结果执行统计处理。

Description

成膜装置、存储介质、位置检测精度评价方法、成膜装置调整 方法及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及成膜装置、存储介质、位置检测精度的评价方法、成膜装置的调整方法及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置(有机EL显示器)等的制造中，在使用蒸镀用的掩模在基板上对蒸镀材料进行蒸镀时，进行基板与掩模的对准。基板与掩模的对准有时使用形成于基板或掩模的对准用的标记来进行。在专利文献1中公开了根据对形成于基板的对准用的标记进行拍摄而得到的拍摄图像来计算基板的位置及角度与基准的偏移。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-010504号公报
发明内容
发明要解决的课题
在上述以往技术中，关于基板及掩模的位置等与基准的偏移的计算精度，进一步而言，关于在计算中使用的基板及掩模各自的位置的检测精度，尚未进行研究。若该检测精度较低，则基板与掩模的对准精度有时会降低。其结果是，蒸镀材料相对于基板的蒸镀位置有可能会产生偏差，产品的品质有可能会降低。因此，要求掌握对准用的标记的位置的检测精度。
本发明提供一种评价对准用的标记的位置的检测精度的技术。
用于解决课题的手段
根据本发明，提供一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：检测部件，所述检测部件执行对设置于基板的基板标记的位置及设置于掩模的掩模标记的位置进行检测的检测处理；位置调整部件，所述位置调整部件基于由所述检测部件进行的所述检测处理的结果，执行所述基板及所述掩模的相对的位置调整；以及运算部件，所述运算部件针对在使所述基板及所述掩模静止的状态下由所述检测部件执行的多次所述检测处理的结果，执行统计处理。
另外，根据本发明，提供一种存储介质，其特征在于，所述存储介质是存储有用于使成膜装置的计算机作为运算部件发挥功能的程序的计算机可读取的存储介质，
所述成膜装置具备：
检测部件，所述检测部件执行对设置于基板的基板标记的位置及设置于掩模的掩模标记的位置进行检测的检测处理；以及
位置调整部件，所述位置调整部件基于由所述检测部件进行的所述检测处理的结果，执行所述基板及所述掩模的相对的位置调整，
所述运算部件针对在使所述基板及所述掩模静止的状态下由所述检测部件执行的多次所述检测处理的结果，执行统计处理。
另外，根据本发明，提供一种位置检测精度的评价方法，所述位置检测精度的评价方法是成膜装置的位置检测精度的评价方法，
所述成膜装置具备：
检测部件，所述检测部件执行对设置于基板的基板标记的位置及设置于掩模的掩模标记的位置进行检测的检测处理；以及
位置调整部件，所述位置调整部件基于由所述检测部件进行的所述检测处理的结果，执行所述基板及所述掩模的位置调整，
其特征在于，
所述位置检测精度的评价方法包含：
在使所述基板及所述掩模静止的状态下由所述检测部件执行多次所述检测处理的工序；以及
针对所述多次所述检测处理的结果执行统计处理的工序。
另外，根据本发明，提供一种电子器件的制造方法，其特征在于，
所述电子器件的制造方法包含：
通过上述位置检测精度的评价方法对所述基板标记及所述掩模标记的位置检测的精度进行评价的工序；
利用所述位置调整部件执行所述基板及所述掩模的所述位置调整的工序；以及
经由执行了所述位置调整后的所述掩模在所述基板上进行成膜的工序。
另外，根据本发明，提供一种成膜装置的调整方法，所述成膜装置具备：
检测部件，所述检测部件执行对设置于基板的基板标记的位置及设置于掩模的掩模标记的位置进行检测的检测处理；以及
位置调整部件，所述位置调整部件基于由所述检测部件进行的所述检测处理的结果，执行所述基板及所述掩模的位置调整，
其特征在于，
所述成膜装置的调整方法具备：
在使所述基板及所述掩模静止的状态下由所述检测部件执行多次所述检测处理的工序；
针对所述多次所述检测处理的结果执行统计处理的工序；以及
基于所述统计处理的结果来执行所述检测部件的调整的工序。
另外，根据本发明，提供一种电子器件的制造方法，其特征在于，
所述电子器件的制造方法包含：
通过上述成膜装置的调整方法对成膜装置进行调整的工序；
利用所述位置调整部件来执行所述基板及所述掩模的所述位置调整的工序；以及
经由执行了所述位置调整后的所述掩模在所述基板上进行成膜的工序。
发明的效果
根据本发明，能够评价对准用的标记的位置的检测精度。
附图说明
图1是示出一实施方式的电子器件的生产线的结构的一部分的示意图。
图2是一实施方式的成膜装置的概略图。
图3是示出图2的成膜装置的硬件的结构例的图。
图4(a)～(c)是示出掩模及基板的结构例的俯视图。
图5是示意性地示出基于成膜装置的对准工序的概略的图。
图6是说明精细对准工序的一例的图。
图7(a)是说明用于确定掩模精细标记的位置的图案匹配的形态的图，(b)是示出模型标记的一例的图。
图8是示出处理部的处理例的流程图。
图9(a)及(b)是示出处理部的处理例的流程图。
图10是示出处理部的处理例的流程图。
图11(a)是有机EL显示装置的整体图，(b)是示出一个像素的截面构造的图。
附图标记说明
1：成膜装置、2：对准装置、14：控制装置、17：检测单元、20：位置调整单元、141：处理部。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式进行详细说明。此外，以下的实施方式并不对权利要求书的技术方案进行限定，另外，在实施方式中说明的特征的组合的全部未必都是发明所必需的。在实施方式中说明的多个特征中的两个以上的特征也可以任意地组合。另外，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
＜1.电子器件的生产线＞
图1是示出一实施方式的电子器件的生产线的结构的一部分的示意图。图1的生产线例如用于智能手机用的有机EL显示装置的显示面板的制造，基板100被依次搬运到成膜模块301，并在基板100上进行有机EL的成膜。
在成膜模块301中，在俯视时具有八边形的形状的搬运室302的周围配置有多个成膜室303a～303d和掩模保存室305，所述多个成膜室303a～303d设置有后述的成膜装置1，并对基板100进行成膜处理，所述掩模保存室305收纳使用前后的掩模。在搬运室302配置有搬运基板100的搬运机器人302a。搬运机器人302a包括保持基板100的手部和使手部沿水平方向移动的多关节臂。换言之，成膜模块301是以包围搬运机器人302a的周围的方式配置有多个成膜室303a～303d的群集型的成膜单元。此外，在以下的说明中，在不对成膜室303a～303d进行特别区别的情况下，有时称为成膜室303。
在基板100的搬运方向(箭头方向)上，在成膜模块301的上游侧、下游侧分别配置有缓冲室306、回转室307、交接室308。在制造过程中，各室被维持为真空状态。此外，在图1中仅图示了一个成膜模块301，但本实施方式的生产线具有多个成膜模块301，多个成膜模块301具有利用由缓冲室306、回转室307及交接室308构成的连结装置连结而成的结构。此外，连结装置的结构并不被限定于此，例如也可以仅由缓冲室306或交接室308构成。
搬运机器人302a进行基板100从上游侧的交接室308向搬运室302的搬入、成膜室303间的基板100的搬运、掩模保存室305与成膜室303之间的掩模的搬运以及基板100从搬运室302向下游侧的缓冲室306的搬出。
缓冲室306是用于根据生产线的运转状况而暂时地保存基板100的室。在缓冲室306设置有多层构造的基板收纳搁板(也被称为盒)和升降机构，所述多层构造的基板收纳搁板能够在保持着基板100的被处理面(被成膜面)朝向重力方向的下方的水平状态的情况下收纳多块基板100，所述升降机构为了使将基板100搬入或搬出的层与搬运位置相匹配而使基板收纳搁板升降。由此，能够在缓冲室306中暂时收容并滞留多个基板100。
