KR20190092579A - 박막 패키징 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 디스플레이 장치 - Google Patents
박막 패키징 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 디스플레이 장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 패키징된 소자의 일측에 교대로 적층된 복수의 무기 막층과 적어도 하나의 유기 막층을 포함하는 박막 패키징 구조체를 제공하며, 상기 복수의 무기 막층은 N매의 무기 막층을 포함하고, 내부에서 외부로 순차적으로 제 1 무기 막층 내지 제 N번째 무기 막층으로 배열되며, N≥2; 여기서, 적어도 상기 제 1 무기 막층의 굴절률은 내부에서 외부로 점진적으로 증가한다. 상기 박막 패키징 구조체는, 제 1 무기 막층은 패키징된 소자에 인접된 일부는 저온 또는 저 파워의 증착 방법에 의해 형성되며, 증착 동안, 패키징된 소자에 대한 손상을 감소시킬 수 있으며, 동시에 제 1 무기 막층은 패키징된 소자로에서 멀리 떨어진 제 N번째 층은 온도나 파워가 상대적으로 높은 증착 방법에 의해 굴절률이 높고, 결함이 적고, 밀도가 높은 무기 막층으로 형성하여, 패키징 구조체의 물과 산소에 대한 차단 성능을 높이고, 패키징 제품의 저장 수명을 크게 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로서, 특히 박막 패키징 구조체 및 이를 갖는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
패키징 기술은 유기 발광 다이오드(OLED)에 사용되는 통상적인 기술이다. 유기 발광 다이오드를 패키징하는 목적은 유기 발광 다이오드를 보호하기 위한 것이며, 특히 유기 발광 다이오드의 발광층을 물과 산소의 피해로부터 보호하기 위한 것이다. 일반적으로 유리분말을 사용한 패키징, 커버 플레이트 상에 건식 시트를 부착하여 패키징 처리하는 방법 등에 의해 유기 발광 다이오드를 패키징하여 물과 산소로부터 차단시키는 성능을 향상시킨다. 그러나, 이러한 패키징 구조체는 일반적으로 하드 스크린에서만 사용되며, 플렉시블 스크린에서는 사용할 수 없으므로 플렉시블 스크린 기술의 개발에 제한을 가져온다.
이를 감안하여, 본 출원은 물과 산소에 대한 차단 성능을 향상시키기 위한 박막 패키징 구조체를 제공한다. 또한, 본 출원은 이러한 박막 패키징 구조체를 갖는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 일측면에 따르면, 패키징된 소자의 일측에 교대로 적층된 복수의 무기 막층과 적어도 하나의 유기 막층을 포함하는 박막 패키징 구조체를 제공하며,
여기서, 상기 복수의 무기 막층은 N매의 무기 막층을 포함하고, 상기 N매의 무기 막층은 내부에서 외부로 순차적으로 제 1 무기 막층 내지 제 N번째 무기 막층으로 배열되며, N≥2;
여기서, 적어도 상기 제 1 무기 막층의 굴절률은 내부에서 외부로 점진적으로 증가한다.
일 실시예에서, 상기 제 1 무기 막층은 M매의 서브층을 포함하며; 상기 M매의 서브층은 내부에서 외부로 순차적으로 제 1 서브층 내지 제 M번째 서브층으로 배열되며, M≥2; 상기 제 1 무기 막층에서 M매의 서브층의 각 서브층의 굴절률은 제 1 서브층에서 제 M번째 서브층으로 점진적으로 증가한다.
일 실시예에서, 상기 제 1 무기 막층의 상기 M매의 서브층의 각 서브층의 두께는 상기 제 1 서브층에서 제 M번째 서브층으로 점진적으로 증가된다.
일 실시예에서, 상기 복수의 무기 막층에서의 각각 무기 막층의 굴절률은 내부에서 외부로 점진적으로 증가한다.
일 실시예에서, 상기 패키징 구조체의 상기 복수의 무기 막층의 각각 무기 막층의 굴절률은 제 1 무기 막층에서 제 N번째 무기 막층으로 점진적으로 증가한다.
