TWI389294B - A package structure for manufacturing a light emitting diode chip which reduces the luminous efficiency of a phosphor due to high temperature and a method of manufacturing the same - Google Patents

A package structure for manufacturing a light emitting diode chip which reduces the luminous efficiency of a phosphor due to high temperature and a method of manufacturing the same Download PDF

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Description

避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝結構及其製作方法
本發明係有關於一種發光二極體晶片之封裝結構及其製作方法，尤指一種避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝結構及其製作方法。
請參閱第一圖所示，其係為習知發光二極體之第一種封裝方法之流程圖。由流程圖中可知，習知發光二極體之第一種封裝方法，其步驟包括：首先，提供複數個封裝完成之發光二極體(S800)；接著，提供一條狀基板本體，其上具有一正極導電軌跡與一負極導電軌跡(S802)；最後，依序將每一個封裝完成之發光二極體設置在該條狀基板本體上，並將每一個封裝完成之發光二極體之正、負極端分別電性連接於該條狀基板本體之正、負極導電軌跡(S804)。
請參閱第二圖所示，其係為習知發光二極體之第二種封裝方法之流程圖。由流程圖中可知，習知發光二極體之第二種封裝方法，其步驟包括：首先，提供一條狀基板本體，其上具有一正極導電軌跡與一負極導電軌跡(S900)；接著，依序將複數個發光二極體晶片設置於該條狀基板本體上，並且將每一個發光二極體晶片之正、負極端分別電性連接於該條狀基板本體之正、負極導電軌跡(S902)；最後，將一條狀螢光膠體覆蓋於該條狀基板本體及該等發光 二極體晶片上，以形成一帶有條狀發光區域之光棒(S904)。
然而，關於上述習知發光二極體之第一種封裝方法，由於每一顆封裝完成之發光二極體必須先從一整塊發光二極體封裝切割下來，然後再以表面黏著技術製程，將每一顆封裝完成之發光二極體設置於該條狀基板本體上，因此無法有效縮短其製程時間，再者，發光時，該等封裝完成之發光二極體之間會有暗帶現象存在，對於使用者視線仍然產生不佳的效果。
另外，關於上述習知發光二極體之第二種封裝方法，由於所完成之光棒帶有條狀發光區域，因此第二種封裝方法將不會產生暗帶的問題。然而，因為該條狀螢光膠體被激發的區域不均，因而造成光棒之光效率不佳(亦即，靠近發光二極體晶片的螢光膠體區域會產生較強的激發光源，而遠離發光二極體晶片的螢光膠體區域則產生較弱的激發光源)。
再者，習知皆將螢光膠體直接覆蓋在發光二極體晶片的表面，因此造成發光二極體晶片所產生的熱量會直接影響到螢光膠體的品質，進而造成螢光粉發光效率的降低。
是以，由上可知，目前習知之發光二極體的封裝結構及其製作方法，顯然具有不便與缺失存在，而待加以改善者。
緣是，本發明人有感上述缺失之可改善，且依據多年來從事此方面之相關經驗，悉心觀察且研究之，並配合學 理之運用，而提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本發明。
本發明所要解決的技術問題，在於提供一種避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝結構及其製作方法。本發明之發光二極體結構於發光時，形成一連續之發光區域，而無亮度不均的情況發生，並且本發明係透過晶片直接封裝(Chip On Board，COB)製程並利用壓模的方式，以使得本發明可有效地縮短其製程時間，而能進行大量生產。
