KR102389676B1 - 광 확산을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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코디 피터슨
앤드류 허스카
모니카 한센
클린턴 아담스
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로히니, 엘엘씨.
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    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
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Abstract

장치는 기판 및 LED의 제1 측 상의 도전성 패드들을 통해 기판에 부착된 LED를 포함한다. LED는 기판으로부터 멀어지는 방향으로 광을 반사 시키도록 LED의 제1 측에 인접하게 배치된 제1 반사 요소와, LED의 제1 측에 대향하는 LED의 제2 측에 인접하게 배치된 제2 반사 요소를 포함한다. 제2 반사 요소는 광을 주로 기판을 향하는 방향으로 반사 시키도록 배치된다.

Description

광 확산을 위한 방법 및 장치
관련 특허 출원들에 대한 상호 참조
본 출원은 2016년 3월 18일자로 출원된, "광 확산을 위한 방법 및 장치(Method and Apparatus for Light Diffusion)"라는 명칭의 미국 특허 출원 번호 제15/075,001호의 우선권을 주장하며, 그 내용을 전체적으로 참고로 인용한다. 본 출원은 2015년 11월 12일자로 출원된, "반도체 장치의 전환 방법 및 장치(Method and Apparatus for Transfer of Semiconductor Devices)"라는 명칭의 미국 특허 출원 번호 제14/939,896호를 전체적으로 참고로 더 포함한다.
기본적인 액정 디스플레이(Liquid-Crystal Display, LCD)는 층들로 구성된다. LCD는 후방에는 미러(mirror)가 있어, LCD가 반사 특성을 가질 수 있다. 그 다음, 하부 측 상에 편광 필름(polarizing film)이 구비된 유리 부품(piece)과 상부 위에 인듐-주석 산화물(indium-tin oxide)로 만들어진 공통 전극 평면이 추가된다. 공통 전극 평면은 LCD의 전체 영역을 덮는다. 그 위는 액정 물질(substance) 층이다. 다음으로, 하부에 전극이 구비되고, 상부에 상기 제1 편광 필름에 직각으로 배치된 다른 편광 필름이 구비된 다른 유리 부품이 온다.
전극들은 전원에 연결된다. 전류가 인가되지 않을 때, LCD의 전면을 통해 들어오는 빛은 단순히 미러를 치고 곧바로 밖으로 다시 복귀된다. 그러나 전원이 전극들에 전류를 공급할 때, 공통 전극 평면과 직사각형 모양의 전극 사이의 액정이 뒤틀림을 일으켜 그 영역의 빛이 통과하는 것을 차단한다. 그러면 LCD에 검정색으로 표시된다.
컬러들을 나타낼 수 있는 LCD의 픽셀들은 일반적으로 각 컬러 픽셀을 생성하기 위해 적색, 녹색 및 청색 컬러 필터들을 갖는 3 개의 서브 픽셀들을 갖는다. 서브 픽셀들에 인가된 전압의 제어 및 변화를 통해, 각 서브 픽셀의 강도는 다수의 음영들(shades)(예를 들어, 256 음영들)에 걸쳐있을 수 있다. 서브 픽셀들을 결합하면 더 많은 팔레트(palette)를 만들 수 있다(예를 들어, 1680만 컬러들(빨간색의 256 음영들 x 녹색의 256 음영들 x 청색 256 음영들)).
LCD 기술은 끊임없이 진화하고 있다. 오늘날 LCD는 슈퍼 트위스트 네마틱스(super twisted nematics, STN), 듀얼 스캔 트위스티드 네마틱스(dual scan twisted nematics, DSTN), 강유전성 액정(ferroelectric liquid crystal, FLC), 및 표면 안정화된 강유전성 액정(surface stabilized ferroelectric liquid crystal, SSFLC)을 포함하는액정 기술의 여러 변형들을 채택하고 있다.
또한, 일반적으로, LCD에 광을 공급하기 위한 광원은 일반적으로 두 위치들 중 하나에 배치된다. 어떤 경우에, LCD의 에지를 따라 냉 음극 형광(cold cathode fluorescent, CCFL) 또는 발광 다이오드들(LEDs)의 어레이일 수 있으며, 광이 확산기(diffuser)의 측면 에지로 방출되기 때문에 종종 "에지-발광(edge-lit)" LCD로 불리는 것을 형성한다. 다른 경우에, 광원은 디스플레이 전면의 평면 뒤에 어레이 또는 매트릭스로 배열될 수 있으며, 빛이 디스플레이의 후면에서 확산기로 방출되기 때문에 종종 "후면-발광(back-lit)" LCD로 불리는 것을 형성한다. 두 경우 모두 광을 분산시키기 위해 확산기가 포함된 광학 시스템을 사용하면 이러한 광들은 디스플레이 픽셀을들 백라이트한다. 실제로 이러한 광들은 일반적으로 디스플레이의 유일한 광들이다.
광학 시스템은 광에 대한 흰색 배경을 만드는 제1 시트를 포함한다. 다음 부품은 "도광판"(light-guide plate, LGP) 또는 커버시트(coversheet)라고 한다. 에지-발광(edge-lit) 디스플레이에서 LGP의 에지로부터 광이 입사될 때, 광이 LGP 내의 많은 도트들 중 하나를 히트하지 않는 한, 빛은 전반사에 의해 판의 길이와 너비를 통해 전파된다. 도트들로 인해 광선의 일부가 앞쪽으로 드러난다. 다음으로, 도광판으로부터 도트 패턴을 제거하는 것을 돕기 위해 확산기 필름이 추가된다. 그 후에 "프리즘 필름"이 추가될 수 있다. 이것은 백라이트로부터의 광이 후면에 수직이 될 뿐만 아니라 경사각으로도 출사되기 때문에 사용된다. 이 프리즘 필름은 광 방출의 직각성을 증가시킨다. 마지막으로, 디스플레이 표면의 평면을 균일하게 비추는 것을 돕기 위해 또 다른 확산기 필름이 추가될 수 있다. 본질적으로, 도광판, 프리즘 필름 및 확산기 필름의 목적은 집합적으로 광을 디스플레이 표면의 전체 평면에 걸쳐 균일하게 비추기 위한 시도에서 광원의 광 방출을 확산시키는 확산기 층으로서 기능하는 것이고, 따라서 발 방출의 소스 포인트에서 광 스팟(spot)의 강도를 최소화한다.
LCD가 에지-발광인지 또는 후면-발광인지 여부에 관계없이, 사용되는 종래의 LED들의 크기는 광의 확산에 필요한 확산기의 크기뿐만 아니라 LCD의 두께에도 영향을 미친다.
종래의 디스플레이에 사용되는 LED의 크기와 관련하여, 최종 결과는 종래의 방법에 따른 제조 및 조립 공정에 의해 결정된다. 특히, LED 반도체 장치들의 제조는 전형적으로 무수한 단계들을 갖는 복잡한 제조 공정을 포함한다. 제조의 최종 제품은 "패키징된(packaged)" 반도체 장치이다. "패키징된"이라는 수식어는 최종 제품에 내장된 인클로저(enclosure) 및 보호 기능은 물론 패키지의 장치가 궁극적인 회로에 통합될 수 있도록 하는 인터페이스를 나타낸다. 이 패키징은 LED의 두께에 영향을 미친다.
특히, 반도체 장치에 대한 종래의 제조 공정은 반도체 웨이퍼를 취급하는 것으로 시작한다. 웨이퍼는, LED와 같은, 다수의 "패키징되지 않은(unpackaged)" 반도체 장치들로 다이싱 된다. "패키징되지 않은"이라는 수식어는 보호 기능이 없는 동봉되지 않은 LED를 나타낸다. 여기서, 패키징되지 않은 LED들은 간략화를 위해 "다이들(dies)"로 지칭될 수 있다. 일부 경우, 패키징되지 않은 LED의 두께는 50 미크론(mcrons) 이하일 수 있다.
상세한 설명은 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다. 도면들에서, 참조 번호의 가장 왼쪽 숫자는 참조 번호가 처음 나타나는 숫자를 식별한다. 상이한 도면들에서 동일한 참조 번호의 사용은 유사하거나 동일한 항목을 나타낸다. 또한, 도면들은 개개의 도면들 내의 개별 구성 요소들의 상대적 크기에 대한 대략적인 묘사를 제공하는 것으로 간주될 수 있다. 그러나, 도면은 축척(scale)이 아니며, 개개의 도면들 내의 상이한 구성 요소들 사이의 개별 구성 요소의 상대적인 크기는 도시된 것과 다를 수 있다. 특히, 일부 도면들은 구성 요소들을 특정 크기 또는 모양으로 나타낼 수 있지만, 다른 도면들은 명료성을 위해 동일한 구성 요소를 더 큰 스케일 또는 다른 모양으로 묘사할 수 있다.
도 1은 광이 통상적으로 종래의 LED로부터 어떻게 방출되지를 도시한다.
도 2는 본 출원의 실시 예에 따른 장치의 측-단면도이다.
도 3은 본 출원의 다른 실시 예에 따른 장치의 측-단면도이다.
도 4는 본 출원의 다른 실시 예에 따른 장치의 측-단면도이다.
도 5는 본 출원의 실시 예에 따른 장치의 평면도이다.
도 6은 본 출원의 일 실시 예에 따른 장치의 측-단면도이다.
도 7은 본 출원의 다른 실시 예에 따른 장치의 측-단면도이다.
도 8은 본 출원의 실시 예에 따른 장치의 평면도이다.
도 9는 본 출원의 실시 예에 따른 예시적인 방법을 도시한다.
도 10은 본 출원의 실시 예에 따른 예시적인 방법을 도시한다.
본 개시는 일반적으로, 예를 들어 LCD를 갖는 장치의, 디스플레이 표면의 평면을 가로 질러 광의 효과적이고 일관된(consistent) 확산을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 예를 들어, 본 출원은 "내재된 확산기(nested diffuser)"에 관한 방법 및 장치에 대한 설명을 제공한다. 내재된 확산기의 본 명세서에서 설명된 특징들은 디스플레이 표면에 걸쳐 균일한 광 분포를 제공하여 제조 비용을 감소시키고 및/또는 디스플레이의 두께를 최소화하기 위해 사용되는 광원들의 수를 최소화하면서 광의 확산을 증가시킨다(이전 방법들과 비교하여). "내재된 확산기"라는 용어는 광이 확산되는 LCD의 동일한 층, 즉 대략 광원의 높이/두께에서 확산기 내에서 광 확산이 발생한다는 특징을 설명하는데 사용된다. 환언하면, 광원은 광 확산을 제공하는 LCD의 층 내에 배치되거나 "내재될(nested)" 수 있다. 그러므로 내재된 확산기. 광 확산층 내에 직접 광원을 배치함으로써, LCD의 전체적인 두께가 감소될 수 있다.
또한, 본 출원의 방법 또는 장치가 적용되는 장치의 두께는 적어도 부분적으로 사용된 광원의 미세 크기 및 광 확산 방식으로 인해 감소될 수 있다. 특히, 확산기의 두께는 대략 광원의 높이까지 감소될 수 있다. 몇몇 경우, 광원들은 패키징된 또는 패키징되지 않은 LED로부터 선택될 수 있다. 패키징되지 않은 LED를 사용하면 패키징된 LED를 사용하는 디스플레이에 비해 더 얇은 디스플레이를 만들 수 있다.
