CN115831840A - 对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 - Google Patents
对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115831840A CN115831840A CN202211112892.5A CN202211112892A CN115831840A CN 115831840 A CN115831840 A CN 115831840A CN 202211112892 A CN202211112892 A CN 202211112892A CN 115831840 A CN115831840 A CN 115831840A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- alignment
- optical axis
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。抑制由对准照相机的光轴的倾斜引起的对准精度的降低。对准装置具有:移动构件,所述移动构件使基板和掩模中的至少一方沿着与基板的成膜面交叉的移动方向移动;测定构件,所述测定构件使用光学拍摄构件来测定沿着基板的成膜面的方向上的基板与掩模的相对位置关系;对准构件,所述对准构件基于测定构件的测定结果来调整基板与掩模的相对位置关系;调整构件,所述调整构件对拍摄构件的光轴和基于移动构件的移动方向中的至少任一个的倾斜进行调整;以及控制构件,所述控制构件根据与拍摄构件的光轴和基于移动构件的移动方向的相对倾斜相关的信息来控制调整构件。
Description
技术领域
本发明涉及对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。
背景技术
在有机EL显示器的制造工序中,使用经由以规定的图案形成有开口的掩模在基板上形成规定的图案的膜的掩模成膜法。在掩模成膜法中,在进行掩模与基板的对准之后,使掩模与基板紧贴而进行成膜。为了通过掩模成膜法高精度地成膜,重要的是高精度地进行掩模与基板的对准。
在掩模与基板的对准完成后,有时会因升降动作等装置的动作而产生掩模与基板的位置偏移。在专利文献1中记载了如下技术:在使完成了对准的基板与掩模紧贴之后,利用对准用照相机再次拍摄对准标记,基于拍摄图像来测量位置偏移量,将其作为偏置量进行存储,使偏置量反映到对准中的目标位置,由此抑制由机械动作引起的位置偏移。
拍摄对准标记的照相机光学系统的光轴有时相对于掩模或基板的基于升降机构的移动方向相对地倾斜。在该情况下,拍摄图像中的对准标记之间的位置偏移量与使基板和掩模紧贴的状态下的实际的对准标记之间的位置偏移量不一致。因此,无法高精度地进行基于拍摄图像的对准。在专利文献2中记载了如下技术:预先测定光轴的倾斜,基于光轴的倾斜对从拍摄图像得到的对准标记之间的位置偏移量进行修正,基于修正后的位置偏移量来进行掩模与基板的对准。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-105629号公报
专利文献2:日本特开2021-080563号公报
发明内容
发明要解决的课题
作为提高对准精度的方法,也可以考虑以光轴相对于基于升降机构的移动方向的倾斜变小的方式调整对准用照相机的光轴的方法。例如,作为成膜装置的初始设定,能够使用测定用的基板以及掩模来测定光轴的倾斜,并根据测定出的光轴的倾斜来调整对准用照相机的光轴。
但是,有时在一个成膜装置中使用开口图案不同的多种掩模来进行成膜,若掩模的种类不同,则升降机构的移动方向、对准标记附近的基板、掩模的倾斜发生变化,因此,光轴的倾斜也发生变化。在作为成膜装置的初始设定而调整光轴的倾斜的方法中,无法应对与掩模的种类相应的光轴的倾斜的变化。
本发明的目的在于抑制由对准照相机的光轴的倾斜引起的对准精度的降低。
用于解决课题的方案
本发明的对准装置的特征在于,具有:
移动构件,所述移动构件使基板和掩模中的至少一方沿着与基板的成膜面交叉的移动方向移动;
测定构件,所述测定构件使用光学拍摄构件来测定沿着所述基板的成膜面的方向上的所述基板与所述掩模的相对位置关系;
对准构件,所述对准构件基于所述测定构件的测定结果来调整所述基板与所述掩模的相对位置关系;
调整构件,所述调整构件对所述拍摄构件的光轴和基于所述移动构件的所述移动方向中的至少任一个的倾斜进行调整;以及
控制构件,所述控制构件根据与所述拍摄构件的光轴和基于所述移动构件的所述移动方向的相对倾斜相关的信息来控制所述调整构件。
本发明的对准方法具有:
测定工序,在所述测定工序中,使用光学拍摄构件来测定沿着基板的成膜面的方向上的基板与掩模的相对位置关系;
对准工序,在所述对准工序中,基于所述测定工序的测定结果来调整所述基板与所述掩模的相对位置关系;以及
移动工序,在所述对准工序之后,在所述移动工序中,以使所述基板与所述掩模接近的方式使所述基板和所述掩模中的至少一方移动,
所述对准方法的特征在于,
所述对准方法具有控制工序,在所述控制工序中,根据与所述拍摄构件的光轴和基于所述移动工序的移动方向的相对倾斜相关的信息,进行调整所述拍摄构件的光轴和所述移动工序中的移动方向中的至少任一个的倾斜的控制。
发明效果
根据本发明,能够抑制由对准照相机的光轴的倾斜引起的对准精度的降低。
附图说明
图1是示意性地表示实施方式的电子器件的制造装置的结构的图。
图2是表示实施方式的对准装置的结构的图。
图3是示意性地表示实施方式的照相机调整机构的结构的图。
图4(A)~(C)是表示实施方式的基板标记以及掩模标记的结构的图。
图5是表示实施方式的对准装置中的载体以及掩模的支承结构的图。
图6是表示实施方式的对准照相机的光轴偏移的图。
图7(A)~(D)是说明取得实施方式的对准照相机的光轴偏移的方法的图。
图8(A)、(B)是表示实施方式的对准照相机的光轴偏移的变化的图。
图9是表示实施方式的对准处理的流程图的图。
图10(A)、(B)是表示实施方式的有机EL显示装置的结构的图。
附图标记说明
10:基板、12:掩模、16:掩模支承单元、24:升降滑块、26:对准台、28:致动器部、30:控制部、31:对准照相机、35:照相机调整机构
具体实施方式
以下,参照附图,例示性地说明用于实施本发明的方式。但是,关于构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等,只要没有特别记载,其主旨并非将本发明的范围仅限定于此。
对本发明的实施方式的对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法进行说明。本实施方式的成膜装置是在基板的表面经由掩模堆积成膜材料而形成薄膜的装置。作为成膜方法,能够例示真空蒸镀、溅射。通过使基板与掩模对位而进行成膜,从而在基板上形成与掩模的开口图案相应的图案的薄膜。在基板上形成多层的情况下,有时也包含直至前一个工序为止已形成的层而称为“基板”。本实施方式的对准装置为了高精度地进行经由掩模的薄膜形成,进行调整基板与掩模的相对位置的对准。需要说明的是,本发明能够应用于对基板与掩模进行对位的一般对准装置,应用对象并不限于成膜装置。
