CN108004521A - 掩膜版及薄膜封装方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种掩膜版，包括遮蔽区和开口区，所述遮蔽区围绕所述开口区设置，所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区，以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口。本发明通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口，使亚像素上的绑定区的线路可以得到薄膜的覆盖而得到保护，解决了现有技术所存在线路易损伤和断开而造成点灯良率低的问题。本发明还提供了一种薄膜封装方法。

Description

掩膜版及薄膜封装方法
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版及薄膜封装方法。
背景技术
在柔性基板上构筑OLED器件以此制备柔性显示设备是现阶段显示技术发展的热点方向，前期研究和相应制程经验表明环境中的水氧浓度对OLED寿命会产生非常大的影响，因此对OLED进行有效封装,使器件的各功能层与大气中的水汽、氧气等成分隔开，即可大大延长器件寿命。
传统显示面板采用的玻璃封装技术难以实现柔性需求，现阶段开发的柔性封装方法，由于其封装层厚度一般为十几微米，相比于传统的玻璃封装，其封装层厚度大大降低，所以也可称为薄膜封装技术(Thin Film Ecapsulation，简称TFE)。目前比较热门、最有希望应用于量产的TFE为Barix封装技术(无机-有机多膜层封装)和ALD技术(原子层沉积封装)，其原理均为在基板表面通过气相化学反应沉积一层薄膜完成对基板的封装。
应用此类技术对基板进行封装时需使用金属掩膜版将封装区域限定在成膜区(如图1中序号10所示区域)，将显示面板(panel)区域部分与气相沉积保护膜隔离，防止绑定区(panel bonding)被TFE膜层覆盖导致后续模组制程和检测失效。
然而由于panel bonding区分布电路较细和脆弱，在柔性基板生产过程中极有可能因为刮擦、基板形变、静电或环境颗粒(particle)等原因导致线路损伤或断开，导致后续点灯良率降低。
发明内容
本发明的目的是提供一种掩膜版，以解决现有技术所存在线路易损伤和断开而造成点灯良率低的问题。
为实现本发明的目的，本发明提供了如下的技术方案：
第一方面，一种掩膜版，包括遮蔽区和开口区，所述遮蔽区围绕所述开口区设置，所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区，以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口。
在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述遮蔽区包括外框和从所述外框底边中部向所述开口区内部突出的挡块，以使所述开口区在所述挡块两侧分别形成第一开口和第二开口，所述挡块用于遮挡亚像素上的FPC区域。
结合第一方面及第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述挡块为矩形，所述遮蔽区内部左右两边、顶边和底边的所述挡块上沿的延伸共同围合形成所述开口区的矩形区域，所述第一开口和所述第二开口为矩形且宽度相同。
结合第一方面及第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述遮蔽区内部左右两边和顶边对应所述亚像素的成膜区的对应位置向外偏移100～500μm，所述遮蔽区内部底边距离所述绑定区上沿100～500μm。
结合第一方面及第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，所述挡块上沿距离所述绑定区下沿100～500μm。
在第一方面的第五种可能的实现方式中，所述掩膜版的厚度为0.01～0.3mm。
在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述开口区为两个以上，多个所述开口区间隔设置。
结合第一方面及第一方面的第六种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，所述开口区在所述掩膜版上阵列排列。
本发明还提供了一种薄膜封装方法，采用如下的技术方案：
第二方面，一种薄膜封装方法，所述方法包括如下步骤：
提供掩膜版，所述掩膜版包括遮蔽区和开口区，所述遮蔽区围绕所述开口区设置，所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区，以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口，并进入下一制程站点；
将所述掩膜版与玻璃基板对位并紧贴；
薄膜封装，输入薄膜封装材料并通过所述掩膜版的开口区在所述玻璃基板上形成封装保护膜；
将所述掩膜版和所述玻璃基板分离，检查所述玻璃基板上形成的薄膜状况。
