CN113258015B - 一种显示面板及其制备方法、显示设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示设备，其中，一种显示面板，边框包括依次交替设置的第一区域、第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间为间隔区域；所述第一区域内设置VSS信号线，第二区域设置VDD信号线；所述第一区域内设置有第一有机层，所述第二区域内设置第二有机层，所述间隔区域内设置第三有机层，所述第一有机层、所述第二有机层和所述第三有机层的上表面齐平。本申请实施例提供的显示面板只保留必要位置的有机层，减薄下边框整体有机层的厚度；减小下边框发生水汽聚集的几率，延长其高温高湿条件下信赖性时间及信赖性表现，尽量避免大量水汽聚集引起的封装失效。另外，还可以提高显示面板的制作良率以及显示效果的目的。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示设备

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示设备。

背景技术

车载屏幕使用环境及寿命都要求很高，其高温高湿的信赖性规格需要长达1200小时以上，然而，常规手机显示规格为200多小时，所以这对于柔性面板显示器件的封装提出了非常严格的要求。

现有显示面板一般包括显示区域和位于所述显示区域外围的周边区域，底边非发光区设置有VDD信号线、VSS信号线等。

在车载显示屏幕下边框的VDD信号线为降低负载采用双SD(源漏金属层)走线。为了防止阳极湿刻液造成暗点不良，上层源漏金属层的金属侧边必须被平坦层PLN包护起来，而且通过PLN还可以避免上层源漏金属层与其上方的阴极发生短路，通过PLN有机层将底部VDD信号线与顶部阴极信号隔开。

现有技术中，通常在下边框设置多层有机层，不利于边框减薄。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种显示面板及其制备方法、显示设备，可以实现下边框减薄方案，保证显示面板的制作良率。

第一方面，本申请提供了一种显示面板，包括显示区和非显示区，所述非显示区的边框包括依次交替设置的第一区域、第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间为间隔区域；所述第一区域内设置VSS信号线，第二区域设置VDD信号线；所述第一区域内设置有第一有机层，所述第二区域内设置第二有机层，所述间隔区域内设置第三有机层，所述第一有机层、所述第二有机层和所述第三有机层的上表面齐平。

进一步地，所述显示区中包括薄膜晶体管结构层和用于界定各个像素区域的像素界定层；所述薄膜晶体管结构层包括基板以及设置在所述基板上的辅助功能层、第一源漏金属层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层。

优选地，所述辅助功能层包括屏蔽层、缓冲层、栅极绝缘层、层间介质层中的一种或多种。

进一步地，所述基板、辅助功能层、第一源漏金属层、第二源漏金属层、第二平坦层、像素界定层均从所述显示区延伸至所述非显示区。

优选地，所述第一区域包括层叠设置的所述基板、辅助功能层、VSS信号线、第一有机层，其中，所述第一有机层为所述像素界定层。

优选地，所述第一区域包括层叠设置的所述基板、辅助功能层、VSS信号线、第四有机层、第一有机层，其中，所述第四有机层为所述第二平坦层，所述第一有机层为所述像素界定层。

进一步地，所述第二区域包括层叠设置的所述基板、辅助功能层、第一源漏金属层、VDD信号线、第二源漏金属层、第二有机层，其中，所述第二有机层为所述第二平坦层。

进一步地，所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层均与所述VDD信号线接触，所述第二有机层完全覆盖所述第二源漏金属层。

