WO2019064509A1 - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

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WO2019064509A1
WO2019064509A1 PCT/JP2017/035548 JP2017035548W WO2019064509A1 WO 2019064509 A1 WO2019064509 A1 WO 2019064509A1 JP 2017035548 W JP2017035548 W JP 2017035548W WO 2019064509 A1 WO2019064509 A1 WO 2019064509A1
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sealing
layer
organic
display device
bank
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PCT/JP2017/035548
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越智　貴志
純平 高橋
剛 平瀬
通 園田
家根田　剛士
剛史 千崎
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シャープ株式会社
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    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.
  • a sealing film covering the organic EL element is a laminated film of a sealing inorganic layer and a sealing organic layer
  • the sealing structure which consists of these is proposed.
  • an element stacked portion is covered with a first barrier film formed by atomic layer deposition (ALD), and the first barrier film is formed by an isotropic film formation method.
  • a method of manufacturing an organic EL element structure is disclosed, in which a film is covered, the organic film is anisotropically etched, and the first barrier film is covered by a second barrier film.
  • the present invention aims at providing a display which can secure sealing performance of a sealing film, and a manufacturing method for the same, even when foreign substances exist.
  • a display device is provided on a base substrate, a TFT layer having a plurality of TFTs and a plurality of TFT wirings provided on the base substrate, and the TFT layer A plurality of light emitting layers, a sealing film provided so as to cover the plurality of light emitting layers, a display area defined by the plurality of light emitting layers, a frame area surrounding the display area, and the display area And a lead-in wiring electrically connected to the TFT wiring and routed from the display area to the frame area, wherein the sealing film includes the plurality of light emitting layers.
  • the bank is provided in the lower layer of the said sealing organic layer in the peripheral edge part of the said sealing organic layer which extends
  • a display device manufacturing method includes a base substrate, a TFT layer having a plurality of TFTs and a plurality of TFT wirings provided on the base substrate, and the TFT layer.
  • a method of manufacturing a display device comprising: a lead-out wiring electrically connected to the provided TFT wiring and drawn from the display area to the frame area, and covering the plurality of light emitting layers
  • a sealing film forming step of forming the sealing film, and a bank forming step of forming a bank in the frame region, and the sealing film forming step is configured to cover the plurality of light emitting layers.
  • a sealed inorganic layer Forming a first sealing inorganic layer, forming an organic film so as to cover the first sealing inorganic layer, and overlapping the first sealing inorganic layer on the organic film.
  • the organic film is removed so that the peripheral end face of the second sealing inorganic layer and the peripheral end face of the sealing organic layer coincide
  • the lead-out wiring is the display In the peripheral end portion of the sealing organic layer which extends and intersects the frame region from the region, the sealing organic layer It is intended to form the bank in the lower layer.
  • the sealing performance of the sealing film can be secured even when foreign matter is present. Further, since the bank is provided in the lower layer of the sealing organic layer at the peripheral end of the sealing organic layer where the drawing wiring crosses the frame region, the residue of the sealing organic layer is in the vicinity of the wiring Can be prevented, and moisture can be prevented from penetrating into the sealing film due to the residue.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining a schematic internal configuration of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a portion provided with the bank exemplified in A1 of FIG. 2, and illustrates an internal configuration along a line III-III of FIG.
  • FIG. 4 is a view for explaining the main configuration of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a specific configuration of the organic EL layer shown in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 1, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 1, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 1, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 1, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the specific effect of the bank shown in FIG. 1.
  • FIG. 11 (a) illustrates the internal cross-sectional configuration on the display area side of the bank along line XIA-XIA in FIG.
  • FIG. 11B is a view for explaining the internal cross-sectional configuration on the opposite side to the display area of the bank along the line XIB-XIB in FIG.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining specific problems in the comparative example
  • FIG. 12 (a) illustrates an internal cross-sectional configuration on the display region side of the peripheral end face of the sealing organic layer in the comparative example.
  • FIG.12 (b) is a figure explaining the internal cross-sectional structure on the opposite side to the display area of the peripheral end surface of the sealing organic layer in the said comparative example.
  • FIG. 12 (b) is a figure explaining the internal cross-sectional structure on the opposite side to the display area of the peripheral end surface of the sealing organic layer in the said comparative example.
  • FIG. 13 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a schematic internal configuration of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 15 is a view for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 13, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 17 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 13, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 18 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a schematic internal configuration of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 15 is a view for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 19 is a view for explaining an internal configuration along line IXX-IXX in FIG.
  • FIG. 20 is a diagram for explaining an internal configuration along the line XX-XX in FIG.
  • FIG. 21 is a plan view showing a schematic configuration of Modification 1 of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a view for explaining the internal configuration of Modification 2 of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a diagram for explaining an internal configuration along a line XXIV-XXIV in FIG. FIG.
  • FIG. 25 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 26 is a view for explaining an example of routing in a frame area of an organic EL display device according to a modification of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 30a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a view for explaining a schematic internal configuration of the organic EL display device 30a shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a portion provided with the bank exemplified in A1 of FIG. 2, and illustrates an internal configuration along a line III-III of FIG.
  • FIG. 4 is a view for explaining the main configuration of the organic EL display device 30a shown in FIG.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a specific configuration of the organic EL layer 16 shown in FIG.
  • the organic EL display device 30 a covers the base substrate 10, the organic EL element 18 provided on the base substrate 10, and the organic EL element 18 (a plurality of organic EL layers 16). And the sealing film 23a provided. Further, as shown in FIG. 4, the organic EL element 18 includes a TFT layer TR having a plurality of TFTs 12, a plurality of organic EL layers 16 provided on the TFT layer TR, and a second electrode 17. It is done.
  • the organic EL layer 16 is an example of the light emitting layer in the claims.
  • the display area D for displaying an image is defined by the plurality of organic EL layers 16 included in the organic EL element 18.
  • the display area D is formed, for example, in a rectangular shape as shown by a two-dot chain line in FIG. 1, and in the display area D, a plurality of pixels are arranged in a matrix. Then, in each pixel, for example, a sub-pixel for performing red tone display, a sub-pixel for performing green tone display, and a sub-pixel for performing blue tone display are adjacent to each other. It is arranged.
  • a plurality of gate wirings G and a plurality of source wirings S are provided in a matrix.
  • the pixel is formed at the intersection of the gate line G and the source line S.
  • the TFT 12 (FIG. 4) is provided for each pixel, and the gate wiring G and the source wiring S are electrically connected to the TFT 12 (not shown).
  • the gate line G and the source line S are examples of a plurality of TFT lines in the claims.
  • a frame area GA is provided around the display area D.
  • the frame region GA is electrically connected to the gate wiring G and is also electrically connected to the lead wiring W1 routed from the display region D to the frame region GA and to the source wiring S.
  • a lead wiring W2 which is led to the frame area GA.
  • a terminal portion T is provided at an end of the frame area GA, and is configured to electrically connect the lead wirings W1 and W2 and an external circuit (not shown).
  • the frame area GA is provided with a bank Ba1 formed in a frame shape so as to surround the display area D.
  • the bank Ba1 is sealed at a peripheral end 20aep (shown by a dot and dash line in FIG. 1) of the rectangular sealing organic layer 20a (FIG. 2) in which the lead wirings W1 and W2 extend and intersect the frame area GA. It is formed to cover the peripheral end 20aep below the peripheral end 20aep of the stop organic layer 20a (details will be described later). That is, the bank Ba1 is provided in the lower layer of the sealing organic layer 20a. Also, the bank Ba1 is provided in the lower layer of the plurality of organic EL layers 16 (FIG.
  • the lower layer and the upper layer indicate the order in the forming process of the organic EL display device 30a, and they do not necessarily define the physical positional relationship.
  • the bank Ba1 indicates the lower layer of the sealing organic layer 20a that the bank Ba1 is formed on the base substrate 10 prior to the sealing organic layer 20a.
  • the bank Ba1 is a lower layer of the organic EL layer 16, which indicates that the bank Ba1 is formed on the base substrate 10 prior to the organic EL layer 16.
  • the bank Ba1 indicates that the upper layer of the lead wirings W1 and W2 is formed on the base substrate 10 later than the lead wirings W1 and W2.
  • the lead wiring W1 extends from the side facing the terminal portion T of the rectangular display area D, and intersects with the bank Ba1 in the direction extending from the opposite side. Further, it is extended to the terminal portion T side and connected to the terminal portion T.
  • a part of the lead wiring W2 extends from a side different from the side opposite to the terminal portion T of the rectangular display area D, and after crossing the bank Ba1 in the direction extending from the display area D to the different side Furthermore, it extends to the terminal T side and is connected to the terminal T. Further, a part of the lead wiring W2 crosses the bank Ba1, changes the extension direction, crosses the bank Ba1 again, and extends to the terminal T side to be connected to the terminal T.
  • the base substrate 10 is, for example, a flexible plastic substrate made of polyimide resin or the like.
  • the TFT layer TR is, as shown in FIG. 4, a moisture-proof film 11 provided on the base substrate 10, a plurality of TFTs 12 provided above the base substrate 10, and a planarization film provided to cover the TFTs 12. It has 13 and. Further, the TFT layer TR includes a plurality of first electrodes 14 provided for each TFT 12 on the planarization film 13 and an edge cover 15 provided so as to cover an end of each TFT 12 between two TFTs 12. Have. Further, in the TFT layer TR, the planarization film 13 is formed in the upper layer of the TFT wiring such as the gate wiring G and the source wiring S. In addition, the first electrode 14 is formed on the upper layer of the planarization layer 13, and the edge cover 15 is formed on the upper layer of the first electrode 14 and in the lower layer of the organic EL layer 16.
  • the moistureproof film 11 is, for example, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film. Further, as shown in FIG. 3, on the moisture-proof film 11, the gate insulating film GI as the inorganic layer of at least two layers included in the TFT layer TR, the first inorganic film layer ILD1, and the second inorganic The layered film ILD2 is sequentially stacked. The first inorganic film layer ILD1 and the second inorganic film layer ILD2 function as interlayer insulating films in the TFT layer TR.
  • the TFT 12 is a switching element provided for each sub-pixel as shown in FIG.
  • the TFT 12 includes, for example, a semiconductor layer (not shown) provided in an island shape on the moisture-proof film 11, the above-described gate insulating film GI provided to cover the semiconductor layer, and the gate insulating film GI.
  • a gate electrode (not shown) provided so as to overlap with a part of the semiconductor layer, the first and second inorganic film layers ILD1 and ILD2 provided so as to cover the gate electrode, and a second inorganic film
  • a source electrode and a drain electrode are provided on the layer ILD2 and spaced apart from each other.
  • a gate line G (FIG. 1) is connected to the gate electrode, and a source line S (FIG. 1) is connected to the source electrode.
  • the first electrode 14 is connected to the drain electrode.
  • the TFT 12 may be a bottom gate TFT.
  • the planarization film 13 is provided so as to cover parts other than part of the drain electrode of each TFT 12 as shown in FIGS. 3 and 4.
  • the planarization film 13 is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as an acrylic resin, a polyimide resin, or an epoxy resin.
  • the plurality of first electrodes 14 are provided in a matrix on the planarization film 13 so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • the first electrode 14 is connected to the drain electrode of each TFT 12 through a contact hole formed in the planarization film 13.
  • the first electrode 14 has a function of injecting holes into the organic EL layer 16.
  • the first electrode 14 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 16.
  • the edge cover 15 is provided in a grid shape so as to cover the peripheral portions of the plurality of first electrodes 14 as illustrated in FIG. 4.
  • the edge cover 15 is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as an acrylic resin, a polyimide resin, or an epoxy resin.
  • the plurality of organic EL layers 16 are disposed on the plurality of first electrodes 14, and are provided in a matrix so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • the organic EL layer 16 is provided with a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting unit 3, an electron transport layer 4 and an electron injection layer provided in order on the first electrode 14. It has five.
  • the hole injection layer 1 is also referred to as an anode buffer layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 14 to the organic EL layer 16 by bringing the energy levels of the first electrode 14 and the organic EL layer 16 closer.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 14 to the organic EL layer 16.
  • holes and electrons are respectively injected from the first electrode 14 and the second electrode 17 when the voltage is applied by the first electrode 14 and the second electrode 17, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting unit 3.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 17 and the organic EL layer 16 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 17 to the organic EL layer 16.
