CN104167503A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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周明杰
钟铁涛
张振华
王平
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Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件，包括阳极基板、功能层、发光层、阴极和封装层，阳极基板和封装层形成封闭空间，功能层、发光层和阴极容置在封闭空间内，封装层依次包括混合阻挡层和无机阻挡层，混合阻挡层的材质为第一有机材料、第二有机材料与无机材料三者混合形成的混合材料，第一有机材料为金属酞菁化合物，第二有机材料为TAPC、NPB、Alq3、m-MTDATA、BCP或TPBi，无机材料为金属氟化物；无机阻挡层的材质为氧化钛、氧化镁、二氧化硅、氧化锆、氧化锌或氧化铝。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。该方法可有效减少水、氧对器件的侵蚀，提高器件寿命。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在透明阳极和金属阴极之间夹有多层有机材料薄膜（空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子输送层和电子注入层），当电极间施加一定的电压后，发光层就会发光。近年来，有机电致发光器件由于本身制作成本低、响应时间短、发光亮度高、宽视角、低驱动电压以及节能环保等特点已经在全色显示、背光源和照明等领域受到了广泛关注，并被认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。
目前，有机电致发光器件存在寿命较短的问题，这主要是因为有机材料薄膜很疏松，易被空气中的水汽和氧气等成分渗入后迅速发生老化。因此，有机电致发光器件进入实际使用之前必须进行封装，封装的好坏直接关系到有机电致发光器件的寿命。
传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量，并且该方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。以及，现有的有机电致发光器件通常不能提供良好的透光率。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该制备方法可有效地减少水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明方法适用于以导电玻璃基板制备的有机电致发光器件，也适用于以塑料或金属为基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。
一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、发光功能层、阴极和封装层，所述封装层包括依次层叠的混合阻挡层和无机阻挡层，
所述混合阻挡层的材质为第一有机材料、第二有机材料与无机材料三者混合形成的混合材料，所述第一有机材料为金属酞菁化合物，所述第二有机材料为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述无机材料为氟化锂、氟化铯、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡；在所述混合阻挡层的材质中，所述第一有机材料占所述混合阻挡层总质量的40%～60%，所述无机材料的质量占所述混合阻挡层总质量的10%～30%；
所述无机阻挡层的材质为氧化钛、氧化镁、二氧化硅、氧化锆、氧化锌或氧化铝。
优选地，阳极基板为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。
优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
本发明中，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。
阴极可以为非透明金属阴极（铝、银、金等），也可以为透明阴极（介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等）。
封装层包括依次层叠的混合阻挡层和无机阻挡层。即所述无机阻挡层形成在混合阻挡层上。
混合阻挡层通过真空蒸镀的方式沉积在阴极表面。
混合阻挡层的材质为第一有机材料、第二有机材料与无机材料三者混合形成的混合材料。
第一有机材料为金属酞菁化合物。优选地，金属酞菁化合物为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁铁（FePc）、酞菁钴（CoPc）、酞菁锰（MnPc）或酞菁镍（NiPc）。金属酞菁化合物的存在能使混合阻挡层的膜层致密度提高，且能使整个膜层存在一个应力，从而有效防止膜层发生皱裂，提高膜层稳定性。
第二有机材料为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉（BCP）或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）。第二有机材料的存在能有效提高混合阻挡层的整个膜层的平整度，减少封装层存在缝隙。
无机材料为金属氟化物，可以为氟化锂（LiF）、氟化铯（CeF2）、氟化镁（MgF2）、氟化铝（AlF3）、氟化钙（CaF2）或氟化钡（BaF2）。金属氟化物具有较强的防腐蚀性能，从而能有效提高混合阻挡层的整个膜层的防外界腐蚀性能。
混合阻挡层采用上述三种材料共蒸镀制备，所得膜层热稳定性高，致密性高，平整度好，从而能有效阻挡外界水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，延长器件使用寿命。
无机阻挡层通过磁控溅射的方式沉积在混合阻挡层表面。
无机阻挡层的材质为氧化钛（TiO2）、氧化镁（MgO）、二氧化硅（SiO2）、氧化锆（ZrO2）、氧化锌（ZnO）或氧化铝（Al2O3）。
无机阻挡层为高吸水吸氧性物质膜层，其存在可以保护阴极在后续操作条件下免遭破坏，延长水、氧渗透路径，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀。
优选地，混合阻挡层的厚度为100～200nm，无机阻挡层的厚度为50～100nm。
混合阻挡层的层数不限，可以为单层，也可以为两层或多层。无机阻挡层的层数不限，可以为单层，也可以为两层或多层。优选地，混合阻挡层与无机阻挡层交替叠层设置4～6次。此时，混合阻挡层与无机阻挡层均为多层且层数相同。