도 1은 종래의 LED(102)의 발 방출(100)의 근사 패턴을 도시한다. 즉, 종래의LED(102)의 특성으로 인해, 일반적으로 LED(102)를 둘러싸는 다수의 방향으로 광이 방출된다. 도시된 바와 같이, 예시적인 목적을 위해 원형 파선 및 화살표로 도시된 광 방출 패턴(104)은 광이 LED(102)의 상부 측 및 LED(102)의 하부 측뿐만 아니라 그 측면으로부터 부분적으로 방출 함을 나타낸다. 광 방출 패턴(104)은 도 1에 도시된 바와 같은 정확한 패턴으로 제한되지 않을 수도 있음을 유의해야 한다. 일부 예에서, 종래의 LED(102)는 LED(102)의 단일 측 상에 반-반사 또는 미러링된 표면(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
이 종래의 구성에서는, LED(102)가 광을 방출하도록 전력을 공급받는 회로를 갖는 기판(도시되지 않음)에 LED(102)가 부착될 때, 도 1의 발광 패턴(104)은 LED(102)로부터 방출된 광의 약 절반이 LED(102)가 연결된 기판을 향해 지향된다는 것을 나타낸다. 기판의 형태 및 재료 특성 및 기판이 LED(102)를 사용하는 장치에서 구현되는 방식에 따라, 기판을 향하여 방출된 광은 일반적으로 손실되거나 장치의 발광의 의도된 목적에 최소한으로 기여한다.
균일한 광 확산을 위한 LED 및 내재된 확산기의 예시적인 실시 예들
본 출원의 실시 예에 따르면, 도 2는 디스플레이 표면의 평면에 대응하는 확산기의 평면을 가로질러 분포된 복수의 행들 및 열들로 배열될 수 있는 광원들의 어레이를 포함하는 장치(200)를 도시하며, 이에 따라 내재된 확산기를 형성한다. 부가적으로 및/또는 대안적으로, 광원들은 확산기를 통해 행들 및 열들 이외의 패턴으로 분포될 수 있다.
예시적인 실시 예에서, 장치(200)는 기판(202) 및 기판(202)에 고정된 다수의 LED들(예를 들어, LED들(204A, 204B))를 포함할 수 있다. 경우에 따라 하나의 LED만 있을 수 있음을 유의해야 한다. LED들(204A, 204B)은 상부 측에 전기 접촉부들을 갖는 표준 LED들일 수 있거나 또는 하부 측에 전기 접촉부들을 갖는 플립 칩들일 수 있다. 기판(202)은 LED들(204A, 204B)이 기판(202)에 부착되어 전력이 공급되는 회로 트레이스들(traces)(후에 보다 상세하게 도시되고 논의 됨)을 포함한다. 따라서, 기판(202)은 인쇄 회로 기판(PCB)과 같은 회로 기판일 수 있다. 또한, 기판(202)은 LED들(204A, 204B)의 높이와 대략 동일한 두께를 갖는 얇은 필름으로서 폴리머(polymer)로 형성될 수 있다. 기판(202)에 적합한 재료는 하나 이상의 LED들에서의 전류 흐름으로 인한 잠재적인 온도 변화에도 불구하고 구조적 완전성(integrity)을 유지할 수 있는 PET와 같은 재료들을 포함한다.
기판(202)에 장착된 LED들은 기술적 필요에 따라 각각 상이한 구조적 구성들을 가질 수 있거나, 모든 LED들이 유사한 구조적 구성을 가질 수 있다. LED(204A)와 관련하여 도시된 바와 같이(LED(204B)는 유사한 구성을 보여준다), 그리고 논의된 바와 같이, LED(204A)는 제1 반사 요소(206A) 및 제2 반사 요소(206B)를 포함한다. 제1 반사 요소(206A)는 기판(202)에 부착된 LED(204A)의 측에 대향하는 LED(204A)의 측면 상에 형성되어 광을 기판 쪽으로 반사시킬 수 있다. 제2 반사 요소(206B)는 기판(202)에 부착된 LED(204A)의 측 상에 형성될 수 있다.
또한, 제1 반사 요소(206A) 및 제2 반사 요소(206B)는 미러링된 표면들(mirrored surfaces)일 수 있다. 일부 예에서, 제1 반사 요소(206A) 및 제2 반사 요소(206B)는 금속 미러 접촉부들에 의해 형성된다. 알루미늄(Al)과 은(Ag)은 청색 LED 파장 범위에서 가장 높은 반사율을 갖는 금속이다. 무지향성(omnidirectional) 반사 요소는 상이한 굴절률을 갖는 유전체 재료들의 적층으로 제조될 수 있다. 이들 유전체 재료들은 TiO2, SiO2, HfO2, Ta2O5 등을 포함할 수 있다. 부가적으로, 및/또는 대안적으로, 백색 확산 폴리머-계 반사 요소 물질(일부 TiO2-유사 입자들을 갖는 방사 섬유일 수 있음)이 사용될 수 있다. 제1 반사 요소(206A) 및 제2 반사 요소(206B)는 동일한 재료 또는 상이한 재료들로 형성될 수 있다. 즉, 제1 반사 요소(206A)는 제1 재료로 형성될 수 있고 제2 반사 요소(206B)는 제1 재료와 다른 제2 재료로 형성될 수 있다(예를 들어, 제1 반사 요소(206A)는 알루미늄일 수 있고 제2 반사 요소(206B)는 은일 수 있고, 또는 그 반대일 수 있다).
전술한 LED들의 설계 및 구조가 방사된 광을 지향하는데 유용하기 때문에, LED들(204A, 204B)은 에지-발광(edge-lit) LCD의 LED들로서 구현되어 에지(도시되지 않음)로부터 광 가이드 판으로 광 방출을 집중시킬 수 있을 뿐만 아니라, 여기에 기술된 바와 같이 확산기에 중첩되어 있다.
일부 예에서, 다수의 LED들(204A, 204B)은 먼저 기판(202) 상에 배치될 수 있고, 확산기(208)는 복수의 LED들(204A, 204B)과 정렬되어 확산기(208) 내에 다수의 LED들(204A, 204B)을 중첩시킬 수 있다. 대안적으로, 다수의 LED들(204A, 204B)은 확산기(208)에 직접 중첩될 수 있고, 기판(202)상의 회로와 정렬된다. 도시된 바와 같이, 유리, 플라스틱 또는 다른 적절한 투명 또는 반투명 물질의 디스플레이 패널(209)은 기판(202)에 대향하는 LED들 및 확산기(208)의 측 상에 배치되어, 다수의 LED들(204A, 204B) 및 확산기(208)를 그들 사이에 샌드위치 시킬 수 있다. 확산기(208)는 다수의 LED들(204A, 204B)에 의해 방출된 광을 디스플레이 패널(209)에 걸쳐 균일하게 분포시키는 것을 돕기 위해 광 가이드 또는 확산기 판으로서 작용한다. 확산기(208)의 재료는 실리콘, 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 유리 등을 포함할 수 있다. 또한, 확산기(208)는 얇고 몰딩 가능한 폴리머 시트일 수 있다.
일부 예에서, 도시된 바와 같이, 제3 반사 요소(210)는 인접한 LED들 사이(204A와 204B 사이)의 기판(202) 표면의 영역을 적어도 부분적으로 덮기 위해 기판(202)의 표면 상에 또는 확산기(208)의 표면 상에 배치되거나 또는 코팅 될 수 있다. 제3 반사 요소(210)의 재료는 알루미늄, 은 등을 포함하는 제1 반사 요소(206A) 및 제2 반사 요소(206B)에 관해 상술 한 바와 같은 반사 재료로 형성될 수 있다. 제3 반사 요소(210)의 재료는 광 흡수를 최소화하는데 도움을 주며, 그렇지 않으면 확산기(208) 내의 인접한 LED들 사이에서 기판(202)을 통과하는 것과 같이 방출된 광이 기판(202)에 의해 부정적으로 영향을 받는 것을 최소화한다. 일부 예에서, 기판(202)은 본질적으로 반사성인 재료로 형성될 수 있다. 대안적으로, 특정 기술적 목적에 바람직하지 않을 수 있으므로 제3 반사 요소가 필요하지 않을 수 있다. 예를 들어, 기판(202)은 기판(202)을 통해 약간의 광 방출을 허용하기 위해 투명하거나 반투명 한 것이 바람직할 수 있다.
LED(204B)의 단면 클로즈-업 뷰(view)(212)는 광 방출(214)이 LED(204B)의 측면들에 도달 할 때까지 제1 반사 요소와 제2 반사 요소 사이에서 앞뒤로 반사될 수 있음을 나타내는 광 방출(214)의 반사율을 나타낸다. LED(204B)의 측면들에 도달하면, 광 방출(214)은 확산기(208)로 전달된다. 이러한 방식으로, 방출 된 광의 거의 모든 것이 포획(capture)되어 디스플레이 패널(209)을 향해 지향될 수 있고, 손실된 광량은 거의 남지 않는다.
부가적으로, 및/또는 대안적으로, 어떤 경우에는, 기판(202)에 대향하는 LED의 측 상에 배치된 반사 요소(222)는 여전히 반 투명한 채로 부분적으로 반사 표면을 제공하는 물질로 형성되어, 일부 광 방출(216)이 반사 표면을 통과하여 디스플레이 패널(209)를 통해 빠져나가도록 허용한다. 예를 들어, 반사 표면은 매우 얇은 은 층(예를 들어, 특정 두께보다 작음)으로 형성될 수 있다.
도 2의 뷰(212)에는 LED(204B)의 도전성 패드들(218)이 도시되어 있고, 이는 전력을 전도하고 LED(204B)를 회로 트레이스(trace)(220)를 통해 기판(202)에 부착 시키는데 사용된다. 회로 트레이스(220)는 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 레이저 인쇄, 수동 인쇄 또는 다른 인쇄 수단을 통해 배치된 도전성 잉크로 형성될 수 있다. 또한, 회로 트레이스(220)는 다이(die) 도전성 목적을 위해 여전히 활성화될 수 있는 반면에 부가적인 안정성을 제공하기 위해 예비-경화 및 반-건조 또는 건조될 수 있다. 습식 도전성 잉크가 또한 회로 트레이스(220)를 형성하는데 사용될 수 있거나, 습식 및 건식 잉크의 조합이 회로 트레이스(220)에 사용될 수 있다. 대안적으로, 또는 부가적으로, 회로 트레이스(220)는 와이어 트레이스 또는 포토-에칭으로, 또는 회로 패턴으로 형성된 용융된 재료로부터 예비-형성될 수 있으며, 이후 기판(202)에 접착, 실장 또는 고정될 수 있다.
