KR20140129770A - 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법 - Google Patents

플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140129770A
KR20140129770A KR20130048501A KR20130048501A KR20140129770A KR 20140129770 A KR20140129770 A KR 20140129770A KR 20130048501 A KR20130048501 A KR 20130048501A KR 20130048501 A KR20130048501 A KR 20130048501A KR 20140129770 A KR20140129770 A KR 20140129770A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tablet
oxide
pressure
thin film
tin
Prior art date
Application number
KR20130048501A
Other languages
English (en)
Inventor
김훈
박진우
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR20130048501A priority Critical patent/KR20140129770A/ko
Priority to US13/968,352 priority patent/US9196464B2/en
Priority to CN201310475990.XA priority patent/CN104131255A/zh
Publication of KR20140129770A publication Critical patent/KR20140129770A/ko
Priority to US14/875,614 priority patent/US10186403B2/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/007After-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/086Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C23C14/30Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3423Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3426Material
    • H01J37/3429Plural materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3464Sputtering using more than one target
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991Coated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1압력에서 제1승화점을 갖는 제1물질을 포함하는 제1부분; 및 상기 제1부분의 상면에 위치하여, 상기 제1압력에서 제2용융점을 갖는 제2물질을 포함하는 제2부분; 을 포함하며, 상기 제2용융점은 상기 제1승화점보다 낮은, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 제공한다.

Description

플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법 {TABLET FOR PLASMA COATING SYSTEM, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM USING THE SAME}
본 발명의 일 실시예는 박막을 형성하는 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 자발광형 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 포함할 수 있다. 이러한 유기 발광 소자는 수분 및 산소에 의해 쉽게 열화 된다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 수분 및 산소로부터 밀봉시키기 위한 밀봉 구조를 포함한다. 밀봉 구조는 박막 봉지로 이루어질 수 있다. 이러한 박막 봉지는 무기물로 형성될 수 있으며, 무기물은 다양한 방식으로 성막될 수 있다. 그런데, 플라즈마 코팅 시스템을 이용하여 박막 봉지를 형성할 때, 무기물의 승화 과정에서 발생하는 재(ash), 파티클 및 비산 물질이 함께 성막되어 박막 봉지의 신뢰성을 하락시키는 문제가 발생하고 있다.
본 발명의 일 실시예는 신뢰성 높은 박막을 형성하기 위한 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1압력에서 제1승화점을 갖는 제1물질을 포함하는 제1부분; 및 상기 제1부분의 상면에 위치하여, 상기 제1압력에서 제2용융점을 갖는 제2물질을 포함하는 제2부분; 을 포함하며, 상기 제2용융점은 상기 제1승화점보다 낮은, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 제공한다.
상기 제1물질은 주석 산화물이다.
상기 제2물질은 주석이다.
상기 제2물질은 주석 산화물과 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물, 아연 산화물, 보론 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 포함하는 혼합물이다.
상기 제2부분은 상기 타블렛 중에서 10% 내지 50%의 부피를 차지하고, 상기 제1부분은 상기 타블렛 중에서 50% 내지 90%의 부피를 차지한다.
상기 제1부분의 상면은 중앙부가 하면의 방향으로 오목하다.
상기 제2부분은 하나의 덩어리 또는 여러 개의 조각으로 이루어진다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1부분 및 제2부분을 포함하는 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛 제조 방법에 있어서, 제1압력에서 제1승화점을 갖는 제1물질을 분쇄 후 압축 및 소결하여 상기 제1부분을 제조하는 단계; 및 상기 제1압력에서 제2용융점을 갖는 제2물질을 상기 제1부분의 상면에 위치시켜 상기 제2부분을 제조하는 단계; 을 포함하며, 상기 제2용융점은 상기 제1승화점보다 낮다.
상기 제1물질은 주석 산화물이다.
상기 제2물질은 주석이다.
상기 제2물질은 주석 산화물과 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물, 아연 산화물, 보론 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 포함하는 혼합물이다.
상기 제1부분의 상면을 중앙부가 하면의 방향으로 오목하게 가공하는 단계를 더 포함한다.
