CN113410414A - 可拉伸阵列基板及其制作方法、显示面板、以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开一种可拉伸阵列基板及其制作方法、显示面板、以及显示装置。在一具体实施方式中,可拉伸阵列基板包括:形成在衬底上的多个岛区、设置在相邻岛区之间的孔区以及连接相邻岛区的桥区,岛区包括:显示区,包括层叠设置在衬底上的驱动电路层和发光器件层,其中,驱动电路层包括晶体管层和设置在晶体管层上的第一平坦化部;以及位于显示区与孔区之间的隔离区,隔离区包括与第一平坦化部同层设置的第二平坦化部、以及设置在第二平坦化部上的隔离柱。该实施方式通过将隔离柱设置在隔离区的第二平坦化部上,使得隔离柱与源漏信号线不同层,从而能够提高显示区的像素密度,并且使得能够增加隔离柱的数量,从而提高封装有效性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域。更具体地,涉及一种可拉伸阵列基板及其制作方法、显示面板、以及显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展,柔性可拉伸产品受到广泛关注。现有可拉伸显示装置中,隔离柱设置为与源漏(Source and Drain,SD)信号线同层,做为可拉伸显示装置的侧封装,该种隔离柱结构稳定,能够隔断发光层/阴极材料,但是由于隔离柱与SD信号线同层,一方面,在可拉伸显示装置的显示屏空间较为紧张的前提下,隔离柱所占空间将限制显示屏的像素密度(Pixels Per Inch,PPI);另一方面,在有限的空间内无法设置足够数量的隔离柱,限制封装效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种,以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:
本发明第一方面提供了一种可拉伸阵列基板,包括形成在衬底上的多个岛区、设置在相邻岛区之间的孔区以及连接相邻岛区的桥区,岛区包括:
显示区,包括层叠设置在衬底上的驱动电路层和发光器件层,其中,驱动电路层包括晶体管层和设置在晶体管层上的第一平坦化部;以及
位于显示区与孔区之间的隔离区,隔离区包括与第一平坦化部同层设置的第二平坦化部、以及设置在第二平坦化部上的隔离柱。
在一些可选的实施例中,发光器件层包括阳极、部分覆盖阳极的像素界定层、以及覆盖阳极和像素界定层的无机保护层,隔离柱包括第一隔离子层和第二隔离子层,第一隔离子层与像素界定层同层设置,第二隔离子层与无机保护层同层设置。
在一些可选的实施例中,发光器件层包括阳极、部分覆盖阳极的像素界定层、覆盖像素界定层的隔垫层、以及覆盖阳极和隔垫层的无机保护层,隔离柱包括第一隔离子层和第二隔离子层,第一隔离子层与隔垫层同层设置,第二隔离子层与无机保护层同层设置。
在一些可选的实施例中,发光器件层包括阳极、部分覆盖阳极的像素界定层、覆盖像素界定层的隔垫层、以及覆盖阳极和隔垫层的无机保护层,隔离柱包括第一隔离子层、第二隔离子层和第三隔离子层,第一隔离子层与像素界定层同层设置,第二隔离子层与隔垫层同层设置,第三隔离子层与无机保护层同层设置。
在一些可选的实施例中,岛区还包括覆盖显示区和隔离区的并且具有像素开口的硬掩模层,像素开口用于露出阳极。
本发明第二方面提供一种显示面板,包括如上文所述的可拉伸阵列基板。
本发明第三方面提供一种显示装置,包括如上文所述的显示面板。
本发明第四方面提供一种制作如上文所述的可拉伸阵列基板的方法,包括:
在衬底上形成多个岛区、设置在相邻岛区之间的孔区以及连接相邻岛区的桥区,其中,岛区包括显示区和隔离区,在衬底上形成多个岛区包括:
在衬底上形成显示区,显示区包括依次在衬底上形成的驱动电路层和发光器件层,其中,驱动电路层包括晶体管层和形成在晶体管层上的第一平坦化部;
在衬底上形成隔离区,隔离区包括与第一平坦化部同层设置的第二平坦化部、以及形成在第二平坦化部上的隔离柱。
在一些可选的实施例中,
在衬底上形成显示区进一步包括:
在第一平坦化部上形成发光器件层的阳极;
