KR20130100724A - 발광 장치 집합체 및 조명 장치 - Google Patents

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야스나리 오오야부
히로유키 가타야마
시게히로 우메타니
히사타카 이토
신스케 와키야
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

발광 장치 집합체는, 복수의 발광 장치를 구비하는 발광 장치 집합체이다. 각 발광 장치는, 외부의 전원에 접속되는 한 쌍의 전극을 구비하며, 전극을 거쳐서 전원으로부터의 전력이 공급되는 회로 기판과, 회로 기판상에 지지되어, 회로 기판에 전기적으로 접속되는 반도체 소자와, 회로 기판상에서, 반도체 소자를 봉지하는 봉지층을 구비한다. 복수의 발광 장치는, 한 방향으로 연속하도록 배치되어 있다. 봉지층은, 평면에서 보아, 서로 인접하는 발광 장치의 봉지층이 접촉하도록 배치되어 있다.

Description

발광 장치 집합체 및 조명 장치{LIGHT-EMITTING DEVICE ASSEMBLY AND LIGHTING DEVICE}
본 발명은, 발광 장치 집합체 및 조명 장치에 관한 것으로, 상세하게는, 복수의 발광 장치가 한 방향으로 연속하여 배치되는 발광 장치 집합체, 및 그 발광 장치 집합체로부터 얻어지는 조명 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드 장치는, 단수 또는 복수의 발광 다이오드 소자(LED)를, 기판상에 배치함과 아울러, 봉지 수지층에 의해 봉지함으로써 얻어지는 것이 알려져 있다.
구체적으로는, 예를 들면, 절연 기판상에 직선 형상의 배선 패턴이 평행하게 배치되어 복수 형성되고, 그 배선 패턴 사이에 복수개의 발광 소자가, 배선 패턴에 전기적으로 접속된 상태로 탑재되며, 봉지체로 봉지된 발광부를 구비하는 발광 장치가 제안되어 있다(예를 들면, 일본 특개평 제 2008－227412호 공보 참조.).
한편, 이러한 발광 장치에는, 소형화 및 저비용화가 요구되고 있다. 그러나, 일본 특개평 제 2008－227412호 공보에 기재의 발광 장치에서는, 발광부는, 절연 기판의 주위 단부 에지보다 내측에 구획되어 있고, 구체적으로는, 평면에서 보아 봉지체의 주위 단부 에지와 절연 기판의 주위 단부 에지가 접촉하지 않도록, 발광부가, 절연 기판의 내측에 배치되어 있다.
그리고, 그 발광부보다 외측의 영역에 있어서, 절연 기판에는, 한 쌍의 전극(정전극 외부 접속 랜드 및 부전극 외부 접속 랜드)이 직접 설치되어 있고, 이 전극과 전원의 사이가, 접속 배선에 의해 접속되어 있다. 그 때문에, 소형화 및 저비용화를 도모하는 데에는 한도가 있다.
그래서, 본 발명의 목적은, 발광 장치의 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있는 발광 장치 집합체, 및 그 발광 장치 집합체로부터 얻어지는 조명 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 발광 장치 집합체는, 복수의 발광 장치를 구비하는 발광 장치 집합체로서, 각 상기 발광 장치는, 외부의 전원에 접속되는 한 쌍의 전극을 구비하며, 상기 전극을 거쳐서 상기 전원으로부터의 전력이 공급되는 회로 기판과, 상기 회로 기판상에 지지되어, 상기 회로 기판에 전기적으로 접속되는 반도체 소자와, 상기 회로 기판상에서, 상기 반도체 소자를 봉지하는 봉지층을 구비하며, 복수의 상기 발광 장치는, 한 방향으로 연속하도록 배치되어 있고, 상기 봉지층은, 평면에서 보아, 서로 인접하는 상기 발광 장치의 상기 봉지층이 접촉하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 발광 장치 집합체에서는, 복수의 발광 장치가 한 방향으로 연속하여 배치되어 있고, 또한, 서로 인접하는 발광 장치의 봉지층이 접촉하도록 배치되어 있다.
즉, 이러한 발광 장치 집합체에서는, 1개의 발광 장치에 있어서의 봉지층의 단부 에지의 적어도 1점이, 그 발광 장치의 회로 기판의 단부 에지에 대면하도록 배치되어 있고, 이에 의해, 서로 인접하는 발광 장치의 봉지층이 접촉하고 있다.
그 때문에, 예를 들면, 봉지층의 단부 에지가, 회로 기판의 단부 에지에 대면하지 않도록 형성되는 경우에 비해, 전극을 형성하기 위한 영역, 즉, 회로 기판에 있어서의 봉지층의 외측의 영역을 축소할 수 있다.
그 결과, 1개의 발광 장치에 대한 회로 기판의 면적(사용량)을 저감할 수 있어, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 발광 장치 집합체에서는, 상기 봉지층이, 평면에서 보아, 적어도 한 변을 갖고, 서로 인접하는 상기 발광 장치의 상기 봉지층이 상기 한 변에서 선 접촉하도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.
이러한 발광 장치 집합체에서는, 1개의 발광 장치에 있어서의 봉지층의 단부 에지의 한 변이 그 발광 장치의 회로 기판의 단부 에지의 한 변에 대면하도록 배치되어 있고, 이에 의해, 서로 인접하는 발광 장치의 봉지층이 한 변에서 선 접촉하고 있다.
그 때문에, 예를 들면, 봉지층의 단부 에지가 회로 기판의 단부 에지에 1점에서 대면하도록 형성되는 경우에 비해, 전극을 형성하기 위한 영역, 즉, 회로 기판에 있어서의 봉지층의 외측의 영역을 보다 축소할 수 있다.
그 결과, 1개의 발광 장치에 대한 회로 기판의 면적(사용량)을 더 저감할 수 있어, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 발광 장치 집합체에서는, 상기 봉지층이 평면에서 보아 대략 다각형 형상인 것이 바람직하다.
봉지층이 평면에서 보아 대략 다각형 형상이면, 봉지층을 시트로부터 양품률 좋게 절단하여 형성할 수 있다. 그 결과, 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 발광 장치 집합체에서는, 상기 봉지층이 평면에서 보아, (4＋2n)각형 형상(n은 0을 포함하는 자연수)인 것이 바람직하다.
봉지층이 (4＋2n)각형(n은 0을 포함하는 자연수)이면, 봉지층의 대칭성이 높기 때문에, 우수한 광 지향성을 확보할 수 있다.
