JP2017147191A - 表示装置、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】曲げに対する耐性を確保しつつ、装置内部への水分の侵入を抑制する表示装置を提供する。
【解決手段】画像を構成する複数の単位画素Ｐそれぞれで輝度が制御されて発光する発光素子層１２と、発光素子層１２上に設けられ、複数の層を含む封止層１３と、を有し、封止層１３の複数の層は、少なくとも、発光素子層１２上に設けられる無機層１３ａと、無機層１３ａ上に設けられる有機層１３ｂと、最上層である無機層１３ｃを有し、無機層１３ｃは、厚さ方向における密度が異なる。
【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。

従来、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する発光素子層と、発光素子層を覆う封止層とを有する表示装置が知られている。封止層は、外部から装置内部に水分が侵入し、その水分が発光素子層に到達することを抑制するために設けられる。封止層としては、例えば、特許文献１に開示されるように、無機層と、その無機層上に設けられる有機層（樹脂層）と、その有機層上に設けられる無機層との３層構造のものが知られている。

特開２００４−７９２９１号公報

近年、表示装置のフレキシブル化の要請があり、表示装置の曲げに対する耐性の確保が問題となる。特許文献１に開示されるように、窒化ケイ素等からなる無機層を含む封止層を用いる場合、表示装置を曲げた場合、無機層が割れてしまう可能性がある。そこで、曲げに対する耐性を確保するために、無機層の厚さを薄くすることが考えられる。しかしながら、封止層に含まれる無機層の厚さを薄くすると、装置内部への水分の侵入を抑制するという封止層の本来の役割を果たせなくなってしまうおそれがある。

本発明の目的は、曲げに対する耐性を確保しつつ、装置内部への水分の侵入を抑制する表示装置、及びその製造方法を提供することにある。

本発明の一態様の表示装置は、発光素子層と、前記発光素子層上に設けられ、複数の層を含む封止層と、を有し、前記複数の層は、少なくとも、前記発光素子層上に設けられる第１無機層と、前記第１無機層上に設けられる有機層と、前記有機層上に設けられる第２無機層を有し、前記第２無機層は、厚さ方向における密度が異なることを特徴とする。

本発明の他の態様の表示装置の製造方法は、基板を用意する工程と、前記基板上に、発光素子層を形成する工程と、前記発光素子層上に、複数の層を含む封止層を形成する工程と、を有し、前記複数の層を含む封止層を形成する工程は、前記発光素子層上に、第１無機層を形成する工程と、前記第１無機層上に、有機層を形成する工程と、前記複数の層の最上層に、厚さ方向における密度が異なる第２無機層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

第１〜第４実施形態に係る表示装置の外観斜視図である。 第１実施形態に係る表示装置の断面を模式的に示す模式断面図である。 各単位画素に形成されている回路を示す回路図である。 第１実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するフローチャートである。 第２実施形態に係る表示装置の断面を模式的に示す模式断面図である。 第３実施形態に係る表示装置の断面を模式的に示す模式断面図である。 第４実施形態に係る表示装置の断面を模式的に示す模式断面図である。

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

また、本発明の実施形態において、ある構造体の「上に」他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに他の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

まず、図１、図２を参照して、第１実施形態に係る表示装置の全体構成の概要について説明する。図１は、第１実施形態に係る表示装置の外観斜視図である。図２は、第１実施形態に係る表示装置の断面を模式的に示す模式断面図である。第１実施形態においては、表示装置として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を用いた所謂有機ＥＬ表示装置について説明するが、これに限られるものではなく、画像を構成する複数の単位画素それぞれで輝度が制御されて発光する層を有する表示装置であればよい。

図１に示すように、表示装置１００は、薄膜トランジスタ等を備えるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１０と、対向基板２０を有する。図２に示すように、対向基板２０は、充填材３０を介して、ＴＦＴ基板１０に対向するように設けられる。また、表示装置１００は、画像表示をする表示領域Ｍと、表示領域Ｍの周辺の額縁領域Ｎとを有する。表示領域Ｍには、複数の単位画素Ｐが設けられる。なお、図１においては、１つの単位画素Ｐのみを図示するが、実際は、表示領域Ｍに複数の単位画素Ｐがマトリクス状に配置されている。

図２に示すように、ＴＦＴ基板１０は、基板１１と、基板１１上に設けられる発光素子層１２と、発光素子層１２上に設けられ、複数の層を含む封止層１３とを有する。以下、ＴＦＴ基板１０に含まれる各層、各基板の詳細について説明する。