일 실시예에서, 상기 박막 패키징 구조체의 상기 복수의 무기 막층에서, 상기 패키징된 소자로부터 가장가까운 무기 막층은 제 1 무기 막층이다.
일 실시예에서, 상기 제 1 무기 막층의 굴절률의 범위는 1.45~1.91이다.
일 실시예에서, 상기 제 1 무기 막층의 제 1 서브층의 굴절률의 범위는 1.45~1.81이다.
일 실시예에서, 상기 박막 패키징 구조체의 상기 복수의 무기 막층에서 상기 패키징된 소자로부터 가장 먼 무기 막층이 제 N번째 무기 막층이고, 상기 제 N번째 무기 막층의 굴절률의 범위는 1.63~1.91이다.
본 발명의 다른 일측면에 따라, 기판, 디스플레이 소자, 및 전술한 바와 같은 박막 패키징 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
상기 박막 패키징 구조체는, 패키징된 소자의 일측에 배치된 복수의 교대로 적층된 무기 막층과 유기 막층을 포함하며, 적어도 제 1 무기 막층의 굴절률이 내부에서 외부로 점진적으로 증가하도록 설치되고, 제 1 무기 막층은 패키징된 소자에 인접된 일부는 온도나 파워가 보다 낮은 증착 방법에 의해 형성되어, 증착 동안 패키징된 소자에 대한 손상을 감소시킬 수 있고, 동시에 제 1 무기 막층은 패키징된 소자에서 멀리 떨어진 일부는 온도나 파워가 상대적으로 높은 증착 방법에 의해 굴절률이 높고, 결함이 적고, 밀도가 높은 무기 막층으로 형성되어, 패키징 구조체의 물과 산소에 대한 차단 성능을 높이고 패키징 제품의 저장 수명을 크게 향상시킬 수 있다.
본 출원의 실시예 또는 종래 기술의 기술적 방안을 보다 명확히 설명하기 위해, 이하에서 실시예에 사용된 도면을 간단하게 설명하고, 이하 첨부된 도면은 단지 본 발명의 일부 실시예일뿐이며, 당업자는 상기 도면에 따라 다른 도면을 얻을 수 있는 것으로 이해해야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 제시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 박막 패키징 구조체의 구조를 제시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 박막 패키징 구조체의 구조를 제시하는 도면이다.
도 4는 비교예 1에 따른 박막 패키징 구조체의 구조를 제시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구조를 제시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 박막 패키징 구조체의 구조를 제시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 2에 따른 박막 패키징 구조체의 구조를 제시하는 도면이다.
도 4는 비교예 1에 따른 박막 패키징 구조체의 구조를 제시하는 도면이다.
본 발명의 목적, 기술적 해결책 및 장점에 대한 이해를 더 명확히 하기 위해, 이하에서, 실시예 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 박막 패키징 구조체 및 이를 갖는 디스플레이 장치를 더 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기술된 구체적인 실시예는 단지 본 발명의 예시일 뿐이며 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다.
도 1~4를 참조하면, 본 발명의 박막 패키징 구조체는 디스플레이 소자(예를 들어, OLED 소자)와 같은 패키징된 소자의 일측에 교대로 적층된 복수의 무기 막층과 적어도 하나의 유기 막층을 포함하며, 복수의 무기 막층은 N매의 무기 막층을 포함하고, 상기 N매의 무기 막층은 내부에서 외부로 순차적으로 제 1 내지 제 N번째 무기 막층으로 배열되며, N≥2이다. 여기서, 적어도 제 1 무기 막층의 굴절률은 내부에서 외부로 점진적으로 증가한다.
굴절률은 무기 막층의 품질과 연관되며, 박막이 고밀도 일수록 굴절률이 높아지고 물과 산소에 대한 차단 성능이 높아질 수 있다. 패키징된 소자에 인접된 패키징된 소자 일측의 제 1 무기 막층의 굴절률은 내부에서 외부로 점진적으로 증가되고, 제 1 무기 막층은 패키징된 소자에 인접된 일부는 온도 또는 파워가 보다 낮은 증착 방법에 의해 형성되어, 증착 동안 패키징된 소자에 대한 손상을 감소시킬 수 있고, 제 1 무기 막층은 패키징된 소자에서 멀리 떨어진 일부는 온도가 상대적으로 높은 증착 방법에 의해 형성될 수 있어, 무기 막층의 이 부분은 더 높은 굴절률, 더 적은 결함, 더 높은 밀도를 갖게 됨으로써, 패키징 구조체의 물과 산소에 대한 차단 성능이 높아져, 패키징 제품의 저장 수명을 크게 향상시킬 수 있다.