形成部分覆盖阳极的像素界定层;
形成覆盖阳极和像素界定层的无机保护层;
在衬底上形成隔离区进一步包括:
形成与像素界定层同层设置的第一隔离材料层;
形成与无机保护层同层设置的第二隔离材料层;
图案化第一隔离材料层和第二隔离材料层形成隔离柱。
在一些可选的实施例中,
在衬底上形成显示区进一步包括:
在第一平坦化部上形成发光器件层的阳极;
形成部分覆盖阳极的像素界定层;
形成覆盖像素界定层的隔垫层;以及
形成覆盖阳极和隔垫层的无机保护层;
在衬底上形成隔离区进一步包括:
形成与隔垫层同层设置的第一隔离材料层;
形成与无机保护层同层设置的第二隔离材料层;以及
图案化第一隔离材料层和第二隔离材料层形成隔离柱。
在一些可选的实施例中,
在衬底上形成显示区进一步包括:
在第一平坦化部上形成发光器件层的阳极;
形成部分覆盖阳极的像素界定层;
形成覆盖像素界定层的隔垫层;以及
形成覆盖阳极和隔垫层的无机保护层;
在衬底上形成隔离区进一步包括:
形成与像素界定层同层设置的第一隔离材料层;
形成与隔垫层同层设置的第二隔离材料层;
形成与无机保护层同层设置的第三隔离材料层;以及
图案化第一隔离材料层、第二隔离材料层和第三隔离材料层形成隔离柱。
在一些可选的实施例中,
在第一平坦化部上形成发光器件层的阳极之后,形成部分覆盖阳极的像素界定层之前,制作方法还包括:在阳极上形成硬掩模材料层;
在衬底上形成隔离区之后,制作方法还包括:
图案化显示区以露出像素界定层所界定的阳极。
在一些可选的实施例中,硬掩模材料层的材料包括氧化铟镓锌或氧化铟锌。
本发明的有益效果如下:
本发明针对目前现有的问题,制定一种可拉伸阵列基板及其制作方法、显示面板、以及显示装置,并通过将隔离柱设置在隔离区的第二平坦化部上,其中第二平坦化部与显示区的第一平坦化部同层设置,使得隔离柱与源漏信号线分别设置在不同的层,从而隔离柱所占空间与源漏信号线不冲突,能够提高显示区的像素密度,并且能够增加隔离柱的数量,提高封装距离,从而提高封装的有效性,具有广泛的应用前景。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出现有技术的可拉伸阵列基板的示意性俯视图。
图2示出沿图1中的AA′截取的现有技术的可拉伸阵列基板的示意性剖视图。
图3示出根据本发明实施例的可拉伸阵列基板的示意性俯视图。
图4示出沿图3中的BB′截取的根据本发明实施例的可拉伸阵列基板的示意性剖视图。
图5示出根据本发明的另一实施例的可拉伸阵列基板的示意性剖视图。
图6示出根据本发明的另一实施例的可拉伸阵列基板的示意性剖视图。
图7至图10示出根据本发明的一实施例的可拉伸阵列基板的制作方法的示意性工艺流程图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明,下面结合实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同或相似的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本发明的保护范围。
需要说明的是,本发明中描述的“具有”、“包含”、“包括”等均为开式的含义,即,当描述模块“具有”、“包含”或“包括”第一元件、第二元件和/或第三元件时,表示该模块除了第一元件、第二元件和/或第三元件外还包括其他的元件。另外,本发明中“第一”、“第二”和“第三”等序数词并不旨在限定具体的顺序,而仅在于区分各个部分。
本发明中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上,也可以表示一层间接形成或设置在另一层上,即两层之间还存在其它的层。
另外,在本发明中,所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成,并且,这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成,从而可以简化显示基板的制备工艺。