作为基板的材料,能够例示玻璃、硅等半导体、高分子材料的膜、金属等。另外,作为基板,能够例示硅片、在基板上层叠有聚酰亚胺等膜的基板。作为成膜材料,能够例示有机材料、无机材料(金属、金属氧化物)等。作为掩模,能够例示具有与形成于基板的薄膜图案对应的开口图案的金属掩模。作为利用本实施方式的制造方法制造的电子器件,能够例示半导体器件、磁器件、电子部件等各种电子器件、光学部件、发光元件、光电转换元件、触摸面板、具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)、照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)等。特别适合于OLED等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造。
<实施方式1>
图1是示意性地表示本实施方式的电子器件的制造装置的结构的俯视图。在此,以包括成膜装置在内的直列式的有机EL显示器的制造装置为例进行说明。成膜装置是使用蒸发源向基板蒸镀成膜材料的真空蒸镀装置。有机EL显示器的制造通过将规定尺寸的基板送入制造装置,在成膜装置中进行有机EL层、金属层的成膜之后,实施基板的切割等后处理工序来进行。图1中未记载后处理工序的结构。以下,将沿着基板的成膜面的方向设为X方向以及Y方向,将与基板的成膜面交叉的方向设为Z方向。在本实施方式中,XY平面与水平面平行,Z方向与铅垂方向平行。
制造装置1具有基板投入室101、载体汇合室102、掩模汇合室103、对准室104、成膜室105、掩模分离室106、掩模分离室107、载体分离室108、基板排出室109、掩模输送室110、载体输送室111、掩模装入室112、掩模取出室113、掩模输送室114。
在基板投入室101中,将从上游输送来的基板10向制造装置1投入,并向下游的载体汇合室102输送。
在载体汇合室102中,基板10与用于保持基板10的载体11汇合,基板10被载体11夹持,向下游的掩模汇合室103输送。
在掩模汇合室103中,载体11与掩模12汇合,分别向下游的对准室104输送。
在对准室104中,进行基板10与掩模12的对准,在对准完成后使基板10与掩模12紧贴,向下游的成膜室105输送。对准通过将设置于基板10的对准标记即基板标记与设置于掩模12的对准标记即掩模标记高精度地对位来进行。对准的详细情况在后面叙述。
在成膜室105中,使用对成膜材料进行加热而使其蒸发的蒸发源,经由掩模12对基板10的成膜面进行成膜处理。
在掩模分离室106中,送入保持有完成了成膜处理的基板10的载体11以及掩模12。在更换掩模12的情况下,在掩模分离室106中将掩模12从载体11分离,作为使用完毕掩模18向掩模取出室113输送。在对掩模12进行再利用的情况下,载体11以及掩模12通过掩模分离室106向掩模分离室107输送。
在掩模分离室107中,掩模12从载体11分离。分离后的掩模12经由掩模输送室110再次向掩模汇合室103输送,被再利用。
在载体分离室108中,载体11与基板10分离。分离后的载体11经由载体输送室111再次向载体汇合室102输送,被再利用。从载体11分离的成膜处理后的基板10从基板送出室109向下一工序送出。
如上所述,构成图1所示的基板10的输送路径A、载体11的输送路径B、掩模12的输送路径C。载体11的输送路径B以及掩模12的输送路径C成为循环路径,同一载体11以及掩模12被反复用于成膜处理。在一定次数的成膜处理中使用后的掩模12在掩模分离室106被分离后,作为使用完毕掩模18向掩模取出室113输送。
在掩模取出室113中,使用完毕掩模18通过升降机构移动到比输送路径A、B、C中的基板10、载体11以及掩模12的Z方向的位置低的位置。之后,使用完毕掩模18向对准室104输送。
在对准室104中,使用完毕掩模18的输送路径D与基板10、载体11以及掩模12的输送路径A、B、C交叉,但输送路径D通过在Z方向上比输送路径A、B、C低的位置,因此,能够独立地控制使用完毕掩模18的输送和基板10、载体11以及掩模12的输送。使用完毕掩模18从对准室104向掩模输送室114输送,从掩模输送室114向下一工序输送。
在掩模12作为使用完毕掩模18向输送路径D投入的情况下,新的掩模19从掩模装入室112通过输送路径E向掩模分离室107输送。由此向掩模的输送路径C投入新的掩模19。新的掩模19从掩模储料器115被送入掩模装入室112。在掩模储料器115中保管有开口图案不同的多种掩模,能够在成膜室105中进行使用了不同种类的掩模的成膜。
如上所述,在本实施方式的制造装置1中,通过使多个独立的输送路径的Z方向的位置互不相同,能够使多个输送路径在同一腔室中交叉。由此,即使在因制造装置1的设置场所的地面面积、形状等条件而使腔室的配置产生限制的情况下,也能够灵活地设计输送路径。需要说明的是,在本实施方式中,例示了在一个腔室中Z方向的位置不同的两个输送路径交叉的结构,但本发明并不限定于该例。如果Z方向的位置不同,则多个独立的系统的输送路径能够在一个腔室内共存,其系统数也可以是2个以上,不同的系统之间的输送方向的关系可以是交叉以及并行中的任一个。另外,在本实施方式中,示出了使用完毕掩模18的输送路径D位于在Z方向上比基板10、载体11以及掩模12的输送路径A、B、C低的位置的例子,但Z方向的位置关系并不限于此,输送路径D也可以位于在Z方向上比输送路径A、B、C高的位置。
构成基板10的输送路径A、载体11的输送路径B、掩模12的输送路径C、使用完毕掩模18的输送路径D、以及新的掩模19的输送路径E的各腔室在有机EL显示器的制造时被维持为高真空状态。需要说明的是,掩模储料器115被维持为大气压。本发明也能够应用于以输送基板的输送机器人为中心配置有多个成膜装置的群组型的电子器件的制造装置。另外,本发明也能够应用于不使用载体的电子器件的制造装置。通过利用高刚性的载体保持基板,能够抑制基板的挠曲,因此,在对容易产生挠曲的大型基板进行成膜的情况下,优选使用载体。
图2是表示对准室104中的对准装置80的结构的剖视图。在对准室104中,载体11和掩模12从掩模汇合室103起分别载置于作为第一输送构件的载体输送辊20和作为第二输送构件的掩模输送辊21而被输送。载体输送辊20输送载体11和基板10的输送路径A、B与掩模输送辊21输送掩模12的输送路径C平行于+Y方向。在进行调整基板10与掩模12的相对位置关系的对准(对位)之后,将保持有基板10的载体11载置于掩模12,在基板10与掩模12紧贴的状态下,通过作为将载置有掩模12的基板10向成膜室105输送的输送构件的掩模输送辊21送出。
在对准室104中,从掩模取出室113起与在输送路径A、B、C中被输送的工件即基板10以及掩模12不同的工件即使用完毕掩模18载置于作为第三输送构件的输送辊36而被输送。输送辊36输送使用完毕掩模18的输送路径D与-X方向平行。使用完毕掩模18的输送路径D是在与基板10的成膜面交叉的方向即Z方向上,在比基板10、载体11以及掩模12的输送路径A、B、C低的位置处进行输送的路径,与输送路径A、B、C交叉。由于输送路径A、B、C与输送路径D的Z方向的位置不同,因此,由输送辊36进行的使用完毕掩模18的输送能够与由载体输送辊20以及掩模输送辊21进行的基板10、载体11以及掩模12的输送独立地控制。但是,在本实施方式中,在由对准装置80进行的基板10与掩模12的对准的执行中,停止由输送辊36进行的使用完毕掩模18的输送。由此,能够抑制伴随着使用完毕掩模18的输送动作而产生的振动给对准造成影响。
