KR20160082864A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성되고 화상을 구현하는 표시 소자를 구비하는 표시부; 상기 표시부 상에 형성되는 적어도 하나의 유기 봉지막; 및 상기 유기 봉지막과 인접하도록 형성되고, 상기 유기 봉지막과 가까운 영역의 굴절률이 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어진 영역의 굴절률보다 상기 유기 봉지막의 굴절률에 더 근접한 값을 갖도록 형성된 적어도 하나의 굴절률 제어 봉지막을 포함하는 표시 장치를 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode disPLay)가 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.
자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
그러나, 유기 발광 표시 장치는 외부의 수분이나 산소 등에 의해 열화되는 특성을 가지므로, 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위하여 유기 발광 소자를 밀봉한다.
최근, 유기 발광 표시 장치의 박형화 및/또는 플렉서블화를 위하여, 유기 발광 소자를 밀봉하는 수단으로 복수 개의 무기막 또는 유기막과 무기막을 포함하는 복수 개의 층으로 구성된 박막 봉지(TFE; thin film encaptulation)가 이용되고 있다.
그러나, 유기 발광층으로부터 방출되는 광이 다층의 박막 봉지를 통과하는 과정에서 광의 투과율이 감소됨으로써 표시 장치 전체의 효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 실시예들은 광 투과율이 향상된 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 형성되고 화상을 구현하는 표시 소자를 구비하는 표시부; 상기 표시부 상에 형성되는 적어도 하나의 유기 봉지막; 및 상기 유기 봉지막과 인접하도록 형성되고, 상기 유기 봉지막과 가까운 영역의 굴절률이 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어진 영역의 굴절률보다 상기 유기 봉지막의 굴절률에 더 근접한 값을 갖도록 형성된 적어도 하나의 굴절률 제어 봉지막을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절률 제어 봉지막의 굴절률은 상기 유기 봉지막과 가까운 영역으로부터 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어진 영역으로 갈수록 굴절률이 점진적으로 증가할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절률 제어 봉지막은 무기물을 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절률 제어 봉지막은 실리콘 산화물을 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시부 상에 형성되는 적어도 하나의 무기 봉지막을 더 포함하고, 상기 굴절률 제어 봉지막은 상기 유기 봉지막과 상기 무기 봉지막의 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절률 제어 봉지막의 굴절률은 상기 유기 봉지막에 인접한 영역으로부터 상기 무기 봉지막에 인접한 영역으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절률 제어 봉지막은 상기 무기 봉지막보다 얇은 것을 특징으로 할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 표시부 상에 형성되는 복수의 유기 봉지막을 포함하고, 상기 굴절률 제어 봉지막은 적어도 상기 복수의 유기 봉지막 중에서 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막의 사이에 배치되고, 상기 굴절률 제어 봉지막의 굴절률은, 상기 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막을 향하는 측면으로부터 중앙으로 갈수록 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절률 제어 봉지막은 제1 제어 봉지막 및 상기 제1 제어 봉지막과 인접하도록 형성되고 상기 제1 제어 봉지막보다 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어지도록 배치된 제2 제어 봉지막을 포함하고, 상기 제1 제어 봉지막의 굴절률은 상기 제2 제어 봉지막의 굴절률보다 상기 유기 봉지막의 굴절률에 근접한 값을 갖도록 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 제어 봉지막의 굴절률은 상기 제2 제어 봉지막의 굴절률보다 작은 값을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 제어 봉지막은 실리콘 산화물을 함유할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 제어 봉지막은 상기 제2 제어 봉지막보다 얇은 것을 특징으로 할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절률 제어 봉지막은 제3 제어 봉지막을 더 포함하고, 상기 제2 제어 봉지막은 제1 제어 봉지막과 상기 제3 제어 봉지막의 사이에 배치되고, 상기 제3 제어 봉지막의 굴절률은 상기 제2 제어 봉지막의 굴절률보다 작은 값을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시 장치는 상기 표시부 상에 형성되는 복수의 유기 봉지막을 포함하고, 상기 굴절률 제어 봉지막은 적어도 상기 복수의 유기 봉지막 중에서 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막의 사이에 배치되고, 상기 제1 제어 봉지막 및 상기 제3 제어 봉지막이 상기 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막에 각각 인접하도록 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3 제어 봉지막은 상기 제2 제어 봉지막보다 얇은 것을 특징으로 할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시 소자는 유기 발광 소자를 구비할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 실시예는, 기판 상에 화상을 구현하는 표시 소자를 구비하는 표시부를 형성하는 단계; 상기 표시부 상에 형성되는 적어도 하나의 유기 봉지막을 형성하는 단계; 및 상기 유기 봉지막과 인접하도록 배치되고, 상기 유기 봉지막과 가까운 영역의 굴절률이 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어진 영역의 굴절률보다 상기 유기 봉지막의 굴절률에 더 근접한 값을 갖는 적어도 하나의 굴절률 제어 봉지막을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법을 제공한다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절률 제어 봉지막을 형성하는 단계는, 증착 공정을 이용하여 진행하고, 상기 증착 공정의 진행 시 원료 기체의 종류 및 양을 제어하여 상기 굴절률 제어 봉지막의 굴절률이 상기 유기 봉지막과 가까운 영역으로부터 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어진 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하도록 하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 굴절률 제어 봉지막을 형성하는 단계는 제1 제어 봉지막 및 상기 제1 제어 봉지막과 인접하고 상기 제1 제어 봉지막보다 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어지도록 배치된 제2 제어 봉지막을 형성하는 단계를 구비하고, 상기 제1 제어 봉지막의 굴절률은 상기 제2 제어 봉지막의 굴절률보다 상기 유기 봉지막의 굴절률에 근접한 값을 갖고, 상기 제1 제어 봉지막 및 상기 제2 제어 봉지막은 증착 공정을 이용하여 연속으로 진행할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는, 봉지부 내에 경계막을 배치함으로써 봉지부의 광학 특성을 개선하고 외부로 방출되는 광의 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기존의 증착 공정을 그대로 이용하여 봉지부의 광학 특성을 개선함으로써 공정의 편의성을 높이는 동시에 공정 단가를 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 봉지부의 일 예를 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 굴절률 제어 봉지막의 유무에 따른 효과를 도시한 도이다.