经发明人研究发现,现有技术中,如图1所示,通过在可拉伸阵列基板上开孔,形成若干个用于发光的岛区、用于为该可拉伸阵列基板提供拉伸变形的孔区,以及用于配置走线以连接各显示区的桥区。其中,岛区包括发光器件所在的显示区以及用于为显示区隔离水氧侵蚀的隔离区。图中为了清楚,仅示例性的框出一个隔离区和显示区。
参照图2所示,目前现有技术的可拉伸阵列基板,在隔离区中,隔离柱由与SD信号线同层的平坦化层和其上的PVX(无机保护层)构成,隔离柱与SD信号线在垂直于衬底的方向上不能够重叠,而隔离柱形成过程由于曝光-刻蚀工艺受限,隔离柱的实际占用空间较多,例如平行于衬底方向的直径大于等于20um,导致在可拉伸阵列基板的空间尺寸较为紧张的情况下,隔离柱所占空间影响显示区像素的像素电路SD的走线空间,致使各个显示区之间的间距大,显示区的PPI无法进一步提高。另外,隔离柱作为岛区的侧封装,通过间隔设置的隔离柱自身隔离水氧侵蚀显示区,而隔离柱需要多根才能够具有足够的封装距离,与SD信号线同层的隔离柱将限制隔离柱的数量,降低了显示区的封装效果。
基于以上问题之一,本发明的实施例提供了一种可拉伸阵列基板,包括形成在衬底上的多个岛区、设置在相邻岛区之间的孔区以及连接相邻岛区的桥区,岛区包括:
显示区,包括层叠设置在衬底上的驱动电路层和发光器件层,其中,驱动电路层包括晶体管层和设置在晶体管层上的第一平坦化部;以及
位于显示区与孔区之间的隔离区,隔离区包括与第一平坦化部同层设置的第二平坦化部、以及设置在第二平坦化部上的隔离柱。
在本实施例中,通过将隔离柱设置在隔离区的第二平坦化部上,其中第二平坦化部与显示区的第一平坦化部同层设置,使得隔离柱与源漏信号线分别设置在不同的层,从而隔离柱所占空间与源漏信号线不冲突,能够提高显示区的像素密度,并且能够增加隔离柱的数量,提高封装距离,从而提高封装的有效性,具有广泛的应用前景。
在一个具体的示例中,参照图3和图4所示,可拉伸阵列基板1包括形成在衬底上的多个岛区,岛区包括显示区AA和隔离区BB,相邻的岛区之间设置有孔区CC,相邻的岛区以桥区(岛区之间的空白区域)连接,也就是说,桥区用于布置连接各岛区的信号线。可拉伸阵列基板1的衬底为柔性衬底,孔区CC中的开孔一直开到柔性衬底,通过该设置,可以提供阵列基板的可拉伸性。
具体地,进一步参照图4所示,其中示出了沿图3中的BB′线截取的可拉伸阵列基板1的示意性剖视图。显示区AA包括层叠设置在衬底10上的驱动电路层20和发光器件层30。
驱动电路层20可以包括缓冲层21、有源层22、介电层23、栅极24、栅极绝缘层25、第一绝缘层26、源漏金属层27。其中,缓冲层21、有源层22、介电层23、栅极24、栅极绝缘层25、第一绝缘层26、源漏金属层27共同组成了晶体管的主要结构,可以称为晶体管层。在本发明中并不限制晶体管的具体类型,视具体应用产品而定,且图4旨在于示出了底栅结构,这只是晶体管层叠结构的一个示例,具体应用中也可以为底栅结构。
驱动电路层20还包括第一平坦化部28。发光器件层30可以包括阳极31、部分覆盖阳极31的像素界定层32、和无机保护层(PVX)33。另外,本领域技术人员应理解,尽管图中未示出,发光器件层可以包括设置在像素界定层界定的像素中的发光层、以及设置在发光层上且覆盖显示区的阴极。
基于参照图4所示,隔离区BB包括与第一平坦化部28同层设置的第二平坦化部41。
特别地,隔离柱设置在第二平坦化部41上。在该示例中,隔离柱标号为42A。具体地,在该示例中,发光器件层30包括阳极31、部分覆盖阳极31的像素界定层32、以及覆盖阳极31和像素界定层32的无机保护层(PVX)33。隔离柱42A包括第一隔离子层412和第二隔离子层422,第一隔离子层412与像素界定层32同层设置,第二隔离子层422与无机保护层33同层设置。
