CN112750880A - 有机发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

本公开的实施例涉及一种有机发光显示设备，包括：基底；在所述基底上的多个有机发光二极管；间隔件，布置在所述多个有机发光二极管之间并且远离所述基底的上表面突出；导电层，与所述间隔件重叠；以及接触区域，在所述间隔件的一侧暴露所述导电层，其中，所述多个有机发光二极管的公共层和所述导电层通过所述接触区域彼此连接。

Description

有机发光显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0135757的优先权和权益，其全部公开内容通过引用合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种有机发光显示设备，并且更具体地涉及一种具有改善的可靠性的有机发光显示设备。
背景技术
有机发光显示设备是包括具有空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层的有机发光装置的自发光显示设备。因此，有机发光显示设备在(当通过空穴注入电极注入的空穴与通过电子注入电极注入的电子在有机发光层处彼此结合时产生的)激子从激发态跃迁到基态时发光。
因为有机发光显示设备是自发光显示设备并且不需要单独的光源，所以有机发光显示设备可以以低电压驱动，可以配置为重量轻且薄，并且可以展示诸如宽视角、高对比度和快响应速度的出色特性。因此，有机发光显示设备已经作为下一代显示设备受到关注(例如，被认为是下一代显示设备)。
发明内容
实施例的一个或多个方面针对一种对外部压力具有高可靠性的有机发光显示设备。
另外的方面将在下面的描述中部分地阐述并且部分地从该描述将是明显的，或者可以通过实践本公开的公开实施例而学习到。
根据一个或多个实施例，一种有机发光显示设备包括：基底；在所述基底上的多个有机发光二极管；间隔件，布置在所述多个有机发光二极管之间并且远离所述基底的上表面突出；导电层，布置为与所述间隔件重叠；以及接触区域，在所述间隔件的一侧暴露所述导电层，其中，所述多个有机发光二极管的公共层和所述导电层通过所述接触区域彼此连接。
在一实施例中，所述接触区域可以围绕所述间隔件。
在一实施例中，所述导电层可以在与所述多个有机发光二极管的像素电极相同的层上并且可以与所述像素电极间隔开。
在一实施例中，所述导电层可以是用于传输公共电源电压的线。
在一实施例中，当从平面图观察时，与所述间隔件对应的所述导电层的面积可以大于所述间隔件的面积。
在一实施例中，所述导电层可以在与所述有机发光二极管的所述像素电极不同的层上。
在一实施例中，所述导电层可以与所述有机发光二极管的所述像素电极的至少一部分重叠。
在一实施例中，所述有机发光显示设备还可以包括在所述导电层下的第一线，其中，所述导电层可以经由通孔连接到所述第一线。
在一实施例中，所述第一线可以配置为传输公共电源电压。
在一实施例中，所述导电层可以包括第一连接电极和第二连接电极，并且所述第一连接电极可以通过第一通孔连接到所述第一线，并且所述第二连接电极可以通过第二通孔连接到所述第一线。
在一实施例中，所述有机发光显示设备还可以包括：在所述基底上的薄膜晶体管；以及第一平坦化层和第二平坦化层，布置并堆叠在所述薄膜晶体管和所述多个有机发光二极管之间，其中，所述导电层可以在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间。
在一实施例中，所述接触区域可以包括围绕所述间隔件的多个接触孔。
在一实施例中，所述有机发光显示设备还可以包括像素限定层，所述像素限定层覆盖所述多个有机发光二极管的所述像素电极的边缘并且具有暴露所述像素电极的中心的开口，其中，所述间隔件可以从所述像素限定层的上表面突出。
根据一个或多个实施例，一种有机发光显示设备包括：基底；在所述基底上的多个有机发光二极管；像素限定层，覆盖每个所述有机发光二极管的像素电极的边缘并且暴露所述像素电极的中心部分；间隔件，布置在所述多个有机发光二极管之间的所述像素限定层上并且从所述像素限定层的上表面突出；第一线，与所述间隔件重叠；以及接触区域，在所述间隔件的一侧暴露所述第一线，其中，所述多个有机发光二极管的公共层和所述第一线通过所述接触区域彼此连接。
在一实施例中，所述接触区域可以围绕所述间隔件。
在一实施例中，所述第一线可以在与所述多个有机发光二极管的所述像素电极相同的层上并且可以与所述像素电极间隔开。
在一实施例中，所述第一线可以配置为传输公共电源电压。
在一实施例中，所述有机发光显示设备还可以包括：在所述基底上的薄膜晶体管；以及第一平坦化层和第二平坦化层，布置并堆叠在所述薄膜晶体管和所述多个有机发光二极管之间，其中，所述第一线可以在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间。
在一实施例中，所述有机发光显示设备还可以包括布置为面对所述基底的密封基底。
在一实施例中，所述有机发光显示设备还可以包括薄膜封装层，所述薄膜封装层布置为覆盖所述多个有机发光二极管，其中，所述薄膜封装层包括依次堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
附图说明
通过结合附图的下述描述，本公开的实施例的上述和其它方面、特征和优点将变得更加明显，在附图中：
图1是根据一实施例的有机发光显示设备的平面图；
图2A至图2C每个是根据一实施例的有机发光显示设备的一个子像素的等效电路图；
图3是根据一实施例的显示区域的一部分的平面图；
图4是沿着图3的线I-I'截取的显示区域的截面图；
图5是图4的间隔件的放大截面图；
图6A和图6B每个是根据一实施例的间隔件区域的平面图；
图7A是根据另一实施例的有机发光显示设备的截面图；
图7B是根据另一实施例的显示区域的一部分的平面图；
图8是根据另一实施例的有机发光显示设备的截面图；
图9是根据另一实施例的有机发光显示设备的截面图；
图10是根据另一实施例的有机发光显示设备的截面图；
图11是根据另一实施例的有机发光显示设备的截面图；以及
图12是根据另一实施例的有机发光显示设备的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中示出，其中，相似的附图标记始终表示相似的元件。就这一点而言，所公开的实施例可以具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中阐述的相应描述。因此，下面仅通过参考附图来描述所公开的实施例，以解释本公开的各方面。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任意组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a；仅b；仅c；a和b二者；a和c二者；b和c二者；a、b和c的全部；或其变体。