进一步地，所述间隔区域包括层叠设置的所述基板、辅助功能层、第三有机层，其中，所述第三有机层为所述像素界定层。

第二方面，本申请提供了一种显示面板的制备方法，用于制备如以上任一所述的显示面板，包括：

在基板上形成辅助功能层，所述基板包括显示区和非显示区，所述辅助功能层自所述显示区延伸至非显示区；

在非显示区的辅助功能层上依次形成第一源漏金属层、信号线、第二源漏金属层，其中所述信号线包括VDD信号线、VSS信号线；

在所述第二源漏金属层上形成第二平坦层；

对所述第二平坦层进行图案化，包括：去除位于所述间隔区域内的第二平坦层，以形成位于所述第二区域内的第二有机层，所述第二有机层为所述第二平坦层；

在所述第二平坦层上形成像素界定层；

对所述像素界定层进行图案化，包括：去除位于所述第二区域内的所述像素界定层，以形成位于所述间隔区域内的第三有机层，所述第三有机层为所述像素界定层。

进一步地，对所述第二平坦层进行图案化，还包括：

去除所述第一区域内的所述第二平坦层，以形成位于所述第一区域内的第一有机层，所述第一有机层为所述像素界定层。

进一步地，对所述像素界定层进行图案化，还包括：

去除位于所述第一区域内的部分所述像素界定层，以形成位于所述第一区域内的第一有机层，所述第一有机层为所述像素界定层，所述第一有机层的上表面与所述第二有机层上表面平齐。

第三方面，本申请提供了一种显示设备，包括如以上任一所述的显示面板。

本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请实施例提供的显示面板去除边框位置VDD信号线上方的PDL有机层，去除间隔区域的PLN2有机层，在边框位置处实现PLN2和PDL的边界搭配设计，只保留必要位置的有机层，减薄下边框整体有机层的厚度；减小下边框发生水汽聚集的几率，延长其高温高湿条件下信赖性时间及信赖性表现，尽量避免大量水汽聚集引起的封装失效。另外，还可以提高显示面板的制作良率以及显示效果的目的。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本申请的实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2为本申请的实施例提供的一种显示面板的截面示意图；

图3为本申请的实施例提供的另一种显示面板的截面示意图；

图4为本申请的实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；

图5为本申请的实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；

图6为对应图2显示面板在第二平坦层进行图案化后示意图；

图7为对应图2显示面板在像素界定层进行图案化后示意图；

图8为对应图3显示面板在第二平坦层进行图案化后示意图；

图9为对应图3显示面板在像素界定层进行图案化后示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

请详见图1，本申请提供了一种显示面板，包括显示区AA和非显示区CC，所述非显示区的边框包括依次交替设置的第一区域D1、第二区域D2，所述第一区域D1和所述第二区域D2之间为间隔区域D3；所述第一区域D1内设置VSS信号线20，第二区域D2设置VDD信号线10；所述第一区域D1内设置有第一有机层30，所述第二区域D2内设置第二有机层40，所述间隔区域D3内设置第三有机层50，所述第一有机层30、所述第二有机层40和所述第三有机层50的上表面齐平。

需要说明的是，在非显示区的边缘位置设置有与显示区各像素连接的信号线，包括相互平行排布的驱动电源VDD信号线10、公共电源VSS信号线20或者初始化电源Vinit信号线，其中，驱动电源VDD信号线10与公共电源VSS信号线20交替设置，而且两电源线之间通过有机层进行间隔，防止发生短路。

显示面板的四个边框位置，基于相同的发明思想，可以根据电源线的设置进行具体调整。在一些实施例中，在其中一个边框位置分布有所述公共电源VSS信号线20和驱动电源VDD信号线10；在其他一些实施例中，在其中一个边框位置分布有所述公共电源VSS信号线20以及所述初始化电源Vinit信号线，或者，在下边框位置分布有所述公共电源VSS信号线20、所述初始化电源Vinit信号线、所述驱动电源VDD信号线10。

在本申请实施例中，所述显示区中包括薄膜晶体管结构层和用于界定各个像素区域的像素界定层PDL；所述薄膜晶体管结构层包括基板100以及设置在所述基板100上的辅助功能层110、第一源漏金属层SD1 610、第一平坦层PLN1 810、第二源漏金属层SD2 620、第二平坦层PLN2 820。所述辅助功能层包括屏蔽层、缓冲层、栅极绝缘层、层间介质层中的一种或多种。