상기 제2부분은 하나의 덩어리 또는 여러 개의 조각으로 이루어진다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1압력에서 제1승화점을 갖는 제1물질을 포함하는 제1부분; 및 상기 제1부분의 상면에 위치하여, 상기 제1압력에서 제2용융점을 갖는 제2물질을 포함하는 제2부분; 을 포함하며, 상기 제2용융점은 상기 제1승화점보다 낮은, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 이용한 박막의 제조 방법에 있어서, 상기 타블렛을 수용하는 도가니를 가열하는 단계; 상기 제2부분이 용융되어 상기 제1부분의 상면의 중앙부로 응집하여 상기 제1부분의 상면의 가장자리가 노출되는 단계; 노출된 상기 제1부분의 상면의 가장자리로부터 상기 제1물질이 승화하는 단계; 및 승화된 상기 제1물질이 피증착체에 성막되는 단계; 를 포함하는 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 이용한 박막의 제조 방법을 제공한다.
상기 도가니는 이온 건으로부터 방출된 전자를 흡수하여 가열된다.
상기 제1부분으로부터 방출되는 비산 입자는 용융된 상기 제2물질이 흡착한다.
상기 박막은 유기 발광 소자를 밀봉하는 봉지 박막이다.
상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마 코팅 시스템을 이용한 박막 형성 과정에서 타블렛으로부터 발생하는 재(ash), 파티클, 및 비산 물질이 제거되어 신뢰성 높은 박막을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 도시한 것이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 다른 실시예들에 의한 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛을 이용하여 박막을 형성하는 과정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛을 이용하여 박막 봉지된 유기 발광 표시장치를 도시한 것이다.
본 명세서에서는 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 본 발명과 관계없는 부분은 도시 및 기재를 생략하거나, 간략히 기재하거나 도시하였다. 또한, 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께 및 넓이를 확대하거나, 과장되게 도시하였다.
본 명세서에서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 본 명세서에서 “제1”, “제2” 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 “위에” 또는 “상에” 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
본 발명의 일 실시예는 플라즈마 코팅 시스템(plasma coating system)과 관련된 것이다.
플라즈마 코팅 시스템은, 박막 형성 시스템의 일종이다.
플라즈마 코팅 시스템은, 이온 발생기로부터 발생한 양이온 및 전자를 챔버 내로 공급하고, 공급된 전자가 타블렛이 수용된 도가니에 흡수되어 타블렛을 가열함으로써, 타블렛을 이루는 고체 물질이 기체로 승화하여 피증착체에 박막이 형성되는 원리를 가진다.
이온 발생기는 예를 들어 이온 건(gun)일 수 있으며, 불활성 기체 예를 들어 아르곤(Ar)이 이온 건 내부의 튜브에 주입되고 튜브 주변에 형성된 자기장, 전기장 및 열에 의해 플라즈마를 보이면서 아르곤이 양이온(Ar+)과 전자(e-)로 이온화된다. 이온 건은 챔버 내부로 양이온 및 전자를 공급한다.
챔버는 진공 상태를 유지한다. 또는, 챔버는 낮은 기압을 유지한다.
챔버 내에는 타블렛이 수용된 도가니가 배치된다. 타블렛과 마주보는 위치에 기판 또는, 유기 발광 소자가 배치된 기판과 같은 피증착체가 배치된다. 도가니는 구리 또는 텅스텐과 같이 열전도율이 좋은 금속으로 이루어질 수 있다. 챔버 내부로 공급된 전자는 도가니에 흡수되어 타블렛을 가열한다. 타블렛 중에서 도가니와 접촉하는 가장자리부가 중앙부보다 먼저 가열될 것이고, 가장자리부의 물질이 승화되어 피증착체에 박막을 형성하게 된다.
플라즈마 코팅 시스템은, 열에 의해 타블렛에 포함된 물질이 승화하여 피증착체에 박막을 형성하는 방식이다.
반면에 스퍼터링 시스템은 플라즈마 내의 아르곤 양이온이 타겟쪽으로 가속되어 타겟의 표면과 충돌할 때 타겟 물질이 튀어나와 피증착체에 박막을 형성하는 방식이다.