回转室307具备变更基板100的朝向的装置。在本实施方式中，回转室307通过设置于回转室307的搬运机器人而使基板100的朝向旋转180度。设置于回转室307的搬运机器人通过在对由缓冲室306接收到的基板100进行支承的状态下回转180度并交付到交接室308，由此，在缓冲室306内和交接室308中对基板100的搬运方向(箭头方向)上的前端与后端进行调换。由此，将基板100搬入成膜室303时的朝向在各成膜模块301中成为相同的朝向，因此，能够使相对于基板100的成膜的扫描方向、掩模的朝向在各成膜模块301中一致。通过设为这样的结构，能够使在各成膜模块301中将掩模设置于掩模保存室305的朝向一致，能够简化掩模的管理并提高可用性。
交接室308是用于将由回转室307的装置搬入的基板100交接给下游的成膜模块301的搬运机器人302a的室。在本实施方式中，如后所述，在交接室308中进行基板100的对准及在基板100上进行了成膜的膜的膜厚测定。
生产线的控制系统包括作为主机而对生产线整体进行控制的上位装置300和控制各结构的控制装置14a～14d、309、310、311，它们能够经由有线或无线的通信线路300a进行通信。控制装置14a～14d与成膜室303a～303d对应地设置，对后述的成膜装置1进行控制。控制装置309对搬运机器人302a进行控制。控制装置310对设置于回转室307的搬运机器人进行控制。控制装置311控制在交接室308中进行对准、膜厚测定的设备。上位装置300向各控制装置14a～14d、309、310、311发送与基板100相关的信息、搬运时机等指示，各控制装置14a～14d、309、310、311基于接收到的指示对各结构进行控制。此外，在以下的说明中，在不对控制装置14a～14d进行特别区别的情况下，有时称为控制装置14。
＜2.成膜装置的概要＞
图2是一实施方式的成膜装置1的概略图。成膜装置1是在基板100上对蒸镀物质进行成膜的装置，使用掩模101形成规定图案的蒸镀物质的薄膜。在成膜装置1中进行成膜的基板100的材质能够适当地选择玻璃、树脂、金属等材料，优选使用在玻璃上形成有聚酰亚胺等树脂层的材质。作为蒸镀物质，可以列举有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等物质。成膜装置1例如能够应用于制造显示装置(平板显示器等)、薄膜太阳能电池、有机光电转换元件(有机薄膜拍摄元件)等电子器件、光学构件等的制造装置，特别是能够应用于制造有机EL面板的制造装置。在以下的说明中，对成膜装置1通过真空蒸镀而在基板100上进行成膜的例子进行说明，但成膜方法并不限定于此，能够应用溅射或CVD等各种成膜方法。此外，在各图中，箭头Z表示上下方向(重力方向)，箭头X及箭头Y表示相互正交的水平方向。
成膜装置1具有箱型的真空腔室3。真空腔室3的内部空间3a被维持在真空氛围或氮气等惰性气体氛围中。在本实施方式中，真空腔室3与未图示的真空泵连接。此外，在本说明书中，“真空”是指被比大气压低的压力的气体充满的状态，换言之，是指减压状态。在真空腔室3的内部空间3a配置有以水平姿态支承基板100的基板支承单元6、支承掩模101的掩模台5、成膜单元4、板单元9。掩模101是具有与在基板100上形成的薄膜图案对应的开口图案的金属掩模，被固定在掩模台5之上。作为掩模101，能够使用具有在框状的掩模框架上焊接固定有几μm～几十μm左右的厚度的掩模箔的构造的掩模。掩模101的材质并不被特别限定，但优选的是，使用因瓦合金等热膨胀系数小的金属。在将基板100载置在掩模101之上并使基板100与掩模101相互重合的状态下进行成膜处理。
板单元9具备冷却板10和磁铁板11，所述冷却板10在成膜时冷却基板100，所述磁铁板11通过磁力来吸引掩模101而使基板100与掩模101密接。板单元9被设置成能够通过例如具备滚珠丝杠机构等的升降单元13而在Z方向上升降。
成膜单元4由加热器、挡板、蒸发源的驱动机构、蒸发速率监视器等构成，是将蒸镀物质蒸镀在基板100上的蒸镀源。更具体而言，在本实施方式中，成膜单元4是在X方向上排列配置有多个喷嘴(未图示)并从各个喷嘴排出蒸镀材料的线性蒸发源。成膜单元4通过蒸发源移动机构(未图示)而在Y方向(从成膜室303与搬运室302的连接部远离的方向)上往复移动。
另外，成膜装置1具备进行基板100与掩模101的对准的对准装置2。作为概略，对准装置2利用由控制装置14及拍摄单元16构成的检测单元17(参照图3)，对形成于基板100及掩模101的对准标记的位置进行检测。然后，对准装置2基于该检测结果，通过位置调整单元20来调整基板100与掩模101的相对位置。
对准装置2包含拍摄单元16，所述拍摄单元16构成检测单元17，并对在基板100及掩模101的对准中使用的对准标记进行拍摄。拍摄单元16包含相机160、161。在本实施方式中，作为基板100及掩模101的对准，成膜装置1执行粗略对准及精细对准这两个阶段的对准。粗略对准为基板100及掩模101的大致的位置调整，精细对准为精度比粗略对准高的基板100及掩模101的位置调整。但是，对准的形态并不限定于此，例如，成膜装置1也可以仅执行精细对准。
相机160对粗略对准用的对准标记进行拍摄，相机161对精细对准用的对准标记进行拍摄。在本实施方式中，检测单元17分别包含两台相机160和四台相机161。以下，在对两台相机160进行区别地说明的情况下，有时表述为相机1601、1602。另外，在对四台相机161进行区别地说明的情况下，有时表述为相机1611～1614。另外，在以下的说明中，有时将相机160表述为粗略相机160，将相机161表述为精细相机161。此外，相机160、161的数量为例示，能够适当地进行变更。
对准装置2具备对基板100的周缘部进行支承的基板支承单元6。基板支承单元6具备一对基座部62和多个爪状的载置部61，所述一对基座部62相互在X方向上分离地设置并沿Y方向延伸，所述多个爪状的载置部61从基座部62向内侧突出。此外，载置部61有时也被称为“承接爪”或“指状件”。多个载置部61隔开间隔地配置在一对基座部62中的每一个。在载置部61载置基板100的周缘部的长边侧的部分。基座部62经由多个支柱64悬吊于梁构件222。
通过如本实施方式那样使基座部62在X方向上分离且在基板100的一对短边侧未形成基座部62的结构，能够抑制搬运机器人302a向载置部61交接基板时的搬运机器人302a与基座部62的干涉。然而，基座部62也可以为将基板100的周缘部整体包围的那样的矩形框状。由此，能够提高基板100的搬运及交接的效率。另外，基座部62也可以为局部地具有缺口的矩形框状。通过设为局部地具有缺口的矩形框状，从而能够抑制搬运机器人302a向载置部61交接基板时的搬运机器人302a与基座部62的干涉，能够提高基板100的搬运及交接的效率。
另外，基板支承单元6具备夹紧单元63。夹紧单元63具备多个夹紧部66。各夹紧部66与各载置部61对应地设置，能够利用夹紧部66和载置部61夹着基板100的周缘部地进行保持。夹紧单元63例如包含用于使各夹紧部66相对于基板100接近、分离的致动器。作为基板100的支承形态，除了像这样利用夹紧部66和载置部61夹着基板100的周缘部地进行保持的形态之外，还能够采用不设置夹紧部66地仅将基板100载置于载置部61的形态。
对准装置2具备位置调整单元20，所述位置调整单元20调整掩模101与周缘部被基板支承单元6支承的基板100的相对位置。位置调整单元20通过基于由相机160、161得到的设置于基板100及掩模101的对准用标记的拍摄图像等而使基板支承单元6在X-Y平面上位移，从而调整基板100相对于掩模101的相对位置。在本实施方式中，将掩模101的位置固定并使基板100位移来调整它们的相对位置，但既可以使掩模101位移来进行调整，或者也可以使基板100和掩模101这双方位移。位置调整单元20例如也可以构成为包含多个采用滚珠丝杠机构的电动致动器等，并通过它们使基板支承单元6在X-Y方向上移动，或者绕Z轴旋转。