회로 트레이스(220)의 재료는 은, 구리, 금, 탄소, 도전성 폴리머 등을 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 예에서, 회로 트레이스(220)는 은-코팅된 구리 입자를 포함할 수 있다. 회로 트레이스(220)의 두께는 사용된 재료의 유형, 의도된 기능 및 그 기능을 달성하기 위한 적절한 강도 또는 유연성, 에너지 용량, LED의 크기 등에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 회로 트레이스의 두께는 약 5 미크론(microns) 내지 20 미크론, 약 7 미크론 내지 15 미크론, 또는 약 10 미크론 내지 12 미크론의 범위일 수 있다.
뷰(212)에 도시된 바와 같은 LED(204B)의 반사 요소들과 관련하여, 일부 경우에는, 반사 요소(222)는 LED(204B)의 폭 전체를 가로 질러 연장될 수 있거나, 대안적으로 반사 요소(224)는 LED(204B)의 폭을 상당히 가로 질러 또는 부분적으로 가로 질러 연장될 수 있다. LED의 폭의 전체를 가로 질러 연장하는 반사 요소, 또는 LED의 폭을 부분적으로만 가로질러 연장하는 반사 요소는 LED의 양 측에서 사용될 수 있다. 부가적으로 및/또는 대안적으로, LED 내의 두 반사 요소들 모두는 동일한 크기 일 수 있고 LED의 폭을 가로 질러 또는 LED의 폭을 부분적으로 가로 질러 연장될 수 있다.
도 2와 유사하게, 도 3에 도시된 장치(300)는 다수의 LED들(304A, 304B)이 배치된 회로 기판(302)을 포함한다. 각각의 LED(304A, 304B)는 반사 표면들(306A, 306B)을 포함할 수 있다. 확산기(308)는 다수의 LED들(304A, 304B)와 중첩(nest)되도록 기판(302)에 인접한 다수의 LED들(304A, 304B)과 정렬된다. 일부 예에서, 기판(302)은 본질적으로 반사성 재료로 형성될 수 있다. 대안적으로, 특정 기술적 목적에 바람직하지 않을 수 있으므로 제3 반사 요소가 필요하지 않을 수 있다. 예를 들어, 기판(302)이 기판(302)을 통해 약간의 광 방사를 허용하도록 투명하거나 반투명한 것이 바람직할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 디스플레이 패널(310)은 기판(302)에 대향하여 배치되어 내재된 확산기(308)를 샌드위치 한다. 도 3에 도시된 추가의 세부 사항은 LED를 나가며 확산기(308)로 들어가는 광으로부터의 광 투과를 향상시키기 위해 LED들(304A, 304B)을 확산기(308)에 광학적으로 결합시키는 변형을 포함한다. 일부 실시 예들에서, LED들의 에지와 확산기 사이의 갭 또는 공간은 비교적 적거나 거의 없을 수 있다(LED들의 미세 크기 대비). 따라서, 상기 실시 예에서, 광 결합은 LED들의 측면들과 인접하는 확산기 벽 사이에서 직접 발생한다. 모든 도면들은 상이한 구성 요소들 사이의 구별을 나타내는 설명의 명료성을 위해 최소의 간격을 나타내고 있다. 그러나, 도 2 및 도 6은 LED와 확산기 사이의 갭 또는 공간을 나타내지 않을 수 있다.
부가적으로, 및/또는 대안적으로, 몇몇 경우에, LED(304A)와 확산기(308) 사이에 의도적으로 갭 또는 간격이 포함되며, 상이한 광학적 결합이 포함될 수 있다. 갭을 포함하는 실시 예의 일부 예에서, 형광체(330)는 LED(304A) 상에 및 LED(304A)의 적어도 측면 주위에 증착될 수 있어, 광 방출이 확산기(308)로 들어가기 전에 갭을 채우고 광 방출을 확산시킴으로써 LED(304A) 및 확산기(308)를 광학적으로 결합시킨다. 형광체를 사용하면 백색광이 필요할 때 특히 유용하다. 갭을 포함하는 실시 예의 다른 경우들에서, LED(304B)의 측면들 주위에 실리콘, 형광체 등과 같은 물질(340)이 증착될 수 있어, 광 방출이 확산기(308)로 들어가기 전에 갭을 채우고 광 방출을 확산시킴으로써 LED(304B)와 확산기(308)를 광학적으로 결합시킨다. LED들(304A 및 304B)의 상부 표면을 통과하는 것으로 도시된 광 방출의 양은 상이하다는 것을 유의해야 한다. 앞서 언급했듯이, 각각의 LED들 중 반사 표면들(306A, 306B)은 완전히 불투명한 상태에서 원하는 양의 광이 디스플레이 패널(310)로 통과할 수 있도록 투명도가 상이할 수 있다.
또한, 내재된 확산기(208, 308)의 구조적 개념은 다양한 방식으로 광 분배 및 확산에 사용되도록 고안 및 구성된다. 즉, 내재된 확산기는 디스플레이 패널 없이 삽입될 수 있으며, LCD들 이외의 장치에 확산 광을 제공하기에 적합하다. 몇몇 경우에 있어서, 내재된 확산기는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 개방된 공동들에 또는 관통 구멍들에 의해 그 내부에 중첩된 LED들을 포함한다. 부가적으로, 및/또는 대안적으로, LED들 또는 다른 광원들은 확산기 기판의 재료에 의해 하나 이상의 측면으로 덮일 수 있다. 또한, 이러한 확산기의 예시적인 실시 예는 도 4의 장치(400)이다. 장치(400)는 내부에 광원(404)(예를 들어, LED)이 내장 또는 중첩된 확산기 기판(402)을 포함한다. 확산기 기판(402)의 평균 두께는 광원(404)의 높이보다 얇을 수 있다(예를 들어, 약 12 미크론 내지 약 100 미크론, 또는 약 25 미크론 내지 약 80 미크론, 또는 약 35 미크론 내지 약 50 미크론의 범위 등). 확산기 기판(402)은 적어도 하나의 측면에서 광원(404)을 덮기 위해 몰딩되거나 달리 돌출된 부분(406)에 형성될 수 있다. 마찬가지로, 광원(404)의 하부 측은 확산기 기판(402)에 의해 적어도 부분적으로 덮일 수 있다. 광원(404)은 광원(404)이 전력을 공급받을 수 있는 도전성 패드들(408)을 포함한다.
또한, 광원(404)은 LED들(204A, 204B, 304A, 304B) 상에 도시된 것과 같은 하나 이상의 반사 요소들을 포함할 수도 있고 포함하지 않을 수도 있다. 확산기 기판(402)은 광원으로부터 방출된 광을 확산시키는 것을 돕기 위한 텍스처 피처들(texture features)(본 명세서에서 더 논의 됨)을 포함 할 수 있다는 것을 알 수 있다. 예를 들어, 일부 예에서, 확산기 기판은 중첩된 광원의 높이만큼 또는 높이보다 더 두껍고 텍스처는 확산기 기판의 표면에 추가될 수 있다.
따라서, 여기에서 논의된 내재된 확산기의 구현은 LCD에서의 사용에 한정되지 않으며, 내재된 확산기는 다수의 다른 용도를 위한 평면 또는 기판 확산된 광원으로서 작용할 수 있다.
도 5는 LED(500)의 평면 모습을 도시한다. LED(500)는 광을 생성하기 위한 하나 이상의 반도체 물질의 층들(502)을 포함할 수 있다. LED(500)는 도전성 패드들(506A, 506B)을 통해 LED(500)에 전도되는 전력을 LED(500)에 안전하게 제공하는 것을 돕는 전류 확산 층들(504A, 504B)을 더 포함한다. 어떤 경우에, 전류 확산 층들(504A, 504B)에 대해 선택된 재료는 반도체 재료(502)와 함께 선택되어 배치될 수 있어, 대향 측은 제2 반사 요소를 포함할 수 있는 반면, LED(500)의 측들 중 하나 상에서 제1 반사 요소로 기능하는 반면, 대향 측은 제2 반사 요소를 포함할 수 있다. 전류 확산 층들(504A, 504B)은 도 5에 도시된 상대 크기로 제한되지 않는다. 즉, 전류 확산 층들(504A, 504B)은 원하는 반사율 특성 및 필요한 기능성 양상에 따라 도전성 패드들(506A, 506B)보다 크거나 작을 수 있다. 또한, 전류 확산 층들(504A, 504B)의 두께는 반사율을 증가 또는 감소 시키도록 변할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 장치(600)의 측-단면은 확산기(606) 내에 중첩된 LED들의 어레이(604)가 배치된 회로 기판(602)을 포함한다. 어레이의 LED들(604)은 제1 반사 요소 및 제2 반사 요소들(도시되어 있지만 라벨링되지 않은)을 포함하는 본 출원에 따른 LED들일 수 있다. LED들의 어레이(604)를 갖는 기판(602)과 디스플레이 패널(608) 사이의 광학 거리 간격(Y)은 LED들(604)의 두께 및 확산기(606)를 통한 확산 효과에 따라 변할 수 있다. LED들의 어레이(604)는 회로 기판(602)의 표면을 가로 질러 LED들(604)의 열들 및 행들을 갖는 매트릭스로 배열될 수 있다(평면도는 도 8 참조). 인접한 LED들의 중심 사이의 LED 간격(X)은 LED들(604)의 크기 및 확산기(606) 및 디스플레이 패널(608)을 통한 확산 효과에 따라 변할 수 있다. 거리(X)는 궁극적으로 인접한 LED들의 폭에 의해 제한된다. 또한, 거리(Y)는 궁극적으로 기판(602)상의 LED(들)의 높이에 의해 제한된다.
많은 경우들에서, 기판(602)과 디스플레이 패널(608) 사이의 높이의 간격은 인접한 LED들(604) 사이의 간격과 상호 관련된다. 상호 관계는 사용된 LED들의 수, 확산 효과, 원하는 밝기, 원하는 두께의 장치 등에 따라 달라진다. 궁극적으로, 목표는 사용자를 위해 디스플레이 패널(608)의 표면 전체에 균일한 조명을 제공하면서, 비용 및 전력 소비를 줄이기 위해 LED들의 수를 최소화하고, 디스플레이의 전체 두께를 가능한 얇게 유지하도록 기판(602)과 디스플레이 패널(608) 사이의 거리(Y)를 최소화하는 것이다. 일반적으로 Y의 값이 감소함에 따라 X의 값도 감소하고, 이는 시각적으로 인지할 수 있는 광의 포인트들이 없이 디스플레이를 균일하게 비추도록 어레이의 LED들 수가 증가한다는 것을 의미한다.
거리(Y)를 줄이는데 필요한 LED들의 수를 최소화하기 위해, 텍스처가 확산기의 표면 및/또는 몸체에 추가될 수 있다. 예를 들어, 도 7에서, 장치(700)의 측-단면(VII)(도 8 참조)은 확산기(706) 내에 중첩된 LED들의 어레이(704)를 갖는 회로 기판(702)을 도시한다. 기판(702)과 디스플레이 패널(708) 간의 거리(Y)는 변할 수 있다. 일부 예에서, 확산기(706)는 텍스처 피처들(710)을 포함할 수 있다. 텍스처 피처들(710)은 도 7에 도시된 바와 같이 기판(702)을 향해 오목할 수 있거나, 또는 볼록할 수 있다(도시되지 않음). 부가적으로 및/또는 대안적으로, 텍스처 피처들(710)은 오목 및 볼록 구조의 조합을 포함할 수 있다. 텍스처 피처들(710)은 패턴으로 조직될 수 있거나 또는 확산기(706)의 표면에 걸쳐 또는 확산기(706) 내에 무작위로 배치될 수 있다.