另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
在阳极基板上制备发光功能层和阴极；
通过真空蒸镀的方式在所述阴极表面蒸镀制备混合阻挡层，再采用磁控溅射的方式在所述混合阻挡层上制备无机阻挡层形成封装层，得到有机电致发光器件；
所述混合阻挡层的材质为第一有机材料、第二有机材料与无机材料三者混合形成的混合材料，所述第一有机材料为金属酞菁化合物，所述第二有机材料为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述无机材料为氟化锂、氟化铯、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡；在所述混合阻挡层的材质中，第一有机材料占所述混合阻挡层总质量的40%～60%，无机材料的质量占所述混合阻挡层总质量的10%～30%；
所述无机阻挡层的材质为氧化钛、氧化镁、二氧化硅、氧化锆、氧化锌或氧化铝；
所述真空蒸镀过程中的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，所述第一有机材料的蒸发速度为所述磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，溅射过程通入氩气和甲烷，氩气通入流量为5～15sccm，甲烷通入流量为10～20sccm。
优选地，阳极基板为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。
优选地，将阳极基板进行如下清洁处理：依次进行洗洁精清洗、乙醇清洗、纯水清洗和乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，然后再用烘箱烘干待用，再对洗净后的阳极基板进行表面活化处理。
优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
本发明中，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。
阴极可以为非透明金属阴极（铝、银、金等），也可以为透明阴极（介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等）。
封装层包括依次层叠的混合阻挡层和无机阻挡层。
混合阻挡层通过真空蒸镀的方式沉积在阴极表面。
混合阻挡层的材质为第一有机材料、第二有机材料与无机材料三者混合形成的混合材料。
第一有机材料为金属酞菁化合物。优选地，金属酞菁化合物为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁铁（FePc）、酞菁钴（CoPc）、酞菁锰（MnPc）或酞菁镍（NiPc）。
第二有机材料为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷（TAPC）、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）、8-羟基喹啉铝（Alq3）、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（m-MTDATA）、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉（BCP）或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）。
无机材料为金属氟化物，可以为氟化锂（LiF）、氟化铯（CeF2）、氟化镁（MgF2）、氟化铝（AlF3）、氟化钙（CaF2）或氟化钡（BaF2）。
混合阻挡层采用上述三种材料混合掺杂共蒸镀制备，所得膜层热稳定性高，致密性高，从而能有效阻挡外界水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，延长器件使用寿命。
混合阻挡层的蒸镀制备过程中的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，第一有机材料的蒸发速度为所述第二有机材料与无机材料的蒸发速率依三者的质量比而定。所述第一有机材料、第二有机材料和无机材料的蒸发速度比为4～6:1～5:1～3。
无机阻挡层通过磁控溅射的方式沉积在混合阻挡层表面。
无机阻挡层的材质为氧化钛（TiO2）、氧化镁（MgO）、二氧化硅（SiO2）、氧化锆（ZrO2）、氧化锌（ZnO）或氧化铝（Al2O3）。
无机阻挡层为高吸水吸氧性物质膜层，其存在可以保护阴极在后续操作条件下免遭破坏，延长水、氧渗透路径，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀。
磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，溅射过程通入氩气和甲烷，氩气通入流量为5～15sccm，甲烷通入流量为10～20sccm。
优选地，混合阻挡层的厚度为100～200nm，无机阻挡层的厚度为50～100nm。
混合阻挡层的层数不限，可以为单层，也可以为两层或多层。无机阻挡层的层数不限，可以为单层，也可以为两层或多层。优选地，混合阻挡层与无机阻挡层交替叠层设置4～6次。即先在阴极表面蒸镀制备第一混合阻挡层，然后在第一混合阻挡层表面磁控溅射制备第一无机阻挡层，再在第一无机阻挡层表面蒸镀制备第二混合阻挡层，依此交替制备多层混合阻挡层与无机阻挡层。此时，混合阻挡层与无机阻挡层层数相同。
本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
（1）本发明有机电致发光器件的混合阻挡层和无机阻挡层的存在可以保护功能层和阴极在后续操作过程中免遭破坏，同时可有效地减少水汽对有机电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命；
（2）本发明有机电致发光器件的防水性能（WVTR）达到10-4g/m2·day，器件寿命（T701000cd/m2）达4500小时以上；
（3）本发明方法适用于封装以导电玻璃为阳极基板制备的有机电致发光器件，也适用于封装以塑料或金属为阳极基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件，本发明有机电致发光器件的封装面透光率可达到68%以上；
（4）本发明有机电致发光器件材料廉价，封装方法工艺简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。
附图说明
