KR102129035B1 - 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 형성된 디스플레이부; 및 상기 디스플레이부를 밀봉하는 박막 봉지층;을 포함하고, 상기 박막 봉지층은, 제1 유기막, 상기 제1 유기막 상에 형성되는 보호층 및 상기 보호층을 덮는 제1 무기막을 포함하고, 상기 보호층은 상기 제1 유기막의 형성영역을 정의하며, 상기 보호층의 면적은 상기 제1 유기막의 면적과 동일한 유기발광 표시장치를 제공한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법{Organic light emitting display apparatus and the manufacturing method thereof}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 측면 방습 특성이 개선된 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.
자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 표시 장치로 주목받고 있다. 다만, 유기 발광 표시 장치는 외부의 수분이나 산소 등에 의해 열화되는 특성을 가지므로, 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위하여 유기 발광 소자를 밀봉하여야 한다.
최근에는, 유기 발광 표시 장치의 박형화 및/또는 플렉서블화를 위하여, 유기 발광 소자를 밀봉하는 수단으로 유기막과 무기막을 포함하는 박막 봉지(TFE; thin film encapsulation)층이 이용되고 있다.
유기막과 무기막을 형성할 때에는 기판 위에 해당 막과 대응하는 마스크를 놓고 패턴을 형성하게 되는데, 이때 마스크와 기판 사이의 틈새로 유기막이 스며들 수 있다. 유기막은 무기막에 비해 봉지특성이 현저히 저하되므로, 기판과 마스크 틈새로 유기막이 스며들면, 무기막과 기판 사이 또는 무기막과 무기막 사이에 유기막 에지 테일(edge tail)이 형성되고, 이를 통해 디스플레이부로 산소나 수분이 침투할 수 있다.
본 발명의 목적은, 측면 방습 특성이 개선된 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공함에 있다.
일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 형성된 디스플레이부; 및 상기 디스플레이부를 밀봉하는 박막 봉지층;을 포함하고, 상기 박막 봉지층은, 제1 유기막, 상기 제1 유기막 상에 형성되는 보호층 및 상기 보호층을 덮는 제1 무기막을 포함하고, 상기 보호층은 상기 제1 유기막의 형성영역을 정의하며, 상기 보호층의 면적은 상기 제1 유기막의 면적과 동일한 유기발광 표시장치를 제공한다.
상기 보호층의 측면과 상기 제1 유기막의 측면이 연속적으로 형성될 수 있다.
상기 보호층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 및 산화알루미늄(Al2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 보호층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 및 산화알루미늄(Al2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 유기막과 상기 제2 무기막 사이에, 상기 제2 유기막의 형성영역을 정의하기 위한 제2 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기 디스플레이부와 상기 제1 유기막 사이에, 상기 디스플레이부를 덮는 금속층을 더 포함할 수 있다.
상기 금속층은 불화리튬(LiF) 및 산화알루미늄(AlOx) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 보호층의 면적은 상기 제1 무기막의 면적보다 작을 수 있다.
다른 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 형성된 디스플레이부; 및 상기 디스플레이부를 밀봉하는 박막 봉지층;을 포함하고, 상기 박막 봉지층은, 복수의 유기막들, 상기 복수의 유기막들과 교번적으로 적층된 복수의 무기막들, 및 상기 유기막들 중 적어도 최하층의 유기막의 상면에 형성된 보호층을 포함하고, 상기 보호층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 및 산화알루미늄(Al2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
상기 보호층은 상기 최하층의 유기막의 형성영역을 정의하며, 상기 보호층의 면적은 상기 최하층의 유기막의 면적과 동일할 수 있다.
상기 보호층의 측면과 상기 최하층의 유기막의 측면이 연속적으로 형성될 수 있다.
상기 보호층은, 상기 복수의 유기막들 각각의 상면에 형성될 수 있다.
상기 디스플레이부 바로 위에 형성되어 상기 디스플레이부를 덮는 금속층을 더 포함할 수 있다.
상기 금속층은 불화리튬(LiF) 및 산화알루미늄(AlOx) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 보호층의 면적은 상기 복수의 무기막들의 면적보다 작을 수 있다.