도 7에서 어떤 경우들에서 반원들로 도시되거나 다른 경우에는 정점이 있는 함몰부들로 묘사된 텍스처 피처들(710)은 LED들(704)로부터의 광의 확산에 효과적인 다른 알려진 또는 랜덤한 형상일 수 있음을 알아야 한다. 예를 들어, 텍스처 피처들(710)은 삼각형, 피라미드, 구형, 직사각형, 육각형 등일 수 있다. 도 7의 텍스처 피처들(710)의 형상은 본 출원에 따른 예시적인 실시 예를 나타내는 것일 뿐이다. 또한, 도 7에 묘사된 텍스처 피처들은 LED들(704)로부터의 거리에 따라 폭뿐만 아니라 깊이도 증가하지만, 경우에 따라서는 광의 균일한 확산을 달성하기 위해 깊이 또는 단지 폭만이 변경될 수 있다. 따라서, 고려된 다른 텍스처 피처들은 동일한 폭을 갖지만 깊이가 증가하는 피처들을 포함하고(예를 들어, 동일한 폭을 가지며 확산기 내로 깊이가 증가하는 튜브형(tubular shapes)); 및 깊이는 같지만 폭이 넓어지는 피처들을 포함한다(예를 들어, 확산기 내로의 동일한 깊이이고 광원으로부터의 거리에 따라 변동하는 확산기를 가로 지르는 폭이 증가되는 팬케이크-형 오목부들).
디스플레이 패널을 통해 LED들에 의해 방출된 광을 확산시키기 위해 LED들 상에 제1 및 제2 반사 요소를 사용하는 것 이외에, 상술한 바와 같은 텍스처 피처들은 반사 요소들과 조합하여보다 균일하게 밝혀진 디스플레이 표면을 제공할 수 있다. 일부 경우, 도 8의 확산기(706)의 평면도에 도시된 바와 같이, 확산기(706)는 복수의 텍스처 피처들(710)을 포함할 수 있다. 어레이에서, 확산기(706) 상에 도시된 텍스처 피처들, 큰 원들(800)은 확산기(706) 내에 중첩된 LED들(도시되지 않음)의 위치를 나타낸다. 큰 원들(800)은 광이 그 위치에서 가장 밝을 것임을 반드시 나타내는 것은 아니며 오히려 단지 확산기(706)에 중첩된 LED들로부터 방출된 광의 초기 분포의 소스를 지시한다.
개별 텍스처 피처(802)는 큰 원(800)에서 LED의 위치의 중심으로부터 제1 방사상 거리에서 원으로 도시된다. 또 다른 개별 텍스처 피처(804)는 큰 원(800)에서 LED의 위치의 중심으로부터 제2 방사상 거리에서 상이한 크기의 원으로 도시된다. 텍스처 피처(804)는 텍스처 피처(802)보다 작다는 것에 유의해야 한다. 또한, 텍스처 피처들의 시리즈(806)에서, LED에 가장 가까운 텍스처 피처(예를 들어, 텍스처 피처(804))가 LED로부터 반경 방향으로 더 멀리 떨어진 텍스처 피처(예를 들어, 텍스처 피처(802))보다 크기가 작은 패턴이 나타난다. 즉, 어떤 경우에는, 텍스처 피처들과 LED 사이의 거리가 증가함에 따라, 텍스처 피처의 크기는 확산기(706) 및 그 위에 놓인(superimposed) 디스플레이 패널 전체를 통해 균일한 조명을 제공하기 위해 더 많은 광을 포획하여 확산시키기 위해 증가할 수 있다. 상관 관계에서, 텍스처 피처와 LED 사이의 거리가 감소함에 따라, 텍스처 피처의 크기는 광원에 근접하여 포획되는 광의 양을 감소시키기 위해 감소할 수 있다.
도 8에서 텍스처 피처들이 확산기(706)의 전체에 걸쳐 연장되지는 않지만(즉, LED들 사이의 텍스처 피처들이 없는 큰 갭), 도 8의 예시는 설명의 명료성을 위해 그리고 묘사의 복잡성을 피하기 위해 단지 예시로서 의도된 것으로 그려져 있다. 그럼에도 불구하고, 영역(808)에 도시된 바와 같이, 텍스처 피처들이 확산기(706)의 전체에 걸쳐 연속적으로 연장될 수 있다는 것이 고려된다. 인접한 LED들의 몇몇 경우에, 텍스처 피처들의 크기는 임의의 2 개의 인접한 LED들 사이의 대략 절반에서 최대 크기에 도달할 수 있음을 주목한다. 예를 들어, 영역(808)의 중간에 도시된 텍스처 피처는 측 방향으로 인접한 LED들 사이의 그들의 위치 때문에 최대 크기로 간주될 수 있다. 명료성을 위해, 그 사이의 확산기에 중첩된 LED들이 없을 때 2 개의 LED들이 측 방향으로 인접한 것으로 간주될 수 있다. 이와 같이, 도 8에서, LED들은 서로 대각선, 수평 또는 수직으로 배치되든지 간에 인접한 것으로 간주된다.
부가적으로 및/또는 대안적으로, 앞서 지적한 바와 같이, 텍스처 피처들은 확산의 균일성을 유지하도록 균등하게 분포되면서 랜덤하게 위치될 수 있다. 텍스처 피처들의 생성은 레이저-에칭, 널링(knurling), 몰딩, 스크레이핑(scraping) 등을 통해 달성될 수 있다.
LED 형성 방법의 예시적인 실시 예
본 출원의 실시 예에 따라 LED를 생성하는 방법(900)이 도 9에 도시된다. 방법(900)은 반도체를 형성하는 단계(902)를 포함한다. 몇몇 경우에, 반도체를 형성하는 단계는 LED들로서 사용하기 위한 종래의 반도체들을 형성하는데 사용되는 단계와 유사할 수 있다. 다른 경우, 다른 단계들이 수행될 수 있다. 방법(900)은 반사 표면을 갖는 제1 반사 요소를 생성하는 단계(904)를 더 포함한다. 제1 반사 요소는 반도체의 제1 측 상에 생성되어, 반사 표면이 반도체를 향하여 내측으로 광을 반사시킨다. 또한, 단계(906)에서, 반사 표면을 갖는 제2 반사 요소가 생성된다. 제2 반사 요소는 반도체의 제1 측에 대향하는 반도체의 제2 측 상에 생성되어, 제2 반사 요소의 반사 표면은 반도체쪽으로 반도체를 향하여 내측으로 그리도 제1 반사 요소를 향하여 광을 반사한다.
방법(900)에서, 제1 및 제2 반사 요소는 알루미늄, 은, TiO2, SiO2, HfO2, Ta2O5 또는 백색 확산 폴리머-계 반사 재료와 같은 재료로 형성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 반사 요소 중 하나 또는 둘 모두가 매우 얇은 층으로 형성되어(예를 들어, 임계 거리 미만), 반사 요소가 대체로 반사 표면을 유지하면서 어느 정도 반투명하게 형성될 수 있다.
내재된 확산기를 형성하기 위한 방법의 예시적인 실시 예
본 출원의 실시 예에 따라 내재된 확산기를 생성하는 방법(1000)이 도 10에 도시된다. 방법(1000)은 확산기 기판을 얻는 단계(1002)를 포함한다. 일부 경우에, 확산기 기판을 얻는 단계는 기판 상에 전술된 텍스처 피처들을 생성하는 추가 단계들을 포함할 수 있다. 텍스처 피처들의 생성은 레이저-에칭, 널링, 몰딩, 스크레이핑(scraping) 등을 통해 달성될 수 있다. 대안적으로, 어떤 경우에는, 텍스처 피처들은 확산기 기판에 미리 추가되거나, 확산기 기판이 텍스처 피처들을 전혀 포함하지 않을 수도 있다. 다른 경우, 다른 단계들이 수행될 수 있다. 방법(1000)은 확산기 기판 내에 하나 이상의 LED들을 중첩시키는 단계(1004)를 더 포함한다. 단계(1004)는 LED들을 회로 기판에 부착하기 전 또는 후에 수행될 수 있다. 또한, 단계(1006)에서, 내재된 확산기를 LCD 장치에 배치하는 선택적인 단계를 포함할 수 있다.
예시 절(Example Clauses)
A: 장치는 기판; 및 LED의 제1 측 상의 도전성 패드들을 통해 상기 기판에 부착된 상기 LED로서: 상기 LED의 상기 제1 측에 인접하게 배치되어 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 광을 반사시키는 제1 반사 요소, 및 상기 LED의 상기 제1 측에 대향하는 상기 LED의 상기 제2 측에 인접하게 배치되는 제2 반사 요소로서, 주로 상기 기판을 향하는 방향으로 광을 반사시키도록 배치된 상기 제2 반사 요소를 포함하는, 상기 LED를 포함한다.
B: 단락 A에 따른 장치에 있어서, 상기 LED는 제1 LED이고, 상기 장치는 상기 기판 상에 배치되고 상기 제1 LED로부터 이격된 제2 LED를 더 포함하고, 및 상기 제1 LED 및 상기 제2 LED 사이의 상기 기판의 일부분은 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 광을 반사시키도록 배치된 반사 표면을 포함한다.
C: 단락 A-B 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 LED는 제1 LED이고, 상기 장치는 상기 기판 상에 배치되고 상기 제1 LED로부터 이격된 제2 LED를 더 포함하고, 및 상기 제2 LED는 상기 제2 LED의 제1 측에 인접하게 배치되어 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 광을 반사시키는 제1 반사 요소, 또는 제2 측에 인접하게 배치되어 상기 기판을 향하는 방향으로 광을 반사시키는 제2 반사 요소 중 적어도 하나를 포함한다.
D: 단락 A-C 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 확산기 내에 상기 LED를 중첩(nest)시키도록 상기 LED와 정렬된 상기 확산기를 더 포함하고, 상기 확산기의 재료는 실리콘, 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 적어도 하나를 포함한다.
E: 단락 A-D 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 기판에 인접하게 상기 LED와 중첩되도록 배치된 몰딩 가능한(moldable) 폴리머 필름으로 형성된 확산기를 더 포함한다.
F; 단락 A-E 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 기판 상에 배치되고 상기 LED의 상기 도전성 패드들에 연결된 도전성 트레이스를 더 포함한다.
G: 단락 A-F 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 기판은 인쇄 회로 기판(printed circuit board, PCB)이다.
H: 단락 A-G 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나는 적어도 부분적으로 상기 LED의 폭을 가로질러 연장된다.
I: 단락 A-H 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나는 상기 LED의 전체 폭에 걸쳐 연장된다.
J: 단락 A-I 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나는 상기 LED의 전류 확산 층으로서 형성된다.
K: 단락 A-J 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나의 재료는 알루미늄, 은, TiO2, SiO2, HfO2, Ta2O5, 또는 백색 확산 폴리머-계 반사 재료 중 하나이다.