  • the drive voltage of the organic EL element 18 can be reduced.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • the second electrode 17 is provided to cover the organic EL layers 16 and the edge cover 15 so as to be common to a plurality of sub-pixels.
  • the second electrode 17 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 16.
  • the second electrode 17 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 16.
  • the sealing film 23 a is sequentially stacked on the first sealing inorganic layer 19 provided to cover the organic EL element 18 and the first sealing inorganic layer 19.
  • Third sealing provided so as to cover the provided sealing organic layer 20a and second sealing inorganic layer 21a, peripheral end face 20ae of sealing organic layer 20a and peripheral end face 21ae of second sealing inorganic layer 21a And an inorganic layer 22a.
  • the first sealing inorganic layer 19, the second sealing inorganic layer 21a, and the third sealing inorganic layer 22a are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the second sealing inorganic layer 21a is preferably made of, for example, a silicon nitride film having high barrier properties.
  • the foreign matter F called particle is present on the surface of the first sealing inorganic layer 19 on the side of the sealing organic layer 20 a, but on the surface of the first sealing inorganic layer 19. Needless to say, it is preferable that the foreign matter F is not present.
  • the foreign material F is an organic EL element 18 and the 1st sealing, for example. It may exist in the interface with the inorganic layer 19, and the sealing effect by the sealing organic layer 20a is effective to various foreign substances F present on the base substrate 10a side of the sealing organic layer 20a.
  • the position of the peripheral end face 19e of the first sealing inorganic layer 19 is, as shown in FIGS. 2 and 3, from the positions of the peripheral end face 20ae of the sealing organic layer 20a and the peripheral end face 21ae of the second sealing inorganic layer 21a. It is located outside.
  • the sealing organic layer 20a is made of, for example, an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the position of the peripheral end face 20ae of the sealing organic layer 20a coincides with the position of the peripheral end face 21ae of the second sealing inorganic layer 21a as shown in FIG. 3 by the manufacturing method described later.
  • the bank Ba1 is formed of, for example, the same layer as the planarizing film 13 using the planarizing film 13, and is formed in the upper layer of the TFT wiring and in the lower layer of the organic EL layer 16.
  • the bank Ba1 is the peripheral end 20aep (FIG. 1) of the sealing organic layer 20a, that is, the peripheral surface 21ae of the second sealing inorganic layer 21a. It is provided so that the said part may be covered from the lower side below the part containing peripheral end face 20ae. Thereby, in the present embodiment, the residue of the sealing organic layer 20a can be prevented from being generated in the vicinity of the lead wirings W1 and W2 (details will be described later).
  • the organic EL display device 30a described above has flexibility, and is configured to perform image display by appropriately emitting light from the light emitting unit 3 of the organic EL layer 16 through the TFT 12 in each sub-pixel. .
  • TFT layer TR including organic EL element 18 (moisture-proof film 11, TFT 12, planarization film 13, first electrode 14, and edge cover 15) on the surface of base substrate 10 made of polyimide resin using a known method
  • the organic EL layer 16 the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting unit 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5) and the second electrode 17
  • the moisture-proof film 11, the gate insulating film GI, the first inorganic film layer ILD1, and the second inorganic film layer ILD2 included in the above-mentioned TFT layer TR are formed using a known method. Are sequentially formed on the surface of the base substrate 10.
  • TFT wirings such as the gate wiring G and the source wiring S
  • lead wirings W1 and W2 are also formed.
  • the bank Ba1 is flat at the peripheral end portion 20aep of the sealing organic layer 20a where the lead wirings W1 and W2 extend and intersect the frame area GA when forming the planarization film 13 in the organic EL element forming step. It is formed in a frame shape so as to cover the lead wirings W1 and W2 with the same material as the chemical conversion film 13 and to surround the display area D.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 1, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 1, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 1, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 1, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed by plasma CVD to cover the organic EL element 18 formed in the organic EL element formation step.
  • the first sealing inorganic layer 19 is formed by forming a film to a thickness of about 500 nm (a first sealing inorganic layer forming step).
  • an organic film 20 such as acrylate is deposited to a thickness of about 100 nm to 300 nm by vacuum evaporation over the entire surface of the substrate on which the first sealing inorganic layer 19 is formed. (Organic film formation process).
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 200 nm by plasma CVD using the mask Mb on the substrate on which the organic film 20 is formed.
  • the second sealing inorganic layer 21 a is formed so as to overlap with the first sealing inorganic layer 19 (second sealing inorganic layer forming step).
  • the opening area of the mask Mb is smaller than the opening area of the mask Ma (see FIGS. 6 and 8).
  • the second sealing inorganic layer 21a is used as a mask, and the organic film 20 exposed from the second sealing inorganic layer 21a is removed by ashing (using plasma P, for example), and sealing is performed.
  • a stop organic layer 20a is formed (sealing organic layer forming step).
  • the position of the peripheral end face 20ae of the sealing organic layer 20a is the position of the peripheral end face 21ae of the second sealing inorganic layer 21a. It will match (match).
  • the (positional) coincidence of the circumferential end surfaces means that the displacement of the circumferential end surfaces is within 1 ⁇ m to 2 ⁇ m, including approximate coincidence.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of 400 nm to 500 nm by the plasma CVD method using the mask Ma.
  • the third sealing inorganic layer 22a is formed so as to cover the circumferential end face 20ae of the sealing organic layer 20a and the circumferential end face 21ae of the second sealing inorganic layer 21a by forming a film to a certain extent (third sealing inorganic layer formation Process).
  • the peripheral end face 22 ae of the third sealing inorganic layer 22 a is the first It conforms to (follows) the peripheral end face 19 e of the sealing inorganic layer 19.
  • following means that the peripheral end face of a thin film formed later conforms to a certain extent to the peripheral end face of a thin film formed previously to form a film using the same mask. This means that the peripheral end faces do not exactly match each other due to the alignment accuracy of and the wraparound of the CVD film forming material.
  • the organic EL display device 30a of the present embodiment can be manufactured.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the specific effect of the bank shown in FIG. 1.
  • FIG. 11 (a) illustrates the internal cross-sectional configuration on the display area side of the bank along line XIA-XIA in FIG.
  • FIG. 11B is a view for explaining the internal cross-sectional configuration on the opposite side to the display area of the bank along the line XIB-XIB in FIG.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining specific problems in the comparative example
  • FIG. 12 (a) illustrates an internal cross-sectional configuration on the display region side of the peripheral end face of the sealing organic layer in the comparative example.
  • FIG.12 (b) is a figure explaining the internal cross-sectional structure on the opposite side to the display area of the peripheral end surface of the sealing organic layer in the said comparative example.
  • an organic EL display device in which the bank Ba1 is not formed at the peripheral end 20aep of the sealing organic layer 20a will be described as a comparative example.
  • the lead wirings W1 and W2 intersect the bank Ba1 in a state of being wired between the gate insulating film GI and the first inorganic film layer ILD1. ing.
  • the lead wiring W2 is covered by the first inorganic film layer ILD1 below the bank Ba1. It is wired on the gate insulating film GI in the isolated state.
  • the lead wiring W2 is formed in the same layer as the gate wiring G, and is electrically connected to the source wiring S via the contact hole, as shown in FIG. Further, as shown in FIG.
  • the second electrode 17 is electrically connected to the wiring H1 formed in the same layer as the source wiring S through the slit of the planarizing film provided so as to surround the display region. Ru. Further, since the display area D side of the bank Ba1 is the display area D side of the peripheral end 20aep of the sealing organic layer 20a, as shown in FIG. 11A, on the display area D side of the bank Ba1. A first sealing inorganic layer 19, a sealing organic layer 20a, a second sealing inorganic layer 21a, and a third sealing inorganic layer 22a are sequentially stacked above the bank Ba1.
  • the lead wiring W1 or W2 is formed in the same layer as the gate wiring G, but may be another wiring, for example, the first inorganic film layer if the wiring is lower than the bank Ba1. It may be formed by any wiring such as a wiring on the ILD 1 and a wiring on the second inorganic film layer ILD 2.
  • the lead wiring W2 is the same as the display area D side shown in FIG. In the lower part, the wiring is performed on the gate insulating film GI in a state of being covered by the first inorganic film layer ILD1. Further, since the side opposite to the display area D of the bank Ba1 is on the terminal T side of the peripheral end 20aep of the sealing organic layer 20a, the side opposite to the display area D of the bank Ba1 is above the bank Ba1.
  • the first sealing inorganic layer 19 and the third sealing inorganic layer 22a are sequentially stacked.
  • the bank Ba1 formed of the resin layer plays a role of flattening and the unevenness of the shape of the lead wiring W2 is flattened, so the first sealing inorganic layer No residue of the sealing organic layer 20a remains between the 19 and the third sealing inorganic layer 21a. That is, in the present embodiment, the sealing organic layer 20a is disconnected on the bank Ba1 by ashing, which can prevent a moisture permeation path from being generated.
  • the bank is not provided in the lower layer of the sealing organic layer at the peripheral end of the sealing organic layer in which the lead-out wiring extends the frame region from the display region.
  • the lead wiring W2 is wired on the surface of the gate insulating film GI.
  • the inorganic layer is formed to follow the shape of the lower layer, and if the lower layer is uneven, the film is formed to be uneven along it (FIG. 11 is a schematic diagram, the uneven shape formed on the inorganic layer is Omitted).
  • the first inorganic film layer ILD1, the second inorganic film layer ILD2, and the first sealing inorganic layer 19 are formed in a concavo-convex shape along the unevenness of the lead wiring W2. Then, the sealing organic layer 20a is stacked on the first sealing inorganic layer 19, and the second sealing inorganic layer 21a and the third sealing inorganic layer 22a are sequentially stacked on the sealing organic layer 20a.
  • the lead wiring W2 is formed on the gate insulating film GI, and the lead wiring W2
  • the first inorganic film layer ILD1, the second inorganic film layer ILD2, and the first sealing inorganic film 19 are formed along the unevenness of the As described above, when the sealing organic layer 20a is formed while forming the first sealing inorganic layer 19 in a convex-concave shape, the residue 20ar of the sealing organic layer 20a when ashing the sealing organic layer 20a. Is likely to be generated between the first sealing inorganic layer 19 and the third sealing inorganic layer 22a at the end of the uneven shape.
  • the organic EL display device 30a of the present embodiment As described above, according to the organic EL display device 30a of the present embodiment and the method of manufacturing the same, the following effects (1), (2), and (3) can be obtained.
  • the organic film 20 exposed from the second sealing inorganic layer 21a is removed to form a sealing organic layer 20a, whereby the circumferential end face of the second sealing inorganic layer 21a 21ae coincides with the peripheral end face 20ae of the sealing organic layer 20a. Therefore, even if the foreign matter F exists on the surface of the first sealing inorganic layer 19, the peripheral end portion 20aep of the sealing organic layer 20a can be formed with high accuracy so as to cover the foreign matter F, and the sealing film 23a Sealing performance can be secured.
  • the sealing performance of the sealing film 23a can be ensured more reliably. Furthermore, since the film thickness of the sealing organic layer 20a can be reduced by the vapor deposition method, the first sealing inorganic layer 19, the second sealing inorganic layer 21a and the third sealing inorganic layer 22a when bent can be used. The distortion is reduced, and the flexibility of the sealing film 23a can be improved.
  • the second film can be formed without preparing a separate mask.
  • the position of the peripheral end face 21 ae of the sealing inorganic layer 21 a can be matched with the position of the peripheral end face 20 ae of the sealing organic layer 20 a.
  • the bank Ba1 is provided in the lower layer of the sealing organic layer 20a at the peripheral end 20aep of the sealing organic layer 20a where the lead wirings W1 and W2 extend and intersect the frame area GA. Therefore, as shown in FIG. 11 (b), the residue 20ar (FIG. 12 (b)) of the sealing organic layer 20a can be prevented from being generated in the vicinity of the lead wiring W1 or W2, and the residue 20ar is As a result, moisture can be prevented from penetrating into the sealing film 23a. As a result, in the present embodiment, it is possible to prevent the reliability of the organic EL display device 30a from being lowered.
  • FIG. 13 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 30b according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a schematic internal configuration of the organic EL display device 30b shown in FIG.
  • the bank Ba2 formed in a C-shaped island shape is a display region D at the peripheral end 20bep of the sealing organic layer 20b.