在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述掩膜版先镀制耐腐蚀保护膜再进入下一制程站点。
本发明的有益效果：
本发明提供的一种掩膜版，通过设置遮蔽区和开口区，所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区，以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口，使亚像素上的绑定区的线路可以得到薄膜的覆盖而得到保护，同时不影响后续制程所需要使用的FPC和测试接口。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中的亚像素的结构示意图；
图2是图1中的亚像素对应的掩膜版结构示意图；
图3是本发明一种实施方式的掩膜版结构示意图；
图4是图3的掩膜版所制成的亚像素结构示意图；
图5是图3中的一种实施方式的掩膜版的结构示意图；
图6是图5中的掩膜版使用状态示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，OLED显示器件的一个像素包括三个颜色分别为R(红)、G(绿)、B(蓝)的亚像素，图1为其中任意一种亚像素的结构示意图，在制作亚像素的过程中，需要在成膜区10沉积薄膜进行封装，并露出绑定区20的走线，以用于下一步制程，绑定区内部的走线较为复杂，其至少包含了FPC和测试接口，在柔性基板生产过程中易造成绑定区内的线路损伤或断开，使得后续点灯良率降低。
请参阅图2，是图1的亚像素的生产过程中所使用的掩膜版结构示意图，其包括遮蔽区01和开口区02，遮蔽区01围绕在矩形的开口区02外侧，开口区02的形状和位置对应亚像素的成膜区10，薄膜封装材料通过开口区02在柔性基板上形成封装保护膜。
请参阅图3和图4，本发明一种实施方式提供了一种掩膜版，包括遮蔽区100和开口区200，所述遮蔽区100围绕所述开口区200设置，所述开口区200的形状和位置对应亚像素的成膜区10和部分绑定区20，以使通过所述开口区200的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区10和部分绑定区20，并露出FPC21和测试接口22。
本实施方式中，通过设置开口区200的形状和位置对应亚像素的成膜区10和部分绑定区20，使得在TFE制程中封装的薄膜覆盖成膜区10和部分绑定区20，并露出需要在后续制程使用的FPC 21和测试接口22，使绑定区的大部分走线被薄膜覆盖和保护，线路不易损伤或断开，可提高点灯良率。
本实施方式给出的掩膜版，既能在基板上形成亚像素的封装薄膜，同时又能提供对亚像素上的绑定区的线路的保护，在一次TFE制程中即可完成，在不需要另外的制程步骤的基础上，可对制程带来明显优化，可极大提升后续制程工艺上的良率。
本实施方式中，所述掩膜版为金属掩膜版，优选的材质为不锈钢或因瓦合金(Invar)。所述掩膜版表面镀有耐腐蚀保护膜，优选Al2O3或PTFE涂层，涂层厚度为0.1～20μm，以防止TFE制程中造成掩膜版损伤。
一种实施方式中，所述遮挡区100包括外框和从所述外框底边中部向所述开口区200内部突出的挡块101，以使所述开口区200在所述挡块101两侧分别形成第一开口201和第二开口202，所述挡块101用于遮挡亚像素上的FPC区域21。
通过设置挡块并向开口区内部突出，使FPC区域被遮挡，亚像素上的形成的膜层覆盖部分绑定区20并露出FPC区域，既不影响后续制程，又较好的保护了FPC区域21的线路安全。
本实施方式中，遮蔽区100外框底边与第一开口201和第二开口202对应位置遮挡绑定区20的测试接口22位置，使得亚像素的测试接口22露出，使绑定区获得保护的同时，不影响后续使用测试接口进行点灯测试等操作。
一种实施方式中，所述挡块101为矩形，所述遮蔽区100内部左右两边112/113、顶边110和底边111的所述挡块101上沿的延伸114共同围合形成所述开口区200的矩形区域，所述第一开口201和所述第二开口202为矩形且宽度相同。开口区200由大的矩形区域和矩形的第一开口201及第二开口202组成，形成由遮蔽区100内部四条边形成的矩形在挡块101位置向内凹的形状，与之对应的，遮蔽区内部四条边形成由挡块位置外凸的形状
一种实施方式中，所述遮蔽区100内部左右两边112/113和顶边110对应所述亚像素的成膜区10的对应位置向外偏移100～500μm，优选为200～300μm，以使薄膜覆盖完全成膜区10；所述遮挡区100内部底边111距离所述绑定区20上沿100～500μm，优选为200～300μm，以使遮挡区100可遮挡测试接口22同时可覆盖其他区域的绑定区走线；一种实施方式中，所述挡块101上沿距离所述绑定区20下沿100～500μm，优选为200～300μm，使得挡块可完全遮挡FPC区域21。
一种实施方式中，所述掩膜版的厚度为0.01～0.3mm。研究表明，亚像素的宽度受到掩膜版厚度的限制，掩膜版厚度越薄，亚像素的宽度越小，PPI就越大，经试验，得到本实施方式的掩膜版厚度范围，进一步的优选的掩膜版的厚度范围为0.1～0.2mm。
一种实施方式中，请参考图5，所述开口区200为两个以上，多个所述开口区200间隔设置。