对准装置2具备接近分离单元22，所述接近分离单元22通过使基板支承单元6升降，从而使掩模101与周缘部被基板支承单元6支承的基板100在基板100的厚度方向(Z方向)上接近及分开(分离)。换言之，接近分离单元22能够使基板100与掩模101沿重合的方向接近。接近分离单元22例如也可以包含采用滚珠丝杠机构的电动致动器等。
＜3.控制结构＞
图3是示出图2所示的成膜装置1的硬件的结构例的图。在图3中，以与基板100和掩模101的对准相关联的结构为中心进行表示。例如，成膜装置1基于来自作为统一地控制生产线的主机的上位装置300的指示，执行规定的动作。
控制装置14具备处理部141、存储部142及I/F部143(接口部)，它们相互由未图示的总线连接。处理部141例如为CPU。处理部141通过执行存储于存储部142的程序，从而对位置调整单元20、各种致动器25的驱动进行控制。存储部142例如为RAM、ROM、硬盘等，除了处理部141执行的程序之外，还保存有各种数据。I/F部143对处理部141与外部器件的信号的收发进行中转。I/F部143例如由通信I/F、输入输出I/F构成。
在本实施方式中，如前述那样，利用控制装置14及拍摄单元16来构成能够执行对设置于基板100及掩模101的对准用的标记的位置进行检测的检测处理的检测单元17。即，控制装置14通过使用由拍摄单元16拍摄到的拍摄图像进行图像识别处理，从而检测设置于基板100及掩模101的对准用的标记的位置或角度等。
输入部18为触摸面板、硬键等，并接受来自用户的输入。显示部19例如为液晶显示器等，显示各种信息。另外，作为各种致动器25，也可以包含上述升降单元13、位置调整单元20或接近分离单元22所具有的致动器等。
＜4.基板及掩模＞
图4(a)～(c)是示出基板100及掩模101的结构例的俯视图，图4(a)示出了掩模101单体，图4(b)示出了基板100单体，图4(c)示出了掩模101与基板100重叠的状态。此外，在图4(c)中，拍摄区域R1～R6分别示出了相机1611～1614、1601、1602的拍摄区域。另外，在图4(a)～(c)中，为了容易理解，强调地示出了各标记，因此，相对于基板或掩模的相对的尺寸与实际不同。
掩模101用于以期望的图案将蒸镀材料蒸镀于基板100。在掩模101的与基板100重叠的区域形成有规定图案的开口(在图4(a)等中省略)，通过在基板100的一方的面被掩模101覆盖的状态下进行蒸镀，从而以与开口相应的图案将蒸镀材料蒸镀于基板100。此外，作为掩模101，能够使用具有在框状的掩模框架上焊接固定有几μm～几十μm左右的厚度的掩模箔的构造的掩模。掩模101的材质并不被特别限定，但优选使用因瓦合金等热膨胀系数小的金属。
另外，在掩模101设置有粗略对准用的掩模标记1011、1012及精细对准用的掩模标记1013～1016。掩模标记1011、1012分别设置在掩模101的短边的中央附近，由对应的相机1601、1602进行拍摄。掩模标记1013～1016分别设置在掩模101的角部附近，由对应的相机1611～1614进行拍摄。此外，在以下的说明中，有时将掩模标记1011、1012统称为掩模粗略标记1017，将掩模标记1013～1016统称为掩模精细标记1018。即，掩模粗略标记1017由粗略相机160进行拍摄，掩模精细标记1018由精细相机161进行拍摄。
基板100成为对蒸镀物质进行蒸镀的对象，其是具有可供由拍摄单元16检测的光透过的透过性的构件。在利用搬运机器人302a将基板100搬运到真空腔室3内时，在基板100被保持于基板支承单元6的状态下，利用位置调整单元20进行基板100与掩模101的位置调整。另外，由于基板100具有透过性，因此，即使在掩模101与拍摄单元16之间配置有基板100，拍摄单元16也能够对掩模标记1017、1018进行拍摄。
在基板100设置有粗略对准用的基板标记1001、1002及精细对准用的基板标记1003～1006。基板标记1001、1002分别设置在基板100的短边的中央附近，由对应的相机1601、1602进行检测。基板标记1003～1006分别设置在基板100的角部附近，由对应的相机1611～1614进行检测。此外，在以下的说明中，有时将基板标记1001、1002统称为基板粗略标记1007，将基板标记1003～1006统称为基板精细标记1008。即，基板粗略标记1007由粗略相机160进行检测，基板精细标记1008由精细相机161进行检测。
在本实施方式中，基板标记1007(1001～1002)、1008(1003～1006)分别由位置检测用标记1001a～1002a、1003a～1006a和角度检测用标记1001b～1002b、1003b～1006b构成。然而，也能够采用位置检测用标记及角度检测用标记成为一体的结构或仅检测各基板标记1007、1008的位置的结构。或者，也可以是，基板精细标记1008由位置检测用标记及角度检测用标记构成，基板粗略标记1007仅由位置检测用标记构成。即，也可以是，基板标记1007、1008中的任一方由位置检测用标记及角度检测用标记构成，另一方仅由位置检测用标记构成。
另外，在本实施方式中，在粗略对准中，对基板100及掩模101的相对位置进行调整，以使基板粗略标记1007和与该基板粗略标记1007对应的掩模粗略标记1017的位置关系满足规定条件。另外，在精细对准中，对基板100及掩模101的相对位置进行调整，以使基板精细标记1008和与该基板精细标记1008对应的掩模精细标记1018的位置关系满足规定条件。
＜5.对准工序的概略＞
图5是示意性地示出基于成膜装置1的对准工序的概略的图。状态ST1～ST2示出了实施对准前的状态，状态ST3示出了执行粗略对准的状态，状态ST4～ST8示出了执行精细对准的状态。
状态ST1示出了利用搬运机器人302a将基板100搬入到真空腔室3内的状态。在该状态下，基板100被载置在载置部61上，但夹紧部66向基板100的上方分离。因此，基板100未被夹持。另外，基板100的中央部分由于自重而挠曲。
状态ST2示出了利用载置部61和夹紧部66夹持基板100的状态。具体而言，通过从状态ST1起利用夹紧单元63所具有的致动器使夹紧部66向下方移动，从而利用载置部61和夹紧部66夹着基板100的长边。
状态ST3示出了执行粗略对准的状态。具体而言，处理部141利用粗略相机160对基板粗略标记1007及掩模粗略标记1017进行拍摄，并基于该拍摄图像确定各标记的位置及角度。然后，处理部141基于所确定的各标记的位置及角度，利用位置调整单元20对基板100的XY方向的位置及绕Z轴的旋转角度θ进行调整。此外，也可以是，在基于位置调整单元20的调整之后，再次利用粗略相机160对基板粗略标记1007及掩模粗略标记1017进行拍摄，在基于拍摄图像确定的各标记的位置及角度不满足条件的情况下，再次进行基于位置调整单元20的位置调整。
状态ST4以后示出了执行精细对准的状态。状态ST4示出了利用接近分离单元22使基板支承单元6下降并利用精细相机161进行基板精细标记1008及掩模精细标记1018的检测的状态。此外，也可以是，在基于拍摄图像确定的各标记的位置及角度满足条件的情况下，省略状态ST5、ST6。在此，为了提高基于对准的位置调整的精度，要求提高基于拍摄单元16的各标记的检测精度。因此，作为在要求高精度下的位置调整的精细对准中使用的精细相机161，优选使用能够以高分辨率取得图像的相机。然而，若提高相机的分辨率，则景深会变浅，因此，为了同时拍摄形成于成为拍摄对象的基板100的标记和形成于掩模101的标记，需要使两标记在精细相机161的光轴方向上更进一步地接近。因此，在本实施方式中，当在精细对准中检测基板精细标记1008及掩模精细标记1018时，与在粗略对准中检测基板粗略标记1007及掩模粗略标记1017时相比，使基板100更接近掩模101。此时，如图5的状态ST4所示，也可以为基板100局部地与掩模101接触的状态。由于在基板100中对周缘区域进行支承，所以会成为中央部由于自重而挠曲的状态，因此，典型而言，会成为基板100的中央部局部地与掩模101接触的状态。