由图中可见,通过该设置,隔离柱不再与源漏金属层27(即,SD信号线)同层,可以理解,相应地,隔离柱也不会与岛区中与源漏金属层27电连接的源漏信号线层同层。源漏金属层与源漏信号线层可以统称源漏信号线(SD信号线)。因为隔离柱与源漏信号线不同层,因此,在平行于衬底的方向上,隔离柱的存在将不再限制显示区和连接显示区中像素和驱动晶体管的源漏信号线的布局,即,如图所示,隔离柱可以与在垂直于衬底的方向上与晶体管交叠。从而,在相同基板尺寸上,节省出来的隔离柱的空间,可以布置更多的驱动晶体管,并有足够的空间满足其驱动信号线的设置,因此,相应地可以提高显示区的PPI。另外,相应地,通过该设置,显示区中晶体管的布局也不再限制隔离柱的数量,从而保证设计人员可以设置足够数量的隔离柱,增加封装距离,提高显示区的封装效果。
另外可选地,岛区还包括覆盖显示区AA和隔离区BB的并且具有像素开口的硬掩模层35,像素开口用于露出阳极31。
在另一个具体的示例中,参照图5所示,在可拉伸阵列基板2中,发光器件层30还可以包括隔垫层34。也就是,发光器件层30包括阳极31、部分覆盖阳极31的像素界定层32、覆盖像素界定层32的隔垫层34、以及覆盖阳极31和隔垫层34的无机保护层(PVX)33。隔离柱42B包括第一隔离子层432和第二隔离子层422,第一隔离子层432与隔垫层34同层设置,第二隔离子层422与无机保护层33同层设置。
本领域技术人员应理解,该示例中,除了隔离柱之外的其他层结构与图4所示的示例相同,在此不再赘述。
通过本示例的以上设置,同样地,使得隔离柱不再与源漏金属层27(即,SD信号线)同层,可以理解,相应地,隔离柱也不会与岛区中与源漏金属层27电连接的源漏信号线层同层。在相同基板尺寸上,节省出来的隔离柱的空间,可以布置更多的驱动晶体管,并有足够的空间满足其驱动信号线的设置,因此,相应地可以提高显示区的PPI。另外,相应地,通过该设置,显示区中晶体管的布局也不再限制隔离柱的数量,从而保证设计人员可以设置足够数量的隔离柱,增加封装距离,提高显示区的封装效果。
在另一具体的示例中,参照图6所示,在图5中显示区的层结构基础上,在可拉伸阵列基板3中,隔离柱也可以为三层结构。具体地,隔离柱42C包括第一隔离子层412、第二隔离子层432和第三隔离子层422,第一隔离子层412与像素界定层32同层设置,第二隔离子层432与隔垫层34同层设置,第三隔离子层422与无机保护层33同层设置。
本领域技术人员应理解,该示例中,除了隔离柱之外的其他层结构与图4所示的示例相同,在此不再赘述。
通过本示例的以上设置,同样地,使得隔离柱不再与源漏金属层27(即,SD信号线)同层,可以理解,相应地,隔离柱也不会与岛区中与源漏金属层27电连接的源漏信号线层同层。在相同基板尺寸上,节省出来的隔离柱的空间,可以布置更多的驱动晶体管,并有足够的空间满足其驱动信号线的设置,因此,相应地可以提高显示区的PPI。另外,相应地,通过该设置,显示区中晶体管的布局也不再限制隔离柱的数量,从而保证设计人员可以设置足够数量的隔离柱,增加封装距离,提高显示区的封装效果。
进一步地,通过将隔离柱设置为包括与像素界定层同层设置的第一隔离子层、与隔垫层同层设置的第二隔离子层、以及与无机保护层同层设置的第三隔离子层,相比于以无机保护层与像素界定层或隔垫层组成的两层隔离柱,增加了隔离柱的高度,增加对水氧的阻隔能力,能够进一步提高封装效果。
相应于可拉伸阵列基板,本发明的实施例还提供一种制作以上实施例所述的可拉伸阵列基板的方法,包括:
在衬底上形成多个岛区、设置在相邻岛区之间的孔区以及连接相邻岛区的桥区,其中,岛区包括显示区和隔离区,在衬底上形成多个岛区包括:
在衬底上形成显示区,显示区包括依次在衬底上形成的驱动电路层和发光器件层,其中,驱动电路层包括晶体管层和形成在晶体管层上的第一平坦化部;
在衬底上形成隔离区,隔离区包括与第一平坦化部同层设置的第二平坦化部、以及形成在第二平坦部上的隔离柱。
在该实施例中,通过将隔离柱设置在隔离区的第二平坦化部上,其中第二平坦化部与显示区的第一平坦化部同层设置,使得隔离柱与源漏信号线分别设置在不同的层,从而隔离柱的所占空间与源漏信号线不冲突,能够提高显示区的像素密度,并且能够增加隔离柱的数量,提高封装距离,从而提高封装的有效性,具有广泛的应用前景。
下面以参照图7至图10的工艺流程图以制作图4所述的可拉伸阵列基板1的方法为例描述上述制作方法的中形成显示区和隔离区的具体步骤。