도 4는 도 2의 봉지부를 포함하는 표시 장치에서 방출되는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5는 도 1의 표시 장치의 봉지부의 다른 예를 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치의 표시부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 봉지부의 일 예를 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 굴절률 제어 봉지막의 유무에 따른 효과를 도시한 도이다.
도 4는 도 2의 봉지부를 포함하는 표시 장치에서 방출되는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5는 도 1의 표시 장치의 봉지부의 다른 예를 도시한 단면도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치의 표시부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 명세서에서 사용되는 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분"위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명함에 있어 실질적으로 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 기판(100), 표시부(200) 및 봉지부(300)를 포함한다. 또한, 봉지부(300)는 유기 봉지막(312) 및 굴절률 제어 봉지막(313)을 포함한다.
기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 그러나, 기판(100)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 기판(100)을 형성하는 플라스틱 재는 절연성 유기물일 수 있는데, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물일 수 있다.
다른 한편으로, 화상이 기판(100)방향으로 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)인 경우에 기판(100)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 화상이 기판(100)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형(top emission type)인 경우에 기판(100)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(100)을 형성할 수 있다. 금속으로 기판(100)을 형성할 경우 기판(100)은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸, 인바(Invar) 합금, 인코넬(Inconel) 합금 및 코바(Kovar) 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
표시부(200)는 기판(100)상에 형성된다. 표시부(200)는 유기발광소자(OLED), 액정소자 기타 표시 소자를 구비하여 사용자가 인식할 수 있는 화상을 제공한다. 본 명세서에서는 편의상 유기발광소자를 구비하는 유기 발광 표시 장치로 한정하여 설명하기로 한다. 표시부(200)에 대한 구체적인 내용은 도 6을 참조하면서 후술하기로 한다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 봉지부의 일 예를 도시한 단면도이다.
도 1을 다시 참조하면, 표시부(200) 상에는 표시부(200)를 밀봉하기 위한 봉지부(300)가 형성되는데, 봉지부(300)는 표시부(200)의 상면뿐 아니라, 표시부(200)의 측면도 커버하도록 연장되어, 기판(100)의 일부와 접하도록 형성된다. 따라서, 외부의 산소 및 수분의 침투를 방지한다.
도 2를 참조하면, 봉지부(300)는 유기 봉지막(310) 및 굴절률 제어 봉지막(320)을 포함한다. 봉지부(300)는 복수의 유기 봉지막(310)을 포함할 수 있고, 굴절률 제어 봉지막(320)이 상기의 복수의 유기 봉지막(310) 중 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막의 사이에 적어도 하나 배치된다. 또한, 봉지부(300)는 적어도 하나의 무기 봉지막(322)을 더 포함할 수 있다.
선택적 실시예로서, 굴절률 제어 봉지막(320)은 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322)의 사이에 개재되도록 형성될 수 있는데, 예를 들면 봉지부(300)는 유기 발광 소자(200b)의 상부로부터 순차적으로 제1 굴절률 제어 봉지막(320), 제1 무기 봉지막(322), 제2 굴절률 제어 봉지막(320), 제1 유기 봉지막(310), 제3 굴절률 제어 봉지막(320), 제2 무기 봉지막(322), 제4 굴절률 제어 봉지막(320), 제2 유기 봉지막(310), 제5 굴절률 제어 봉지막(320), 제3 무기 봉지막(322), 제6 굴절률 제어 봉지막(320)을 포함할 수 있다. 즉, 유기발광소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 굴절률 제어 봉지막(320), 무기 봉지막(322), 굴절률 제어 봉지막(320), 유기 봉지막(310), 굴절률 제어 봉지막(320)의 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.
다른 실시예로서, 유기발광소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 굴절률 제어 봉지막(320), 제1 무기 봉지막(322), 제1 유기 봉지막(310), 제2 굴절률 제어 봉지막(320), 제2 무기 봉지막(322), 제2 유기 봉지막(310), 제3 굴절률 제어 봉지막(320)을 포함할 수 있다. 즉, 유기발광소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 굴절률 제어 봉지막(320), 무기 봉지막(322), 유기 봉지막(310), 굴절률 제어 봉지막(320)의 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.