제 1 무기 막층을 증착할 때, 증착 동안 온도가 지나치게 높은 경우, 패키징된 소자는 손상될 수 있으며, 온도가 지나치게 낮은 경우, 증착된 원자단은 이동을 위한 충분한 에너지를 갖지 못하고, 결함이 많다. 본 발명에서, 우선 패키징된 소자에 인접된 굴절률이 상대적으로 낮은 제 1 무기 막층을 패키징된 소자 상에 증착시키고, 예를 들어 30℃ ~ 60℃의 보다 낮은 온도 조건에서 형성될 수 있고, 또한 장치 상태에 따라 보다 낮은 파워로 설정하여 형성되기 때문에, 패키징된 소자에 대한 손상을 감소시킬 수 있고, 동시에, 패키징된 소자에 인접하여 형성된 제 1 무기 막층은 패키징된 소자를 커버할 수 있으므로, 다음 단계에서 증착하게 될 무기 막층을 위해 보다 좋은 인터페이스 환경을 제공하며, 후속 단계에서 더 높은 온도로 증착시킴으로써 보다 높은 굴절률을 갖는 제 1 무기 막층의 제조에 유리하며, 굴절률이 보다 높은 제 1 무기 막층은 더 높은 밀도, 더 적은 결함을 갖게 되어, 물과 산소에 대한 차단 성능이 더욱 향상된다.
여기서, 증착에 의해 제 1 무기 막층을 형성하는 방법은 마그네트론 스퍼터링법, 원자층 증착법, 전자빔 증착법 또는 플라즈마 강화 화학증기증착법 등 일 수 있다. 선택적으로, 일 실시예에서, 제 1 무기 막층은 M매의 서브층을 포함하고, M매의 서브층은 내부에서 외부로 순차적으로 제 1 서브층 내지 제 M번째 서브층으로 배열되며, M≥2이다. 제 1 무기 막층의 굴절률은 제 1 서브층에서 제 M번째 서브층으로 점진적으로 증가한다. 나머지 무기 막층들은 상기와 같은 방법으로 구성될 수 있다.
패키징 프로세스에 따르면, 상대적으로 낮은 굴절률을 갖는 제 1 서브층은 일반적으로 패키징된 소자에 대해 보다 적은 손상을 가져다 주는 프로세스에 의해 제조된다. 제 1 서브층은 제 1 패키징 막으로서, 보다 낮은 파워 및 보다 낮은 온도 등의 파라미터를 갖은 낮은 데미지 프로세스를 사용하기 때문에 패키징된 소자에 대한 손상을 감소시킬 수 있다.
굴절률이 증가된 제 2 서브층은 굴절률이 보다 낮은 균질 막층인 제 1 서브층 상에 적층된다. 제 2 서브층과 제 1 서브층은 균질 막층이기 때문에, 서로의 막층 구조는 보다 매치되어 보다 높은 결합력을 나타내며; 제 2 서브층은 보다 높은 파워 및 보다 높은 온도 등의 파라미터들을 사용한 프로세스에 의해 제조됨으로써, 박막의 품질을 향상시켜, 굴절률이 보다 높은 제 2 서브층의 내부 결함을 줄임으로써, 제 2 서브층은 보다 높은 밀도를 갖고, 물과 산소에 대한 차단 성능도 보다 향상된다. 제 2 서브층은 보다 높은 파워 및 보다 높은 온도에 의해 제조되지만, 제 1 서브층은 패키징된 소자를 보호하는 역할을 하기 때문에, 제 2 서브층을 증착하는 과정에서 패키징된 소자를 손상시키지 않는다. 따라서, 제 1 서브층 및 제 2 서브층의 결합에 의해 물과 산소에 대한 차단 성능을 향상시킬 수 있고, OLED 소자에 대한 손상을 피할 수 있다.