如图4所示，本申请示例性提供了一种双SD的薄膜晶体管结构，包括沿远离基板100的方向依次设置的有源层Act 200、栅极绝缘层GI 300、栅金属层Gate 400、层间介质层ILD 500、第一源漏金属层SD1 610、钝化层PVX700、第一平坦层PLN1 810、第二源漏金属层SD2 620、第二平坦层PLN2 820。其中，第二源漏金属层SD2位于第一源漏金属层SD1的上方。

需要说明的是，本申请实施例中的方向中，“上”指的是远离基板100的方向，“下”指的是靠近基板100的方向。

在本申请实施例中，显示面板的下边框位置进行示例性说明，在下边框位置分布有所述公共电源VSS信号线20和驱动电源VDD信号线10。

在具体设置时，公共电源VSS信号线20和驱动电源VDD信号线10位于同一膜层位置处。在其他一些实施例中，公共电源VSS信号线20和驱动电源VDD信号线10位于非同一膜层位置处。在同一层时，可以经过同一光罩工艺实现，在非同层时，经过两次工艺实现，无论电源线是否在同一层，相互平行的两电源线之间都需要通过有机层进行隔离，无论哪种设计，均适用本申请的发明构思。

在边框位置处，VDD信号线10的上表面直接与第一源漏金属层SD1相接触，VDD信号线10的下表面直接与第二源漏金属层SD2相接触，通过直接接触的方式，通过增大信号线之间的接触面积可以有效降低电阻，可以将第一源漏金属层SD1的宽度、第二源漏金属层SD2与VDD信号线10的宽度(即三者在基板的正投影)设置成完全重合。在边框位置处，VSS信号线20与阴极90的金属层之间通过过孔实现电连接。

然而在一些实施例中，VDD信号线10可以分别通过过孔与第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2实现电连接。在本申请实施例中，仅示例性示出了VDD信号线10与第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2的电连接的方式，在具体应用时，可以进行调整。

本领域技术人员可以理解，上述薄膜晶体管的结构并不构成对薄膜晶体管的限定，薄膜晶体管可以包括上述更多或更少的层级结构，或者组合某些层级结构，或者不同的层级结构布置。本申请同样适用其他结构的薄膜晶体管结构，在此不再详述。

在本申请实施例中，所述基板100、辅助功能层110、第一源漏金属层SD1 610、第一平坦层PLN1 810、第二源漏金属层SD2 620、第二平坦层PLN2 820、像素界定层PDL均从所述显示区延伸至所述非显示区。

需要说明的是，为了减少边框位置的厚度，尽量减少非必要的辅助功能层由显示区向非显示区延伸，本申请实施例中并不限制辅助功能层中具体层级结构向非显示区延伸，其中薄膜晶体管中由显示区向非显示区延伸的具体层级结构根据需要进行选择。

在一个实施例中，如图2所示，所述第一区域D1包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层、VSS信号线20、第一有机层30，其中，所述第一有机层30为所述像素界定层PDL。相当于对第一区域D1进行挖除第二平坦层PLN2。

在一个实施例中，如图3所示，所述第一区域D1包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层、VSS信号线20、第四有机层60、第一有机层30，其中，所述第四有机层60为所述第二平坦层PLN2，所述第一有机层30为所述像素界定层PDL。相当于对第一区域D1进行挖除部分(或者减薄)像素界定层PDL。

需要说明的是，第一区域D1中有机层的保留方案包括两种，一种是保留PLN2和PDL，去除上层的PDL，通过与第二区域D2相同的方式去除上层PDL，使得边框位置的厚度均匀；一种是仅保留上层的PDL，去除PLN2，通过与第二区域D2相同的方式去除PLN2，使得边框位置的厚度均匀。在具体设置时，可以根据需求进行选择。

在一个实施例中，如图2或3所示，所述第二区域D2包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层110、第一源漏金属层SD1、VDD信号线10、第二源漏金属层SD2、第二有机层40，其中，所述第二有机层40为所述第二平坦层。其中，所述第一源漏金属层SD1和所述第二源漏金属层SD2均与所述VDD信号线10接触，所述第二有机层40完全覆盖所述第二源漏金属层SD2。相当于对第二区域D2进行挖除第二平坦层PLN2。