在下文中，将参考附图详细描述实施例。相同的附图标记用于表示相同的元件，并且将不提供其重复描述。在本文中当描述本发明的实施例时，术语“可以”的使用是指“本发明的一个或多个实施例”。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语限制。
除非上下文另外明确指出，否则以单数使用的表述涵盖复数的表述。
将进一步理解的是，在本文中使用的术语“包括(comprises，comprising)”和“包含(includes，including)”指定所陈述特征和/或元件的存在，但是不排除一个或多个其它特征和/或元件的存在或增加。
将理解的是，当层、区域或元件称为“在”另一层、另一区域或另一元件“上”时，层、区域或元件可以直接或间接在另一层、另一区域或另一元件上。例如，可以存在(多个)中间层、(多个)中间区域或(多个)中间元件。
为了便于解释，可以放大附图中的元件的尺寸。例如，为了便于解释，可以任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，并且下述实施例不限于此。
当可以不同地实施某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行所公开的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序来执行两个连续(例如，依序地)描述的工艺。
将理解的是，当第一层、第一区域或第一组件连接(例如，物理地连接或电连接)到另一部分时，第一层、第一区域或第一组件可以直接地连接到该部分，或者中间层、中间区域或中间组件可以存在，使得第一层、第一区域或第一组件可以间接地连接到该部分。例如，当第一层、第一区域或第一组件电连接到另一部分时，第一层、第一区域或第一组件可以直接地电连接到该部分，或者可以通过另一层、另一区域或另一组件间接地电连接到该部分。
图1是根据一实施例的有机发光显示设备110的平面图。
参考图1，有机发光显示设备110可以包括显示区域DA和为非显示区域的外围区域PA。在显示区域DA中，布置包括显示装置的子像素PX以提供图像。
每个子像素PX可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光，并且可以包括例如有机发光二极管。另外，每个子像素PX还可以包括诸如薄膜晶体管(TFT)和/或电容器的装置。
如在本文中所使用，子像素PX是指发射如上所述的红色、绿色、蓝色或白色中的任何一种的光的单元。可以聚集子像素PX以提供(例如，形成或构成)实现(例如，提供)各种合适颜色的像素。例如，一个像素可以包括发射红光的第一子像素、发射绿光的第二子像素和发射蓝光的第三子像素，并且像素的颜色可以通过渲染第一子像素、第二子像素和第三子像素来实现(例如，可以通过从第一子像素、第二子像素和第三子像素发射的光的亮度来确定)。
外围区域PA是不提供图像的区域，并且包括扫描驱动器和数据驱动器以提供(例如，产生)待施加到显示区域DA的子像素PX的电信号。外围区域PA还可以包括电源线以向子像素PX提供诸如驱动电压和公共电压的功率。
图2A至图2C是根据一实施例的有机发光显示设备中的一个子像素PX的等效电路图。
参考图2A，子像素PX包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
如在此使用的，当第一组件描述为“连接”到第二组件时，第一组件可以电连接到第二组件，但是术语“连接”不应限于此。像素电路PC包括驱动薄膜晶体管TFT1、开关薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管TFT2连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号(例如，数据电压)Dm供应给驱动薄膜晶体管TFT1。例如，在一实施例中，开关薄膜晶体管TFT2的栅极电极连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管TFT2的源极电极连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管TFT2的漏极电极连接到驱动薄膜晶体管TFT1的栅极电极和存储电容器Cst的第一电极。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管TFT2和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管TFT2供应的电压和供应给驱动电压线PL的驱动电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管TFT1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以控制与在存储电容器Cst中存储的电压值对应的驱动电流从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED。例如，在一实施例中，驱动薄膜晶体管TFT1的栅极电极连接到开关薄膜晶体管TFT2的漏极电极，驱动薄膜晶体管TFT1的源极电极连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst的第二电极，并且驱动薄膜晶体管TFT1的漏极电极连接到有机发光二极管OLED的一电极(例如，阳极电极)。有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极电极)被供应公共电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。
虽然图2A描述像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是本公开不限于此。
参考图2B，像素电路PC可以分别包括驱动薄膜晶体管TFT1和开关薄膜晶体管TFT2、补偿薄膜晶体管TFT3、第一初始化薄膜晶体管TFT4、操作控制薄膜晶体管TFT5、发射控制薄膜晶体管TFT6和第二初始化薄膜晶体管TFT7。
尽管图2B示出为子像素PX提供信号线SLn、SLn-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL的情况，但是本公开不限于此。在另一实施例中，信号线SLn、SLn-1、EL和DL和初始化电压线VL中的至少一条可以由相邻子像素PX共用。