  • the bank Ba2 is formed so as to have three sides facing the three sides on which the lead wirings W1 and W2 are drawn among the four sides of the rectangular display area D.
  • the position of the peripheral end face of the third sealing inorganic layer 22b is the first sealing inorganic layer It is formed at a position outside the position of the peripheral end face 19. That is, in the organic EL display device 30b of the present embodiment, as shown in FIG. 14, the first sealing inorganic layer 19 provided to cover the organic EL element 18 and the first sealing, as shown in FIG.
  • the first sealing inorganic layer 19, the second sealing inorganic layer 21b, and the third sealing inorganic layer 22b are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the second sealing inorganic layer 21 b is preferably made of, for example, a silicon nitride film having high barrier properties.
  • a foreign substance F called particle is present on the surface of the first sealing inorganic layer 19 on the side of the sealing organic layer 20 b, but on the surface of the first sealing inorganic layer 19. Needless to say, it is preferable that the foreign matter F is not present.
  • the position of the peripheral end face of the first sealing inorganic layer 19 is, according to the manufacturing method described later, at the positions of the peripheral end face of the sealing organic layer 20b and the peripheral end face of the second sealing inorganic layer 21b, as illustrated in FIG. I am following (following).
  • the sealing organic layer 20 b is made of, for example, an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the position of the peripheral end face of the sealing organic layer 20b coincides with the position of the peripheral end face of the second sealing inorganic layer 21b, as illustrated in FIG.
  • the bank Ba2 is constituted of, for example, the edge cover 15, and is formed in the upper layer of the TFT wiring and the lead wirings W1 and W2 and in the lower layer of the organic EL layer 16. Further, the bank Ba2 is the same as the bank Ba1 in the first embodiment in the peripheral end 20bep (FIG. 13) of the sealing organic layer 20b, that is, the sealing corresponding to the peripheral end face of the second sealing inorganic layer 21b. It is provided so that the said part may be covered from the lower side below the part including the peripheral end surface of the stop organic layer 20b. Thereby, in the present embodiment, as in the first embodiment, it is possible to prevent the residue of the sealing organic layer 20b from being generated in the vicinity of the lead wiring W1 or W2.
  • the lead wirings W1 and W2 are provided, for example, between the gate insulating film GI and the first inorganic film layer ILD1. In the state, it intersects with the bank Ba2.
  • the lead wiring W2 is provided on the gate insulating film GI in a state of being covered by the first inorganic film layer ILD1 below the bank Ba2. ing.
  • the lead wiring W2 is formed in the same layer as the gate wiring G, and is electrically connected to the source wiring S via a contact hole (for example, see FIG. 3).
  • the second electrode 17 is electrically connected to the wiring H1 formed in the same layer as the source wiring S via a slit of a planarization film provided so as to surround the display region (see, for example, FIG. 3) ).
  • the lead wiring W1 or W2 is formed in the same layer as the gate wiring G, but may be another wiring, for example, the first inorganic film layer if the wiring is lower than the bank Ba2. It may be formed by any wiring such as a wiring on the ILD 1 and a wiring on the second inorganic film layer ILD 2.
  • the organic EL display device 30b described above has flexibility, and is configured to perform image display by appropriately emitting light from the light emitting unit 3 of the organic EL layer 16 through the TFT 12 in each sub-pixel. .
  • FIG. 15 is a view for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 13, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • FIG. 17 is a diagram for explaining the main manufacturing steps of the organic EL display device shown in FIG. 13, and for explaining the manufacturing steps performed after the manufacturing step shown in FIG.
  • the organic EL element forming step, the first sealing inorganic layer forming step, and the organic film forming step of the present embodiment are the same as the steps described in the first embodiment, so the second sealing inorganic is The layer formation process and subsequent steps will be described.
  • the bank Ba2 is the edge cover at the peripheral end 20bep of the sealing organic layer 20b where the lead wirings W1 and W2 extend and intersect the frame area GA. It is formed in the above-mentioned C shape in the outside of display field D so that lead wiring W1 and W2 may be covered with the same material as 15.
  • the mask used when forming the first sealing inorganic layer 19 on the substrate on which the organic film 20 was formed in the organic film forming step of the first embodiment For example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 200 nm by plasma CVD using Ma, and the second sealing inorganic layer 21b is formed to overlap the first sealing inorganic layer 19 (2nd sealing inorganic layer formation process).
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 200 nm by plasma CVD using Ma
  • the second sealing inorganic layer 21b is formed to overlap the first sealing inorganic layer 19 (2nd sealing inorganic layer formation process).
  • the circumferential end surface of the 2nd sealing inorganic layer 21b is the 1st It follows the peripheral end face of the sealing inorganic layer 19 (follows).
  • the organic film 20 exposed from the second sealing inorganic layer 21 b is removed by ashing (for example, using plasma P), The sealing organic layer 20b is formed (sealing organic layer forming step).
  • ashing for example, using plasma P
  • the sealing organic layer 20b is formed (sealing organic layer forming step).
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of 400 nm to 500 nm by plasma CVD using a mask Mc.
  • the third sealing inorganic layer 22b is formed so as to cover the peripheral end surface of the sealing organic layer 20b and the second sealing inorganic layer 21b by forming a film to a certain extent (second sealing inorganic layer forming step).
  • the opening area of the mask Mc is larger than the opening area of the mask Ma (see FIGS. 15 and 17).
  • the organic EL display device 30b of the present embodiment can be manufactured.
  • the organic film 20 exposed from the second sealing inorganic layer 21b is removed to form the sealing organic layer 20b, whereby the second sealing inorganic layer is formed.
  • the peripheral end face of the layer 21 b is in agreement with the peripheral end face of the sealing organic layer 20 b. Therefore, even if the foreign matter F is present on the surface of the first sealing inorganic layer 19, the peripheral end 20bep of the sealing organic layer 20b can be formed with high accuracy so as to cover the foreign matter F, and the sealing film 23b Sealing performance can be secured.
  • the sealing performance of the sealing film 23b can be improved. It can be secured more reliably. Furthermore, since the film thickness of the sealing organic layer 20b can be reduced by the vapor deposition method, the first sealing inorganic layer 19, the second sealing inorganic layer 21b, and the third sealing inorganic layer 22b when bent are formed. The distortion is reduced, and the flexibility of the sealing film 23b can be improved.
  • the sealing organic layer forming step since the organic film 20 exposed from the second sealing inorganic layer 21b is removed using the second sealing inorganic layer 21b as a mask, a separate mask is prepared. Accordingly, the position of the peripheral end face of the second sealing inorganic layer 21b can be matched with the position of the peripheral end face of the sealing organic layer 20b.
  • the bank Ba2 is provided in the lower layer of the sealing organic layer 20b at the peripheral end 20bep of the sealing organic layer 20b where the lead wirings W1 and W2 extend and intersect the frame area GA. There is.
  • the residue of the sealing organic layer 20b can be prevented from being generated in the vicinity of the lead wiring W1 or W2, and the moisture is the sealing film due to the residue. It is possible to prevent penetration into 23b. As a result, in the present embodiment, it is possible to prevent the reliability of the organic EL display device 30b from being reduced.
  • the third sealing inorganic layer 22b is formed to cover the peripheral end face 19be of the first sealing inorganic layer 19, so the sealing performance by the sealing film 23b is improved. Therefore, the deterioration of the organic EL element 18 can be suppressed more than the organic EL display device 30a of the first embodiment.
  • FIGS. 18 to 20 show a second embodiment of the organic EL display device according to the present invention.
  • FIG. 18 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 30c according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a view for explaining an internal configuration along line IXX-IXX in FIG.
  • FIG. 20 is a diagram for explaining an internal configuration along the line XX-XX in FIG.
  • the bank Ba3 formed in an L-shaped island shape is a display region D in the peripheral end portion 20cep of the sealing organic layer 20c.
  • the bank Ba3 is formed so as to have two sides facing the two sides in which the lead wirings W1 and W2 are led among the four sides of the rectangular display region D.
  • the present embodiment is an organic EL display device 30c of one-side input drive in which a data signal is input to the source wiring S only from one side (for example, the right side in FIG. 18) of the display area D. It is formed on the one side.
  • the peripheral end face 22ce of the third sealing inorganic layer 22c follows the peripheral end face 19e of the first sealing inorganic layer 19 (similarly ). That is, in the organic EL display device 30c of the present embodiment, as shown in FIG. 19, the first sealing inorganic layer 19 provided so as to cover the organic EL element 18 and the first sealing, as shown in FIG.
  • the first sealing inorganic layer 19, the second sealing inorganic layer 21c, and the third sealing inorganic layer 22c are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the sealing organic layer 20c is made of, for example, an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the position of the peripheral end face 20ce of the sealing organic layer 20c coincides with the position of the peripheral end face 21ce of the second sealing inorganic layer 21c, as illustrated in FIG.
  • the bank Ba3 is formed of, for example, the planarizing film 13 and the edge cover 15 stacked on the planarizing film 13, and is an upper layer of the TFT wiring and the lead wiring W1 and W2, and an organic EL. It is formed under the layer 16.
  • this bank Ba3 includes a first bank Ba3a formed by using a planarization film 13 and a second bank Ba3b formed by using an edge cover 15.
  • the bank Ba3 is the peripheral end portion 20 cep (FIG. 18) of the sealing organic layer 20 c, that is, the sealing organic layer 20 c corresponding to the peripheral end face 21 ce of the second sealing inorganic layer 21 c.
  • the said part may be covered from the lower side below the part containing circumferential end face 20ce.
  • the lead wirings W1 and W2 cross the bank Ba3 in a state of being wired between the gate insulating film GI and the first inorganic film layer ILD1. It has become. Specifically, as shown in FIGS. 19 and 20, for example, the lead wiring W2 is wired on the gate insulating film GI in a state of being covered by the first inorganic film layer ILD1 below the bank Ba3. There is. The lead wiring W2 is formed in the same layer as the gate wiring G, and is electrically connected to the source wiring S via the contact hole, as shown in FIG. In addition, as shown in FIG.
  • the lead wiring W1 or W2 is formed in the same layer as the gate wiring G, but may be another wiring, for example, the first inorganic film layer if the wiring is lower than the bank Ba3. It may be formed by any wiring such as a wiring on the ILD 1 and a wiring on the second inorganic film layer ILD 2.
  • the organic EL display device 30c described above has flexibility, and is configured to perform image display by appropriately emitting light from the light emitting portion 3 of the organic EL layer 16 through the TFT 12 in each sub-pixel. .
  • the organic EL element forming process and the sealing film forming process of the present embodiment are the same as the processes described in the first embodiment, so the bank forming process will be described.
  • the same operation and effect as the first embodiment can be exhibited.
  • the bank Ba3 is formed in an L-shaped island shape having two sides facing each of the two sides where the lead wirings W1 and W2 are led among the four sides of the rectangular display region D. Therefore, the process of forming the bank can be simplified as compared to the first and second embodiments.
  • FIG. 21 is a plan view showing a schematic configuration of Modification 1 of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • the main difference between this embodiment and the third embodiment is that instead of the L-shaped bank Ba3, three island-shaped banks Ba4L, Ba4R, and BA4T formed in an island shape are used. It is a point provided.
  • symbol is attached
  • the Ba 4 L formed in an island shape is outside the display region D at the peripheral end 20 dep of the sealing organic layer 20 d not shown.
  • the Ba 4 R formed in an island shape is provided outside the display area D so as to face the right side of the display area D at the peripheral end 20 dep of the sealing organic layer 20 d.
  • Ba 4 T formed in an island shape is provided outside the display area D so as to face the upper side of the display area D in the peripheral end 20 dep of the sealing organic layer 20 d. That is, in the present embodiment, the banks Ba4L, Ba4R, and Ba4T are formed in the portion where the lead wirings W1 and W2 are led at the peripheral end 20 dep in the frame area GA.
  • FIG. 22 is a view for explaining the internal configuration of Modification 2 of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • the planarizing film 13 and the edge cover 15 sequentially stacked on the wiring H1 have a peripheral edge 20ce of the sealing organic layer 20c. It is a point extended over and forming the first bank Ba3a and the second bank Ba3b, respectively.
  • symbol is attached
  • the first bank Ba3a is formed continuously to the planarizing film 13.
  • the second bank Ba3b is formed continuously to the edge cover 15.