일 측면에 따르면, 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계; 및 상기 디스플레이부를 밀봉하는 박막 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는, 상기 디스플레이부 상에 제1 유기막을 형성하는 단계; 상기 제1 유기막 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 제1 유기막의 일부를 제거하는 단계; 및 상기 보호층을 덮도록 제1 무기막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 제1 유기막의 면적은 상기 보호층의 면적과 동일한 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
상기 보호층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 및 산화알루미늄(Al2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 보호층을 마스크로 하여 에싱(ashing) 공정에 의해 상기 제1 유기막의 상기 보호층 외측으로 형성된 부분이 제거될 수 있다.
상기 제1 무기막 상에 제2 유기막을 형성하고, 상기 제2 유기막을 덮도록 제2 무기막을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 무기막을 형성하기 전에, 상기 제2 유기막 상에 제2 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 유기막의 일부를 제거하는 단계;를 더 포함하고, 상기 제2 유기막의 면적은 상기 제2 보호층의 면적과 동일할 수 있다.
상기 제1 유기막을 형성하기 전에, 상기 디스플레이부를 감싸는 금속층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기막의 형성 영역을 한정할 수 있으므로, 유기 발광 표시 장치의 측면 방습 특성이 개선될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 디스플레이부를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 변형예들을 도시한 단면도들이다.
도 5 내지 도 8은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 디스플레이부를 확대하여 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(10)는, 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200) 및 디스플레이부(200)를 밀봉하는 봉지층(300)을 포함할 수 있다.
기판(100)은, 가요성 기판일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphtalate), 폴리아릴레이트(PAR; polyarylate) 및 폴리에테르이미드(polyetherimide) 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱으로 구성할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 기판(120)은 금속이나 유리 등 다양한 소재로 구성될 수 있다.
디스플레이부(200)는 유기 박막 트랜지스터 층(200a)과 화소부(200b)를 구비할 수 있다. 화소부(200b)는 유기발광 소자일 수 있다. 이하에서는 도 2를 참조하여 디스플레이부(200)를 보다 자세히 설명한다.
기판(100)상에는 버퍼층(212)이 형성될 수 있다. 버퍼층(212)은 기판(100)을 통한 불순 원소의 침투를 방지하며 기판(100)상부에 평탄한 면을 제공하는 것으로서, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 버퍼층(212)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 알루미늄나이트라이드, 티타늄옥사이드 또는 티타늄나이트라이드 등의 무기물이나, 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
버퍼층(212) 상에는 박막 트랜지스터(TFT) 층(200a)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 박막 트랜지스터 층(200a)의 일 예로서 탑 게이트(top gate) 방식의 박막 트랜지스터를 도시하고 있으나 다른 구조의 박막 트랜지스터가 구비될 수 있음은 물론이다.
박막 트랜지스터 층(200a)는 활성층(221), 게이트 전극(222), 소스 및 드레인 전극(223)을 포함할 수 있다.
활성층(221)은 버퍼층(212) 상에서, 반도체 재료에 의해 형성되고, 이를 덮도록 게이트 절연막(213)이 형성된다. 활성층(221)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기재 반도체나, 유기 반도체가 사용될 수 있고, 소스 영역, 드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 갖는다. 또한, 게이트 절연막(213)은 활성층(221)과 게이트 전극(222)을 절연하기 위한 것으로 유기물 또는 SiNx, SiO2같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(213)상에 게이트 전극(222)이 구비되고, 이를 덮도록 층간 절연막(214)이 형성된다.
게이트 전극(222)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
층간 절연막(214)은 게이트 전극(222)과 소스 및 드레인 전극(223) 사이에 배치되어 이들 간의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
층간 절연막(214)상에는 소스 및 드레인 전극(223)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(214) 및 게이트 절연막(213)은 활성층(221)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(221)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 및 드레인 전극(223)이 형성된다.
한편, 도 2는 활성층(221)과, 게이트 전극(222)과, 소스 및 드레인 전극(223)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(TFT)를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 게이트 전극(222)이 활성층(221)의 하부에 배치될 수도 있다.