矩形的基板10的成膜面在没有挠曲的理想状态下与水平面平行,将基板10的相向的两组边中的、与载体输送辊20以及掩模输送辊21的输送方向正交的方向设为X方向,将与输送方向平行的方向设为Y方向。另外,用θX表示绕X轴的旋转,用θY表示绕Y轴的旋转,用θZ表示绕Z轴的旋转。
对准装置80具有真空腔22。真空腔22的内部被维持为真空环境或氮气等非活性气体环境。需要说明的是,本说明书中的“真空”是指充满压力比大气压低的气体的空间内的状态,典型的是指充满压力比1atm(1013hPa)低的气体的空间内的状态。在真空腔22的内部设置有掩模支承单元16以及载体支承单元17。
载体支承单元17对由载体输送辊20输送来的载体11进行支承。掩模支承单元16对由掩模输送辊21输送来的掩模12进行支承。在基板10与掩模12的对准完成后,在掩模12上载置载体11,基板10与掩模12紧贴。保持有基板10的载体11和掩模12在成为一体的状态下通过掩模输送辊21从对准室104送出。需要说明的是,在不使用载体11的结构的情况下,设置直接支承基板10的基板支承单元来代替载体支承单元17。
在真空腔22的上部隔壁的外部侧设置有升降基座23、升降滑块24、夹持滑块25以及对准台26。对准台26与升降基座23连接。升降滑块24使载体支承单元17在Z方向上移动,对准台26使载体支承单元17在X方向、Y方向以及θZ方向上移动。升降滑块24、对准台26的驱动机构例如由电机和滚珠丝杠、电机和直线引导件等致动器构成。
通过升降滑块24,基板10和掩模12在与沿着基板10的成膜面的平面交叉的方向上相对移动。在本实施方式中,由升降滑块24进行的基板10与掩模12的相对移动的方向是Z方向、即铅垂方向,是与沿着基板10的成膜面的平面垂直的方向。
对准台26是在沿着基板10的成膜面的方向上对保持于载体11的基板10与掩模12的相对位置关系进行调整的对准构件。在本实施方式中,对准台26使基板10在X方向、Y方向以及θZ方向上移动,从而调整基板10与掩模12的相对位置关系。对准台26具有:固定在真空腔22的上部隔壁的外部侧的腔室固定部37、对载体支承单元17产生X方向、Y方向以及θZ方向的驱动力的致动器部28、将对准台26与载体支承单元17连接的连接部29。
致动器部28由产生X方向的驱动力的致动器、产生Y方向的驱动力的致动器、以及产生θZ方向的驱动力的致动器构成。需要说明的是,也可以使用通过多个致动器协作而产生X方向、Y方向以及θZ方向的驱动力的UVW方式的致动器。致动器部28按照从控制部30发送的控制信号进行工作,从而使载体支承单元17在X方向、Y方向以及θZ方向上移动或旋转。由此,保持有基板10的载体11在X方向、Y方向以及θZ方向上移动或旋转。控制部30将表示X方向、Y方向以及θZ方向各自的动作量的控制信号发送到致动器部28。在致动器部28为UVW方式的情况下,控制部30将表示UVW各自的致动器的动作量的控制信号发送到致动器部28。
需要说明的是,在本实施方式中,例示了对准台26调整载体11的位置的结构,但只要能够进行基板10与掩模12的相对位置调整,则不限于此。例如,也可以是调整掩模12的位置的结构、调整载体11和掩模12双方的位置的结构。
在真空腔22的上部隔壁的外部侧设置有作为光学拍摄构件的多个对准照相机31。另外,在真空腔22的上部隔壁,在对准照相机31的光轴33上设置有拍摄用的贯通孔。贯通孔被窗玻璃32密封,能够兼顾从真空腔22的外部对内部的拍摄和真空腔22的内部的气压的维持。
在真空腔22的上部隔壁的外部侧,针对多个对准照相机31分别设置有对对准照相机31的X方向、Y方向以及Z方向的位置以及光轴33的绕X轴以及绕Y轴的倾斜进行调整的调整构件即照相机调整机构35。
图3是示意性地表示照相机调整机构35的结构的图。照相机调整机构35具有:产生使对准照相机31在Z方向上移动的驱动力的致动器48、设置有致动器48的滑块40、产生使滑块40相对于真空腔22的上部隔壁在X方向上移动的驱动力的致动器46、产生使上述滑块40在Y方向上移动的驱动力的致动器47、产生使上述滑块40在θX方向上旋转的驱动力的致动器43、以及产生使上述滑块40在θY方向上旋转的驱动力的致动器45。照相机调整机构35通过使对准照相机31在X方向、Y方向、Z方向、θX方向以及θY方向上移动,从而调整对准照相机31的光轴33的倾斜。需要说明的是,致动器的结构与致动器部28同样,并不限于此。构成照相机调整机构35的X方向、Y方向、Z方向、θX方向以及θY方向的致动器46、47、48、43、45的动作由来自控制部30的控制信号控制。
图4(A)是从上方观察支承于载体11的基板10的图。载体11的外缘用虚线表示。在基板10上,在基板10的四个角部设置有基板标记13a、13b、13c、13d。通过对应的四个对准照相机31a~31d分别同时拍摄基板标记13a~13d的每一个,基于拍摄到的图像取得基板标记13a~13d各自的中心点的位置。能够根据4点的位置关系取得基板10的位置信息。
图4(B)是从上方观察掩模12的图。掩模12具有在框状的掩模框架12a上焊接固定有数μm~数十μm左右的厚度的掩模箔12b的结构。掩模框架12a在将掩模箔12b向其面方向(X方向以及Y方向)拉伸的状态下,以掩模箔12b不挠曲的方式进行支承。掩模箔12b具有形成与在基板10上成膜的图案相应的开口的边界部,在将掩模12载置于基板10的状态下边界部与基板10紧贴,遮蔽通过蒸发、溅射而朝向基板10飞来的成膜材料。在使用玻璃基板或在玻璃基板上形成有聚酰亚胺等树脂制的膜的基板作为基板10的情况下,作为掩模框架12a以及掩模箔12b的主要材料,可以使用铁或铁合金、例如包含镍的铁合金。
在掩模框架12a上,在掩模框架12a的四个角部设置有掩模标记14a、14b、14c、14d。利用对应的四个对准照相机31a~31d分别拍摄掩模标记14a~14d的每一个,基于拍摄到的图像取得掩模标记14a~14d各自的中心点的位置。能够根据4点的位置关系取得掩模12的位置信息。需要说明的是,基板标记13、掩模标记14、对准照相机31的位置、数量并不限定于该例。
图4(C)是示意性地表示对准照相机31的视野44和在视野44内捕捉到的一组基板标记13以及掩模标记14的图。如果基板标记13和掩模标记14双方同时进入对准照相机31的视野44内,则能够基于拍摄该视野44而得到的图像来取得基板标记13与掩模标记14的中心点的位置关系。基板标记13和掩模标记14的中心点的坐标基于通过对准照相机31的拍摄而得到的图像,通过控制部30执行的图像处理来求出。需要说明的是,图像处理也可以通过与控制部30分开设置的图像处理装置来进行。另外,基板标记13和掩模标记14的形状不限于图4所例示的四边形、圆形,但作为对准标记,优选使用容易计算中心位置且具有对称性的×标记、十字形等那样的形状。
多个对准照相机31设置在能够对设置于在真空腔22的内部被支承的基板10的对准标记即基板标记13和设置于掩模12的对准标记即掩模标记14进行拍摄的位置。在进行基板10与掩模12的对准时,在对准照相机31的拍摄视野内包括基板标记13以及掩模标记14。控制部30是基于由对准照相机31拍摄到的基板标记13以及掩模标记14的图像来取得基板10以及掩模12的位置,并测定沿着基板10的成膜面的方向上的基板10与掩模12的相对位置关系的测定构件。