따라서, 스퍼터링 시스템은 낮은 전류, 높은 전압이 필요하며 운동 에너지가 큰 타겟 물질이 피증착체에 충돌하므로 피증착체에 손상을 줄 수 있다. 그러나, 플라즈마 코팅 시스템은 높은 전류, 낮은 전압이 필요하며 열에 의해 타블렛 물질이 승화하므로 피증착체에 손상이 적은 장점이 있다.
이하에서는 이러한 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛 및 이를 제조하는 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛(1a)을 도시한 것이다. 도 2 및 도 3은 본 발명의 다른 실시예들에 의한 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛(1b,1c)을 도시한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛(1a)은 제1부분(11) 및 제2부분(12)을 포함한다. 제2부분(12)은 제1부분(11)의 상면(11u)에 위치한다. 여기서 제1부분(110의 상면(11u)이란, 피증착체를 향하는 타블렛(1a)의 일측 외면을 의미한다. 반대로 제1부분(11)의 하면이란, 피증착체를 향하지 않는 타블렛(1a)의 타측으로 상면에 반대되는 면을 의미한다.
제1부분(11)은 제1물질을 포함하는데, 제1물질은 제1압력에서 제1승화점을 갖는 물질이다. 예를 들면, 제1물질은 고체 상태의 주석 산화물(예를 들면, SnO, SnO2)일 수 있다. 주석 산화물의 경우 1기압(atm) 이하의 저압 상태에서 섭씨 약 500도 내지 600도 범위 내의 승화점을 가질 수 있다. 여기서 제1압력이란 박막 형성을 위해 플라즈마 코팅 시스템의 챔버 내에 타블렛이 배치될 때 챔버 내부의 압력일 수 있다. 따라서 제1압력이란, 1기압(atm) 이하의 저압 상태일 수 있으며, 이에 한정되지 않고 1/1000㎜Hg 정도 이하의 진공 상태일 수 있다. 한편, 제1물질은 박막 형성에 필요하며, 상기 조건을 만족하는 물질이면 주석 산화물에 한정되지 않고 다양하게 변형할 수 있다.
제2부분(12)은 제1물질과 다른 제2물질을 포함한다. 제2물질은 제1압력에서 제2용융점을 갖는 물질이다. 예를 들면, 제2물질은 고체 상태의 주석(Sn)일 수 있다. 주석의 경우 1기압(atm) 이하의 저압 상태에서 섭씨 약 400도 이하의 용융점을 가질 수 있다. 다른 예로, 제2물질은 고체 상태로, 주석 산화물(예를 들면, SnO, SnO2)과 인 산화물(예를 들면, P2O5), 보론 포스페이트(예를 들면, BPO4), 주석 불화물(예를 들면, SnF4), 니오브 산화물(예를 들면, NbO), 아연 산화물(예를 들면, ZnO), 보론 산화물(예를 들면, B2O3) 및 텅스텐 산화물(예를 들면, WO3) 중 1종 이상을 포함하는 혼합물일 수 있다. 상술한 혼합물의 경우 1기압(atm)이하의 저압 상태에서 섭씨 약 300도 이하의 용융점을 가질 수 있다.