또한, 본 발명의 발광 장치 집합체에서는, 상기 봉지층이 평면에서 보아 대략 정육각형 형상인 것이 바람직하다.
봉지층이 평면에서 보아 대략 정육각형 형상이면, 예를 들면, 봉지층이 정사각형인 경우 등에 비해, 1개의 회로 기판에 있어서, 봉지층을 효율 좋게 배치할 수 있다. 그 때문에, 봉지층을 시트로부터 양품률 좋게 절단하여 형성할 수 있다. 그 결과, 보다 한층 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 조명 장치는, 상기한 발광 장치 집합체의 상기 발광 장치를 적어도 1개 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
이러한 조명 장치는, 상기의 발광 장치 집합체로부터 얻어지므로, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 발광 장치 집합체의 일 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 정육각형 형상으로 형성되는 형태)의 개략도로서,
도 1(a)는, 봉지층에 의한 봉지 전의 평면도를,
도 1(b)는, 봉지층에 의한 봉지 후의 평면도를,
도 1(c)는, (b)의 A－A＇선에 따른 단면도를 각각 도시한다.
도 2는, 도 1에 나타내는 발광 장치 집합체의 제조 방법을 나타내는 제조 공정도로서,
도 2(a)는, 회로 기판에 발광 다이오드를 실장하는 한편, 수지 시트를 준비하는 공정,
도 2(b)는, 봉지 수지층에 의해 발광 다이오드를 피복하는 공정,
도 2(c)는, 수지 시트를 압착하는 공정,
도 2(d)는, 봉지 수지층을 경화시키는 공정을 각각 도시한다.
도 3은, 도 1에 나타내는 발광 장치 집합체가, 복수 연속하여 형성되는 형태의 평면도이다.
도 4는, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 정팔각형 형상으로 형성되는 형태)의 평면도이다.
도 5는, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 정십각형 형상으로 형성되는 형태)의 평면도이다.
도 6은, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 정십이각형 형상으로 형성되는 형태)의 평면도이다.
도 7은, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 형성되고, 봉지층을 사이에 두도록 외부 전극이 형성되는 형태)의 평면도이다.
도 8은, 도 7에 나타내는 발광 장치 집합체가, 복수 연속하여 형성되는 형태의 평면도이다.
도 9는, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 형성되고, 봉지층을 사이에 두지 않도록 외부 전극이 형성되는 형태)의 평면도이다.
도 10은, 도 9에 나타내는 발광 장치 집합체가, 복수 연속하여 형성되는 형태의 개략 평면도이다.
도 11은, 개별적으로 분할된 발광 장치를 나타내는 평면도이다.
도 12는, 복수개마다 분할된 발광 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1은, 본 발명의 발광 장치 집합체의 일 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 정육각형 형상으로 형성되는 형태)의 개략도로서, 도 1(a)는, 봉지층에 의한 봉지 전의 평면도를, 도 1(b)는, 봉지층에 의한 봉지 후의 평면도를, 도 1(c)는, 도 1(b)의 A－A＇선에 따른 단면도를 각각 도시한다.
또한, 도 1(a)에서는, 후술하는 봉지층(3)이 배치되는 위치를 파선으로 도시하고, 또한, 도 1(b) 및 도 1(c)에서는, 후술하는 와이어(6)를 생략하여 기재하고 있다.
도 1에 있어서, 발광 장치 집합체(1)는, 복수(예를 들면, 8개)의 발광 장치(10)가 일체적으로 연속함으로써, 형성되어 있다.
또한, 이하의 설명에 있어서, 방향에 대해 언급하는 경우에는, 발광 장치 집합체(1)를 수평으로 탑재한 경우를 기준으로 하여, 도 1(a)에 있어서의 지면 상하 방향을 세로 방향으로 하고, 도 1(a)에 있어서의 지면 좌우 방향을 가로 방향으로 한다. 또한, 세로 방향 및 가로 방향은, 수평 방향에 포함된다. 또한, 도 1(c)에 있어서의 지면 상하 방향을 상하 방향으로 한다.
각 발광 장치(10)는, 회로 기판(4)과, 회로 기판(4)상에 지지되어, 회로 기판(4)에 전기적으로 접속되는 반도체 소자로서의 발광 다이오드 소자(2)와, 회로 기판(4)상에서, 발광 다이오드 소자(2)를 봉지하는 봉지층(3)을 구비하고 있다.
회로 기판(4)은, 각 발광 장치(10)에 대응하도록, 세로 방향 및 가로 방향으로 연장하는 평면에서 보아 대략 직사각형의 평판 형상으로 복수개(8개) 설치되어 있고, 또한, 복수(8개)의 회로 기판(4)은, 가로 방향으로 서로 연속하도록, 일체적으로 형성되어 있다. 회로 기판(4)은, 예를 들면, 알루미나 등의 세라믹 기판, 예를 들면, 폴리이미드 등의 수지 기판, 코어에 금속판을 이용한 금속 코어 기판 등, 광 반도체 장치에 일반적으로 이용되는 기판을 이용하면 좋다.
회로 기판(4)은, 그 상면에 있어서, 도시하지 않는 배선 패턴과, 외부의 전원(도시하지 않음)에 접속되는 한 쌍의 전극으로서의 외부 전극(5)과, 발광 다이오드 소자(2)에 전기적으로 접속되는 내부 전극(도시하지 않음)을 구비하고 있다.
외부 전극(5)는, 상세하게는 후술하지만, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 회로 기판(4)에 적층되는 봉지층(3)(후술)의 외측 영역에 있어서 복수(한 쌍) 설치되어 있고, 봉지층(3)을 사이에 두도록 대향 배치되어 있다.
그리고, 회로 기판(4)(의 배선 패턴(도시하지 않음))에는, 외부 전극(5)을 거쳐서 전원으로부터의 전력이 공급되고, 전력이 내부 전극(도시하지 않음)을 거쳐서, 발광 다이오드 소자(2)에 공급된다.
발광 다이오드 소자(2)는, 평면에서 보아 대략 직사각형의 평판 형상으로 형성되고, 회로 기판(4)의 표면에 있어서, 가로 방향으로 서로 간격을 두고, 복수개(3개) 병렬 배치되고, 또한, 세로 방향으로 서로 간격을 두고, 복수열(3열) 병렬 배치되어 있다.
이러한 발광 다이오드 소자(2)는, 가로 방향으로 서로 인접하는 발광 다이오드 소자(2)와, 와이어(6)를 거쳐서 전기적으로 직렬로 접속됨과 아울러, 도시하지 않는 내부 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 이러한 발광 다이오드 소자(2)는, 회로 기판(4)으로부터 전력이 공급됨으로써 발광한다.