마찬가지로, 굴절률이 점진적으로 증가하는 제 3 서브층 내지 제 M번째 서브층은 순차적으로 교대로 적층되도록 증착되고, 증착 과정의 온도 및 파워는 보다 더 높아지도록 조절하여, 고품질의 막층을 얻고, 물과 산소에 대한 차단 성능을 더욱 향상시킨다.
다단계 증착법에 의해, 제 1 서브층 내지 제 M번째 서브층은 점진적으로 굴절률이 증가하는 균질 박막으로 형성되어, 각 서브층의 결함의 확산 및 확장을 효과적으로 방지할 수 있고, 막층의 굴절률이 높아질수록 밀도도 높아지지만, 내부 응력은 점차적으로 감소한다.
선택적으로, 박막 패키징 과정에서, 다단계 증착법에 의해 무기 재료를 제공하고, 증착 조건을 점차적으로 변화시켜 동일 무기 재료의 굴절률을 점차 증가시킬 경우, 밀도는 점차적으로 높아지고, 내부 결함은 줄어듦으로써, 제 1 무기 막층의 굴절률을 내부에서 외부로 점차적으로 증가시킨다.
선택적으로, 무기 재료는 SiOx, SiNx, TiO2, Al2O3로 이루어진 군으로부터 선택된 임의의 하나, 또는 이들의 혼합물이다.
예를 들어, 박막 패키징 과정에서, 먼저 패키징된 소자의 일측에 화학기상성장법(Chemical vapor deposition， CVD)을 사용하여 무기 재료를 증착시키고, 버퍼층으로서 보다 낮은 굴절률을 갖는 제 1 서브층을 형성한 후, 고굴절률의 제 2 서브층으로 굴절률이 보다 높은 균질 박막을 형성한다. 여기서, 굴절률이 보다 낮은 제 1 막층은 저온 및 저파워 프로세스로서 50℃ 온도 및 300W 파워를 사용하여 형성되어, 밑층에 위치한 OLED 소자에 대한 손상을 감소시킨다. 굴절률이 보다 높은 제2층의 막층은 고온 및 고파워 프로세스로서 80℃ 온도 및 800W 파워를 사용하여 형성되어, 제 2 막층의 품질을 개선시킨다. 선택적으로, 일 실시예에 따르면, 제 1 서브층부터 제 M번째 서브층까지의 두께는 점진적으로 증가한다. 두께의 점진적인 증가에 의해 높은 굴절률, 고밀도를 갖는 막층이 두꺼워지는 것을 확보할 수 있고, 물과 산소에 대한 차단 효과가 보다 우수하다.
선택적으로, 일 실시예에 따르면, 박막 패키징 구조체에서 각 무기 막층의 굴절률은 모두 내부에서 외부로 점진적으로 증가한다.
예를 들어, 박막 패키징는 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층, 제 1 유기 막층 및 제 2 무기 막층을 포함한다. 제 1 무기 막층의 굴절률은 내부에서 외부로 점진적으로 증가하고, 제 2 무기 막층의 굴절률은 또한 내부에서 외부로 점진적으로 증가한다.
제 2 무기 막층은 제 1 서브층 및 제 2 서브층을 포함하며, 제 1 서브층의 굴절률이 제 2 서브층의 굴절률보다 작다. 따라서, 제 1 서브층은 보다 낮은 굴절률을 갖고, 제 1 유기 막층에 대한 손상을 감소시키기 위해 상대적으로 낮은 온도 또는 낮은 파워를 갖는 프로세스 조건하에서 증착될 수 있다. 제 2 서브층은 보다 높은 굴절률을 갖고, 보다 높은 온도 또는 높은 파워로 증착하여 형성되지만, 제 1 유기 막층을 손상시키지 않는다. 또한, 제 2 서브층은 보다 높은 온도 및 높은 파워에 의해 형성되고, 제 1 서브층을 버퍼층으로 사용할 경우, 제 2 서브층은 적은 결함, 보다 높은 밀도를 갖게 되어, 물과 산소에 대한 차단 성능이 더 향상된다. 또한, 제 2 서브층은 패키징 구조체의 표면에 위치하기 때문에, 높은 굴절률, 고밀도 및 물과 산소에 대한 차단 성능이 높은 박막층으로 구성되어야 한다.