이때, 유기발광소자(OLED)의 상부에 인접한 하부 유기 봉지막(310)은 그 위에 형성되는 상부 무기 봉지막(322)보다 면적을 좁게 할 수 있다. 다른 예로서, 하부 유기 봉지막(310)은 상부 무기 봉지막(322)에 의해 완전히 덮이도록 형성될 수 있다.
봉지부(300)는 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322) 사이에 굴절률 제어 봉지막(320)이 개재된다는 점만 다를 뿐, 유기 봉지막(310) 및 무기 봉지막(322)이 적어도 하나 이상 포함되는 통상의 박막 봉지 구조를 그대로 채용한다. 따라서, 봉지부(300)는 적어도 2개의 무기 봉지막(322) 사이에 적어도 하나의 유기 봉지막(310)이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 다른 예로서, 봉지부(300)는 적어도 2개의 유기 봉지막(310) 사이에 적어도 하나의 무기 봉지막(322)이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또 다른 예로서, 봉지부(300)는 적어도 2개의 무기 봉지막(322) 사이에 적어도 하나의 유기 봉지막(310)이 삽입된 샌드위치 구조 및 적어도 2개의 유기 봉지막(310) 사이에 적어도 하나의 무기 봉지막(322)이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수도 있다. 다만, 봉지부(300) 중 외부로 노출된 최상층은 투습을 방지하기 위하여 무기 봉지막(322)으로 형성될 수 있다.
이때, 유기 봉지막(310)의 굴절률은 무기 봉지막(322)의 굴절률보다 작은 값을 갖고, 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322) 사이에 개재되어 있는 굴절률 제어 봉지막(320)은 굴절률 제어 봉지막(320)의 두께 방향으로 연속적으로 굴절률이 변화하는 굴절률의 구배를 갖는다.
굴절률 제어 봉지막(320)의 굴절률은 유기 봉지막(310)과 가까운 영역으로부터 유기 봉지막(310)에서 멀리 떨어진 영역으로 갈수록 굴절률이 점진적으로 증가한다. 즉, 굴절률 제어 봉지막(320)의 굴절률은 유기 봉지막(310)에 인접한 영역으로부터 무기 봉지막(322)에 인접한 영역으로 갈수록 점진적으로 증가한다.
따라서, 굴절률 제어 봉지막(320)의 굴절률은 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막(310)을 향하는 굴절률 제어 봉지막(320)의 각각의 측면으로부터 중앙으로 갈수록 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 한다.
굴절률 제어 봉지막(320)이 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322) 사이에 배치됨으로써, 유기발광소자(OLED)로부터의 방출되는 광이 봉지부(300)를 통과할 때 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322)의 경계면에서 위 방출광의 일부가 반사되는 현상이 개선될 수 있다. 즉, 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322)의 굴절률의 차이로 인하여 양쪽 막의 경계면에서 발생하는 프레넬(Fresnel) 반사를 방지할 수 있도록 광이 통과하는 매질의 굴절률 차이를 점진적으로 변화하게 함으로써 반사로 인한 광 손실량을 줄이는 원리를 이용하는 것이다. 프레넬 반사란 하나의 매질에서 굴절률이 다른 매질로 광이 입사할 때 양쪽 매질의 굴절률 차이로 인해 그 경계면에서 광의 일부가 반사하는 현상으로, 양쪽 매질의 굴절률의 차이를 완만하게 조절하면 경계면에서의 광의 반사 현상을 어느 정도 줄일 수 있다. 따라서, 무기물과 유기물의 경계면에서의 반사도를 최소화할 수 있도록 무기물의 굴절률과 유기물의 굴절률 사이에서 점진적으로 증감하는 굴절률 구배를 갖는 굴절률 제어 봉지막(320)이 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322) 사이에 배치되는 것이다.
예를 들어, 무기 봉지막(322), 굴절률 제어 봉지막(320), 유기 봉지막(310)의 순으로 적층된 구조의 경우, 봉지막들의 두께 방향, 즉 발광 방향으로 굴절률이 제일 큰 무기 봉지막(322)으로부터 굴절률이 제일 작은 유기 봉지막(310)까지 굴절률이 점진적으로 감소하는 굴절률 구배가 형성된다. 이와 반대로, 유기 봉지막(310), 굴절률 제어 봉지막(320), 무기 봉지막(322)의 순으로 적층된 구조의 경우, 발광 방향으로 굴절률이 제일 작은 유기 봉지막(310)으로부터 굴절률이 제일 큰 무기 봉지막(322)까지 굴절률이 점진적으로 증가하는 굴절률 구배가 형성된다.
이하에서는, 상기와 같은 굴절률 구배를 갖는 굴절률 제어 봉지막(320)을 포함하는 봉지부(300)에서 광투과율이 향상되는 효과에 대하여 좀 더 상세하게 설명하기로 한다.
도 3은 도 2의 굴절률 제어 봉지막의 유무에 따른 효과를 도시한 도이고, 도 4는 도 2의 봉지부를 포함하는 표시 장치에서 방출되는 광의 파장에 따른 투과율 변화를 나타낸 그래프이다.
