TW201423956A - 發光裝置、發光裝置集合體及附電極之基板 - Google Patents

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Yoshihiko Kitayama
Munehisa Mitani
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Abstract

本發明之發光裝置集合體以複數個連續之方式具備發光裝置，該發光裝置包括：基板；光半導體元件，其安裝於基板之表面；密封層，其以密封光半導體元件之方式形成於基板之表面；及電極，其以與光半導體元件電性連接之方式形成於基板之表面。於上述基板上形成有使相互鄰接配置之上述發光裝置隔開之脆弱區域。

Description

發光裝置、發光裝置集合體及附電極之基板
本發明係關於一種發光裝置、發光裝置集合體及附電極之基板，詳細而言係關於一種發光裝置、具備複數個發光裝置之發光裝置集合體、及用以製造其之附電極之基板。
已知發光裝置包括基板、安裝於其上之發光二極體元件(LED)、密封其之密封層、及設置於基板上且與LED連接並且用以將電源與LED連接之電極。
例如，提出有如下發光裝置，其包括絕緣基板、安裝於其中央部上之發光元件、形成於絕緣基板上且以包含發光元件之方式密封之密封體、及於絕緣基板上，於密封體之外側隔著間隔而配置之正電極外部連接焊墊及負電極外部連接焊墊(例如參照日本專利特開2008-227412號公報)。
然而，於日本專利特開2008-227412號公報中記載之發光裝置係藉由利用切割等使具有複數個該發光裝置之集合體單片化而獲得者時，就製造成本之降低或步驟數減少之觀點而言，要求更簡單地製造經單片化之發光裝置。
本發明之目的在於提供一種可容易地製造發光裝置之附電極之基板及發光裝置集合體、以及自發光裝置集合體獲得之發光裝置。
本發明之發光裝置集合體之特徵在於：其係以複數個連續之方式具備發光裝置，該發光裝置包括：基板；光半導體元件，其安裝於上述基板之表面；密封層，其以密封上述光半導體元件之方式形成於上述基板之表面；及電極，其以與上述光半導體元件電性連接之方式形成於上述基板之表面；且於上述基板上形成有使相互鄰接配置之上述發光裝置隔開之脆弱區域。
根據該發光裝置集合體，由於在基板上形成有脆弱區域，故而，藉由沿著該脆弱區域切斷發光裝置集合體之基板，可簡單地獲得複數個發光裝置。
又，於本發明之發光裝置集合體中，較佳為於上述基板上進而形成有：密封區域，其包含上述光半導體元件，且由上述密封層劃分；及電極區域，其由自上述密封層露出之上述電極劃分；且於上述基板上僅形成有上述脆弱區域、上述密封區域、及電極區域。
於該發光裝置集合體中，於基板上僅形成有脆弱區域、密封區域、及電極區域。即，除基板之脆弱區域及密封區域以外，全部形成有電極區域，因此，電極區域之導熱性優異，由此，可謀求發光裝置集合體之散熱性之提昇。又，除基板之脆弱區域及密封區域以外全部為電極區域，因此，電極區域變得相對較大，因此，可容易且確實地謀求配線相對於電極區域之連接。
其結果，該發光裝置集合體之散熱性及相對於配線之連接性之兩者優異。
又，該發光裝置集合體可謀求小型化。
又，於本發明之發光裝置集合體中，較佳為於上述脆弱區域形 成有刻痕。
於該發光裝置集合體中，於脆弱區域形成有刻痕，因此，可更進一步確實地減弱脆弱區域之強度，因此，可更進一步容易且確實地實施沿著脆弱區域之基板之切斷。
又，於本發明之發光裝置集合體中，較佳為上述密封層隔著相隔區域而密封相互鄰接配置之上述發光裝置，且於上述相隔區域形成有上述脆弱區域。
於該發光裝置集合體中，於相隔區域形成有脆弱區域，因此若沿著該脆弱區域切斷基板，則可確實且有效率地獲得發光裝置。
又，於本發明之發光裝置集合體中，較佳為上述密封層具備連續密封相互鄰接配置之上述發光裝置之連續區域，且於上述連續區域以使相互鄰接配置之上述發光裝置隔開之方式形成有上述脆弱區域。
根據該發光裝置集合體，可沿著連續密封相互鄰接配置之發光裝置之連續區域中之脆弱區域，容易地切斷基板及密封層，從而獲得發光裝置。因此，可確實且有效率地獲得發光裝置。
又，本發明之發光裝置之特徵在於：其係藉由沿著脆弱區域切斷發光裝置集合體而獲得者，上述發光裝置集合體係以複數個連續之方式具備發光裝置，該發光裝置包括：基板；光半導體元件，其安裝於上述基板之表面；密封層，其以密封上述光半導體元件之方式形成於上述基板之表面；及電極，其以與上述光半導體元件電性連接之方式形成於上述基板之表面；且於上述基板上形成有使相互鄰接配置之上述發光裝置隔開之上述脆弱區域。
該發光裝置可藉由簡單之步驟自發光裝置集合體獲得。
又，本發明之附電極之基板之特徵在於包括：基板，其形成用以安裝光半導體元件之元件安裝區域、及用以形成以密封上述光半導 體元件之方式形成之密封層之密封層形成區域；及電極，其以可與上述光半導體元件電性連接之方式形成於上述基板之表面；且於上述附電極之基板上形成有使與上述光半導體元件及上述密封層對應之複數個光半導體裝置之各者隔開之脆弱區域。
於該附電極之基板中，若於基板之元件安裝區域安裝光半導體元件，且於密封層形成區域以密封光半導體元件之方式形成密封層，則形成有使與光半導體元件及密封層對應之複數個光半導體裝置之各者隔開之脆弱區域，因此可藉由沿著脆弱區域切斷附電極之基板而簡單地獲得複數個發光裝置。
本發明之發光裝置集合體及附電極之基板可簡單地獲得複數個發光裝置。
本發明之發光裝置係藉由簡單之步驟而自發光裝置集合體獲得。
1‧‧‧發光裝置集合體
2‧‧‧基板
3‧‧‧LED
3X‧‧‧左行之LED
3Y‧‧‧右行之LED
4‧‧‧電極
4A‧‧‧前端部之電極
4B‧‧‧後端部之電極
4C‧‧‧前後方向中央部之電極
5‧‧‧密封層
5A‧‧‧前側之密封層
5B‧‧‧後側之密封層
6‧‧‧金屬線
7‧‧‧脆弱區域
8‧‧‧密封區域
8A‧‧‧前側之密封區域
8B‧‧‧後側之密封區域
9‧‧‧電極區域
9A‧‧‧前端部之電極區域
9B‧‧‧後端部之電極區域
9C‧‧‧前後方向中央部之電極區域
10‧‧‧發光裝置
10A‧‧‧前行之發光裝置
10B‧‧‧後行之發光裝置
11‧‧‧刻痕
12‧‧‧密封片材
13‧‧‧配線
14‧‧‧基底部分
15‧‧‧延出部分
17‧‧‧橫脆弱區域
27‧‧‧縱脆弱區域
41‧‧‧電極4C之前側部分
42‧‧‧電極4C之後側部分
102‧‧‧附電極之基板
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
D4‧‧‧深度
D5‧‧‧距離
D6‧‧‧距離
D7‧‧‧距離
D8‧‧‧距離
D11‧‧‧間隔
L1‧‧‧長度
W1‧‧‧寬度
W3‧‧‧寬度
W4‧‧‧前後方向中央部之電極區域9C之寬度之合計值
W5‧‧‧寬度
W7‧‧‧寬度