예를 들어, 제2물질은
-SnO 및 P2O5;
-SnO 및 BPO4;
-SnO, SnF2 및 P2O5;
-SnO, SnF2, P2O5 및 NbO;
-SnO, SnF2, P2O5 및 WO3;
- SnO, P2O5, B2O3;
- SnO, P2O5, B2O3, 및 ZnO; 또는
- SnO, B2O3, ZnO, 및 SiO2
를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 제2물질은 하기 조성을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
- SnO(80 mol %) 및 P2O5(20 mol %);
- SnO(90 mol %) 및 BPO4(10 mol %);
- SnO(20-50 mol %), SnF2(30-60 mol %) 및 P2O5(10-30 mol %) (여기서, SnO, SnF2 및 P2O5의 합은 100 mol %임);
- SnO(20-50 mol %), SnF2(30-60 mol %), P2O5(10-30 mol %) 및 NbO(1-5 mol %) (여기서, SnO, SnF2, P2O5 및 NbO의 합은 100 mol %임);
- SnO(20-70 mol %), P2O5(5-50 mol %) 및 B2O3(5-50 mol %) (여기서, SnO, P2O5 및 B2O3의 합은 100 mol %임);
- SnO(20-70 mol %), P2O5(5-50 mol %), B2O3(5-50 mol %) 및 ZnO(5-20 mol%) (여기서, SnO, P2O5, B2O3 및 ZnO 의 합은 100 mol %임); 또는
- SnO(20-70 mol %), B2O3(5-50 mol %), ZnO(5-20 mol%) 및 SiO2(5-20 mol%) (여기서, SnO, B2O3, ZnO 및 SiO2 의 합은 100 mol %임).
본 발명의 일 실시예에 의하면, 제1압력에서 제2물질의 제2용융점은 제1물질의 제1승화점보다 낮은 것을 특징으로 한다. 즉, 저융점을 가진 제2물질이 타블렛(1a)의 상부쪽에 위치함으로써, 제1물질의 승화 전에 제2물질이 용융된 용융물이 타블렛(1a) 상부에 위치하여 제1물질의 승화시 발생하는 재(ash), 파티클 및 비산 물질을 흡착한다. 이로써, 피증착체에 박막을 형성할 때 재(ash), 파티클 및 비산 물질이 유입되지 않아 신뢰성 높은 박막을 형성할 수 있는 특징이 있다.
이하에서는, 타블렛(1a) 제조 방법과 함께 타블렛(1a)의 외관 및 형상에 대해 상세히 알아본다.
본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛(1a)은 예를 들어 원기둥 형상일 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 형상을 가질 수 있다. 타블렛(1a)의 형상은 타블렛(1a)을 수용하는 도가니의 내부 형상에 대응하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛(1a)은 제1부분(11)과 제2부분(12)을 나누어 제조할 수 있다. 제1부분(11)의 제조 방법을 알아본다. 먼저, 제1물질은 조분쇄 및 미분쇄하여 분말 재료를 만든다. 그 다음 분말 재료에 열과 압력을 가하여 압축 및 소결하여 소정의 형상을 갖도록 한다. 분말 재료를 압축 및 소결하는 과정에서 필요에 따라 휘발성이 있는 바인더를 첨가할 수 도 있다.
다음으로 제2부분(12)의 제조 방법을 알아본다. 먼저 제2물질을 조분쇄 및 미분쇄하여 분말 재료를 만든다. 그 다음 분말 재료에 열과 압력을 가하여 압축 및 소결하여 소정의 형상을 갖도록 한다. 분말 재료를 압축 및 소결하는 과정에서 필요에 따라 휘발성이 있는 바인더를 첨가할 수 도 있다.
다음으로, 제1부분(11) 상면(11u)에 제2부분(12)을 단순 배치 또는 접합하여 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛(1a)을 제조할 수 있다. 제2부분(12)은 단순히 제1부분(11) 상에 올려 놓을 수도 있으며, 접합 물질을 사용하여 접합할 수 도 있다.
도 1을 참조하면, 제1부분(11)은 전체 타블렛(1a) 중에서 약 50% 내지 90% 의 부피를 차지할 수 있고, 제2부분(12)은 전체 타블렛(1a) 중에서 약 10% 내지 50%의 부피를 차지할 수 있다. 예를 들어, 전체 타블렛(1a)이 직경 30mm, 높이 40mm 를 가진 원기둥 형상인 경우, 제1부분(11)은 직경 30mm 높이 30mm 의 원기둥 형상을 가질 수 있고, 제2부분(12)은 직경 30mm 높이 10mm의 원기둥 형상을 가져 제1부분(11)의 상면(1a)에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 타블렛(1b,1c)은 제1부분(11)의 상면(11u)을 오목하게 가공한 후 그 위에 제2부분(12)을 형성한다. 제1부분(11)의 제조 방법을 알아본다. 먼저, 제1물질은 조분쇄 및 미분쇄하여 분말 재료를 만든다. 그 다음 분말 재료에 열과 압력을 가하여 압축 및 소결하여 소정의 형상을 갖도록 한다. 분말 재료를 압축 및 소결하는 과정에서 필요에 따라 휘발성이 있는 바인더를 첨가할 수 도 있다.