此外，本發明之螢光膠體沒有直接接觸到發光二極體晶片，因此本發明可避免因發光二極體所產生的高溫而降低螢光粉發光效率。
再者，本發明之結構設計更適用於各種光源，諸如背光模組、裝飾燈條、照明用燈、或是掃描器光源等應用，皆為本發明所應用之範圍與產品。
為了解決上述技術問題，根據本發明之其中一種方案，提供一種避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其包括下列步驟：首先，提供一基板單元；接著，透過矩陣的方式，分別電性設置複數個發光二極體晶片於該基板單元上，以形成複數排縱向發光二極體晶片排；然後，將複數條條狀透明膠體縱向地分別覆蓋在每一排縱向發光二極體晶片排上；接下來，將複數條 條狀螢光膠體縱向地分別完全覆蓋在每一條條狀透明膠體上；最後，沿著每兩個縱向發光二極體晶片之間，横向地切割該等條狀透明膠體、該等條狀螢光膠體及該基板單元，以形成複數條光棒，其中每一條光棒係具有複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個發光二極體晶片上之透明膠體及複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個透明膠體之螢光膠體。
為了解決上述技術問題，根據本發明之其中一種方案，提供一種避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝結構，其包括：一基板單元、一發光單元、一透明膠體單元、一螢光膠體單元、及一框架單元。
其中，該發光單元係具有複數個分別電性設置於該基板單元上之發光二極體晶片。該透明膠體單元係具有複數個分別覆蓋在該等發光二極體晶片上之透明膠體。該螢光膠體單元係具有複數個分別覆蓋在該等狀透明膠體上之螢光膠體。該框架單元係包覆該等透明膠體的四周及該等螢光膠體的四周，而只曝露出該等螢光膠體的上表面。
因此，本發明之發光二極體結構於發光時，形成一連續之發光區域，而無亮度不均的情況發生。此外，本發明可避免因發光二極體所產生的高溫而降低螢光粉發光效率，並且本發明係透過晶片直接封裝(Chip On Board，COB)製程並利用壓模的方式，以使得本發明可有效地縮短其製程時間，而能進行大量生產。
為了能更進一步瞭解本發明為達成預定目的所採取
之技術、手段及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得一深入且具體之瞭解，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
請參閱第三圖、第三a圖至第三e圖、及第三A圖至第三E圖所示。第三圖係為本發明封裝方法之第一實施例之流程圖，第三a圖至第三d圖分別為本發明封裝結構之第一實施例之封裝流程示意圖，第三A圖至第三D圖分別為本發明封裝結構之第一實施例之封裝流程剖面示意圖。由第三圖之流程圖可知，本發明之第一實施例係提供一種避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其包括下列步驟：
首先，請配合第三a圖及第三A圖所示，提供一基板單元1，其具有一基板本體10、及分別形成於該基板本體10上之複數個正極導電軌跡11與複數個負極導電軌跡12(S100)。
其中，該基板本體10係包括一金屬層10A及一成形在該金屬層10A上之電木層10B(如第三a圖及第三A圖所示)。依不同的設計需求，該基板單元10係可為一印刷電路板、一軟基板、一鋁基板、一陶瓷基板、或一銅基板。此外，該正、負極導電軌跡11、12係可採用鋁線路或銀線路，並且該正、負極導電軌跡11、12 之佈局係可隨著不同的需要而有所改變。
接著，請配合第三b圖及第三B圖所示，透過矩陣的方式，分別設置複數個發光二極體晶片20於該基板本體10上，以形成複數排縱向發光二極體晶片排2，其中每一個發光二極體晶片20係具有分別電性連接於該基板單元的正、負極導電軌跡11、12之一正極端201與一負極端202(S102)。
此外，以本發明之第一實施例而言，每一個發光二極體晶片20之正、負極端201、202係透過兩相對應之導線W並以打線的方式，以與該基板本體單元1之正、負極導電軌跡11、12產生電性連接。再者，每一排縱向發光二極體晶片排2係以一直線的排列方式設置於該基板單元1之基板本體10上，並且每一個發光二極體晶片20係可為一藍色發光二極體晶片。