모든 무기 막층의 굴절률은 내부에서 외부로 점진적으로 증가되는 것은, 다시 말해, 패키징 구조체 표면에 보다 가까운 막층의 굴절률이 높아질수록 물과 산소에 대한 차단 성능이 높아져, 패키징 구조체의 수명 연장에 유리해 진다.
선택적으로, 일 실시예에 따르면, 패키징 구조체의 굴절률은 제 1 무기 막층에서 제 N번째 무기 막층으로 점진적으로 증가한다.
선택적으로, 일 실시예에 따르면, 박막 패키징 구조체의 복수의 무기 막층에서, 패키징된 소자로부터 가장 가까운 무기 막층은 제 1 무기 막층이다. 제 1 무기 막층의 제 1 서브층의 굴절률이 낮으며, 일반적으로 낮은 데미지 프로세스로서 저파워 및 저온도 등의 파라미터를 사용하여 제조되기에, 제 1 무기 막층을 제조하는 과정에서 패키징된 소자에 대한 손상을 감소시킬 수 있다.
선택적으로, 일 실시예에 따르면, 제 1 무기 막층의 굴절률의 범위는 1.45~1.91이다.
선택적으로, 일 실시예에 따르면, 제 1 무기 막층의 제 1 서브층의 굴절률의 범위는 1.45~1.8이다. 선택적으로, 제 1 무기 막층의 제 1 서브층을 증착하는 온도의 범위는 30~60℃이고, 증착 파워는 장치의 실제 조건에 의해 결정되며, 보다 낮은 파워를 사용하여 증착시킨다.
선택적으로, 일 실시예에 따르면, 박막 패키징 구조체의 복수의 무기 막층에서, 상기 패키징된 소자로부터 가장 먼 무기 막층은 제 N번째 무기 막층이고, 제 N번째 무기 막층의 굴절률의 범위는 1.63~1.90이다.
도 1을 계속 참조하면, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 기판(10), 디스플레이 소자(20) 및 박막 패키징 구조체를 포함한다. 디스플레이 장치(20)은 패키징된 소자이다. 박막 패키징 구조체는 기판(10)에서 멀리 떨어진 디스플레이 소자(20)의 일측에 배치되고, 디스플레이 소자(20)을 패키징하도록 구성된다. 박막 패키징 구조체는 디스플레이 소자(20)의 일측에 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층(110), 제 1 유기 막층(210), 제 2 무기 막층(120) 및 제 2 유기 막층(220)을 포함한다.
실시예
1
도 2를 참조하면, 본 실시예의 박막 패키징 구조체는 패키징된 소자의 일측에 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층(110), 제 1 유기 막층(210) 및 제 2 무기 막층(120)을 포함한다.
여기서, 제 1 무기 막층(110)은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 1무기 막층의 제 1 서브층(111), 및 제 1 무기 막층의 제 2 서브층(112)로 구성되며, 제 1 무기 막층의 제 1 서브층(111), 및 제 1 무기 막층의 제 2 서브층(112)의 굴절률은 각각 1.78, 1.85이고, 두께는 각각 200nm，800nm이다.
제 2 무기 막층(120)은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 2 무기 막층의 제 1 서브층(121), 및 제 2 무기 막층의 제 2 서브층(122)로 구성되며, 제 2 무기 막층의 제 1 서브층(121), 및 제 2 무기 막층의 제 2 서브층(122)의 굴절률은 각각 1.79, 1.85이고, 두께는 각각 200nm，800nm이다.
본 실시예에 따른 박막 패키징 구조체에 의해 패키징된 디스플레이 장치는 60℃의 고온 및 90H의 고습도의 시험 조건 하에서 측정하였으며, 저장 수명은 760h보다 길다.