도 3의 (I)는 굴절률 제어 봉지막이 없는 봉지부의 박막 적층 구조를 도시하고 있고, 도 3의 (II)는 상기 (I)의 봉지부에 있어서 발광 방향으로 적층된 박막층들의 굴절률 구배 및 광의 반사 양상을 그래프로 도시하고 있다. 한편, 도 3의 (III)은 굴절률 제어 봉지막(320)이 있는 봉지부의 박막 적층 구조를 도시하고 있고, 도 3의 (IV)는 상기 (III)의 봉지부에 있어서 발광 방향으로 적층된 박막층들의 굴절률 구배 및 광의 반사 양상을 그래프로 도시하고 있다.
먼저 도 3의 (I) 및 도 5의 (II)를 참조하면, 굴절률 제어 봉지막이 없이 단순하게 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322)이 교대로 적층된 구조의 경우, 방출광(E)의 방사 방향으로 적층된 박막층들의 굴절률이 급격하게 변하는 계단형으로 형성된다. 따라서 굴절률이 작은 유기 봉지막(310)과 굴절률이 큰 무기 봉지막(322)의 경계면에서 방출광(E)의 방사 방향과 반대 방향으로 프레넬 반사에 의한 반사광(R)이 발생하여 표시 장치의 광투과율이 감소하게 된다.
이에 반하여, 도 3의 (III) 및 도 5의 (IV)에서 보는 바와 같이 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322) 사이에 굴절률 제어 봉지막(320)을 형성하는 경우, 방출광(E)의 방사 방향으로 적층된 박막층들의 굴절률 구배가 연속적으로 증감하는 포물선형으로 형성된다. 즉, 굴절률 제어 봉지막(320)의 굴절률이 방출광(E)의 방사 방향으로 연속적으로 증감하도록 형성됨으로써 굴절률 제어 봉지막(320)은 유기 봉지막(310)과 무기 봉지막(322)의 양쪽 매질의 급격한 굴절률 차이를 완화시켜주는 완충막의 역할을 하게 된다. 따라서, 굴절률 제어 봉지막(320)의 굴절률 구배를 최적화하면 프레넬 반사에 의한 방출광의 손실을 최소화할 수 있다.
도 4에서 도시된 바와 같이, 그래프 ①은 점진적으로 증감하는 굴절률 구배를 갖는 굴절률 제어 봉지막을 포함하는 봉지부의 투과율 분포를 나타내고, 그래프 ②는 이러한 굴절률 제어 봉지막이 없는 봉지부의 투과율 분포를 나타낸다.
즉, 방출광의 파장이 400nm 이상에서 굴절률 제어 봉지막을 포함하는 봉지부(그래프 ①)가 굴절률 제어 봉지막이 없는 봉지부(그래프 ②)에 비하여 광범위한 파장대에 걸쳐 투과율이 향상됨을 알 수 있다. 좀 더 상세하게는, 굴절률 제어 봉지막을 포함하는 봉지무를 적용함으로써, 표시 장치의 투과율이 방출광의 파장이 450nm에서 700nm인 범위에서 평균 70% 이상으로 될 수 있다.
한편, 다른 실시예로서, 굴절률을 제어하는 봉지막이 연속적인 굴절률 구배를 갖는 대신에 특정한 굴절률을 갖도록 하고, 이 굴절률을 제어하는 봉지막을 인접한 두 개의 유기 봉지막 사이에 복수 개 배치하는 것도 가능하다.
도 5는 도 1의 표시 장치의 봉지부의 다른 예를 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 봉지부(400)는 유기 봉지막(410) 및 복수 개의 막을 포함하는 굴절률 제어 봉지막(420)을 포함한다. 또한, 봉지부(400)는 복수 개의 유기 봉지막(410)을 포함할 수 있고, 굴절률 제어 봉지막(420)이 상기의 복수의 유기 봉지막(410) 중 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막의 사이에 배치된다.
굴절률 제어 봉지막(420)은 점진적으로 증감하는 굴절률 구배를 갖는 대신에, 프레넬 반사를 최소화할 수 있는 최적의 굴절률을 갖는 단일막이 복수 개 적층된 구조일 수도 있다.
굴절률 제어 봉지막(420)은 유기 봉지막(410)과 인접하도록 형성된 제1 제어 봉지막(421), 및 제1 제어 봉지막(421)과 인접하도록 형성되고 제1 제어 봉지막보다 유기 봉지막(410)에서 멀리 떨어지도록 배치된 제2 제어 봉지막(422)을 포함한다. 이때, 제1 제어 봉지막(421)의 굴절률은 제2 제어 봉지막(422)의 굴절률보다 유기 봉지막(410)의 굴절률에 근접한 값을 갖도록 형성되는데, 좀 더 상세하게는 제1 제어 봉지막(411)의 굴절률이 제2 제어 봉지막(412)의 굴절률보다 작은 값을 갖고, 유기 봉지막(410)의 굴절률이 제1 제어 봉지막(411)의 굴절률보다 작은 값을 갖는다.
또한, 굴절률 제어 봉지막(420)은 제3 제어 봉지막(423)을 더 포함할 수 있고, 제2 제어 봉지막(422)은 제1 제어 봉지막(421)과 제3 제어 봉지막(423) 사이에 배치된다. 이후 제3 제어 봉지막(423) 상부에는 새로운 유기 봉지막(410)이 배치될 수 있다. 제3 제어 봉지막(423)의 굴절률은 제2 제어 봉지막(422)의 굴절률보다 작은 값을 갖는다.