當然，上述該等發光二極體晶片20之電性連接方式係非用以限定本發明，例如：請參閱第四圖所示(本發明發光二極體晶片透過覆晶的方式達成電性連接之示意圖)，每一個發光二極體晶片20′之正、負極端201′、202′係透過複數個相對應之錫球B並以覆晶的方式，以與該基板單元1′之正、負極導電軌跡11′、12′產生電性連接。另外，依據不同的設計需求，該等發光二極體晶片(圖未示)之正、負極端係可以串聯、並聯、或串聯加並聯的方式，以與該基板單元(圖未示)之正、負極導電軌跡產生電性連接。
然後，請配合第三c圖及第三C圖所示，透過一第一模具單元M1，將複數條條狀透明膠體3縱向地分別覆蓋在每一排縱向發光二極體晶片排2上(S104)。
其中，該第一模具單元M1係由一第一上模具M11及一用於承載該基板本體10之第一下模具M12所組成，並且該第一上模具M11係具有複數條相對應該等縱向發光二極體晶片排2之第一通道M110。此外，每一個第一通道M110的高度及寬度係與每一條相對應條狀透明膠體3的高度及寬度相同。
然後，請配合第三d圖及第三D圖所示，透過一第二模具單元M2，將複數條條狀螢光膠體4縱向地分別完全覆蓋在每一條條狀透明膠體3上(S106)。
其中，該第二模具單元M2係由一第二上模具M21及一用於承載該基板本體10之第二下模具M22所組成，並且該第二上模具M22係具有複數條相對應該等條狀透明膠體3之第二通道M210，此外每一個第二通道M210的高度及寬度係與每一條相對應條狀螢光膠體4的高度及寬度相同。再者，每一條相對應條狀透明膠體3係可依據不同的使用需求，而選擇為：由矽膠與螢光粉混合而成或由環氧樹脂與螢光粉混合而成。
最後，請再參閱第三d圖，並配合第三e圖及第三E圖所示，沿著每兩個縱向發光二極體晶片20之間，横向地切割該等條狀透明膠體3、該等條狀螢光膠體4及該基板本體10，以形成複數條光棒L1，其中每一條光棒L 1係具有複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個發光二極體晶片20上之透明膠體30及複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個透明膠體30之螢光膠體40(S108)。
請參閱第五圖、第五a圖至第五d圖、及第五A圖至第五D圖所示。第五圖係為本發明封裝方法之第二實施例之流程圖，第五a圖至第五c圖分別為本發明封裝結構之第二實施例之部分封裝流程示意圖，第五A圖至第五C圖分別為本發明封裝結構之第二實施例之部分封裝流程剖面示意圖。由第五圖之流程圖可知，第二實施例之步驟S200至S204係分別與第一實施例之步驟S100至S104相同。亦即，步驟S200係等同於第一實施例之第三a圖及第三A圖之示意圖說明；步驟S202係等同於第一實施例之第三b圖及第三B圖之示意圖說明；步驟S204係等同於第一實施例之第三c圖及第三C圖之示意圖說明。
再者，於步驟S204之後，本發明之第二實施例更進一步包括：首先，請參閱第五a圖及第五A圖所示，將複數條條狀螢光膠體4′縱向地分別覆蓋在每一條條狀透明膠體3′的上表面(S206)。
然後，請參閱第五b圖及第五B圖所示，沿著每兩個縱向發光二極體晶片20之間，横向地切割該等條狀透明膠體3′及該等條狀螢光膠體4′，以形成複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個發光二極體晶片20上之透明膠體30′及複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個透明膠體30′之螢光膠體40′(S208)。
接下來，請參閱第五c圖及第五C圖所示，透過一第三模具單元M3，將一框架單元5覆蓋於該基板本體10上並且縱向地包圍該等透明膠體30′的四周及該等螢光膠體40′的四周(S210)。其中，該第三模具單元M3係由一第三上模具M31及一用於承載該基板本體10之第三下模具M32所組成，並且該第三上模具M31係具有一條相對應該框架單元5之第三通道M310，此外該第三通道M310的高度係與從基板本體10之頂面至該螢光膠體40′之頂面的高度相同，而該第三通道M310的寬度係與該框架單元5的寬度相同。