발광 다이오드 소자(2)의 1변의 길이는, 예를 들면, 0.1~5㎜이다. 발광 다이오드 소자(2)의 두께는, 예를 들면, 10~1,000㎛이다.
발광 다이오드 소자(2)의 세로 방향 및 가로 방향에 있어서의 간격은, 예를 들면, 0.1~20㎜, 바람직하게는, 0.5~5㎜이다.
봉지층(3)은, 회로 기판(4)상에 있어서 발광 다이오드 소자(2)를 봉지하기 위한 수지층으로서, 평면에서 보아, 봉지층(3)의 단부 에지의 적어도 1점이, 회로 기판(4)의 단부 에지에 대면하는 형상으로 형성되어 있다.
이러한 봉지층(3)은, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 평면에서 보아 적어도 한 변을 갖는 형상, 보다 구체적으로는, 평면에서 보아 대략 다각형 형상인 평면에서 보아 대략 정육각형 형상으로 형성되어 있다.
봉지층(3)이 평면에서 보아 대략 다각형 형상이면, 봉지층(3)을 시트로부터 양품률 좋게 절단하여 형성할 수 있다. 그 결과, 저비용화를 도모할 수 있다.
즉, 발광 장치 집합체(1)의 제조에 있어서, 봉지층(3)은, 통상, 큰 시트로서 제조되어, 적절한 사이즈로 절단하여 이용된다.
그러한 경우에 있어서, 봉지층(3)을, 예를 들면, 평면에서 보아 대략 원형 형상, 평면에서 보아 대략 반원 형상 등으로 형성하면, 그 원형 형상의 외측 부분에 있어서, 봉지층(3)으로서 절단되지 않은 부분, 즉, 손실이 생긴다.
한편, 봉지층(3)을 평면에서 보아 다각형 형상으로 형성하면, 큰 시트로부터 봉지층(3)을 극간 없이 (예를 들면, 벌집 형상으로) 취출할 수 있으므로, 손실을 억제하고, 낭비 없이 봉지층(3)을 사용할 수 있어, 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 평면에서 보아 정육각형 형상은, 평면에서 본 (4＋2n)각형(n은 0을 포함하는 자연수), 즉, 대칭 형상의 다각형 형상이다.
봉지층(3)이 (4＋2n)각형(n은 0을 포함하는 자연수)이면, 봉지층(3)의 대칭성이 높기 때문에, 우수한 광 지향성을 확보할 수 있다.
보다 구체적으로는, 봉지층(3)이, 평면에서 보아 기수의 모서리를 갖는 다각형 형상(예를 들면, 삼각형 형상, 오각형 형상, 칠각형 형상 등)인 경우, 봉지층(3)은, 평면에서 보아, 한 방향에 대해서만 대칭 형상으로 간주된다.
이에 대해서, 봉지층(3)이 (4＋2n)각형(n은 0을 포함하는 자연수), 즉, 평면에서 보아 우수의 모서리를 갖는 다각형 형상(예를 들면, 정육각형 형상)인 경우, 봉지층(3)은, 평면에서 보아, 한 방향, 및, 그 한 방향과 직교하는 방향의 양 방향(도 1(b)에 있어서의 지면 가로 세로 방향)에 대해서, 각각 대칭 형상으로 된다. 즉, 상기와 같은 한 방향에 대해서만 대칭 형상으로 되는 경우에 비해, 봉지층(3)의 대칭성이 높고, 그 때문에, 우수한 광 지향성을 확보할 수 있다.
또한, 평면에서 보아 (4＋2n)각형(n은 0을 포함하는 자연수), 즉, 대칭 형상의 다각형에는, 도 1(b)에 나타내는 정육각형 형상의 이외의, 예를 들면, 평면에서 보아, 사각형 형상, 육각형 형상(정육각형 형상과는 상이한 육각형 형상), 팔각형 형상, 십각형 형상, 십이각형 형상 등의 다각형 형상이 포함된다.
특히, 봉지층(3)이 평면에서 보아 대략 정육각형 형상이면, 예를 들면, 봉지층(3)이 정사각형인 경우 등에 비해, 1개의 회로 기판(4)에 있어, 봉지층(3)을 효율 좋게 배치할 수 있다. 그 때문에, 봉지층(3)을 시트로부터 양품률 좋게 절단하여 형성할 수 있다. 그 결과, 보다 한층 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 봉지층(3)이 평면에서 보아 정육각형 형상으로 형성되고, 회로 기판(4)이 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 형성되는 경우에는, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(3)은, 그 가장 긴 대각선 길이 L1이, 회로 기판(4)의 한 변(세로 방향으로 연장하는 변)의 길이와 동일하게 되도록 형성된다. 또한, 봉지층(3)은, 서로 대향하는 변 사이의 거리 L2가, 회로 기판(4)의 다른 변(가로 방향으로 연장하는 변)의 길이와 동일하게 되도록 형성된다.
그리고, 이러한 봉지층(3)은, 회로 기판(4)의 발광 다이오드 소자(2)가 실장되는 측의 표면에 있어서, 발광 다이오드 소자(2)를 피복하도록 적층되고, 이에 의해, 각 발광 장치(10)의 회로 기판(4)에 대해서, 2점(세로 방향을 향해 굴곡하는 2개의 모서리의 정점)과, 2변(세로 방향으로 연장하는 2개의 변)에서 내접하도록 배치된다.
이와 같이 봉지층(3)이 배치됨으로써, 봉지층(3)에 의해 봉지되지 않는 영역인 노출부(15)가, 봉지층(3)의 외측에 구획된다.
노출부(15)는, 보다 구체적으로는, 각 회로 기판(4)의 세로 방향 양측 및 가로 방향 양측에 있어서의 4개의 모서리부에, 회로 기판(4)의 외주와, 봉지층(3)의 한 변으로 둘러싸이는 평면에서 보아 대략 삼각형 형상으로 구획된다. 또한, 서로 인접하는 발광 장치(10)의 노출부(15)가, 가로 방향으로 연속하도록 구획된다.
그리고, 1개의 발광 장치(10)에 구획되는 노출부(15) 중, 세로 방향 한쪽측과 가로 방향 한쪽측의 노출부(15)와, 세로 방향 한쪽측과 가로 방향 한쪽측의 노출부(15)에는, 봉지층(3)을 사이에 두도록, 2개의 외부 전극(5)이 대향 배치되어 있다.