이와 같은 박막 트랜지스터(TFT) 층(200a)은 화소부(200b)에 전기적으로 연결되어 화소부(200b)를 구동하며, 평탄화막(215)으로 덮여 보호된다.
평탄화막(215)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함되도록 할 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 또한, 평탄화막(215)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.
평탄화막(215) 상에는 화소부(200b)가 형성되며, 화소부(200b)는 화소 전극(231), 중간층(232) 및 대향 전극(233)을 구비할 수 있다.
화소 전극(231)은 평탄화막(215)상에 형성되고, 평탄화막(215)에 형성된 컨택홀(230)을 통하여 소스 및 드레인 전극(223)과 전기적으로 연결된다.
화소 전극(231)은 반사 전극일 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
화소 전극(231)과 대향되도록 배치된 대향 전극(233)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다.
따라서, 대향 전극(233)은 중간층(232)에 포함된 유기 발광층에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(231)에 의해 반사되어, 대향 전극(233) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(10)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층에서 방출된 광이 기판(100) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(231)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(233)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 유기 발광 표시 장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
한편, 화소 전극(231)상에는 절연물로 화소 정의막(216)이 형성된다. 화소 정의막(216)은 화소 전극(231)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(232)이 위치한다.
유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(232)은 유기 발광층 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 봉지층(300)은 디스플레이부(200)를 밀봉하여, 디스플레이부(200)가 열화되는 것을 방지한다.
봉지층(300)은 제1 유기막(310), 상기 제1 유기막 상에 형성되는 보호층(330) 및 상기 보호층을 덮는 제1 무기막(320)을 포함할 수 있다.
제1 유기막(310)은 일 예로, 디스플레이부(200)를 덮도록 형성될 수 있으며, 폴리우레아(polyurea)나 폴리아크릴레이트(polyacrylate)와 같이 유연성을 지닌 유기물로 형성되어, 무기막(320)의 내부 응력를 완화하거나 무기막(320)의 미세크랙 및 핀홀을 채워 외부의 수분이나 산소의 투과 방지 효과를 증진시킬 수 있다.
제1 무기막(320)은 외부로부터의 수분이나 산소의 침투를 막기 위해 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 와 같이 방습 능력이 우수한 무기물로 형성될 수 있다. 따라서, 제1 무기막(320)은 제1 유기막(310) 또는 보호층(330)을 덮도록 형성된다.
한편, 도 1에서는 봉지층(300)이 제1 유기막(310)과 제1 무기막(320)을 포함하는 것을 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 봉지층(300)은 다수의 유기막과 무기막이 교번적으로 적층되어 형성될 수도 있고, 디스플레이부(200)와 접하도록 무기막이 먼저 형성될 수도 있다. 이에 관하여서는 도 3 및 도 4를 참조하여 후술하기로 한다.
보호층(330)은 플라즈마 등으로부터 하부 보호막을 보호하는 역할을 한다. 따라서 보호층(330)은 하부 유기막을 보호할 수 있는 무기막, 유기막 또는 유무기 혼합막으로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 보호층(330)은 무기막으로 형성될 수 있으며, 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 및 산화알루미늄(Al2O3) 등과 같은 무기물질로 형성될 수 있다.
이와 같은 보호층(330)은 제1 유기막(310)의 형성영역을 정의한다. 제조 공정에서 보호층(330)은 제1 유기막(310)의 마스크(mask) 역할을 할 수 있다. 보호층(330)이 마스크 역할을 하게 됨에 따라, 에싱(ashing) 등의 공정에 의해 보호층(330) 외측으로 형성된 제1 유기막(310)이 제거될 수 있다.
따라서, 제1 유기막(310)의 면적은 보호층(330)의 면적과 동일할 수 있으며, 보호층(330)의 측면과 제1 유기막(310)의 측면이 연속적으로 형성될 수 있다. 따라서, 보호층(330)은 제1 유기막(310)이 형성되는 경계를 명확히 할 수 있으므로, 기존의 에지 테일과 같이 제1 유기막(310)이 외부로 노출되는 것을 방지하여, 유기 발광 표시 장치(10)의 측면 내투습성이 향상될 수 있고, 유기 발광 표시 장치(10)의 데드 영역(dead area)을 보다 감소시킬 수 있다.