参照图7所示,在步骤101中,在玻璃基板50上形成衬底10,衬底10为柔性衬底,材料可以是聚酰亚胺膜(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、热塑性聚酯(PET)等。接下来,在步骤102中,形成驱动电路层20的晶体管层,包括形成在衬底10上的缓冲层21、形成在缓冲层21上的有源层22、覆盖有源层的介电层23、形成在介电层23上的栅极24、覆盖栅极24的栅极绝缘层25、形成在栅极绝缘层25上的第一绝缘层26、形成在第一绝缘层26上的源漏金属层27。
其中,栅极绝缘层25和第一绝缘层26可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料,介电层23可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料。栅极24的材料包括铝、钛、钴等金属或者合金材料等。缓冲层21可以采用氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅等无机绝缘材料。
本领域技术人员应理解,尽管上文的实施例中区分显示区包括驱动电路层20,但并不旨在限制驱动电路层20必须仅能够存在于显示区,在实际工艺过程中,驱动电路层中的部分层是同时形成在显示区和隔离区的区域中的。例如,缓冲层、介电层、栅极绝缘层、第一绝缘层等。特殊地,因为本发明的可拉伸阵列基板中将隔离柱设置在与源漏信号线不同的层,使得在垂直于衬底的方向上隔离柱与源漏信号线可以交叠,这将使得在有些布局情况下,为了提高PPI,驱动显示区中像素的驱动晶体管也可能设置在隔离区中的驱动电路层中。
当然,同理地,在上述步骤102中,同时包括了形成显示区中的驱动电路层20,和形成隔离区中第二平坦化部以下的各层结构。
参照图8所示,在步骤103中,在驱动电路层20的晶体管层上形成驱动电路层20的第一平坦化部28。同时,在隔离区BB上同层设置第二平坦化部41。第一平坦化部28和第二平坦化部41可以采用有机材料。
在步骤104中,在第一平坦化部28上形成发光器件层30的阳极31。具体地,可以通过在第一平坦化部28上与想要形成的像素的阳极电连接的晶体管上方对应位置开孔,再形成覆盖开孔和第一平坦化部的阳极材料层,之后图案化阳极材料层,形成阳极31。阳极31的材料包括ITO、IZO等金属氧化物或者Ag、Al、Mo等金属或其合金。
比较优选地,在步骤104中,在形成阳极31后,并在未进一步形成其他层之前,在阳极31上形成硬掩模材料层36,硬掩模材料层36的材料可以为氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锌(IZO)等。
因为本发明的实施例将隔离柱设置在与第一平坦化部同层设置的第二平坦化部之上,从而使得隔离柱设置在阳极步骤之后,通过在阳极形成后先形成硬掩模层,可以对阳极形成良好的保护功能,避免后续形成隔离柱时的刻蚀工艺对阳极的损伤,提高产品的有效性。
在步骤105中,继续形成部分覆盖阳极的像素界定层32。具体地,可以在显示区AA和显示区BB上形成像素界定层32的材料层,并对像素界定层32的材料层进行图案化,从而在显示区AA形成像素界定层32,同时在隔离区BB形成了同层设置的第一隔离材料层。示例性的,像素界定层32和第一隔离材料层的材料可以包括负性光刻胶、聚酰亚胺、环氧树脂等有机绝缘材料。
参照图9所示,在步骤106中,在显示区AA形成覆盖像素界定层32和阳极31的无机保护层33。同时,在隔离区BB同层设置覆盖第一隔离材料层的第二隔离材料层。
参照图10所示,在步骤107中,对隔离区BB中的第一隔离材料层和第二隔离材料层进行图案化,形成隔离柱42A,隔离柱42A包括第一隔离子层412和第二隔离子层422。本领域技术人员应理解,可以通过两次干法刻蚀,对第一隔离材料层和第二隔离材料层进行图案化形成隔离柱42A。
进一步地,在步骤108中,在形成隔离柱42A后,即,在衬底上形成隔离区后,图案化显示区AA以露出像素界定层32界定的阳极,从而如图4所示,形成覆盖显示区AA和隔离区BB的并且具有像素开口的硬掩模层35,像素开口用于露出阳极31,使得可以在保护阳极的同时确保后续功能结构的有序进行。