또한, 이러한 발광 장치 집합체(1)에 있어서, 봉지층(3)은, 복수(8개)의 봉지층(3)이 서로 연속하도록, 일체적으로 형성되어 있다.
그리고, 이러한 발광 장치 집합체(1)에서는, 복수의 발광 장치(10)가 한 방향으로 연속하여 배치되어 있고, 또한, 서로 인접하는 발광 장치(10)의 봉지층(3)이, 평면에서 보아, 적어도 1점에서 접촉하도록, 구체적으로는, 한 변에서 선 접촉하도록, 배치되어 있다.
즉, 이러한 발광 장치 집합체(1)에서는, 1개의 발광 장치(10)에 있어서의 봉지층(3)의 단부 에지의 적어도 1점이, 그 발광 장치(10)의 회로 기판(4)의 단부 에지에 대면하도록 배치되어 있고, 이에 의해, 서로 인접하는 발광 장치(10)의 봉지층(3)이, 적어도 1점에서 접촉하고 있다.
그 때문에, 예를 들면, 봉지층(3)의 단부 에지가 회로 기판(4)의 단부 에지에 대면하지 않도록 형성되는 경우에 비해, 외부 전극(5)을 형성하기 위한 영역, 즉, 회로 기판(4)에 있어서의 봉지층(3)의 외측 영역을 축소할 수 있다.
그 결과, 1개의 발광 장치(10)에 대한 회로 기판(4)의 면적(사용량)을 저감할 수 있어, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
특히, 이 발광 장치 집합체(1)에서는, 1개의 발광 장치(10)에 있어서의 봉지층(3)의 단부 에지의 한 변이 그 발광 장치(10)의 회로 기판(4)의 단부 에지의 한 변에 대면하도록 배치되어 있고, 이에 의해, 서로 인접하는 발광 장치(10)의 봉지층(3)이 한 변에서 선 접촉하고 있다.
그 때문에, 예를 들면, 봉지층(3)의 단부 에지가 회로 기판(4)의 단부 에지에 1점에서 대면하도록 형성되는 경우에 비해, 외부 전극(5)을 형성하기 위한 영역, 즉, 회로 기판(4)에 있어서의 봉지층(3)의 외측 영역을 보다 축소할 수 있다.
그 결과, 1개의 발광 장치(10)에 대한 회로 기판(4)의 면적(사용량)을 더 저감할 수 있어, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
도 2는, 도 1에 나타내는 발광 장치 집합체의 제조 방법을 나타내는 제조 공정도이다.
또한, 이후의 각 도면에 있어서, 상기한 각 부에 대응하는 부재에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하여, 그 상세한 설명을 생략한다.
그 다음에, 발광 장치 집합체(1)의 제조 방법을, 도 2를 참조하여 설명한다.
발광 장치 집합체(1)를 제조하는 데에는, 우선, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 상기한 회로 기판(4)에, 복수의 상기한 발광 다이오드 소자(2)를 실장하여, 반도체 기판(9)을 제조한다.
또한, 발광 장치 집합체(1)를 제조하는 데에는, 별도, 봉지 시트로서의 수지 시트(11)를 준비한다.
수지 시트(11)는, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 시트 형상으로 형성되어 있고, 박리 필름(12)과, 박리 필름(12)에 적층되는, 상기한 봉지층(3)과 대략 동일 형상의 봉지 수지층(13)을 구비하고 있다.
박리 필름(12)은, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 아크릴 필름, 실리콘 수지 필름, 스틸렌 수지 필름, 불소 수지 필름 등의 수지 필름으로 형성되어 있다. 또한, 박리 필름(12)의 표면은, 이형 처리가 실시되어 있어도 좋다.
박리 필름(12)의 두께는, 예를 들면, 20~100㎛, 바람직하게는, 30~50㎛이다. 박리 필름(12)의 두께가 상기 범위 내이면, 비용의 증대를 억제하면서, 양호한 취급성(박리 필름(12)을 수지 시트(11)로부터 박리시킬 때의 취급성)을 실현할 수 있다.
봉지 수지층(13)은, 봉지 수지를 포함하는 봉지 수지 조성물로 형성되어 있다.
봉지 수지로서는, 예를 들면, 가열에 의해 가소화하는 열가소성 수지, 예를 들면, 가열에 의해 경화하는 열경화성 수지, 예를 들면, 활성 에너지선(예를 들면, 자외선, 전자선 등)의 조사에 의해 경화하는 활성 에너지선 경화성 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로서는, 예를 들면, 아세트산 비닐 수지, 에틸렌·아세트산 비닐 공중합체(EVA), 염화 비닐 수지, EVA·염화 비닐 수지 공중합체 등을 들 수 있다.
열경화성 수지 및 활성 에너지선 경화성 수지로서는, 예를 들면, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.
이들 봉지 수지로서, 바람직하게는, 열경화성 수지를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 실리콘 수지를 들 수 있다.
또한, 봉지 수지로서, 실리콘 수지를 포함하는 봉지 수지 조성물로서는, 예를 들면, 2 단계 경화형 실리콘 수지 조성물, 1 단계 경화형 실리콘 수지 조성물 등의 열경화성 실리콘 수지 조성물 등을 들 수 있다.
2 단계 경화형 실리콘 수지 조성물은, 2 단계의 반응 기구를 갖고 있고, 1 단계째의 반응으로 B 스테이지화(반경화)하고, 2 단계째의 반응으로 C 스테이지화(최종 경화)하는 열경화성 실리콘 수지 조성물이다.
또한, B 스테이지는, 봉지 수지 조성물이, 용제에 가용인 A 스테이지와, 최종 경화한 C 스테이지의 사이의 상태로서, 경화 및 겔화가 약간 진행하여, 용제에 팽윤하지만 완전하게 용해하지 않고, 가열에 의해 연화하지만 용해하지 않는 상태이다.
2 단계 경화형 실리콘 수지 조성물의 미경화체(1 단계째의 경화 전)로서는, 예를 들면, 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물을 들 수 있다.
축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은, 가열에 의해, 축합 반응 및 부가 반응할 수 있는 열경화성 실리콘 수지 조성물로서, 보다 구체적으로는, 가열에 의해, 축합 반응하여, B 스테이지(반경화)로 될 수 있고, 그 다음에, 또한 가열에 의해, 부가 반응(구체적으로는, 예를 들면, 하이드로시릴화 반응)하여, C 스테이지(최종 경화)로 될 수 있는 열경화성 실리콘 수지 조성물이다.