한편, 제1 무기막(320)이 보호층(330)을 덮도록 형성될 수 있으므로, 보호층(330)의 면적은 제1 무기막(320)의 면적보다 작을 수 있다.
도 3 및 도 4는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 변형예들을 도시한 단면도들이다.
먼저, 도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(10B)는 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200) 및 디스플레이부(200)를 밀봉하는 봉지층(300B)을 포함할 수 있다. 기판(100) 및 디스플레이부(200)는 도 1 및 도 2에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로, 반복하여 설명하지 않는다.
봉지층(300B)은, 제1 유기막(310), 제1 유기막(310)을 덮는 제1 무기막(320), 제1 무기막(320) 상에 형성된 제2 유기막(310B)과, 제2 유기막(310B)을 덮는 제2 무기막(320B)을 포함할 수 있다.
즉, 봉지층(300B)은 다수의 유기막(310, 310B)과 무기막(320, 320B)이 교번적으로 적층되어 형성될 수도 있다. 또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 유기막(미도시)과 무기막(미도시)이 더 추가되어 형성될 수 있다. 한편, 보호층(330)은 다수의 유기막들(310, 310B) 중 적어도 최하층의 제1 유기막(310)의 상면에 형성될 수 있다. 따라서, 디스플레이부(200)에 가장 근접한 제1 유기막(310)의 형성 영역을 제한하여, 디스플레이부(200)로 외부의 수분이나 산소가 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 제2 무기막(320B)과 제2 유기막(310B) 사이에는, 제2 유기막(310B)의 형성 영역을 정의하기 위한 제2 보호층(330B)이 더 형성될 수 있다. 제2 보호층(330B)은 보호층(330)과 동일한 재질로 형성되어, 보호층(330)과 동일한 기능을 수행한다. 즉, 제2 유기막(310B)이 형성되는 경계를 명확히 함으로써, 제2 유기막(310B)이 외곽으로 확장되는 것을 방지한다.
도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(10C)는 기판(100), 기판(100) 상에 형성된 디스플레이부(200) 및 디스플레이부(200)를 밀봉하는 봉지층(300C)을 포함할 수 있다. 기판(100) 및 디스플레이부(200)는 도 1 및 도 2에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로, 반복하여 설명하지 않는다.
도 4에 도시된 봉지층(300C)은 제1 유기막(310), 제1 유기막(310)을 덮는 제1 무기막(320), 제1 유기막(310)의 상면에 형성된 보호층(330) 외에 디스플레이부(200) 상에 형성된 금속층(340)을 더 포함한다. 즉, 금속층(340)이 먼저 적층된 후에, 제1 유기막(310), 보호층(330) 및 제1 무기막(320)이 적층되는 순서를 가진다.
금속층(340)층은 디스플레이부(200)를 덮을 수 있다. 금속층(340)은 할로겐화 금속을 포함할 수 있다. 금속층(340)은 불화리튬(LiF) 또는 산화알루미늄(AlOx)으로 형성될 수 있다. 금속층(340)은 금속층(340) 상의 층을 스퍼터링 방식 또는 플라즈마 증착 방식으로 형성할 때 상기 디스플레이부(200)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 4의 유기 발광 표시 장치(10C)에는 도 3에 도시된 박막 봉지층(도 3의 300B)의 구성이 추가될 수 있음은 물론이다.
도 5 내지 도 8은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 5를 참조하면, 기판(100) 상에 디스플레이부(200)와 제1 유기막(310)을 형성한다. 디스플레이부(200)는 도 2에서 예시한 구성을 가질 수 있을 뿐 아니라, 공지된 다양한 유기발광 디스플레이가 적용될 수 있으므로, 이의 구체적인 제조 방법은 생략한다.