最後，請再參閱第五c圖，並配合第五d圖及第五D圖所示，沿著每兩個縱向發光二極體晶片20之間，横向地切割該框架單元5及該基板本體10，以形成複數條光棒L2，並且使得該框架單元5被切割成複數個分別包覆每一條光棒L2上之所有透明膠體30′的四周及所有螢光膠體40′的四周之框架層50(S212)。其中，該框架層50係為不透光框架層，並且該不透光框架層係為白色框架層。
請參閱第六圖、第六a圖至第六b圖、及第六A圖至第六B圖所示。第六圖係為本發明封裝方法之第三實施例之流程圖，第六a圖至第六b圖分別為本發明封裝結構之第三實施例之部分封裝流程示意圖，第六A圖至第六B圖分別為本發明封裝結構之第三實施例之部分封裝流程剖面示意圖。由第六圖之流程圖可知，第三實施例之步驟 S300至S304係分別與第一實施例之步驟S100至S104相同，並且第三實施例之步驟S306係分別與第二實施例之步驟S206相同。亦即，步驟S300係等同於第一實施例之第三a圖及第三A圖之示意圖說明；步驟S302係等同於第一實施例之第三b圖及第三B圖之示意圖說明；步驟S304係等同於第一實施例之第三c圖及第三C圖之示意圖說明；步驟S306係等同於第二實施例之第五a圖及第五A圖之示意圖說明。
再者，於步驟S306之後，本發明之第三實施例更進一步包括：首先，請參閱第六a圖及第六A圖所示，透過一第四模具單元M4，將複數條條狀框架層5′覆蓋於該基板本體10上並且縱向地分別包圍每一個透明膠體30′的四周及每一個螢光膠體40′的四周(S308)。其中，該第四模具單元M4係由一第四上模具M41及一用於承載該基板本體10之第四下模具M42所組成，並且該第四上模具M41係具有複數條相對應該等縱向發光二極體晶片排2之第四通道M410，並且該第四通道M410的高度係與從基板本體10之頂面至該螢光膠體40′之頂面的高度相同，而該第四通道M410的寬度係大於每一個透明膠體30′或每一個螢光膠體40′的寬度。
最後，請再參閱第六a圖，並配合第六b圖及第六B圖所示，沿著每兩個縱向發光二極體晶片20之間，横向地切割該等條狀框架層5′及該基板本體10，以形成複 數條光棒L3，並且使得該等條狀框架層5′被切割成複數個分別包覆每一個透明膠體30′的四周及每一個螢光膠體40′的四周之框體50′(S310)。其中，該等框體50′係為不透光框架層，並且該不透光框架層係為白色框架層。
請參閱第七a圖及第七A圖所示，其分別為本發明避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝結構的第四實施例之立體示意圖及剖面示意圖。由該等圖中可知，每一條光棒L4係具有複數個電性設置於一基板本體10上之發光二極體晶片20。每一個透明膠體30〞係成形於每一個發光二極體晶片20上，並且每一個透明膠體30〞之上表面及前表面係具有一透明膠體弧面300〞及一透明膠體出光面301〞。此外，每一個螢光膠體40〞係覆蓋在每一個透明膠體30〞之透明膠體出光面301〞上。最後，每一個框體50〞係成形於每一個透明膠體30〞之透明膠體弧面300〞上。
綜上所述，本發明之發光二極體結構於發光時，形成一連續之發光區域，而無亮度不均的情況發生，並且本發明係透過晶片直接封裝(Chip On Board，COB)製程並利用壓模的方式，以使得本發明可有效地縮短其製程時間，而能進行大量生產。此外，本發明之螢光膠體沒有直接接觸到發光二極體晶片，因此本發明可避免因發光二極體所產生的高溫而降低螢光粉發光效率。再者，本發明之結構設計更適用於各種光源，諸如背光模組、裝飾燈條、照明用 燈、或是掃描器光源等應用，皆為本發明所應用之範圍與產品。
惟，以上所述，僅為本發明最佳之一的具體實施例之詳細說明與圖式，惟本發明之特徵並不侷限於此，並非用以限制本發明，本發明之所有範圍應以下述之申請專利範圍為準，凡合於本發明申請專利範圍之精神與其類似變化之實施例，皆應包含於本發明之範疇中，任何熟悉該項技藝者在本發明之領域內，可輕易思及之變化或修飾皆可涵蓋在以下本案之專利範圍。
1‧‧‧基板單元
10‧‧‧基板本體
10A‧‧‧金屬層
10B‧‧‧電木層
11‧‧‧正極導電軌跡
12‧‧‧負極導電軌跡
1′‧‧‧該基板單元
11′‧‧‧正極導電軌跡
12′‧‧‧負極導電軌跡
2‧‧‧縱向發光二極體晶片排
20‧‧‧發光二極體晶片
201‧‧‧正極端
202‧‧‧負極端