L: 장치는 확산기 기판; 및 상기 확산기 기판 내에 중첩된 LED들의 어레이로서, 각 LED는 상기 LED의 제1 측 상에 도전성 패드들을 포함하고, 각 LED는: 상기 LED의 상기 제1 측에 인접하게 배치되어 상기 확산기 기판의 평면을 가로 지르는 제1 방향으로 광을 반사시키는 제1 반사 요소, 및 상기 LED의 상기 제1 측에 대향하는 상기 LED의 상기 제2 측에 인접하게 배치되는 제2 반사 요소로서, 상기 확산기 기판의 평면을 가로지르며 상기 제1 방향에 대향하는 제2 방향으로 광을 반사시키도록 배치된 상기 제2 반사 요소를 포함하는, 상기 LED들의 어레이를 포함한다.
M: 단락 L에 따른 장치에 있어서, 상기 LED들에 부착된 회로 기판을 더 포함하는, 장치.
N; 단락 L-M 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 확산기 기판은 텍스처 피처들(texture features)을 포함한다.
O: 단락 L-N 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 확산기 기판의 표면은 상기 LED들의 어레이의 적어도 하나의 LED 주위에 원주 방향으로(circumferentially) 연장되는 텍스처 피처들을 포함한다.
P: 단락 L-O 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 특정 텍스처 피처의 가장 큰 치수의 크기는 상기 적어도 하나의 LED와 상기 특정 텍스처 피처 사이의 반경 거리에 의존한다.
Q: 단락 L-P 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 적어도 하나의 LED로부터 제1 반경 거리만큼 떨어져 배치된 제1 특정 텍스처 피처의 가장 큰 치수는 상기 적어도 하나의 LED로부터 제2 반경 거리만큼 떨어져 배치된 제2 특정 텍스처 피처의 가장 큰 치수보다 작고, 상기 제1 반경 거리는 상기 제2 반경 거리보다 짧다.
R; 단락 L-Q 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 확산기 기판의 표면은 상기 LED들의 어레이의 적어도 하나의 LED 주위에 원주 방향으로 연장되는 텍스처 피처들을 포함하고, 각 텍스처 피처의 크기는 하나 이상의 LED들로부터의 반경 거리에 의존한다.
S; 단락 L-R 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 인접한 두 개의 LED들 사이의 거리의 중간에 배치된 특정 텍스처 피처의 깊이 및/또는 폭은 상기 인접한 두 개의 LED들 사이의 중간 거리보다 작은 거리에 배치된 특정 피처의 대응하는 깊이 및/또는 폭보다 크다.
T: 장치는: 회로 기판; 상기 회로 기판에 실질적으로 평행하게 배치된 디스플레이 패널; 상기 회로 기판과 상기 디스플레이 패널 사이에 배치된 확산기 기판; 및 상기 확산기 기판의 평면을 가로질러 중첩되며 상기 회로 기판에 부착된 열들 및 행들의 LED들의 어레이로서, 각 LED는 상기 LED의 제1 측 상의 도전성 패드들을 통해 부착되며, 각 LED는: 상기 LED의 상기 제1 측에 인접하게 배치되어 상기 확산기 기판의 평면을 가로 지르는 제1 방향으로 광을 반사시키는 제1 반사 요소, 또는 상기 LED의 상기 제1 측에 대향하는 상기 LED의 상기 제2 측에 인접하게 배치되는 제2 반사 요소로서, 상기 확산기 기판의 평면을 가로지르며 상기 제1 방향에 대향하는 제2 방향으로 광을 반사시키도록 배치된 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 확산기 기판은 상기 LED들의 어레이의 하나 이상의 LED들 주위에 원주 방향으로 연장되는 텍스처 피처들을 포함한다.
U: 장치는 약 12 미크론 내지 약 100 미크론 범위의 평균 두께를 갖는 확산기 기판; 및 상기 확산기 기판 내에 중첩된 광원으로서, 상기 광원이 전력을 공급받아 상기 확산기 기판을 조명하도록 구성된 도전성 패드들을 포함하는, 상기 광원을 포함한다.
V: 디스플레이 장치는: 기판; 복수의 LED들로서, 각 LED는 제1 측 및 제2 측을 갖고, 각 LED는 상기 LED의 상기 제1 측 상의 도전성 패드들을 통해 상기 기판에 부착되고, 각 LED는: 상기 LED의 상기 제1 측에 인접하게 배치되어 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 광을 반사시키는 제1 반사 요소, 및 상기 LED의 상기 제1 측에 대향하는 상기 LED의 상기 제2 측에 인접하게 배치되는 제2 반사 요소로서, 주로 상기 기판을 향하는 방향으로 광을 반사시키도록 배치된 상기 제2 반사 요소를 포함하는, 상기 복수의 LED들; 및 상기 기판의 표면에 대해 상기 복수의 LED들과 정렬된 광 확산 특성을 갖는 확산기로서, 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나의 LED 주위에 중첩되도록 정렬된 상기 확산기를 포함한다.
W: 단락 V에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 상기 복수의 LED들은 상기 기판 상에 서로 이격된 제1 LED 및 제2 LED를 포함하고, 및 상기 제1 LED와 상기 제2 LED 사이의 상기 기판의 일부분은 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 광을 반사시키도록 반사 표면을 포함한다.
X: 단락 V-W 중 어느 하나에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 상기 복수의 LED들은 상기 기판 상에 서로 이격된 제1 LED 및 제2 LED를 포함한다.
Y: 단락 V-X 중 어느 하나에 따른 디스플렝 장치에 있어서, 상기 확산기의 재료는 실리콘, 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 적어도 하나를 포함한다.
Z: 단락 V-Y 중 어느 하나에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 상기 확산기는 몰딩 가능한 폴리머 필름으로 형성된다.
AA: 단락 V-Z 중 어느 하나에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 상기 기판 상에 배치되고 상기 복수의 LED들의 각 LED의 상기 도전성 패드들에 연결된 도전성 트레이스(trace)를 더 포함한다.
AB: 단락 V-AA 중 어느 하나에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 상기 기판은 인쇄 회로 기판(PCB)이다.
AC: 단락 V-AB 중 어느 하나에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나는 적어도 부분적으로 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나의 폭을 가로질러 연장된다.
AD: 단락 V-AC 중 어느 하나에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나는 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나의 전체 폭에 걸쳐 연장된다.
AE: 단락 V-AD 중 어느 하나에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나는 전류 확산 층으로서 형성된다.
AF: 단락 V-AE 중 어느 하나에 따른 디스플레이 장치에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나의 재료는 알루미늄, 은, TiO2, SiO2, HfO2, Ta2O5, 또는 백색 확산 폴리머-계 반사 재료 중 하나이다.
AG: 단락 V-AF 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나는 50 미크론 미만의 두께를 갖는다.
AH: 단락 V-AG 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 기판, 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나, 및 상기 확산기는 170 미크론 미만의 결합된 두께를 갖는다.
AI: 단락 V-AH 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 확산기의 두께 치수는 상기 복수의 LED들의 높이 치수와 각각 거의 동일하다.
AJ: 단락 V-AI 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 확산기는 제1 및 제2 측을 갖고, 상기 확산기의 상기 제1 측은 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 광을 반사시키기 위한 반사 표면을 포함한다.
AK: 장치는: 확산기 기판; 및 상기 확산기 기판 내에 중첩되도록 상기 확산기 기판과 정렬된 LED들의 어레이로서, 각 LED는 상기 LED의 제1 측 상에 도전성 패드들을 포함하고, 각 LED는: 상기 LED의 상기 제1 측에 인접하게 배치되어 상기 확산기 기판의 평면을 가로 지르는 제1 방향으로 광을 반사시키는 제1 반사 요소, 및 상기 LED의 상기 제1 측에 대향하는 상기 LED의 상기 제2 측에 인접하게 배치되는 제2 반사 요소로서, 상기 확산기 기판의 평면을 가로지르며 상기 제1 방향에 대향하는 제2 방향으로 광을 반사시키도록 배치된 상기 제2 반사 요소를 포함하는, 상기 LED들의 어레이를 포함하고, 상기 확산기 기판의 두께 치수는 상기 LED들의 어레이의 높이보다 크다.
AL: 단락 AK에 따른 장치에 있어서, 상기 LED들에 부착된 회로 기판을 더 포함한다.
AM: 단락 AK-AL 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 확산기 기판은 텍스처 피처들을 포함한다.
AN: 단락 AK-AM 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 확산기 기판의 표면은 상기 LED들의 어레이의 적어도 하나의 LED 주위에 원주 방향으로 연장되는 텍스처 피처들을 포함한다.
AO: 단락 AK-AN 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 특정 텍스처 피처의 가장 큰 치수의 크기는 상기 적어도 하나의 LED와 상기 특정 텍스처 피처 사이의 반경 거리에 의존한다.
AP: 단락 AK-AO 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 적어도 하나의 LED로부터 제1 반경 거리만큼 떨어져 배치된 제1 특정 텍스처 피처의 가장 큰 치수는 상기 적어도 하나의 LED로부터 제2 반경 거리만큼 떨어져 배치된 제2 특정 텍스처 피처의 가장 큰 치수보다 작고, 상기 제1 반경 거리는 상기 제2 반경 거리보다 짧다.
AQ: 단락 AK-AP 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 상기 확산기 기판의 표면은 상기 LED들의 어레이의 각 LED 주위에 원주 방향으로 연장되는 텍스처 피처들을 포함하고, 및 각 텍스처 피처의 크기는 하나 이상의 LED들로부터의 반경 거리에 의존한다.
AR: 단락 AK-AQ 중 어느 하나에 따른 장치에 있어서, 인접한 두 개의 LED들 사이의 거리의 중간에 배치된 특정 텍스처 피처의 깊이 및/또는 폭은 상기 인접한 두 개의 LED들 사이의 중간 거리보다 작은 거리에 배치된 특정 피처의 대응하는 깊이 및/또는 폭보다 크다.
AS: 장치는: 회로 기판; 상기 회로 기판에 실질적으로 평행하게 배치된 디스플레이 패널; 상기 회로기판과 상기 디스플레이 패널 사이에 배치된 확산기 기판; 및 상기 확산기 기판의 평면을 가로질러 중첩되어 상기 확산기 기판과 정렬되며 상기 회로 기판에 부착된 열들 및 행들의 LED들의 어레이로서, 각 LED는 상기 LED의 제1 측 상의 도전성 패드들을 통해 부착되며, 각 LED는: 상기 LED의 상기 제1 측에 인접하게 배치되어 상기 확산기 기판의 평면을 가로 지르는 제1 방향으로 광을 반사시키는 제1 반사 요소, 또는 상기 LED의 상기 제1 측에 대향하는 상기 LED의 상기 제2 측에 인접하게 배치되는 제2 반사 요소로서, 상기 확산기 기판의 평면을 가로지르며 상기 제1 방향에 대향하는 제2 방향으로 광을 반사시키도록 배치된 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 확산기 기판은 상기 LED들의 어레이의 하나 이상의 LED들 주위에 원주 방향으로 연장되는 텍스처 피처들을 포함한다.