圖1係表示本發明之發光裝置集合體之第1實施形態之俯視圖。
圖2係表示圖1所示之發光裝置集合體之放大俯視圖。
圖3係圖2所示之發光裝置集合體之放大剖面圖，圖3(a)係表示沿A-A線之各剖面圖，圖3(b)係表示沿B-B線之各剖面圖。
圖4係說明圖3所示之發光裝置集合體之製造方法之剖面圖，圖4(a)係表示準備基板之步驟，圖4(b)係表示形成電極之步驟，圖4(c)係表示將光半導體元件安裝於基板上之步驟，圖4(d)係表示藉由金屬線而電性連接電極間與電極及光半導體元件間之步驟。
圖5係繼圖4說明圖3所示之發光裝置集合體之製造方法之剖面 圖，圖5(e)係表示藉由密封層而密封光半導體元件及金屬線之步驟，圖5(f)係表示於基板上形成刻痕之步驟，圖5(g)係表示將發光裝置集合體單片化為各發光裝置之步驟。
圖6係表示本發明之發光裝置集合體之第1實施形態之變化例之放大剖面圖。
圖7係表示本發明之發光裝置集合體之第1實施形態之變化例之放大剖面圖。
圖8係表示本發明之發光裝置集合體之第2實施形態之俯視圖。
圖9係表示圖8所示之發光裝置集合體之沿C-C線之放大剖面圖。
圖10係表示本發明之發光裝置集合體之第3實施形態之俯視圖。
圖11係表示圖10所示之發光裝置集合體之沿D-D線之放大剖面圖。
圖12係說明本發明之發光裝置集合體之第4實施形態之發光裝置集合體之製造方法之剖面圖，圖12(a)係表示準備基板之步驟，圖12(b)係表示形成電極之步驟，圖12(c)係表示於基板上形成刻痕而製造附電極之基板之步驟，圖12(d)係表示將光半導體元件安裝於基板上之步驟。
圖13係繼圖12說明本發明之發光裝置集合體之第4實施形態之發光裝置集合體之製造方法之剖面圖，圖13(e)係表示藉由金屬線而將電極間與電極及光半導體元件間電性連接之步驟，圖13(f)係表示藉由密封層而將光半導體元件及金屬線密封之步驟，圖13(g)係表示將發光裝置集合體單片化為各發光裝置之步驟。
<第1實施形態>
圖1中之方向係依據圖1之方向箭頭，將紙面左右方向設為左右方向(橫向、第1方向)，將紙面上下方向設為前後方向(縱向、相對於第1方向正交之第2方向)，將紙面深度方向設為上下方向(厚度方向、相對於第1方向及第2方向之兩方向正交之第3方向)，圖2以後之各圖係依據圖1之方向。再者，於圖1中，下述之LED3及金屬線6係由下述之密封層5被覆，因此，於俯視下無法視認，但為了明確地表示LED3及金屬線6與下述之密封層5之相對配置，方便起見以實線表示。進而，於圖1及圖2中，下述之刻痕11係位於基板2之底面側，因此，於俯視下無法視認，但為了明確地表示與LED3及電極4之相對配置，方便起見以粗虛線表示。
於圖1中，該發光裝置集合體1係於前後方向及左右方向延伸，且形成為於左右方向上較長之俯視大致矩形，且藉由一體地連續複數(例如20)個發光裝置10而形成。於發光裝置集合體1中，複數個發光裝置10整齊排列配置於左右方向及前後方向之各個方向，具體而言，以左右方向10行、前後方向2行且相互鄰接之方式並聯配置。各發光裝置10以由粗虛線表示之脆弱區域7(於下文進行敍述)為邊界，形成為俯視大致矩形之區域。
如圖1及圖3所示，該發光裝置集合體1包括基板2、安裝於基板2之上表面(表面)之作為光半導體元件之LED3、及以與LED3電性連接之方式形成於基板2之上表面(表面)之電極4。
基板2於俯視下形成為與發光裝置集合體1之外形形狀相同形狀之俯視大致矩形之平板形狀。
LED3係形成為俯視大致矩形之平板形狀，且於發光裝置集合體1中設置有複數個。LED3以確保形成以下說明之電極4及刻痕11之區域 之方式配置於基板2之上表面，即，設置於基板2上除前端部、前後方向中央部及後端部以外之區域。即，LED3於基板2之上表面係設置於前半分部分中之前後方向中央部、及後半分部分中之前後方向中央部。
又，複數個LED3於基板2之上表面，係於左右方向及前後方向上相互隔著間隔而整齊排列配置成鋸齒狀。具體而言，如圖2所示，對發光裝置10之各者設置有複數(例如12)個LED3。LED3於各發光裝置10中，係於左右方向上相互隔著間隔而設置有複數(例如2)行，且各行之LED3係於前後方向上相互隔著間隔而設置有複數(例如6)個。而且，左行之LED3X及與其等相對而排列於右側之右行之LED3Y於投影於左右方向上時，係以於前後方向上錯開之方式配置。具體而言，左行之LED3X於投影於左右方向上時，相對於右行之LED3Y偏向前側配置。換言之，左行之LED3X相對於右行之LED3Y配置於左側斜前方。
又，如圖2及圖3所示，發光裝置集合體1於各發光裝置10中，具備用以將複數個LED3相互電性連接之金屬線6。
具體而言，各發光裝置10中之複數(例如12)個LED3由複數(例如11)個金屬線6電性串聯連接。具體而言，於發光裝置10中，各金屬線6將左行之LED3X之各者與右行之LED3Y之各者交替地電性連接，藉此，由LED3及金屬線6構成之串聯排列為沿前後方向之Z字狀。具體而言，於各發光裝置10之前側部分電性地串聯連接有左行之最前側之LED3X、金屬線6、右行之最前側之LED3Y、金屬線6、及於左行中相對於最前側之LED3X鄰接配置於後側之LED3X，此種連接以自前側朝向後側重複之方式配置。又，於各發光裝置10之後側部分，電性地串聯連接有右行之最後側之LED3Y、金屬線6、左行之最後側之LED3X、金屬線6、及於右行中相對於最後側之右行之LED3Y鄰接配 置於前側之LED3Y，此種連接以自後側朝向前側重複之方式配置。
如圖1所示，電極4於基板2之前端部、前後方向中央部及後端部之各處呈於左右方向上延伸之俯視大致矩形(或俯視大致直線形狀)形成複數個。於發光裝置集合體1中，前端部之電極4A、後端部之電極4B及前後方向中央部之電極4C之各者藉由縱脆弱區域27(下述)而以於左右方向上分割為複數(例如10)個之方式被隔開。即，於各發光裝置10中，前端部之電極4A、後端部之電極4B及前後方向中央部之電極4C之各者以於左右方向上連續之方式形成。又，如圖3(a)所示，前端部之電極4A之前端面與基板2之前端面於俯視下係以配置於相同位置之方式、即以其等成為同一平面之方式形成。又，後端部之電極4之後端面與基板2之後端面於俯視下係以配置於相同位置之方式、即以其等成為同一平面之方式形成。前後方向中央部之電極4C包括前行之發光裝置10A所具備之前側部分41、及相對於前行之發光裝置10A隔著間隔而對向配置於後側之後行之發光裝置10B所具備之後側部分42。該等前側部分41及後側部分42相互於前後方向上隔著間隔而配置，且以橫脆弱區域17(下述)為邊界以於前後方向(一方向)上被分割之方式隔開。
又，如圖2及圖3所示，電極4經由金屬線6而與LED3電性連接。具體而言，於前行之各發光裝置10A中，前端部之電極4A藉由金屬線6而與左行之最前側之LED3X電性連接，另一方面，前後方向中央部之電極4C之前側部分41藉由金屬線6而與右行之最後側之LED3Y電性連接。另一方面，於後行之發光裝置10B中，前後方向中央部之電極4C之後側部分42藉由金屬線6而與左行之最前側之LED3X電性連接，另一方面，後端部之電極4B藉由金屬線6而與右行之最後側之LED3Y電性連接。