  • FIG. 23 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 24 is a diagram for explaining an internal configuration along a line XXIV-XXIV in FIG.
  • the main difference between this embodiment and the first embodiment is that instead of the rectangular bank Ba1, an island-shaped bank Ba5 formed in an island shape is used as a display area D and a terminal portion T. Between the two.
  • symbol is attached
  • the island-shaped bank Ba5 has a display area D and a terminal portion at the peripheral end 20eep of the sealing organic layer 20e (FIG. 24). It is provided between T and T.
  • the lead wiring W2 differs from each of the above embodiments in that the side facing the terminal portion T of the display area D from the display area D After extending to a different side, the extending direction is changed before reaching the peripheral end face 20ee (FIG. 24) of the sealing organic layer 20e (FIG. 24) facing the different side, and is extended to the terminal T side.
  • the bank Ba5 the peripheral end face 20ee (FIG. 24) of the sealing organic layer 20e (FIG. 24) facing the different side.
  • the peripheral end face 22ee of the third sealing inorganic layer 22e follows the peripheral end face 19e of the first sealing inorganic layer 19 (similarly ). That is, in the organic EL display device 30e of the present embodiment, as shown in FIG. 25, the first sealing inorganic layer 19 provided so as to cover the organic EL element 18 and the first sealing, as shown in FIG.
  • the first sealing inorganic layer 19, the second sealing inorganic layer 21e, and the third sealing inorganic layer 22e are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the sealing organic layer 20 e is made of, for example, an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • an organic resin material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • the position of the peripheral end face 20ee of the sealing organic layer 20e coincides with the position of the peripheral end face 21ee of the second sealing inorganic layer 21e, as illustrated in FIG.
  • the lead wiring W2 is connected to the source wiring S via the wiring H2 provided in the same layer as the gate wiring G.
  • the lead-out wiring H2 is prevented from conducting to the wiring H1.
  • the organic EL display device 30e described above has flexibility, and is configured to perform image display by appropriately emitting light from the light emitting unit 3 of the organic EL layer 16 through the TFT 12 in each sub-pixel. .
  • the organic EL element forming process and the sealing film forming process of the present embodiment are the same as the processes described in the first embodiment, so the bank forming process will be described.
  • the bank Ba5 is flat at the peripheral end 20eep of the sealing organic layer 20e where the lead wirings W1 and W2 extend and intersect the frame area GA when forming the planarization film 13 in the organic EL element forming step.
  • the island shape is formed on the outside of the display area D so as to cover the lead wirings W1 and W2 with the same material as the chemical conversion film 13.
  • the same operation and effect as the first embodiment can be exhibited. Further, in the present embodiment, since the bank Ba5 is provided in an island shape between the display area D and the terminal portion T, the process of forming the bank can be simplified as compared with the above embodiments. .
  • FIG. 25 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • the main difference between this embodiment and the first embodiment is that a semicircular display area D is provided instead of the rectangular display area D, and the whole of the organic EL display 30f is provided. It is a point where the shape is made approximately semicircular.
  • symbol is attached
  • a semicircular display area D is provided as shown by a two-dot chain line in FIG.
  • a bank may be provided so as to surround the display area D.
  • the same operation and effect as those of the first embodiment can be exhibited even in a display region of a different shape other than the rectangular display region D, for example, the semicircular display region D. it can.
  • FIG. 26 is a view for explaining an example of routing in a frame area of an organic EL display device according to a modification of the present invention.
  • a lead wiring W2 formed in the same layer as the source wiring S can also be used.
  • the lead wiring W2 may be covered with a planarizing film 13 as shown in FIG.
  • the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting portion, the electron transport layer, and the electron injection layer has been exemplified. It may have a three-layer laminated structure of a hole injection layer and hole transport layer, a light emitting portion, and an electron transport layer and electron injection layer.
  • the organic EL display device is exemplified in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
  • the laminated structure of the organic EL layer is reversed and the first electrode is a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the second electrode is an anode.
  • the organic EL display device including the element substrate in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is a drain electrode is exemplified.
  • the TFT connected to the first electrode The present invention can also be applied to an organic EL display device provided with an element substrate whose electrode is called a source electrode.
  • the organic EL display device has been described as an example of the display device.
  • the present invention can be applied to a display device provided with a plurality of light emitting elements driven by current.
  • the present invention can be applied to a display device provided with a QLED (Quantum-dot light emitting diode) which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emitting diode
  • the present invention is useful for flexible display devices.

Landscapes

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Abstract

有機ＥＬ層（１６）を覆う封止膜（２３ａ）は、有機ＥＬ層（１６）を覆うように設けられた第１封止無機層（１９）と、第１封止無機層（１９）上に設けられた封止有機層（２０ａ）と、封止有機層（２０ａ）上に設けられた第２封止無機層（２１ａ）と、第２封止無機層（２１ａ）上に設けられた第３封止無機層（２２ａ）とを備え、第２封止無機層（２１ａ）の周端面は、封止有機層（２０ａ）の周端面と一致している。また、額縁領域（ＧＡ）には、引き回し配線（Ｗ１、Ｗ２）が当該額縁領域（ＧＡ）を延伸し交差する封止有機層（２０ａ）の周端部（２０ａｅｐ）において、バンク（Ｂａ１）が、当該封止有機層（２０ａ）の下層に設けられている。

Description

表示装置及び表示装置の製造方法
　本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を封止無機層及び封止封止有機層の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
　例えば、特許文献１には、素子積層部をＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によって形成される第１のバリア膜で覆い、その第１のバリア膜を等方的な成膜手法によって形成される有機膜で覆い、その有機膜を異方性エッチングし、さらに、第１のバリア膜を第２のバリア膜で覆う、有機ＥＬ素子構造の製造方法が開示されている。
特開２０１５－１７６７１７号公報
　ところで、上記特許文献１に開示された有機ＥＬ素子構造の製造方法では、仮に、第１のバリア膜上に異物が存在すると、異方性エッチングによりその異物上の有機膜までなくなるおそれがあるので、封止性能が低下してしまう。
　上記の課題に鑑み、本発明は、異物が存在する場合でも、封止膜の封止性能を確保することができる表示装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、前記ベース基板上に設けられた複数のＴＦＴ及び複数のＴＦＴ配線を有するＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層上に設けられた複数の発光層と、前記複数の発光層を覆うように設けられた封止膜と、前記複数の発光層により規定された表示領域と、　前記表示領域を囲む額縁領域と、前記表示領域に設けられた前記ＴＦＴ配線に電気的に接続されるとともに、前記表示領域から前記額縁領域に引き回しされた引き回し配線と、を備えた表示装置であって、前記封止膜は、前記複数の発光層を覆うように設けられた第１封止無機層と、前記第１封止無機層上に設けられた封止有機層と、前記封止有機層上に設けられた第２封止無機層と、前記第２封止無機層上に設けられた第３封止無機層と、を備え、前記第２封止無機層の周端面は、前記封止有機層の周端面と一致しており、前記額縁領域には、前記引き回し配線が前記表示領域から当該額縁領域を延伸し交差する前記封止有機層の周端部において、バンクが、当該封止有機層の下層に設けられているものである。