驱动薄膜晶体管TFT1的漏极电极可以经由发射控制薄膜晶体管TFT6电连接到有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管TFT1可以根据开关薄膜晶体管TFT2的开关操作接收数据信号(例如，数据电压)Dm，并且将驱动电流供应给有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管TFT2的栅极电极连接到扫描线SLn，并且开关薄膜晶体管TFT2的源极电极连接到数据线DL。开关薄膜晶体管TFT2的漏极电极可以连接到驱动薄膜晶体管TFT1的源极电极，并且可以经由操作控制薄膜晶体管TFT5进一步连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管TFT2响应于通过扫描线SLn接收的扫描信号Sn而导通，并且可以执行开关操作以将传输到数据线DL的数据信号(例如，数据电压)Dm传输到驱动薄膜晶体管TFT1的源极电极。
补偿薄膜晶体管TFT3的栅极电极可以连接到扫描线SLn。补偿薄膜晶体管TFT3的源极电极可以连接到驱动薄膜晶体管TFT1的漏极电极，并且可以经由发射控制薄膜晶体管TFT6进一步连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管TFT3的漏极电极可以连接到存储电容器Cst的任何一个电极(例如，第一电极)、第一初始化薄膜晶体管TFT4的源极电极和驱动薄膜晶体管TFT1的栅极电极。补偿薄膜晶体管TFT3响应于通过扫描线SLn接收的扫描信号Sn而导通，以将驱动薄膜晶体管TFT1的栅极电极和漏极电极彼此连接，从而二极管连接驱动薄膜晶体管TFT1。
第一初始化薄膜晶体管TFT4的栅极电极可以连接到前一条扫描线SLn-1。第一初始化薄膜晶体管TFT4的漏极电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管TFT4的源极电极可以连接到存储电容器Cst的任何一个电极(例如，第一电极)、补偿薄膜晶体管TFT3的漏极电极和驱动薄膜晶体管TFT1的栅极电极。第一初始化薄膜晶体管TFT4可以响应于通过前一条扫描线SLn-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，以将初始化电压VINT传输至驱动薄膜晶体管TFT1的栅极电极，以执行用于初始化驱动薄膜晶体管TFT1的栅极电极的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管TFT5的栅极电极可以连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管TFT5的源极电极可以连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管TFT5的漏极电极连接到驱动薄膜晶体管TFT1的源极电极并且还连接到开关薄膜晶体管TFT2的漏极电极。
发射控制薄膜晶体管TFT6的栅极电极可以连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管TFT6的源极电极可以连接到驱动薄膜晶体管TFT1的漏极电极，并且还可以连接到补偿薄膜晶体管TFT3的源极电极。发射控制薄膜晶体管TFT6的漏极电极可以电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。操作控制薄膜晶体管TFT5和发射控制薄膜晶体管TFT6可以响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而并发地(例如，同时地)导通，使得驱动电源电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED，并且使得驱动电流可以流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管TFT7的栅极电极可以连接到前一条扫描线SLn-1。第二初始化薄膜晶体管TFT7的源极电极可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管TFT7的漏极电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管TFT7可以响应于通过前一条扫描线SLn-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，以初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
尽管图2B示出第一初始化薄膜晶体管TFT4和第二初始化薄膜晶体管TFT7连接到前一条扫描线SLn-1的情况，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第一初始化薄膜晶体管TFT4可以连接到前一条扫描线SLn-1并且根据前一扫描信号Sn-1来驱动，并且第二初始化薄膜晶体管TFT7可以连接到单独的信号线(例如，下一条扫描线)并且根据从相应扫描线(例如，从单独的信号线)传输的信号来驱动。
存储电容器Cst的另一电极(例如，第二电极)可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的任何一个电极(例如，第一电极)可以连接到驱动薄膜晶体管TFT1的栅极电极、补偿薄膜晶体管TFT3的漏极电极和第一初始化薄膜晶体管TFT4的源极电极。
有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极电极)被供应公共电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管TFT1(例如，通过发射控制薄膜晶体管TFT6从驱动薄膜晶体管TFT1)接收驱动电流以发光。
像素电路PC不限于参考图2A和图2B描述的TFT和存储电容器的电路设计和数量，并且TFT和存储电容器的电路设计和数量可以根据TFT和存储电容器的任何合适设计和数量而变化。像素电路PC还可以包括布置在薄膜晶体管下方并且连接到薄膜晶体管的偏置电极。
参考图2C，每个子像素PX可以包括有机发光二极管OLED和包括多个薄膜晶体管以驱动有机发光二极管OLED的像素电路PC。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管TFT1、开关薄膜晶体管TFT2、感测薄膜晶体管TFT3'和存储电容器Cst。
扫描线SL可以连接到开关薄膜晶体管TFT2的栅极电极G2，并且数据线DL可以连接到开关薄膜晶体管TFT2的源极电极S2。存储电容器Cst的第一电极CE1可以连接到开关薄膜晶体管TFT2的漏极电极D2。
因此，响应于来自每个子像素PX的扫描线SL的扫描信号Sn，开关薄膜晶体管TFT2将数据线DL的数据电压Dm供应给第一节点N。