需要说明的是，第二区域D2中，由于VDD信号线10与薄膜晶体管的SD1、SD2相接部分，上层SD2金属侧边必须被PLN2包护起来，可以防止阳极湿刻液造成暗点不良，通过PLN2有机层将底部VDD信号线10与顶部阴极信号隔开，防止发生短路。

因此，对于第二区域D2，PLN2是必要的，而PDL属于非必要的，因此，第二区域D2保留VDD信号线10上方的PLN2，去除VDD信号线10上方的PDL有机层。

在一个实施例中，如图2或3所示，所述间隔区域D3包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层110、第三有机层50，其中，所述第三有机层50为所述像素界定层PDL。相当于对间隔区域D3进行挖除像素界定层PDL。

需要说明的是，间隔区域D3作为VDD信号线10与VSS信号线20之间的隔离部分，防止发生短路，因此，在此区域去除PLN2的部分，通过像素界定层作为有机层进行绝缘隔离。

如图2或3所示为显示面板边框区域的截面图，在图中，VDD信号线10与VSS信号线20的排列方向为第一方向，VDD信号线10与VSS信号线20的走向为第二方向。在本申请实施例中，第一方向对应像素行的方向，第二方向对应像素列的方向。

在本申请实施例中，第一方向与第二方向可以相互垂直，也可以为呈其他角度，本申请并不限制第一方向和第二方向的具体方向。当然，在其他实施例中，第一方向和第二方向可以互换。

根据上述描述，本申请的发明构思基于去除边框位置的各区域中非必要的第二平坦层或者像素界定层，以减少有机层的厚度，只保留必要部位的有机层，减薄边框位置的整体有机层的厚度，在保证下边框平坦性的同时，减小下边框发生水汽聚集的几率，延长其高温高湿条件下信赖性时间及信赖性表现，尽量避免大量水汽聚集引起的封装失效。

实施例一

本申请实施例中，如图2所示，第一区域D1去除PLN2，间隔区域D3去除PLN2，第二区域D2去除PDL，其中，第一区域D1、间隔区域D3、第二区域D2上的上表面齐平。

对应地，所述第一区域D1包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层、VSS信号线20、第一有机层30，其中，所述第一有机层30为所述像素界定层。

所述间隔区域D3包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层、第三有机层50，其中，所述第三有机层50为所述像素界定层。

所述第二区域D2包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层、第一源漏金属层、VDD信号线10、第二源漏金属层、第二有机层40，其中，所述第二有机层40为所述第二平坦层。

请详见图5，本申请提供了一种显示面板的制备方法，用于制备如以上任一所述的显示面板，包括：

S1、在基板100上形成辅助功能层，所述基板100包括显示区和非显示区，所述辅助功能层自所述显示区延伸至非显示区；这些膜层均与现有技术中的相同，可以采用沉积薄膜结合光刻工艺或电子印刷工艺制备，在此不做详述。

S2、在非显示区的辅助功能层上依次形成第一源漏金属层、电源线、第二源漏金属层，其中所述电源线包括VDD信号线10和VSS信号线20。

在具体制备时，例如，VDD信号线10、VSS信号线20位于同一金属层上，在制备时可以采用一次构图工艺形成。例如，VDD信号线10、VSS信号线20位于非同一金属层上，在制备时可以采用多次构图工艺形成。

S3、在所述第二源漏金属层上形成第二平坦层；

S4、对所述第二平坦层进行图案化；图案化后形成的结构如图6所示。

图案化包括：去除位于所述第一区域D1和间隔区域D3内的第二平坦层，以形成位于所述第二区域D2内的第二有机层40，所述第二有机层40为所述第二平坦层。

在具体实施例时，可以对第一区域D1和间隔区域D3通过一次构图工艺形成，因而可以减少mask(掩膜版)数量，降低工艺成本。

例如，利用第一掩膜版对位于非显示区的第二平坦层的有机材料进行蚀刻，以去除位于第一区域D1和间隔区域D3内的第二平坦层。利用第一掩膜版进行蚀刻的方式较为简单便捷，处理位置更精准。其中，第一掩膜版上的开口对应第一区域D1和间隔区域D3。