再者，於前端部之電極4A中，於其上表面之後端緣連接有金屬 線6，並且於後端部之電極4B中，於其上表面之前端緣連接有金屬線6。又，於前後方向中央部之電極4C之前側部分41中，於其上表面之前端緣連接有金屬線6，並且於前後方向中央部之電極4C之後側部分42中，於其上表面之後端緣連接有金屬線6。
又，該發光裝置集合體1具備密封層5。
密封層5以密封複數個LED3之方式形成於基板2上，具體而言，於基板2之前側部分及後側部分之各自之上表面(表面)，以於左右方向(一方向)上延伸之方式連續形成。
具體而言，密封層5於前後方向上隔著間隔而設置有複數(例如2)個，如圖1所示，各密封層5以於左右方向(一方向)上延伸之方式連續形成。
詳細而言，於密封層5中，前側之密封層5A與後側之密封層5B隔著間隔相隔區域而密封於前後方向上相互鄰接配置之前行之發光裝置10A及後行之發光裝置10B。又，前側之密封層5A及後側之密封層5B之各者形成連續密封於左右方向上相互鄰接配置之發光裝置10之連續區域。
更具體而言，前側之密封層5A以形成為於左右方向上連續延伸之俯視大致矩形，且連續被覆前行之各發光裝置10A及各發光裝置10之LED3及金屬線6之方式形成。如圖3所示，前側之密封層5A以被覆前行之發光裝置10A之各LED3之上表面及側面(前表面、後表面、右側面及左側面)、及電極4之至少內側面(即，由圖1及圖2之細虛線表示之前端部之電極4A之後端面及前後方向中央部之電極4C之前端面)之方式形成。
又，前側之密封層5A以被覆前端部之電極4A之上表面之後端緣，且露出前端部之電極4A之上表面之前端緣及前後方向中央部之方式形成。進而，前側之密封層5A以被覆前後方向中央部之電極4C 之前側部分41之上表面之前端緣，且露出前後方向中央部之電極4C之前側部分41之上表面之後端緣及前後方向中央部之方式形成。
即，如圖2及圖3所示，前側之密封層5A之前端面於投影於厚度方向上時，以與前端部之電極4A之前後方向中途部分(稍微靠後側部分)重疊之方式，且以於左右方向上延伸之方式形成，又，前側之密封層5A之後端面於投影於厚度方向上時，以與前後方向中央部之電極4C之前側部分41之前後方向中途部分重疊之方式，且以於左右方向上延伸之方式形成。
藉此，前行之發光裝置10A中之所有LED3及所有金屬線6由前側之密封層5A被覆。
如圖1所示，後側之密封層5B以形成為於左右方向上連續延伸之俯視大致矩形，且連續被覆後行之各發光裝置10B及各發光裝置10之LED3及金屬線6之方式形成。如圖3所示，後側之密封層5B以被覆後行之發光裝置10B之各LED3之上表面及側面(前表面、後表面、右側面及左側面)、及電極4之至少內側面(即，圖1及圖2之細虛線所示之後端部之電極4B之前端面及前後方向中央部之電極4C之後端面)之方式形成。
又，後側之密封層5B以被覆後端部之電極4B之上表面之前端緣，且露出後端部之電極4B之上表面之後端緣及前後方向中央部之方式形成。進而，後側之密封層5B以被覆前後方向中央部之電極4C之後側部分42之上表面之後端緣，且露出前後方向中央部之電極4C之後側部分42之上表面之前端緣及前後方向中央部之方式形成。
即，後側之密封層5B之後端面於投影於厚度方向上時，以與後端部之電極4B之前後方向中途部分(稍微靠前側部分)重疊之方式，且以於左右方向上延伸之方式形成，又，後側之密封層5B之前端面於投影於厚度方向上時，於前側之密封層5A之後端面之後方，以與前 後方向中央部之電極4C之後側部分42之前後方向中途部分重疊之方式，且以於左右方向上延伸之方式形成。
藉此，後行之發光裝置10B中之所有LED3及所有金屬線6由後側之密封層5B被覆。
而且，於該發光裝置集合體1之基板2上形成有密封區域8、及電極區域9。
如圖1及圖2所示，密封區域8係於俯視下至少包含LED3，具體而言，包含所有LED3及所有金屬線6，且由密封層5劃分，且形成於基板2上之區域。即，密封區域8於俯視下係由密封層5之周端緣劃分。
即，密封區域8係由分別與前側之密封層5A及後側之密封層5B對應之前側之密封區域8A及後側之密封區域8B形成，且前側之密封區域8A及後側之密封區域8B於前後方向隔著間隔分割並劃分為複數(例如2)個，且前側之密封區域8A及後側之密封區域8B分別被劃分為以於左右方向上延伸之方式連續之俯視大致矩形。
另一方面，電極區域9係基板2中除密封區域8及下述之脆弱區域7以外之全部之區域，具體而言係於俯視下由自密封層5露出之電極4劃分之區域。
具體而言，電極區域9係由分別對應於自密封層5露出之前端部之電極4A、後端部之電極4B及前後方向中央部之電極4C之前端部之電極區域9A、後端部之電極區域9B及前後方向中央部之電極區域9C形成。
前端部之電極區域9A及後端部之電極區域9B分別由下述之複數個縱脆弱區域27於左右方向上分割並隔開為複數個，且由縱脆弱區域27隔開之前端部之複數個電極區域9A之各者及後端部之複數個電極區域9B之各者被劃分為沿左右方向延伸之俯視大致矩形。
前後方向中央部之電極區域9C由下述之複數個縱脆弱區域27於 左右方向上分割為複數個，並且由單數個橫脆弱區域17於前後方向分割並隔開為2個，且由縱脆弱區域27及橫脆弱區域17隔開之複數個電極區域9C之各者被劃分為於左右方向上延伸之俯視大致矩形。
藉此，於發光裝置集合體1之基板2上，複數(例如40(=4行(前後方向)×10行(左右方向)))個電極區域9、及複數(例如20(=2行(前後方向)×10行(左右方向)))個密封區域8形成為圖案。
進而，於該發光裝置集合體1之基板2上進而形成有脆弱區域7。
如圖1所示，脆弱區域7係基板2中之俯視大致柵格狀之區域，且係以隔開各發光裝置集合體1之方式形成，例如，以隔開左右方向10行、前後方向2行之每個發光裝置10之方式形成。具體而言，脆弱區域7以隔開每個包含各發光裝置10中之左行之LED3X及右行之LED3Y之單元之方式，沿著前後方向形成，並且以於左右方向橫切前側之密封層5A及後側之密封層5B之間之電極4(前後方向中央部之電極4C)之前後方向中央部之方式沿著左右方向形成。具體而言，脆弱區域7係由於前後方向延伸，且於左右方向隔著間隔而形成複數(例如9)行之縱脆弱區域27、及於左右方向延伸之俯視大致直線狀之橫脆弱區域17形成。
縱脆弱區域27係以於左右方向隔開與前側之密封層5A(前側之密封區域8A)相連而被密封之前行之各發光裝置10A之方式形成，並且以於左右方向隔開與後側之密封層5B(後側之密封區域8B)相連而被密封之後行之發光裝置10B之方式形成。於縱脆弱區域27中，於基板2之上表面形成有密封層5，但於基板2上形成有下述之刻痕11，因此，與縱脆弱區域27之周圍相比，具體而言與縱脆弱區域27之左右方向兩側部分相比，機械強度形成為較弱。