이러한 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물로서는, 예를 들면, 실라놀 양말단 폴리실록산, 알케닐기 함유 트리알콕시실란, 오르가노하이드로젠실록산, 축합 촉매 및 하이드로 시릴화 촉매를 함유하는 제 1 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, 예를 들면, 실라놀기 양말단 폴리실록산, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 규소 화합물(이하, 에틸렌계 규소 화합물로 함), 에폭시기 함유 규소 화합물, 오르가노하이드로젠실록산, 축합 촉매 및 부가 촉매(하이드로 시릴화 촉매)를 함유하는 제 2 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, 예를 들면, 양말단 실라놀형 실리콘 오일, 알케닐기 함유 디알콕시알킬실란, 오르가노하이드로젠실록산, 축합 촉매 및 하이드로 시릴화 촉매를 함유하는 제 3 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, 예를 들면, 1 분자 중에 적어도 2개의 알케닐 시릴기를 갖는 오르가노폴리실록산, 1 분자 중에 적어도 2개의 하이드로 시릴기를 갖는 오르가노폴리실록산, 하이드로 시릴화 촉매 및 경화 지연제를 함유하는 제 4 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, 예를 들면, 적어도 2개의 에틸렌계 불포화 탄화수소기와 적어도 2개의 하이드로 시릴기를 1 분자 중에 함께 갖는 제 1 오르가노폴리실록산, 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 포함하지 않고, 적어도 2개의 하이드로 시릴기를 1 분자 중에 갖는 제 2 오르가노폴리실록산, 하이드로 시릴화 촉매 및 하이드로 시릴화 억제제를 함유하는 제 5 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, 예를 들면, 적어도 2개의 에틸렌계 불포화 탄화수소기와 적어도 2개의 실라놀기를 1 분자 중에 함께 갖는 제 1 오르가노폴리실록산, 에틸렌계 불포화 탄화수소기를 포함하지 않고, 적어도 2개의 하이드로 시릴기를 1 분자 중에 갖는 제 2 오르가노폴리실록산, 하이드로 시릴화 억제제, 및 하이드로 시릴화 촉매를 함유하는 제 6 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, 예를 들면, 규소 화합물, 및 붕소 화합물 또는 알루미늄 화합물을 함유하는 제 7 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물, 예를 들면, 폴리알미노실록산 및 실란 커플링제를 함유하는 제 8 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물 등을 들 수 있다.
이들 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은, 단독 사용 또는 2 종류 이상 병용할 수 있다.
축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물로서, 바람직하게는, 제 2 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물을 들 수 있다.
제 2 축합 반응·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물에 있어서, 실라놀기 양말단 폴리실록산, 에틸렌계 규소 화합물 및 에폭시기 함유 규소 화합물은, 축합 원료(축합 반응에 제공되는 원료)이며, 에틸렌계 규소 화합물 및 오르가노하이드로젠실록산은, 부가 원료(부가 반응에 제공되는 원료)이다.
한편, 1 단계 경화형 실리콘 수지 조성물은, 1 단계의 반응 기구를 갖고 있고, 1 단계째의 반응으로 최종 경화하는 열경화성 실리콘 수지 조성물이다.
1 단계 경화형 실리콘 수지 조성물로서는, 예를 들면, 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물 등을 들 수 있다.
부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은, 예를 들면, 주제로 되는 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 폴리실록산과 가교제로 이루어지는 오르가노하이드로젠실록산을 함유한다.
에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 폴리실록산으로서는, 예를 들면, 알케닐기 함유 폴리디메틸실록산, 알케닐기 함유 폴리메틸페닐실록산, 알케닐기 함유 폴리디페닐실록산 등을 들 수 있다.
부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물에서는, 통상, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 폴리실록산과 오르가노하이드로젠실록산이, 별도의 패키지로 제공된다. 구체적으로는, 주제(에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 폴리실록산)를 함유하는 A액과, 가교제(오르가노하이드로젠실록산)를 함유하는 B액의 2액으로서 제공된다. 또한, 양자의 부가 반응에 필요한 공지의 촉매는, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 폴리실록산에 첨가되어 있다.
이러한 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물은, 주제(A액)와 가교제(B액)를 혼합하여 혼합액을 조제하고, 혼합액으로부터 상기한 봉지 수지층(13)의 형상으로 성형하는 공정에 있어서, 에틸렌계 불포화 탄화수소기 함유 폴리실록산과 오르가노하이드로젠실록산이 부가 반응하고, 부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물이 경화하여, 실리콘 탄성 중합체(경화체)를 형성한다.
또한, 봉지 수지 조성물에는, 필요에 따라, 형광체, 충진제를 적절한 비율로 함유시킬 수 있다.
형광체로서는, 예를 들면, 청색광을 황색광으로 변환할 수 있는 황색 형광체 등을 들 수 있다. 그러한 형광체로서는, 예를 들면, 복합 금속 산화물이나 금속 황화물 등에, 예를 들면, 세륨(Ce)이나 유로븀(Eu) 등의 금속 원자가 도핑된 형광체를 들 수 있다.
구체적으로는, 형광체로서는, 예를 들면, Y3Al5O12：Ce(YAG(이트륨·알루미늄·가넷)：Ce), (Y, Gd)3 Al5O12：Ce, Tb3Al3O12：Ce, Ca3Sc2Si3O12：Ce, Lu2CaMg2(Si, Ge)3O12：Ce 등의 가넷형 결정 구조를 갖는 가넷형 형광체, 예를 들면, (Sr, Ba)2 SiO4：Eu, Ca3SiO4Cl2：Eu, Sr3SiO5：Eu, Li2SrSiO4：Eu, Ca3Si2O2：Eu 등의 실리케이트 형광체, 예를 들면, CaAl12O19：Mn, SrAl2O4 ：Eu 등의 알루미네이트 형광체, 예를 들면, ZnS：Cu, Al, CaS：Eu, CaGa2S4：Eu, SrGa2S4：Eu 등의 황화물 형광체, 예를 들면, CaSi2O2N2：Eu, SrSi2O2N2：Eu, BaSi2O2N2：Eu, Ca－α－SiAlON 등의 산질화물 형광체, 예를 들면, CaAlSiN3：Eu, CaSi5N8：Eu 등의 질화물 형광체, 예를 들면, K2SiF6：Mn, K2TiF6：Mn 등의 불화물계 형광체 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 가넷형 형광체, 보다 바람직하게는, Y3Al5O12：Ce를 들 수 있다.