基板１１は、少なくとも、配線を含む回路層を有する。回路層の配線の詳細については後述する。なお、表示装置のフレキシブル化の観点より、基板１１は可撓性を有するポリイミド等からなることが好ましい。しかし、それに限られるものではなく、基板１１はガラス基板等であってもよい。

発光素子層１２は、画像を構成する複数の単位画素Ｐそれぞれで輝度が制御されて発光する層である。発光素子層１２は、少なくとも表示領域Ｍに設けられ、有機ＥＬ層１２ａと、有機ＥＬ層１２ａの下部に設けられる下部電極１２ｂと、有機ＥＬ層１２ａの上部に設けられる上部電極１２ｃとを含む層である。有機ＥＬ層１２ａは、詳細については図示しないが電荷輸送層や電荷注入層、発光層などを含む。

有機ＥＬ層１２ａのうち下部電極１２ｂと接する領域が各単位画素Ｐに対応し、この領域で発光が行われる。また、各単位画素Ｐはバンク層１４によって区画されており、バンク層１４によって有機ＥＬ層１２ａと下部電極１２ｂとが離間される領域は発光が行われない領域となる。上部電極１２ｃは、有機ＥＬ層１２ａ上に複数の単位画素Ｐに亘って配置されている。第１実施形態においては、下部電極１２ｂを陽極として、上部電極１２ｃを陰極としたが、これに限られるものではなく、極性を逆にしても構わない。なお、有機ＥＬ層１２ａからの光が通過する上部電極１２ｃは、透明導電材料等を用いて透過電極として形成されるとよい。透明導電材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などを用いるとよい。また、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）、あるいは銀とマグネシウム（Ｍｇ）の合金を用いて、光が透過する程度の薄膜として上部電極１２ｃを形成しても良いし、これらの金属薄膜と透明導電材料との積層膜として形成しても良い。

なお、第１実施形態においては、各単位画素Ｐの色に応じた色で発光するよう有機ＥＬ層１２ａを塗り分ける塗り分け方式を採用してもよいし、全単位画素が同じ色（例えば白）で発光し、対向基板２０に設けたカラーフィルタを介して、各単位画素Ｐにおいて所定の波長の光のみを透過させるカラーフィルタ方式を採用してもよい。

封止層１３は、外部からの水分が表示装置１００内部に侵入し、有機ＥＬ層１２ａに到達するのを防ぐために設けられるものである。第１実施形態において、図２に示すように、封止層１３は、発光素子層１２を覆う無機層１３ａと、無機層１３ａ上に設けられる有機層１３ｂと、有機層１３ｂ上に設けられる無機層１３ｃとが積層して構成される。第１実施形態においては、無機層１３ｃを封止層１３の最上層とした。なお、無機層１３ａ、１３ｃは窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなるが、耐湿性の高い無機材料からなるものであればこれに限られるものではなく、例えば、酸化ケイ素等からなるものでもよい。また、有機層１３ｂはアクリル樹脂からなるが、これに限られるものではなく、エポキシ樹脂等からなってもよい。

さらに、図２及び図３を参照して、発光素子層の発光原理について説明する。図３は、各単位画素Ｐに形成されている回路を示す回路図である。基板１１に含まれる回路層の配線は、図３に示すように、走査線Ｌｇ、走査線Ｌｇに直交する映像信号線Ｌｄ、及び走査線Ｌｇに直交する電源線Ｌｓを含む。また、回路層の各単位画素Ｐには画素制御回路Ｓｃが設けられ、画素制御回路Ｓｃは、コンタクトホール（不図示）を通じて下部電極１２ｂに接続される。画素制御回路Ｓｃは、薄膜トランジスタやコンデンサを含み、各単位画素Ｐに設けられる有機発光ダイオードＯｄへの電流供給を制御する。なお、有機発光ダイオードＯｄは、図２を参照して上述した有機ＥＬ層１２ａと、下部電極１２ｂと、上部電極１２ｃとで構成される。