另一方面，於縱脆弱區域27之前端部、後端部及前後方向中央部之各者中，自前端部之電極4A(前端部之電極區域9A)、後端部之電 極4B(後端部之電極區域9B)及前後方向中央部之電極4C(前後方向中央部之電極區域9C)露出基板2。
橫脆弱區域17係配置於在前後方向上相互隔著隔開而鄰接之前側之密封層5A及後側之密封層5B之間，更具體而言，係於前後方向中央部之電極4C之前側部分41及後側部分42之間，由該等隔開之區域。
又，如圖3(a)所示，於脆弱區域7之基板2之下表面(底面)形成有被切口為下方打開之剖面大致V字形狀之刻痕11。因此，與其周圍之基板2相比，脆弱區域7之機械強度形成為較弱。
如圖3(b)所示，於脆弱區域7中，刻痕11沿著其長度方向斷續地形成。具體而言，縱脆弱區域27中之刻痕11於前後方向斷續地形成，另一方面，橫脆弱區域17中之刻痕11於左右方向斷續地形成。
而且，該基板2僅形成有脆弱區域7、密封區域8、及電極區域9。即，於基板2中不存在除脆弱區域7、密封區域8及電極區域9以外之區域。於基板2中，於與發光裝置10對應之部分，於前後方向依序排列有電極區域9A、密封區域8A、前側之電極區域9C、橫脆弱區域17、後側之電極區域9C、密封區域8B、及電極區域9B。又，於基板2中，於與發光裝置10對應之部分，於左右方向上各密封區域8及各脆弱區域7於左右方向交替排列，具體而言，依序排列有密封區域8、脆弱區域7、...、脆弱區域7及密封區域8。
其次，參照圖4及圖5對該發光裝置集合體1之製造方法進行說明。
於該方法中，如圖4(a)所示，首先準備基板2。
作為基板2，例如可列舉氧化鋁等陶瓷基板、聚醯亞胺等樹脂基板、於核心使用有金屬板之金屬芯基板等通常用於光半導體裝置之基板。
繼而，於該方法中，如圖4(b)所示，將電極4形成為上述圖案。
作為構成電極4之材料，可列舉銀、金、銅、鐵、鉑或該等之合金等導體材料等。較佳可列舉銀。
為了形成電極4，例如可列舉鍍敷、塗佈、導體層之貼合等，較佳可列舉塗佈。塗佈包括印刷，塗佈(包括印刷)包含上述導體材料之導體糊(較佳為包含銀之銀漿)，之後，視需要進行乾燥，從而將電極4形成為上述圖案。再者，例如於基板2係包含金屬芯基板等具有導體部分之基板之情形時，導體層之貼合包括如下方法：於基板2之上表面以與電極4相同圖案積層絕緣層(未圖示)，之後，將預先成形為電極4之形狀之導體層貼附於絕緣層上。
適當選擇電極4之尺寸，前端部之電極4A、後端部之電極4B、前後方向中央部之電極4C之前側部分41及後側部分42之寬度(前後方向長度)W1例如為0.3mm以上，較佳為1mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為3mm以下。
前後方向中央部之電極4C之前側部分41及後側部分42間之間隔D11例如為0.1mm以上，較佳為0.25mm以上，又，例如為3mm以下，較佳為2mm以下。
電極4之厚度例如為1μm以上，較佳為5μm以上，又，例如為100μm以下，較佳為50μm以下。
藉此獲得具備基板2、及形成於其上表面(表面)之電極4之附電極之基板102。
繼而，於該方法中，如圖4(c)所示，以上述之配置將LED3安裝於基板2。
各LED3之尺寸及間距係根據發光裝置10之用途及目的而適當設定，具體而言，與各發光裝置10對應之左行之各LED3X之前後方向之距離(間隔)D1及各右行之LED3Y之前後方向之距離(間隔)D2例如為 0.3mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為3mm以下。
又，如參照圖2所示，於各發光裝置10中，投影於前後方向時之左行之LED3X與右行之LED3Y之左右方向之距離(間隔)D3例如為0.3mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為3mm以下。
又，於各發光裝置10之前側部分，左行之最前側之LED3X與前端部之電極4A之距離(間隔)D5、及右行之最後側之LED3Y與前後方向中央部之電極4C之前側部分41之距離(間隔)D6例如為0.3mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為10mm以下，較佳為5mm以下。又，於各發光裝置10之後側部分，左行之最前側之LED3X與前後方向中央部之電極4C之後側部分42之距離(間隔)D7、及右行之最後側之LED3Y與後端部之電極4B之距離(間隔)D8例如為0.3mm以上，較佳為0.5mm以上，又，例如為10mm以下，較佳為5mm以下。
LED3之前後方向長度及左右方向長度並無特別限制，可根據目標之發光裝置10之照度而決定。
又，LED3之厚度例如為1μm以上，較佳為100μm以上，又，例如為500μm以下，較佳為200μm以下。
繼而，於該方法中，如圖4(d)所示，於複數個LED3間、及LED3及電極4間以成為上述排列之方式例如藉由超音波接合等電性連接金屬線6。金屬線6之高度即金屬線6之上端部與基板2之上表面之距離例如為0.01mm以上，較佳為0.1mm以上，又，例如為1.0mm以下，較佳為0.6mm以下。
繼而，於該方法中，如圖5(e)所示，將密封層5形成為上述圖案。
為了將密封層5形成為上述圖案，例如，預先形成自包含密封樹 脂之密封樹脂組合物製備而成之密封片材12(假想線)，繼而，於基板2上以包含電極4之一部分、LED3及金屬線6之方式積層密封片材12。
作為密封樹脂例如可列舉藉由加熱而塑化之熱塑性樹脂、例如藉由加熱而固化之熱固性樹脂、例如藉由活性能量線(例如紫外線、電子線等)之照射而固化之活性能量線固化性樹脂等。
作為熱塑性樹脂，例如可列舉乙酸乙烯酯樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、氯乙烯樹脂、EVA-氯乙烯樹脂共聚物等。
作為熱固性樹脂及活性能量線固化性樹脂，例如可列舉矽酮樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。
作為該等密封樹脂，較佳可列舉熱固性樹脂，更佳可列舉矽酮樹脂。
又，作為包含矽酮樹脂作為密封樹脂之密封樹脂組合物，例如可列舉2階段固化型矽酮樹脂組合物、1階段固化型矽酮樹脂組合物等熱固性矽酮樹脂組合物等。
2階段固化型矽酮樹脂組合物係具有2階段之反應機構，於第1階段之反應中進行B階段化(半固化)，於第2階段之反應中進行C階段化(完全固化)之熱固性矽酮樹脂。另一方面，1階段固化型矽酮樹脂係具有1階段之反應機構，且於第1階段之反應中進行完全固化之熱固性矽酮樹脂。
又，B階段係熱固性矽酮樹脂組合物為液狀之A階段與完全固化之C階段之間之狀態，且係略微進行固化及膠化，且彈性模數小於C階段之彈性模數之狀態。