실시예
2
도 3을 참조하면, 본 실시예의 박막 패키징 구조체는 패키징된 소자의 일측에 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층(110), 제 1 유기 막층(210) 및 제 2 무기 막층(120)을 포함한다.
여기서, 제 1 무기 막층(110)은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 1무기 막층의 제 1 서브층(111), 제 1 무기 막층의 제 2 서브층(112), 제 1 무기 막층의 제 3 서브층(113)으로 구성되며, 제 1 무기 막층의 제 1 서브층(111), 제 1 무기 막층의 제 2 서브층(112), 제 1 무기 막층의 제 3 서브층(113)의 굴절률은 각각 1.76, 1.83, 1.85이고, 두께는 각각 100nm，400nm，500nm이다.
제 2 무기 막층(120)은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 2 무기 막층의 제 1 서브층(121), 제 2 무기 막층의 제 2 서브층(122), 및 제 2 무기 막층의 제 3 서브층(123)으로 구성되며, 제 2 무기 막층의 제 1 서브층(121), 제 2 무기 막층의 제 2 서브층(122), 제 2 무기 막층의 제 3 서브층(123)의 굴절률은 각각 1.76, 1.83, 1.87이고, 두께는 각각 100nm，400nm，500nm이다.
본 실시예에 따른 박막 패키징 구조체에 의해 패키징된 디스플레이 장치는 60℃의 고온 및 90H의 고습도의 시험 조건 하에서 측정되었으며, 저장 수명은 870h보다 길다.
실시예
3
본 실시예의 박막 패키징 구조체는 패키징된 소자의 일측에 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층, 제 1 유기 막층 및 제 2 무기 막층을 포함한다.
여기서, 제 1 무기 막층은 내부에서 외부로 순차적으로 질화규소로 이루어진 제 1 무기 막층의 제 1 서브층, 제 1 무기 막층의 제 2 서브층, 및 제 1 무기 막층의 제 3 서브층으로 구성되며, 제 1 무기 막층의 제 1 서브층, 제 1 무기 막층의 제 2 서브층, 제 3 무기 막층의 제 3 서브층의 굴절률은 각각 1.76, 1.83, 1.85이고, 두께는 각각 200nm，500nm，600nm이다.
제 2 무기 막층은 질화규소로 이루어진 단일 굴절률의 서브층이고, 굴절률은 1.87이며 두께는 1000nm 이다.
본 실시예에 따른 박막 패키징 구조체에 의해 패키징된 디스플레이 장치는 60℃의 고온 및 90H의 고습도의 시험 조건 하에서 측정되었으며, 저장 수명은 760h보다 길다.
실시예
4
본 실시예의 박막 패키징 구조체는 패키징된 소자의 일측에 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층, 제 1 유기 막층 및 제 2 무기 막층을 포함한다.
여기서, 제 1 무기 막층은 내부에서 질화규소로 이루어진 제 1 무기 막층의 제 1 서브층, 제 1 무기 막층의 제 2 서브층으로 구성되며, 제 1 무기 막층의 제 1 서브층, 제 1 무기 막층의 제 2 서브층의 굴절률은 각각 1.76, 1.80이고, 두께는 각각 500nm，600nm이다.
제 2 무기 막층은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 2 무기 막층의 제 1 서브층, 제 2 무기 막층의 제 2 서브층으로 구성되며, 제 2 무기 막층의 제 1 서브층, 제 2 무기 막층의 제 2 서브층의 굴절률은 각각 1.83, 1.87이고, 두께는 각각 500nm，600nm이다.
본 실시예에 따른 박막 패키징 구조체에 의해 패키징된 디스플레이 장치는 60℃의 고온 및 90H의 고습도의 시험 조건 하에서 측정되었으며, 저장 수명은 760h보다 길다.
비교예
1
도 4를 참조하면, 본 비교예의 박막 패키징 구조체는 패키징된 소자의 일측에 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층(110), 제 1 유기 막층(210) 및 제 2 무기 막층(120)을 포함한다.