画素制御回路Ｓｃは、図３に示すように、駆動ＴＦＴ１１ａと、保持容量１１ｂと、スイッチングＴＦＴ１１ｃとを有している。スイッチングＴＦＴ１１ｃのゲートは走査線Ｌｇに接続され、スイッチングＴＦＴ１１ｃのドレインは映像信号線Ｌｄに接続されている。スイッチングＴＦＴ１１ｃのソースは保持容量１１ｂ及び駆動ＴＦＴ１１ａのゲートに接続されている。駆動ＴＦＴ１１ａのドレインは電源線Ｌｓに接続され、駆動ＴＦＴ１１ａのソースには有機発光ダイオードＯｄが接続されている。走査線Ｌｇにゲート電圧が印加されることにより、スイッチングＴＦＴ１１ｃがＯＮ状態となる。このとき、映像信号線Ｌｄから映像信号が供給されると、保持容量１１ｂに電荷が蓄積される。そして、保持容量１１ｂに電荷が蓄積されることにより、駆動ＴＦＴ１１ａがＯＮ状態となって、電源線Ｌｓから有機発光ダイオードＯｄに電流が流れて、有機発光ダイオードＯｄが発光する。

なお、画素制御回路Ｓｃは有機発光ダイオードＯｄへの電流供給を制御するための回路であればよく、図３に示したものに限られない。例えば、画素制御回路Ｓｃは、保持容量１１ｂの他に、容量を増すための補助容量をさらに含んでもよいし、回路を構成するトランジスタの極性も図３に示したものに限られない。

次に、封止層１３について、さらに詳細を説明する。近年、表示装置のフレキシブル化の要請があるところ、封止層１３に含まれる無機層の曲げに対する耐性が問題となる。特に、応力のかかりやすい封止層１３の最上層に設けられる無機層１３ｃにおいてその問題は顕著となる。曲げに対する耐性を確保するため、無機層１３ｃの厚みを薄くすることが考えられるが、その場合、外部からの水分の侵入を抑制するという封止層１３の本来の役割を十分に果たすことができなくなってしまう。

そこで、第１実施形態においては、無機層１３ｃにおいて他の領域よりも密度の小さい領域を一部に設けた。具体的には、無機層１３ｃは、密膜Ｃと、密膜Ｃの下方に設けられ、密膜Ｃよりも密度の小さい疎膜Ｂと、疎膜Ｂの下方に設けられ、疎膜Ｂよりも密度の大きい密膜Ａとを含む構成とした。なお、第１実施形態においては、密膜Ａの密度と、密膜Ｃの密度を同等としたが、少なくとも、それらの密度は疎膜Ｂと比較して高ければよい。また、第１実施形態においては、無機層１３ｃは、密膜と疎膜で分けられた３つの膜で構成されるものについて示したが、密度の異なる膜が明確に分けて設けられている必要はなく、厚さ方向において、連続的又は段階的に密度が変化する構成であってもよい。

ここで、疎膜Ｂは、密膜Ａ、Ｃと同様の原料を用いて形成されるものであるが、用いられる原料比率が異なる。具体的には、疎膜Ｂは、密膜Ａ、Ｃよりも、水素を多く含んでおり、その分ＳｉＮ結合が少なく、密度が小さくなっている。なお、疎膜Ｂ、密膜Ａ，Ｃの成膜方法の詳細に関しては、後述する。

無機層１３ｃのうち他の領域よりも密度の小さい疎膜Ｂは、他の領域よりも柔らかく、曲げに対する耐性が高い。また、密膜Ａ、Ｃに接触して設けられる疎膜Ｂは、密膜Ａ、Ｃにかかる曲げ応力を緩和する役割も果たしており、密膜Ａ、Ｃの曲げに対する耐性を向上させている。そのため、無機層１３ｃは、疎膜Ｂを含まない場合と比較して、全体として曲げに対する耐性が高い。一方で、無機層１３ｃは、疎膜Ｂよりも密度の大きい密膜Ａ及び密膜Ｃを有するため、層全体の密度を低くした場合（層全体の密度を疎膜Ｂと同等にした場合）と比較して、外部からの水分の侵入を抑制しやすい。密膜Ａ及び密膜Ｃを有すことにより、無機膜１３ｃの層の厚さ全体を厚くすることなく、水分の侵入を抑制できるため、表示装置１００全体としての厚さを抑え、装置の小型化も実現できる。なお、無機層１３ｃを含む封止層１３は、表示装置１００の全面に設けられている必要はなく、少なくとも発光素子層１２を覆うように表示領域Ｍに設けられているとよい。

以上説明したように、第１実施形態に係る表示装置１００においては、曲げに対する耐性を確保しつつ、装置内部への水分の侵入を抑制することができる。具体的には、無機層１３ｃが疎膜Ｂを有するため、曲げに対する耐性を確保でき、無機層１３ｃが密膜Ａ、Ｃを有するため、装置内部への水分の侵入を抑制することができる。その結果、有機ＥＬ層１２ａが水分の影響を受けて劣化することを抑制し、装置の寿命の低下を抑えることができる。