제1 유기막(310)은 폴리우레아(polyurea)나 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 등으로 형성될 수 있다. 다만, 이와 같은 재료는 바로 증착 시키기가 어렵기 때문에, 제1 유기막(310)은 액상의 모노머를 기화시켜 기판(100) 상에 증착 시킨 후, 자외선을 조사하여 폴리머로 중합시켜 형성할 수 있다.
한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 제1 유기막(310)을 형성하기 전에, 디스플레이부(200)를 감싸도록 금속층(도4의 340)을 먼저 형성할 수 있다. 이와 같이, 금속층(도 4의 340)을 먼저 형성하면, 금속층(도4의 340)이 플라즈마를 차단할 수 있으므로, 금속층(도4의 340) 상의 유기층 또는 무기층을 형성할 수 있는 방법이 다양해질 수 있다.
제1 유기막(310)을 형성한 후에는, 도 6과 같이 보호층(330)을 형성한다.
보호층(330)은 하부 유기막을 보호할 수 있는 무기막, 유기막 또는 유무기 혼합막으로 형성될 수 있다. 바람직하게는, 보호층(330)은 무기막으로 형성될 수 있으며, 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 및 산화알루미늄(Al2O3) 등과 같은 무기물질로 형성될 수 있다. 이와 같은 보호층(330)은 스퍼터링, 원자층 증착법, 화학기상증착법 등의 방법을 통해 증착될 수 있다.
보호층(330)은 제1 유기막(310)의 마스크 역할을 할 수 있으므로, 원하는 제1 유기막(310)의 형성 영역에 대응되게 제1 유기막(310) 상에 형성될 수 있다.
보호층(330)을 형성한 후에는, 도 7과 같이 제1 유기막(310)의 일부를 제거한다. 보다 상세하게는, 제1 유기막(310)의 테일(313)을 제거한다.
제1 유기막(310)의 테일(313)은 에싱(ashing) 공정에 의해 제거될 수 있다. 에싱(ashing) 공정은 Dry etch 개념으로, O2, N2O 또는 NH3 등의 가스(gas)를 플라즈마 상태에서 가속시켜 하부에 남아 있는 C base 유기물들을 제거하는 공정이다. 에싱(ashing) 공정에서 보호층(330)이 제1 유기막(310)의 마스크 역할을 할 수 있으므로, 결국 보호층(330) 하부의 제1 유기막(310)만 남게 되고, 보호층(330) 외측의 제1 유기막(310)은 제거된다. 따라서, 제1 유기막(310)의 면적은 보호층(330)의 면적과 동일할 수 있으며, 보호층(330)의 측면과 제1 유기막(310)의 측면이 연속적으로 형성될 수 있다. 따라서, 보호층(330)은 제1 유기막(310)이 형성되는 경계를 명확히 할 수 있으므로, 기존의 에지 테일과 같이 제1 유기막(310)이 외부로 노출되는 것을 방지하여, 유기 발광 표시 장치(10)의 측면 내투습성이 향상될 수 있고, 유기 발광 표시 장치(10)의 데드 영역(dead area)을 보다 감소시킬 수 있다.