20′‧‧‧發光二極體晶片
201′‧‧‧正極端
202′‧‧‧負極端
3‧‧‧條狀透明膠體
30‧‧‧透明膠體
3′‧‧‧條狀透明膠體
30′‧‧‧透明膠體
30〞‧‧‧透明膠體
300〞‧‧‧透明膠體弧面
301〞‧‧‧透明膠體出光面
4‧‧‧條狀螢光膠體
40‧‧‧螢光膠體
4′‧‧‧條狀螢光膠體
40′‧‧‧螢光膠體
40〞‧‧‧螢光膠體
5‧‧‧框架單元
50‧‧‧框架層
5′‧‧‧條狀框架層
50′‧‧‧框體
50〞‧‧‧框體
W‧‧‧導線
B‧‧‧錫球
M1‧‧‧第一模具單元
M11‧‧‧第一上模具
M110‧‧‧第一通道
M12‧‧‧第一下模具
M2‧‧‧第二模具單元
M21‧‧‧第二上模具
M210‧‧‧第二通道
M22‧‧‧第二下模具
M3‧‧‧第三模具單元
M31‧‧‧第三上模具
M310‧‧‧第三通道
M32‧‧‧第三下模具
M4‧‧‧第三模具單元
M41‧‧‧第三上模具
M410‧‧‧第三通道
M42‧‧‧第三下模具
L1‧‧‧光棒
L2‧‧‧光棒
L3‧‧‧光棒
L4‧‧‧光棒
第一圖係為習知發光二極體之第一種封裝方法之流程圖；第二圖係為習知發光二極體之第二種封裝方法之流程圖；第三圖係為本發明封裝方法之第一實施例之流程圖；第三a圖至第三e圖分別為本發明封裝結構之第一實施例之封裝流程立體示意圖；第三A圖至第三E圖分別為本發明封裝結構之第一實施例之封裝流程剖面示意圖；第四圖係為本發明發光二極體晶片透過覆晶的方式達成電性連接之示意圖；第五圖係為本發明封裝方法之第二實施例之流程圖；第五a圖至第五d圖分別為本發明封裝結構之第二實施例之部分封裝流程立體示意圖；第五A圖至第五D圖分別為本發明封裝結構之第二實施 例之部分封裝流程剖面示意圖；第六圖係為本發明封裝方法之第三實施例之流程圖；第六a圖至第六b圖分別為本發明封裝結構之第三實施例之部分封裝流程立體示意圖；第六A圖至第六B圖分別為本發明封裝結構之第三實施例之部分封裝流程剖面示意圖；第七a圖係為本發明避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝結構的第四實施例之立體示意圖；以及第七A圖係為本發明避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝結構的第四實施例之剖面示意圖。
光棒．．．L3
發光二極體晶片．．．20
透明膠體．．．30′
螢光膠體．．．40′
框體．．．50′

Claims (14)

  1. 一種避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其包括下列步驟：提供一基板單元；透過矩陣的方式，分別電性設置複數個發光二極體晶片於該基板單元上，以形成複數排縱向發光二極體晶片排；將複數條條狀透明膠體縱向地分別覆蓋在每一排縱向發光二極體晶片排上；以及將複數條條狀螢光膠體縱向地分別完全覆蓋在每一條條狀透明膠體上；其中該等條狀螢光膠體係透過一第二模具單元所形成，該第二模具單元係由一第二上模具及一用於承載該基板單元之第二下模具所組成，並且該第二上模具係具有複數條相對應該等條狀透明膠體之第二通道，此外每一個第二通道的高度及寬度係與每一條相對應條狀螢光膠體的高度及寬度相同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其中該基板單元係為一印刷電路板、一軟基板、一鋁基板、一陶瓷基板、或一銅基板。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其中該基板單元係具有一基板本體、及分別形成於該基板本體 上之一正極導電軌跡與一負極導電軌跡，並且該基板本體係包括一金屬層及一成形在該金屬層上之電木層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其中每一個發光二極體晶片係具有分別電性連接於該基板單元的正、負極導電軌跡之一正極端與一負極端，並且該正、負極導電軌跡係為鋁線路或銀線路。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其中該等條狀透明膠體係透過一第一模具單元所形成，該第一模具單元係由一第一上模具及一用於承載該基板單元之第一下模具所組成，並且該第一上模具係具有複數條相對應該等縱向發光二極體晶片排之第一通道，此外每一個第一通道的高度及寬度係與每一條相對應條狀透明膠體的高度及寬度相同。