충진제로서는, 예를 들면, 실리콘 미립자, 유리, 알루미나, 실리카(용해 실리카, 결정성 실리카, 초미분 무정형 실리카나 소수성 초미분 실리카 등), 이산화티타늄, 산화 지르코늄, 탈크, 클레이, 황산바륨 등을 들 수 있고, 이들 충진제는, 단독 사용 또는 2 종류 이상 병용할 수 있다. 바람직하게는, 실리콘 미립자, 실리카를 들 수 있다.
또한, 봉지 수지 조성물에는, 예를 들면, 변성제, 계면 활성제, 염료, 안료, 변색 방지제, 자외선 흡수제 등의 공지의 첨가물을 적절한 비율로 첨가할 수 있다.
그리고, 봉지 수지층(13)은, 예를 들면, 최종 경화 전 또는 최종 경화 후의 열경화성 실리콘 수지 조성물로 이루어지고, 바람직하게는, 최종 경화 전의 열경화성 실리콘 수지 조성물로 이루어진다.
보다 바람직하게는, 봉지 수지층(13)은, 열경화성 실리콘 수지 조성물이 2 단계 경화형 실리콘 수지 조성물인 경우에는, 2 단계 경화형 실리콘 수지 조성물의 1 단계 경화체로 이루어지고, 또한, 열경화성 실리콘 수지 조성물이 1 단계 경화형 실리콘 수지 조성물인 경우에는, 1 단계 경화형 실리콘 수지 조성물의 미경화체(경화 전)로 이루어진다.
특히 바람직하게는, 봉지 수지층(13)은, 2 단계 경화형 실리콘 수지 조성물의 1 단계 경화체이다.
봉지 수지층(13)을 형성하는 데에는, 예를 들면, 상기한 봉지 수지 조성물(필요에 따라 형광제나 충진제 등을 포함함)을, 박리 필름(12)상에 캐스팅, 스핀 코팅, 롤 코팅 등의 방법에 의해 적절한 두께로 도공하고, 필요에 따라 가열하여 건조한다. 이에 의해, 시트 형상의 봉지 수지층(13)을 형성할 수 있다.
봉지 수지층(13)의 경화는, 그 압축 탄성률이, 예를 들면, 0.01MPa 이상, 바람직하게는, 0.01~1.0MPa, 보다 바람직하게는, 0.04~0.2MPa로 되도록 하는 경화이다.
또한, 봉지 수지층(13)은, 복수의 발광 다이오드 소자(2), 및 복수의 와이어(6)를 일괄하여 봉지 가능한 사이즈로 형성되어 있다.
또한, 수지 시트(11)의 두께는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 100~2000㎛, 바람직하게는, 300~1000㎛이다.
그리고, 발광 장치 집합체(1)를 제조하는 데에는, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 수지 시트(11)를, 그 봉지 수지층(13)이 발광 다이오드 소자(2)와 상하 방향으로 간격을 두고 대향시키고, 그 다음에, 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 수지 시트(11)를 강하시키고(아래로 누르고), 봉지 수지층(13)에 의해 발광 다이오드 소자(2) 및 와이어(도시하지 않음)를 피복한다.
그 다음에, 도 2(c)에 나타낸 바와 같이, 수지 시트(11)를 반도체 기판(9)에 대해서 압착한다. 또한, 압착은, 바람직하게는, 감압 환경 하에서 실시한다.
압착은, 봉지 수지층(13)이 반도체 기판(9)측(하측)으로 밀어 넣어지는(압축되는) 양을, 적절 제어함으로써 실시한다.
압착의 온도는, 예를 들면, 0~40℃, 바람직하게는, 15~35℃이다.
또한, 압착에서는, 필요에 따라, 수지 시트(11)를 아래로 누른(밀어 넣은) 상태에서 유지한다.
압착에 있어서의 유지 시간은, 예를 들면, 10초~10분, 바람직하게는, 10초~5분이다.
또한, 압착에는, 도시하지 않지만, 공지의 프레스 기기가 이용된다.
그리고, 발광 장치 집합체(1)를 제조하는 데에는, 도 2(d)에 나타낸 바와 같이, 필요에 따라 (예를 들면, 수지 시트(11)의 봉지 수지층(13)이 열경화성 수지를 함유하는 경우), 봉지 수지층(13)을, 가열에 의해 경화시켜, 봉지층(3)으로서 형성한다.
경화 조건은, 상기한 봉지 수지층(13)의 열경화성 수지가 완전 경화하는 조건으로서, 봉지 수지층(13)이 축합·부가 반응 경화형 실리콘 수지 조성물을 함유하는 경우, 부가 반응(하이드로 시릴화 반응)이 진행하는 조건이다.
구체적으로는, 가열 온도가, 예를 들면, 80~200℃, 바람직하게는, 100~180℃, 가열 시간이, 예를 들면, 0.1~20 시간, 바람직하게는, 1~10 시간이다.
그 후, 박리 필름(12)을 봉지층(3)으로부터 박리하면, 발광 장치 집합체(1)의 제작이 완료한다.
그리고, 이와 같이 하여 얻어지는 발광 장치 집합체(1)에서는, 상기한 바와 같이, 복수의 발광 장치(10)가 한 방향으로 연속하여 배치되어 있고, 또한, 서로 인접하는 발광 장치(10)의 봉지층(3)이, 한 변에서 선 접촉하도록 배치되어 있으므로, 1개의 발광 장치(10)에 대한 회로 기판(4)의 면적(사용량)을 저감할 수 있어, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
도 3은, 도 1에 나타내는 발광 장치 집합체가 복수 연속하여 형성되는 형태의 평면도이다.
또한, 이러한 발광 장치 집합체(1)를, 예를 들면, 도 3에 나타낸 바와 같이, 세로 방향에 있어서, 복수(예를 들면, 2개) 연속하도록 형성할 수 있다. 또한, 이러한 경우에는, 복수(예를 들면, 8열×2행)의 회로 기판(4)을, 서로 연속하도록, 일체적으로 형성할 수 있다.
이러한 경우에는, 봉지층(3)의 외측에 구획되는 노출부(15)는, 각 회로 기판(4)의 4개의 모서리부에 있어서 평면에서 보아 대략 삼각형 형상으로 구획됨과 아울러, 세로 방향으로 서로 인접하는 발광 장치(10)의 노출부(15)와, 가로 방향으로 서로 인접하는 발광 장치(10)의 노출부(15)가, 평면에서 보아 대략 마름모 형상으로 연속하고 있다.