驱动薄膜晶体管TFT1的栅极电极G1可以连接到第一节点N，驱动薄膜晶体管TFT1的源极电极S1可以连接到配置为传输驱动电源电压ELVDD的第一电源线PL1，并且驱动薄膜晶体管TFT1的漏极电极D1可以连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。
因此，驱动薄膜晶体管TFT1可以根据驱动薄膜晶体管TFT1的源极—栅极电压Vgs调节在有机发光二极管OLED中流过的电流的量。驱动薄膜晶体管TFT1的源极—栅极电压Vgs可以是施加在驱动电源电压ELVDD和第一节点N之间的电压。
感测控制线SSL连接到感测薄膜晶体管TFT3'的栅极电极G3，感测薄膜晶体管TFT3'的源极电极S3连接到第二节点S，并且感测薄膜晶体管TFT3'的漏极电极D3连接到基准电压线RL。在一些实施例中，感测薄膜晶体管TFT3'可以由扫描线SL而不是由感测控制线SSL控制。
感测薄膜晶体管TFT3'可以感测有机发光二极管OLED的阳极电极的电势。感测薄膜晶体管TFT3'响应于从感测控制线SSL接收的感测信号SSn，将预充电电压从基准电压线RL供应给第二节点S，或者在感测期间(例如，当子像素PX用于感测光、声音、用户的触摸等时)将有机发光二极管OLED的阳极电极的电压供应给基准电压线RL。
在存储电容器Cst中，第一电极CE1连接到第一节点N，并且第二电极CE2连接到第二节点S。存储电容器Cst利用分别供应给第一节点N的电压和供应给第二节点S的电压之间的差电压充电，并且供应差电压作为驱动薄膜晶体管TFT1的驱动电压。例如，存储电容器Cst可以利用供应给第一节点N的数据电压Dm和供应给第二节点S的预充电电压Vpre之间的差电压充电。
偏置电极BSM可以形成为对应于驱动薄膜晶体管TFT1，并且可以连接到感测薄膜晶体管TFT3'的源极电极S3。因为偏置电极BSM接收与感测薄膜晶体管TFT3'的源极电极S3的电势相关的电压，所以可以使驱动薄膜晶体管TFT1稳定。在一些实施例中，偏置电极BSM不连接到感测薄膜晶体管TFT3'的源极电极S3，并且可以连接到单独的偏置线。
有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极电极)被供应公共电源电压ELVSS。有机发光二极管OLED从驱动薄膜晶体管TFT1接收驱动电流以发光。
尽管图2C示出为每个子像素PX提供信号线SL、SSL和DL、基准电压线RL、第一电源线PL1和第二电源线PL2的情况，但是本公开不限于此。例如，信号线SL、SSL和DL、基准电压线RL、第一电源线PL1和第二电源线PL2中的至少一条可以由相邻子像素PX共用。
图3是根据一实施例的显示区域DA的一部分的平面图；并且图4是沿着图3的线I-I'截取的显示区域DA的截面图。图5是图4的间隔件SPC的放大截面图。
参考图3，根据本实施例的有机发光显示设备包括多个子像素PX，并且包括在多个子像素PX之间的间隔件SPC。提供公共电源电压ELVSS的第二电源线PL2在间隔件SPC的下方，并且在间隔件SPC的周围提供暴露第二电源线PL2的一部分的接触区域CA。将在下文中更详细地描述的公共层和相对电极可以通过接触区域CA连接到第二电源线PL2。第二电源线PL2可以包括与间隔件SPC的下部(例如，与第二电源线PL2的在间隔件SPC下方的一部分)对应的第一区域R1，并且第一区域R1的面积可以大于间隔件SPC的面积(例如，当从平面图看时)。在图3中，第二电源线PL2在第一方向(X方向)上延伸，但是在另一实施例中，第二电源线PL2可以在第二方向(Y方向)上延伸。在一些实施例中，可以形成接触区域CA以围绕间隔件SPC。在一些实施例中，像素限定层可以具有暴露第二电源线PL2或导电层并且限定接触区域CA的孔、多个孔、沟槽等。
像素P可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以发射不同颜色的光。例如，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以分别发射红光、绿光和蓝光。
如图3中所示，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以以S条带结构(例如，图案)布置。例如，第三子像素PX3在第二方向(Y方向)上延伸，并且第一子像素PX1和第二子像素PX2可以紧挨着一个第三子像素PX3布置。第三子像素PX3可以在第二方向(Y方向)上排成一条线。第一子像素PX1和第二子像素PX2可以在第二方向(Y方向)上交替地布置。在这种情况下，间隔件SPC可以位于在第二方向(Y方向)上布置的第三子像素PX3之间。
在图3中，子像素PX的布置示为具有S条带结构(例如，图案)，但是本公开不限于此。例如，子像素PX的布置可具有各种合适的布置结构(例如，布置图案)，诸如条带结构、波形瓦(Pentile)结构和马赛克结构。
在下文中，将参考图4描述根据一实施例的堆叠结构。
缓冲层111可以在基底100上。缓冲层111可以减少或阻止异物、湿气和/或外部空气从基底100的下部渗透，并且可以在基底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包括(例如，是)诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料和/或有机—无机复合材料。缓冲层111可以具有包括无机材料和/或有机材料的单层结构或多层结构。阻挡层可以在基底100和缓冲层111之间，以阻挡或减少外部空气的渗透。
第一薄膜晶体管TFT1可以包括第一半导体层A1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1。第二薄膜晶体管TFT2可以包括第二半导体层A2、第二栅极电极G2、第二源极电极S2和第二漏极电极D2。第一薄膜晶体管TFT1可以用作连接到有机发光二极管OLED以驱动有机发光二极管OLED的驱动薄膜晶体管。第二薄膜晶体管TFT2可以连接到数据线DL，以用作开关薄膜晶体管。尽管在附图中示出两个薄膜晶体管，但是本公开不限于此。薄膜晶体管的数量可以不同地并且适当地从两个改变到七个。例如，在一些实施例中，薄膜晶体管的数量可以在两个到七个的范围内。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以各自包括(例如，是)非晶硅和/或多晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以各自包括(例如，是)从铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中选择的至少一种材料的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2中的每个可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源极区和漏极区。