다음으로, 제1부분(11)의 상면(11u) 중 중앙부(11c)가 하면의 방향으로 오목하도록 가공한다.
다음으로, 제2부분(12)의 제조 방법을 알아본다. 먼저 제2물질을 조분쇄 및 미분쇄하여 분말 재료를 만든다. 그 다음 분말 재료에 열과 압력을 가하여 압축 및 소결하여 소정의 형상을 갖도록 한다. 분말 재료를 압축 및 소결하는 과정에서 필요에 따라 휘발성이 있는 바인더를 첨가할 수 도 있다.
이 때 제2부분(12)은 도 2에 도시된 바와 같이 하나의 덩어리 형상을 갖도록 할 수 있다. 하지만 이에 한정되지 않고 제2부분(12)은 도 3에 도시된 바와 같이 여러 개의 조각으로 이루어지도록 할 수 있다.
다음으로, 제1부분(11) 상면(11u)에 제2부분(12)을 단순 배치 또는 접합하여 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛(1b,1c)을 제조할 수 있다.
도 2 및 도 3과 같이, 제1부분(11)의 상면(11u)에 오목한 부분이 있는 경우, 제2물질이 용융된 용융물이 도가니 외부로 흘러 넘치는 것을 방지할 수 있다. 용융물은 중력에 의해 제1부분(11)의 상면(11u)에 오목한 부분으로 흘러 방울을 형성하게 되며, 이에 따라 제1부분(11)의 상면 가장자리(11p)는 노출된다. 노출된 제1부분(11)으로부터 제1물질이 보다 용이하게 승화되어 피증착체에 박막을 형성한다.
도 1에서 설명한 바와 같이 도 2 및 도 3의 경우도 제1부분(110 및 제2부분(12)이 유사한 체적 비율을 가질 수 있다.
이하에서는 도 1 내지 도 3 중 어느 하나의 타블렛(1a,1b,1c)을 이용하여 플라즈마 코팅 시스템(100)을 통해 박막을 형성하는 과정을 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 이 실시예에 의한 타블렛(1a,1b,1c)이 포함된 플라즈마 코팅 시스템(100)을 통해 을 이용하여 박막을 형성하는 과정을 개략적으로 나타낸 것이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛을 이용하여 박막 봉지된 유기 발광 표시장치(200)를 도시한 것이다.
앞서 설명한 플라즈마 코팅 시스템(100)의 챔버(120) 내에 타블렛(1a) 및 피증착체(200)를 배치한다. 타블렛(1a)과 피증착체(200)는 서로 마주보도록 배치된다. 타블렛(1a)으로부터 승화된 제1물질이 피증착체(200)에 박막을 성막되어야 하기 때문이다.
이온 발생기(130)로부터 아르곤 양이온(Ar+) 및 전자(e-)가 발생되어, 아르곤 양이온(Ar+)이 챔버(120) 내부로 퍼지게 되고 전자(e-)는 도가니(110)로 흡수된다. 도가니(110)는 전자(e-)를 흡수하여 서서히 가열된다. 이 때 타블렛(1a)의 가장자리부터 열이 전달되므로, 타블렛(1a)의 가장자리의 온도가 중앙부의 온도보다 높다. 한편, 제1부분(11)의 상면(11u)에 배치된 제2부분(12)에 포함된 제2물질의 용융점이 제1부분(11)에 포함된 제1물질의 승화점보다 낮으므로, 제1물질이 승화되기 전에 제2물질이 용융되어 용융물(12ℓ)을 형성한다.