여기서, 제 1 무기 막층(110)은 질화규소로 이루어진 단일 굴절률의 무기 막층이고, 굴절률은 균일하게 1.78이고, 두께는 제 1 실시예의 제 1 무기 막층과 동일하며, 모두 1000nm이다.
제 2 무기 막층(120)은 질화규소로 이루어진 단일 굴절률의 무기 층이고, 굴절률은 균일하게 1.78이고, 두께는 제 1 실시예의 제 2 무기 막층과 동일하고, 모두 1000nm이다.
본 비교예에 따른 박막 패키징 구조체에 의해 패키징된 디스플레이 장치는 60℃의 고온 및 90H의 고습도의 시험 조건 하에서 측정되었으며, 저장 수명은 240h이다.
비교예
2
본 비교예의 박막 패키징 구조체는 패키징된 소자의 일측에 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층, 제 1 유기 막층 및 제 2 무기 막층을 포함한다.
여기서, 제 1 무기 막층은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 1 무기 막층의 제 1 서브층, 제 1 무기 막층의 제 2 서브층으로 구성되며, 제 1 무기 막층의 제 1 서브층, 제 1 무기 막층의 제 2 서브층의 굴절률은 각각 1.85, 1.78이고, 두께는 각각 200nm，800nm이다.
제 2 무기 막층은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 2 무기 막층의 제 1 서브층, 제 2 무기 막층의 제 2 서브층으로 구성되며, 제 2 무기 막층의 제 1 서브층, 제 2 무기 막층의 제 2 서브층의 굴절률은 각각 1.85 및 1.79이고, 두께는 각각 200nm, 800nm이다.
본 비교예에 따른 박막 패키징 구조체에 의해 패키징된 디스플레이 장치는 60℃의 고온 및 90H의 고습도의 시험 조건 하에서 측정되었으며 저장 수명은 350h이다.
비교예
3
본 비교예의 박막 패키징 구조체는 패키징된 소자의 일측에 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층, 제 1 유기 막층 및 제 2 무기 막층을 포함한다.
여기서, 제 1 무기 막층은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 1 무기 막층의 제 1 서브층, 제 1 무기 막층의 제 2 서브층, 및 제 1 무기 막층의 제 3 서브층으로 구성되며, 제 1 무기 막층의 제 1 서브층, 제 1 무기 막층의 제 2 서브층, 제 1 무기 막층의 제 3 서브층의 굴절률은 각각 1.85, 1.83, 1.76이고, 두께는 각각 200nm，500nm，600nm이다.
제 2 무기 막층은 질화규소로 이루어진 단일 굴절률의 서브층이고, 굴절률은 1.87이고, 두께는 1000nm 이다.
본 비교예에 따른 박막 패키징 구조체에 의해 패키징된 디스플레이 장치는 60℃의 고온 및 90H의 고습도의 시험 조건 하에서 측정되었으며 저장 수명은 380h이다.
비교예
4
본 비교예의 박막 패키징 구조체는 패키징된 소자의 일측에 내부에서 외부로 순차적으로 적층된 제 1 무기 막층, 제 1 유기 막층 및 제 2 무기 막층을 포함한다.
여기서, 제 1 무기 막층은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 1 무기 막층의 제 1 서브층과 제 1 무기 막층의 제 2 서브층으로 구성되며, 제 1 무기 막층의 제 1 서브층, 제 1 무기 막층의 제 2 서브층의 굴절률은 각각 1.80, 1.76이고, 두께는 각각 600nm, 500nm이다.
제 2 무기 막층은 내부에서 외부로 질화규소로 이루어진 제 2 무기 막층의 제 1 서브층, 제 2 무기 막층의 제 2 서브층으로 구성되며, 제 2 무기 막층의 제 1 서브층, 제 2 무기 막층의 제 2 서브층의 굴절률은 각각 1.87, 1.83이고, 두께는 각각 600nm, 500nm이다.
본 실시예에 따른 박막 패키징 구조체에 의해 패키징된 디스플레이 장치는 60℃의 고온 및 90H의 고습도의 시험 조건 하에서 측정되었으며 저장 수명은 380h이다.