　また、本発明の他の局面に係る表示装置の製造方法は、ベース基板と、前記ベース基板上に設けられた複数のＴＦＴ及び複数のＴＦＴ配線を有するＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層上に設けられた複数の発光層と、前記複数の発光層を覆うように設けられた封止膜と、前記複数の発光層により規定された表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域と、前記表示領域に設けられた前記ＴＦＴ配線に電気的に接続されるとともに、前記表示領域から前記額縁領域に引き回しされた引き回し配線と、を備えた表示装置の製造方法であって、前記複数の発光層を覆うように前記封止膜を形成する封止膜形成工程と、前記額縁領域にバンクを形成するバンク形成工程と、を具備し、前記封止膜形成工程は、前記複数の発光層を覆うように第１封止無機層を形成する第１封止無機層形成工程と、前記第１封止無機層を覆うように有機膜を成膜する有機膜成膜工程と、前記有機膜上に前記第１封止無機層に重なるように第２封止無機層を形成する第２封止無機層形成工程と、前記第２封止無機層から露出する前記有機膜をアッシングにより除去して封止有機層を形成する封止有機層形成工程と、前記封止有機層の周端面及び前記第２封止無機層を覆うように第３封止無機層を形成する第３封止無機層形成工程と、を備え、前記封止有機層形成工程では、前記第２封止無機層の周端面と前記封止有機層の周端面とを一致させるように、前記有機膜を除去し、前記バンク形成工程では、前記引き回し配線が前記表示領域から前記額縁領域を延伸し交差する前記封止有機層の周端部において、当該封止有機層の下層に前記バンクを形成するものである。
　第２封止無機層の周端面が封止有機層の周端面と一致しているので、異物が存在する場合でも、封止膜の封止性能を確保することができる。また、バンクが、引き回し配線が額縁領域を延伸し交差する封止有機層の周端部において、当該封止有機層の下層に設けられているので、封止有機層の残滓が引き回し配線の近傍に生じるのを防ぐことができ、当該残滓に起因して、水分が封止膜内に浸透するのを防止することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の概略内部構成を説明する図である。 図３は、図２のＡ１で例示したバンクが設けられた部分を拡大した図であって、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った内部構成を説明する図である。 図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の要部構成を説明する図である。 図５は、図４に示した有機ＥＬ層の具体的な構成を説明する図である。 図６は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図である。 図７は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図６に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。 図８は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図７に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。 図９は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図８に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。 図１０は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図９に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。 図１１は、図１に示したバンクの具体的な効果を説明する図であり、図１１（ａ）は、図３のＸＩＡ－ＸＩＡ線に沿ったバンクの表示領域側の内部断面構成を説明する図であり、図１１（ｂ）は、図３のＸＩＢ－ＸＩＢ線に沿ったバンクの表示領域と反対側の内部断面構成を説明する図である。 図１２は、比較例での具体的な問題点を説明する図であり、図１２（ａ）は、上記比較例での封止有機層の周端面の表示領域側の内部断面構成を説明する図であり、図１２（ｂ）は、上記比較例での封止有機層の周端面の表示領域とは反対側の内部断面構成を説明する図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図１４は、図１３に示した有機ＥＬ表示装置の概略内部構成を説明する図である。 図１５は、図１３に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図である。 図１６は、図１３に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図１５に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。 図１７は、図１３に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図１６に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。 図１８は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図１９は、図１８のＩＸＸ-ＩＸＸ線に沿った内部構成を説明する図である。 図２０は、図１９のＸＸ-ＸＸ線に沿った内部構成を説明する図である。 図２１は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例１の概略構成を示す平面図である。 図２２は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例２の内部構成を説明する図である。 図２３は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２４は、図２３のＸＸＩＶ-ＸＸＩＶ線に沿った内部構成を説明する図である。 図２５は、本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２６は、本発明の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域での引き回し配線の一例を説明する図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明では、本発明を有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例示して説明する。また、各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図１１は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第１の実施形態を示している。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置３０ａの概略内部構成を説明する図である。図３は、図２のＡ１で例示したバンクが設けられた部分を拡大した図であって、図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った内部構成を説明する図である。図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置３０ａの要部構成を説明する図である。図５は、図４に示した有機ＥＬ層１６の具体的な構成を説明する図である。
　有機ＥＬ表示装置３０ａは、図１～図４に示すように、ベース基板１０と、ベース基板１０上に設けられた有機ＥＬ素子１８と、有機ＥＬ素子１８（複数の有機ＥＬ層１６）を覆うように設けられた封止膜２３ａとを具備している。また、有機ＥＬ素子１８には、図４に示すように、複数のＴＦＴ１２を有するＴＦＴ層ＴＲと、ＴＦＴ層ＴＲ上に設けられた複数の有機ＥＬ層１６と、第２電極１７と、が含まれている。なお、有機ＥＬ層１６は、請求の範囲における発光層の一例である。
　また、有機ＥＬ表示装置３０ａでは、図１及び図２に示すように、画像表示を行う表示領域Ｄが有機ＥＬ素子１８に含まれた複数の有機ＥＬ層１６により規定されている。この表示領域Ｄは、図１に二点鎖線にて示すように、例えば矩形状に構成されており、当該表示領域Ｄには、複数の画素がマトリクス状に配列されている。そして、各画素では、例えば、赤色の階調表示を行うためのサブ画素、緑色の階調表示を行うためのサブ画素、及び青色の階調表示を行うためのサブ画素が互いに隣り合うように配列されている。
　つまり、表示領域Ｄでは、図１に示すように、複数のゲート配線Ｇ及び複数のソース配線Ｓがマトリクス状に設けられている。そして、表示領域Ｄでは、ゲート配線Ｇとソース配線Ｓとの交差部において、上記画素が形成されている。また、表示領域Ｄでは、画素毎にＴＦＴ１２（図４）が設けられており、このＴＦＴ１２には、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓが電気的に接続されている（図示せず）。尚、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓは、各々請求の範囲における複数のＴＦＴ配線の一例である。
　また、有機ＥＬ表示装置３０ａでは、表示領域Ｄの周囲に額縁領域ＧＡが設けられている。この額縁領域ＧＡには、ゲート配線Ｇに電気的に接続されるとともに、表示領域Ｄから額縁領域ＧＡに引き回しされた引き回し配線Ｗ１と、ソース配線Ｓに電気的に接続されるとともに、表示領域Ｄから額縁領域ＧＡに引き回しされた引き回し配線Ｗ２とが設けられている。また、額縁領域ＧＡの端部には、端子部Ｔが設けられており、引き回し配線Ｗ１及びＷ２と図略の外部回路とを電気的に接続するように構成されている。
　また、額縁領域ＧＡには、図１に破線にて示すように、表示領域Ｄを囲むように枠状に形成されたバンクＢａ１が設けられている。このバンクＢａ１は、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が額縁領域ＧＡを延伸し交差する矩形状の封止有機層２０ａ（図２）の周端部２０ａｅｐ（図１に一点鎖線にて図示）において、当該封止有機層２０ａの周端部２０ａｅｐの下側で当該周端部２０ａｅｐを覆うように形成されている（詳細は後述。）。すなわち、バンクＢａ１は、封止有機層２０ａの下層に設けられている。また、バンクＢａ１は、複数の有機ＥＬ層１６（図４）の下層で当該引き回し配線Ｗ１及びＷ２（図１）の上層に設けられている。尚、ここでいう、下層及び上層とは、有機ＥＬ表示装置３０ａでの形成工程での順序を示しており、必ずしも物理的な位置関係を規定しているものではない。例えば、バンクＢａ１が封止有機層２０ａの下層とは、バンクＢａ１が封止有機層２０ａよりも先にベース基板１０上に形成されたものであることを示している。また、バンクＢａ１が有機ＥＬ層１６の下層とは、バンクＢａ１が有機ＥＬ層１６よりも先にベース基板１０上に形成されたものであることを示している。また、バンクＢａ１が引き回し配線Ｗ１及びＷ２の上層とは、バンクＢａ１が引き回し配線Ｗ１及びＷ２よりも後にベース基板１０上に形成されたものであることを示している。
　また、額縁領域ＧＡでは、図１に示すように、引き回し配線Ｗ１は、矩形状の表示領域Ｄの端子部Ｔと対向する辺から延伸し、当該対向する辺から延伸する方向でバンクＢａ１と交差して、更に端子部Ｔ側に延伸して当該端子部Ｔに接続されている。また、引き回し配線Ｗ２の一部は、矩形状の表示領域Ｄの端子部Ｔと対向する辺とは異なる辺から延伸し、表示領域Ｄから当該異なる辺へ延伸する方向でバンクＢａ１と交差した後、更に端子部Ｔ側に延伸して当該端子部Ｔに接続されている。また、引き回し配線Ｗ２の一部は、バンクＢａ１と交差した後、延伸方向を変え、再度、バンクＢａ１と交差した後、更に端子部Ｔ側に延伸して当該端子部Ｔに接続されている。
　ベース基板１０は、例えば、ポリイミド樹脂製等の可撓性を有するプラスチック基板である。
　ＴＦＴ層ＴＲは、図４に示すように、ベース基板１０上に設けられた防湿膜１１と、ベース基板１０の上方に設けられた複数のＴＦＴ１２と、ＴＦＴ１２を覆うように設けられた平坦化膜１３とを備えている。また、ＴＦＴ層ＴＲは、平坦化膜１３上でＴＦＴ１２毎に設けられた複数の第１電極１４と、２つのＴＦＴ１２の間で各ＴＦＴ１２の端部を覆うように設けられたエッジカバー１５とを備えている。また、ＴＦＴ層ＴＲでは、平坦化膜１３は上記ゲート配線Ｇやソース配線Ｓ等のＴＦＴ配線の上層に形成されている。また、第１電極１４は、平坦化層１３の上層に形成され、エッジカバー１５は、第１電極１４の上層であって、有機ＥＬ層１６の下層に形成されている。
　防湿膜１１は、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜である。また、この防湿膜１１上には、図３に示すように、ＴＦＴ層ＴＲに含まれた少なくとも２層の無機層としてのゲート絶縁膜ＧＩ、第１の無機膜層ＩＬＤ１、及び第２の無機層膜ＩＬＤ２が順次積層されている。なお、第１の無機膜層ＩＬＤ１及び第２の無機膜層ＩＬＤ２は、ＴＦＴ層ＴＲ内において、層間絶縁膜として機能している。
　ＴＦＴ１２は、図４に示すように、サブ画素毎に設けられたスイッチング素子である。ここで、ＴＦＴ１２は、例えば、防湿膜１１上に島状に設けられた半導体層（図示せず）と、半導体層を覆うように設けられた上記ゲート絶縁膜ＧＩと、ゲート絶縁膜ＧＩ上に半導体層の一部と重なるように設けられたゲート電極（図示せず）と、ゲート電極を覆うように設けられた上記第１及び第２の無機膜層ＩＬＤ１及びＩＬＤ２と、第２の無機膜層ＩＬＤ２上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極（図示せず）とを備えている。尚、ゲート電極には、ゲート配線Ｇ（図１）が接続され、ソース電極には、ソース配線Ｓ（図１）が接続されている。また、ドレイン電極には、上記第１電極１４が接続されている。また、本実施形態では、トップゲート型のＴＦＴ１２を例示したが、ＴＦＴ１２は、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　平坦化膜１３は、図３及び図４に示すように、各ＴＦＴ１２のドレイン電極の一部以外を覆うように設けられている。ここで、平坦化膜１３は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、又はエポキシ樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　複数の第１電極１４は、図４に示すように、複数のサブ画素に対応するように、平坦化膜１３上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極１４は、図４に示すように、平坦化膜１３に形成されたコンタクトホールを介して、各ＴＦＴ１２のドレイン電極に接続されている。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極１４は、有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。
　エッジカバー１５は、図４に示すように、複数の各第１電極１４の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー１５は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、又はエポキシ樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　複数の有機ＥＬ層１６は、図４に示すように、複数の各第１電極１４上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、有機ＥＬ層１６は、図５に示すように、第１電極１４上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光部３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極１４と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔注入効率を改善する機能を有している。正孔輸送層２は、第１電極１４から有機ＥＬ層１６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。
　発光部３は、第１電極１４及び第２電極１７による電圧印加の際に、第１電極１４及び第２電極１７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。
　電子輸送層４は、電子を発光部３まで効率良く移動させる機能を有している。電子注入層５は、第２電極１７と有機ＥＬ層１６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極１７から有機ＥＬ層１６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子１８の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。