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
a.导电玻璃基板的前处理
取ITO玻璃基板，依次进行丙酮清洗、乙醇清洗、纯水清洗和乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，烘干后，对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理；ITO厚度100nm；
b.发光功能层和阴极的制备
采用真空蒸镀的方法在ITO玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
空穴注入层的制备：将MoO3掺杂入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中作为空穴注入层材料，掺杂质量浓度为30%，厚度为10nm，真空度3×10-5Pa，蒸发速度
空穴传输层的制备：采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）作为空穴传输材料，真空度3×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度30nm；
发光层的制备：主体材料采用1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBI），客体材料采用三（2-苯基吡啶）合铱(Ir(ppy)3)，客体材料掺杂质量浓度为5%，将主体材料与客体材料混合掺杂后共蒸，真空度为3×10-5Pa，蒸发速度为蒸发厚度20nm；
电子传输层的制备：采用4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）作为电子传输材料，真空度3×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度10nm；
电子注入层的制备：将CsN3掺入4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）中作为电子注入层材料，掺杂质量浓度30%，真空度3×10-5Pa，蒸发速度蒸发厚度20nm；
阴极的制备：阴极采用ZnS/Ag/ZnS，ZnS厚度30nm，Ag厚度10nm，真空度为1×10-5Pa，蒸发速度为
（2）在阴极上制备封装层
通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备有一层厚度为150nm的混合阻挡层；
混合阻挡层的材质包括酞菁镍（NiPc），TPBi和BaF2，混合阻挡层由NiPc，TPBi和BaF2按质量比为4:5:1混合共蒸镀制备，蒸镀过程的真空度为1×10-3Pa，NiPc的蒸发速度为NiPc，TPBi和BaF2的蒸发速度之比为4:5:1；
通过磁控溅射的方式在混合阻挡层上制备厚度为70nm的Al2O3层作为无机阻挡层，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-3Pa，通入Ar和CH4，Ar流量为7sccm，CH4流量为13sccm；
混合阻挡层和无机阻挡层交替重复制备4层，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为9.0×10-4，寿命（T701000cd/m2）为4500小时，透光率为75%。
图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6、阴极7和封装层8。所述封装层8包括4层厚度为150nm的混合阻挡层81、83、85和87、4层厚度为70nm的无机阻挡层82、84、86和88。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上制备封装层
通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备有一层厚度为150nm的混合阻挡层；
混合阻挡层的材质包括酞菁锌（ZnPc），NPB和CeF2，混合阻挡层由ZnPc，NPB和CeF2按质量比为5:4:1混合共蒸镀制备，蒸镀过程的真空度为5×10-5Pa，ZnPc的蒸发速度为ZnPc，NPB和CeF2的蒸发速度之比为5:4:1；
通过磁控溅射的方式在混合阻挡层上制备厚度为100nm的MgO层作为无机阻挡层，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa，通入Ar和CH4，Ar流量为5sccm，CH4流量为15sccm；
混合阻挡层和无机阻挡层交替重复制备6层，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为6.8×10-4，寿命（T701000cd/m2）为4611小时，透光率为69%。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上制备封装层
通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备有一层厚度为100nm的混合阻挡层；
混合阻挡层的材质包括酞菁铁（FePc），Alq3和MgF2，混合阻挡层由FePc，Alq3和MgF2按质量比为5:3:2混合共蒸镀制备，蒸镀过程的真空度为5×10-5Pa，FePc的蒸发速度为FePc，Alq3和MgF2的蒸发速度之比为5:3:2；
通过磁控溅射的方式在混合阻挡层上制备厚度为50nm的SiO2层作为无机阻挡层，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa，通入Ar和CH4，Ar流量为7sccm，CH4流量为10sccm；
混合阻挡层和无机阻挡层交替重复制备6层，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为7.2×10-4，寿命（T701000cd/m2）为4586小时，透光率为70%。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上制备封装层
通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备有一层厚度为150nm的混合阻挡层；
混合阻挡层的材质包括酞菁钴（CoPc），m-MTDATA和AlF3，混合阻挡层由CoPc，m-MTDATA和AlF3按质量比为5:2:3混合共蒸镀制备，蒸镀过程的真空度为5×10-5Pa，CoPc的蒸发速度为CoPc，m-MTDATA和AlF3的蒸发速度之比为5:2:3；