도 2 및 도 3의 타블렛(1b,1c)의 경우, 제1부분(11)의 상면(11u) 중앙부(11c)가 오목하게 가공되어 있는바, 제2물질의 용융물(12ℓ)이 오목한 부분으로 모이게 된다. 도 1의 타블렛(1a) 경우, 프로세스가 진행될수록 아르곤 양이온(Ar+)이 타블렛(1a)의 상면 중앙부에 충돌하게 되므로 제1부분(11)의 중앙부(11c)가 오목하게 변하게 된다. 왜냐하면, 전자(e-)는 도가니(110)로 흡수되므로 타블렛(1a)의 가장자리 부분은 상대적으로 (-)극성을 띠게 되므로, 척력에 의해 타블렛(1a)의 중앙부로 아르곤 양이온(Ar+)이 가속되어 충돌함으로써, 제1부분(11)의 상면 중앙부가 식각된다. 따라서, 도 1의 타블렛(1a)의 경우도 프로세스가 진행될수록 제2물질의 용융물(12ℓ)이 제1부분(11)의 상면(11u) 중앙부(11c) 오목한 부분으로 모이게 된다.
이에 따라, 제2물질은 제1부분(11)의 중앙부(11c)로 응집하고, 제11부분(11)의 상면 가장자리(11p)로 제1물질이 노출된다. 도가니(110)가 가열됨에 따라 제1물질의 승화점에 이르게 되면, 노출된 가장자리(11p)로부터 제1물질이 승화된다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의하면 피증착체(200)는 유기 발광 소자(202)가 형성된 기판(201)일 수 있다. 이 때, 기판(201)이 일 방향으로 진행하며 성막 공정이 연속적으로 진행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛(1a,1b,1c)을 이용하여 제조한 박막은 유기 발광 소자(202)를 밀봉하는 봉지 박막(204)일 수 있다. 기판(201) 상에는 유기 발광 소자(202)가 형성된다. 유기 발광 소자(202)는 하부 전극(202a), 중간층(202b) 및 상부 전극(202c)을 기판(201)으로부터 순차적으로 포함한다. 한편, 유기 발광 소자(202)는 필요에 따라 상부 전극(202c) 상에 굴절률을 조절하고, 상부 전극을 보호하는 유기 보조층(203)을 더 포함할 수도 있다. 이러한 유기 발광 소자(202)는 중간층(202b)에 유기 물질로 이루어진 다수의 유기층을 포함하는데, 이러한 유기층들은 외부의 수분 및 산소에 의해 쉽게 변성된다. 따라서, 유기층들은 외부로부터 밀봉되어야 유기 발광 표시 장치의 신뢰성이 보장될 수 있다. 이를 위해 유기 발광 소자(202)를 밀봉하는 봉지 박막(204)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면 봉지 박막(204)은 주석 산화물로 이루어질 수 있다. 특히 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛(1a,1b,1c)을 이용하여 형성한 봉지 박막은 재(ash), 파티클 및 비산 물질을 포함하지 않는 것을 특징으로 한다. 왜냐하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛(1a,1b,1c)은 성막 과정 동안 제2물질의 용융물이 제1물질의 승화 과정에서 발생하는 재(ash), 파티클 및 비산 물질을 흡착하기 때문이다.
앞서 설명한 스퍼터링 시스템과 플라즈마 코팅 시스템은 작동 원리 차이가 있어, 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛은 스퍼터링 시스템의 타겟으로 사용할 수는 없다. 실제로, 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛을 스퍼터링 시스템의 타겟을 사용한 경우, 저융점의 제2부분이 녹으면서 발생한 아웃가스(outgas)에 의해 스퍼터링 동작 중 아크(Arc)가 강하게 발생하여 정상적인 성막이 어려운 문제를 발견하였다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 의한 타블렛은 스퍼터링 시스템의 타겟과는 구별되어야 한다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해하면 안될 것이다.