　第２電極１７は、図４に示すように、各有機ＥＬ層１６及びエッジカバー１５を覆って、複数のサブ画素に共通するように設けられている。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極１７は、有機ＥＬ層１６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。
　封止膜２３ａは、図２及び図３に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１封止無機層１９と、第１封止無機層１９上に順に積層するように設けられた封止有機層２０ａ及び第２封止無機層２１ａと、封止有機層２０ａの周端面２０ａｅ及び第２封止無機層２１ａの周端面２１ａｅを覆うように設けられた第３封止無機層２２ａとを備えている。
　第１封止無機層１９、第２封止無機層２１ａ及び第３封止無機層２２ａは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。ここで、第２封止無機層２１ａについては、例えば、バリア性の高い窒化シリコン膜により構成されていることが好ましい。なお、第１封止無機層１９の封止有機層２０ａ側の表面には、図２に示すように、パーティクルと呼ばれる異物Ｆが存在しているが、第１封止無機層１９の表面に異物Ｆが存在しない方が好ましいことは言うまでもない。また、本実施形態では、第１封止無機層１９と封止有機層２０ａとの界面に異物Ｆが存在する構成を例示したが、異物Ｆは、例えば、有機ＥＬ素子１８と第１封止無機層１９との界面に存在していてもよく、封止有機層２０ａによる封止効果は、封止有機層２０ａのベース基板１０ａ側に存在する種々の異物Ｆに対して有効である。
　第１封止無機層１９の周端面１９ｅの位置は、図２及び図３に示すように、封止有機層２０ａの周端面２０ａｅ及び第２封止無機層２１ａの周端面２１ａｅの位置よりも外側に配置されている。
　封止有機層２０ａは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。ここで、封止有機層２０ａの周端面２０ａｅの位置は、後述する製造方法により、図３に示すように、第２封止無機層２１ａの周端面２１ａｅの位置と一致している。
　バンクＢａ１は、例えば、上記平坦化膜１３を用いて、当該平坦化膜１３と同層により構成されており、上記ＴＦＴ配線の上層で、かつ、有機ＥＬ層１６の下層に形成されている。また、バンクＢａ１は、図３に示すように、封止有機層２０ａの周端部２０ａｅｐ（図１）、つまり第２封止無機層２１ａの周端面２１ａｅに一致した当該封止有機層２０ａの周端面２０ａｅを含んだ部分の下側で当該部分を下側から覆うように設けられている。これにより、本実施形態では、封止有機層２０ａの残滓が引き回し配線Ｗ１及びＷ２の近傍に生じるのを防ぐことができる（詳細は後述。）。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ａは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光部３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法について、具体的に説明する。本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａの製造方法は、有機ＥＬ素子１８を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、複数の有機ＥＬ層１６を覆うように封止膜２３ａを形成する封止膜形成工程と、額縁領域ＧＡにバンクＢａ１を形成するバンク形成工程とを備える。
　＜有機ＥＬ素子形成工程＞
　例えば、ポリイミド樹脂製のベース基板１０の表面に、周知の方法を用いて、有機ＥＬ素子１８（防湿膜１１、ＴＦＴ１２、平坦化膜１３、第１電極１４、及びエッジカバー１５を含むＴＦＴ層ＴＲと、有機ＥＬ層１６（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光部３、電子輸送層４、電子注入層５）と、第２電極１７と）を形成する。また、ＴＦＴ１２を形成する前に、上記ＴＦＴ層ＴＲに含まれた防湿膜１１、ゲート絶縁膜ＧＩ、第１の無機膜層ＩＬＤ１、及び第２の無機膜層ＩＬＤ２が、周知の方法を用いて、順次ベース基板１０の表面に形成される。また、ＴＦＴ１２を形成するときに、ゲート配線Ｇやソース配線Ｓ等のＴＦＴ配線を形成するとともに、引き回し配線Ｗ１及びＷ２も形成する。
　＜バンク形成工程＞
　バンクＢａ１は、上記有機ＥＬ素子形成工程において、平坦化膜１３を形成するときに、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が額縁領域ＧＡを延伸し交差する封止有機層２０ａの周端部２０ａｅｐにおいて、当該平坦化膜１３と同じ材料で引き回し配線Ｗ１及びＷ２を覆うように、かつ、表示領域Ｄを囲むように枠状に形成される。
　＜封止膜形成工程＞
　次に、図６～図１０を参照して、封止膜形成工程について具体的に説明する。図６は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図である。図７は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図６に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。図８は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図７に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。図９は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図８に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。図１０は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図９に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。
　まず、図６に示すように、上記有機ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子１８を覆うように、マスクＭａを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍ程度に成膜して、第１封止無機層１９を形成する（第１封止無機層形成工程）。
　続いて、図７に示すように、第１封止無機層１９が形成された基板の表面全体に、例えば、アクリレート等の有機膜２０を真空蒸着法により厚さ１００ｎｍ～３００ｎｍ程度に成膜する（有機膜成膜工程）。
　その後、図８に示すように、有機膜２０が成膜された基板に対して、マスクＭｂを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍ程度に成膜して、第１封止無機層１９と重なるように第２封止無機層２１ａを形成する（第２封止無機層形成工程）。ここで、マスクＭｂの開口面積は、マスクＭａの開口面積よりも小さくなっている（図６及び図８参照）。
　さらに、図９に示すように、第２封止無機層２１ａをマスクとして、第２封止無機層２１ａから露出する有機膜２０を（例えば、プラズマＰを利用する）アッシングにより除去して、封止有機層２０ａを形成する（封止有機層形成工程）。このように、第２封止無機層２１ａをマスクとして有機膜２０をアッシングするために、封止有機層２０ａの周端面２０ａｅの位置は、第２封止無機層２１ａの周端面２１ａｅの位置と一致する（揃う）ことになる。なお、本明細書において、周端面の（位置の）一致とは、おおよその一致を含み、互いの周端面のずれが１μｍ～２μｍ以内であることを言う。
　最後に、図１０に示すように、封止有機層２０ａが形成された基板に対して、マスクＭａを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ４００ｎｍ～５００ｎｍ程度に成膜して、封止有機層２０ａの周端面２０ａｅ及び第２封止無機層２１ａの周端面２１ａｅを覆うように第３封止無機層２２ａを形成する（第３封止無機層形成工程）。ここで、第３封止無機層２２ａの形成には、第１封止無機層１９を形成する際に用いたマスクＭａを用いるので、第３封止無機層２２ａの周端面２２ａｅは、第１封止無機層１９の周端面１９ｅに倣って（準じて）いる。なお、本明細書において、倣うとは、同じマスクを用いて成膜するために、後に成膜された薄膜の周端面が前に成膜された薄膜の周端面にある程度準じることを指し、マスクのアライメントの精度やＣＶＤ成膜材料の回り込みによって、互いの周端面が厳密に一致しないことを意味する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａを製造することができる。
　次に、図１１及び図１２も参照して、バンクＢａ１の具体的な効果及び比較例での具体的な問題点について説明する。図１１は、図１に示したバンクの具体的な効果を説明する図であり、図１１（ａ）は、図３のＸＩＡ－ＸＩＡ線に沿ったバンクの表示領域側の内部断面構成を説明する図であり、図１１（ｂ）は、図３のＸＩＢ－ＸＩＢ線に沿ったバンクの表示領域と反対側の内部断面構成を説明する図である。図１２は、比較例での具体的な問題点を説明する図であり、図１２（ａ）は、上記比較例での封止有機層の周端面の表示領域側の内部断面構成を説明する図であり、図１２（ｂ）は、上記比較例での封止有機層の周端面の表示領域とは反対側の内部断面構成を説明する図である。尚、以下の説明では、封止有機層２０ａの周端部２０ａｅｐにおいて、バンクＢａ１を形成していない有機ＥＬ表示装置を比較例として説明する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａでは、引き回し配線Ｗ１及びＷ２は、例えば、ゲート絶縁膜ＧＩと第１の無機膜層ＩＬＤ１との間に配線された状態で、バンクＢａ１に交差するようになっている。具体的には、図３及び図１１（ａ）に示すように、バンクＢａ１の表示領域Ｄ側では、例えば、引き回し配線Ｗ２は、当該バンクＢａ１の下方において、第１の無機膜層ＩＬＤ１に覆われた状態でゲート絶縁膜ＧＩ上に配線されている。この引き回し配線Ｗ２は、ゲート配線Ｇと同じ層に形成されたものであり、図３に示すように、ソース配線Ｓとコンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、図３に示すように、第２電極１７は、表示領域を囲むように設けられた平坦化膜のスリットを介してソース配線Ｓと同じ層に形成された配線Ｈ１に電気的に接続される。また、バンクＢａ１の表示領域Ｄ側は、封止有機層２０ａの周端部２０ａｅｐの表示領域Ｄ側であるので、当該バンクＢａ１の表示領域Ｄ側では、図１１（ａ）に示すように、バンクＢａ１の上方に、第１封止無機層１９、封止有機層２０ａ、第２封止無機層２１ａ、及び第３封止無機層２２ａが順次積層されている。また、本実施形態では、引き回し配線Ｗ１又はＷ２は、ゲート配線Ｇと同層に形成されるが、他の配線でもよく、例えば、バンクＢａ１より下層の配線であれば、第１の無機膜層ＩＬＤ１の上の配線、第２の無機膜層ＩＬＤ２の上の配線など、どの配線で形成してもよい。
　また、図１１（ｂ）に示すように、バンクＢａ１の表示領域Ｄと反対側では、例えば、引き回し配線Ｗ２は、図１１（ａ）に示した表示領域Ｄ側と同様に、当該バンクＢａ１の下方において、第１の無機膜層ＩＬＤ１に覆われた状態でゲート絶縁膜ＧＩ上に配線されている。また、バンクＢａ１の表示領域Ｄと反対側は、封止有機層２０ａの周端部２０ａｅｐの端子部Ｔ側であるので、当該バンクＢａ１の表示領域Ｄと反対側では、バンクＢａ１の上方に、第１封止無機層１９及び第３封止無機層２２ａが順次積層されている。すなわち、このバンクＢａ１の表示領域Ｄと反対側では、樹脂層で形成されたバンクＢａ１が平坦化の役割を果たし、引き回し配線Ｗ２の形状の凸凹が平坦化されるため、第１封止無機層１９と第３封止無機層２１ａの間に、封止有機層２０ａの残渣が残らない。すなわち、本実施形態では、封止有機層２０ａがアッシングによってバンクＢａ１上で段切れされ、水分の浸透経路が生じるのを防ぐことができる。
　これに対して、比較例では、引き回し配線が表示領域から額縁領域を延伸する封止有機層の周端部において、バンクが封止有機層の下層に設けられていない。図１２（ａ）に示すように、比較例での封止有機層２０ａの周端面２０ａｅの表示領域側では、引き回し配線Ｗ２はゲート絶縁膜ＧＩの表面上に配線されている。一般に、無機層はその下層の形状に沿うように成膜され、下層が凸凹であればそれに沿うように凸凹に成膜される（図１１は略図であり、無機層に形成される凸凹形状は省略している）。このため、第１の無機膜層ＩＬＤ１、第２の無機膜層ＩＬＤ２、第１封止無機層１９は、引き回し配線Ｗ２の凸凹に沿い、凹凸形状に形成される。そして、封止有機層２０ａが第１封止無機層１９上に積層され、第２封止無機層２１ａ及び第３封止無機層２２ａが順次封止有機層２０ａ上に積層されている。
　また、図１２（ｂ）に示すように、比較例での封止有機層２０ａの周端面２０ａｅの表示領域と反対側では、ゲート絶縁膜ＧＩの上に引き回し配線Ｗ２が形成され、引き回し配線Ｗ２の凸凹に沿い、第１の無機膜層ＩＬＤ１、第２の無機膜層ＩＬＤ２、第１封止無機膜１９が形成される。このように、第１封止無機層１９に凸凹形状が形成されたまま、封止有機層２０ａが成膜されると、その封止有機層２０ａのアッシング時に、封止有機層２０ａの残滓２０ａｒが凸凹形状の端部の第１封止無機層１９と第３封止無機層２２ａとの間に発生しやすい。この結果、除去されなかった有機膜２０の部分が、上記封止有機層２０ａの残滓２０ａｒとして引き回し配線Ｗ２の近傍で第１封止無機層１９と第３封止無機層２２ａとの間に生じる。このような残滓２０ａｒが生じると、当該残滓２０ａｒが水分の浸透経路となって水分が封止有機層２０ａ内に浸透し、有機ＥＬ表示装置３０ａの信頼性の低下を招くことがある。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａ及びその製造方法によれば、以下の（１）、（２）、及び（３）の効果を得ることができる。
　（１）封止有機層形成工程において、第２封止無機層２１ａから露出する有機膜２０を除去して、封止有機層２０ａを形成することにより、第２封止無機層２１ａの周端面２１ａｅが封止有機層２０ａの周端面２０ａｅと一致している。このため、第１封止無機層１９の表面に異物Ｆが存在しても、異物Ｆを覆うように封止有機層２０ａの周端部２０ａｅｐを精度よく形成することができ、封止膜２３ａの封止性能を確保することができる。また、第３封止無機層２２ａが第２封止無機層２１ａの周端面２１ａｅを覆うように設けられているので、封止膜２３ａの封止性能をより確実に確保することができる。さらに、蒸着法により封止有機層２０ａの膜厚を薄くすることができるので、屈曲させた際の第１封止無機層１９、第２封止無機層２１ａ及び第３封止無機層２２ａのひずみが小さくなり、封止膜２３ａの屈曲性を向上させることができる。
　（２）封止有機層形成工程では、第２封止無機層２１ａをマスクとして、第２封止無機層２１ａから露出する有機膜２０を除去するので、別途マスクを準備することなく、第２封止無機層２１ａの周端面２１ａｅの位置と封止有機層２０ａの周端面２０ａｅの位置とを一致させることができる。
　（３）バンクＢａ１が、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が額縁領域ＧＡを延伸し交差する封止有機層２０ａの周端部２０ａｅｐにおいて、当該封止有機層２０ａの下層に設けられている。このため、図１１（ｂ）に示したように、封止有機層２０ａの残滓２０ａｒ（図１２（ｂ））が引き回し配線Ｗ１又はＷ２の近傍に生じるのを防ぐことができ、当該残滓２０ａｒに起因して、水分が封止膜２３ａ内に浸透するのを防止することができる。この結果、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置３０ａの信頼性が低下するのを防ぐことができる。
　《第２の実施形態》
　図１３～図１４は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図１３は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３０ｂの概略構成を示す平面図である。図１４は、図１３に示した有機ＥＬ表示装置３０ｂの概略内部構成を説明する図である。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、矩形状のバンクＢａ１に代えて、Ｃ字状のバンクＢａ２を設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂでは、図１３に破線にて示すように、Ｃ字状の島形状に形成されたバンクＢａ２が、封止有機層２０ｂの周端部２０ｂｅｐにおいて、表示領域Ｄの外側に設けられている。すなわち、本実施形態では、バンクＢａ２は矩形状の表示領域Ｄの四辺のうち、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が引き回しされた三辺にそれぞれ対向する三辺を有するように形成されている。