상기와 같이, 굴절률 제어 봉지막(420)은 복수의 유기 봉지막(410) 중에 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막(410)의 사이에 배치되고, 제1 제어 봉지막(421) 및 제3 제어 봉지막(423)이 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막(410)에 각각 인접하도록 배치된다.
따라서, 유기 봉지막(410), 제1 제어 봉지막(421), 제2 제어 봉지막(422), 제3 제어 봉지막(423), 새로운 유기 봉지막(410)의 순으로 적층된 구조의 경우, 봉지막들의 두께 방향, 즉 발광 방향으로 굴절률이 제일 작은 유기 봉지막(410)으로부터 굴절률이 제일 큰 제2 제어 봉지막(422)까지 굴절률이 점진적으로 증가하다가 다시 제3 제어 봉지막(423) 및 새로운 유기 봉지막(410)에서 굴절률이 점진적으로 감소하는 굴절률 구배가 형성된다.
한편, 굴절률 제어 봉지막(420)의 두께는 다음과 같이 정해질 수 있다. 즉, 굴절률 제어 봉지막(420)을 기준으로 하부막의 굴절률이 굴절률 제어 봉지막(420)의 굴절률보다 작으면, 굴절률 제어 봉지막(420)은 λ/2n(λ는 방출광의 파장, n은 굴절률 제어 봉지막의 굴절률)의 정수 배에 해당하는 두께로 형성된다. 예를 들면, 제1 제어 봉지막(421)의 경우, 제1 제어 봉지막(421)의 하부에 배치된 유기 봉지막(410)의 굴절률이 제1 제어 봉지막(421)의 굴절률보다 작으므로, 제1 제어 봉지막(421)의 두께는 λ/2n(λ는 방출광의 파장, n은 제1 제어 봉지막의 굴절률)의 정수 배가 된다.
이와 반대로, 굴절률 제어 봉지막(420)을 기준으로 하부막의 굴절률이 굴절률 제어 봉지막(420)의 굴절률보다 크면, 굴절률 제어 봉지막(420)은 λ/4n(λ는 방출광의 파장, n은 굴절률 제어 봉지막의 굴절률)의 정수 배에 해당하는 두께로 형성된다. 예를 들면, 제3 제어 봉지막(423)의 경우, 제3 제어 봉지막(423)의 하부에 배치된 제2 제어 봉지막(422)의 굴절률이 제3 제어 봉지막(423)의 굴절률보다 크므로, 제3 제어 봉지막(423)의 두께는 λ/4n(λ는 방출광의 파장, n은 제3 제어 봉지막의 굴절률)의 정수 배가 된다.
한편, 도 2 및 도 5의 봉지부(300, 400)에 있어서, 유기 봉지막(310, 410)은 유기고분자화합물로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리이미드(PI; polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 에폭시(epoxy), 폴리에틸렌(polyethylene) 및 폴리아크릴레이트 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 유기 봉지막(310, 410)은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2의 무기 봉지막(322)은 무기물인 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 바람직하게는, 무기 봉지막(322)은 실리콘 질화물과 실리콘 탄질화물 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
굴절률 제어 봉지막(320, 420) 또한 무기물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 바람직하게는, 굴절률 제어 봉지막(320, 420)은 실리콘 산화물로 형성될 수 있다. 이때, 도 5의 제2 제어 봉지막(422)의 경우, 도 2의 무기 봉지막(322)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 굴절률 제어 봉지막(320, 420)을 유기 봉지막(310, 410)의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 유기물로 형성하는 것도 가능하다.
도 2에서 보는 바와 같이, 굴절률 제어 봉지막(320)은 무기 봉지막(322)보다 두께가 더 작게 형성된다. 또한, 도 5에서도 마찬가지로, 제1 및 제3 제어 봉지막(421, 423)은 제2 제어 봉지막(422)보다 두께가 더 작게 형성된다. 그 이유는 유기 봉지막(310, 410)과 무기 봉지막(322, 422) 사이의 개재막으로서 기능하는 굴절률 제어 봉지막들(320, 421, 423)이 그 상부 또는 하부에 위치한 무기 봉지막(322, 422)보다 두꺼워지면 다층 박막으로 인한 간섭이 오히려 심해질 수 있고, 봉지부(300, 400)의 전체적인 적층 높이가 증가함으로 인해 표시 장치(10)의 박형화 및/또는 플렉서블화에 오히려 역행하는 결과를 낳을 수 있기 때문이다.
유기 봉지막(310, 410)는 봉지부(300, 400)의 박막들을 평탄화하고 유연성을 부여하는 기능적 측면과 모노머를 증착시킴으로써 형성되는 공정상의 한계로 무기 봉지막(322, 422)보다 두껍게 형성될 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 전술한 봉지부(300, 400)는 표시부(200) 상에 표시부(200)를 덮도록 형성된다. 표시부(200)는 기판(100) 상에 형성되며, 박막 트랜지스터(TFT)와 유기발광소자(OLED)를 구비할 수 있다. 이하에서는 도 6을 참조하여 표시부(200)를 좀 더 상세하게 설명하기로 한다.
도 6은 도 1의 표시 장치의 표시부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
전술한 바와 같이, 편의상 표시부가 유기발광소자(OLED)를 구비함으로써 화상을 제공하는 것으로 한정하여 설명하기로 한다.
