JP2014179569A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 発光素子が支持体にフリップチップ実装された発光装置の製造方法であって、
   （ａ）基板と、前記基板上に形成された第１半導体層と第２半導体層と、を含む半導体層と、前記第１半導体層と電気的に接続されるｎ側電極と、前記第２半導体層と電気的に接続されるｐ側電極と、前記基板と反対側の面において、前記第１半導体層と前記第２半導体層に重なるよう設けられた金属部材を有する構造体を準備し、
   （ｂ）ｐ側配線およびｎ側配線を同一面上に有する支持体を準備し、
   （ｃ）前記構造体のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とを、導電性粒子および第１樹脂を含む異方性導電材料を用いて、それぞれ電気的に接続し、その後、
   （ｄ）前記基板を前記構造体から除去して発光素子とすることを含む、発光装置の製造方法。
2. 前記金属部材は、絶縁層を挟んで前記第２半導体層と重なるように設けられる請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記金属部材が、前記第２半導体層と重なるよう設けられた前記ｎ側電極である請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記異方性導電材料は、前記構造体と前記支持体との間にほぼ完全に充填されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記基板を除去する工程は、前記基板を透過する波長のレーザー照射によって行われる請求項１ないし４のいずれか１項記載の発光装置の製造方法。
6. 前記第ｎ側電極と前記ｐ側電極との高さの差が、前記第１半導体層と前記第２半導体層との高さの差よりも小さくなるよう設けられる請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記支持体は、前記支持体が複数連結した集合基板として準備される請求項１から６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記集合基板を分割して発光装置を得る工程を含む請求項７に記載の発光装置の製造方法。
9. 第１半導体層と、第２半導体層と、を含む半導体層と、前記第１半導体層と電気的に接続されるｎ側電極と、前記第２半導体層と接続されるｐ側電極とを有し、最上面が前記半導体層である発光素子と、ｐ側配線およびｎ側配線を同一面上に有する支持体と、を備え、前記発光素子のｐ側電極およびｎ側電極と前記支持体のｐ側配線およびｎ側配線とが、異方性導電材料によって、それぞれ電気的に接続されており、前記発光素子は、前記第１半導体層の反対側の面において、前記第１半導体層と前記第２半導体層に重なるよう設けられた金属部材を備えることを特徴とする発光装置。
10. 前記金属部材は、絶縁層を挟んで前記第２半導体層と重なるように設けられる請求項９に記載の発光装置。
11. 前記金属部材が、前記第２半導体層と重なるよう設けられた前記ｎ側電極である請求項９または１０に記載の発光装置。
12. 前記異方性導電材料は、前記発光素子と前記支持体との間にほぼ完全に充填されている請求項９からに記載の発光装置。
13. 前記第ｎ側電極と前記ｐ側電極との高さの差が、前記第１半導体層と前記第２半導体層との高さの差よりも小さい請求項８から１０のいずれか１項に記載の発光装置。