　また、図１４に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂでは、第１の実施形態のものと同様に、第３封止無機層２２ｂの周端面の位置が第１封止無機層１９の周端面の位置よりも外側の位置に形成されている。つまり、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂでは、封止膜２３ｂは、図１４に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１封止無機層１９と、第１封止無機層１９上に順に積層するように設けられた封止有機層２０ｂ及び第２封止無機層２１ｂと、封止有機層２０ｂの周端面及び第２封止無機層２１ｂを覆うように設けられた第３封止無機層２２ｂとを備えている。
　第１封止無機層１９、第２封止無機層２１ｂ及び第３封止無機層２２ｂは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。ここで、第２封止無機層２１ｂについては、例えば、バリア性の高い窒化シリコン膜により構成されていることが好ましい。なお、第１封止無機層１９の封止有機層２０ｂ側の表面には、図１４に示すように、パーティクルと呼ばれる異物Ｆが存在しているが、第１封止無機層１９の表面に異物Ｆが存在しない方が好ましいことは言うまでもない。
　第１封止無機層１９の周端面の位置は、後述する製造方法により、図１４に例示するように、封止有機層２０ｂの周端面及び第２封止無機層２１ｂの周端面の位置に倣って（準じて）いる。
　封止有機層２０ｂは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。ここで、封止有機層２０ｂの周端面の位置は、図１４に例示するように、第２封止無機層２１ｂの周端面の位置と一致している。
　バンクＢａ２は、例えば、上記エッジカバー１５により構成されており、上記ＴＦＴ配線及び引き回し配線Ｗ１及びＷ２の上層で、かつ、有機ＥＬ層１６の下層に形成されている。また、バンクＢａ２は、第１の実施形態でのバンクＢａ１と同様に、封止有機層２０ｂの周端部２０ｂｅｐ（図１３）、つまり第２封止無機層２１ｂの周端面に一致した当該封止有機層２０ｂの周端面を含んだ部分の下側で当該部分を下側から覆うように設けられている。これにより、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、封止有機層２０ｂの残滓が引き回し配線Ｗ１又はＷ２の近傍に生じるのを防ぐことができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂでは、第１の実施形態と同様に、引き回し配線Ｗ１及びＷ２は、例えば、ゲート絶縁膜ＧＩと第１の無機膜層ＩＬＤ１との間に配線された状態で、バンクＢａ２に交差するようになっている。具体的には、例えば、引き回し配線Ｗ２は、第１の実施形態のものと同様に、バンクＢａ２の下方において、第１の無機膜層ＩＬＤ１に覆われた状態でゲート絶縁膜ＧＩ上に配線されている。この引き回し配線Ｗ２は、ゲート配線Ｇと同じ層に形成されたものであり、ソース配線Ｓとコンタクトホールを介して電気的に接続されている（例えば、図３参照）。また、第２電極１７は、表示領域を囲むように設けられた平坦化膜のスリットを介してソース配線Ｓと同じ層に形成された配線Ｈ１に電気的に接続される（例えば、図３参照）。また、本実施形態では、引き回し配線Ｗ１又はＷ２は、ゲート配線Ｇと同層に形成されるが、他の配線でもよく、例えば、バンクＢａ２より下層の配線であれば、第１の無機膜層ＩＬＤ１の上の配線、第２の無機膜層ＩＬＤ２の上の配線など、どの配線で形成してもよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｂは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光部３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂの製造方法について、図１５～図１７を用いて説明する。ここで、図１５は、図１３に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図である。図１６は、図１３に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図１５に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。図１７は、図１３に示した有機ＥＬ表示装置の主な製造工程を説明する図であり、図１６に示した製造工程後に行われる製造工程を説明する図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ素子形成工程、第１封止無機層形成工程及び有機膜成膜工程については、上記第１の実施形態で説明した工程と同じであるので、第２封止無機層形成工程以降について説明する。
　＜バンク形成工程＞
　バンクＢａ２は、上記有機ＥＬ素子形成工程において、エッジカバー１５を形成するときに、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が額縁領域ＧＡを延伸し交差する封止有機層２０ｂの周端部２０ｂｅｐにおいて、当該エッジカバー１５と同じ材料で引き回し配線Ｗ１及びＷ２を覆うように、かつ、表示領域Ｄの外側で上記Ｃ字状に形成される。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、図１５に示すように、上記第１の実施形態の有機膜成膜工程で有機膜２０が成膜された基板に対して、第１封止無機層１９を形成する際に用いたマスクＭａを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ２００ｎｍ程度に成膜して、第１封止無機層１９と重なるように第２封止無機層２１ｂを形成する（第２封止無機層形成工程）。このように、第２封止無機層２１ｂの形成には、第１封止無機層１９を形成する際に用いたマスクＭａを用いるので、第２封止無機層２１ｂの周端面は、第１封止無機層１９の周端面に倣う（準じる）ことになる。
　続いて、図１６に示すように、第２封止無機層２１ｂをマスクとして、第２封止無機層２１ｂから露出する有機膜２０を（例えば、プラズマＰを利用する）アッシングにより除去して、封止有機層２０ｂを形成する（封止有機層形成工程）。このように、第２封止無機層２１ｂをマスクとして有機膜２０をアッシングするために、封止有機層２０ｂの周端面の位置は、第２封止無機層２１ｂの周端面の位置と一致する（揃う）ことになる。
　最後に、図１７に示すように、封止有機層２０ｂが形成された基板に対して、マスクＭｃを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ４００ｎｍ～５００ｎｍ程度に成膜して、封止有機層２０ｂの周端面及び第２封止無機層２１ｂを覆うように第３封止無機層２２ｂを形成する（第２封止無機層形成工程）。ここで、マスクＭｃの開口面積は、マスクＭａの開口面積よりも大きくなっている（図１５及び図１７参照）。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｂ及びその製造方法によれば、上述した（１）、（２）、及び（３）の効果、並びに以下の（４）の効果を得ることができる。
　（１）について詳述すると、封止有機層形成工程において、第２封止無機層２１ｂから露出する有機膜２０を除去して、封止有機層２０ｂを形成することにより、第２封止無機層２１ｂの周端面が封止有機層２０ｂの周端面と一致している。このため、第１封止無機層１９の表面に異物Ｆが存在しても、異物Ｆを覆うように封止有機層２０ｂの周端部２０ｂｅｐを精度よく形成することができ、封止膜２３ｂの封止性能を確保することができる。また、第３封止無機層２２ｂが第１封止無機層１９の周端面及び第２封止無機層２１ｂの周端面を覆うように設けられているので、封止膜２３ｂの封止性能をより確実に確保することができる。さらに、蒸着法により封止有機層２０ｂの膜厚を薄くすることができるので、屈曲させた際の第１封止無機層１９、第２封止無機層２１ｂ及び第３封止無機層２２ｂのひずみが小さくなり、封止膜２３ｂの屈曲性を向上させることができる。
　（２）について詳述すると、封止有機層形成工程では、第２封止無機層２１ｂをマスクとして、第２封止無機層２１ｂから露出する有機膜２０を除去するので、別途マスクを準備することなく、第２封止無機層２１ｂの周端面の位置と封止有機層２０ｂの周端面の位置とを一致させることができる。
　（３）について詳述すると、バンクＢａ２が、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が額縁領域ＧＡを延伸し交差する封止有機層２０ｂの周端部２０ｂｅｐにおいて、当該封止有機層２０ｂの下層に設けられている。このため、第１の実施形態のものと同様に、封止有機層２０ｂの残滓が引き回し配線Ｗ１又はＷ２の近傍に生じるのを防ぐことができ、当該残滓に起因して、水分が封止膜２３ｂ内に浸透するのを防止することができる。この結果、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置３０ｂの信頼性が低下するのを防ぐことができる。
　（４）第３封止無機層形成工程において、第１封止無機層１９の周端面１９ｂｅを覆うように第３封止無機層２２ｂを形成するので、封止膜２３ｂによる封止性能を向上させることができ、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ａよりも、有機ＥＬ素子１８の劣化を抑制することができる。
　《第３の実施形態》
　図１８～図２０は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図１８は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３０ｃの概略構成を示す平面図である。図１９は、図１８のＩＸＸ-ＩＸＸ線に沿った内部構成を説明する図である。図２０は、図１９のＸＸ-ＸＸ線に沿った内部構成を説明する図である。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、矩形状のバンクＢａ１に代えて、Ｌ字状のバンクＢａ３を設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃでは、図１８に破線にて示すように、Ｌ字状の島形状に形成されたバンクＢａ３が、封止有機層２０ｃの周端部２０ｃｅｐにおいて、表示領域Ｄの外側に設けられている。すなわち、本実施形態では、バンクＢａ３は矩形状の表示領域Ｄの四辺のうち、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が引き回しされた二辺にそれぞれ対向する二辺を有するように形成されている。また、本実施形態は、表示領域Ｄの一辺側（例えば、図１８の右辺側）のみからデータ信号をソース配線Ｓに入力する片側入力駆動の有機ＥＬ表示装置３０ｃであって、バンクＢａ３は、上記一辺側に形成されている。
　また、図１９に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃでは、第３封止無機層２２ｃの周端面２２ｃｅは、第１封止無機層１９の周端面１９ｅに倣って（準じて）いる。つまり、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃでは、封止膜２３ｃは、図１９に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１封止無機層１９と、第１封止無機層１９上に順に積層するように設けられた封止有機層２０ｃ及び第２封止無機層２１ｃと、封止有機層２０ｃの周端面２０ｃｅ及び第２封止無機層２１ｃの周端面２１ｃｅを覆うように設けられた第３封止無機層２２ｃとを備えている。
　第１封止無機層１９、第２封止無機層２１ｃ及び第３封止無機層２２ｃは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。
　封止有機層２０ｃは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。ここで、封止有機層２０ｃの周端面２０ｃｅの位置は、図１９に例示するように、第２封止無機層２１ｃの周端面２１ｃｅの位置と一致している。
　バンクＢａ３は、例えば、上記平坦化膜１３と、当該平坦化膜１３上に積層された上記エッジカバー１５により構成されており、上記ＴＦＴ配線及び引き回し配線Ｗ１及びＷ２の上層で、かつ、有機ＥＬ層１６の下層に形成されている。具体的には、図１９に示すように、このバンクＢａ３は、平坦化膜１３を用いて構成された第１バンクＢａ３ａと、エッジカバー１５を用いて構成された第２バンクＢａ３ｂとを備えている。また、バンクＢａ３は、図１９に示すように、封止有機層２０ｃの周端部２０ｃｅｐ（図１８）、つまり第２封止無機層２１ｃの周端面２１ｃｅに一致した当該封止有機層２０ｃの周端面２０ｃｅを含んだ部分の下側で当該部分を下側から覆うように設けられている。これにより、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、封止有機層２０ｃの残滓が引き回し配線Ｗ１又はＷ２の近傍に生じるのを防ぐことができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃでは、引き回し配線Ｗ１及びＷ２は、例えば、ゲート絶縁膜ＧＩと第１の無機膜層ＩＬＤ１との間に配線された状態で、バンクＢａ３に交差するようになっている。具体的には、図１９及び図２０に示すように、例えば、引き回し配線Ｗ２は、バンクＢａ３の下方において、第１の無機膜層ＩＬＤ１に覆われた状態でゲート絶縁膜ＧＩ上に配線されている。この引き回し配線Ｗ２は、ゲート配線Ｇと同じ層に形成されたものであり、図１９に示すように、ソース配線Ｓとコンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、図１９に示すように、表示領域を囲むように設けられた平坦化膜のスリットを介してソース配線Ｓと同じ層に形成された配線Ｈ１に電気的に接続される。また、本実施形態では、引き回し配線Ｗ１又はＷ２は、ゲート配線Ｇと同層に形成されるが、他の配線でもよく、例えば、バンクＢａ３より下層の配線であれば、第１の無機膜層ＩＬＤ１の上の配線、第２の無機膜層ＩＬＤ２の上の配線など、どの配線で形成してもよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｃは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光部３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｃの製造方法について、具体的に説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ素子形成工程及び封止膜形成工程については、上記第１の実施形態で説明した工程と同じであるので、バンク形成工程について説明する。
　＜バンク形成工程＞
　バンクＢａ３では、まず第１バンクＢａ３ａが、上記有機ＥＬ素子形成工程において、平坦化膜１３を形成するときに、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が額縁領域ＧＡを延伸し交差する封止有機層２０ｃの周端部２０ｃｅｐにおいて、当該平坦化膜１３と同じ材料で引き回し配線Ｗ１及びＷ２を覆うように、かつ、表示領域Ｄの外側で上記Ｌ字状に形成される。続いて、第２バンクＢａ３ｂが、有機ＥＬ素子形成工程において、エッジカバー１５を形成するときに、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が額縁領域ＧＡを延伸し交差する封止有機層２０ｃの周端部２０ｃｅｐにおいて、当該エッジカバー１５と同じ材料で引き回し配線Ｗ１及びＷ２を覆うように、かつ、第１バンクＢａ３ａ上に上記Ｌ字状に積層されて形成される。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、バンクＢａ３は矩形状の表示領域Ｄの四辺のうち、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が引き回しされた二辺にそれぞれ対向する二辺を有するＬ字状の島状に形成されているので、上記第１及び第２の実施形態に比べて、バンクの形成工程を簡略化することができる。
　《第３の実施形態の変形例１》
　図２１は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例１の概略構成を示す平面図である。
　図において、本実施形態と上記第３の実施形態との主な相違点は、Ｌ字状のバンクＢａ３に代えて、島形状に形成された３つの島状のバンクＢａ４Ｌ、Ｂａ４Ｒ、及びＢＡ４Ｔを設けた点である。なお、上記第３の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｄでは、図２１に破線にて示すように、島形状に形成されたＢａ４Ｌが、図略の封止有機層２０ｄの周端部２０ｄｅｐにおいて、表示領域Ｄの外側で当該表示領域Ｄの図の左辺と対向するように設けられている。また、島形状に形成されたＢａ４Ｒが、上記封止有機層２０ｄの周端部２０ｄｅｐにおいて、表示領域Ｄの外側で当該表示領域Ｄの図の右辺と対向するように設けられている。また、島形状に形成されたＢａ４Ｔが、上記封止有機層２０ｄの周端部２０ｄｅｐにおいて、表示領域Ｄの外側で当該表示領域Ｄの図の上辺と対向するように設けられている。すなわち、本実施形態では、バンクＢａ４Ｌ、Ｂａ４Ｒ、及びＢａ４Ｔは額縁領域ＧＡでの周端部２０ｄｅｐにおいて、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が引き回しされた部分に形成されている。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第３の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　《第３の実施形態の変形例２》
　図２２は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例２の内部構成を説明する図である。
　図において、本実施形態と上記第３の実施形態との主な相違点は、上記配線Ｈ１上に順次積層された平坦化膜１３及びエッジカバー１５が封止有機層２０ｃの周端部２０ｃｅを越えて延長されて、それぞれ第１バンクＢａ３ａ及び第２バンクＢａ３ｂを形成している点である。なお、上記第３の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　すなわち、本実施形態では、平坦化膜１３を形成するときに、当該平坦化膜１３に連続して第１バンクＢａ３ａを形成する。また、エッジカバー１５を形成するときに当該エッジカバー１５に連続して第２バンクＢａ３ｂを形成する。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第３の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　《第４の実施形態》
　図２３は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。図２４は、図２３のＸＸＩＶ-ＸＸＩＶ線に沿った内部構成を説明する図である。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、矩形状のバンクＢａ１に代えて、島形状に形成された島状のバンクＢａ５を表示領域Ｄと端子部Ｔとの間に設けた点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅでは、図２３に破線にて示すように、島状のバンクＢａ５が、封止有機層２０ｅ（図２４）の周端部２０ｅｅｐにおいて、表示領域Ｄと端子部Ｔとの間に設けられている。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅでは、図２４に示すように、引き回し配線Ｗ２は、上記の各実施形態と異なり、表示領域Ｄから当該表示領域Ｄの端子部Ｔと対向する辺とは異なる辺へと延伸した後、当該異なる辺に対向する上記封止有機層２０ｅ（図２４）の周端面２０ｅｅ（図２４）に達する前に、延伸方向を変え、端子部Ｔ側に延伸して、バンクＢａ５と交差するように配線されている。
　また、図２４に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅでは、第３封止無機層２２ｅの周端面２２ｅｅは、第１封止無機層１９の周端面１９ｅに倣って（準じて）いる。つまり、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅでは、封止膜２３ｅは、図２５に示すように、有機ＥＬ素子１８を覆うように設けられた第１封止無機層１９と、第１封止無機層１９上に順に積層するように設けられた封止有機層２０ｅ及び第２封止無機層２１ｅと、封止有機層２０ｅの周端面２０ｅｅ及び第２封止無機層２１ｅの周端面２１ｅｅを覆うように設けられた第３封止無機層２２ｅとを備えている。
　第１封止無機層１９、第２封止無機層２１ｅ及び第３封止無機層２２ｅは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。
　封止有機層２０ｅは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。ここで、封止有機層２０ｅの周端面２０ｅｅの位置は、図２４に例示するように、第２封止無機層２１ｅの周端面２１ｅｅの位置と一致している。
　また、図２４に例示するように、引き回し配線Ｗ２は、上記ゲート配線Ｇと同層に設けられた配線Ｈ２を介してソース配線Ｓに接続されている。これにより、引き回し配線Ｈ２は、上記配線Ｈ１との導通が防がれている。
　上述した有機ＥＬ表示装置３０ｅは、可撓性を有し、各サブ画素において、ＴＦＴ１２を介して有機ＥＬ層１６の発光部３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｅの製造方法について、具体的に説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ素子形成工程及び封止膜形成工程については、上記第１の実施形態で説明した工程と同じであるので、バンク形成工程について説明する。
　＜バンク形成工程＞
　バンクＢａ５は、上記有機ＥＬ素子形成工程において、平坦化膜１３を形成するときに、引き回し配線Ｗ１及びＷ２が額縁領域ＧＡを延伸し交差する封止有機層２０ｅの周端部２０ｅｅｐにおいて、当該平坦化膜１３と同じ材料で引き回し配線Ｗ１及びＷ２を覆うように、かつ、表示領域Ｄの外側で上記島状に形成される。
　以上の構成により、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。また、本実施形態では、バンクＢａ５は表示領域Ｄと端子部Ｔとの間で島状に設けられているので、上記の各実施形態に比べて、バンクの形成工程を簡略化することができる。
　《第５の実施形態》
　図２５は、本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
　図において、本実施形態と上記第１の実施形態との主な相違点は、矩形状の表示領域Ｄに代えて、半円状の表示領域Ｄを設けるとともに、有機ＥＬ表示装置３０ｆの全体的な形状を略半円状とした点である。なお、上記第１の実施形態と共通する要素については、同じ符号を付して、その重複した説明を省略する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｆでは、図２５に二点鎖線にて示すように、半円状の表示領域Ｄが設けられている。また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置３０ｆでは、図２５に破線にて示すように、島状のバンクＢａ６が、図略の封止有機層の周端部において、表示領域Ｄと端子部Ｔとの間に設けられている。尚、この説明以外に、例えば、図１に示したように、表示領域Ｄを囲むようにバンクを設けてもよい。
　以上の構成により、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄ以外の異形の表示領域、例えば半円状の表示領域Ｄにおいても、上記第１の実施形態と同様な作用・効果を奏することができる。
　《その他の実施形態》
　図２６は、本発明の変形例に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域での引き回し配線の一例を説明する図である。
　図２６に例示するように、上記額縁領域ＧＡにおいて、ソース配線Ｓと同じ層に形成された引き回し配線Ｗ２を用いることもできる。このような引き回し配線Ｗ２を用いる場合には、図２６に示すように、例えば、平坦化膜１３により、当該引き回し配線Ｗ２を覆う構成としてもよい。
　また、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光部、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光部、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態を適宜組み合わせた構成でもよい。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ　　　表示領域
ＧＡ　　額縁領域
ＴＲ　　ＴＦＴ層
Ｔ　　　端子部
１０　　ベース基板
１２　　ＴＦＴ（スイッチング素子）
１４　　第１電極
１６　　有機ＥＬ層（発光層）
１７　　第２電極
１８　　有機ＥＬ素子
１９　　第１封止無機層
２０　　有機膜
２０ａ～２０ｅ　　封止有機層
２１ａ～２１ｅ　　第２封止無機層
２２ａ～２２ｅ　　第３封止無機層
２３ａ～２３ｅ　　封止膜
３０ａ～３０ｆ　　有機ＥＬ表示装置
Ｂａ１～Ｂａ３、Ｂａ４Ｌ、Ｂａ４Ｒ、Ｂａ４Ｔ、Ｂａ５～Ｂａ６　　バンク
Ｗ１～Ｗ２　　引き回し配線
Ｇ　　ゲート配線（ＴＦＴ配線）
Ｓ　　ソース配線（ＴＦＴ配線）

Claims (18)

  1. 　ベース基板と、
    　前記ベース基板上に設けられた複数のＴＦＴ及び複数のＴＦＴ配線を有するＴＦＴ層と、
    　前記ＴＦＴ層上に設けられた複数の発光層と、
    　前記複数の発光層を覆うように設けられた封止膜と、
    　前記複数の発光層により規定された表示領域と、
    　前記表示領域を囲む額縁領域と、
    　前記表示領域に設けられた前記ＴＦＴ配線に電気的に接続されるとともに、前記表示領域から前記額縁領域に引き回しされた引き回し配線と、を備えた表示装置であって、
    　前記封止膜は、
    　前記複数の発光層を覆うように設けられた第１封止無機層と、
    　前記第１封止無機層上に設けられた封止有機層と、
    　前記封止有機層上に設けられた第２封止無機層と、
    　前記第２封止無機層上に設けられた第３封止無機層と、を備え、
    　前記第２封止無機層の周端面は、前記封止有機層の周端面と一致しており、
    　前記額縁領域には、前記引き回し配線が前記表示領域から当該額縁領域を延伸し交差する前記封止有機層の周端部において、バンクが、当該封止有機層の下層に設けられている、表示装置。
  2. 　前記バンクは、前記複数の発光層の下層で前記引き回し配線の上層に設けられている請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記バンクは、前記表示領域を囲むように枠状に形成されている請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記バンクは、島形状を有する島状に形成されている請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
  5. 　前記表示装置は、前記額縁領域の端部に設けられた端子部を、更に備え、
    　前記バンクは、前記額縁領域において、前記表示領域と前記端子部との間に設けられている請求項１又は請求項２に記載の表示装置。
  6. 　前記表示装置は、前記表示領域の一辺側のみからデータ信号を入力する片側入力駆動の表示装置であって、
    　前記バンクは、前記一辺側に形成されている請求項５に記載の表示装置。
  7. 　前記表示領域は、矩形状に形成され、
    　前記表示領域の前記端子部と対向する辺とは異なる辺から延伸する前記引き回し配線は、前記表示領域から当該異なる辺へ延伸する方向で前記バンクと交差した後、延伸方向を変え、前記端子部側に延伸する請求項５又は請求項６に記載の表示装置。
  8. 　前記引き回し配線は、前記バンクと交差した後、延伸方向を変え、再度、前記バンクと交差する請求項７に記載の表示装置。
  9. 　前記表示領域は、矩形状に形成され、
    　前記表示領域の前記端子部と対向する辺とは異なる辺から延伸する前記引き回し配線は、前記表示領域から当該異なる辺へと延伸した後、当該異なる辺に対向する前記封止有機層の周端面に達する前に、延伸方向を変え、前記端子部側に延伸して、前記バンクと交差する請求項５又は請求項６に記載の表示装置。
  10. 　前記ＴＦＴ層は、前記ＴＦＴ配線の上層に形成された平坦化膜を備え、
    　前記バンクは、前記平坦化膜と同層に形成されている請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
  11. 　前記ＴＦＴ層には、前記ＴＦＴ配線の上層に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜の上層に形成された第１電極と、前記第１電極の上層であって、前記発光層の下層に形成されたエッジカバーと、を備え、
    　前記バンクは、前記エッジカバーを用いて構成されている請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
  12. 　前記バンクは、前記平坦化膜と、当該平坦化膜上に積層された前記エッジカバーとにより構成されている請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　前記平坦化膜は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、又はエポキシ樹脂からなる請求項１０～請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
  14. 　前記エッジカバーは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、又はエポキシ樹脂からなる請求項１１又は請求項１２に記載の表示装置。
  15. 　前記バンクの下層に設けられた少なくとも２層の無機層を、更に備え、
    　前記引き回し配線は、前記２層の無機層の間に配線された状態で、前記バンクと交差する請求項１～請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置。
  16. 　前記第３封止無機層は、前記第１封止無機層の周端面又は前記第２封止無機層の周端面を覆うように設けられている請求項１～請求項１５のいずれか１項に記載の表示装置。
  17. 　前記発光層は、有機ＥＬ層である請求項１～請求項１６のいずれか１項に記載の表示装置。
  18. 　ベース基板と、前記ベース基板上に設けられた複数のＴＦＴ及び複数のＴＦＴ配線を有するＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層上に設けられた複数の発光層と、前記複数の発光層を覆うように設けられた封止膜と、前記複数の発光層により規定された表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域と、前記表示領域に設けられた前記ＴＦＴ配線に電気的に接続されるとともに、前記表示領域から前記額縁領域に引き回しされた引き回し配線と、を備えた表示装置の製造方法であって、
    　前記複数の発光層を覆うように前記封止膜を形成する封止膜形成工程と、
    　前記額縁領域にバンクを形成するバンク形成工程と、を具備し、
    　前記封止膜形成工程は、
    　前記複数の発光層を覆うように第１封止無機層を形成する第１封止無機層形成工程と、
    　前記第１封止無機層を覆うように有機膜を成膜する有機膜成膜工程と、
    　前記有機膜上に前記第１封止無機層に重なるように第２封止無機層を形成する第２封止無機層形成工程と、
    　前記第２封止無機層から露出する前記有機膜をアッシングにより除去して封止有機層を形成する封止有機層形成工程と、
    　前記封止有機層の周端面及び前記第２封止無機層を覆うように第３封止無機層を形成する第３封止無機層形成工程と、を備え、
    　前記封止有機層形成工程では、前記第２封止無機層の周端面と前記封止有機層の周端面とを一致させるように、前記有機膜を除去し、
    　前記バンク形成工程では、前記引き回し配線が前記表示領域から前記額縁領域を延伸し交差する前記封止有機層の周端部において、当該封止有機層の下層に前記バンクを形成する、表示装置の製造方法。
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