第一栅极电极G1和第二栅极电极G2可以分别在第一半导体层A1和第二半导体层A2上，第一栅极绝缘层112在第一栅极电极G1和第一半导体层A1之间以及第二栅极电极G2和第二半导体层A2之间。第一栅极电极G1和第二栅极电极G2中的每一个可以包括(例如，是)钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或Ti，并且可以形成为单层或多层。例如，第一栅极电极G1和第二栅极电极G2中的每一个可以是Mo的单层。
第一栅极绝缘层112可以包括(例如，是)氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnO)。
可以提供第二栅极绝缘层113以覆盖第一栅极电极G1和第二栅极电极G2。第二栅极绝缘层113可以包括(例如，是)SiO2、SiNX、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnO。
存储电容器Cst的第一电极CE1可以与第一薄膜晶体管TFT1重叠。例如，第一薄膜晶体管TFT1的第一栅极电极G1可以用作存储电容器Cst的第一电极CE1。
存储电容器Cst的第二电极CE2与第一电极CE1重叠，第二栅极绝缘层113位于存储电容器Cst的第二电极CE2与第一电极CE1之间。在一些实施例中，第二栅极绝缘层113可以用作存储电容器Cst的介电层。第二电极CE2可以包括(例如，是)包括Mo、Al、Cu和/或Ti等的导电材料，并且可以形成为包括(例如，是)上述材料(例如，Mo、Al、Cu和/或Ti等)的单层或多层。例如，第二电极CE2可以是Mo的单层或Mo/Al/Mo的多层。
第一源极电极S1和第一漏极电极D1以及第二源极电极S2和第二漏极电极D2可以在层间绝缘层114上。层间绝缘层114可以在第二栅极绝缘层113上以及在存储电容器Cst的第二电极CE2上。
层间绝缘层114可以包括(例如，是)SiO2、SiNX、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和/或ZnO。
第一源极电极S1和第一漏极电极D1以及第二源极电极S2和第二漏极电极D2可以包括(例如，是)包括Mo、Al、Cu和/或Ti等的导电材料，并且可以形成为包括如上所述的材料(例如，Mo、Al、Cu和/或Ti等)的单层或多层。例如，第一源极电极S1和第一漏极电极D1以及第二源极电极S2和第二漏极电极D2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化层116可以在第一源极电极S1和第一漏极电极D1以及第二源极电极S2和第二漏极电极D2上。有机发光二极管OLED可以在第一平坦化层116上。在一些实施例中，第二平坦化层117可以在第一平坦化层116上，并且有机发光二极管OLED可以在第二平坦化层117上。
第一平坦化层116可以具有平坦的顶表面，使得像素电极210可以形成为平坦的。第一平坦化层116可以包括(例如，是)有机材料，并且可以形成为单层或多层。第一平坦化层116可以包括(例如，是)诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和/或聚苯乙烯(PS)的普通聚合物、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物、和/或其混合物。
有机发光二极管OLED在第一平坦化层116上。有机发光二极管OLED包括像素电极210、包含有机发光层222的中间层220和相对电极230。如图4中所示，有机发光显示设备还可以包括在第一平坦化层116上的第二平坦化层117。
第一平坦化层116具有暴露第一薄膜晶体管TFT1的第一源极电极S1和第一漏极电极D1中的任何一个的通孔，并且像素电极210可以通过通孔接触第一源极电极S1或第一漏极电极D1以电连接到第一薄膜晶体管TFT1。
像素电极210可以是透射电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极210可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和/或其化合物形成的反射膜，以及在反射膜上形成的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括(例如，是)氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。
像素限定层119可以在第一平坦化层116上。像素限定层119可以通过具有与每个子像素PX对应的开口119OP来限定子像素PX的发光区域。例如，开口119OP可以暴露像素电极210的至少中心部分。此外，像素限定层119可以通过增大像素电极210的边缘和像素电极210上的相对电极230之间的距离来防止或减少在像素电极210的边缘上产生电弧的发生。像素限定层119可以包括(例如，是)从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、和酚醛树脂之中选择的至少一种有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等形成。
间隔件SPC可以在像素限定层119上。间隔件SPC可以在多个显示元件之间。例如，间隔件SPC可以在第一子像素PX1和第二子像素PX2之间。间隔件SPC可以在远离基底100的方向上在像素限定层119上突出。例如，在一实施例中，间隔件SPC可以在像素限定层119上并且可以远离基底100和像素限定层119突出。
间隔件SPC可以是在掩模工艺期间防止或减少冲压的组件。当用密封基底密封间隔件SPC时，间隔件SPC可以支撑密封基底。在一实施例中，间隔件SPC可以配置为当向有机发光显示设备施加外部压力时保护有机发光二极管OLED等。在另一实施例中，间隔件SPC可以改变光路。例如，在一实施例中，间隔件SPC可以配置为改变从有机发光二极管OLED发射的光的光路。
间隔件SPC可以包括(例如，是)从聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂之中选择的至少一种有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等形成。在一些实施例中，可以通过利用半色调掩模的工艺由与像素限定层119的材料相同的材料并发地(例如，同时地)形成间隔件SPC。例如，在一实施例中，可以利用相同的材料并且通过利用半色调掩模的工艺来并发地(例如，同时地)形成间隔件SPC和像素限定层119。