なお、以上の説明では、疎膜Ｂは、密膜Ａ及び密膜Ｃと比較して、密度が小さい膜であるとの説明を行ったが、別の観点から説明すると、疎膜Ｂは、密膜Ａ及び密膜Ｃと比較して、屈折率が小さい膜であるともいえる。

さらに、図４を参照して、第１実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図４は、第１実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するフローチャートである。

まず、回路層を含む基板１１を用意する（ステップＳＴ１）。次に、基板１１上に、バンク層１４及び発光素子層１２を成膜する（ステップＳＴ２）。さらに、発光素子層１２上に、シリコンと、アンモニアガスと、窒素ガスとを成分に含む材料を用いて、化学蒸着法（Chemical Vapor Deposition、以下ＣＶＤ法という）により、窒化ケイ素からなる無機層１３ａを成膜する（ステップＳＴ３）。ＣＶＤ法としては、原料ガスをプラズマ化させて化学反応を生じさせるプラズマＣＶＤ法を採用するとよい。なお、この工程においては、窒素ガスは圧量調整のために用いており、シリコンとアンモニアガスの反応により窒化ケイ素が生成される。無機層１３ａは、発光素子層１２の形状に沿った形状で形成される。さらに、無機層１３ａ上に、アクリル樹脂からなる有機層１３ｂを成膜する（ステップＳＴ４）。なお、樹脂材料からなる有機層１３ｂの表面は平坦な形状となる。次に、封止層１３の最上層である窒化ケイ素からなる無機層１３ｃを、平坦な表面を有する有機層１３ｂ上に成膜する。

ここで、無機層１３ｃの成膜方法の詳細について説明する。無機層１３ｃは、無機層１３ａと同様に、シリコンと、アンモニアガスと、窒素ガスとを成分に含む材料を用いて、ＣＶＤ法で形成する。まず、有機層１３ｂ上に、ＣＶＤ法により密膜Ａを成膜する（ステップＳＴ５）。密膜Ａの成膜は、無機層１３ａと同様の工程で、かつ同じ比率の原料を用いて行うとよい。そして、密膜Ａ上に、ＣＶＤ法により疎膜Ｂを成膜する（ステップＳＴ６）。この際、密膜Ａよりも密度を小さくするために、アンモニアガスの比率を上げることにより、水素ガスの比率を上げる。水素ガスは層内部に残留するため、水素ガスの比率を上げると無機層１３ｃ内部のＳｉＮ結合の数が減り、結果として、無機層１３ｃの密度が下がる。これにより、密膜Ａよりも密度の小さい疎膜Ｂが成膜される。さらに、密膜Ａと同様の工程で、かつ同じ比率の原料を用いて、疎膜Ｂ上に密膜Ｃを成膜する（ステップＳＴ７）。以上の工程により、ＴＦＴ基板１０の製造が完了する。以上説明したように、密膜Ａ、Ｃの成膜と、疎膜Ｂの成膜は、同一の原料を用いて行ったが、その比率を変えることにより、密度に差異を設けた。

なお、密度の小さい疎膜Ｂを形成する方法は、アンモニアガスの比率を上げることに限られず、成膜中に別途水素ガスを添加する工程を追加することにより行っても構わない。すなわち、無機層１３ｃ中の水素ガスの比率を上げことができる方法であれば、他の方法を用いても構わない。なお、添加する物質は、水素ガスに限られるものではなく、無機層１３ｃ内部に残留するものであり、有機ＥＬ層１２ａに影響を及ぼしいくいものであれば、他の物質であっても構わない。また、無機層１３ａ、１３ｃの成膜は、ＣＶＤ法に限られるものではなく、スパッタリング法やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法など他の方法を用いても構わない。

ステップＳＴ７が完了した後、充填材３０を介して、ＴＦＴ基板１０に対向するように、対向基板２０を設ける。以上説明した工程を経て、第１実施形態に係る表示装置１００の製造が完了する。

次に、図５を参照して、第２実施形態に係る表示装置２００について説明する。第２実施形態に係る表示装置２００は、無機層１３ａの積層構造が異なることを除いて、表示装置１００と同様の構成である。表示装置２００においては、無機層１３ａの積層構造を、無機層１３ｃの積層構造と同様とした。なお、表示装置２００の外観は、図１を参照して説明した表示装置１００と同様であり、発光原理に関しても表示装置１００と同様である。後述する表示装置３００、４００、５００についても同様である。以下、表示装置１００と異なる構成についてのみ説明を行い、共通する構成についてはその説明を省略する。