결론
여러 실시 예가 구조적 특징 및/또는 방법론적 동작에 특정한 언어로 설명되었지만, 청구 범위는 설명된 특정 특징 또는 동작에 반드시 제한되는 것은 아니라는 것을 이해해야 한다. 오히려, 특정 특징들 및 동작들은 청구된 주제를 구현하는 예시적인 형태 들로서 개시된다.

Claims (45)

  1. 디스플레이 장치로서,
    기판;
    복수의 LED들로서, 각 LED는 제1 측 및 제2 측을 갖고, 각 LED는 상기 LED의 상기 제1 측 상의 도전성 패드들을 통해 상기 기판에 부착되고, 각 LED는:
    상기 LED의 상기 제2 측에 인접하게 배치되어 상기 기판을 향하는 방향으로 광을 반사시키는 제1 반사 요소, 및
    상기 LED의 상기 제2 측에 대향하는 상기 LED의 상기 제1 측에 인접하게 배치되는 제2 반사 요소로서, 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 광을 반사시키도록 배치된 상기 제2 반사 요소를 포함하는, 상기 복수의 LED들; 및
    상기 기판의 표면에 대해 상기 복수의 LED들과 정렬된 광 확산 특성을 갖는 확산기로서, 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나의 LED 주위에 중첩되도록 정렬된 상기 확산기
    를 포함하고,
    상기 확산기의 두께 치수는 상기 복수의 LED들 각각의 높이 치수와 동일한, 디스플레이 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나의 LED와 상기 확산기 사이에 직접 연결되어, 상기 적어도 하나의 LED와 상기 확산기를 광학적으로 결합하고, 광 방출들이 상기 확산기에 들어가기 전에 상기 광 방출들을 확산시키는 광학 결합기를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 LED들은 상기 기판 상에 서로 이격된 제1 LED 및 제2 LED를 포함하고,
    상기 제1 LED와 상기 제2 LED 사이의 상기 기판의 일부분은 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로 광을 반사시키도록 하는 반사 표면을 포함하는, 디스플레이 장치.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 복수의 LED들은 상기 기판 상에 서로 이격된 제1 LED 및 제2 LED를 포함하는, 디스플레이 장치.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 확산기의 재료는 실리콘, 폴리카보네이트(PC) 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 적어도 하나를 포함하는, 디스플레이 장치.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 확산기는 몰딩 가능한 폴리머 필름으로 형성된, 디스플레이 장치.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 상에 배치되고 상기 복수의 LED들 중 각각의 LED의 상기 도전성 패드들에 연결된 도전성 트레이스(conductive trace)를 더 포함하는, 디스플레이 장치.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나는 적어도 부분적으로 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나의 LED의 폭을 가로질러 연장되는, 디스플레이 장치.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나는 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나의 LED의 전체 폭에 걸쳐 연장되는, 디스플레이 장치.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나는 전류 확산 층(current spreading layer)으로서 형성되는, 디스플레이 장치.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 반사 요소 또는 상기 제2 반사 요소 중 적어도 하나의 재료는 알루미늄, 은, TiO2, SiO2, HfO2, Ta2O5, 또는 백색 확산 폴리머-계 반사 재료 중 하나인, 디스플레이 장치.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 확산기의 두께 치수는 상기 복수의 LED들의 높이 이하인, 디스플레이 장치.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 확산기는 텍스처 피처들(texture features)을 포함하는, 디스플레이 장치.
  14. 청구항 1에 있어서, 상기 확산기 기판의 표면은 상기 복수의 LED들 중 적어도 하나의 LED 주위에 원주 방향으로(circumferentially) 연장되는 텍스처 피처들을 포함하는, 디스플레이 장치.
  15. 청구항 14에 있어서, 인접한 두 개의 LED들 사이의 거리의 중간에 배치된 특정 텍스처 피처의 깊이 및 폭 중 적어도 하나는 상기 인접한 두 개의 LED들 사이의 중간 거리보다 작은 거리에 배치된 특정 피처의 대응하는 깊이 및 폭 중 적어도 하나보다 큰, 디스플레이 장치.
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Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT513747B1 (de) * 2013-02-28 2014-07-15 Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab Bestückungsverfahren für Schaltungsträger und Schaltungsträger
EP3152781A4 (en) * 2014-06-06 2018-03-14 Rohinni, LLC Manufacture of circuit assembly with unpackaged semiconductor devices
JP6367084B2 (ja) 2014-10-30 2018-08-01 株式会社東芝 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置
US9633883B2 (en) * 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
DE102016113328B4 (de) * 2015-08-31 2018-07-19 Besi Switzerland Ag Verfahren für die Montage von mit Bumps versehenen Halbleiterchips auf Substratplätzen eines Substrats
US20170140971A1 (en) * 2015-11-14 2017-05-18 Nachiket R. Raravikar Adhesive with tunable adhesion for handling ultra-thin wafer
KR102651054B1 (ko) * 2016-02-22 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치
US10309589B2 (en) * 2016-05-13 2019-06-04 Rohinni, LLC Light vectoring apparatus
CN106228913B (zh) * 2016-08-24 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 转印设备及其转印方法
US20180118101A1 (en) 2016-10-28 2018-05-03 Ford Global Technologies, Llc Vehicle illuminated trim
US10141215B2 (en) * 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US9902314B1 (en) 2016-11-17 2018-02-27 Ford Global Technologies, Llc Vehicle light system
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10297478B2 (en) 2016-11-23 2019-05-21 Rohinni, LLC Method and apparatus for embedding semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US9994089B1 (en) 2016-11-29 2018-06-12 Ford Global Technologies, Llc Vehicle curtain
US10118538B2 (en) 2016-12-07 2018-11-06 Ford Global Technologies, Llc Illuminated rack
US10422501B2 (en) 2016-12-14 2019-09-24 Ford Global Technologies, Llc Vehicle lighting assembly
US20180180795A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Dura Operating, Llc Light guide and method of creating a light guide by screen-printing
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
DE102017101536B4 (de) * 2017-01-26 2022-06-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips
US10672638B2 (en) * 2017-01-27 2020-06-02 International Business Machines Corporation Picking up irregular semiconductor chips
EP3580778B1 (en) * 2017-02-07 2023-06-07 Rohinni, Inc. Apparatus and method for stacking semiconductor devices
US20180248090A1 (en) * 2017-02-27 2018-08-30 Rohinni, LLC Semiconductor Device Circuit Apparatus Bonded with Anisotropic Conductive Film and Method of Direct Transfer for Making the Same
KR102008515B1 (ko) * 2017-03-13 2019-10-22 한미반도체 주식회사 반도체 제조장치 및 이의 제어방법
US20180361831A1 (en) 2017-06-14 2018-12-20 Ford Global Technologies, Llc Vehicle shade assembly
KR102369934B1 (ko) 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
TW201917811A (zh) * 2017-06-26 2019-05-01 美商特索羅科學有限公司 發光二極體質量傳遞設備及製造方法
US11110864B2 (en) 2017-08-23 2021-09-07 Magna Mirrors Of America, Inc. Interior rearview mirror assembly with full screen video display
TWI713131B (zh) * 2017-10-13 2020-12-11 久元電子股份有限公司 晶粒轉移設備及使用該設備轉移晶粒的方法
US11664344B2 (en) * 2017-12-01 2023-05-30 Shinkawa Ltd. Mounting apparatus
CN108231651B (zh) * 2017-12-26 2020-02-21 厦门市三安光电科技有限公司 微元件转移装置和转移方法
KR101936356B1 (ko) * 2018-01-31 2019-01-08 주식회사 레다즈 마이크로 소자를 타겟 오브젝트에 전사하는 방법 및 장치
US10573543B2 (en) * 2018-04-30 2020-02-25 Cree, Inc. Apparatus and methods for mass transfer of electronic die
US10490525B1 (en) 2018-05-10 2019-11-26 International Business Machines Corporation High speed handling of ultra-small chips by selective laser bonding and debonding
US10410905B1 (en) * 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11069555B2 (en) 2018-09-03 2021-07-20 Assembleon B.V. Die attach systems, and methods of attaching a die to a substrate
US11134595B2 (en) 2018-09-05 2021-09-28 Assembleon B.V. Compliant die attach systems having spring-driven bond tools
US11232968B2 (en) * 2018-09-28 2022-01-25 Rohinni, LLC Variable pitch multi-needle head for transfer of semiconductor devices
US11062923B2 (en) * 2018-09-28 2021-07-13 Rohinni, LLC Apparatus to control transfer parameters during transfer of semiconductor devices
US11001078B2 (en) 2018-09-28 2021-05-11 Rohinni, LLC Interchangeable guide head for transfer mechanism
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
US10796938B2 (en) 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10573544B1 (en) * 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
TWI690980B (zh) * 2018-12-07 2020-04-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉方法及晶片移轉設備
JP7417029B2 (ja) 2018-12-14 2024-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10971471B2 (en) * 2018-12-29 2021-04-06 Micron Technology, Inc. Methods and systems for manufacturing semiconductor devices
CN109856857B (zh) * 2019-02-28 2021-11-12 重庆京东方光电科技有限公司 一种发光组件、背光源和显示面板
US11217471B2 (en) * 2019-03-06 2022-01-04 Rohinni, LLC Multi-axis movement for transfer of semiconductor devices
US10903267B2 (en) * 2019-04-04 2021-01-26 Bor-Jen Wu System and method for making micro LED display
US11282730B2 (en) 2019-08-02 2022-03-22 Rohinni, LLC Bridge apparatus for semiconductor die transfer
JP6860044B2 (ja) 2019-08-02 2021-04-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110911334B (zh) * 2019-11-13 2021-06-15 东莞普莱信智能技术有限公司 一种微型电子元件定位贴合装置及其方法
JP7002714B2 (ja) 2020-01-31 2022-02-04 日亜化学工業株式会社 発光モジュール、面状光源、及び発光モジュールの製造方法
CN111367124B (zh) * 2020-02-12 2021-06-01 武汉华星光电技术有限公司 配向膜转印版以及配向膜制造方法
US11817326B2 (en) * 2020-03-10 2023-11-14 Pyxis Cf Pte. Ltd. Precision reconstruction for panel-level packaging
TWI747327B (zh) * 2020-06-15 2021-11-21 吳伯仁 製造微發光二極體顯示器的系統與方法
TW202201592A (zh) * 2020-06-15 2022-01-01 賢昇科技股份有限公司 轉移設備及轉移工件的方法
TWI727853B (zh) * 2020-07-15 2021-05-11 歆熾電氣技術股份有限公司 晶片移轉系統與晶片移轉方法
US20220037185A1 (en) * 2020-07-30 2022-02-03 Cody Peterson Apparatus and method for orientation of semiconductor device die
CN112967956A (zh) * 2021-02-05 2021-06-15 惠州市聚飞光电有限公司 一种芯片包装结构、芯片转移方法及显示装置
TWI798595B (zh) * 2020-10-22 2023-04-11 均華精密工業股份有限公司 晶粒固晶裝置
US11889742B2 (en) * 2020-11-04 2024-01-30 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus of manufacturing display device and method of manufacturing display device
TWI815066B (zh) * 2020-12-14 2023-09-11 萬潤科技股份有限公司 待濺鍍物件定位方法、裝置及施作設備
TWI766646B (zh) * 2021-04-16 2022-06-01 梭特科技股份有限公司 晶粒高速定位方法
TWI819390B (zh) * 2021-05-06 2023-10-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 電子元件轉移裝置、電子元件轉移方法、以及發光二極體面板的製造方法
US11973054B2 (en) * 2021-05-06 2024-04-30 Stroke Precision Advanced Engineering Co., Ltd. Method for transferring electronic device