本领域技术人员应理解,尽管本发明未涉及发光层和阴极,在步骤108后,依次还可以包括:在像素界定层界定的像素区域内打印或蒸镀发光材料形成发光层、形成覆盖发光层和像素界定层的阴极、形成封装层完成显示区和隔离区的封装、以及剥离玻璃基板,在此不再赘述。
另外,需要说明的是,尽管以上参照图7至图10详细描述了图4所示的阵列基板的制作方法,但图5和图6所示的可拉伸阵列基板的制作方法是类似的。
区别仅在于,对于图5所示的可拉伸阵列基板2而言,在形成显示区的步骤中,在形成像素界定层后形成隔垫层,即形成显示区的步骤包括:在第一平坦化部上形成发光器件层的阳极;形成部分覆盖阳极的像素界定层;形成覆盖像素界定层的隔垫层;以及形成覆盖所述阳极和所述隔垫层的无机保护层。在形成隔离区的步骤中,以与隔垫层同层设置的隔离材料层和与无机保护层同层设置的隔离材料层作为隔离柱的材料层。即,在衬底上形成隔离区的步骤包括:形成与隔垫层同层设置的第一隔离材料层;形成与无机保护层同层设置的第二隔离材料层;以及图案化第一隔离材料层和第二隔离材料层形成隔离柱。
而对于图6所示的可拉伸阵列基板3而言,其制作方法是在图5的可拉伸阵列基板2的基础上,在形成隔离区时,形成与像素界定层同层设置的第一隔离材料层;形成与隔垫层同层设置的第二隔离材料层;形成与无机保护层同层设置的第三隔离材料层;以及图案化第一隔离材料层、第二隔离材料层和第三隔离材料层形成隔离柱。
其他方法步骤类似,在此不再赘述。
通过以上设置,使得隔离柱不再与源漏金属层(即,SD信号线)同层,可以理解,相应地,隔离柱也不会与岛区中与源漏金属层27电连接的源漏信号线层同层。在相同基板尺寸上,节省出来的隔离柱的空间,可以布置更多的驱动晶体管,并有足够的空间满足其驱动信号线的设置,因此,相应地可以提高显示区的PPI。另外,相应地,通过该设置,显示区中晶体管的布局也不再限制隔离柱的数量,从而保证设计人员可以设置足够数量的隔离柱,增加封装距离,提高显示区的封装效果。
基于同一发明构思,本发明的实施例还提供一种显示面板,包括上文实施所述的可拉伸阵列基板。
基于同一发明构思,本发明的实施例还提供一种显示装置,包括上文实施所述的显示面板。
由于本申请实施例提供的显示装置中包括的可拉伸阵列基板或显示显示面板与上述几种实施例提供的可拉伸阵列基板或显示显示面板相对应,因此在前实施方式也适用于本实施例,在本实施例中不再详细描述。
在本实施例中,显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、车载显示器、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件,通过加载以上可拉伸阵列基板或显示面板,显示装置可以适应于各种极线条件下的应用场景,特别是对高温高湿信赖性要求高的应用领域,具有良好的产品稳定性,提高产品寿命。
本发明针对目前现有的问题,制定一种可拉伸阵列基板及其制作方法、显示面板、以及显示装置,并通过将隔离柱设置在隔离区的第二平坦化部上,其中第二平坦化部与显示区的第一平坦化部同层设置,使得隔离柱与源漏信号线分别设置在不同的层,从而隔离柱所占空间与源漏信号线不冲突,能够提高显示区的像素密度,并且能够增加隔离柱的数量,提高封装距离,从而提高封装的有效性,具有广泛的应用前景。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定,对于本领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。
Claims (13)
1.一种可拉伸阵列基板,包括形成在衬底上的多个岛区、设置在相邻岛区之间的孔区以及连接相邻岛区的桥区,其特征在于,所述岛区包括:
显示区,包括层叠设置在所述衬底上的驱动电路层和发光器件层,其中,所述驱动电路层包括晶体管层和设置在所述晶体管层上的第一平坦化部;以及
位于所述显示区与所述孔区之间的隔离区,所述隔离区包括与所述第一平坦化部同层设置的第二平坦化部、以及设置在所述第二平坦化部上的隔离柱。