作為2階段固化型矽酮樹脂組合物之未固化體(第1階段之固化前)，例如可列舉縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物。
縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物係可藉由加熱進行 縮合反應及加成反應之熱固性矽酮樹脂組合物，更具體而言，係可藉由加熱進行縮合反應而成為B階段(半固化)，繼而，藉由進一步之加熱，進行加成反應(具體而言例如矽氫化反應)而成為C階段(完全固化)之熱固性矽酮樹脂組合物。
作為此種縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物，可列舉例如含有矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、含烯基之三烷氧基矽烷、有機氫化矽氧烷、縮合觸媒及矽氫化觸媒之第1縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物；例如含有矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、乙烯系含不飽和烴基矽化物(以下，設為乙烯系矽化物)、含環氧基之矽化物、有機氫化矽氧烷、縮合觸媒及加成觸媒(矽氫化觸媒)之第2縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物；例如含有兩封端之矽烷醇型矽油、含烯基之二烷氧基烷基矽烷、有機氫化矽氧烷、縮合觸媒及矽氫化觸媒之第3縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物；例如含有1個分子中具有至少2個烯基矽烷基之有機聚矽氧烷、1個分子中具有至少2個矽氫基之有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒及固化延遲劑之第4縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物；例如含有1個分子中並有至少2個乙烯系不飽和烴基及至少2個矽氫基之第1有機聚矽氧烷、1個分子中不包含乙烯系不飽和烴基而具有至少2個矽氫基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒及矽氫化抑制劑之第5縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物；例如含有1個分子中並有至少2個乙烯系不飽和烴基及至少2個矽烷醇基之第1有機聚矽氧烷、1個分子中不包含乙烯系不飽和烴基而具有至少2個矽氫基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化抑制劑、及矽氫化觸媒之第6縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物；例如含有矽化物、及硼化合物或鋁化合物之第7縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物；及例如含有聚鋁矽氧烷及矽烷偶合劑之第8縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物等。
該等縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物可單獨使用或併用2種以上。
作為縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物，較佳可列舉第2縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物。
於第2縮合反應．加成反應固化型矽酮樹脂組合物中，矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、乙烯系矽化物及含環氧基之矽化物係縮合原料(被供於縮合反應之原料)，且乙烯系矽化物及有機氫化矽氧烷係加成原料(被供於加成反應之原料)。
作為1階段固化型矽酮樹脂組合物，例如可列舉加成反應固化型矽酮樹脂組合物等。
加成反應固化型矽酮樹脂組合物例如含有成為主劑之含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷、及成為交聯劑之有機氫化矽氧烷。
作為含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷，例如可列舉含烯基之聚二甲基矽氧烷、含烯基之聚甲基苯基矽氧烷、含烯基之聚二苯基矽氧烷等。
於加成反應固化型矽酮樹脂組合物中，通常係以分開之封裝體提供含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷、及有機氫化矽氧烷。具體而言，作為含有主劑(含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷)之A液、及含有交聯劑(有機氫化矽氧烷)之B液之2種液體而提供。再者，兩者之加成反應所必需之公知之觸媒被添加於含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷中。
此種加成反應固化型矽酮樹脂組合物係於將主劑(A液)與交聯劑(B液)混合而製備混合液，且自混合液成形密封片材12之形狀之步驟中，含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷與有機氫化矽氧烷進行加成反應，加成反應固化型矽酮樹脂組合物固化而形成矽酮彈性體(固化體)。
再者，於密封樹脂組合物中，可視需要以適當之比率含有螢光體、及填充劑。
作為螢光體，例如可列舉可將藍色光轉換為黃色光之黃色螢光體等。作為此種螢光體，例如可列舉於複合金屬氧化物或金屬硫化物等中例如摻雜有鈰(Ce)或銪(Eu)等金屬原子之螢光體。
具體而言，作為螢光體，例如可列舉Y3Al5O12：Ce(YAG(釔．鋁．石榴石)：Ce)、(Y、Gd)3Al5O12：Ce、Tb3Al3O12：Ce、Ca3Sc2Si3O12：Ce、Lu2CaMg2(Si、Ge)3O12：Ce等具有石榴石型結晶構造之石榴石型螢光體、例如(Sr、Ba)2SiO4：Eu、Ca3SiO4Cl2：Eu、Sr3SiO5：Eu、Li2SrSiO4：Eu、Ca3Si2O7：Eu等矽酸鹽螢光體、例如CaAl12O19：Mn、SrAl2O4：Eu等鋁酸鹽螢光體、例如ZnS：Cu、Al、CaS：Eu、CaGa2S4：Eu、SrGa2S4：Eu等硫化物螢光體、例如CaSi2O2N2：Eu、SrSi2O2N2：Eu、BaSi2O2N2：Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體、例如CaAlSiN3：Eu、CaSi5N8：Eu等氮化物螢光體、例如K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn等氟化物系螢光體等。較佳可列舉石榴石型螢光體、進而較佳可列舉Y3Al5O12：Ce。
作為填充劑，例如可列舉矽酮微粒子、玻璃、氧化鋁、氧化矽(熔融氧化矽、結晶性氧化矽、超微粉無定型氧化矽或疏水性超微粉氧化矽等)、氧化鈦、氧化鋯、滑石、黏土、硫酸鋇等，該等填充劑可單獨使用或併用2種以上。較佳可列舉矽酮微粒子、氧化矽。
又，可於密封樹脂組合物中以適當之比率添加例如改性劑、界面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線吸收劑等公知之添加物。
而且，密封片材12例如包含完全固化前或完全固化後之熱固性矽酮樹脂組合物，較佳為包含完全固化前之熱固性矽酮樹脂組合物。
進而較佳為，密封片材12於熱固性矽酮樹脂組合物為2階段固化型矽酮樹脂組合物之情形時，包含2階段固化型矽酮樹脂組合物之1階 段固化體，又，於熱固性矽酮樹脂組合物為1階段固化型矽酮樹脂組合物之情形時，包含1階段固化型矽酮樹脂組合物之未固化體(固化前)。
尤其較佳為密封片材12包含2階段固化型矽酮樹脂組合物之1階段固化體。
為了形成密封片材12，例如利用流延、旋轉塗佈、輥塗等方法以適當之厚度以上述之圖案將上述之密封樹脂組合物(視需要包含螢光劑或填充劑等)塗佈於未圖示之剝離膜上，且視需要進行加熱。於密封片材12含有2階段固化型矽酮樹脂組合物之情形時，使密封片材12B階段化(半固化)。
藉此形成上述之圖案(即，與前側之密封層5A及後側之密封層5B對應之圖案)之片狀之密封片材12。
密封片材12之硬度係其壓縮彈性模數例如成為0.01MPa以上、較佳為0.04MPa以上、又例如成為1.0MPa以下、較佳為0.2MPa以下之硬度。
又，密封片材12之厚度並無特別限定，例如為100μm以上、較佳為300μm以上，例如為2000μm以下、較佳為1000μm以下。
而且，為了形成密封層5，如圖5(e)之假想線所示，使密封片材12與LED3及金屬線6於上下方向隔著間隔而對向，繼而，如箭頭所示，使密封片材12下降(按下)並藉由密封片材12被覆LED3及金屬線6。
繼而，將密封片材12相對於基板2壓合。再者，壓合較佳為於減壓環境下實施。壓合之溫度例如為0℃以上，較佳為15℃以上，又，例如為40℃以下，較佳為35℃以下。於壓合中，雖未圖示，但使用公知之壓機。
之後，例如於密封片材12含有熱固性樹脂之情形時，藉由加熱 而使密封片材12固化，從而形成為密封層5。具體而言，於密封片材12含有2階段固化型矽酮樹脂組合物之情形時，使密封片材12C階段化(完全固化)。更具體而言，於2階段固化型矽酮樹脂組合物含有縮合．加成反應固化型矽酮樹脂組合物之情形時，固化條件係加成反應(矽氫化反應)進行之條件。
具體而言，加熱溫度例如為80℃以上，較佳為100℃以上，又，例如為200℃以下，較佳為180℃以下，加熱時間例如為0.1小時以上，較佳為1小時以上，又，例如為20小時以下，較佳為10小時以下。
藉此，可形成密封層5，且藉由該密封層5而密封電極4之一部分、LED3及金屬線6。
藉由形成該密封層5，於基板2上劃分密封區域8及電極區域9。
自前側之密封層5A露出之前端部之電極4A及自後側之密封層5B露出之後端部之電極4B之寬度(前後方向長度)W3(即，前端部之電極區域9A及後端部之電極區域9B之寬度(前後方向長度)W3)就散熱性及配線13(下述)之連接性(具體而言焊接性)之觀點而言，例如為0.5mm以上，較佳為0.75mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為3mm以下。自密封層5露出之前側部分41之寬度W7、及自密封層5露出之後側部分42之寬度W7例如為0.5mm以上，較佳為0.75mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為3mm以下。又，前後方向中央部之電極區域9C之寬度(前後方向長度)之合計值W4就散熱性及配線13(下述)之連接性(具體而言焊接性)之觀點而言，例如為1.0mm以上，較佳為1.5mm以上，又，例如為10mm以下，較佳為6mm以下。
之後，如圖5(f)所示，於基板2上形成刻痕11。
為了於基板2上形成刻痕11，例如使用雷射加工、蝕刻法等。較佳為使用雷射加工。
刻痕11之深度D4例如為100μm以上，較佳為200μm以上，又， 例如為700μm以下，較佳為500μm以下。又，刻痕11之寬度W5例如為20μm以上，較佳為40μm以上，又，例如為200μm以下，較佳為150μm以下。如參照圖3(b)所示，各刻痕11之長度L1例如為100μm以上，較佳為200μm以上，又，例如為700μm以下，較佳為500μm以下。
藉此，於基板2上劃分形成有刻痕11之脆弱區域7。
藉此，可製造發光裝置集合體1。
其次，說明自所獲得之發光裝置集合體1獲得發光裝置10之方法。
為了獲得發光裝置10，如圖5(g)所示般，以單片化為各發光裝置10之方式沿著刻痕11切斷發光裝置集合體1。為了切斷發光裝置集合體1，例如沿著刻痕11彎折基板2(例如進行截斷，具體而言，進行巧克力式截斷(chocolate break))。
藉此，如圖5(g)所示，獲得複數個(例如20個)發光裝置10。
之後，如圖5(g)之假想線所示，例如藉由超音波接合等而於所獲得之發光裝置10之電極4上電性連接配線13之一端部。再者，於配線13之另一端部上電性連接有未圖示之電源，藉此，LED3經由電極4及配線13而連接於未圖示之電源。自未圖示之電源經由配線13而對該發光裝置10供給電力，藉此，LED3發光。
而且，根據該發光裝置集合體1，於基板2上形成有脆弱區域7，因此，可藉由沿著該脆弱區域7切斷發光裝置集合體1之基板2而簡單地獲得複數個發光裝置10。
又，於該發光裝置集合體1中，於脆弱區域7形成有刻痕11，因此，可更進一步確實地減弱脆弱區域7之強度，因此，可更進一步容易且確實地實施沿脆弱區域7之基板2之切斷。
又，於該發光裝置集合體1中，於作為隔著間隔而密封發光裝置 10之相隔區域而形成之前側之密封層5A及後側之密封層5B之間形成有橫脆弱區域17，因此，若沿著該橫脆弱區域17切斷基板2，則可確實且有效率地獲得發光裝置10。
然而，於先前之發光裝置集合體中，正電極外部連接焊墊及負電極外部連接焊墊之各者藉由內部電極等與發光元件電性連接。又，於該等正電極外部連接焊墊及負電極外部連接焊墊之各者上連接外部連接配線，藉此，將正電極外部連接焊墊及負電極外部連接焊墊與電源電性連接。
然而，於包含發光裝置之發光裝置集合體中，伴隨LED之發光而發熱，因此，溫度容易上升，因此，要求優異之散熱性。於上述先前之發光裝置集合體中，可經由內部電極而將發光元件之發熱自正電極外部連接焊墊及負電極外部連接焊墊散熱至外部。然而，由於正電極外部連接焊墊及負電極外部連接焊墊於發光裝置中係形成為相對較小，故而謀求散熱性之提昇有限度。
另一方面，對發光裝置集合體亦要求外部連接配線相對於正電極外部連接焊墊及負電極外部連接焊墊之優異之連接性。然而，於先前之發光裝置中，由於正電極外部連接焊墊及負電極外部連接焊墊係形成為相對較小，故而謀求連接性之提昇亦有限度。
相對於該等，於該發光裝置集合體1中，於基板2上僅形成有脆弱區域7、密封區域8、及電極區域9。即，除基板2之脆弱區域7及密封區域8以外全部形成有電極區域9，因此，電極區域9之導熱性優異，因此，可謀求發光裝置集合體1之散熱性之提昇。又，除基板2之脆弱區域7及密封區域8以外，全部為電極區域9，因此，電極區域9變得相對較大，因此可容易且確實地謀求配線13相對於電極區域9之連接。
其結果，該發光裝置集合體1之散熱性及相對於配線之連接性之 兩者優異。
又，該發光裝置集合體1可謀求小型化。
又，根據該發光裝置10，於作為連續密封相互鄰接配置之發光裝置10之連續區域而形成之前側之密封層5A及後側之密封層5B中，可沿著縱脆弱區域27容易地切斷基板2及密封層5而獲得發光裝置10。因此，可確實且有效率地獲得發光裝置10。
又，該發光裝置10係藉由簡單之步驟而自發光裝置集合體1獲得。
<變化例>
於圖6及圖7中，對與第1實施形態同樣之構件標註相同之參照符號，而省略其詳細之說明。
於第1實施形態中，如圖3(a)所示，於橫脆弱區域17中，將刻痕11於基板2之下表面切口為下方打開之剖面大致V字形狀而形成，但例如亦可如圖6所示，於基板2之上表面切口為上方打開之剖面大致V字形狀而形成。
再者，於縱脆弱區域27中，亦可將刻痕11形成為上述形狀，但於該情形時，係預先將基板2加工為上述形狀，之後，於基板2之上表面形成密封層5。
於第1實施形態中，如圖3(a)所示，自前後方向中央部之電極4C之前側部分41及後側部分42露出基板2，但例如亦可如圖7所示，於前後方向連續形成前後方向中央部之電極4C之前側部分41及後側部分42，藉此被覆縱脆弱區域27之基板2。
於該情形時，縱脆弱區域27成為由刻痕11劃分之區域。
較佳為如第1實施形態般，縱脆弱區域27自前後方向中央部之電極4C之前側部分41及後側部分42露出基板2。藉此，可確實地減弱脆弱區域7之強度。
又，於第1實施形態中，如圖3(b)所示，於脆弱區域7斷續地設置有刻痕11，例如雖未圖示但亦可連續形成至基板2之厚度方向中途。具體而言，亦可沿著前後方向連續形成縱脆弱區域27中之刻痕11，及/或沿著左右方向連續形成橫脆弱區域17中之刻痕11。
又，於第1實施形態中，如圖1所示，以隔開每個包含左行之LED3X及右行之LED3Y之單元之方式，形成沿前後方向之縱脆弱區域27，例如雖未圖示，但亦能以隔開複數個單元之方式形成。
又，於第1實施形態中，於各發光裝置10中，係藉由金屬線6而電性連接複數個LED3間，但例如雖未圖示，亦可於基板2上設置內部電極，不經由金屬線6而藉由基板2之內部電極而將各LED3間電性連接。
進而，於第1實施形態中，於各發光裝置10中，係藉由金屬線6而將電極4及LED3電性連接，但例如雖未圖示，亦可於基板2上設置內部電極，不經由金屬線6而藉由基板2之內部電極而將電極4及LED3電性連接。
又，於第1實施形態中，於各發光裝置10中，係以成為左右方向上2行、前後方向上6行(2×6行)之方式配置LED3，但LED3之個數及配置並不限定於上述情況。例如，雖未圖示，但亦可於各發光裝置10中僅設置1個LED3。
進而，於第1實施形態中，係由圖5(e)之假想線所表示之密封片材12形成密封層5，但例如亦可藉由灌注上述密封樹脂組合物等而形成。再者，於灌注時，於不形成密封層5之區域(具體而言電極區域9)預先設置障壁構件(未圖示)等保護構件以保護電極區域9，並且於形成密封層5之後除去保護構件。
較佳為由密封片材12形成密封層5。若由密封片材12形成密封層5，則無需設置及除去保護構件之步驟，相應地可簡單地形成密封層 5。
又，於第1實施形態中，如圖4所示，係設置電極4(參照圖4(b))，之後依序設置LED3及金屬線6(參照圖4(c)及圖4(d))，但其順序並無特別限定，例如雖未圖示，但亦可依序設置LED3及金屬線6，之後設置電極4。
又，於第1實施形態中，作為本發明之光半導體元件例示並說明有LED3，但例如亦可採用LD(Laser Diode，雷射二極體)3。
<第2實施形態>
於圖8及圖9中，對與第1實施形態相同之構件標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
如圖8及圖9所示，亦可將由LED3及金屬線6構成之串聯排列形成為沿前後方向之大致直線狀。
於各發光裝置10中，於前後方向上串聯排列之LED3於寬度方向上隔著間隔而配置有複數(例如5)行。
藉由第2實施形態亦可發揮與第1實施形態同樣之作用效果。
另一方面，於第1實施形態中，如圖1及圖2所示，LED3排列成鋸齒狀，具體而言，左行之LED3X於投影於左右方向上時係相對於右行之LED3Y錯開配置。因此，與圖8所示之LED3沿著前後方向及左右方向排列之第2實施形態相比，第1實施形態可降低各LED3之熱負載，即，可使來自LED3之散熱性提昇。因此，與第2實施形態相比第1實施形態係較佳之形態。
<變化例>
於第2實施形態中，如圖8所示般，於各發光裝置10中配置有複數(例如5)行於前後方向串聯排列之LED3，但例如雖未圖示，但亦可使其配置最小數行，具體而言使其配置1行。
<第3實施形態>
於圖10及圖11中，對與第1實施形態及第2實施形態同樣之構件標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第1實施形態及第2實施形態中，如圖1及圖8所示，將電極4形成為於左右方向上延伸之俯視大致矩形(或俯視大致直線形狀)，但於第3實施形態中，亦可將電極4形成為俯視大致梳狀。
又，於第2實施形態中，沿著前後方向形成有由LED3及金屬線6構成之串聯排列，但於第3實施形態中，亦可沿著左右方向形成該等串聯排列。
如圖10及圖11所示，於各發光裝置10中，於左右方向上串聯排列之LED3於前後方向上隔著間隔而配置有複數(例如5)行。
前端部之電極4A及前後方向中央部之電極4C(與前行之發光裝置10A對應之部分)分別形成為梳狀，具體而言，一體地具備於左右方向上延伸之基底部分14、及自基底部分14向前後方向延伸之延出部分15(細虛線)。又，前端部之電極4A及前後方向中央部之電極4C於前後方向隔著間隔設置。而且，前端部之電極4A及前後方向中央部之電極4C相互呈齟齬狀配置。即，延出部分15於左右方向隔著間隔對向配置，具體而言，前端部之電極4A之延出部分15與前後方向中央部之電極4C之延出部分15於左右方向上交替地配置。
後端部之電極4B及前後方向中央部之電極4C(與後行之發光裝置10B對應之部分)分別形成為梳狀，具體而言，一體地具備於左右方向上延伸之基底部分14、及自基底部分14向前後方向延伸之延出部分15(細虛線)。又，後端部之電極4B及前後方向中央部之電極4C於前後方向隔著間隔設置。而且，後端部之電極4B及前後方向中央部之電極4C相互呈齟齬狀配置。即，延出部分15於左右方向隔著間隔而對向配置，具體而言，後端部之電極4B之延出部分15與前後方向中央部之電極4C之延出部分15於左右方向上交替地配置。
再者，各延出部分15以藉由縱脆弱區域27而於左右方向上被分割為2個之方式形成。又，基底部分14以藉由橫脆弱區域17而於前後方向上被分割為2個之方式形成。
而且，於各發光裝置10中，最右側之LED3及最左側之LED3經由金屬線6而連接於電極4(具體而言，前端部之電極4A或後端部之電極4B)之延出部分15。
藉由第3實施形態亦可發揮與第1實施形態及第2實施形態同樣之作用效果。
另一方面，於第3實施形態中，如圖10所示，電極4係形成為包含延出部分15之俯視大致梳狀，因此，與電極4不包含上述延出部分15之圖1及圖8所示之形成為俯視大致直線形狀之第1實施形態及第2實施形態相比，安裝LED3之空間變窄，因此，各行中之LED3間之距離(間隔)形成為較短。
因此，與第3實施形態相比，第1實施形態及第2實施形態之各LED3之散熱性優異，因此，係較佳之形態。
<變化例>
於第3實施形態中，如圖10所示，於各發光裝置10中配置有複數(例如5)行於左右方向上串聯排列之LED3，但例如雖未圖示，但亦可使其配置最小數行，具體而言，使其配置1行。
<第4實施形態>
於圖12及圖13中，對與第1實施形態~第3實施形態同樣之構件標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於第1實施形態中，如圖4及圖5所示，首先依序形成LED3及密封層5之後，於基板2上形成刻痕11，但例如亦可如圖12及圖13所示，首先於基板2上形成刻痕11，之後依序形成LED3及密封層5。
首先，如圖12(a)所示，首先準備基板2。
繼而，如圖12(b)所示，於基板2上形成電極4。
繼而，如圖12(c)所示，於形成有電極4之基板2上形成刻痕11。
藉此，製造具備電極4、及形成有刻痕11之基板2之附電極之基板102。
再者，於附電極之基板102之基板2上形成用以安裝LED3(參照圖12(d))之區域作為元件安裝區域，又，形成用以形成以密封LED3之方式形成之密封層5(參照圖13(f))之區域作為密封層形成區域。
繼而，如圖12(d)所示，將LED3安裝於基板2之元件安裝區域。
繼而，如圖13(e)所示，藉由金屬線6而將複數個LED3間、及LED3及電極4間電性連接。
繼而，如圖13(f)所示，於基板2之密封層形成區域形成密封層5。
藉此，製造具備附電極之基板102、LED3、及密封層5之發光裝置集合體1。
之後，如圖13(g)所示，沿著附電極之基板102之刻痕11切斷發光裝置集合體1。藉此，對應於附電極之基板102、LED3、及密封層5而獲得具備其等之發光裝置10。
而且，於該附電極之基板102中，若於基板2之元件安裝區域安裝LED3，且於密封層形成區域以密封LED3之方式形成密封層5，則形成有使與LED3及密封層5對應之複數個發光裝置10之各者隔開之刻痕11，因此，藉由沿著刻痕11切斷附電極之基板102，可簡單地獲得複數個發光裝置10。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為簡單之例示，並不能限定性地解釋。由該技術領域之業者明確之 本發明之變化例包含於下述之申請專利範圍中。
1‧‧‧發光裝置集合體
2‧‧‧基板
3‧‧‧LED
3X‧‧‧左行之LED
3Y‧‧‧右行之LED
4‧‧‧電極
4A‧‧‧前端部之電極
4B‧‧‧後端部之電極
4C‧‧‧前後方向中央部之電極
5‧‧‧密封層
5A‧‧‧前側之密封層
5B‧‧‧後側之密封層
6‧‧‧金屬線
7‧‧‧脆弱區域
8‧‧‧密封區域
8A‧‧‧前側之密封區域
8B‧‧‧後側之密封區域
9‧‧‧電極區域
9A‧‧‧前端部之電極區域
9B‧‧‧後端部之電極區域
9C‧‧‧前後方向中央部之電極區域
10‧‧‧發光裝置
10A‧‧‧前行之發光裝置
10B‧‧‧後行之發光裝置
11‧‧‧刻痕
17‧‧‧橫脆弱區域
27‧‧‧縱脆弱區域
41‧‧‧電極4C之前側部分
42‧‧‧電極4C之後側部分

Claims (7)

  1. 一種發光裝置集合體，其特徵在於：其係以複數個連續之方式具備發光裝置，該發光裝置包括：基板；光半導體元件，其安裝於上述基板之表面；密封層，其以密封上述光半導體元件之方式形成於上述基板之表面；及電極，其以與上述光半導體元件電性連接之方式形成於上述基板之表面；且於上述基板上形成有使相互鄰接配置之上述發光裝置隔開之脆弱區域。
  2. 如請求項1之發光裝置集合體，其中於上述基板上進而形成：密封區域，其包含上述光半導體元件，且由上述密封層劃分；及電極區域，其由自上述密封層露出之上述電極劃分；且於上述基板上僅形成有上述脆弱區域、上述密封區域、及電極區域。
  3. 如請求項1之發光裝置集合體，其中於上述脆弱區域形成有刻痕。
  4. 如請求項1之發光裝置集合體，其中上述密封層隔著相隔區域而密封相互鄰接配置之上述發光裝置，且於上述相隔區域形成有上述脆弱區域。
  5. 如請求項1之發光裝置集合體，其中上述密封層具備連續密封相互鄰接配置之上述發光裝置之連續區域，且於上述連續區域，以使相互鄰接配置之上述發光裝置隔開之方式形成有上述脆弱區域。
  6. 一種發光裝置，其係藉由沿著脆弱區域切斷發光裝置集合體而獲得者，該發光裝置集合體係以複數個連續之方式具備發光裝 置者，該發光裝置包括：基板；光半導體元件，其安裝於上述基板之表面；密封層，其以密封上述光半導體元件之方式形成於上述基板之表面；及電極，其以與上述光半導體元件電性連接之方式形成於上述基板之表面；且於上述基板上形成有使相互鄰接配置之上述發光裝置隔開之上述脆弱區域。
  7. 一種附電極之基板，其特徵在於包括：基板，其形成有用以安裝光半導體元件之元件安裝區域、及用以形成以密封上述光半導體元件之方式形成之密封層之密封層形成區域；及電極，其以可與上述光半導體元件電性連接之方式形成於上述基板之表面；且於上述附電極之基板上形成有使與上述光半導體元件及上述密封層對應之複數個光半導體裝置之各者隔開之脆弱區域。
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