기판(100)상에는 버퍼층(212)이 형성될 수 있다. 버퍼층(212)은 기판(100)을 통한 불순 원소의 침투를 방지하고, 기판(100) 상부에 평탄한 면을 제공하는 층으로서, 버퍼층(212)은 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(212)은 실리콘 옥사이드(SiOx; silicon oxide), 실리콘 나이트라이드(SiNx; silicon nitride), 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy; silicon oxynitride), 알루미늄옥사이드(aluminium oxide), 알루미늄나이트라이드(aluminium nitride), 티타늄옥사이드(titanium oxide) 또는 티타늄나이트라이드(titanium nitride) 등의 무기물이나, 폴리이미드(PI; polyimide), 폴리에스테르(polyester), 아크릴(acrylic) 등의 유기물을 함유할 수 있고, 예시한 재료들 중 복수의 적층체로 형성될 수 있다.
활성층(221)은 버퍼층(212) 상에서 실리콘과 같은 무기질 반도체나, 유기 반도체에 의해 형성될 수 있다. 활성층(221)은 소스 영역, 드레인 영역과 이들 사이의 채널 영역을 갖는다. 예를 들어, 비정질 실리콘을 사용하여 활성층(221)을 형성하는 경우, 비정질 실리콘층을 기판(100) 전면에 형성한 후 이를 결정화하여 다결정 실리콘층을 형성하고, 패터닝한 후 가장자리의 소스 영역 및 드레인 영역에 불순물을 도핑하여 소스 영역, 드레인 영역 및 그 사이의 채널 영역을 포함하는 활성층(221)을 형성할 수 있다.
활성층(221) 상에는 게이트 절연막(213)이 형성된다. 게이트 절연막(213)은 활성층(221)과 게이트 전극(222)을 절연하기 위한 것으로 SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
게이트 절연막(213) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(222)이 형성된다. 게이트 전극(222)은 박막 트랜지스터(TFT)의 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다.
게이트 전극(222)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo를 함유할 수 있고, Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 합금을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않고 설계 조건을 고려하여 다양한 재질로 형성할 수 있다.
게이트 전극(222) 상에 형성되는 층간 절연막(214)은 게이트 전극(222)과 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224) 사이의 절연을 위한 것으로, SiNx, SiO2 등과 같은 무기물로 형성할 수 있다.
층간 절연막(214)상에는 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)이 형성된다. 구체적으로, 층간 절연막(214) 및 게이트 절연막(213)은 활성층(221)의 소스 영역 및 드레인 영역을 노출하도록 형성되고, 이러한 활성층(221)의 노출된 소스 영역 및 드레인 영역과 접하도록 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)이 형성된다.
한편, 도 2는 활성층(221)과, 게이트 전극(222)과, 소스 전극(223) 및 드레인 전극(224)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 방식(top gate type)의 박막 트랜지스터(TFT)를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한하지 않으며, 게이트 전극(222)이 활성층(221)의 하부에 배치될 수도 있다.
이와 같은 박막 트랜지스터(200a)는 유기발광소자(200b)에 전기적으로 연결되어 유기발광소자(200b)를 구동하며, 평탄화막(215)으로 덮여 보호된다.
평탄화막(215)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있다. 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함되도록 할 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 또한, 평탄화막(215)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.
유기발광소자(200b)는 화소 전극(231), 중간층(232) 및 대향 전극(233)을 구비할 수 있다.
화소 전극(231)은 평탄화막(215)상에 형성되고, 평탄화막(215)에 형성된 컨택홀(230)을 통하여 드레인 전극(224)과 전기적으로 연결된다.
화소 전극(231)은 반사 전극일 수 있으며, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다.
화소 전극(231)과 대향되도록 배치된 대향 전극(233)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극층이나 버스 전극을 더 형성할 수 있다.
따라서, 대향 전극(233)은 중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광을 투과시킬 수 있다. 즉, 유기 발광층(미도시)에서 방출되는 광은 직접 또는 반사 전극으로 구성된 화소 전극(231)에 의해 반사되어, 대향 전극(233) 측으로 방출될 수 있다.
그러나, 본 실시예의 표시 장치(10)는 전면 발광형으로 제한되지 않으며, 유기 발광층(미도시)에서 방출된 광이 기판(100) 측으로 방출되는 배면 발광형일 수도 있다. 이 경우, 화소 전극(231)은 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향 전극(233)은 반사 전극으로 구성될 수 있다. 또한, 본 실시예의 표시 장치(10)는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
한편, 화소 전극(231)상에는 절연물로 화소 정의막(216)이 형성된다. 화소 정의막(216)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(216)은 화소 전극(231)의 소정의 영역을 노출하며, 노출된 영역에 유기 발광층을 포함하는 중간층(232)이 위치한다.
중간층(232)에 포함된 유기 발광층(미도시)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 중간층(232)은 유기 발광층(미도시) 이외에 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층을 선택적으로 더 포함할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다. 부호는 도2, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 동일하다.