此外，在粗略对准中，如图5的状态ST3所示，在基板100与掩模101分离的状态下进行基板粗略标记1007及掩模粗略标记1017的检测和基板100及掩模101的位置的调整。在粗略对准中，通过使用景深比较深的粗略相机160，从而能够在基板100与掩模101分离的状态下进行对准。在本实施方式中，像这样，在通过粗略对准而在使基板100与掩模101分离的状态下大致地进行位置的调整之后，进行位置调整的精度更高的精细对准。由此，当在精细对准中为了进行标记的检测而使基板100与掩模101接近并接触时，由于已经对基板100与掩模101的相对位置进行了某种程度的调整，因此，形成在基板100上的膜的图案与掩模101的开口图案会以在某种程度上进行了整齐排列的状态接触。因此，能够减少基板100与掩模101接触所导致的对形成在基板100上的膜的损伤。即，通过如本实施方式那样将在使基板100与掩模101分离的状态下大致地进行位置调整的粗略对准和包含使基板100与掩模101局部地接触的工序的精细对准组合并进行执行，从而能够减少对形成在基板100上的膜的损伤，并且能够实现高精度的位置调整。
状态ST5示出了基于由相机161得到的拍摄图像进行基板100的位置调整的状态。具体而言，在利用接近分离单元22使基板支承单元6上升并使基板100从掩模101分离之后，位置调整单元20调整基板100的XY方向的位置及绕Z轴的旋转角度θ。
状态ST6示出了再次使基板100接近掩模101且在基板100与掩模101接触的状态下利用相机161对基板精细标记1008及掩模精细标记1018进行拍摄的状态。在基于拍摄图像确定的各标记的位置及角度满足条件的情况下，前进到状态ST7，在不满足条件的情况下，返回到状态ST5。
状态ST7示出了将基板100载置在掩模101上并使板单元9重叠在该基板100上的状态。具体而言，在利用接近分离单元22使基板支承单元6下降而将基板100载置在掩模101上之后，利用升降单元13使冷却板10下降而使板单元9与基板100接触。
状态ST8示出了执行基于相机161的最终的位置确认的状态。当在状态ST7下基板100成为被掩模101和冷却板10夹持的状态之后，通过利用夹紧单元63的致动器使夹紧部66向上方移动，从而使夹紧部66与基板100分离，将基板100的长边的夹持状态解除。之后，利用接近分离单元22使基板支承单元6下降，使与基板100的周缘区域接触的载置部61与基板100分离。由此，基板100与基板支承单元6分离，成为由掩模101和板单元9夹持的状态。在该状态下，利用精细相机161对基板精细标记1008及掩模精细标记1018进行拍摄，并确认它们的位置关系是否满足条件。若它们的位置关系满足条件，则结束基板100与掩模101的对准，若不满足条件，则返回到状态ST5。
＜6.精细对准中的位置调整＞
图6是说明精细对准工序的一例的图。
处理部141基于各相机1611～1614的拍摄图像而取得设置于掩模101的多个掩模标记1013～1016的位置P1～P4。在本实施方式中，位置P1～P4分别为圆形的掩模标记1013～1016的中心位置。另外，在本实施方式中，在存储部142存储有将各相机1611～1614各自的视野内的坐标系(相机坐标系)与成膜装置1的整体的坐标系(世界坐标系)关联起来的信息。处理部141基于各相机1611～1614各自的拍摄图像，对各个相机坐标系中的掩模标记1013～1016的位置P1～P4的坐标进行计算。处理部141根据将上述相机坐标系与世界坐标系关联起来的信息而取得多个掩模标记1013～1016的位置P1～P4的世界坐标系中的坐标。
另外，处理部141基于各相机1611～1614的拍摄图像，根据设置于基板100的多个基板标记1003～1006而将分别与掩模标记1013～1016对应的目标位置T1～T4设定在基板100上。此外，对于目标位置T1～T4而言，也是与掩模标记1013～1016的位置P1～P4同样地基于将相机坐标系与世界坐标系关联起来的信息，通过世界坐标系中的坐标进行设定。在本实施方式中，从十字形的位置检测用标记1003a～1006a的沿X方向延伸的部分起，在基板100的内侧的位置以规定距离设定目标位置T1～T4。此外，在图6中用距离L1示出了位置P1与目标位置T1之间的距离。对于位置P2～P4与目标位置T2～T4之间的各个距离而言，也同样地用距离L2～L4示出。
然后，处理部141基于多个掩模标记1013～1016的位置P1～P4和与之对应的目标位置T1～T4，利用位置调整单元20对基板100与掩模101的相对位置进行调整。作为一例，首先，处理部141利用位置调整单元20对基板100的位置进行调整，以使位置P1～P4的重心与目标位置T1～T4的重心一致。之后，处理部141一边维持位置P1～P4的重心与目标位置T1～T4的重心一致的状态，一边利用位置调整单元20使基板100旋转，以使距离L1～L4的平方和成为最小。此外，说明的对准方法为例示，也能够应用其他的公知技术。
＜7.对准标记位置的取得＞
以下，说明对准、特别是精细对准中的对准标记位置的取得的详细情况。
如前述那样，在基于成膜装置1的对准中，由控制装置14及拍摄单元16构成的检测单元17对各对准标记的位置进行检测。在本实施方式中，通过使用了以与掩模精细标记1018对应的方式准备的模型标记(模型图像)的图案匹配方式来进行掩模101的掩模精细标记1018的位置的检测。进一步而言，通过归一化相关图案匹配来进行掩模101的掩模精细标记1018的检测及位置的确定。
例如，处理部141确认在精细相机161的拍摄图像内是否存在与所准备的模型标记匹配的区域，在存在的情况下，基于该区域为何处来确定掩模精细标记1018的位置。
图7(a)是说明用于确定掩模精细标记1018的位置的图案匹配的形态的图。在图7(a)中示出了使用相机1611的拍摄图像的情况的例子。另外，图7(b)是示出模型标记40的一例的图。
处理部141将在相机1611的拍摄区域R1内具有与模型标记40相同的尺寸的区域R10的图像数据(例如按各像素的亮度数据)和模型标记40的数据(例如按各像素的亮度数据)进行相互比较，并对这些图像间的相关关系值(correlation value)进行计算。相关关系值例如是表示模型标记40及拍摄区域R1内的该区域的整体像素的亮度数据一致的程度的参数的值。
处理部141在计算出的相关关系值超过规定的阈值而具有充分的相关关系的情况下，判断为在对拍摄区域R1内的相关关系值进行了计算的区域R10的位置存在与模型标记40对应的对准标记。另一方面，处理部141在计算出的相关关系值为规定的阈值以下的情况下，即在数据的一致程度较低的情况下，判断为在对拍摄区域R1内的相关关系值进行了计算的区域R10的位置不存在与模型标记40对应的对准标记。
处理部141一边在拍摄区域R1内使区域R10的位置在XY平面上例如每次移动一个像素，一边反复进行同样的处理。当在拍摄区域R1内存在与模型标记40的相关关系值超过阈值的区域R10的位置的情况下，处理部141能够将相关关系值最大的区域R10的位置确定为掩模精细标记1018的位置。另一方面，当在对相关关系值进行了计算的全部的位置处相关关系值均为阈值以下的情况下，处理部141判断为未检测到掩模精细标记1018。此外，前述的归一化相关图案匹配的方法为例示，也能够适当地采用公知的方法。
此外，模型标记40的数据(例如按各像素的亮度数据)例如存储于存储部142。进一步而言，存储部142按各相机存储对应的模型标记40的数据，例如针对相机1611～1614分别存储对应的模型标记40的数据。