상기 개시된 내용에서 설명된 바와 같이, 하기 표 1은 본 발명의 실시예와 상이한 비교예의 저장 수명을 비교하며, 종래의 교대로 적층된 단일 굴절률의 무기 막층 및 유기 막층의 패키징 구조체와 비교하면, 패키징 두께가 동일할 경우, 본 발명에 따른 박막 패키징 구조체는 굴절률이 점진적으로 증가되는 서브층을 사용함으로써 무기 막층의 밀도를 높일 수 있고, 따라서, 굴절률이 점차적으로 증가되는 서브층의 응력이 점진적으로 감소되어 제품의 물과 산소에 대한 차단 성능을 크게 향상시킬 수 있고, 제품의 저장 수명을 연장시킬 수 있다.
표 1 실시예와 비교예의 응력 및 저장 수명의 비교
본 발명의 설명에서, 용어 '제 1' 및 '제 2'는 설명의 목적으로만 사용되었으며, 상대적 중요성을 나타내거나 암시하는 것으로서 해석되어서는 안 된다.
전술한 실시예는 본 발명의 몇몇 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이며, 그 설명은 보다 구체적이고 상세하지만, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않는다. 당업자는 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 이루어진 다양한 변화 및 수정이 본 발명의 청구범위에 속할 수 있는 것으로 이해해야 한다. 그러므로, 본 발명의 범위는 첨부된 청구 범위에 의해 결정된다.
Claims (10)
- 패키징된 소자의 일측에 교대로 적층된 복수의 무기 막층과 적어도 하나의 유기 막층을 포함하는 박막 패키징 구조체로서,
상기 복수의 무기 막층은 N매의 무기 막층을 포함하고, 상기 N매의 무기 막층은 내부에서 외부로 순차적으로 제 1 무기 막층 내지 제 N번째 무기 막층으로 배열되며, N≥2이고;
여기서, 적어도 상기 제 1 무기 막층의 굴절률은 내부에서 외부로 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 박막 패키징 구조체. - 제1항에 있어서,
상기 제 1 무기 막층은 M매의 서브층을 포함하며, 상기 M매의 서브층은 내부에서 외부로 순차적으로 제 1 서브층 내지 제 M번째 서브층으로 배열되고, M≥2며, 상기 제 1 무기 막층의 M매의 서브층의 각 서브층의 굴절률은 제 1 서브층에서 제 M번째 서브층으로 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 박막 패키징 구조체. - 제2항에 있어서,
상기 제 1 무기 막층의 상기 M매의 서브층의 각 서브층의 두께는 상기 제 1 서브층에서 제 M번째 서브층으로 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 박막 패키징 구조체. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 무기 막층에서의 각각 무기 막층의 굴절률은 내부에서 외부로 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 박막 패키징 구조체. - 제4항에 있어서,
상기 패키징 구조체의 상기 복수의 무기 막층의 각각 무기 막층의 굴절률은 제 1 무기 막층에서 제 N번째 무기 막층으로 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 박막 패키징 구조체. - 제2항 내지 제5항 중 어느 하나 항에 있어서,
상기 박막 패키징 구조체의 상기 복수의 무기 막층에서, 상기 패키징된 소자로부터 가장 가까운 무기 막층은 제 1 무기 막층인 것을 특징으로 하는 박막 패키징 구조체. - 제6항에 있어서,
상기 제 1 무기 막층의 굴절률의 범위는 1.45~1.91인 것을 특징으로 하는 박막 패키징 구조체. - 제7항에 있어서,
상기 제 1 무기 막층의 제 1 서브층의 굴절률의 범위는 1.45~1.81인 것을 특징으로 하는 박막 패키징 구조체. - 제2항 내지 제5항 중 어느 하나 항에 있어서,
상기 박막 패키징 구조체의 상기 복수의 무기 막층에서 상기 패키징된 소자로부터 가장 먼 무기 막층이 제 N번째 무기 막층이고, 상기 제 N번째 무기 막층의 굴절률의 범위는 1.63~1.91인 것을 특징으로 하는 박막 패키징 구조체. - 디스플레이 장치로서,
기판, 디스플레이 소자, 및 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 박막 패키징 구조체를 포함하는 디스플레이 장치.
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