11: 제1부분
12: 제2부분
1a,1b,1c: 타블렛

Claims (17)

  1. 제1압력에서 제1승화점을 갖는 제1물질을 포함하는 제1부분; 및
    상기 제1부분의 상면에 위치하여, 상기 제1압력에서 제2용융점을 갖는 제2물질을 포함하는 제2부분;
    을 포함하며,
    상기 제2용융점은 상기 제1승화점보다 낮은, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1물질은 주석 산화물인, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2물질은 주석인, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2물질은 주석 산화물과 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물, 아연 산화물, 보론 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 포함하는 혼합물인, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2부분은 상기 타블렛 중에서 10% 내지 50%의 부피를 차지하고,
    상기 제1부분은 상기 타블렛 중에서 50% 내지 90%의 부피를 차지하는, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1부분의 상면은 중앙부가 하면의 방향으로 오목한, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2부분은 하나의 덩어리 또는 여러 개의 조각으로 이루어진, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛.
  8. 제1부분 및 제2부분을 포함하는 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛 제조 방법에 있어서,
    제1압력에서 제1승화점을 갖는 제1물질을 분쇄 후 압축 및 소결하여 상기 제1부분을 제조하는 단계; 및
    상기 제1압력에서 제2용융점을 갖는 제2물질을 상기 제1부분의 상면에 위치시켜 상기 제2부분을 제조하는 단계;
    을 포함하며,
    상기 제2용융점은 상기 제1승화점보다 낮은, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1물질은 주석 산화물인, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제2물질은 주석인, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제2물질은 주석 산화물과 인 산화물, 보론 포스페이트, 주석 불화물, 니오브 산화물, 아연 산화물, 보론 산화물 및 텅스텐 산화물 중 1종 이상을 포함하는 혼합물인, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛의 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제1부분의 상면을 중앙부가 하면의 방향으로 오목하게 가공하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛의 제조 방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 제2부분은 하나의 덩어리 또는 여러 개의 조각으로 이루어진, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛의 제조 방법.
  14. 제1압력에서 제1승화점을 갖는 제1물질을 포함하는 제1부분; 및 상기 제1부분의 상면에 위치하여, 상기 제1압력에서 제2용융점을 갖는 제2물질을 포함하는 제2부분; 을 포함하며, 상기 제2용융점은 상기 제1승화점보다 낮은, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 이용한 박막의 제조 방법에 있어서,
    상기 타블렛을 수용하는 도가니를 가열하는 단계;
    상기 제2부분이 용융되어 상기 제1부분의 상면의 중앙부로 응집하여 상기 제1부분의 상면의 가장자리가 노출되는 단계;
    노출된 상기 제1부분의 상면의 가장자리로부터 상기 제1물질이 승화하는 단계; 및
    승화된 상기 제1물질이 피증착체에 성막되는 단계;
    를 포함하는 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 이용한 박막의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 도가니는 이온 건으로부터 방출된 전자를 흡수하여 가열되는, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 이용한 박막의 제조 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1부분으로부터 방출되는 비산 입자는 용융된 상기 제2물질이 흡착하는, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 이용한 박막의 제조 방법.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 박막은 유기 발광 소자를 밀봉하는 봉지 박막인, 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛을 이용한 박막의 제조 방법.
KR20130048501A 2013-04-30 2013-04-30 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법 KR20140129770A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130048501A KR20140129770A (ko) 2013-04-30 2013-04-30 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법
US13/968,352 US9196464B2 (en) 2013-04-30 2013-08-15 Tablet for plasma coating system, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a thin film using the method of manufacturing the tablet
CN201310475990.XA CN104131255A (zh) 2013-04-30 2013-10-12 用于等离子体涂布系统的料片、制造方法及制造薄膜的方法
US14/875,614 US10186403B2 (en) 2013-04-30 2015-10-05 Tablet for plasma coating system, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a thin film using the method of manufacturing the tablet

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130048501A KR20140129770A (ko) 2013-04-30 2013-04-30 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140129770A true KR20140129770A (ko) 2014-11-07

Family

ID=51789562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130048501A KR20140129770A (ko) 2013-04-30 2013-04-30 플라즈마 코팅 시스템용 타블렛, 이의 제조 방법, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9196464B2 (ko)
KR (1) KR20140129770A (ko)
CN (1) CN104131255A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140120541A (ko) * 2013-04-03 2014-10-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160082864A (ko) * 2014-12-29 2016-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
EP3401285B1 (en) * 2016-01-08 2021-06-16 YEJ GLASS Co., Ltd. Fluorinated tin-based glass frit and method for manufacturing same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5698341A (en) * 1995-08-18 1997-12-16 Petoca, Ltd. Carbon material for lithium secondary battery and process for producing the same
JPH11106903A (ja) 1997-10-08 1999-04-20 Sony Corp スパッタリングターゲット
JP2002030428A (ja) 2000-07-18 2002-01-31 Shin Etsu Chem Co Ltd スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにそれを用いたフォトマスクブランクの製造方法
US6770562B2 (en) * 2000-10-26 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
US7141924B2 (en) * 2004-05-07 2006-11-28 Au Optronics Corporation Multi-layer cathode in organic light-emitting devices
US7588669B2 (en) * 2005-07-20 2009-09-15 Ascentool, Inc. Single-process-chamber deposition system
JP4475209B2 (ja) * 2005-09-22 2010-06-09 住友金属鉱山株式会社 蒸着用酸化物燒結体タブレット
EP2060616A4 (en) * 2006-09-15 2010-08-04 Mitsubishi Chem Corp FLUORESCENT, MANUFACTURING METHOD, FLUORESCENT COMPOSITION, LIGHTING DEVICE, PICTURE INDICATOR AND LIGHTING DEVICE
JP5676429B2 (ja) * 2008-04-21 2015-02-25 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド Dcマグネトロンスパッタリングシステムの設計および使用
JP5580972B2 (ja) * 2008-06-06 2014-08-27 デクセリアルズ株式会社 スパッタリング複合ターゲット
US20110135915A1 (en) * 2009-11-25 2011-06-09 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Methods of Coating Substrate With Plasma Resistant Coatings and Related Coated Substrates
WO2012063525A1 (ja) 2010-11-08 2012-05-18 三井金属鉱業株式会社 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法
US9496138B2 (en) * 2011-07-08 2016-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
JP5535280B2 (ja) * 2012-07-23 2014-07-02 株式会社不二機販 溶接用チップの強化方法及び溶接用チップ
US9142779B2 (en) * 2013-08-06 2015-09-22 University Of Rochester Patterning of OLED materials

Also Published As

Publication number Publication date
US20160027622A1 (en) 2016-01-28
US9196464B2 (en) 2015-11-24
US10186403B2 (en) 2019-01-22
US20140322851A1 (en) 2014-10-30
CN104131255A (zh) 2014-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3044063B2 (ja) 縁部分の気密シールおよびその製造方法
US20180233337A1 (en) Cold-Matter System Having Integrated Pressure Regulator
US20020071989A1 (en) Packaging systems and methods for thin film solid state batteries
EP2404319B1 (en) Hermetic seal for an electronic device comprising an active organic material
US10186403B2 (en) Tablet for plasma coating system, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a thin film using the method of manufacturing the tablet
US11081325B2 (en) Conductive target material
JP2009152186A (ja) 封入されたリチウム電気化学的装置
KR20130100637A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20130101396A (ko) 유기 발광 장치의 제조 방법
EP2793282B1 (en) Organic light-emitting display device and method of preparing the same
JP2019501499A (ja) 電池セルを製造する方法
JP4475209B2 (ja) 蒸着用酸化物燒結体タブレット
KR20170056554A (ko) 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치
CN101816081A (zh) 有机电致发光元件、有机电致发光元件制造方法
JP2012046814A5 (ko)
JP2017124383A (ja) 乾燥剤、封止構造、及び有機el素子
JP5794869B2 (ja) 固体電解質膜形成用のマスク、リチウム二次電池の製造方法
WO2022173763A1 (en) Vacuum cell configured for reduced inner chamber helium permeation
JPWO2011040193A1 (ja) 有機el及び有機elの電極形成方法
CA2480691A1 (en) Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
KR20150019350A (ko) 스퍼터링 타겟 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150012586A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US10370253B2 (en) Silicon refining device
JP5557700B2 (ja) 蒸着装置及び有機el装置の製造方法
JP2015026612A (ja) 有機発光表示装置及び該有機発光表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid