CN104167507A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104167507A
CN104167507A CN201310187386.7A CN201310187386A CN104167507A CN 104167507 A CN104167507 A CN 104167507A CN 201310187386 A CN201310187386 A CN 201310187386A CN 104167507 A CN104167507 A CN 104167507A
Authority
CN
China
Prior art keywords
barrier layer
layer
organic
inorganic barrier
carbide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310187386.7A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
钟铁涛
张娟娟
王平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201310187386.7A priority Critical patent/CN104167507A/zh
Publication of CN104167507A publication Critical patent/CN104167507A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、发光功能层、阴极和封装层，封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层，所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一无机阻挡层的材质为二元金属氧化物与碳化物混合形成的混合材料，所述第二无机阻挡层的材质为碳化物与金属硫化物混合形成的混合材料。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。该方法可有效减少水、氧对器件的侵蚀，提高器件寿命。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在透明阳极和金属阴极之间夹有多层有机材料薄膜（空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子输送层和电子注入层），当电极间施加一定的电压后，发光层就会发光。近年来，有机电致发光器件由于本身制作成本低、响应时间短、发光亮度高、宽视角、低驱动电压以及节能环保等特点已经在全色显示、背光源和照明等领域受到了广泛关注，并被认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。
目前，有机电致发光器件存在寿命较短的问题，这主要是因为有机材料薄膜很疏松，易被空气中的水汽和氧气等成分渗入后迅速发生老化。因此，有机电致发光器件进入实际使用之前必须进行封装，封装的好坏直接关系到有机电致发光器件的寿命。
传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量，并且该方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该制备方法可有效地减少水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明方法适用于以导电玻璃基板制备的有机电致发光器件，也适用于以塑料或金属为基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。
一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、发光功能层、阴极和封装层，所述封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层，
所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一有机材料与第二有机材料的摩尔比为0.4～0.6:1；所述第一有机材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺（TPD）、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺（NPB）、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽（MADN）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯（mCP）；所述第二有机材料为4,7-二苯基邻菲罗啉（Bphen）、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉（BCP）、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝（Balq）或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑（TAZ）；
所述第一无机阻挡层的材质为二元金属氧化物与碳化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第一无机阻挡层总质量的10～30%；所述第二无机阻挡层的材质为碳化物与金属硫化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第二无机阻挡层总质量的10～30%；所述二元金属氧化物为氧化镁铝（MgAl2O4）、氧化钛铋（Bi2Ti4O11）、氧化镍铬（CrNiO4）、氧化铬钴（CoCr2O4）、氧化镥铁（Ⅲ）（Fe2LuO4）或氧化铝钇（Y3Al5O12）；所述碳化物为碳化硅（SiC）、碳化钨（WC）、碳化钽（TaC）、碳化硼（BC）、碳化钛（TiC）或碳化铪（HfC）；所述金属硫化物为硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、二硫化铁（FeS2）、硫化铜（CuS）、硫化锌（ZnS）或硫化镍（NiS）。
优选地，所述第一有机阻挡层的厚度为200～300nm，所述第二有机阻挡层的厚度为200～300nm。
优选地，所述第一无机阻挡层的厚度为100～200nm，所述第二无机阻挡层的厚度为100～200nm。
优选地，所述封装层单元重复设置2～4次。
优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
优选地，阳极基板为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。
本发明中，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。
阴极可以为非透明金属阴极（铝、银、金等），也可以为透明阴极（介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等）。
封装层单元依次包括第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层。
其中，有机阻挡层中，第一有机材料为空穴传输型材料，第二有机材料为电子传输型材料，一种吸电子物质，一种得电子物质，采用上述两种有机材料混合制备的有机阻挡层，膜层平整度有一定的提高。第一无机阻挡层采用二元金属氧化物与碳化物混合形成的混合材料制备，二元金属氧化物的存在主要起阻挡作用，因其密度大而阻隔性高，碳化物的存在能使金属晶格更紧密坚实，不变形；第二无机阻挡层采用碳化物与金属硫化物混合形成的混合材料制备，硫化物应力较小，可降低膜层应力，碳化物的存在能使阻挡层的膜层致密度提高。由混合材料所制得的无机阻挡膜层热稳定性高，致密性高，平整度好。本发明采用有机阻挡层与无机阻挡层交替重叠设置形成的封装层，最终能有效阻挡外界水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，延长器件使用寿命。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极基板上依次制备发光功能层和阴极；
在所述阴极表面制备封装层，得到有机电致发光器件，所述封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一有机材料与第二有机材料的摩尔比为0.4～0.6:1；所述第一有机材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯；所述第二有机材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层均采用真空蒸镀的方式制备，所述真空蒸镀过程中的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度为
所述第一无机阻挡层的材质为二元金属氧化物与碳化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第一无机阻挡层总质量的10～30%；所述第二无机阻挡层的材质为碳化物与金属硫化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第二无机阻挡层总质量的10～30%；所述二元金属氧化物为氧化镁铝、氧化钛铋、氧化镍铬、氧化铬钴、氧化镥铁（Ⅲ）或氧化铝钇；所述碳化物为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪；所述金属硫化物为硫化镉、硫化铅、二硫化铁、硫化铜、硫化锌或硫化镍；所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层均采用磁控溅射的方式制备，所述磁控溅射过程中，本底真空度1×10-5～1×10-3Pa。
优选地，所述第一有机阻挡层的厚度为200～300nm，所述第二有机阻挡层的厚度为200～300nm。
优选地，所述第一无机阻挡层的厚度为100～200nm，所述第二无机阻挡层的厚度为100～200nm。
优选地，所述封装层单元重复设置2～4次。
优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
优选地，阳极基板为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。
优选地，将阳极基板进行如下清洁处理：依次进行丙酮清洗、乙醇清洗、纯水清洗和乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，然后再用烘箱烘干待用，再对洗净后的阳极基板进行表面活化处理。
优选地，发光功能层通过真空蒸镀的方法或溶液涂敷的方法设置。本发明中，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。
阴极可以为非透明金属阴极（铝、银、金等），也可以为透明阴极（介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等）。阴极采用真空蒸镀的方式制备。
封装层单元依次包括第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层。
具体地，封装层单元的制备过程包括：先在阴极表面采用真空蒸镀的方式制备第一有机阻挡层，然后在所述第一有机阻挡层上采用采用磁控溅射的方式制备第一无机阻挡层，再在第一无机阻挡层采用真空蒸镀的方式制备第二有机阻挡层，接着在第二有机阻挡层上采用采用磁控溅射的方式制备第二无机阻挡层。依此重复多次制备封装层单元，形成具有复合结构的封装层。优选地，所述封装层单元重复设置2～4次。
其中，有机阻挡层中，第一有机材料为空穴传输型材料，第二有机材料为电子传输型材料，一种吸电子物质，一种得电子物质，采用上述两种有机材料混合制备的有机阻挡层，膜层平整度有一定的提高。第一无机阻挡层采用二元金属氧化物与碳化物混合形成的混合材料制备，二元金属氧化物的存在主要起阻挡作用，因其密度大而阻隔性高，碳化物的存在能使金属晶格更紧密坚实，不变形；第二无机阻挡层采用碳化物与金属硫化物混合形成的混合材料制备，硫化物应力较小，可降低膜层应力，碳化物的存在能使阻挡层的膜层致密度提高。由混合材料所制得的无机阻挡膜层热稳定性高，致密性高，平整度好。本发明采用有机阻挡层与无机阻挡层交替重叠设置形成的封装层，最终能有效阻挡外界水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，延长器件使用寿命。
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
（1）本发明有机电致发光器件的封装层具有复合结构，由有机阻挡层和无机阻挡层交替重叠设置形成，该封装层密封性好，可有效地减少水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，同时可有效保护功能层和阴极在后续操作过程中免遭破坏，从而显著提高有机电致发光器件的寿命；
（2）本发明有机电致发光器件的防水性能（WVTR）达到10－4g/m2·day，器件寿命(T701000cd/m2)达6000小时以上；
（3）本发明方法适用于封装以导电玻璃为阳极基板制备的有机电致发光器件，也适用于封装以塑料或金属为阳极基底制备的柔性有机电致发光器件，本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件；
（4）本发明有机电致发光器件材料廉价，封装方法工艺简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。
附图说明
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
a.导电玻璃基板的前处理
取ITO玻璃基板，依次进行丙酮清洗、乙醇清洗、纯水清洗和乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，烘干后，对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理；ITO厚度100nm；
b.发光功能层和阴极的制备
采用真空蒸镀的方法在ITO玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中作为空穴注入层材料，掺杂质量浓度为30%，厚度为10nm，真空度3×10-5Pa，蒸发速度
空穴传输层的制备：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度3×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；
发光层的制备：主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，客体材料掺杂质量浓度为5%，将主体材料与客体材料混合掺杂后共蒸，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度20nm；
电子传输层的制备：采用4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输材料，真空度3×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；
电子注入层的制备：将CsN3掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中作为电子注入层材料，掺杂质量浓度30%，真空度3×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
阴极的制备：阴极采用金属Al，厚度100nm，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为
（2）在阴极上重复制备2次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为250nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为mCP与TAZ按摩尔比0.4:1混合形成的混合材料，真空度1×10-3Pa，蒸发速度
b.采用磁控溅射的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为150nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为Y3Al5O12与HfC形成的混合材料，HfC所占质量分数为20%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-3Pa；
c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为250nm的第二有机阻挡层，材质为mCP与TAZ按摩尔比0.4:1混合形成的混合材料，真空度1×10-3Pa，蒸发速度
d.采用磁控溅射的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为100nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为HfC与NiS形成的混合材料，HfC所占质量分数为15%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-3Pa；
e、重复1次步骤a、b、c、d，形成具有2个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为5.3×10-4，寿命(T701000cd/m2)为6003小时。
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6、阴极7和封装层8。所述封装层8包括两个封装层单元，即包括2层厚度为250nm的第一有机阻挡层81和85，2层厚度为150nm的第一无机阻挡层82和86，2层厚度为250nm的第二有机阻挡层83和87，2层厚度为100nm的第二无机阻挡层84和88。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上重复制备3次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为250nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为NPB与BCP按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
b.采用磁控溅射的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为200nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为Bi2Ti4O11与WC形成的混合材料，WC所占质量分数为30%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa；
c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为250nm的第二有机阻挡层，材质为NPB与BCP按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
d.采用磁控溅射的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为150nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为WC与PbS形成的混合材料，WC所占质量分数为20%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-4Pa；
e、重复2次步骤a、b、c、d，形成具有3个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为3.9×10-4，寿命(T701000cd/m2)为6086小时。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上重复制备3次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为200nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为TAPC与TPBi按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
b.采用磁控溅射的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为100nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为CrNiO4与TaC形成的混合材料，TaC所占质量分数为10%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa；
c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为200nm的第二有机阻挡层，材质为TAPC与TPBi按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
d.采用磁控溅射的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为150nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为TaC与FeS2形成的混合材料，TaC所占质量分数为25%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-4Pa；
e、重复2次步骤a、b、c、d，形成具有3个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为4.1×10-4，寿命(T701000cd/m2)为6065小时。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上重复制备3次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为250nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为MADN与Alq3按摩尔比0.6:1混合形成的混合材料，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
b.采用磁控溅射的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为170nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为CoCr2O4与BC形成的混合材料，BC所占质量分数为20%，磁控溅射过程中的本底真空度为5×10-5Pa；
c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为250nm的第二有机阻挡层，材质为MADN与Alq3按摩尔比0.6:1混合形成的混合材料，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
d.采用磁控溅射的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为100nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为BC与CuS形成的混合材料，BC所占质量分数为10%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-4Pa；
e、重复2次步骤a、b、c、d，形成具有3个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为4.3×10-4，寿命(T701000/m2)为6043小时。
实施例5
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上重复制备3次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为250nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为TCTA与Balq按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
b.采用磁控溅射的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为160nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为Fe2LuO4与TiC形成的混合材料，TiC所占质量分数为20%，磁控溅射过程中的本底真空度为5×10-5Pa；
c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为250nm的第二有机阻挡层，材质为TCTA与Balq按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5×10-5Pa，蒸发速度
d.采用磁控溅射的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为120nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为TiC与ZnS形成的混合材料，TiC所占质量分数为15%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-4Pa；
e、重复2次步骤a、b、c、d，形成具有3个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为4.4×10-4，寿命(T701000cd/m2)为6030小时。
实施例6
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上重复制备4次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为300nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为TPD与Bphen按摩尔比0.55:1混合形成的混合材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
b.采用磁控溅射的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为170nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为MgAl2O4与SiC形成的混合材料，SiC所占质量分数为20%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa；
c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为300nm的第二有机阻挡层，材质为TPD与Bphen按摩尔比0.55:1混合形成的混合材料，真空度1×10-5Pa，蒸发速度
d.采用磁控溅射的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为200nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为SiC与CdS形成的混合材料，SiC所占质量分数为30%，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa；
e、重复3次步骤a、b、c、d，形成具有4个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为3.1×10-4，寿命(T701000cd/m2)为6125小时。
综上，本发明提供的有机电致发光器件的制备方法可有效地减少水汽和氧对有机电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命，并且能够保护发光功能层和阴极免遭破坏。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、发光功能层、阴极和封装层，其特征在于，所述封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层，
所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一有机材料与第二有机材料的摩尔比为0.4～0.6:1；所述第一有机材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯；所述第二有机材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；
所述第一无机阻挡层的材质为二元金属氧化物与碳化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第一无机阻挡层总质量的10～30%；所述第二无机阻挡层的材质为碳化物与金属硫化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第二无机阻挡层总质量的10～30%；所述二元金属氧化物为氧化镁铝、氧化钛铋、氧化镍铬、氧化铬钴、氧化镥铁（Ⅲ）或氧化铝钇；所述碳化物为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪；所述金属硫化物为硫化镉、硫化铅、二硫化铁、硫化铜、硫化锌或硫化镍。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一有机阻挡层的厚度为200～300nm，所述第二有机阻挡层的厚度为200～300nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一无机阻挡层的厚度为100～200nm，所述第二无机阻挡层的厚度为100～200nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装层单元重复设置2～4次。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极基板上依次制备发光功能层和阴极；