有机发光二极管OLED的中间层220可以包括有机发光层222。有机发光层222可以包括(例如，是)包括荧光和/或磷光材料的有机材料以发出红光、绿光、蓝光或白光。中间层220可以包括在有机发光层222下的第一公共层221和/或在有机发光层222上的第二公共层223。
第一公共层221可以是单层或多层。例如，当第一公共层221包括(例如，是)聚合物材料时，第一公共层221可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括(例如，是)3,4-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)和/或聚苯胺(PANI)。当第一公共层221包括低分子量材料时，第一公共层221可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二公共层223是可选的。例如，当第一公共层221和有机发光层222包括(例如，是)聚合物材料时，可以形成(例如，可以包括)第二公共层223。第二公共层223可以是单层或多层。第二公共层223可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
对于显示区域DA中的每个子像素PX，可以布置中间层220的有机发光层222。例如，在一些实施例中，有机发光层222可以提供为多个部分，并且有机发光层222的每个部分可以对应于子像素PX。有机发光层222可以布置为与像素限定层119的开口119OP和/或像素电极210重叠。中间层220的第一公共层221和第二公共层223可以形成为单个主体。第一公共层221和第二公共层223可以布置在间隔件SPC上(例如，覆盖间隔件SPC)，并且可以在外围区域的一部分中。
相对电极230可以与多个有机发光二极管OLED一体地形成以对应于多个像素电极210。相对电极230可以包括(例如，是)具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可以包括(例如，是)包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)和/或其合金的透明或半透明层。在一实施例中，相对电极230还可以在包括上述材料的透明或半透明层上包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
来自后续工艺的增加光提取效率的覆盖层和/或保护相对电极230的LiF层等还可以布置在相对电极230上。
在本实施例中，第二电源线PL2可以提供在间隔件SPC下以与间隔件SPC重叠从而提供公共电源电压ELVSS，并且暴露第二电源线PL2的接触区域CA可以提供在间隔件SPC周围。接触区域CA可以提供为穿过像素限定层119的孔。
在本实施例中，第二电源线PL2可以与像素电极210隔开(例如，间隔开)，并且可以与像素电极210在相同的层上。第二电源线PL2可以由与像素电极210的材料相同的材料形成，并且可以与像素电极210同时形成。例如，第二电源线PL2可以包括(例如，是)由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或其化合物形成的反射膜，并且透明或半透明电极层可以形成在反射膜上。透明或半透明电极层可以包括(例如，是)从ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中选择的至少一种。
第二电源线PL2可以形成为与间隔件SPC重叠，并且与间隔件SPC对应的第一区域R1的面积可以大于间隔件SPC的面积。例如，第二电源线PL2的第一区域R1的宽度W1可以大于间隔件SPC的宽度W2。
第一公共层221、第二公共层223和/或相对电极230可以插入到接触区域CA中以连接到第二电源线PL2。
参考图5，由于间隔件SPC从基底100的上表面突出(例如，远离基底100的上表面突出)，所以间隔件SPC可能容易受到外部压力的影响。当外部压力OPr施加在间隔件SPC的上部时，压力可以施加到第一公共层221和/或第二公共层223以防止或减少电流流到间隔件SPC的上部(例如，在间隔件SPC的上部上流过，跨过间隔件SPC的上部流过等)。
当在间隔件SPC周围未形成接触区域CA时，第一公共层221和/或第二公共层223中的电阻可能会由于外部压力OPr而增加。结果，相邻的有机发光二极管OLED的亮度可能减小。
在本实施例中，第一公共层221和第二电源线PL2彼此连接的接触区域CA可以形成在间隔件SPC周围，以在间隔件SPC下形成电流路径CP。因此，即使外部压力OPr作用在间隔件SPC上，有机发光二极管OLED的亮度也不会降低。
如图3中所示，在一些实施例中，可以将接触区域CA提供为一个孔以围绕间隔件SPC。
在另一实施例中，如图6A中所示，接触区域CA可以包括多个接触孔CAH，使得多个接触孔CAH围绕间隔件SPC。在另一实施例中，如图6B中所示，接触区域CA可以仅布置在间隔件SPC的一个侧而不围绕间隔件SPC。
图7A是根据另一实施例的有机发光显示设备的截面图。在图7A中，与图4中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将不重复重复的描述。
参考图7A，根据一实施例的有机发光显示设备包括基底100、多个有机发光二极管OLED、间隔件SPC、为与间隔件SPC重叠的线的第二电源线PL2以及接触区域CA，有机发光二极管OLED的第一公共层221和第二电源线PL2在接触区域CA中彼此连接。
有机发光显示设备还可以包括在第一平坦化层116上的第二平坦化层117。因此，第二电源线PL2可以在第一平坦化层116和第二平坦化层117之间。在一些实施例中，第二平坦化层117在第一平坦化层116和有机发光二极管OLED之间。
第二电源线PL2可以包括(例如，是)包括Mo、Al、Cu和/或Ti等的导电材料，并且可以形成为包括(例如，是)如上所述的材料(例如，Mo、Al、Cu和/或Ti等)的单层或多层。例如，第二电源线PL2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二平坦化层117可以具有平坦的顶表面，使得像素电极210可以形成为平坦的。第二平坦化层117可以包括(例如，是)有机材料，并且可以形成为单层或多层。第二平坦化层117可以包括(例如，是)诸如BCB、聚酰亚胺、PMMA和/或PS的普通聚合物、包含酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物、和/或其混合物(例如，组合)。
有机发光二极管OLED在第二平坦化层117上。有机发光二极管OLED的像素电极210可以通过第一平坦化层116上的连接电极连接到第一薄膜晶体管TFT1。