通过磁控溅射的方式在混合阻挡层上制备厚度为100nm的ZrO2层作为无机阻挡层，磁控溅射过程中的本底真空度为5×10-5Pa，通入Ar和CH4，Ar流量为15sccm，CH4流量为15sccm；
混合阻挡层和无机阻挡层交替重复制备5层，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为7.9×10-4，寿命（T701000cd/m2）为4554小时，透光率为72%。
实施例5
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上制备封装层
通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备有一层厚度为150nm的混合阻挡层；
混合阻挡层的材质包括酞菁锰（MnPc），BCP和CaF2，混合阻挡层由MnPc，BCP和CaF2按质量比为6:1:3混合共蒸镀制备，蒸镀过程的真空度为5×10-5Pa，MnPc的蒸发速度为MnPc，BCP和CaF2的蒸发速度之比为6:1:3；
通过磁控溅射的方式在混合阻挡层上制备厚度为80nm的ZnO层作为无机阻挡层，磁控溅射过程中的本底真空度为5×10-5Pa，通入Ar和CH4，Ar流量为5sccm，CH4流量为20sccm；
混合阻挡层和无机阻挡层交替重复制备5层，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为8.2×10-4，寿命（T701000cd/m2）为4521小时，透光率为73%。
实施例6
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）在阳极基板上制备发光功能层和阴极
与实施例1同。
（2）在阴极上制备封装层
通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为200nm的混合阻挡层；
混合阻挡层的材质包括酞菁铜（CuPc），TAPC和LiF，混合阻挡层由CuPc，TAPC和LiF按质量比为5:2:3混合共蒸镀制备，蒸镀过程的真空度为1×10-5Pa，CuPc的蒸发速度为CuPc，TAPC和LiF的蒸发速度之比为5:2:3；
通过磁控溅射的方式在混合阻挡层上制备厚度为100nm的氧化钛TiO2层作为无机阻挡层，磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa，通入Ar和CH4，Ar流量为10sccm，CH4流量为20sccm；
混合阻挡层和无机阻挡层交替重复制备6层，形成封装层，得到有机电致发光器件。
本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能（WVTR，cc/m2·day）为6.4×10-4，寿命（T701000cd/m2）为4670小时，透光率为68%。
综上，本发明提供的有机电致发光器件的制备方法可有效地减少水汽和氧对有机电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命，并且能够保护阴极免遭破坏，提高封装面的透光率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、发光功能层、阴极和封装层，其特征在于，所述封装层包括依次层叠的混合阻挡层和无机阻挡层，
所述混合阻挡层的材质为第一有机材料、第二有机材料与无机材料三者混合形成的混合材料，所述第一有机材料为金属酞菁化合物，所述第二有机材料为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述无机材料为氟化锂、氟化铯、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡；在所述混合阻挡层的材质中，所述第一有机材料占所述混合阻挡层总质量的40%～60%，所述无机材料的质量占所述混合阻挡层总质量的10%～30%；
所述无机阻挡层的材质为氧化钛、氧化镁、二氧化硅、氧化锆、氧化锌或氧化铝。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述混合阻挡层的厚度为100～200nm，所述无机阻挡层的厚度为50～100nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述混合阻挡层与所述无机阻挡层交替叠层设置4～6次。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在阳极基板上制备发光功能层和阴极；
通过真空蒸镀的方式在所述阴极表面蒸镀制备混合阻挡层，再采用磁控溅射的方式在所述混合阻挡层上制备无机阻挡层形成封装层，得到有机电致发光器件；
所述混合阻挡层的材质为第一有机材料、第二有机材料与无机材料三者混合形成的混合材料，所述第一有机材料为金属酞菁化合物，所述第二有机材料为1,1-二（（4-N,N′-二（对甲苯基）胺）苯基）环己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－邻菲罗啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述无机材料为氟化锂、氟化铯、氟化镁、氟化铝、氟化钙或氟化钡；在所述混合阻挡层的材质中，所述第一有机材料占所述混合阻挡层总质量的40%～60%，所述无机材料的质量占所述混合阻挡层总质量的10%～30%；
所述无机阻挡层的材质为氧化钛、氧化镁、二氧化硅、氧化锆、氧化锌或氧化铝；
所述真空蒸镀过程中的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，所述第一有机材料的蒸发速度为所述磁控溅射过程中的本底真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，溅射过程通入氩气和甲烷，氩气通入流量为5～15sccm，甲烷通入流量为10～20sccm。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁钴、酞菁锰或酞菁镍。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述混合阻挡层的厚度为100～200nm，所述无机阻挡层的厚度为50～100nm。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述混合阻挡层与所述无机阻挡层交替叠层设置4～6次。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
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