그리고, 1개의 발광 장치(10)에 구획되는 노출부(15) 중, 세로 방향 한쪽측과 가로 방향 한쪽측의 노출부(15)와, 세로 방향 한쪽측과 가로 방향 한쪽측의 노출부(15)에는, 봉지층(3)을 사이에 두도록, 2개의 외부 전극(5)이 대향 배치되어 있다.
도 4는, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 정팔각형 형상으로 형성되는 형태)의 평면도, 도 5는, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 정십각형 형상으로 형성되는 형태)의 평면도, 도 6은, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 정십이각형 형상으로 형성되는 형태)의 평면도이다.
상기한 설명에서는, 봉지층(3)을 평면에서 보아 대략 정육각형 형상으로서 설명했지만, 봉지층(3)의 형상으로서는, 서로 인접하는 발광 장치(10)의 봉지층(3)이, 적어도 1점에서 접촉할 수 있으면, 특히 제한되지 않고, 예를 들면, 도 4에 나타낸 바와 같이, 평면에서 보아 대략 정팔각형 형상으로 형성할 수 있고, 또한, 예를 들면, 도 5에 나타낸 바와 같이, 평면에서 보아 대략 정십각형 형상으로 형성할 수 있고, 또한, 예를 들면, 도 6에 나타낸 바와 같이, 평면에서 보아 대략 정십이각형 형상으로 형성할 수 있다.
이와 같이 봉지층(3)이 형성되는 경우에도, 노출부(15)가, 봉지층(3)의 외측, 구체적으로는, 각 회로 기판(4)의 세로 방향 양측 및 가로 방향 양측에 있어서의 4개의 모서리부에 구획된다. 또한, 서로 인접하는 발광 장치(10)의 노출부(15)가, 가로 방향으로 연속하도록 구획된다.
그리고, 1개의 발광 장치(10)에 구획되는 노출부(15) 중, 세로 방향 한쪽측과 가로 방향 한쪽측의 노출부(15)와, 세로 방향 한쪽측과 가로 방향 한쪽측의 노출부(15)에는, 봉지층(3)을 사이에 두도록, 2개의 외부 전극(5)이 대향 배치되어 있다.
이러한 발광 장치 집합체(1)에 의해서도, 상기와 마찬가지로, 1개의 발광 장치에 대한 회로 기판의 면적(사용량)을 저감할 수 있어, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
도 7은, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 형성되고, 봉지층을 사이에 두도록 외부 전극이 형성되는 형태)의 평면도, 도 8은, 도 7에 나타내는 발광 장치 집합체가, 복수 연속하여 형성되는 형태의 평면도이다.
또한, 봉지층(3)의 형상으로서는, 예를 들면, 도 7에 나타낸 바와 같이, 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 형성할 수 있다.
이와 같이 봉지층(3)이 형성되는 경우에는, 노출부(15)가, 봉지층(3)의 외측, 구체적으로는, 각 회로 기판(4)의 세로 방향 양측에, 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 구획된다. 또한, 서로 인접하는 발광 장치(10)의 노출부(15)가, 가로 방향으로 연속하도록 구획된다.
그리고, 1개의 발광 장치(10)에 구획되는 노출부(15) 중, 세로 방향 한쪽측의 노출부(15)에 있어서의 가로 방향 한쪽측과, 세로 방향 한쪽측의 노출부(15)에 있어서의 가로 방향 한쪽측에는, 봉지층(3)을 사이에 두도록, 2개의 외부 전극(5)이 대향 배치되어 있다.
이러한 발광 장치 집합체(1)에 의해서도, 상기와 마찬가지로, 1개의 발광 장치에 대한 회로 기판의 면적(사용량)을 저감할 수 있어, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 예를 들면, 도 8에 나타낸 바와 같이, 이러한 발광 장치 집합체(1)를, 세로 방향에 있어서, 복수(예를 들면, 2개) 연속하도록 형성할 수 있다.
이러한 경우에는, 봉지층(3)의 외측에 구획되는 노출부(15)는, 각 회로 기판(4)의 세로 방향 양측에 있어서 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 구획된다. 또한, 이들 세로 방향 양측의 노출부(15) 사이에 개재하도록, 회로 기판(4)의 세로 방향 중앙부(2개의 발광 장치 집합체(1)가 연속하는 경계 근방)에 있어서, 노출부(15)가 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 구획된다. 또한, 서로 인접하는 발광 장치(10)의 노출부(15)가, 가로 방향으로 연속하도록 구획된다.
그리고, 1개의 발광 장치(10)에 구획되는 2개의 노출부(15) 중, 세로 방향 한쪽측의 노출부(15)에 있어서의 가로 방향 한쪽측과, 세로 방향 한쪽측의 노출부(15)에 있어서의 가로 방향 한쪽측에는, 봉지층(3)을 사이에 두도록, 2개의 외부 전극(5)이 대향 배치되어 있다.
이러한 발광 장치 집합체(1)에 의해서도, 상기와 마찬가지로, 1개의 발광 장치에 대한 회로 기판의 면적(사용량)을 저감할 수 있어, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
도 9는, 본 발명의 발광 장치 집합체의 다른 실시 형태(봉지층이 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 형성되고, 봉지층을 사이에 두지 않도록 외부 전극이 형성되는 형태)의 평면도이다.
또한, 상기한 설명에서는, 한 쌍의 외부 전극(5)을, 그 사이에 봉지층(3)을 개재하도록 형성하고 있지만, 예를 들면, 도 9에 나타낸 바와 같이, 봉지층(3)을 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 형성함과 아울러, 한 쌍의 외부 전극(5)을, 그 사이에 봉지층(3)을 개재하지 않도록 형성할 수도 있다.
즉, 도 9에 나타내는 발광 장치 집합체(1)에서는, 봉지층(3)의 외측에 구획되는 노출부(15)가, 세로 방향 한쪽측(지면 상측)에만, 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 구획되어 있고, 또한, 외부 전극(5)이, 그 세로 방향 한쪽측(지면 상측)에 있어서, 가로 방향으로 간격을 두고 배치되도록 집약되어 있다.
그 때문에, 노출부(15)가, 세로 방향 한쪽측(지면 상측) 및 다른쪽측(지면 하측)의 양측으로 구획되는 경우에 비해, 1개의 발광 장치(10)에 대한 회로 기판(4)의 면적(사용량)을 더 저감할 수 있어, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
도 10은, 도 9에 나타내는 발광 장치 집합체가, 복수 연속하여 형성되는 형태의 개략 평면도이다.