经过蚀刻后，掩膜版开口位置处(第一区域D1和间隔区域D3)的第二平坦层完全被去除，只留下对应未开口位置(第二区域D2)的第二平坦层，即形成第二有机层40，所述第二有机层40为第二平坦层。

S5、在所述第二平坦层上形成像素界定层；

S6、对所述像素界定层进行图案化，图案化后形成的结构如图7所示。

图案化包括：去除位于所述第二区域D2内的所述像素界定层，以形成位于所述间隔区域D3内的第三有机层50，所述第三有机层50为所述像素界定层。

例如，利用第二掩膜版对于非显示区的像素界定层的有机材料进行蚀刻，以去除位于第二区域D2内的像素界定层。第二掩膜版的开口对应第二区域D2的位置。

经过蚀刻后，第二掩膜版开口位置处(第二区域D2)的像素界定层完全被去除，只留下对应未开口位置(第一区域D1、间隔区域D3)的像素界定层，即形成第一有机层30和第二有机层40，所述第一有机层30、第二有机层40为像素界定层。

在本公开的实施例中，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。在显示技术领域中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的图案化工艺。

实施例二

本申请实施例中，如图3所示，第一区域D1去除PDL，间隔区域D3去除PLN2，第二区域D2去除PDL，其中，第一区域D1、间隔区域D3、第二区域D2上的上表面齐平。

对应地，所述第一区域D1包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层、VSS信号线20、第四有机层、第一有机层30，其中，所述第四有机层为所述第二平坦层，所述第一有机层30为所述像素界定层。

所述间隔区域D3包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层、第三有机层50，其中，所述第三有机层50为所述像素界定层。

所述第二区域D2包括层叠设置的所述基板100、辅助功能层、第一源漏金属层、VDD信号线10、第二源漏金属层、第二有机层40，其中，所述第二有机层40为所述第二平坦层。

请详见图5，本申请提供了一种显示面板的制备方法，用于制备如以上任一所述的显示面板，包括：

S1、在基板100上形成辅助功能层，所述基板100包括显示区和非显示区，所述辅助功能层自所述显示区延伸至非显示区；这些膜层均与现有技术中的相同，可以采用沉积薄膜结合光刻工艺或电子印刷工艺制备，在此不做详述。

S2、在非显示区的辅助功能层上依次形成第一源漏金属层、电源线、第二源漏金属层，其中所述电源线包括VDD信号线10、VSS信号线20。

在具体制备时，例如，VDD信号线10、VSS信号线20位于同一金属层上，在制备时可以采用一次构图工艺形成。例如，VDD信号线10、VSS信号线20位于非同一金属层上，在制备时可以采用多次构图工艺形成。

S3、在所述第二源漏金属层上形成第二平坦层。

S4、对所述第二平坦层进行图案化，图案化后形成的结构如图8所示。

图案化包括：去除位于所述间隔区域D3内的第二平坦层，以形成位于所述第二区域D2内的第二有机层40，所述第二有机层40为所述第二平坦层。

在具体实施例时，可以对第一区域D1和间隔区域D3通过一次构图工艺形成，因而可以减少mask(掩膜版)数量，降低工艺成本。

例如，利用第三掩膜版对位于非显示区的第二平坦层的有机材料进行蚀刻，以去除位于间隔区域D3内的第二平坦层。利用第三掩膜版进行蚀刻的方式较为简单便捷，处理位置更精准。其中，第三掩膜版上的开口对应间隔区域D3。

经过蚀刻后，掩膜版开口位置处(间隔区域D3)的第二平坦层完全被去除，只留下对应未开口位置(第一区域D1和第二区域D2)的第二平坦层，即形成第二有机层40，所述第二有机层40为第二平坦层。

S5、在所述第二平坦层上形成像素界定层；

S6、对所述像素界定层进行图案化，图案化后形成的结构如图9所示。

图案化包括：去除位于所述第一区域D1和第二区域D2内的所述像素界定层，以形成位于所述间隔区域D3内的第三有机层50，所述第三有机层50为所述像素界定层。

例如，利用第四掩膜版对位于非显示区的对第一区域D1内的像素界定层进行减薄，以去除掉至少部分有机层。可以利用干刻或激光的方式对有机层14进行整体减薄处理。

第四掩膜版的开口可以对应第一区域D1和第二区域D2，在对第一区域D1进行减薄的同时，对第二区域D2内的像素界定层进行去除。还可以的是，对第一区域D1和第二区域D2内的像素界定层进行分开处理。在具体应用时，可以根据需求进行选择。

在本公开的实施例中，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。在显示技术领域中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的图案化工艺。

另一方面，本申请提供了一种显示设备，包括如以上任一所述的显示面板。

本发明对于显示装置的适用不做具体限制，其可以是电视机、笔记本电脑、平板电脑、可穿戴显示设备、手机、车载显示、导航、电子书、数码相框、广告灯箱等任何具有显示功能的产品或部件。

需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。

本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和非显示区，

所述显示区中包括薄膜晶体管结构层和用于界定各个像素区域的像素界定层，所述薄膜晶体管结构层包括靠近所述像素界定层一侧的第二平坦层；

所述非显示区的边框包括依次交替设置的第一区域、第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间为间隔区域；

所述第一区域包括层叠设置的基板、辅助功能层、VSS信号线、第一有机层；

所述第二区域包括层叠设置的所述基板、所述辅助功能层、第一源漏金属层、VDD信号线、第二源漏金属层、第二有机层；

所述间隔区域包括层叠设置的所述基板、所述辅助功能层、第三有机层；

所述第一有机层、所述第二有机层和所述第三有机层的上表面齐平，所述第一有机层为所述像素界定层，所述第二有机层为所述第二平坦层，所述第三有机层为所述像素界定层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示区中包括薄膜晶体管结构层和用于界定各个像素区域的像素界定层；所述薄膜晶体管结构层包括基板以及设置在所述基板上的辅助功能层、第一源漏金属层、第一平坦层、第二源漏金属层、所述第二平坦层。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述辅助功能层包括屏蔽层、缓冲层、栅极绝缘层、层间介质层中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述基板、辅助功能层、第一源漏金属层、第二源漏金属层、第二平坦层、像素界定层均从所述显示区延伸至所述非显示区。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一区域包括层叠设置在所述VSS信号线与所述第一有机层之间的第四有机层，其中，所述第四有机层为所述第二平坦层。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏金属层和所述第二源漏金属层均与所述VDD信号线接触，所述第二有机层完全覆盖所述第二源漏金属层。

7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-6任一所述的显示面板，包括：

在基板上形成辅助功能层，所述基板包括显示区和非显示区，所述辅助功能层自所述显示区延伸至非显示区；

在非显示区的辅助功能层上依次形成第一源漏金属层、电源线、第二源漏金属层，其中所述电源线包括VDD信号线、VSS信号线；

在所述第二源漏金属层上形成第二平坦层；

对所述第二平坦层进行图案化，包括：去除位于所述间隔区域内的第二平坦层，以形成位于所述第二区域内的第二有机层，所述第二有机层为所述第二平坦层；

在所述第二平坦层上形成像素界定层；

对所述像素界定层进行图案化，包括：去除位于所述第二区域内的所述像素界定层，以形成位于所述间隔区域内的第三有机层，所述第三有机层为所述像素界定层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所述第二平坦层进行图案化，还包括：

去除所述第一区域内的所述第二平坦层，以形成位于所述第一区域内的第一有机层，所述第一有机层为所述像素界定层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对所述像素界定层进行图案化，还包括：

去除位于所述第一区域内的部分所述像素界定层，以形成位于所述第一区域内的第一有机层，所述第一有机层为所述像素界定层，所述第一有机层的上表面与所述第二有机层上表面平齐。

10.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求1-6任一所述的显示面板。

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