在所述阴极表面制备封装层，得到有机电致发光器件，所述封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一有机材料与第二有机材料的摩尔比为0.4～0.6:1；所述第一有机材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-联苯二胺、N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-二胺、1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、2-甲基-9,10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯；所述第二有机材料为4,7-二苯基邻菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-（4-苯基苯酚）铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1,2,4-三唑；所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层均采用真空蒸镀的方式制备，所述真空蒸镀过程中的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，蒸发速度为
所述第一无机阻挡层的材质为二元金属氧化物与碳化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第一无机阻挡层总质量的10～30%；所述第二无机阻挡层的材质为碳化物与金属硫化物混合形成的混合材料，所述碳化物占所述第二无机阻挡层总质量的10～30%；所述二元金属氧化物为氧化镁铝、氧化钛铋、氧化镍铬、氧化铬钴、氧化镥铁（Ⅲ）或氧化铝钇；所述碳化物为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪；所述金属硫化物为硫化镉、硫化铅、二硫化铁、硫化铜、硫化锌或硫化镍；所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层均采用磁控溅射的方式制备，所述磁控溅射过程中，本底真空度1×10-5～1×10-3Pa。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一有机阻挡层的厚度为200～300nm，所述第二有机阻挡层的厚度为200～300nm。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一无机阻挡层的厚度为100～200nm，所述第二无机阻挡层的厚度为100～200nm。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装层单元重复设置2～4次。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
CN201310187386.7A 2013-05-20 2013-05-20 一种有机电致发光器件及其制备方法 Pending CN104167507A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310187386.7A CN104167507A (zh) 2013-05-20 2013-05-20 一种有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310187386.7A CN104167507A (zh) 2013-05-20 2013-05-20 一种有机电致发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104167507A true CN104167507A (zh) 2014-11-26

Family

ID=51911242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310187386.7A Pending CN104167507A (zh) 2013-05-20 2013-05-20 一种有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104167507A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107104125A (zh) * 2016-02-19 2017-08-29 株式会社日本显示器 显示装置及显示装置的制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1317225A (zh) * 1999-07-09 2001-10-10 材料研究及工程研究所 用于封装元件的层合件
US20040046500A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ogh. Active electronic devices
CN1652646A (zh) * 2005-02-22 2005-08-10 友达光电股份有限公司 有机电激发光元件的封合结构
CN1678409A (zh) * 2001-09-28 2005-10-05 维特克斯系统公司 边缘密封阻隔膜的方法
US20070228382A1 (en) * 2002-06-11 2007-10-04 Shunpei Yamazaki Light emitting device and manufacturing method thereof

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1317225A (zh) * 1999-07-09 2001-10-10 材料研究及工程研究所 用于封装元件的层合件
CN1678409A (zh) * 2001-09-28 2005-10-05 维特克斯系统公司 边缘密封阻隔膜的方法
US20070228382A1 (en) * 2002-06-11 2007-10-04 Shunpei Yamazaki Light emitting device and manufacturing method thereof
US8362487B2 (en) * 2002-06-11 2013-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency
US20040046500A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ogh. Active electronic devices
CN1652646A (zh) * 2005-02-22 2005-08-10 友达光电股份有限公司 有机电激发光元件的封合结构

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107104125A (zh) * 2016-02-19 2017-08-29 株式会社日本显示器 显示装置及显示装置的制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104638189A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
JP2007242406A (ja) 端面発光型発光素子およびその製造方法
CN103904230B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104183742A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104167507A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104638129A (zh) 一种透明有机电致发光器件及其制备方法
CN103427038A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104167493A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104078590A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104518110A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103904233B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104103764A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法
CN104167506A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104078586A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104638119A (zh) 一种透明有机电致发光器件及其制备方法
CN104167503A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104518131A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104518101A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104078585A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104183786A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104078587A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104638112A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103904231B (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104183787A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN103427036A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20141126