KR20230010156A (ko) 2021-07-09 2023-01-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI812980B (zh) * 2021-07-21 2023-08-21 久元電子股份有限公司 轉移設備
KR20230030385A (ko) 2021-08-25 2023-03-06 레이저쎌 주식회사 전사 방식을 이용한 초소형 led 칩 리웍장치 및 리웍방법
KR20230064115A (ko) 2021-11-03 2023-05-10 엘지전자 주식회사 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법
TWI800211B (zh) * 2021-11-05 2023-04-21 斯託克精密科技股份有限公司 用於將電子元件自撓性承載基板移轉至撓性目標基板之裝置以及轉移電子元件之方法
KR102534723B1 (ko) * 2021-12-15 2023-05-26 주식회사 선일기연 Pcb용 터미널 캐리어 자동 배출장치 및 그 자동 배출방법
KR102534727B1 (ko) * 2021-12-15 2023-05-26 주식회사 선일기연 Pcb용 터미널 캐리어 자동 연속공급장치 및 그 자동 연속공급방법
EP4227982A1 (en) 2022-02-15 2023-08-16 Nexperia B.V. Film frame carrier for a curved wafer stage
EP4227981A1 (en) 2022-02-15 2023-08-16 Nexperia B.V. Curved wafer stage
TWI820938B (zh) * 2022-09-29 2023-11-01 強茂股份有限公司 晶粒吸取輔助裝置
CN115642116B (zh) * 2022-11-04 2023-10-31 江苏希太芯科技有限公司 一种晶圆键合强度测量装置及测量方法
CN115996558B (zh) * 2023-03-23 2023-06-02 青岛育豪微电子设备有限公司 一种半导体贴装设备
CN117239022B (zh) * 2023-11-10 2024-01-30 迈为技术(珠海)有限公司 压合装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070086211A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
US20080266872A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Optical plate and backlight module using the same
JP4996747B2 (ja) * 2008-12-15 2012-08-08 パナソニック株式会社 面状照明装置および液晶ディスプレイ装置

Family Cites Families (340)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS487643Y1 (ko) 1969-11-25 1973-02-27
US3724068A (en) 1971-02-25 1973-04-03 Du Pont Semiconductor chip packaging apparatus and method
US3887996A (en) 1974-05-01 1975-06-10 Gen Motors Corp iconductor loading apparatus for bonding
JPS52137983A (en) 1976-05-14 1977-11-17 Shinkawa Seisakusho Kk Mounting method of semiconductor tip by tapeecarrier system
DE3336606A1 (de) 1983-10-07 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur mikropackherstellung
JPS61116846A (ja) * 1984-11-13 1986-06-04 Mitsubishi Electric Corp ダイボンド方法
US4859267A (en) * 1985-12-26 1989-08-22 The Boeing Company Method for consolidating composite materials
JPH088292B2 (ja) * 1987-08-31 1996-01-29 住友電気工業株式会社 チップ実装装置
EP0375293A3 (en) 1988-12-15 1991-01-02 Tama Denki Kogyo Kabushiki Kaisha Back-lighting apparatus for screen
US4906812A (en) 1988-12-22 1990-03-06 General Electric Company Fiber optic laser joining apparatus
JPH0332422U (ko) * 1989-08-08 1991-03-29
US5105255A (en) 1990-01-10 1992-04-14 Hughes Aircraft Company MMIC die attach design for manufacturability
US5270260A (en) * 1990-08-23 1993-12-14 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for connecting a semiconductor chip to a carrier system
US5348316A (en) 1992-07-16 1994-09-20 National Semiconductor Corporation Die collet with cavity wall recess
US5362681A (en) * 1992-07-22 1994-11-08 Anaglog Devices, Inc. Method for separating circuit dies from a wafer
US5461326A (en) 1993-02-25 1995-10-24 Hughes Aircraft Company Self leveling and self tensioning membrane test probe
US5670429A (en) 1993-06-30 1997-09-23 Rohm Co. Ltd. Process of conveying an encapsulated electronic component by engaging an integral resin projection
JPH0737912A (ja) * 1993-07-22 1995-02-07 Sharp Corp 半導体レーザチップ供給装置
EP1213754A3 (en) 1994-03-18 2005-05-25 Hitachi Chemical Co., Ltd. Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package
WO1996024938A1 (fr) 1995-02-08 1996-08-15 Hitachi Chemical Co., Ltd. Poudre composite conductrice, pate conductrice, procede de production de cette pate, circuit electrique et son procede de fabrication
JPH09181150A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Rohm Co Ltd 半導体チップのピックアップ装置及びこれを用いたピックアップ方法
US5789278A (en) 1996-07-30 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method for fabricating chip modules
JPH10112491A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Sharp Corp チップ体のピックアップ方法
US5981314A (en) 1996-10-31 1999-11-09 Amkor Technology, Inc. Near chip size integrated circuit package
JPH10294493A (ja) 1997-02-21 1998-11-04 Toshiba Corp 半導体発光デバイス
JPH1123394A (ja) 1997-07-07 1999-01-29 Techno Excel Co Ltd 圧力センサ
JPH1140522A (ja) 1997-07-17 1999-02-12 Rohm Co Ltd 半導体ウエハの製造方法、この方法により作製された半導体ウエハ、半導体チップの製造方法、およびこの方法により製造された半導体チップ、ならびにこの半導体チップを備えたｉｃカード
US6538254B1 (en) 1997-07-22 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for sample fabrication
US6180289B1 (en) 1997-07-23 2001-01-30 Nikon Corporation Projection-microlithography mask with separate mask substrates
EP0998756B1 (de) * 1997-07-23 2005-07-13 Infineon Technologies AG Vorrichtung und verfahren zur herstellung einer chip-substrat-verbindung
JPH1187370A (ja) 1997-09-05 1999-03-30 Oki Electric Ind Co Ltd 位置決め装置
US6085573A (en) 1998-01-20 2000-07-11 Mcms, Inc. Glass parts pick-up jig
JPH11220170A (ja) 1998-01-29 1999-08-10 Rohm Co Ltd 発光ダイオード素子
US6111324A (en) 1998-02-05 2000-08-29 Asat, Limited Integrated carrier ring/stiffener and method for manufacturing a flexible integrated circuit package
US6173750B1 (en) 1998-02-18 2001-01-16 Hover-Davis, Inc. Method and apparatus for removing die from a wafer and conveying die to a pickup location
US6323659B1 (en) 1998-04-29 2001-11-27 General Electric Company Material for improved sensitivity of stray field electrodes
US6091332A (en) 1998-06-09 2000-07-18 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having printed circuit interconnections
EP0964608A3 (en) * 1998-06-12 2001-09-05 Ford Motor Company Method for laser soldering
US6080336A (en) 1998-06-19 2000-06-27 Kyoto Elex Co., Ltd. Via-filling conductive paste composition
US6452694B1 (en) 1998-08-14 2002-09-17 3M Innovative Properties Company Design of text and graphic imagery on flag or tab media
US6352073B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing equipment
DE19901623B4 (de) 1999-01-18 2007-08-23 Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Verbindung von Anschlußflächen zweier Substrate
JP2000223549A (ja) 1999-01-29 2000-08-11 Canon Inc 基板搬送装置、基板搬送方法、基板搬送用ハンド機構、灰化処理装置及び灰化処理方法
KR100305750B1 (ko) 1999-03-10 2001-09-24 윤덕용 플라스틱 기판의 플립 칩 접속용 이방성 전도성 접착제의 제조방법
US6204092B1 (en) * 1999-04-13 2001-03-20 Lucent Technologies, Inc. Apparatus and method for transferring semiconductor die to a carrier
EP1046809B1 (de) 1999-04-20 2005-08-10 Siemens Aktiengesellschaft Fluiddosiervorrichtung
JP2001068742A (ja) 1999-08-25 2001-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
FR2795199B1 (fr) * 1999-06-15 2001-10-26 Gemplus Card Int Dispositif et procede de fabrication de dispositifs comprenant au moins une puce montee sur un support
US8141240B2 (en) 1999-08-04 2012-03-27 Super Talent Electronics, Inc. Manufacturing method for micro-SD flash memory card
JP2001053341A (ja) * 1999-08-09 2001-02-23 Kazuo Kobayashi 面発光表示器
CN1186683C (zh) 1999-09-08 2005-01-26 松下电器产业株式会社 显示装置及其制造方法
KR20010100868A (ko) * 2000-04-06 2001-11-14 이주하라 요죠우 광기록 헤드와 그 조립 방법
US6319754B1 (en) 2000-07-10 2001-11-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-dicing process
JP2002050670A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Toshiba Corp ピックアップ装置及びピックアップ方法
JP2002062825A (ja) 2000-08-18 2002-02-28 Sony Corp 画像表示装置及びその製造方法
US6710456B1 (en) 2000-08-31 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Composite interposer for BGA packages
US6727167B2 (en) 2000-10-13 2004-04-27 Emcore Corporation Method of making an aligned electrode on a semiconductor structure
JP4065655B2 (ja) 2000-11-09 2008-03-26 昭和電工株式会社 フリップチップ型半導体発光素子とその製造方法及び発光ダイオードランプ並びに表示装置、フリップチップ型半導体発光素子用電極
JP4021614B2 (ja) 2000-12-11 2007-12-12 株式会社東芝 半導体素子のピックアップ用治具、半導体素子のピックアップ装置、半導体素子のピックアップ方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
KR100716871B1 (ko) 2001-04-11 2007-05-09 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지용 캐리어프레임 및 이를 이용한반도체패키지와 그 제조 방법
US6589809B1 (en) * 2001-07-16 2003-07-08 Micron Technology, Inc. Method for attaching semiconductor components to a substrate using local UV curing of dicing tape
JP4266106B2 (ja) 2001-09-27 2009-05-20 株式会社東芝 粘着性テープの剥離装置、粘着性テープの剥離方法、半導体チップのピックアップ装置、半導体チップのピックアップ方法及び半導体装置の製造方法
JP3745260B2 (ja) 2001-10-02 2006-02-15 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
US6772509B2 (en) 2002-01-28 2004-08-10 Motorola, Inc. Method of separating and handling a thin semiconductor die on a wafer
US6889427B2 (en) * 2002-02-15 2005-05-10 Freescale Semiconductor, Inc. Process for disengaging semiconductor die from an adhesive film
US7312400B2 (en) 2002-02-22 2007-12-25 Fujikura Ltd. Multilayer wiring board, base for multilayer wiring board, printed wiring board and its manufacturing method
JP4244555B2 (ja) 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構
JP4411575B2 (ja) * 2002-04-25 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 電子装置の製造装置
JP4389148B2 (ja) 2002-05-17 2009-12-24 日立化成工業株式会社 導電ペースト
US7138711B2 (en) 2002-06-17 2006-11-21 Micron Technology, Inc. Intrinsic thermal enhancement for FBGA package
KR100687147B1 (ko) 2002-07-12 2007-02-27 샤프 가부시키가이샤 능동 소자 기판, 능동 소자 기판의 제조 방법, 능동 기능 소자, 다색 표시 장치, 및 표시 모듈
WO2004012896A1 (en) 2002-08-02 2004-02-12 Symbol Technologies, Inc. Method and appartus for high volume assembly of radio frequency identification tags
US7023347B2 (en) 2002-08-02 2006-04-04 Symbol Technologies, Inc. Method and system for forming a die frame and for transferring dies therewith
US7102524B2 (en) * 2002-08-02 2006-09-05 Symbol Technologies, Inc. Die frame apparatus and method of transferring dies therewith