2.根据权利要求1所述的可拉伸阵列基板,其特征在于,所述发光器件层包括阳极、部分覆盖所述阳极的像素界定层、以及覆盖所述阳极和所述像素界定层的无机保护层,所述隔离柱包括第一隔离子层和第二隔离子层,所述第一隔离子层与所述像素界定层同层设置,所述第二隔离子层与所述无机保护层同层设置。
3.根据权利要求1所述的可拉伸阵列基板,其特征在于,所述发光器件层包括阳极、部分覆盖所述阳极的像素界定层、覆盖所述像素界定层的隔垫层、以及覆盖所述阳极和所述隔垫层的无机保护层,所述隔离柱包括第一隔离子层和第二隔离子层,所述第一隔离子层与所述隔垫层同层设置,所述第二隔离子层与所述无机保护层同层设置。
4.根据权利要求1所述的可拉伸阵列基板,其特征在于,所述发光器件层包括阳极、部分覆盖所述阳极的像素界定层、覆盖所述像素界定层的隔垫层、以及覆盖所述阳极和所述隔垫层的无机保护层,所述隔离柱包括第一隔离子层、第二隔离子层和第三隔离子层,所述第一隔离子层与所述像素界定层同层设置,所述第二隔离子层与所述隔垫层同层设置,所述第三隔离子层与所述无机保护层同层设置。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的可拉伸阵列基板,其特征在于,所述岛区还包括覆盖所述显示区和所述隔离区的并且具有像素开口的硬掩模层,所述像素开口用于露出所述阳极。
6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的可拉伸阵列基板。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求6所述的显示面板。
8.一种制作如权利要求1-5中任一项所述的可拉伸阵列基板的方法,其特征在于,包括:
在所述衬底上形成多个岛区、设置在相邻岛区之间的孔区以及连接相邻岛区的桥区,其中,所述岛区包括显示区和隔离区,所述在所述衬底上形成多个岛区包括:
在所述衬底上形成显示区,所述显示区包括依次在所述衬底上形成的驱动电路层和发光器件层,其中,所述驱动电路层包括晶体管层和形成在所述晶体管层上的第一平坦化部;
在所述衬底上形成隔离区,所述隔离区包括与所述第一平坦化部同层设置的第二平坦化部、以及形成在所述第二平坦化部上的隔离柱。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,
所述在所述衬底上形成显示区进一步包括:
在所述第一平坦化部上形成所述发光器件层的阳极;
形成部分覆盖所述阳极的像素界定层;
形成覆盖所述阳极和所述像素界定层的无机保护层;
所述在所述衬底上形成隔离区进一步包括:
形成与所述像素界定层同层设置的第一隔离材料层;
形成与所述无机保护层同层设置的第二隔离材料层;
图案化所述第一隔离材料层和第二隔离材料层形成所述隔离柱。
10.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底上形成显示区进一步包括:
在所述第一平坦化部上形成所述发光器件层的阳极;
形成部分覆盖所述阳极的像素界定层;
形成覆盖所述像素界定层的隔垫层;以及
形成覆盖所述阳极和所述隔垫层的无机保护层;
所述在所述衬底上形成隔离区进一步包括:
形成与所述隔垫层同层设置的第一隔离材料层;
形成与所述无机保护层同层设置的第二隔离材料层;以及
图案化所述第一隔离材料层和第二隔离材料层形成所述隔离柱。
11.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,
所述在所述衬底上形成显示区进一步包括:
在所述第一平坦化部上形成所述发光器件层的阳极;
形成部分覆盖所述阳极的像素界定层;
形成覆盖所述像素界定层的隔垫层;以及
形成覆盖所述阳极和所述隔垫层的无机保护层;
所述在所述衬底上形成隔离区进一步包括:
形成与所述像素界定层同层设置的第一隔离材料层;
形成与所述隔垫层同层设置的第二隔离材料层;
形成与所述无机保护层同层设置的第三隔离材料层;以及