다음으로, 도 7과 같이, 보호층(330)을 덮도록 제1 무기막(320)을 형성한다. 제1 무기막(320)은 스퍼터링, 원자층 증착법, 화학기상증착법 등에 의해 형성할 수 있다. 제1 무기막(320)은 SiNx, SiOx, AlOx, SiCxNy, SiOxNy, 비결정성 탄소(amorphous carbon), InOx, YbOx 등을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 제1 무기막(320)을 형성한 후에는, 도 3에 도시된 바와 같이 제2 유기막(도 3의 310B)과 제2 무기막(도 3의 320B)을 형성할 수 있으며, 또한, 유기막(미도시)과 무기막(미도시)이 더 추가되어 형성될 수도 있다. 또한, 제2 무기막(320B)이 형성되기 전에, 제2 유기막(도 3의 310B)의 형성 영역을 정의하기 위한 제2 보호층(330B)이 더 형성될 수도 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
10, 10B, 10C: 유기 발광 표시 장치
100: 기판 200: 디스플레이부
300, 300B, 300C: 박막 봉지층 310: 제1 유기막
310B: 제2 유기막 320: 제1 무기막
320B: 제2 무기막 340: 금속층
330: 보호층 330B: 제2 보호층

Claims (21)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 디스플레이부; 및
    상기 디스플레이부를 밀봉하는 박막 봉지층;을 포함하고,
    상기 박막 봉지층은, 제1 유기막, 상기 제1 유기막 상에 형성되는 보호층 및 상기 보호층을 덮는 제1 무기막을 포함하고,

    상기 제1 유기막은 상기 기판에 대하여 경사진 형태의 측면을 포함하고,
    상기 보호층은 상기 제1 유기막의 경사진 형태의 측면에 대응하는 경사면을 포함하고,
    상기 제1 유기막의 측면 및 상기 보호층의 경사면은 상기 디스플레이부의 최상면의 연장선과 중첩되도록 형성된 유기발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호층의 측면과 상기 제1 유기막의 측면이 연속적으로 형성되는 유기발광 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 및 산화알루미늄(Al2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기발광 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 무기막 상의 제2 유기막과, 상기 제2 유기막을 덮는 제2 무기막을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2 유기막과 상기 제2 무기막 사이에, 상기 제2 유기막의 형성영역을 정의하기 위한 제2 보호층을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 디스플레이부와 상기 제1 유기막 사이에, 상기 디스플레이부를 덮는 금속층을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 금속층은 불화리튬(LiF) 및 산화알루미늄(AlOx) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기발광 표시장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호층의 면적은 상기 제1 무기막의 면적보다 작은 유기발광 표시장치.
  9. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 디스플레이부; 및
    상기 디스플레이부를 밀봉하는 박막 봉지층;을 포함하고,
    상기 박막 봉지층은,
    복수의 유기막들, 상기 복수의 유기막들과 교번적으로 적층된 복수의 무기막들, 및 상기 유기막들 중 적어도 최하층의 유기막의 상면에 형성된 보호층을 포함하고,
    상기 보호층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 및 산화알루미늄(Al2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
    상기 최하층의 유기막은 상기 기판에 대하여 경사진 형태의 측면을 포함하고,
    상기 보호층은 상기 최하층의 유기막의 경사진 형태의 측면에 대응하는 경사면을 포함하고,
    상기 최하층의 유기막의 측면 및 상기 보호층의 경사면은 상기 디스플레이부의 최상면의 연장선과 중첩되도록 형성된 유기발광 표시장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보호층은 상기 최하층의 유기막의 형성영역을 정의하며, 상기 보호층의 면적은 상기 최하층의 유기막의 면적과 동일한 유기발광 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 보호층의 측면과 상기 최하층의 유기막의 측면이 연속적으로 형성되는 유기발광 표시장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 보호층은, 상기 복수의 유기막들 각각의 상면에 형성된 유기발광 표시장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 디스플레이부 바로 위에 형성되어 상기 디스플레이부를 덮는 금속층을 더 포함하는 유기발광 표시장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 금속층은 불화리튬(LiF) 및 산화알루미늄(AlOx) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기발광 표시장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 보호층의 면적은 상기 복수의 무기막들의 면적보다 작은 유기발광 표시장치.
  16. 기판 상에 디스플레이부를 형성하는 단계; 및
    상기 디스플레이부를 밀봉하는 박막 봉지층을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는,
    상기 디스플레이부 상에 제1 유기막을 형성하는 단계;
    상기 제1 유기막 상에 보호층을 형성하는 단계;
    상기 제1 유기막의 일부를 제거하는 단계; 및
    상기 보호층을 덮도록 제1 무기막을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 제1 유기막은 상기 기판에 대하여 경사진 형태의 측면을 포함하고,
    상기 보호층은 상기 제1 유기막의 경사진 형태의 측면에 대응하는 경사면을 포함하고,
    상기 제1 유기막의 측면 및 상기 보호층의 경사면은 상기 디스플레이부의 최상면의 연장선과 중첩되도록 형성하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 보호층은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx) 및 산화알루미늄(Al2O3) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기발광 표시장치의 제조 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 보호층을 마스크로 하여 에싱(ashing) 공정에 의해 상기 제1 유기막의 상기 보호층 외측으로 형성된 부분이 제거되는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 무기막 상에 제2 유기막을 형성하고, 상기 제2 유기막을 덮도록 제2 무기막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제2 무기막을 형성하기 전에, 상기 제2 유기막 상에 제2 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 유기막의 일부를 제거하는 단계;를 더 포함하고,
    상기 제2 유기막의 면적은 상기 제2 보호층의 면적과 동일한 유기발광 표시장치의 제조방법.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 유기막을 형성하기 전에,
    상기 디스플레이부를 감싸는 금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102479019B1 (ko) * 2015-03-05 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102501463B1 (ko) * 2015-05-21 2023-02-20 삼성전자주식회사 이차원 물질을 사용한 플렉서블 인터커넥트 레이어를 포함하는 유연소자
KR102486876B1 (ko) * 2015-07-07 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102465377B1 (ko) 2016-02-12 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN105609538B (zh) * 2016-03-29 2020-03-27 Tcl集团股份有限公司 一种顶发射型显示面板及制作方法
CN105957878A (zh) * 2016-07-08 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US10991910B2 (en) 2017-03-30 2021-04-27 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and production method therefor
CN107195800A (zh) * 2017-04-28 2017-09-22 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
WO2019064509A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP6983084B2 (ja) * 2018-02-07 2021-12-17 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
CN110061043B (zh) * 2019-04-30 2021-08-31 武汉天马微电子有限公司 一种显示装置及其制作方法
KR20210079898A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN113675356A (zh) * 2020-05-14 2021-11-19 Ncd有限公司 在薄膜封装体上形成触摸屏板的方法
KR102183409B1 (ko) * 2020-05-18 2020-11-26 주식회사 엔씨디 박막 인캡 상에 터치스크린 패널을 형성하는 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050212419A1 (en) 2004-03-23 2005-09-29 Eastman Kodak Company Encapsulating oled devices
US20070114519A1 (en) 2005-11-22 2007-05-24 Seiko Epson Corporation Light-emitting device and electronic apparatus
US20070207696A1 (en) 2003-11-14 2007-09-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Super-thin oled and method for manufacturing the same
US20080180022A1 (en) 2007-01-30 2008-07-31 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display and method for manufacturing the same
US20080238301A1 (en) 2007-03-30 2008-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic electro luminescence device and method of fabricating the same
US20080309226A1 (en) 2007-06-13 2008-12-18 Hyo-Jin Kim Organic light emitting display device and fabrication method for the same

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009037812A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機ｅｌ装置およびその製造方法
KR20100064870A (ko) * 2008-12-05 2010-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100994121B1 (ko) * 2009-03-11 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101613726B1 (ko) * 2009-09-21 2016-04-20 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
KR101695739B1 (ko) 2010-09-14 2017-01-13 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR101255537B1 (ko) 2010-11-26 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR20120065049A (ko) 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
WO2012109113A2 (en) * 2011-02-07 2012-08-16 Applied Materials, Inc. Method for encapsulating an organic light emitting diode
KR101809659B1 (ko) * 2011-10-14 2017-12-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101990555B1 (ko) * 2012-12-24 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070207696A1 (en) 2003-11-14 2007-09-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Super-thin oled and method for manufacturing the same
US20050212419A1 (en) 2004-03-23 2005-09-29 Eastman Kodak Company Encapsulating oled devices
US20070114519A1 (en) 2005-11-22 2007-05-24 Seiko Epson Corporation Light-emitting device and electronic apparatus
US20080180022A1 (en) 2007-01-30 2008-07-31 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic light emitting display and method for manufacturing the same
US20080238301A1 (en) 2007-03-30 2008-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic electro luminescence device and method of fabricating the same
US20080309226A1 (en) 2007-06-13 2008-12-18 Hyo-Jin Kim Organic light emitting display device and fabrication method for the same

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