第２実施形態において、図５に示すように、無機層１３ａは、発光素子層１２上に設けられる密膜Ｄと、密膜Ｄ上に設けられ、密膜Ｄよりも密度の小さい疎膜Ｅと、疎膜Ｅ上に設けられ、疎膜Ｅよりも密度の大きい密膜Ｆとが積層して構成される。疎膜Ｅは、密膜Ｄ、Ｆよりも水素ガスを多く含む。なお、密膜Ｄ，Ｆについては、密膜Ａ，Ｃと同様の工程で、かつ同じ比率の原料を用いて成膜すればよく、疎膜Ｅについては、疎膜Ｂと同様の工程で、かつ同じ比率の原料を用いて成膜すればよい。なお、無機層１３ａは、発光素子１２層上に設けられるため、上部電極１２ｃの形状に沿った形状となる。

以上説明したように、第２実施形態においては、封止膜１３の最上層である無機層１３ｃのみでなく、無機層１３ａに関しても、他の領域よりも密度の小さい領域を設けた。そのため、曲げに対する耐性をより高くすることができる。なお、第２実施形態においては、無機層１３ａは、密膜と疎膜で分けられた３つの膜で構成されるものについて示したが、密度の異なる膜が明確に分けて設けられている必要はなく、厚さ方向において、連続的又は段階的に密度が変化する構成であってもよい。

次に、図６を参照して、第３実施形態に係る表示装置３００について説明する。第３実施形態に係る表示装置４００は、無機層１３ｃの積層構造が異なることを除いて、表示装置１００と同様の構成である。以下、表示装置１００と異なる構成についてのみ説明を行い、共通する構成についてはその説明を省略する。

第３実施形態において、図６に示すように、封止層１３の最上層である無機層１３ｃは、有機層１３ｂ上に設けられる疎膜Ｂと、疎膜Ｂ上に設けられ、疎膜Ｂよりも密度の大きい密膜Ｃを有する。すなわち、無機層１３ｃに関して、上方から密膜Ｃ、疎膜Ｂ、密膜Ａの３つの膜が積層してなる表示装置１００と異なり、表示装置３００は、上方から密膜Ｃ、疎膜Ｂの２つの膜が積層してなる構成を採用する。

なお、最上層である無機層１３ｃは、密膜と疎膜で分けられた２つの膜で構成されるものに限られるものではなく、厚さ方向において、連続的又は段階的に密度が変化する構成であってもよい。例えば、無機層１３ｃは、厚さ方向において、発光素子層１２側に近づくにつれて次第に密度が小さくなるような層であってもよい。

なお、第３実施形態においては、無機層１３ｃの最上層の膜を密膜Ｃとし、その下方に疎膜Ｂを設ける構成としたが、無機層１３ｃの最上層の膜を疎膜Ｂとし、その下方に密膜Ｃを設ける構成としても構わない。最上層の方がより応力がかかりやすいところ、最上層を疎膜Ｂにすることで、曲げに対する耐性をより高くすることができる。

なお、無機層１３ｃを密膜Ｃと疎膜Ｂの２つの膜からなるとする構成は、無機層１３ａに適用してもよい。すなわち、無機層１３ａが、発光素子層１２上に形成される疎膜と、その疎膜上に形成され、その疎膜よりも密度の大きい密膜とを有する構成であってもよい。

次に、図７を参照して、第４実施形態に係る表示装置４００について説明する。第４実施形態に係る表示装置４００は、封止層１３において、有機層１３ｂと無機層１３ｃの間に、有機層及び無機層をさらに設けたことを除いて、表示装置１００と同様の構成である。具体的には、第４実施形態においては、封止層１３として、第１実施形態で示した下層から順に無機層１３ａ、有機層１３ｂ、無機層１３ｃが積層される３層構造ではなく、下層から順に無機層１３ａ、有機層１３ｂ、無機層１３ｄ、有機層１３ｅ、無機層１３ｃが積層される５層構造の層を採用した。以下、表示装置１００と異なる構成についてのみ説明を行い、共通する構成についてはその説明を省略する。

無機層１３ｄは、表示装置１００の無機層１３ｃと同様の積層構造を有する。すなわち、無機層１３ｄは、密膜Ａと、密膜Ａ上に設けられ、密膜Ａよりも密度の小さい疎膜Ｂと、疎膜Ｂよりも密度の大きい密膜Ｃとを有する。