另外，在此，对掩模101的掩模精细标记1018的位置的检测进行了说明，但也可以通过同样的方法来检测基板100的基板精细标记1008的位置。
另外，在检测单元17通过相机161的拍摄图像的图像识别来进行基板100或掩模101的对准用的标记的位置的检测的情况下，有时会由于相机161的安装位置的偏移、焦点偏移、其他因素而使检测结果产生偏差。由于检测结果的偏差，有时会产生对准时间的增加、对准精度的降低等。因此，在本实施方式中，通过以下的处理来进行基于检测单元17的检测精度的评价。
＜8.处理部141的处理例＞
(处理例1)
图8是示出处理部141的处理例的流程图。本流程图示出了基板100与掩模101的精细对准(S101～S105)及在精细对准之后根据需要而进行基于检测单元17的位置检测精度的评价(S106～S111)时的处理。即，本流程图可以在执行粗略对准之后执行。本流程图例如通过由处理部141读出并执行存储于存储部142的程序来实现。
在步骤S101(以下，对于各步骤而言，仅表述为S101等)中，处理部141执行基于检测单元17的检测处理。检测处理是检测单元17检测基板精细标记1008及掩模精细标记1018的位置的处理。若对处理的一例进行叙述，则首先，处理部141控制相机161并执行基板精细标记1008及掩模精细标记1018的拍摄。接着，处理部141基于相机161的拍摄图像来确定基板精细标记1008及掩模精细标记1018的位置。例如，处理部141通过在＜7.对准标记位置的取得＞中说明的方法来确定基板精细标记1008及掩模精细标记1018的位置。
在S102中，处理部141执行位置调整处理。位置调整处理是调整基板100与掩模101之间的相对的位置的处理。处理部141例如通过在＜6.精细对准中的位置调整＞中说明的方法来控制位置调整单元20并执行位置调整处理。
在S103中，处理部141再次执行基于检测单元17的检测处理。在此，检测单元17检测通过S102的处理进行了位置调整后的基板精细标记1008及掩模精细标记1018的位置。
在S104中，处理部141执行误差判定处理。误差判定处理是判定对准后的基板100与掩模101的位置或角度的误差是否在基准值内的处理。例如，处理部141也可以基于S103的检测处理的结果，若基板100及掩模101的重心之间的距离及角度差在基准值以内，则判断为误差在基准值内。
S105是关于S104的判断结果的条件分支。处理部141当在S104中判断为误差在基准值内的情况下，前进到S106，当在S104中判断为误差不在基准值内的情况下，返回到S102。即，处理部141反复进行S102～S104的步骤，直至基板100及掩模101的位置或角度的误差收敛到基准值内。此外，也可以是，处理部141在即使反复进行规定次数的S102～S104而在S104中也未判断为误差在基准值内的情况下，向作业人员通知与对准相关的错误。
在S106中，处理部141执行基于检测单元17的位置检测的精度评价的执行判断。例如，处理部141根据成膜装置1的处理状况来判断是否执行S108的多次检测处理。图9(a)是示出处理部141的处理例的流程图，示出了图8的S106的具体的处理例。
在S161中，处理部141取得与过去的重新对准的次数相关的信息。例如，处理部141通过将该信息从存储部142读出而取得该信息。在本实施方式中，作为对准动作的历史信息，存储部142按各基板100存储有检测处理(S101、S103)中的检测结果、误差判定处理(S104)的判定结果。例如，作为与重新对准的次数相关的信息，处理部141基于误差判定处理的判定结果取得关于最近的规定块数的基板100的重新进行次数的平均值。
S162是与重新对准的次数相关的条件分支。处理部141在重新对准的次数满足条件的情况下前进到S163，在不是这样的情况下前进到S164。此处的条件能够适当地设定，但例如也可以是，处理部141在重新进行次数的平均值为阈值以下的情况下判断为重新进行次数满足条件。在S163中，处理部141判断为不执行精度评价，并返回到图8的流程图。在S164中，处理部141判断为执行精度评价，并返回到图8的流程图。
在重新对准的次数的平均值为阈值以下等情况下，可以认为以一定的精度进行了对准。因此，在本实施方式中，通过在重新对准的次数不满足条件的情况下判断为执行位置检测的精度评价，从而能够在认为对准的精度降低的情况下执行位置检测的精度评价。
返回到图8的说明。S107是关于S106的判断结果的条件分支。处理部141当在S106中判断为执行精度评价的情况下前进到S108，在判断为不执行精度评价的情况下结束流程图。
在S108中，处理部141在使基板100及掩模101静止的状态下执行多次检测处理。处理部141反复进行多次与S101或S103同样的检测处理。执行的检测处理的次数能够适当地设定，但例如既可以为2～5000次，也可以为2000～4000次，进一步而言，也可以为3000次。在本实施方式中，在基于位置调整单元20的基板100及掩模101的位置调整之后进行该多次检测处理。
在S109中，处理部141针对S108的检测处理的结果执行统计处理。例如，处理部141对基板100及掩模101的重心之间的距离的平均值(μ)、方差(σ2)或标准偏差(σ)等进行运算。另外，例如，处理部141也可以取得基板100及掩模101的重心之间的距离的最大值或最小值、相对于标准偏差的2σ、3σ等值。
S110是关于S109的统计处理的条件分支。处理部141在S109的统计处理的结果满足基准的情况下结束流程图，在不满足基准的情况下前进到S111的处理。此处的基准例如也可以为与基板100及掩模101的重心之间的距离的方差(σ2)、标准偏差(σ)、2σ、3σ等值相关的基准。即，此处的基准也可以为与基板100及掩模101的重心之间的距离的偏差相关的基准。
在S111中，处理部141执行检测单元调整处理，所述检测单元调整处理是用于执行检测单元17的调整的处理。在S108中，在使基板100及掩模101静止的状态下执行多次检测处理。因此，当在S110中判断为统计结果不满足基准的情况下，存在基于检测单元17的检测结果的偏差变大的可能性。因此，处理部141为了抑制检测结果的偏差而执行用于执行检测单元17的调整的处理。例如，处理部141使显示部19显示用于促使作业人员进行相机161的Z方向的位置、焦点的调整的通知。另外，例如，处理部141执行在图案匹配中使用的模型标记40的尺寸调整。之后，处理部141返回到S108。即，处理部141反复进行多次检测处理和统计处理，直至S109的统计处理的结果满足基准。此外，也可以是，处理部141在即使反复进行规定次数的检测处理和统计处理而统计结果也不满足基准的情况下，针对作业人员进行错误的通知。
根据本处理例，由于针对多次检测处理的结果执行统计处理，因此，能够评价基于检测单元17的检测精度。另外，由于根据该统计结果来进行检测单元17的调整，因此，能够抑制由检测单元17的位置的检测精度的降低引起的对准精度的降低。
此外，在本处理例中，基于过去的重新对准的次数来判断是否进行检测单元17的位置检测精度的评价，但也可以基于过去的对准的所需时间来判断是否进行该评价。或者，在如图1所示那样在生产线配置有多个具有成膜装置1的成膜室303的情况下，也可以基于与其他成膜装置1中的重新对准的次数或所需时间的比较来判断是否进行该评价。例如，控制装置14从其他控制装置14取得与重新对准的次数相关的信息。并且，控制装置14的处理部141也可以在关于最近的规定块数的基板100的对准的平均重新进行次数与其他成膜装置1的平均重新进行次数的平均值相比大一定比例以上的情况下(例如两倍以上)，判断为进行该评价。