本实施方式中，掩膜版安装于支架300上，具体的，可使用激光焊接工艺将掩膜版固定于支架300上；所述开口区200在所述掩膜版上阵列排列，例如，采用矩形阵列方式，对应亚像素的位置，设置M行N列个开口区200，可在一次TFE制程中对M×N个亚像素进行封装，其中，封装的薄膜覆盖每个亚像素的成膜区10和部分绑定区20，并露出FPC 21和测试接口22，使每个亚像素的绑定区的线路都可以得到保护。
请参考图3至图6，本发明一种实施方式提供了一种薄膜封装方法，所述方法包括如下步骤：
提供掩膜版100，所述掩膜版100包括遮蔽区100和开口区200，所述遮蔽区100围绕所述开口区200设置，所述开口区200的形状和位置对应亚像素的成膜区10和部分绑定区20，以使通过所述开口区200的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区10和部分绑定区20，并露出FPC 21和测试接口22，并进入下一制程站点；
将所述掩膜版100与玻璃基板400对位并紧贴；
薄膜封装，输入薄膜封装材料并通过所述掩膜版100的开口区200在所述玻璃基板400上形成封装保护膜；
将所述掩膜版100和所述玻璃基板400分离，检查所述玻璃基板400上形成的薄膜状况。
本实施方式中，掩膜版安装在支架300上，基板承载平台500上还安装有CCD或顶针，对位时采用CCD或顶针移动玻璃基板400以完成对位，其中，对位完成的标志为玻璃基板400位于掩膜版100的垂直投影位置。玻璃基板400由承载平台500支撑。
本实施方式中，对位完成并紧贴的掩膜版100和玻璃基板400进入TFE制程，掩膜版100的开口区200对应玻璃基板400上形成的亚像素的成膜区10和部分绑定区20，TFE制程中形成的膜覆盖上述区域，并露出FPC 21和测试接口22位置，以对线路进行保护并不影响后续制程。
一种实施方式中，所述掩膜版100先镀制耐腐蚀保护膜(未图示)再进入下一制程站点。该耐腐蚀保护膜优选为Al2O3或PTFE涂层，涂层厚度范围为0.1～20μm。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施方式而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施方式的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种掩膜版，其特征在于，包括遮蔽区和开口区，所述遮蔽区围绕所述开口区设置，所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区，以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮蔽区包括外框和从所述外框底边中部向所述开口区内部突出的挡块，以使所述开口区在所述挡块两侧分别形成第一开口和第二开口，所述挡块用于遮挡亚像素上的FPC区域。
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述挡块为矩形，所述遮蔽区内部左右两边、顶边和底边的所述挡块上沿的延伸共同围合形成所述开口区的矩形区域，所述第一开口和所述第二开口为矩形且宽度相同。
4.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述遮蔽区内部左右两边和顶边对应所述亚像素的成膜区的对应位置向外偏移100～500μm，所述遮蔽区内部底边距离所述绑定区上沿100～500μm。
5.如权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述挡块上沿距离所述绑定区下沿100～500μm。
6.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版的厚度为0.01～0.3mm。
7.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述开口区为两个以上，多个所述开口区间隔设置。
8.如权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述开口区在所述掩膜版上阵列排列。
9.一种薄膜封装方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
提供掩膜版，所述掩膜版包括遮蔽区和开口区，所述遮蔽区围绕所述开口区设置，所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区，以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区，并露出FPC和测试接口，并进入下一制程站点；
将所述掩膜版与玻璃基板对位并紧贴；
薄膜封装，输入薄膜封装材料并通过所述掩膜版的开口区在所述玻璃基板上形成封装保护膜；
将所述掩膜版和所述玻璃基板分离，检查所述玻璃基板上形成的薄膜状况。
10.如权利要求9所述的薄膜封装方法，其特征在于，所述掩膜版先镀制耐腐蚀保护膜再进入下一制程站点。
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