또한, 예를 들면, 도 10에 나타낸 바와 같이, 이러한 발광 장치 집합체(1)를, 세로 방향에 있어서, 복수(예를 들면, 2개) 연속하도록 형성할 수 있다.
또한, 그러한 경우에 있어서, 세로 방향 한쪽측(지면 상측)의 발광 장치 집합체(1)의 노출부(15)를 한쪽측(지면 상측)에 형성하고, 외부 전극(5)을 한쪽측(지면 상측)에 있어서, 가로 방향으로 간격을 두고 배치되도록 집약함과 아울러, 세로 방향 다른쪽측(지면 하측)의 발광 장치 집합체(1)의 노출부(15)를 다른쪽측(지면 하측)에 형성하고, 외부 전극(5)을 다른쪽측(지면 하측)에 있어서, 가로 방향으로 간격을 두고 배치되도록 집약시킬 수 있다.
이러한 경우에는, 봉지층(3)의 외측에 구획되는 노출부(15)는, 각 회로 기판(4)의 세로 방향 양측에 있어서 평면에서 보아 대략 직사각형 형상으로 구획된다. 한편, 회로 기판(4)의 세로 방향 중앙부(2개의 발광 장치 집합체(1)가 연속하는 경계 근방)에는, 노출부(15)는 구획되지 않는다.
그 때문에, 이러한 경우에는, 봉지층(3)에 의한 봉지 공정을 간략화하여, 양품률의 향상을 도모할 수 있다.
즉, 상기한 도 8에 기재되는 바와 같이, 회로 기판(4)의 세로 방향 중앙부(2개의 발광 장치 집합체(1)가 연속하는 경계 근방)에 노출부(15)가 구획되는 경우에는, 1개의 봉지층(3)을, 1개의 발광 장치 집합체(1)(1행×8열)에 대해서 이용할 필요가 있다.
한편, 상기한 도 10에 기재되는 바와 같이, 회로 기판(4)의 세로 방향 중앙부(2개의 발광 장치 집합체(1)가 연속하는 경계 근방)에 노출부(15)가 구획되지 않는 경우에는, 1개의 봉지층(3)을, 2개의 발광 장치 집합체(1)(2행×8열)에 대해서 이용할 수 있으므로, 봉지층(3)에 의한 봉지 공정을 간략화하여, 양품률의 향상을 도모할 수 있다.
그리고, 본 발명은, 상기한 발광 장치 집합체(1)를 이용하여 얻어지는 조명 장치, 구체적으로는, 상기한 발광 장치(10)를 적어도 1개 구비하는 조명 장치를 포함하고 있다.
즉, 예를 들면, 복수의 발광 장치(10)를 가로 방향으로 연속시킨 상태(예를 들면, 도 1 참조)의 발광 장치 집합체(1)를, 조명 장치로서 그대로 이용할 수 있고, 또한, 복수의 발광 장치 집합체(1)를 세로 방향으로 연속시킨 상태(예를 들면, 도 3 참조)에서, 조명 장치로서 이용할 수도 있다.
또한, 예를 들면, 도 11에 나타낸 바와 같이, 상기한 발광 장치 집합체(1)의 각 발광 장치(10)를 개별적으로 분할한 상태에서, 조명 장치로서 이용할 수 있고, 그에 부가하여, 예를 들면, 도 12에 나타낸 바와 같이, 발광 장치(10)를 복수개(예를 들면, 4개)마다 분할한 상태에서, 조명 장치로서 이용할 수도 있다.
이러한 조명 장치는, 상기한 발광 장치 집합체로부터 얻어지므로, 소형화 및 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 상기한 설명에서는, 1개의 발광 장치(10)에 대해서, 복수의 발광 다이오드 소자(2)를 이용했지만, 발광 장치(10)의 용도 등에 따라서는, 발광 다이오드 소자(2)의 수는 특히 한정되지 않고, 예를 들면, 1개의 발광 장치(10)에 대해서, 단수의 발광 다이오드 소자(2)를 이용하여도 좋다.
또한, 상기 설명은, 본 발명의 예시의 실시 형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 해당 기술 분야의 당업자에 의해 명백한 본 발명의 변형예는, 후기의 특허 청구의 범위에 포함되는 것이다.

Claims (6)

  1. 복수의 발광 장치를 구비하는 발광 장치 집합체로서,
    각 상기 발광 장치는,
    외부의 전원에 접속되는 한 쌍의 전극을 구비하며, 상기 전극을 거쳐서 상기 전원으로부터의 전력이 공급되는 회로 기판과,
    상기 회로 기판상에 지지되어, 상기 회로 기판에 전기적으로 접속되는 반도체 소자와,
    상기 회로 기판상에서, 상기 반도체 소자를 봉지하는 봉지층을 구비하며,
    복수의 상기 발광 장치는, 한 방향으로 연속하도록 배치되어 있고,
    상기 봉지층은, 평면에서 보아, 서로 인접하는 상기 발광 장치의 상기 봉지층이 접촉하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
    발광 장치 집합체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지층이, 평면에서 보아, 적어도 한 변을 갖고, 서로 인접하는 상기 발광 장치의 상기 봉지층이, 상기 한 변에서 선 접촉하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치 집합체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지층이, 평면에서 보아 대략 다각형 형상인 것을 특징으로 하는 발광 장치 집합체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지층이, 평면에서 보아, (4＋2n)각형 형상(n은 0을 포함하는 자연수)인 것을 특징으로 하는 발광 장치 집합체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 봉지층이, 평면에서 보아 대략 정육각형 형상인 것을 특징으로 하는 발광 장치 집합체.
  6. 복수의 발광 장치를 구비하는 발광 장치 집합체의 상기 발광 장치를 적어도 1개 구비하며, 각 상기 발광 장치는,
    외부의 전원에 접속되는 한 쌍의 전극을 구비하며, 상기 전극을 거쳐서 상기 전원으로부터의 전력이 공급되는 회로 기판과,
    상기 회로 기판상에 지지되어, 상기 회로 기판에 전기적으로 접속되는 반도체 소자와,
    상기 회로 기판상에서, 상기 반도체 소자를 봉지하는 봉지층을 구비하며,
    복수의 상기 발광 장치는, 한 방향으로 연속하도록 배치되어 있고,
    상기 봉지층은, 평면에서 보아, 서로 인접하는 상기 발광 장치의 상기 봉지층이 접촉하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는
    조명 장치.
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