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其中每一條條狀螢光膠體由矽膠與螢光粉混合而成或由環氧樹脂與螢光粉混合而成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，更進一步包括：沿著每兩個縱向發光二極體晶片之間，横向地切割該等條狀透明膠體、該等條狀螢光膠體及該基板 單元，以形成複數條光棒，其中每一條光棒係具有複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個發光二極體晶片上之透明膠體及複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個透明膠體之螢光膠體。
  8. 一種避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其包括下列步驟：提供一基板單元；透過矩陣的方式，分別電性設置複數個發光二極體晶片於該基板單元上，以形成複數排縱向發光二極體晶片排；將複數條條狀透明膠體縱向地分別覆蓋在每一排縱向發光二極體晶片排上，其中每一條條狀透明膠體之上表面及前表面係分別具有一透明膠體弧面及一透明膠體前端面；將複數條條狀螢光膠體縱向地分別覆蓋在每一條條狀透明膠體的透明膠體前端面上；以及沿著每兩個縱向發光二極體晶片之間，横向地切割該等條狀透明膠體及該等條狀螢光膠體，以形成複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個發光二極體晶片上之透明膠體及複數個彼此分開地分別覆蓋於每一個透明膠體之螢光膠體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，更進一步包括： 透過一第三模具單元，將一框架單元覆蓋於該基板單元上並且縱向地包圍該等透明膠體的四周及該等螢光膠體的四周；以及沿著每兩個縱向發光二極體晶片之間，横向地切割該框架單元及該基板單元，以形成複數條光棒，並且使得該框架單元被切割成複數個分別包覆每一條光棒上之所有透明膠體的四周及所有螢光膠體的四周之框架層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其中該第三模具單元係由一第三上模具及一用於承載該基板單元之第三下模具所組成，並且該第三上模具係具有一條相對應該框架單元之第三通道，此外該第三通道的高度係與從基板單元之頂面至該螢光膠體之頂面的高度相同，而該第三通道的寬度係與該框架單元的寬度相同。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其中該框架層係為不透光框架層，並且該不透光框架層係為白色框架層。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，更進一步包括：透過一第四模具單元，將複數條條狀框架層覆蓋於該 基板單元上並且縱向地包圍每一個透明膠體的四周及每一個螢光膠體的四周；以及沿著每兩個縱向發光二極體晶片之間，横向地切割該等條狀框架層及該基板單元，以形成複數條光棒，並且使得該等條狀框架層被切割成複數個分別包覆每一個透明膠體的四周及每一個螢光膠體的四周之框體。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其中該第四模具單元係由一第四上模具及一用於承載該基板單元之第四下模具所組成，並且該第四上模具係具有複數條相對應該等縱向發光二極體晶片排之第四通道，並且該第四通道的高度係與從基板單元之頂面至該螢光膠體之頂面的高度相同，而該第四通道的寬度係大於每一個透明膠體或每一個螢光膠體的寬度。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之避免因高溫而降低螢光粉發光效率之發光二極體晶片之封裝方法，其中該等框體係為不透光框體，並且該等不透光框體係為白色框體。
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