맨 먼저 기판 상에 표시부(200)를 형성한다. 여기서 표시부(200)는 박막 트랜지스터 어레이를 형성한 후 그 위에 화소 전극(231)을 형성하고, 화소 전극(231) 상에 화소 정의막(109)을 형성한다. 화소 정의막(109)에 화소 전극(231)의 중앙부를 노출하는 소정의 개구부를 형성하고, 이 개구부로 한정된 영역에 빛을 발광하는 유기 발광층(미도시)을 증착함으로써 발광 영역이 정의된다. 이러한 과정은 앞서 설명하였고 일반적인 과정이므로 이에 대한 중복 기재는 생략한다.
다음으로 표시부(200) 상에 표시부(200)를 덮도록 봉지부(300, 400)를 형성한다. 봉지부(300, 400)와 유기발광소자(200b)의 사이에는 보호층(미도시)과 같은 별도의 층이 더 구비될 수 있지만, 밀봉 기판에 의한 밀봉 수단에서 요구되는 충진재 등은 요구되지 않는다.
먼저 도 2를 참조하면, 무기 봉지막(322)을 소정의 두께로 형성한 후, 그 위에 굴절률 제어 봉지막(320)을 형성하고, 굴절률 제어 봉지막(320) 위에 유기 봉지막(310)을 형성한다. 그리고 나서 상기의 유기 봉지막(310) 상에 다시 굴절률 제어 봉지막(320)이나 무기 봉지막(322)을 형성한다. 봉지부(300)를 형성함에 있어서, 전술한 무기 봉지막(322), 굴절률 제어 봉지막(320), 유기 봉지막(310)의 적층 순서는 수 회 반복될 수 있다. 또한, 표시부(200) 위에 무기 봉지막(322) 대신에 굴절률 제어 봉지막(320)을 제일 먼저 형성할 수도 있다.
다른 실시예로서, 도 5에서 보는 바와 같이, 먼저 표시부(200) 위에 제1 제어 봉지막(421)을 소정의 두께로 형성한 후, 그 위에 제2 제어 봉지막(422)을 형성하고, 제2 제어 봉지막(422) 위에 제3 제어 봉지막(423)을 형성한다. 그리고 나서 제3 제어 봉지막(423) 위에 유기 봉지막(410)을 형성한다. 이때, 제3 제어 봉지막(423)은 생략 가능하다.
상기의 굴절률 제어 봉지막(320, 420)은 증착 공정을 이용하여 형성하게 되는데, 이하에서는 굴절률 제어 봉지막(320, 420)을 형성하는 방법에 대하여 좀 더 상세하게 설명하기로 한다.
도 2의 굴절률 제어 봉지막(320)의 경우, 증착 공정의 진행 시 원료 기체의 종류 및 양을 제어하여 굴절률 제어 봉지막(320)의 굴절률이 유기 봉지막(310)과 가까운 영역으로부터 유기 봉지막(310)에서 멀리 떨어진 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하도록 형성한다.
굴절률 제어 봉지막(320) 및 무기 봉지막(322)은 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등의 화학적 기상 증착법에 의해 형성될 수 있다. 이때, 굴절률 제어 봉지막(320) 및 무기 봉지막(322)과 반응하는 기체는 SiH4, NH3, He 및 N2O 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 이러한 기체들을 적절히 조합함으로써 단일 공정으로 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 탄질화물 등이 자유롭게 증착될 수 있다
특히, 굴절률 제어 봉지막(320) 및 무기 봉지막(322)의 굴절률은 상기에 언급한 기체들의 조성에 따라 다르게 조절될 수 있다. 즉, SiH4, NH3, He 및 N2O의 조성비를 달리하여 챔버 내의 분위기를 형성하면, 증착 박막의 굴절률이 다양하게 조절될 수 있다. 특히 굴절률 제어 봉지막(320)은 1.0이상 2.5미만의 범위에서 연속적인 굴절률 구배를 갖도록 조절될 수 있는데, 하기 표 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 봉지부(300)의 굴절률 제어 봉지막(320) 및 무기 봉지막(322)을 형성함에 있어서 반응 기체의 조성비에 따른 증착 박막의 굴절률 측정 값을 나타낸 것이다.
| SiH4 (sccm) | NH3 (sccm) | He (sccm) | N2O (sccm) | 굴절률 |
| 0.5 | - | 25 | 40 | 1.44 |
| 4 | 4 | 25 | 40 | 1.53 |
| 4 | 4 | 25 | 10 | 1.62 |
| 0.5 | 6 | 25 | - | 1.75 |
| 9.5 | 4 | 25 | - | 2.12 |
전술한 과정은 도 5의 굴절률 제어 봉지막(420)을 형성할 때도 동일하게 적용될 수 있다.