控制部30对由对准照相机31拍摄到的图像进行解析来检测基板标记13以及掩模标记14,取得基板标记13以及掩模标记14的位置。控制部30基于基板标记13以及掩模标记14的位置信息,取得沿着与基板10的成膜面平行的XY面的方向上的基板标记13与掩模标记14的相对位置关系。相对位置关系的信息例如是基板标记13与掩模标记14之间的距离以及角度。控制部30基于基板标记13与掩模标记14的相对位置关系,计算用于使基板标记13与掩模标记14接近的载体11的X方向、Y方向以及θZ方向的移动量。将算出的X方向、Y方向以及θZ方向的移动量转换为对准台26的致动器部28的各致动器具备的步进电机、伺服电机等的驱动量,并输出控制信号。由此,载体11在XY面内移动。此时,基板10与掩模12的Z方向的距离不变化,在XY面内载体11的位置发生变化。XY面是与没有挠曲的理想状态下的基板10的成膜面平行的面,在本实施方式中,与水平面平行。对准装置80在基板10与掩模12分离的分离状态下,基于沿着基板10的成膜面的方向上的基板10与掩模12的相对位置关系的测定结果,进行调整保持于载体11的基板10与掩模12在与基板10的成膜面平行的XY面内的相对位置的对准。在对准完成后,利用升降滑块24将载体11载置于掩模12上,从而切换为基板10载置于掩模12的载置状态。升降滑块24是以切换分离状态和载置状态的方式使基板10在与成膜面交叉的方向上移动的移动构件。在本实施方式中,基板10的移动方向与Z方向大致平行。
需要说明的是,在本实施方式中,对使用一种对准照相机31进行对准的例子进行说明,但也可以使用两种以上的具有不同倍率以及视野的照相机进行对准。例如,存在使用具有比较宽的视野但低倍率的照相机和具有比较窄的视野但高倍率的照相机的对准方法。也可以构成为,首先,使用低倍率照相机进行粗略地进行位置调整的粗对准,以使基板标记13和掩模标记14都进入高倍率照相机的视野内,接着,使用高倍率照相机进行使基板标记13和掩模标记14的位置高精度地对准的精对准。
本实施方式的对准装置80在考虑挠曲而将载体11的Z方向的位置保持在基板10与掩模12不接触的规定位置的分离状态下,驱动对准台26来进行基板10与掩模12的对准。将进行对准时的载体11的Z方向的位置称为对准位置。另外,在基板10与掩模12的对准完成后,使载体11下降而载置于掩模12,切换为使基板10与掩模12紧贴的载置状态。将此时的载体11的Z方向的位置称为掩模载置位置。对准照相机31进行载体11位于对准位置时和位于掩模载置位置时的位于至少两个位置时的基板标记13以及掩模标记14的拍摄。控制部30在处于分离状态的对准位置处利用对准照相机31拍摄基板标记13和掩模标记14,并基于拍摄图像进行对准。在对准完成后,在处于载置状态的掩模载置位置处利用对准照相机31拍摄基板标记13和掩模标记14,基于拍摄图像,确认在将载体11载置于掩模12的过程中是否因基板10与掩模12的接触等而产生位置偏移。在产生了位置偏移的情况下,再次在对准位置处进行对准。
图5是放大表示对准装置80中的保持有基板10的载体11以及掩模12的支承结构的剖视图。对载体11进行支承的载体支承单元17具有:从沿Z方向延伸的支柱部38的下端向X方向突出的载体承接爪41;配置在载体承接爪41的上表面的载体承接面42;以及载体夹持件27。在沿着与载体11的输送方向即Y方向平行的边的周缘部载置于载体承接面42的状态下,利用夹持滑块25使载体夹持件27下降,从载体11的周缘部的上方按压载体夹持件27,从而将载体11固定于载体支承单元17。通过在该状态下驱动对准台26,能够使基板10相对于掩模12相对移动。
若掩模12在载置于掩模输送辊21的状态下被送入真空腔22,则掩模支承单元16上升而支承掩模12。由此,从掩模输送辊21向掩模支承单元16交接掩模12。掩模支承单元16具有使掩模12在Z方向上移动的升降机构。使基板10相对于掩模12在沿着成膜面的方向上相对移动的对准在掩模12被交接并支承于掩模支承单元16的状态下进行。需要说明的是,也可以不使用掩模支承单元16而在掩模12载置于掩模输送辊21的状态下进行对准,但通过如本实施方式那样在掩模12被掩模支承单元16支承的状态下进行对准,能够抑制因来自掩模输送辊21的振动的影响而导致对准的精度降低。
参照图6,说明对准照相机31的光轴33的倾斜给对准造成的影响。图6是示意性地表示位于对准位置的基板10、被掩模支承单元16支承的掩模12、以及对准照相机31的光轴33的位置关系的图。基板10的成膜面与XY平面平行,基于升降滑块24的基板10的移动方向与Z方向平行,即为铅垂方向。位于对准位置的基板10与掩模12在Z方向上分离距离H。在对准完成后,通过升降滑块24使基板10下降距离H,移动到掩模载置位置,由此基板10与掩模12紧贴。
有时对准照相机31的光轴33与使基板10和掩模12中的至少一方以切换分离状态和载置状态的方式移动时的移动方向相对地倾斜。将其称为光轴偏移。在图6中,对准照相机31的光轴33相对于基于升降滑块24的基板10的移动方向、即基板10的升降方向(在此为Z方向)相对地倾斜。在该情况下,在对准位置处拍摄到的图像、即对准照相机31的视野内,处于基板10上的坐标(0、0、H)的基板标记13与处于掩模12上的坐标(dx、dy、0)的掩模标记14看起来一致。在将光轴33向XZ平面的投影33x与基板10的升降方向的相对倾斜设为φx,将光轴33向YZ平面的投影33y与基板10的升降方向的相对倾斜设为φy时,存在dx=tan(φx)、dy=tan(φy)的关系。即便基于在对准位置处由对准照相机31拍摄到的图像使基板标记13和掩模标记14的位置对准,当使基板10下降至掩模载置位置时,基板标记13和掩模标记14的位置也在X方向上偏移dx,在Y方向上偏移dy。因此,在存在光轴偏移的情况下,无法高精度地进行基于对准照相机31的拍摄图像的对准。
因此,在本实施方式的对准装置80中,通过利用照相机调整机构35调整对准照相机31的光轴33的倾斜,从而减小光轴偏移。具体而言,控制部30取得与对准照相机31的光轴偏移相关的信息,并基于光轴偏移的信息来控制照相机调整机构35的X方向致动器46、Y方向致动器47、Z方向致动器48、θX方向致动器43以及θY方向致动器45,以使光轴偏移变小。
参照图7,对测定光轴偏移的方法进行说明。图7(A)表示基板10的Z方向的位置位于第一位置的状态,图7(B)表示基板10的Z方向的位置位于第二位置的状态。图7(C)表示基板10位于第一位置时的对准照相机31的视野44,图7(D)表示基板10位于第二位置时的对准照相机31的视野44。用xyz表示视野44内的坐标系。第一位置和第二位置在Z方向上分开距离D。在此,光轴偏移设为对准照相机31的光轴33相对于由升降滑块24进行基板10的升降方向39绕Y轴倾斜角度φ。
首先,在基板10位于第一位置的状态下,利用对准照相机31拍摄基板标记13。接着,通过升降滑块24使基板10在Z方向上上升距离H并移动到第二位置。然后,在基板10位于第二位置的状态下,利用对准照相机31拍摄基板标记13。