另外，在本处理例中，当在S110的条件分支中判断为“是”的情况下，结束流程图。然而，在不经由S111的步骤地在S110的条件分支中判断为“是”而结束流程图的情况下，在S106中判断为执行精度评价，但S109的统计处理满足基准。即，在这样的情况下，存在由于检测单元17以外的因素而对准的精度降低的可能性。因此，处理部141也可以在显示部19显示存在由于检测单元17以外的因素而对准的精度降低的可能性的意思的通知。
(处理例2)
图9(b)是示出处理部141的处理例的流程图。本流程图示出了图8的S106的具体的处理例。在电子器件的制造中，有时使用一块掩模101对多块(一个批次的量的)基板100进行成膜。在如本实施方式那样由位置调整单元20使基板100位移而进行基板100及掩模101的位置调整的情况下，在使用相同的掩模101的期间，将相机161与掩模101的距离保持为恒定。然而，在进行掩模101的更换时，相机161与掩模101的距离会变化，这有时会给基于检测单元17的位置的检测精度带来影响。因此，在本处理例中，当在电子器件的制造过程中更换了掩模101的情况下，进行检测单元17的位置的检测精度的评价。
在S261中，处理部141取得与在S101～S105中进行对准后的基板100相关的信息。例如，处理部141通过将关于在S101～S105的步骤中进行对准后的基板100的信息从处理部141读出而进行存储。在本实施方式中，作为与基板100相关的信息，存储部142将基板100的识别信息及属性信息建立关联并进行存储。在属性信息中也可以包含对象的基板100为制造用的基板100还是为测试用的基板100的信息、或者关于对象的基板100在同一批次内是第几个被搬入到成膜装置1的基板的信息等。
S262是与基板100的属性相关的条件分支。处理部141当在S261中取得了信息的基板100为精度评价的对象基板的情况下前进到S263，在不是这样的情况下前进到S264。在此，精度评价的对象基板能够适当地设定，但例如也可以为在更换掩模101之后用于评价成膜的最终品质的成膜评价用的测试基板。另外，例如，精度评价的对象基板也可以为在成膜评价用的测试基板之后为了用于评价检测单元17的位置的检测精度而被搬入的检测精度评价用的测试基板。另外，例如，精度评价的对象基板也可以为在同一批次内最初被搬入到成膜装置1的制造用的基板100。在S263中，处理部141判断为不执行精度评价并返回到图8的流程图。在S264中，处理部141判断为执行精度评价并返回到图8的流程图。
根据本处理例，由于在更换了掩模101的情况下执行基于检测单元17的位置的检测精度的评价，因此，能够对由于掩模更换而相机161与掩模101的距离变化所导致的检测精度的降低等进行评价。
此外，如前述那样，精度评价的对象基板能够适当地设定，但通过将在成膜评价用的测试基板之后被搬入到成膜装置1的检测精度评价用的测试基板设为对象基板，从而能够在成膜的评价中执行位置检测精度的评价。由此，能够不给电子器件的生产率带来影响地执行检测单元17的评价。
另一方面，通过将成膜评价用的测试基板或在同一批次内最初被搬入到成膜装置1的制造用的基板100设为对象基板，从而不需要在检测单元17的位置的检测精度的评价中使用的专用的基板100。因此，能够抑制制造成本的增加。
(处理例3)
图10是示出处理部141的处理例的流程图。本流程图示出了按各相机161进行基于检测单元17的位置检测精度的评价的情况的处理例。以下，针对与图8的流程图相同的步骤标注相同的附图标记并省略说明。
如图4的拍摄区域R1～R4所示，各相机1611～1614分别对相互对应的基板精细标记1008及掩模精细标记1018的组进行拍摄。在本处理例中，针对每个基板精细标记1008及掩模精细标记1018的组，执行关于基于检测单元17的位置的检测处理的结果的统计处理。
S101～S108与图8的流程图相同。
在S309中，处理部141针对各相机1611～1614，执行相对于S108的多次检测处理的结果的统计处理。例如，处理部141针对各相机1611～1614，对距离L1～L4(参照图4)的平均值(μ)、方差(σ2)或标准偏差(σ)等进行运算。另外，例如，处理部141也可以取得距离L1～L4的最大值或最小值、相对于标准偏差的2σ、3σ等值。
S310是关于S309的统计处理的条件分支。作为S109的统计处理的结果，在全部的相机1611～1614均满足基准的情况下，处理部141结束流程图，在不满足基准的情况下前进到S312的处理。此处的基准例如也可以为与距离L1～L4的方差(σ2)、标准偏差(σ)、2σ、3σ等值相关的基准。即，此处的基准也可以为与距离L1～L4的偏差相关的基准。
S312也是关于S309的统计处理的条件分支。作为S109的统计处理的结果，在规定数量的相机161满足基准的情况下，处理部141前进到S313，在不是这样的情况下前进到S311。例如，处理部141也可以在设置有四个的相机1611～1614中的三个满足基准的情况下前进到S313。
在S313中，处理部141变更在对准中使用的相机161。例如，当在S312中判断为三个相机161满足基准的情况下，处理部141将在对准中使用的相机161从四个相机1611～1614变更为被判断为满足基准的三个相机161。之后，处理部141结束流程图。
例如，也可以是，在将在对准中使用的相机161从相机1611～1614变更为相机1611～1613的情况下，处理部141对基板100及掩模101的位置进行调整，以使位置P1～P3的重心与目标位置T1～T3的重心一致。然后，处理部141一边维持位置P1～P3的重心与目标位置T1～T3的重心一致的状态，一边利用位置调整单元20使基板100旋转，以使距离L1～L3的平方和成为最小。此外，说明的方法为例示，也能够应用其他的公知技术。
在S311中，处理部141执行检测单元调整处理，所述检测单元调整处理是用于执行检测单元17的调整的处理。在本处理例中，处理部141使显示部19显示促使相机1611～1614中的在S312中判断为不满足基准的相机161的调整的通知。之后，处理部141结束流程图。
根据本处理例，由于针对各相机1611～1614，对检测处理的结果执行统计处理，因此，在存在基于检测单元17的检测精度降低的可能性的情况下，能够掌握这是由哪个相机161引起的。另外，在本处理例中，基于在S312中判断为满足基准的相机161来执行基于检测单元17的检测精度的评价后的对准。因此，即使在存在不满足基准的相机161的情况下，也能够排除由该相机161导致的精度降低的可能性地执行对准。
此外，在本处理例中，针对各相机1611～1614，进行了关于距离L1～L4的统计处理，但成为统计处理的对象的项目并不被限定。例如，也可以是，处理部141针对各相机1611～1614对基板精细标记1008或掩模精细标记1018的识别率进行运算。在该情况下，S310中的基准也可以为各标记的识别率是否为阈值以上。或者，位置P1～P4及目标位置T1～T4(参照图6)的坐标也可以成为统计处理的对象。
此外，在各处理例中说明的处理能够适当地组合。例如，也可以是，在基板100与掩模101的重心之间的距离以及距离L1～L4的统计处理的结果中的至少任一个不满足基准的情况下执行检测单元调整处理。或者，也可以是，作为S106的精度评价的执行判断，串行或并行地执行图9(a)及图9(b)所示的流程图，当在任意的流程图中判断为执行精度评价的情况下，执行精度评价。即，也可以是，在更换了掩模101的时机，每次都执行检测单元17的精度评价，并且当在同一批次内重新对准的次数增加的情况下，重新执行检测单元17的精度评价。
＜9.电子器件的制造方法＞
接着，对电子器件的制造方法的一例进行说明。以下，作为电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构及制造方法。在该例子的情况下，图1例示的成膜模块301例如在生产线上设置有三处。
首先，说明要制造的有机EL显示装置。图11(a)是示出有机EL显示装置50的整体图，图11(b)是示出一个像素的截面构造的图。
如图11(a)所示，在有机EL显示装置50的显示区域51呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素52。详细情况随后进行说明，但发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。
此外，在此所说的像素是指在显示区域51中能够进行所期望的颜色的显示的最小单位。在彩色有机EL显示装置的情况下，通过示出互不相同的发光的第一发光元件52R、第二发光元件52G、第三发光元件52B这多个子像素的组合来构成像素52。像素52通常由红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件和蓝色(B)发光元件这三种子像素的组合构成，但并不被限定于此。像素52只要包含有至少一种子像素即可，优选包含有两种以上的子像素，更优选包含有三种以上的子像素。作为构成像素52的子像素，例如也可以是红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件、蓝色(B)发光元件、黄色(Y)发光元件这四种子像素的组合。
图11(b)是图11(a)的A-B线处的局部剖视示意图。像素52在基板100上具有由有机EL元件构成的多个子像素，所述有机EL元件具备第一电极(阳极)54、空穴输送层55、红色层56R/绿色层56G/蓝色层56B中的任一个、电子输送层57及第二电极(阴极)58。其中的空穴输送层55、红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B、电子输送层57相当于有机层。红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(有时也表述为有机EL元件)对应的图案。
另外，第一电极54按各发光元件分开地形成。空穴输送层55、电子输送层57和第二电极58既可以遍及多个发光元件52R、52G、52B地共用地形成，也可以按各发光元件形成。即，如图11(b)所示，也可以是，在空穴输送层55遍及多个子像素区域地形成为共用的层的基础上，将红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B按各子像素区域分开地形成，进而在其之上遍及多个子像素区域地将电子输送层57和第二电极58形成为共用的层。
此外，为了防止接近的第一电极54之间的短路，在第一电极54之间设置有绝缘层59。而且，由于有机EL层会由于水分、氧而劣化，所以设置有用于保护有机EL元件免受水分、氧的影响的保护层60。
在图11(b)中，空穴输送层55、电子输送层57由一个层表示，但根据有机EL显示元件的构造的不同，也可以由具有空穴阻挡层、电子阻挡层的多个层形成。另外，也可以在第一电极54与空穴输送层55之间形成具有如下的能带构造的空穴注入层，所述能带构造能够顺畅地进行空穴从第一电极54向空穴输送层55的注入。同样地，也可以是，在第二电极58与电子输送层57之间也形成有电子注入层。
红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B中的每一个既可以由单一的发光层形成，也可以通过层叠多个层来形成。例如，也可以是，利用两层构成红色层56R，用红色的发光层形成上侧的层，并用空穴输送层或电子阻挡层形成下侧的层。或者，也可以是，用红色的发光层形成下侧的层，并用电子输送层或空穴阻挡层形成上侧的层。通过像这样在发光层的下侧或上侧设置层，从而调整发光层的发光位置，通过调整光路长度，从而具有提高发光元件的颜色纯度的效果。
此外，在此，示出了红色层56R的例子，但在绿色层56G、蓝色层56B中也可以采用同样的构造。另外，层叠数量也可以为两层以上。而且，既可以如发光层和电子阻挡层那样层叠不同材料的层，也可以例如将发光层层叠两层以上等层叠相同材料的层。
接着，具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。在此，假定红色层56R由下侧层56R1和上侧层56R2这两层构成、绿色层56G和蓝色层56B由单一的发光层构成的情况。
首先，准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)及形成有第一电极54的基板100。此外，基板100的材质并不被特别限定，能够由玻璃、塑料、金属等构成。在本实施方式中，作为基板100，使用在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺的膜的基板。
在形成有第一电极54的基板100上以棒涂或旋涂的方式涂覆有丙烯酸或聚酰亚胺等树脂层，通过光刻法对树脂层进行图案化，以便在形成有第一电极54的部分形成开口，并形成绝缘层59。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。此外，在本实施方式中，在形成绝缘层59之前对大型基板进行处理，在形成绝缘层59之后执行将基板100分割的分割工序。
将对绝缘层59进行了图案化的基板100搬入到第一成膜室303，将空穴输送层55作为共用的层而在显示区域的第一电极54上进行成膜。使用按最终成为一个有机EL显示装置的面板部分的各显示区域51形成有开口的掩模，对空穴输送层55进行成膜。
接着，将形成至空穴输送层55的基板100搬入到第二成膜室303。进行基板100与掩模的对准，将基板载置在掩模上，在空穴输送层55上的配置有基板100的发出红色光的元件的部分(形成红色的子像素的区域)，对红色层56R进行成膜。在此，在第二成膜室中使用的掩模是仅在成为有机EL显示装置的子像素的基板100上的多个区域中的、成为红色的子像素的多个区域形成有开口的高精细掩模。由此，包含有红色发光层的红色层56R仅在基板100上的成为多个子像素的区域中的成为红色的子像素的区域进行成膜。换言之，红色层56R在基板100上的成为多个子像素的区域中的成为蓝色的子像素的区域、成为绿色的子像素的区域不进行成膜，选择性地在成为红色的子像素的区域进行成膜。
与红色层56R的成膜同样地，在第三成膜室303中对绿色层56G进行成膜，而且，在第四成膜室303中对蓝色层56B进行成膜。在完成红色层56R、绿色层56G、蓝色层56B的成膜之后，在第五成膜室303中，在显示区域51的整体对电子输送层57进行成膜。电子输送层57作为共用的层而形成于三种颜色的层56R、56G、56B。
将形成至电子输送层57的基板移动到第六成膜室303，对第二电极58进行成膜。在本实施方式中，在第一成膜室303～第六成膜室303中，通过真空蒸镀对各层进行成膜。然而，本发明并不限定于此，例如对于第六成膜室303中的第二电极58的成膜而言，也可以通过溅射进行成膜。之后，将形成至第二电极58的基板移动到密封装置，通过等离子体CVD对保护层60进行成膜(密封工序)，并完成有机EL显示装置50。此外，在此，设为通过CVD法形成保护层60，但并不限定于此，也可以通过ALD法、喷墨法来形成。
在此，对于第一成膜室303～第六成膜室303中的成膜而言，使用形成有与所形成的各个层的图案对应的开口的掩模进行成膜。在成膜时，在进行了基板100与掩模的相对的位置调整(对准)之后，将基板100载置在掩模上并进行成膜。在此，对于在各成膜室中进行的对准工序而言，如上述对准工序那样进行。
＜10.其他实施方式＞
在上述实施方式中，在基板100与掩模101的精细对准之后执行基于检测单元17的位置检测精度的评价，但也能够采用其他结构。具体而言，只要精细对准用的基板标记1003～1006及精细对准用的掩模标记1013～1016分别位于拍摄区域R1～R4，则就能够执行上述多次检测处理(S108)及统计处理(S109)。因此，处理部141也可以在粗略对准之前或在粗略对准与精细对准之间等执行基于检测单元17的位置检测精度的评价。