在本实施例中，因为第二电源线PL2布置在与像素电极210不同的层上，所以第二电源线PL2的一部分可以与像素电极210重叠。
接触区域CA可以包括(例如，是)穿过像素限定层119和第二平坦化层117的孔，并且可以形成为暴露第二电源线PL2。第一公共层221、第二公共层223和/或相对电极230可以插入到接触区域CA中以连接到第二电源线PL2。因此，当将外部压力施加到间隔件SPC时，可以在间隔件SPC下形成电流路径。
图7B是根据另一实施例的显示区域DA的一部分的平面图。在图7B中，与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将不重复重复的描述。
参考图7B，当第二电源线PL2布置在与如图7A中所示的像素电极210不同的层上时，因为第二电源线PL2可以布置为与像素电极210重叠，所以第二电源线PL2可以提供为具有比间隔件SPC的宽度大的特定宽度。另外，第二电源线PL2可以在各种合适的方向上延伸。在一些实施例中，如图7B中所示，第二电源线PL2可以在第二方向(Y方向)上延伸。在另一实施例中，第二电源线PL2可以在第一方向(X方向)上延伸。在另一实施例中，第二电源线PL2可以以网格结构(例如，网格形状或图案)提供，其中在第一方向(X方向)和第二方向(Y方向)上延伸的线彼此连接(例如，交叉或相交)。
图8至图10是根据一些实施例的有机发光显示设备的截面图。在图8至图10中，与图7A中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且将不重复重复的描述。
参考图8至图10，根据一实施例的有机发光显示设备包括基底100、多个有机发光二极管OLED、间隔件SPC、为与间隔件SPC重叠的线的第二电源线PL2、以及接触区域CA，有机发光二极管OLED的第一公共层221和第二电源线PL2在接触区域CA中彼此电连接。
在本实施例中，第一公共层221和第二电源线PL2可以通过连接电极CM彼此连接。连接电极CM可以提供在与像素电极210的层相同的层中(例如，在与像素电极210的层相同的层上)，并且可以由与像素电极210的材料相同的材料形成。例如，连接电极CM可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或其化合物形成的反射膜，以及在反射膜上形成的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括(例如，是)ITO、IZO、ZnO(例如ZnO2)、In2O3、IGO和AZO中的至少一种。
在图8中，接触区域CA可以提供为暴露连接电极CM的孔。连接电极CM可以通过穿过第二平坦化层117的通孔VH连接到第二电源线PL2。连接电极CM布置为与间隔件SPC重叠，并且可以具有大于间隔件SPC的面积的面积。
在图9中，可以提供多个连接电极CM。例如，连接电极CM可以包括第一连接电极CM1和第二连接电极CM2。第一连接电极CM1可以通过穿过第二平坦化层117的第一通孔VH1连接到第二电源线PL2，并且第二连接电极CM2可以通过穿过第二平坦化层117的第二通孔VH2连接到第二电源线PL2。
关于图10，第二电源线PL2可以布置为仅与间隔件SPC的一部分重叠或根本不与间隔件SPC重叠。在本实施例中，因为有机发光二极管OLED的第一公共层221通过连接电极CM电连接到第二电源线PL2，所以间隔件SPC不需要整体上与第二电源线PL2重叠。在这种情况下，可以增加设计第二电源线PL2的自由度。
图11是根据另一实施例的有机发光显示设备的截面图。在图11中，与图4中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且在此将不重复其重复描述。
参考图11，有机发光显示设备可以包括密封基底300A，并且可以用密封基底300A密封多个有机发光二极管OLED。
密封基底300A布置为面对基底100，并且密封基底300A和基底100可以通过在外围区域PA中布置为围绕显示区域DA的密封剂接合(见图1)。
密封剂可以是无机材料。例如，密封剂可以是玻璃料。密封剂可以通过分配器或丝网印刷方法而施加。玻璃料通常是指粉末形式的玻璃原材料，但是在本公开中，玻璃料还可以指糊剂状态，在糊剂状态中诸如SiO2的主要材料包含激光或红外吸收剂(例如，吸收激光或红外光的材料)、有机接合剂和用于降低热膨胀系数的填料。通过经由干燥或烧制工艺去除有机接合剂和湿气可以固化糊剂状态中的玻璃料。激光或红外吸收剂可以包括(例如，是)过渡金属化合物。可以将激光用作热源，以固化密封剂并将基底100和密封基底300A接合。
当密封剂将基底100和密封基底300A接合时，密封剂可以防止或减少氧气和/或湿气等流入有机发光二极管OLED的发生，并且可以改善机械强度。
密封基底300A可以由诸如玻璃材料、陶瓷材料、塑料材料和/或金属材料的各种合适材料形成，该各种合适材料是透明的并且主要包含SiO2。触摸屏层、偏振层和窗口还可以布置在密封基底300A上。
当通过外部压力按压密封基底300A时，可以将压力施加到间隔件SPC。在这种情况下，可以抑制(例如，减小)间隔件SPC上的第一公共层221和第二公共层223的电流。在本实施例中，第一公共层221和第二电源线PL2彼此连接的接触区域CA提供在间隔件SPC的周围，以在间隔件SPC下提供电流路径。因此，尽管有外部压力，也可以提供高度可靠的有机发光显示设备。
图12是根据另一实施例的有机发光显示设备的截面图。在图12中，与图4中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且在此将不重复其重复描述。
参考图12，有机发光显示设备可以包括薄膜封装层300B，并且可以用薄膜封装层300B密封多个有机发光二极管OLED。
薄膜封装层300B可以覆盖显示区域DA并且延伸到显示区域DA的外部。薄膜封装层300B可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。例如，薄膜封装层300B可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310覆盖相对电极230，并且可以包括(例如，是)SiO2、SiNX和/或SiON。诸如覆盖层的其它层可以在第一无机封装层310和相对电极230之间。第一无机封装层310的形状沿着在第一无机封装层310下的(例如，相对电极230的)结构的形状形成(例如，对应于在第一无机封装层310下的(例如，相对电极230的)结构的形状)，并且因此第一无机封装层310的上表面可能不平坦。有机封装层320覆盖第一无机封装层310。然而，与第一无机封装层310不同，有机封装层320的上表面可以形成为总体上或基本上是平坦的。更详细地，有机封装层320的对应于显示区域DA的上表面可以是近似地或大约平坦的。有机封装层320可以包括(例如，是)聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。第二无机封装层330覆盖有机封装层320，并且可以包括(例如，是)SiO2、SiNX和/或SiON。