在第一位置拍摄到的图像中的基板标记13的图像13a以及在第二位置拍摄到的图像中的基板标记13的图像13b位于将基板标记13正投影到以光轴33为法线的平面上的位置。如图7(D)所示,在对准照相机31的视野44内、即拍摄图像中,第二位置处的基板标记13的图像13b位于从第一位置处的基板标记13的图像13a移动了距离δ的位置。如图7(B)所示,使基板10从第一位置移动到第二位置时的拍摄图像内的基板标记13的移动距离δ、第一位置和第二位置在Z方向上的距离D、光轴偏移φ具有φ=arcsin(δ/D)的关系。基于该关系,能够根据在不同的高度拍摄基板标记13时的拍摄图像中的基板标记13的移动量求出光轴偏移。进行以上那样的测定光轴偏移的处理的控制部30、对准照相机31、进行基板10的升降的升降滑块24等构成光轴偏移测定构件。控制部30能够基于光轴偏移测定构件的光轴偏移的测定结果,取得与光轴偏移相关的信息。与光轴偏移相关的信息是光轴偏移的值、用于减小光轴偏移的照相机调整机构35的动作量的信息。控制部30基于与光轴偏移相关的信息,控制照相机调整机构35来进行对准照相机31的X方向、Y方向以及Z方向的位置调整、θX方向以及θY方向的角度调整,从而能够减小光轴偏移。
在此,若对构成对准装置80的部件施加基板10、载体11、掩模12等的重量,则存在因部件的变形等而导致对准装置80的动作受到影响的情况。如上所述,本实施方式的制造装置1能够一边切换开口图案不同的多种掩模12一边使用该掩模进行成膜,但若掩模12的种类发生变化,则对对准装置80的动作的影响也发生变化。例如,在对升降滑块24、掩模支承单元16的动作带来影响的情况下,若掩模12的种类发生变化,则基板10、载体11、掩模12等的升降方向、由载体支承单元17、掩模支承单元16支承的基板10、载体11、掩模12等的挠曲、倾斜发生变化。因此,若掩模12的种类发生变化,则光轴偏移也发生变化。
图8是示意性地表示掩模12的种类改变的情况下的光轴偏移的变化的图。在图8(A)中,基板10的升降方向39a相对于对准照相机31的光轴33相对地倾斜角度φa。变更掩模12的种类后,如图8(B)那样,基板10的升降方向39b相对于对准照相机31的光轴33相对地倾斜角度φb。在该情况下,在使基板10沿着升降方向从第一位置升降距离D至第二位置的情况下,基板标记13在对准照相机31的视野44内移动的距离从δa变化为δb。拍摄图像内的基板标记13的移动距离δa、δb、基板10的升降距离D、光轴偏移φa、φb具有φa=arcsin(δa/D)、φb=arcsin(δb/D)的关系。需要说明的是,在变更了掩模12的种类的情况下,根据对准装置80的结构,也存在掩模12的升降方向、基板10的倾斜、掩模12的倾斜、它们的组合发生变化而不是基板10的升降方向发生变化的情况。
以往,调整对准照相机31的位置和角度来减小光轴偏移的作业是作为制造装置1的初始设定而手动进行的。因此,在制造装置1的运转后难以应对由掩模12的种类的变化引起的光轴偏移的变化。
因此,在本实施方式的对准装置80中,在成膜所使用的掩模12的种类发生了变更的情况下,控制部30取得与所使用的掩模12的种类对应的光轴偏移的信息,并基于该信息来控制照相机调整机构35的致动器。由此,即使在掩模12的种类发生了变更的情况下,也能够调整对准照相机31的X方向、Y方向和Z方向的位置以及绕X轴和Y轴的角度,以使光轴偏移变小。
与掩模12的种类对应的光轴偏移的信息能够通过在每次变更掩模12的种类时,测定使基板10从第一位置移动到第二位置时的拍摄图像内的基板标记13的移动距离来取得。另外,对于多种掩模12的每一种,也可以将掩模的种类和预先测定的与使用了该种类的掩模的情况下的光轴偏移相关的信息相关联地存储于作为存储构件的存储部34。控制部30能够取得在对准装置80中使用的掩模12的种类的信息,并从存储部34取得与掩模的种类对应的光轴偏移的信息。
作为取得被送入到对准室104的掩模12的种类的信息的方法,例如,既可以在从掩模装入室112向制造装置1投入新的掩模12时将该掩模12的识别信息向控制部30发送,也可以对掩模12附加识别信息并由设置于对准室104的读取装置读取识别信息而向控制部30发送,还能够使用其他任意的方法。
作为与光轴偏移相关的信息,例如能够例示用于使光轴33与基板10的升降方向平行的照相机调整机构35的X方向致动器、Y方向致动器、Z方向致动器、θX方向致动器、θY方向致动器的动作量的信息。由此,即使在变更了掩模12的种类的情况下,也能够自动地进行对准照相机31的位置和角度调整。即使在制造装置1的运转后,也能够一边切换多种掩模12,一边高效地进行成膜。作为与光轴偏移相关的信息,也可以是光轴偏移的值。在该情况下,控制部30基于光轴偏移的值来运算照相机调整机构35的各致动器的动作量并控制各致动器,从而能够自动地进行对准照相机31的位置和角度调整。
需要说明的是,也可以将基板10与掩模12处于在Z方向上离开距离H的分离状态定义为基板10与掩模12处于对准位置的状态,将载体11载置于掩模12且基板10与掩模12紧贴的载置状态定义为基板10与掩模12位于掩模载置位置的状态。在该情况下,作为使基板10和掩模12以切换分离状态和载置状态的方式移动的移动构件,只要是使基板10和掩模12中的至少一方移动的构件即可。例如,固定掩模12而使基板10升降的构件、固定基板10而使掩模12升降的构件、以及使基板10和掩模12这两者升降的构件均可。
在使掩模12升降的情况下,掩模12的升降方向与对准照相机31的光轴33的相对倾斜会影响对准精度。因此,可以取得与掩模12的种类相应的掩模12的升降方向与对准照相机31的光轴33的相对倾斜的信息,基于该信息驱动照相机调整机构35来进行对准照相机31的X方向、Y方向、Z方向、θX方向以及θY方向的位置和角度调整。
另外,在使基板10和掩模12这两者升降的情况下,基板10的升降方向与对准照相机31的光轴33的相对倾斜以及掩模12的升降方向与对准照相机31的光轴33的相对倾斜会影响对准精度。因此,可以取得与掩模12的种类相应的基板10的升降方向与对准照相机31的光轴33的相对倾斜的信息、以及掩模12的升降方向与对准照相机31的光轴33的相对倾斜的信息,基于该信息驱动照相机调整机构35来进行对准照相机31的X方向、Y方向、Z方向、θX方向以及θY方向的位置和角度调整。
在本实施方式中,对为了减小光轴偏移而利用照相机调整机构35调整对准照相机31的位置和角度的例子进行了说明,但也可以调整使基板10和掩模12中的至少一方以切换分离状态和载置状态的方式移动的情况下的移动方向。例如,也可以调整基板10的升降方向、掩模12的升降方向。另外,也可以组合进行对准照相机31的位置和角度的调整以及基板10的升降方向的调整。例如,在调整基板10的升降方向的情况下,与图3所示的照相机调整机构35同样地,具备调整使基板10升降的升降滑块24相对于真空腔22的位置和角度的致动器,根据掩模12的种类由控制部30控制致动器。由此,光轴33与基板10的升降方向平行,能够以消除光轴偏移的方式进行自动调整。
控制部30控制对准台26的致动器部28、升降滑块24的致动器、对准照相机31的动作,并且进行由对准照相机31拍摄的拍摄图像的图像处理,由此进行基板10与掩模12的对准。另外,控制部30通过控制输送辊20、21、36等的动作来控制对准室104中的基板10、载体11、掩模12、使用完毕掩模18的输送。另外,控制部30通过控制升降滑块24、掩模支承单元16、载体支承单元17的动作来控制载体11、掩模12的升降动作。另外,控制部30根据掩模12的种类来控制照相机调整机构35的致动器43、45、46、47、48的动作,由此进行调整对准照相机31的光轴33的倾斜的控制。此外,控制部30进行与对准装置80的动作相关的各种控制。