本发明也能够通过如下处理来实现：将实现上述实施方式的一个以上的功能的程序经由网络或存储介质供给到系统或装置，由该系统或装置的计算机中的一个以上的处理器读出程序并执行。另外，本发明也能够通过实现一个以上的功能的电路(例如ASIC)来实现。
本发明并不被限定于上述实施方式，能够在发明的主旨的范围内进行各种变形、变更。

Claims (19)

1.一种成膜装置，其特征在于，
所述成膜装置具备：
检测部件，所述检测部件执行对设置于基板的基板标记的位置及设置于掩模的掩模标记的位置进行检测的检测处理；
位置调整部件，所述位置调整部件基于由所述检测部件进行的所述检测处理的结果，执行所述基板及所述掩模的相对的位置调整；以及
运算部件，所述运算部件针对在使所述基板及所述掩模静止的状态下由所述检测部件执行的多次所述检测处理的结果，执行统计处理。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述结果为在由所述位置调整部件进行的所述位置调整之后由所述检测部件执行的所述多次所述检测处理的结果。
3.根据权利要求1～2中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜装置还具备判断部件，所述判断部件根据所述成膜装置的处理状况来判断是否执行所述多次所述检测处理。
4.根据权利要求1～2中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜装置还具备判断部件，所述判断部件根据与由所述检测部件及所述位置调整部件进行的重新对准的次数相关的信息来判断是否执行所述多次所述检测处理。
5.根据权利要求1～2中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜装置使用一块所述掩模对多块所述基板进行成膜，
所述成膜装置还具备判断部件，所述判断部件在更换了所述掩模的情况下判断为执行所述多次所述检测处理。
6.根据权利要求1～2中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜装置针对在更换所述掩模之后搬入到所述成膜装置的测试用的所述基板执行成膜，并进行所述测试用的所述基板的成膜结果的评价，
所述成膜装置还具备判断部件，所述判断部件针对紧接着所述测试用的所述基板之后搬入到所述成膜装置的所述基板，判断为执行所述多次所述检测处理。
7.根据权利要求1～2中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜装置还具备调整部件，所述调整部件基于由所述运算部件进行的所述统计处理的结果，执行所述检测部件的调整。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
所述检测部件包含拍摄部件，所述拍摄部件对所述基板标记及所述掩模标记进行拍摄，
所述调整为所述拍摄部件的位置的调整。
9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
所述检测部件包含拍摄部件，所述拍摄部件对所述基板标记及所述掩模标记进行拍摄，
所述调整为所述拍摄部件的焦点的调整。
10.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
所述检测部件包含：
拍摄部件，所述拍摄部件对所述基板标记及所述掩模标记进行拍摄；以及
确定部件，所述确定部件通过使用了所述拍摄部件的拍摄图像及模型标记的图案匹配来确定所述基板标记及所述掩模标记的位置，
所述调整为所述模型标记的调整。
11.根据权利要求1～2中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述基板包含多个所述基板标记，
所述掩模包含分别与所述多个所述基板标记对应的多个所述掩模标记，
所述检测部件包含：
多个拍摄部件，所述多个拍摄部件分别对相互对应的多个所述基板标记及所述掩模标记的组进行拍摄；以及
确定部件，所述确定部件使用所述多个拍摄部件各自的拍摄图像，分别对构成所述组的所述基板标记的所述位置及所述掩模标记的所述位置进行确定。
12.根据权利要求11所述的成膜装置，其特征在于，
按各所述组执行所述统计处理，
所述位置调整部件不使用关于所述统计处理的结果不满足基准的所述组的所述确定部件的确定结果地执行所述位置调整。
13.根据权利要求1～2中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜装置还具备：
基板保持部件，所述基板保持部件保持所述基板；以及
掩模保持部件，所述掩模保持部件保持所述掩模，
在从执行由所述检测部件进行的多次所述检测处理中的一个起到执行另一个为止的期间，所述基板保持部件及所述掩模保持部件被维持在静止的状态。
14.根据权利要求1～2中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述统计处理包含针对所述基板标记的位置、所述掩模标记的位置以及基于所述基板标记的位置及所述掩模标记的位置中的至少一方而计算出的位置、或者它们的相对位置或相对距离而对平均值、方差、标准偏差、最大值及最小值中的一部分或全部进行计算的处理。
15.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质是存储有用于使成膜装置的计算机作为运算部件发挥功能的程序的计算机可读取的存储介质，
所述成膜装置具备：
检测部件，所述检测部件执行对设置于基板的基板标记的位置及设置于掩模的掩模标记的位置进行检测的检测处理；以及
位置调整部件，所述位置调整部件基于由所述检测部件进行的所述检测处理的结果，执行所述基板及所述掩模的相对的位置调整，
所述运算部件针对在使所述基板及所述掩模静止的状态下由所述检测部件执行的多次所述检测处理的结果，执行统计处理。
16.一种位置检测精度的评价方法，所述位置检测精度的评价方法是成膜装置的位置检测精度的评价方法，
所述成膜装置具备：
检测部件，所述检测部件执行对设置于基板的基板标记的位置及设置于掩模的掩模标记的位置进行检测的检测处理；以及
位置调整部件，所述位置调整部件基于由所述检测部件进行的所述检测处理的结果，执行所述基板及所述掩模的位置调整，
其特征在于，
所述位置检测精度的评价方法包含：
在使所述基板及所述掩模静止的状态下由所述检测部件执行多次所述检测处理的工序；以及
针对所述多次所述检测处理的结果执行统计处理的工序。
17.一种电子器件的制造方法，其特征在于，
所述电子器件的制造方法包含：
通过权利要求16所述的位置检测精度的评价方法对所述基板标记及所述掩模标记的位置检测的精度进行评价的工序；
利用所述位置调整部件执行所述基板及所述掩模的所述位置调整的工序；以及
经由执行了所述位置调整后的所述掩模在所述基板上进行成膜的工序。
18.一种成膜装置的调整方法，所述成膜装置具备：
检测部件，所述检测部件执行对设置于基板的基板标记的位置及设置于掩模的掩模标记的位置进行检测的检测处理；以及
位置调整部件，所述位置调整部件基于由所述检测部件进行的所述检测处理的结果，执行所述基板及所述掩模的位置调整，
其特征在于，
所述成膜装置的调整方法具备：
在使所述基板及所述掩模静止的状态下由所述检测部件执行多次所述检测处理的工序；
针对所述多次所述检测处理的结果执行统计处理的工序；以及
基于所述统计处理的结果来执行所述检测部件的调整的工序。
19.一种电子器件的制造方法，其特征在于，
所述电子器件的制造方法包含：
通过权利要求18所述的成膜装置的调整方法对成膜装置进行调整的工序；
利用所述位置调整部件来执行所述基板及所述掩模的所述位置调整的工序；以及
经由执行了所述位置调整后的所述掩模在所述基板上进行成膜的工序。
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