即使通过如上所述的多层结构在薄膜封装层300B中发生裂纹，裂纹也可能不连接在第一无机封装层310和有机封装层320之间，或者在有机封装层320和第二无机封装层330之间。以这种方式，可以防止、减少或最小化外部湿气和/或氧气进入显示区域DA的渗透路径的形成。触摸屏层、偏振层和窗口还可以布置在薄膜封装层300B上。
至此，已经描述了可以应用于本公开的实施例的实施例。这些实施例可以体现为单独的实施例或组合的实施例。
如上所述，根据实施例的有机发光显示设备包括在间隔件周围的公共层和公共电压线彼此连接的接触区域，从而即使当施加外部压力时减小或最小化对显示质量的影响。
应理解的是，在本文中描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，并且不应考虑为用于限制目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应考虑为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下在此处可以在形式和细节上进行各种适当的改变。

Claims (20)

1.一种有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备包括：
基底；
在所述基底上的多个有机发光二极管；
间隔件，布置在所述多个有机发光二极管之间并且远离所述基底的上表面突出；
导电层，与所述间隔件重叠；以及
接触区域，在所述间隔件的一侧暴露所述导电层，
其中，所述多个有机发光二极管的公共层和所述导电层通过所述接触区域彼此连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述接触区域围绕所述间隔件。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述导电层在与所述多个有机发光二极管的像素电极相同的层上，并且与所述像素电极间隔开。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述导电层是用于传输公共电源电压的线。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，当从平面图观察时，与所述间隔件对应的所述导电层的面积大于所述间隔件的面积。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述导电层在与所述多个有机发光二极管的像素电极不同的层上。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备，其中，所述导电层至少部分地与所述多个有机发光二极管的所述像素电极重叠。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备还包括在所述导电层下的第一线，
其中，所述导电层经由通孔连接到所述第一线。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，所述第一线配置为传输公共电源电压。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示设备，
其中，所述导电层包括第一连接电极和第二连接电极，并且
其中，所述第一连接电极通过第一通孔连接到所述第一线，并且所述第二连接电极通过第二通孔连接到所述第一线。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备还包括：
在所述基底上的薄膜晶体管；以及
第一平坦化层和第二平坦化层，布置并堆叠在所述薄膜晶体管和所述多个有机发光二极管之间，
其中，所述导电层在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述接触区域包括围绕所述间隔件的多个接触孔。
13.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备还包括像素限定层，所述像素限定层覆盖所述多个有机发光二极管的像素电极的边缘并且具有暴露所述像素电极的中心的开口，
其中，所述间隔件从所述像素限定层的上表面突出。
14.一种有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备包括：
基底；
在所述基底上的多个有机发光二极管；
像素限定层，覆盖每个所述有机发光二极管的像素电极的边缘并且暴露所述像素电极的中心部分；
间隔件，布置在所述多个有机发光二极管之间的所述像素限定层上并且从所述像素限定层的上表面突出；
第一线，与所述间隔件重叠；以及
接触区域，在所述间隔件的一侧暴露所述第一线，
其中，所述多个有机发光二极管的公共层和所述第一线通过所述接触区域彼此连接。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述接触区域围绕所述间隔件。
16.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述第一线在与所述多个有机发光二极管的所述像素电极相同的层上并且与所述像素电极间隔开。
17.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述第一线配置为传输公共电源电压。
18.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备还包括：
在所述基底上的薄膜晶体管；以及
第一平坦化层和第二平坦化层，布置并堆叠在所述薄膜晶体管和所述多个有机发光二极管之间，
其中，所述第一线在所述第一平坦化层和所述第二平坦化层之间。
19.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备还包括布置为面对所述基底的密封基底。
20.根据权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，所述有机发光显示设备还包括薄膜封装层，所述薄膜封装层布置为覆盖所述多个有机发光二极管，
其中，所述薄膜封装层包括依次堆叠的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
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