控制部30例如由具有处理器、内存、存储器、I/O等的计算机构成。控制部30的功能通过由处理器执行存储于存储部34的内存或存储器的程序来实现。作为计算机,可以使用通用的个人计算机,也可以使用嵌入式的计算机或PLC(Programmable Logic Controller:可编程逻辑控制器)。另外,控制部30的功能的一部分或全部也可以由ASIC、FPGA那样的电路构成。需要说明的是,可以针对每个对准装置80设置控制部30,也可以由一个控制部30控制多个对准装置80。
存储部34是存储控制部30使用的执行程序、数据的存储构件。能够利用闪存、非易失性存储器、SSD、HDD等任意的存储构件。
参照图9对本实施方式的对准处理的流程进行说明。图9是表示对准室104中的对准处理的流程的流程图。图9的流程图所示的处理通过由控制部30控制对准装置80的各部分的动作来执行。
在步骤S10中,控制部30控制对准室104的各部分的动作,以将从掩模汇合室103起载置于载体输送辊20而输送来的保持有基板10的载体11和载置于掩模输送辊21而输送来的掩模12送入对准室104。
在步骤S11中,控制部30取得在步骤S10中被送入的掩模12的种类的信息。
在步骤S12中,控制部30判定在步骤S11中取得的掩模12的种类是否从上次的对准处理执行时使用的掩模12的种类改变。在种类改变的情况下,进入步骤S13,在种类未改变的情况下,进入步骤S14。
在步骤S13中,控制部30从存储部34取得根据在步骤S11中取得的掩模12的种类而选择的、与对应于掩模的种类的光轴偏移相关的信息,并基于该信息使照相机调整机构35的X方向、Y方向、Z方向、θX方向以及θY方向的致动器工作。由此,调整对准照相机31的位置和角度,以消除光轴偏移。光轴偏移是由掩模12的物理特性和对准装置80的物理特性决定的装置固有的值,如果掩模12的种类不变,则该值不变。因此,在没有从在上次的对准处理中使用的掩模12的种类进行变更的情况下,不进行步骤S13的光轴偏移的调整的处理,进入步骤S14。
在步骤S14中,控制部30通过使载体支承单元17沿Z方向上升,从而将载体11从载体输送辊20交接到载体支承单元17。
在步骤S15中,控制部30通过使掩模支承单元16沿Z方向上升,从而将掩模12从掩模输送辊21交接到掩模支承单元16。
在步骤S16中,控制部30通过使载体输送辊20退避并且使载体支承单元17沿Z方向下降,从而使载体11移动至对准位置,成为分离状态。
在步骤S17中,控制部30利用对准照相机31对设置于基板10的基板标记13和设置于掩模12的掩模标记14进行拍摄,基于拍摄图像来取得基板10与掩模12的相对位置偏移量。
在步骤S18中,控制部30判定在步骤S17中取得的位置偏移量是否为阈值以下。阈值是基于能够适当地进行成膜处理的基板5与掩模6的位置偏移量的上限值而预先设定的值。阈值例如是数μm的数量级的值,根据所要求的元件特性、成膜精度适当地设定。在位置偏移量为阈值以下的情况下,判定为基板10与掩模12的相对位置关系满足规定的目标而进入步骤S20,在位置偏移量比阈值大的情况下,进入步骤S19。
在步骤S19中,控制部30基于在步骤S17中取得的位置偏移量,以使基板标记13与掩模标记14接近的方式使对准台26在X方向、Y方向以及θZ方向上移动,再次执行步骤S17。
在步骤S20中,控制部30通过使载体支承单元17沿Z方向下降,从而使载体11移动至掩模载置位置。由此,载体11载置于掩模12,成为基板10与掩模12紧贴的载置状态。
在步骤S21中,控制部30利用对准照相机31对设置于基板10的基板标记13和设置于掩模12的掩模标记14进行拍摄,基于拍摄图像来取得基板10与掩模12的相对位置偏移量。
在步骤S22中,控制部30判定在步骤S21中取得的位置偏移量是否为阈值以下。阈值是基于能够适当地进行成膜处理的基板5与掩模6的位置偏移量的上限值而预先设定的值。阈值可以与在步骤S18中使用的阈值共用,也可以另外设定。在位置偏移量为阈值以下的情况下,进入步骤S23,在位置偏移量比阈值大的情况下,进入步骤S16。在进入步骤S16的情况下,控制部30通过使载体支承单元17沿Z方向上升,从而使载体11移动至对准位置,成为分离状态。
在步骤S23中,控制部30通过使掩模支承单元16沿Z方向下降,从而将载置有载体11的状态的掩模12向掩模输送辊21交接,并向成膜室105送出。
<实施方式2>
对使用上述实施方式的成膜装置在基板上形成有机膜来制造电子器件的方法进行说明。在此,作为电子器件,以制造用于有机EL显示器的有机EL元件的方法为例进行说明。需要说明的是,电子器件并不限定于此。例如,本发明也能够应用于薄膜太阳能电池、有机CMOS图像传感器的制造。在本实施方式的电子器件的制造方法中,具有使用上述实施方式的成膜装置在基板5上形成有机膜的工序。另外,在基板5上形成有机膜之后,具有形成金属膜或金属氧化物膜的工序。以下,对使用了通过这样的工序制造的有机EL元件的有机EL显示装置600的结构进行说明。
图10(A)是有机EL显示装置600的整体图,图10(B)表示有机EL显示装置600一个像素的截面结构。如图10(A)所示,在有机EL显示装置600的显示区域61,呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素62。每一个发光元件具有具备被一对电极夹着的有机层的结构。需要说明的是,在此所说的像素是指在显示区域61中能够进行所希望的颜色的显示的最小单位。有机EL显示装置600通过以互不相同的颜色发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G以及第三发光元件62B的组合而构成像素62。第一发光元件62R、第二发光元件62G以及第三发光元件62B分别是红色发光元件、绿色发光元件以及蓝色发光元件。需要说明的是,每个像素的发光元件的数量、发光颜色的组合并不限于该例子。例如,只要是至少一种颜色以上即可,也可以是黄色发光元件、青色发光元件以及白色发光元件的组合。另外,各发光元件也可以通过层叠多个发光层而构成。
也可以使用由以相同的颜色发光的多个发光元件构成像素62并以与各个发光元件对应的方式配置有不同的颜色转换元件的滤色器,使一个像素62能够显示所希望的颜色。例如,也可以使用由三个白色发光元件构成像素62,并以与各个发光元件对应的方式排列有红色、绿色以及蓝色的颜色转换元件的滤色器。另外,也可以使用由三个蓝色发光元件构成像素62,并以与各个发光元件对应的方式排列有红色、绿色以及无色的颜色转换元件的滤色器。需要说明的是,每个像素的发光元件的数量、发光颜色的组合并不限于这些例子。在后者的情况下,通过使用作为构成滤色器的材料而使用量子点(QD:Quantum Dot)材料的量子点滤色器(QD-CF),与不使用量子点滤色器的有机EL显示装置相比,能够扩大显示色域。