表示装置４００においては、上述したように５層構造の積層構造を採用するため、３層構造を採用する表示装置１００と比較して、装置内部への水分の侵入をより抑制しやすい構成といえる。また、無機層１３ｄは、他の領域よりも密度の小さい疎膜Ｂを有するため、その分封止層１３全体としての曲げに対する耐性を確保できる。

なお、第１〜４実施形態で示した無機層１３ａが本発明の第１無機層に対応し、有機層１３ｂが本発明の有機層に対応し、無機層１３ｃが本発明の最上層である第２無機層に対応し、密膜Ｃが本発明の第１密膜に対応し、疎膜Ｂが本発明の第１疎膜に対応する。また、第１〜第３実施形態で示した無機層１３ｃに含まれる密膜Ａが本発明の第２密膜に対応する。また、第２実施形態で示した無機層１３ａに含まれる密膜Ｆが本発明の第３密膜に対応し、疎膜Ｅが本発明の第２疎膜に対応する。

１０ ＴＦＴ基板、１１ 基板、１１ａ 駆動ＴＦＴ、１１ｂ 保持容量、１１ｃ スイッチングＴＦＴ、１２ 発光素子層、１２ａ 下部電極、１２ｂ 有機ＥＬ層、１２ｃ 上部電極、１３ 封止層、１３ａ 無機層、１３ｂ 有機層、１３ｃ 無機層、１３ｄ 無機層、１３ｅ 有機層、１４ バンク層、２０ 対向基板、３０ 充填材、１００，２００，３００，４００ 表示装置、Ａ 密膜、Ｂ 疎膜、Ｃ 密膜、Ｄ 密膜、Ｅ 疎膜、Ｆ 密膜、Ｍ 表示領域、Ｎ 額縁領域、Ｐ 単位画素、Ｓｃ 画素制御回路。

Claims (17)

1. 発光素子層と、
   前記発光素子層上に設けられ、複数の層を含む封止層と、
   を有し、
   前記複数の層は、少なくとも、前記発光素子層上に設けられる第１無機層と、前記第１無機層上に設けられる有機層と、前記有機層上に設けられる第２無機層を有し、
   前記第２無機層は、厚さ方向における密度が異なることを特徴とする表示装置。
2. 前記第２無機層は、第１密膜と、前記第１密膜よりも下方に設けられ、前記第１密膜よりも密度の小さい第１疎膜を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２無機層は、前記第１疎膜よりも下方に、前記第１疎膜よりも密度の大きい第２密膜をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１疎膜は、前記第１密膜よりもガスを多く含む膜であることを特徴とする請求項２又は３に記載の表示装置。
5. 前記ガスは水素ガスであることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１疎膜は、前記第１密膜よりも屈折率が小さいことを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第２無機層は、厚さ方向における密度が、前記発光素子層側に近づくにつれて小さくなるように連続的に変化していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
8. 前記第２無機層は、厚さ方向における密度が、前記発光素子層側に近づくにつれて小さくなるように段階的に変化していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
9. 前記第１無機層は、厚さ方向における密度が異なることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記第１無機層は、第３密膜と、前記第３密膜よりも下方に設けられ、前記３密膜よりも密度の小さい第２疎膜とを有することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 前記２疎膜は、前記第３密膜よりもガスを多く含む膜であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記２疎膜は、前記第３密膜よりも屈折率が小さいことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の表示装置。
13. 前記第１無機層は、厚さ方向における密度が、前記発光素子層側に近づくにつれて小さくなるように連続的に変化していることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
14. 前記第１無機層は、厚さ方向における密度が、前記発光素子層側に近づくにつれて小さくなるように段階的に変化していることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
15. 基板を用意する工程と、
    前記基板上に、発光素子層を設ける工程と、
    前記発光素子層上に、複数の層を含む封止層を設ける工程と、
    を有し、
    前記封止層を設ける工程は、
    前記発光素子層上に、第１無機層を設ける工程と、
    前記第１無機層上に、有機層を設ける工程と、
    前記複数の層の最上層に、厚さ方向における密度が異なる第２無機層を設ける工程と、
    を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
16. 前記第２無機層を設ける工程は、
    前記有機層上に、第１密膜を設ける工程と、
    前記第１密膜上に、前記密膜よりも密度の小さい疎膜を設ける工程と、
    前記疎膜上に、前記疎膜よりも密度の大きい第２密膜を設ける工程と、
    を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記疎膜を設ける工程は、
    前記第１密膜よりも密度を小さくするために、ガスを注入する工程を含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置の製造方法。

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