图案化所述第一隔离材料层、第二隔离材料层和第三隔离材料层形成所述隔离柱。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的制作方法,其特征在于,
所述在所述第一平坦化部上形成所述发光器件层的阳极之后,所述形成部分覆盖所述阳极的像素界定层之前,所述制作方法还包括:在所述阳极上形成硬掩模材料层;
所述在所述衬底上形成隔离区之后,所述制作方法还包括:
图案化所述显示区以露出所述像素界定层所界定的阳极。
13.根据权利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述硬掩模材料层的材料包括氧化铟镓锌或氧化铟锌。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114094030A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
WO2022083306A1 (zh) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
WO2023246810A1 (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
WO2023245535A1 (zh) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200168590A1 (en) * | 2018-11-27 | 2020-05-28 | Lg Display Co., Ltd. | Stretchable Display Device |
CN111244322A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、和显示装置 |
CN111427476A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性触控显示器件及触控控制方法 |
CN111653595A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 |
-
2021
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200168590A1 (en) * | 2018-11-27 | 2020-05-28 | Lg Display Co., Ltd. | Stretchable Display Device |
CN111244322A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、和显示装置 |
CN111427476A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性触控显示器件及触控控制方法 |
CN111653595A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022083306A1 (zh) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN114094030A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN114094030B (zh) * | 2021-11-18 | 2024-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
WO2023245535A1 (zh) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
WO2023246810A1 (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
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