图10(B)是图10(A)的A-B线处的局部截面示意图。像素62具有在基板5上形成有第一电极(阳极)64、空穴输送层65、发光层66R、66G或66B、电子输送层67以及第二电极(阴极)68的有机EL元件。空穴输送层65、发光层66R、66G、66B以及电子输送层67是有机层。发光层66R是发出红色光的有机EL层,发光层66G是发出绿色光的有机EL层,发光层66B是发出蓝色光的有机EL层。需要说明的是,在使用滤色器或量子点滤色器的情况下,在各发光层的光出射侧、即图10(B)的上部或下部配置滤色器或量子点滤色器。
发光层66R、66G、66B是分别发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件即有机EL元件。发光层66R、66G、66B按照发光元件62R、62G、62B的排列的图案而形成。第一电极64针对每个发光元件而形成,相互分离。空穴输送层65、电子输送层67以及第二电极68可以以多个发光元件62R、62G、62B共有的方式形成,也可以按每个发光元件分离地形成。为了防止第一电极64和第二电极68因异物而短路,在第一电极64之间设置有绝缘层69。由于有机EL层会因水分、氧而劣化,因此,设置有用于保护有机EL元件免受水分、氧侵蚀的保护层P。
对作为电子器件的有机EL显示装置的制造方法进行说明。
首先,准备形成有用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及第一电极64的基板5。
接着,在形成有第一电极64的基板5上通过旋涂而形成丙烯酸树脂、聚酰亚胺等树脂层,通过光刻法以在形成有第一电极64的部分形成开口的方式对树脂层进行构图而形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
接着,将构图有绝缘层69的基板5送入第一成膜装置,利用基板保持单元保持基板,将空穴输送层65作为共用的层而成膜在显示区域的第一电极64上。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。实际上,空穴输送层65形成为比显示区域61大的尺寸,因此不需要高精细的掩模。在此,在本步骤中的成膜、以下的各层的成膜中使用的成膜装置是上述各实施方式中的任一项所述的成膜装置。
接着,将形成至空穴输送层65的基板5送入第二成膜装置,利用基板保持单元进行保持。进行基板5与掩模6的对准,将基板5载置于掩模6上,在基板5的配置发出红色光的元件的部分,成膜发出红色光的发光层66R。通过使用实施方式2的成膜装置,能够高精度地进行掩模6与基板5的对准,能够使掩模6与基板5良好地紧贴,因此,能够进行高精度的成膜。
与发光层66R的成膜同样地,利用第三成膜装置来成膜发出绿色光的发光层66G,进而利用第四成膜装置来成膜发出蓝色光的发光层66B。在发光层66R、66G、66B的成膜完成后,利用第五成膜装置在整个显示区域61成膜电子输送层67。发光层66R、66G、66B的每一个既可以是单层,也可以是层叠有多个不同的层而得到的层。电子输送层67作为共用的层而形成于三种颜色的发光层66R、66G、66B。在实施方式2中,电子输送层67、发光层66R、66G、66B通过真空蒸镀而成膜。
接着,在电子输送层67上成膜第二电极68。第二电极可以通过真空蒸镀形成,也可以通过溅射形成。之后,进行将形成有第二电极68的基板5移动到密封装置并通过等离子体CVD成膜保护层P的密封工序,有机EL显示装置600完成。需要说明的是,在此通过CVD法形成保护层P,但并不限定于此,也可以通过ALD法、喷墨法形成。
在从将构图有绝缘层69的基板5送入成膜装置起直至保护层P的成膜完成为止的期间,若基板5暴露于含有水分、氧的环境中,则发光层有可能因水分、氧而劣化。在实施方式2中,成膜装置之间的基板5的送入送出在真空环境或非活性气体环境下进行。
根据本实施方式的对准装置、成膜装置或电子器件的制造方法,能够进行提高了对准精度的良好的成膜。
Claims (16)
1.一种对准装置,其特征在于,所述对准装置具有:
移动构件,所述移动构件使基板和掩模中的至少一方沿着与基板的成膜面交叉的移动方向移动;
测定构件,所述测定构件使用光学拍摄构件来测定沿着所述基板的成膜面的方向上的所述基板与所述掩模的相对位置关系;
对准构件,所述对准构件基于所述测定构件的测定结果来调整所述基板与所述掩模的相对位置关系;
调整构件,所述调整构件对所述拍摄构件的光轴和基于所述移动构件的所述移动方向中的至少任一个的倾斜进行调整;以及
控制构件,所述控制构件根据与所述拍摄构件的光轴和基于所述移动构件的所述移动方向的相对倾斜相关的信息来控制所述调整构件。
2.如权利要求1所述的对准装置,其特征在于,
所述控制构件控制所述调整构件,以使所述相对倾斜变小。
3.如权利要求1或2所述的对准装置,其特征在于,
与所述相对倾斜相关的信息包含所述调整构件的动作量的信息。
4.如权利要求1或2所述的对准装置,其特征在于,
所述对准装置具有存储构件,所述存储构件将掩模的种类和与使用了该种类的掩模的情况下的所述相对倾斜相关的信息相关联地进行存储,
所述控制构件基于根据在所述对准装置中使用的掩模的种类的信息而选择的、与对应于所述掩模的种类的所述相对倾斜相关的信息来控制所述调整构件。
5.如权利要求1或2所述的对准装置,其特征在于,
所述对准装置具有测定所述相对倾斜的倾斜测定构件,
所述控制构件基于从所述倾斜测定构件的测定结果得到的与所述相对倾斜相关的信息来控制所述调整构件。
6.如权利要求1或2所述的对准装置,其特征在于,
所述调整构件具有调整所述拍摄构件的位置和角度的致动器。
7.如权利要求1或2所述的对准装置,其特征在于,
所述调整构件具有调整所述移动构件的位置和角度的致动器。
8.如权利要求1或2所述的对准装置,其特征在于,
所述测定构件基于对设置于所述基板的基板标记和设置于所述掩模的掩模标记进行拍摄而得到的拍摄图像,来测定所述基板与所述掩模的相对位置关系。
9.如权利要求1或2所述的对准装置,其特征在于,
所述移动构件在通过所述对准构件使所述基板与所述掩模的相对位置关系满足规定的目标之后,将所述基板载置于所述掩模。
10.一种成膜装置,其特征在于,所述成膜装置具备:
对准室,所述对准室具有权利要求1~9中任一项所述的对准装置;
成膜室,所述成膜室具有成膜构件,所述成膜构件经由所述掩模对载置有所述掩模的所述基板的成膜面进行成膜;以及
输送构件,所述输送构件将在所述对准室中载置有所述掩模的所述基板输送到所述成膜室。
11.如权利要求10所述的成膜装置,其特征在于,
所述对准室具有:
第一输送构件,所述第一输送构件输送所述基板;
第二输送构件,所述第二输送构件输送所述掩模;以及
第三输送构件,所述第三输送构件在与所述基板的成膜面交叉的方向上与所述第一输送构件输送所述基板的位置以及所述第二输送构件输送所述掩模的位置不同的位置处,进行与所述基板以及所述掩模不同的工件的输送。
12.如权利要求11所述的成膜装置,其特征在于,
在所述对准室中进行所述基板与所述掩模的对准的情况下,所述第三输送构件停止所述工件的输送。
13.如权利要求11或12所述的成膜装置,其特征在于,
由所述第一输送构件输送所述基板以及由所述第二输送构件输送所述掩模的输送方向与由所述第三输送构件输送所述工件的输送方向交叉。
14.一种对准方法,具有:
测定工序,在所述测定工序中,使用光学拍摄构件来测定沿着基板的成膜面的方向上的基板与掩模的相对位置关系;
对准工序,在所述对准工序中,基于所述测定工序的测定结果来调整所述基板与所述掩模的相对位置关系;以及
移动工序,在所述对准工序之后,在所述移动工序中,以使所述基板与所述掩模接近的方式使所述基板和所述掩模中的至少一方移动,
所述对准方法的特征在于,
所述对准方法具有控制工序,在所述控制工序中,根据与所述拍摄构件的光轴和基于所述移动工序的移动方向的相对倾斜相关的信息,进行调整所述拍摄构件的光轴和所述移动工序中的移动方向中的至少任一个的倾斜的控制。
15.一种成膜方法,其特征在于,
对通过权利要求14所述的对准方法调整相对位置关系后的载置有掩模的基板,经由所述掩模进行成膜。
16.一种电子器件的制造方法,其特征在于,
具有使用权利要求15所述的成膜方法在基板上形成有机膜的工序。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021150323A JP2023042908A (ja) | 2021-09-15 | 2021-09-15 | アライメント装置、アライメント方法、成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP2021-150323 | 2021-09-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115831840A true CN115831840A (zh) | 2023-03-21 |
Family
ID=85523576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211112892.5A Pending CN115831840A (zh) | 2021-09-15 | 2022-09-14 | 对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023042908A (zh) |
KR (1) | KR20230040274A (zh) |
CN (1) | CN115831840A (zh) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102133900B1 (ko) | 2018-12-27 | 2020-07-15 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 시스템, 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법 |
KR102445850B1 (ko) | 2019-11-14 | 2022-09-20 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
-
2021
- 2021-09-15 JP JP2021150323A patent/JP2023042908A/ja active Pending
-
2022
- 2022-09-01 KR KR1020220110763A patent/KR20230040274A/ko unknown
- 2022-09-14 CN CN202211112892.5A patent/CN115831840A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230040274A (ko) | 2023-03-22 |
JP2023042908A (ja) | 2023-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111519158B (zh) | 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法 | |
JP7244401B2 (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
CN113106395B (zh) | 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
CN113644018B (zh) | 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质 | |
CN112680696B (zh) | 成膜装置、电子器件的制造装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
CN113388806A (zh) | 掩膜安装装置及方法、成膜装置及方法、以及基板载置器 | |
CN114790538B (zh) | 成膜装置 | |
CN113005419B (zh) | 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法 | |
CN115831840A (zh) | 对准装置、对准方法、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
CN113851406A (zh) | 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质 | |
CN113851407A (zh) | 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质 | |
CN113846305A (zh) | 对准装置、成膜装置、对准方法、电子器件的制造方法及存储介质 | |
JP2021102810A (ja) | 回転駆動装置、これを含む成膜装置、電子デバイスの製造方法 | |
JP7428684B2 (ja) | アライメント装置 | |
CN112442655B (zh) | 掩模对准方法、成膜方法、掩模对准装置及成膜装置 | |
JP2019060027A (ja) | 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法 | |
CN114107937B (zh) | 对准装置及对准方法、以及成膜装置及成膜方法 | |
CN114807841B (zh) | 对准装置、成膜装置以及调整方法 | |
WO2024034236A1 (ja) | アライメント装置、成膜装置、制御方法、電子デバイスの製造方法、プログラム及び記憶媒体 | |
WO2023238478A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法、アライメント装置及びアライメント方法 | |
CN114959563B (zh) | 对准装置、成膜装置、对准方法及电子设备的制造方法 | |
CN115701649A (zh) | 载台支承装置、对准装置、成膜装置、掩模载置方法、成膜方法及电子器件的制造方法 | |
JP2023178622A (ja) | 成膜装置、成膜方法、アライメント装置及びアライメント方法 | |
JP2023178641A (ja) | 成膜装置、成膜方法、アライメント装置及びアライメント方法 | |
KR20220083624A (ko) | 얼라인먼트 장치, 성막 장치, 얼라인먼트 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |