TW201338129A - 發光裝置集合體及照明裝置 - Google Patents

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Yasunari Ooyabu
Hiroyuki Katayama
Shigehiro Umetani
Hisataka Ito
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Abstract

本發明之發光裝置集合體係具備複數個發光裝置者。各發光裝置具備：電路基板，其具備與外部電源連接之一對電極，經由電極供給來自電源之電力；半導體元件，其支撐於電路基板上，與電路基板電性連接；及密封層，其於電路基板上密封半導體元件。複數個發光裝置以於一個方向上連續之方式配置。密封層以俯視時彼此相鄰之發光裝置之密封層接觸之方式配置。

Description

發光裝置集合體及照明裝置
本發明係關於一種發光裝置集合體及照明裝置，詳細而言，係關於一種於一個方向上連續配置有複數個發光裝置之發光裝置集合體、及由該發光裝置集合體獲得之照明裝置。
已知，發光二極體裝置係藉由將單數或複數個發光二極體元件(LED)配置於基板上並經密封樹脂層進行密封而獲得。
具體而言，例如，提出有如下發光裝置，其具備發光部，該發光部於絕緣基板上平行地配置而形成有複數個直線狀之配線圖案，於該配線圖案間複數個發光元件以與配線圖案電性連接之狀態搭載且由密封體密封(例如，參照日本專利特開2008-227412號公報)。
另一方面，對此種發光裝置要求其小型化及低成本化。然而，日本專利特開2008-227412號公報中記載之發光裝置中，發光部被劃分於較絕緣基板之周端緣靠內側，具體而言，發光部以俯視時密封體之周端緣未與絕緣基板之周端緣接觸之方式配置於絕緣基板之內側。
而且，於較該發光部靠外側之區域中，絕緣基板上直接設置有一對電極(正電極外部連接焊墊及負電極外部連接焊墊)，該電極與電源之間由連接配線而連接。因此，謀求小型化及低成本化時有限度。
因此，本發明之目的在於提供一種可謀求發光裝置之小型化及低成本化之發光裝置集合體、及由該發光裝置集合體獲得之照明裝置。
本發明之發光裝置集合體之特徵在於：其係具備複數個發光裝置者，且各上述發光裝置具備：電路基板，其具備與外部電源連接之一對電極，經由上述電極供給來自上述電源之電力；半導體元件，其支撐於上述電路基板之上，與上述電路基板電性連接；及密封層，其於上述電路基板上密封上述半導體元件；且複數個上述發光裝置以於一個方向上連續之方式配置；上述密封層以俯視時彼此相鄰之上述發光裝置之上述密封層接觸之方式配置。
此種發光裝置集合體中，複數個發光裝置於一個方向上連續而配置，且彼此相鄰之發光裝置之密封層以接觸之方式配置。
即，此種發光裝置集合體中以1個發光裝置中之密封層之端緣之至少一點臨向該發光裝置之電路基板之端緣的方式配置，藉此，彼此相鄰之發光裝置之密封層接觸。
因此，例如，與以密封層之端緣未臨向電路基板之端緣之方式形成的情形相比，可縮小用於形成電極之區域、即電路基板中之密封層之外側區域。
其結果為，可降低電路基板相對於1個發光裝置之面積(使用量)，可謀求小型化及低成本化。
又，本發明之發光裝置集合體中，較佳為上述密封層於俯視時至少具有一邊，彼此相鄰之上述發光裝置之上述密封層以於上述一邊上以線接觸之方式配置。
此種發光裝置集合體中，以1個發光裝置中之密封層之端緣之一邊臨向該發光裝置之電路基板之端緣之一邊的方式配置，藉此，彼此相鄰之發光裝置之密封層於一邊上線接觸。
因此，例如，與密封層之端緣於一點臨向電路基板之端緣之方式形成的情形相比，可進而縮小用於形成電極之區域、即電路基板中之密封層之外側區域。
其結果為，可進一步降低電路基板相對於1個發光裝置之面積(使用量)，可謀求小型化及低成本化。
又，本發明之發光裝置集合體中，較佳為上述密封層俯視呈大致多邊形。
若密封層俯視呈大致多邊形，則可良率較佳地自片材切取而形成密封層。其結果為可謀求低成本化。
又，本發明之發光裝置集合體中，較佳為上述密封層於俯視時呈(4+2n)邊形(n為包含0之自然數)。
若密封層為(4+2n)邊形(n為包含0之自然數)，則密封層之對稱性較高，故而可確保優異之光指向性。
又，本發明之發光裝置集合體中，較佳為上述密封層俯視呈大致正六邊形。
若密封層俯視呈大致正六邊形，則與例如密封層為正四邊形之情形等相比，可效率良好地將密封層配置於每1個電路基板上。因此，可良率較佳地自片材切取而形成密封層。其結果為可更進一步謀求低成本化。
又，本發明之照明裝置之特徵在於：其具備至少1個上述發光裝置集合體之上述發光裝置。此種照明裝置由上述發光裝置集合體獲得，故而可謀求小型化及低成本化。
1‧‧‧發光裝置集合體
2‧‧‧發光二極體元件
3‧‧‧密封層
4‧‧‧電路基板
5‧‧‧外部電極
6‧‧‧金屬線
9‧‧‧半導體基板
10‧‧‧發光裝置
11‧‧‧樹脂片材
12‧‧‧剝離膜
13‧‧‧密封樹脂層
15‧‧‧露出部
L1‧‧‧密封層最長之對角線長度
L2‧‧‧密封層彼此對向之邊之間之距離
圖1係本發明之發光裝置集合體之一實施形態(密封層形成為俯視呈大致正六邊形之形態)之概略圖， 圖1(a)表示利用密封層密封前之平面圖，圖1(b)表示利用密封層密封後之平面圖，圖1(c)表示沿(b)之A-A'線之剖面圖。
圖2係表示圖1所示之發光裝置集合體之製造方法的製造步驟圖，圖2(a)表示於電路基板上安裝發光二極體並且準備樹脂片材之步驟，圖2(b)表示藉由密封樹脂層被覆發光二極體之步驟，圖2(c)表示壓接樹脂片材之步驟，圖2(d)表示使密封樹脂層硬化之步驟。
圖3係連續地形成複數個圖1所示之發光裝置集合體之形態的平面圖。
圖4係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致正八邊形之形態)之平面圖。
圖5係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致正十邊形之形態)之平面圖。
圖6係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致正十二邊形之形態)之平面圖。
圖7係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致矩形，且以隔著密封層之方式形成有外部電極之形態)之平面圖。
圖8係連續地形成複數個圖7所示之發光裝置集合體之形態的平面圖。
圖9係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致矩形，且以未隔著密封層之方式形成有外部電極之形態)之平面圖。
圖10係連續地形成複數個圖9所示之發光裝置集合體之形態的概略平面圖。
圖11係表示單個地分割而成之發光裝置之平面圖。
圖12係表示每複數個分割而成之發光裝置之平面圖。
圖1係本發明之發光裝置集合體之一實施形態(密封層形成為俯視呈大致正六邊形之形態)之概略圖，圖1(a)表示利用密封層密封前之平面圖，圖1(b)表示利用密封層密封後之平面圖，圖1(c)表示沿圖1(b)之A-A'線之剖面圖。
再者，圖1(a)中，以虛線表示下述密封層3配置之位置，又，圖1(b)及圖1(c)中，省略下述金屬線6進行記載。
於圖1中，發光裝置集合體1係藉由複數個(例如8個)發光裝置10連續成一體而形成。
再者，於以下說明中，提及方向時，以將發光裝置集合體1水平地載置之情形為基準，將圖1(a)中之紙面上下方向設為縱方向，將圖1(a)中之紙面左右方向設為橫方向。再者，縱方向及橫方向包含於水平方向中。又，將圖1(c)中之紙面上下方向設為上下方向。
各發光裝置10具備：電路基板4；作為半導體元件之發光二極體元件2，其支撐於電路基板4之上，與電路基板4電性連接；及密封層3，其於電路基板4上密封發光二極體元件2。
電路基板4係以對應於各發光裝置10之方式、以向縱方向及橫方向上延伸之俯視呈大致矩形之平板形狀設置有複數個(8個)，又，複數個(8個)電路基板4以於橫方向上彼此連續之方式形成一體。電路基板4使用例如氧化鋁等陶瓷基板、例如聚醯亞胺等樹脂基板、芯使用金屬板之金屬芯基板等光半導體裝置中通常使用之基板即可。
電路基板4於其上表面具備：未圖示之配線圖案、作為連接於外 部電源(未圖示)之一對電極之外部電極5、及與發光二極體元件2電性連接之內部電極(未圖示)。
外部電極5之詳細情況於後文進行敍述，其如圖1(b)所示般，在積層於電路基板4上之密封層3(後述)之外側區域中設置有複數個(一對)，以隔著密封層3之方式對向配置。
而且，電路基板4(之配線圖案(未圖示))中，經由外部電極5供給來自電源之電力，電力經由內部電極(未圖示)供給至發光二極體元件2。
發光二極體元件2形成為俯視呈大致矩形之平板形狀，於電路基板4之上表面於橫方向上彼此隔開間隔而並列配置有複數個(3個)，又，於縱方向上彼此隔開間隔而並列配置有複數行(3行)。
此種發光二極體元件2經由金屬線6與於橫方向上彼此相鄰之發光二極體元件2電性串列連接，並與未圖示之內部電極電性連接。此種發光二極體元件2藉由自電路基板4供給電力而發光。
發光二極體元件2之1邊之長度例如為0.1~5 mm。發光二極體元件2之厚度例如為10~1,000 μm。
發光二極體元件2之縱方向及橫方向上之間隔例如為0.1~20 mm，較佳為0.5~5 mm。
密封層3係用於在電路基板4上密封發光二極體元件2之樹脂層，形成為俯視時密封層3之端緣之至少一點臨向電路基板4之端緣的形狀。
此種密封層3如圖1(b)所示，形成為俯視時至少具有一邊之形狀，更具體而言，形成為俯視呈大致多邊形即俯視呈大致正六邊形。
若密封層3為俯視呈大致多邊形，則可良率較佳地自片材切取而形成密封層3。其結果為可謀求低成本化。
即，於發光裝置集合體1之製造中，密封層3通常以較大之片材 之形式製造，切取為適當之尺寸而使用。
於此種情形時，若使密封層3形成為例如俯視呈大致圓形、俯視呈大致半圓形等，則於該圓形之外側部分產生未切取作為密封層3之部分，即損耗。
另一方面，若使密封層3形成為俯視呈多邊形，則可自較大之片材無間隙地(例如蜂窩狀地)切取密封層3，故而抑制損耗而可無浪費地使用密封層3，可謀求低成本化。
又，俯視呈正六邊形係俯視時之(4+2n)邊形(n為包含0之自然數)，即對稱形狀之多邊形。
若密封層3為(4+2n)邊形(n為包含0之自然數)，則密封層3之對稱性較高，故而可確保優異之光指向性。
更具體而言，於密封層3為俯視時具有奇數個角之多邊形(例如，三角形、五邊形、七邊形等)之情形時，密封層3於俯視時僅相對於一個方向呈對稱形狀。
相對於此，於密封層3為(4+2n)邊形(n為包含0之自然數)、即俯視時具有偶數個角之多邊形(例如正六邊形狀)之情形時，密封層3於俯視時分別相對於一方向、及與該一方向正交之方向之兩個方向(圖1(b)中之紙面縱橫方向)呈對稱形狀。即，與如上所述之僅相對於一個方向呈對稱形狀之情形相比，密封層3之對稱性較高，因此，可確保優異之光指向性。
再者，俯視時(4+2n)邊形(n為包含0之自然數)、即對稱形狀之多邊形中，除圖1(b)所示之正六邊形以外，亦包括例如俯視時呈四邊形、六邊形(與正六邊形不同之六邊形)、八邊形、十邊形、十二邊形等之多邊形。
尤其是若密封層3俯視呈大致正六邊形，則與例如密封層3為正四邊形之情形等相比，可效率良好地將密封層3配置於每1個電路基板 4上。因此，可良率較佳地自片材切取而形成密封層3。其結果為，可更進一步實現低成本化。
又，於密封層3形成為俯視呈正六邊形、電路基板4形成為俯視呈大致矩形之情形時，如圖1(b)所示，密封層3係以其最長之對角線長度L1與電路基板4之一邊(於縱方向上延伸之邊)之長度相同的方式形成。又，密封層3係以彼此對向之邊之間之距離L2與電路基板4之另一邊(於橫方向上延伸之邊)之長度相同的方式形成。
於是，此種密封層3係以如下方式配置：於電路基板4之安裝有發光二極體元件2之側之表面上，以被覆發光二極體元件2之方式積層，藉此，於2點(朝向縱方向彎曲之2個角之頂點)及2邊(於縱方向上延伸之2條邊)上對各發光裝置10之電路基板4內接。
藉由如此配置密封層3，未經密封層3密封之區域即露出部15被劃分為密封層3之外側。
更具體而言，露出部15係於各電路基板4之縱方向兩側及橫方向兩側之4個角部劃分為由電路基板4之外周與密封層3之一邊包圍的俯視呈大致三角形。又，彼此相鄰之發光裝置10之露出部15係以於橫方向上連續之方式劃分。
而且，於1個發光裝置10中劃分出之露出部15中，縱方向一側且橫方向一側之露出部15與縱方向另一側且橫方向另一側之露出部15中，以隔著密封層3之方式對向配置有2個外部電極5。
又，於此種發光裝置集合體1中，密封層3係以複數個(8個)密封層3彼此連續之方式形成一體。
於是，此種發光裝置集合體1中，複數個發光裝置10於一個方向上連續配置，且彼此相鄰之發光裝置10之密封層3以俯視時於至少一點接觸之方式、具體而言以於一邊上以線接觸之方式配置。
即，此種發光裝置集合體1中，以1個發光裝置10中之密封層3之 端緣之至少一點臨向該發光裝置10之電路基板4之端緣的方式配置，藉此，彼此相鄰之發光裝置10之密封層3於至少1點接觸。
因此，例如，與以密封層3之端緣未臨向電路基板4之端緣之方式形成的情形相比，可縮小用於形成外部電極5之區域、即電路基板4中之密封層3之外側區域。
其結果為，可降低電路基板4相對於1個發光裝置10之面積(使用量)，可謀求小型化及低成本化。
尤其是於該發光裝置集合體1中，以1個發光裝置10中之密封層3之端緣之一邊臨向該發光裝置10之電路基板4之端緣之一邊的方式配置，藉此，彼此相鄰之發光裝置10之密封層3於一邊線上接觸。
因此，例如，與以密封層3之端緣於一點臨向電路基板4之端緣之方式形成的情形相比，可進而縮小用於形成外部電極5之區域、即電路基板4中之密封層3之外側區域。
其結果為，可進一步降低電路基板4相對於1個發光裝置10之面積(使用量)，可謀求小型化及低成本化。
圖2係表示圖1所示之發光裝置集合體之製造方法的製造步驟圖。
再者，於以後之各圖式中，對與上述各部對應之構件標註同一參照符號，並省略其詳細說明。
繼而，參照圖2對發光裝置集合體1之製造方法進行說明。
製造發光裝置集合體1時，首先，如圖2(a)所示，於上述電路基板4上安裝複數個上述發光二極體元件2，製造半導體基板9。
又，製造發光裝置集合體1時，另外準備作為密封片材之樹脂片材11。
樹脂片材11係如圖2(a)所示，形成為片狀，具備：剝離膜12；及密封樹脂層13，其積層於剝離膜12上，與上述密封層3大致相同形 狀。
剝離膜12例如由聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚苯乙烯膜、聚丙烯膜、聚碳酸酯膜、丙烯酸系膜、聚矽氧樹脂膜、苯乙烯樹脂膜、氟樹脂膜等樹脂膜形成。再者，剝離膜12之表面亦可實施脫模處理。
剝離膜12之厚度例如為20~100 μm，較佳為30~50 μm。若剝離膜12之厚度為上述範圍內，則可抑制成本之增大同時實現良好之處理性(使剝離膜12自樹脂片材11剝離時之處理性)。
密封樹脂層13係由包含密封樹脂之密封樹脂組合物形成。
作為密封樹脂，可列舉：例如藉由加熱而塑化之熱塑性樹脂，例如藉由加熱而硬化之熱硬化性樹脂，例如藉由活性能量射線(例如紫外線、電子束等)之照射而硬化之活性能量射線硬化性樹脂等。
作為熱塑性樹脂，例如可列舉：乙酸乙烯酯樹脂、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、氯乙烯樹脂、EVA/氯乙烯樹脂共聚物等。
作為熱硬化性樹脂及活性能量射線硬化性樹脂，例如可列舉：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等。
作為該等密封樹脂，較佳可列舉熱硬化性樹脂，更佳可列舉聚矽氧樹脂。
又，作為包含聚矽氧樹脂作為密封樹脂之密封樹脂組合物，例如可列舉：2階段硬化型聚矽氧樹脂組合物、1階段硬化型聚矽氧樹脂組合物等熱硬化性聚矽氧樹脂組合物等。
所謂2階段硬化型聚矽氧樹脂組合物，係如下之熱硬化性聚矽氧樹脂組合物：具有2階段之反應機制，於第1階段之反應中進行B階段化(半硬化)，於第2階段之反應中進行C階段化(最終硬化)。
再者，B階段為密封樹脂組合物可溶於溶劑中之A階段與最終硬化之C階段之間的狀態，為稍進行硬化及凝膠化、於溶劑中膨潤但未 完全溶解、因加熱而軟化但未熔融的狀態。
作為2階段硬化型聚矽氧樹脂組合物之未硬化體(第1階段之硬化前)，例如可列舉縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物。
縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物為可藉由加熱而進行縮合反應及加成反應之熱硬化性聚矽氧樹脂組合物，更具體而言，為如下之熱硬化性聚矽氧樹脂組合物：藉由加熱可進行縮合反應而成為B階段(半硬化)，繼而藉由進一步加熱可進行加成反應(具體而言，例如，矽氫化反應)而成為C階段(最終硬化)。
作為此種縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物，可列舉：例如，含有矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、含烯基之三烷氧基矽烷、有機氫矽氧烷、縮合觸媒及矽氫化觸媒之第1縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物；例如，含有矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、含乙烯系不飽和烴基之矽化合物(以下，記作乙烯系矽化合物)、含環氧基之矽化合物、有機氫矽氧烷、縮合觸媒及加成觸媒(矽氫化觸媒)之第2縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物；例如，含有兩封端矽烷醇型聚矽氧油、含烯基之二烷氧基烷基矽烷、有機氫矽氧烷、縮合觸媒及矽氫化觸媒之第3縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物；例如，含有1分子中具有至少2個烯基矽烷基之有機聚矽氧烷、1分子中具有至少2個氫矽烷基之有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒及硬化延遲劑之第4縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物；例如，含有1分子中並有至少2個乙烯系不飽和烴基與至少2個氫矽烷基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、矽氫化觸媒及矽氫化抑制劑之第5縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物；例如，含有1分子中並有至少2個乙烯系不飽和烴基與至少2個氫矽烷基之第1有機聚矽氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且1分子中具有至少2個氫矽烷基之第2有機聚矽氧烷、矽氫 化抑制劑、及矽氫化觸媒之第6縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物；例如，含有矽化合物、及硼化合物或鋁化合物之第7縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物；例如，含有聚鋁矽氧烷及矽烷偶合劑之第8縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物等。
該等縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物可單獨使用或併用2種以上。
作為縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物，較佳可列舉第2縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物。
於第2縮合反應/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物中，矽烷醇基兩封端之聚矽氧烷、乙烯系矽化合物及含環氧基之矽化合物為縮合原料(供於縮合反應之原料)，乙烯系矽化合物及有機氫矽氧烷為加成原料(供於加成反應之原料)。
另一方面，所謂1階段硬化型聚矽氧樹脂組合物，係具有1階段之反應機制、且於第1階段之反應中進行最終硬化之熱硬化性聚矽氧樹脂組合物。
作為1階段硬化型聚矽氧樹脂組合物，例如可列舉加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物等。
加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物例如含有：作為主劑之含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷、及作為交聯劑之有機氫矽氧烷。
作為含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷，例如可列舉：含烯基之聚二甲基矽氧烷、含烯基之聚甲基苯基矽氧烷、含烯基之聚二苯基矽氧烷等。
加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物中，通常，含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷與有機氫矽氧烷以各自之套組提供。具體而言，以含有主劑(含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷)之A液、及含有交聯劑(有機氫矽氧烷)之B液之兩種液的形式提供。再者，兩者之加成反應所必需 之公知之觸媒添加於含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷中。
此種加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物係將主劑(A液)與交聯劑(B液)混合而製備混合液，於以混合液成形為上述密封樹脂層13之形狀的步驟中，含乙烯系不飽和烴基之聚矽氧烷與有機氫矽氧烷進行加成反應，加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物硬化，形成聚矽氧彈性體(硬化體)。
再者，密封樹脂組合物中可視需要以適當之比率含有螢光體、填充劑。
作為螢光體，例如可列舉可使藍光轉換為黃光之黃色螢光體等。作為此種螢光體，例如可列舉於複合金屬氧化物或金屬硫化物等中摻雜有例如鈰(Ce)或銪(Eu)等金屬原子之螢光體。
具體而言，作為螢光體，可列舉：例如，Y3Al5O12：Ce(YAG(釔-鋁-石榴石)：Ce)、(Y,Gd)3Al5O12：Ce、Tb3Al3O12：Ce、Ca3Sc2Si3O12：Ce、Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12：Ce等具有石榴石型晶體結構之石榴石型螢光體；例如，(Sr,Ba)2SiO4：Eu、Ca3SiO4Cl2：Eu、Sr3SiO5：Eu、Li2SrSiO4：Eu、Ca3Si2O7：Eu等矽酸鹽螢光體；例如，CaAl12O19：Mn、SrAl2O4：Eu等鋁酸鹽螢光體；例如，ZnS：Cu,Al、CaS：Eu、CaGa2S4：Eu、SrGa2S4：Eu等硫化物螢光體；例如，CaSi2O2N2：Eu、SfSi2O2N2：Eu、BaSi2O2N2：Eu、Ca-α-SiAlON等氮氧化物螢光體；例如，CaAlSiN3：Eu、CaSi5N8：Eu等氮化物螢光體；例如，K2SiF6：Mn、K2TiF6：Mn等氟化物系螢光體等。較佳為可列舉石榴石型螢光體，進而較佳為可列舉Y3Al5O12：Ce。
作為填充劑，例如可列舉聚矽氧微粒子、玻璃、氧化鋁、二氧化矽(熔融二氧化矽、晶質二氧化矽、超微粉無定型二氧化矽或疏水性超微粉二氧化矽等)、二氧化鈦、氧化鋯、滑石、黏土、硫酸鋇等，該等填充劑可單獨使用或併用2種以上。較佳可列舉聚矽氧微粒 子、二氧化矽。
又，密封樹脂組合物中，例如，可以適當之比率添加改性劑、界面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線吸收劑等公知之添加物。
而且，密封樹脂層13例如包含最終硬化前或最終硬化後之熱硬化性聚矽氧樹脂組合物，較佳為包含最終硬化前之熱硬化性聚矽氧樹脂組合物。
進而較佳為，密封樹脂層13於熱硬化性聚矽氧樹脂組合物為2階段硬化型聚矽氧樹脂組合物之情形時，包含2階段硬化型聚矽氧樹脂組合物之1階段硬化體，又，於熱硬化性聚矽氧樹脂組合物為1階段硬化型聚矽氧樹脂組合物之情形時，包含1階段硬化型聚矽氧樹脂組合物之未硬化體(硬化前)。
尤佳為，密封樹脂層13為2階段硬化型聚矽氧樹脂組合物之1階段硬化體。
形成密封樹脂層13時，例如，將上述密封樹脂組合物(視需要包含螢光劑或填充劑等)藉由流延、旋轉塗佈、輥塗等方法於剝離膜12上塗佈成適當之厚度，視需要進行加熱乾燥。藉此，可形成片狀之密封樹脂層13。
關於密封樹脂層13之硬度，其壓縮彈性模數例如為0.01 MPa以上、較佳為0.01~1.0 MPa、更佳為0.04~0.2 MPa之硬度。
又，密封樹脂層13形成為可將複數個發光二極體元件2及複數根金屬線6一起密封之尺寸。
又，樹脂片材11之厚度並無特別限定，例如為100~2000 μm，較佳為300~1000 μm。
而且，製造發光裝置集合體1時，如圖2(a)所示，使樹脂片材11以其密封樹脂層13與發光二極體元件2於上下方向上隔開間隔而對 向，繼而，如圖2(b)所示，使樹脂片材11降下(押下)，藉由密封樹脂層13被覆發光二極體元件2及金屬線(未圖示)。
繼而，如圖2(c)所示，將樹脂片材11對半導體基板9進行壓接。再者，壓接較佳為於減壓環境下實施。
壓接係藉由適當控制密封樹脂層13向半導體基板9側(下側)壓入(壓縮)之量而實施。
壓接之溫度例如為0~40℃，較佳為15~35℃。
又，壓接時，視需要將樹脂片材11於押下(押入)之狀態下保持。
壓接中之保持時間例如為10秒~10分鐘，較佳為10秒~5分鐘。
再者，壓接中，雖未圖示，但使用有公知之壓製機。
而且，製造發光裝置集合體1時，如圖2(d)所示，視需要(例如，於樹脂片材11之密封樹脂層13含有熱硬化性樹脂之情形時)藉由加熱使密封樹脂層13硬化，形成密封層3。
硬化條件為上述密封樹脂層13之熱硬化性樹脂完全硬化之條件，且於密封樹脂層13含有縮合/加成反應硬化型聚矽氧樹脂組合物之情形時，為加成反應(矽氫化反應)進行之條件。
具體而言，加熱溫度例如為80~200℃，較佳為100~180℃；加熱時間例如為0.1~20小時，較佳為1~10小時。
其後，自密封層3剝離剝離膜12，即完成發光裝置集合體1之製作。
而且，以此種方式獲得之發光裝置集合體1中，如上所述，於一個方向上連續配置有複數個發光裝置10，且彼此相鄰之發光裝置10之密封層3以於一邊上線接觸之方式配置，因此，可降低電路基板4相對於1個發光裝置10之面積(使用量)，可謀求小型化及低成本化。
圖3係連續地形成複數個圖1所示之發光裝置集合體之形態的平面圖。
又，例如，可如圖3所示般以於縱方向上複數個(例如2個)連續之方式形成此種發光裝置集合體1。又，於此種情形時，可以彼此連續之方式使複數(例如8行×2列)個電路基板4形成一體。
於此種情形時，劃分於密封層3之外側之露出部15於各電路基板4之4個角部劃分為俯視呈大致三角形，並且縱方向上相鄰之發光裝置10之露出部15與橫方向上相鄰之發光裝置10之露出部15俯視呈大致菱形地連續。
而且，1個發光裝置10中劃分出之露出部15中，縱方向一側且橫方向一側之露出部15與縱方向另一側且橫方向另一側之露出部15中，以隔著密封層3之方式對向配置有2個外部電極5。
圖4係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致正八邊形之形態)之平面圖，圖5係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致正十邊形之形態)之平面圖，圖6係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致正十二邊形之形態)之平面圖。
上述說明中，已將密封層3設為俯視呈大致正六邊形進行說明，但作為密封層3之形狀，只要彼此相鄰之發光裝置10之密封層3可於至少一點接觸，則並無特別限制，例如，如圖4所示般可形成為俯視呈大致正八邊形，又例如，如圖5所示般可形成為俯視呈大致正十邊形，又例如，如圖6所示般可形成為俯視呈大致正十二邊形。
如此形成密封層3之情形時，露出部15劃分於密封層3之外側，具體而言劃分於各電路基板4之縱方向兩側及橫方向兩側之4個角部。又，彼此相鄰之發光裝置10之露出部15以於橫方向上連續之方式劃分。
而且，1個發光裝置10中劃分出之露出部15中，縱方向一側且橫方向一側之露出部15與縱方向另一側且橫方向另一側之露出部15中， 以隔著密封層3之方式對向配置有2個外部電極5。
根據此種發光裝置集合體1，與上述同樣，可降低電路基板相對於1個發光裝置之面積(使用量)，可謀求小型化及低成本化。
圖7係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致矩形、且以隔著密封層之方式形成有外部電極之形態)之平面圖，圖8係連續地形成複數個圖7所示之發光裝置集合體之形態的平面圖。
又，作為密封層3之形狀，例如，如圖7所示般可形成為俯視呈大致矩形。
於如此形成密封層3之情形時，露出部15於密封層3之外側、具體而言於各電路基板4之縱方向兩側劃分為俯視呈大致矩形。又，彼此相鄰之發光裝置10之露出部15以於橫方向上連續之方式劃分。
而且，1個發光裝置10中劃分出之露出部15中，縱方向一側之露出部15中之橫方向一側與縱方向另一側之露出部15中之橫方向另一側中，以隔著密封層3之方式對向配置有2個外部電極5。
根據此種發光裝置集合體1，與上述同樣，可降低電路基板相對於1個發光裝置之面積(使用量)，可謀求小型化及低成本化。
進而，例如，如圖8所示般可以於縱方向上複數個(例如2個)連續之方式形成此種發光裝置集合體1。
於此種情形時，劃分於密封層3之外側之露出部15於各電路基板4之縱方向兩側劃分為俯視呈大致矩形。又，以被該等縱方向兩側之露出部15夾持之方式，於電路基板4之縱方向中央部(2個發光裝置集合體1之連續之邊界附近)，露出部15被劃分為俯視呈大致矩形狀。又，彼此相鄰之發光裝置10之露出部15以於橫方向上連續之方式劃分。
而且，1個發光裝置10中劃分出之2個露出部15中，縱方向一側 之露出部15中之橫方向一側與縱方向另一側之露出部15中之橫方向另一側中，以隔著密封層3之方式對向配置有2個外部電極5。
根據此種發光裝置集合體1，亦與上述同樣，可降低電路基板相對於1個發光裝置之面積(使用量)，可謀求小型化及低成本化。
圖9係本發明之發光裝置集合體之另一實施形態(密封層形成為俯視呈大致矩形、且以未隔著密封層之方式形成有外部電極之形態)之平面圖。
又，上述說明中，使一對外部電極5以其間隔著密封層3之方式形成，但例如，如圖9所示般亦可使密封層3形成為俯視呈大致矩形並且使一對外部電極5以未於其間隔著密封層3之方式形成。
即，圖9所示之發光裝置集合體1中，劃分於密封層3之外側之露出部15僅於縱方向一側(紙面上側)劃分為俯視呈大致矩形狀，又，外部電極5於該縱方向一側(紙面上側)以於橫方向上隔開間隔而配置之方式彙集。
因此，與露出部15被劃分於縱方向一側(紙面上側)及另一側(紙面下側)之兩側的情形相比，可進一步降低電路基板4相對於1個發光裝置10之面積(使用量)，可謀求小型化及低成本化。
圖10係連續地形成複數個圖9所示之發光裝置集合體之形態的概略平面圖。
又，例如，如圖10所示般可以於縱方向上複數個(例如2個)連續之方式形成此種發光裝置集合體1。
進而，於此種情形時，可使縱方向一側(紙面上側)之發光裝置集合體1之露出部15形成於一側(紙面上側)，使外部電極5於一側(紙面上側)以於橫方向上隔開間隔而配置之方式彙集，並且使縱方向另一側(紙面下側)之發光裝置集合體1之露出部15形成於另一側(紙面下側)，使外部電極5於另一側(紙面下側)以於橫方向上隔開間隔而配置之方 式彙集。
於此種情形時，劃分於密封層3之外側之露出部15於各電路基板4之縱方向兩側劃分為俯視呈大致矩形。另一方面，於電路基板4之縱方向中央部(2個發光裝置集合體1之連續之邊界附近)未劃分露出部15。
因此，於此種情形時，可簡化利用密封層3之密封步驟而謀求良率之提高。
即，如上述圖8中記載般，於在電路基板4之縱方向中央部(2個發光裝置集合體1之連續之邊界附近)劃分有露出部15之情形時，必須對1個發光裝置集合體1(1列×8行)使用1個密封層3。
另一方面，如上述圖10中記載般，於在電路基板4之縱方向中央部(2個發光裝置集合體1之連續之邊界附近)未劃分有露出部15之情形時，可對2個發光裝置集合體1(2列×8行)使用1個密封層3，因此，可簡化利用密封層3之密封步驟而謀求良率之提高。
而且，本發明包括使用上述發光裝置集合體1獲得之照明裝置，具體而言，包括至少具備1個上述發光裝置10之照明裝置。
即，例如，可將使複數個發光裝置10於橫方向上連續之狀態(例如，參照圖1)之發光裝置集合體1直接用作照明裝置，又，亦可將複數個發光裝置集合體1於在縱方向上連續之狀態(例如參照圖3)下用作照明裝置。
進而，例如，如圖11所示般，可將上述發光裝置集合體1之各發光裝置10於單個地分割之狀態下用作照明裝置，此外，例如，如圖12所示般，亦可將發光裝置10於每複數個(例如4個)分割之狀態下用作照明裝置。
此種照明裝置係由上述發光裝置集合體獲得，故而可謀求小型化及低成本化。
再者，上述說明中，對1個發光裝置10使用複數個發光二極體元件2，但根據發光裝置10之用途等，發光二極體元件2之數量並無特別限定，例如，亦可對1個發光裝置10使用單數個發光二極體元件2。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，此僅為例示，不可限定性地進行解釋。該技術領域之從業者明確之本發明之變形例包含於下述申請專利範圍內。
1‧‧‧發光裝置集合體
2‧‧‧發光二極體元件
3‧‧‧密封層
4‧‧‧電路基板
5‧‧‧外部電極
6‧‧‧金屬線
10‧‧‧發光裝置
15‧‧‧露出部
L1‧‧‧密封層最長之對角線長度

Claims (6)

  1. 一種發光裝置集合體，其特徵在於：其係具備複數個發光裝置者，且各上述發光裝置具備：電路基板，其具備與外部之電源連接之一對電極，經由上述電極供給來自上述電源之電力；半導體元件，其支撐於上述電路基板上，與上述電路基板電性連接；及密封層，其於上述電路基板上密封上述半導體元件；且複數個上述發光裝置以於一個方向上連續之方式配置，上述密封層以俯視時彼此相鄰之上述發光裝置之上述密封層接觸之方式配置。
  2. 如請求項1之發光裝置集合體，其中上述密封層於俯視時至少具有一邊，彼此相鄰之上述發光裝置之上述密封層以於上述一邊上以線接觸之方式配置。
  3. 如請求項1之發光裝置集合體，其中上述密封層俯視呈大致多邊形。
  4. 如請求項1之發光裝置集合體，其中上述密封層於俯視時呈(4+2n)邊形(n為包含0之自然數)。
  5. 如請求項1之發光裝置集合體，其中上述密封層俯視呈大致正六邊形。
  6. 一種照明裝置，其特徵在於：其具備至少1個具備複數個發光裝置之發光裝置集合體之上述發光裝置，且各上述發光裝置具備：電路基板，其具備與外部之電源連接之一對電極，經由上述 電極供給來自上述電源之電力；半導體元件，其支撐於上述電路基板上，與上述電路基板電性連接；及密封層，其於上述電路基板上密封上述半導體元件；且複數個上述發光裝置以於一個方向上連續之方式配置，上述密封層以俯視時彼此相鄰之上述發光裝置之上述密封層接觸之方式配置。
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