한편, 봉지부(300, 400)를 구성하는 유기 봉지막(310, 410), 굴절률 제어 봉지막(320, 420) 및 무기 봉지막(322, 422)의 면적, 두께, 재질 등은 앞에서 설명하였으므로, 이에 대한 중복 기재는 생략한다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(10)는, 봉지부(300, 400) 내에 굴절률 제어 봉지막(320, 420)을 배치함으로써 봉지부(300, 400)의 광학 특성을 개선하고 외부로 방출되는 광의 투과율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(10)의 제조 방법은 기존의 증착 공정을 그대로 이용하여 봉지부(300, 400)의 광학 특성을 개선함으로써 공정의 편의성을 높이는 동시에 공정 단가를 절감할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 유기 발광 표시 장치
100: 기판
200: 표시부
300, 400: 봉지부
310, 410: 유기 봉지막
320, 420: 굴절률 제어 봉지막
322, 422: 무기 봉지막
100: 기판
200: 표시부
300, 400: 봉지부
310, 410: 유기 봉지막
320, 420: 굴절률 제어 봉지막
322, 422: 무기 봉지막
Claims (19)
- 기판;
상기 기판 상에 형성되고 화상을 구현하는 표시 소자를 구비하는 표시부;
상기 표시부 상에 형성되는 적어도 하나의 유기 봉지막; 및
상기 유기 봉지막과 인접하도록 형성되고, 상기 유기 봉지막과 가까운 영역의 굴절률이 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어진 영역의 굴절률보다 상기 유기 봉지막의 굴절률에 더 근접한 값을 갖도록 형성된 적어도 하나의 굴절률 제어 봉지막을 포함하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 굴절률 제어 봉지막의 굴절률은 상기 유기 봉지막과 가까운 영역으로부터 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어진 영역으로 갈수록 굴절률이 점진적으로 증가하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 굴절률 제어 봉지막은 무기물을 함유하는 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 굴절률 제어 봉지막은 실리콘 산화물을 함유하는 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 표시부 상에 형성되는 적어도 하나의 무기 봉지막을 더 포함하고,
상기 굴절률 제어 봉지막은 상기 유기 봉지막과 상기 무기 봉지막의 사이에 배치되는 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 굴절률 제어 봉지막의 굴절률은 상기 유기 봉지막에 인접한 영역으로부터 상기 무기 봉지막에 인접한 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하는 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 굴절률 제어 봉지막은 상기 무기 봉지막보다 얇은 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시 장치는 상기 표시부 상에 형성되는 복수의 유기 봉지막을 포함하고,
상기 굴절률 제어 봉지막은 적어도 상기 복수의 유기 봉지막 중에서 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막의 사이에 배치되고,
상기 굴절률 제어 봉지막의 굴절률은, 상기 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막을 향하는 측면으로부터 중앙으로 갈수록 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 굴절률 제어 봉지막은 제1 제어 봉지막 및 상기 제1 제어 봉지막과 인접하도록 형성되고 상기 제1 제어 봉지막보다 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어지도록 배치된 제2 제어 봉지막을 포함하고,
상기 제1 제어 봉지막의 굴절률은 상기 제2 제어 봉지막의 굴절률보다 상기 유기 봉지막의 굴절률에 근접한 값을 갖도록 형성된 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 제어 봉지막의 굴절률은 상기 제2 제어 봉지막의 굴절률보다 작은 값을 갖는 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 제어 봉지막은 실리콘 산화물을 함유하는 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 제1 제어 봉지막은 상기 제2 제어 봉지막보다 얇은 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 굴절률 제어 봉지막은 제3 제어 봉지막을 더 포함하고,
상기 제2 제어 봉지막은 제1 제어 봉지막과 상기 제3 제어 봉지막의 사이에 배치되고, 상기 제3 제어 봉지막의 굴절률은 상기 제2 제어 봉지막의 굴절률보다 작은 값을 갖는 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
상기 표시 장치는 상기 표시부 상에 형성되는 복수의 유기 봉지막을 포함하고,
상기 굴절률 제어 봉지막은 적어도 상기 복수의 유기 봉지막 중에서 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막의 사이에 배치되고,
상기 제1 제어 봉지막 및 상기 제3 제어 봉지막이 상기 서로 인접한 두 개의 유기 봉지막에 각각 인접하도록 배치되는 표시 장치. - 제13 항에 있어서,
상기 제3 제어 봉지막은 상기 제2 제어 봉지막보다 얇은 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시 소자는 유기 발광 소자를 구비하는 표시 장치. - 기판 상에 화상을 구현하는 표시 소자를 구비하는 표시부를 형성하는 단계;
상기 표시부 상에 형성되는 적어도 하나의 유기 봉지막을 형성하는 단계; 및
상기 유기 봉지막과 인접하도록 배치되고, 상기 유기 봉지막과 가까운 영역의 굴절률이 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어진 영역의 굴절률보다 상기 유기 봉지막의 굴절률에 더 근접한 값을 갖는 적어도 하나의 굴절률 제어 봉지막을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 굴절률 제어 봉지막을 형성하는 단계는,
증착 공정을 이용하여 진행하고,
상기 증착 공정의 진행 시 원료 기체의 종류 및 양을 제어하여 상기 굴절률 제어 봉지막의 굴절률이 상기 유기 봉지막과 가까운 영역으로부터 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어진 영역으로 갈수록 점진적으로 증가하도록 하는 것을 특징으로 하는 표시 장치 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 굴절률 제어 봉지막을 형성하는 단계는 제1 제어 봉지막 및 상기 제1 제어 봉지막과 인접하고 상기 제1 제어 봉지막보다 상기 유기 봉지막에서 멀리 떨어지도록 배치된 제2 제어 봉지막을 형성하는 단계를 구비하고,
상기 제1 제어 봉지막의 굴절률은 상기 제2 제어 봉지막의 굴절률보다 상기 유기 봉지막의 굴절률에 근접한 값을 갖고,
상기 제1 제어 봉지막 및 상기 제2 제어 봉지막은 증착 공정을 이용하여 연속으로 진행하는 표시 장치 제조 방법.
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