US6637905B1 (en) 2002-09-26 2003-10-28 Agilent Technologies, Inc. Method and system for providing backlighting utilizing a luminescent impregnated material
TW200409378A (en) 2002-11-25 2004-06-01 Super Nova Optoelectronics Corp GaN-based light-emitting diode and the manufacturing method thereof
WO2004066697A1 (ja) 2003-01-20 2004-08-05 Fujikura Ltd. 多層配線板およびその製造方法
JP3739752B2 (ja) 2003-02-07 2006-01-25 株式会社 ハリーズ ランダム周期変速可能な小片移載装置
US7138629B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
WO2004112096A2 (en) 2003-06-12 2004-12-23 Symbol Technologies, Inc. Method and system for high volume transfer of dies to substrates
KR100995640B1 (ko) 2003-07-07 2010-11-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시모듈
JP4156460B2 (ja) 2003-07-09 2008-09-24 Ｔｄｋ株式会社 ワークのピックアップ方法及びその装置、実装機
JP3897115B2 (ja) 2003-07-09 2007-03-22 信越化学工業株式会社 半導体素子の封止方法
WO2005015647A1 (en) 2003-08-08 2005-02-17 Vichel Inc. Nitride micro light emitting diode with high brightness and method of manufacturing the same
JP4405211B2 (ja) * 2003-09-08 2010-01-27 パナソニック株式会社 半導体チップの剥離装置、剥離方法、及び半導体チップの供給装置
US20050057906A1 (en) 2003-09-12 2005-03-17 Seiichi Nakatani Connector sheet and wiring board, and production processes of the same
KR100719993B1 (ko) 2003-09-26 2007-05-21 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 혼합 도전 분말 및 그의 이용
DE10349847B3 (de) * 2003-10-25 2005-05-25 Mühlbauer Ag Positionierungsvorrichtung und -Verfahren für die Übertragung elektronischer Bauteile
JP2005135977A (ja) 2003-10-28 2005-05-26 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
US20050115602A1 (en) 2003-11-28 2005-06-02 Kyocera Corporation Photo-electric conversion cell and array, and photo-electric generation system
JP2005203225A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Nippon Leiz Co Ltd 導光体および平面発光装置
JP2005222989A (ja) 2004-02-03 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US7279346B2 (en) 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
JP4397728B2 (ja) * 2004-04-21 2010-01-13 日東電工株式会社 直下型バックライト
US7632587B2 (en) 2004-05-04 2009-12-15 Angstrom Power Incorporated Electrochemical cells having current-carrying structures underlying electrochemical reaction layers
JP4632690B2 (ja) 2004-05-11 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置とその製造方法
JP2005327923A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Alps Electric Co Ltd 導電接合膜貼着方法および導電接合膜貼着装置
KR101368748B1 (ko) 2004-06-04 2014-03-05 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치
US20050282355A1 (en) 2004-06-18 2005-12-22 Edwards David N High density bonding of electrical devices
JP4535792B2 (ja) 2004-07-01 2010-09-01 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 バックライト及びそのバックライトを備えた液晶表示装置
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR100582056B1 (ko) 2004-07-05 2006-05-23 삼성전자주식회사 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법
JP4688594B2 (ja) 2004-08-06 2011-05-25 パナソニック株式会社 発光光源、照明装置及び表示装置
US8324725B2 (en) 2004-09-27 2012-12-04 Formfactor, Inc. Stacked die module
JP2006114691A (ja) 2004-10-14 2006-04-27 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US7601272B2 (en) 2005-01-08 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for integrating metrology with etch processing
KR20060084256A (ko) 2005-01-19 2006-07-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 발광 다이오드 소자의 렌즈 조성물,이를 포함하는 발광 다이오드 소자, 백라이트 유닛 및액정 표시 장치
JP4624813B2 (ja) 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
KR20060088817A (ko) 2005-01-28 2006-08-07 가부시키가이샤 이빔 기판처리장치 및 기판처리방법
US20060181600A1 (en) 2005-02-15 2006-08-17 Eastman Kodak Company Patterns formed by transfer of conductive particles
US20060225273A1 (en) 2005-03-29 2006-10-12 Symbol Technologies, Inc. Transferring die(s) from an intermediate surface to a substrate
KR101073423B1 (ko) 2005-04-19 2011-10-17 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 금속 베이스 회로 기판, ｌｅｄ, 및 ｌｅｄ 광원 유닛
US7623034B2 (en) 2005-04-25 2009-11-24 Avery Dennison Corporation High-speed RFID circuit placement method and device
US7364983B2 (en) 2005-05-04 2008-04-29 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for creating RFID devices
JP4507985B2 (ja) * 2005-05-27 2010-07-21 パナソニック株式会社 チップのピックアップ装置およびピックアップ方法
JP4902838B2 (ja) * 2005-05-27 2012-03-21 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ 電子部品ピックアップ装置及びテーピング装置
US7767516B2 (en) 2005-05-31 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of antenna
WO2007011068A1 (en) 2005-07-22 2007-01-25 Showa Denko K.K. Light-emitting diode light source
JP4379404B2 (ja) 2005-09-28 2009-12-09 日立ライティング株式会社 光源モジュール、液晶表示装置および光源モジュールの製造方法
JP4739900B2 (ja) 2005-10-13 2011-08-03 リンテック株式会社 転着装置及び転着方法
US7470120B2 (en) 2005-12-01 2008-12-30 Asm Assembly Automation, Ltd. Configurable die detachment apparatus
US20070131016A1 (en) 2005-12-13 2007-06-14 Symbol Technologies, Inc. Transferring die(s) from an intermediate surface to a substrate
US7375379B2 (en) 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
KR100835053B1 (ko) 2006-01-05 2008-06-03 삼성전기주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 플렉서블 디스플레이 및 그제조 방법
JP2007193197A (ja) 2006-01-20 2007-08-02 Nsk Ltd 物品位置決め装置及び方法
JP2007194571A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 M Tec Kk 半導体チップの分離方法及び装置
KR20070077285A (ko) 2006-01-23 2007-07-26 삼성전자주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 표시장치
US8169185B2 (en) 2006-01-31 2012-05-01 Mojo Mobility, Inc. System and method for inductive charging of portable devices
JPWO2007126090A1 (ja) 2006-04-27 2009-09-17 日本電気株式会社 回路基板、電子デバイス装置及び回路基板の製造方法
US7889316B2 (en) 2006-05-15 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Method for patterning a radiation beam, patterning device for patterning a radiation beam
WO2007143623A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Stalford Harold L Methods and systems for micro machines
US10655792B2 (en) 2014-09-28 2020-05-19 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
FR2904508B1 (fr) 2006-07-28 2014-08-22 Saint Gobain Dispositif electroluminescent encapsule
US20080032484A1 (en) 2006-08-04 2008-02-07 Texas Instruments Incorporated Substrate bonding process with integrated vents
US20080060750A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-13 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for creating rfid devices using penetrable carrier
US7560303B2 (en) 2006-11-07 2009-07-14 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for linear die transfer
JP2008130764A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Sharp Corp プリント配線板製造装置、プリント配線板、プリント配線板製造方法および電子機器
TW200825529A (en) * 2006-12-06 2008-06-16 Chi Lin Technology Co Ltd Light mixer and backlight module having it
JP4481293B2 (ja) 2006-12-22 2010-06-16 株式会社沖データ 発光表示装置
US8221583B2 (en) 2007-01-20 2012-07-17 Stats Chippac Ltd. System for peeling semiconductor chips from tape
JP2008173744A (ja) 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 搬送システムの搬送位置合わせ方法
JP4693805B2 (ja) 2007-03-16 2011-06-01 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
US9106056B1 (en) * 2007-04-25 2015-08-11 Stc.Unm Phase-coupled arrays of nanowire laser devices and method of controlling an array of such devices
CN101308225B (zh) 2007-05-18 2011-07-27 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 背光模组及其光学板
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
KR20080107651A (ko) 2007-06-07 2008-12-11 삼성전자주식회사 전사장치 및 이를 구비한 화상형성장치
RU2331951C1 (ru) 2007-07-24 2008-08-20 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Светодиод с двухслойной компаундной областью
US8702609B2 (en) 2007-07-27 2014-04-22 Meridian Cardiovascular Systems, Inc. Image-guided intravascular therapy catheters
US7757742B2 (en) 2007-07-31 2010-07-20 Asm Assembly Automation Ltd Vibration-induced die detachment system
JP4880561B2 (ja) * 2007-10-03 2012-02-22 新光電気工業株式会社 フリップチップ実装装置
KR20120007556A (ko) 2007-10-09 2012-01-20 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착 필름이 부착된 반도체칩의 제조 방법, 이 제조 방법에 사용되는 반도체용 접착 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
NL1036025A1 (nl) 2007-10-10 2009-04-15 Asml Netherlands Bv Method of transferring a substrate, transfer system and lithographic projection apparatus.
US8183582B2 (en) 2007-10-16 2012-05-22 LumaChip, Inc. Bare die semiconductor device configured for lamination
JP5150197B2 (ja) 2007-10-22 2013-02-20 株式会社ニフコ 車載シート用ダンパ装置およびダンパ装置を備えたスライド式シート
US9013367B2 (en) 2008-01-04 2015-04-21 Nanolumens Acquisition Inc. Flexible display
TW200947641A (en) * 2008-05-15 2009-11-16 Gio Optoelectronics Corp Die bonding apparatus
TWI416755B (zh) * 2008-05-30 2013-11-21 Epistar Corp 光源模組、其對應之光棒及其對應之液晶顯示裝置
US8755005B2 (en) 2008-09-24 2014-06-17 Koninklijke Philips N.V. Thin edge backlight with LEDS optically coupled to the back surface
US8361840B2 (en) 2008-09-24 2013-01-29 Eastman Kodak Company Thermal barrier layer for integrated circuit manufacture
JP2010087359A (ja) 2008-10-01 2010-04-15 Nec Corp ピックアップ装置
US8372726B2 (en) * 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US9123614B2 (en) * 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US9119533B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
KR20110089408A (ko) 2008-11-21 2011-08-08 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 광전기 혼재기판 및 전자기기
JP2010161155A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Canon Machinery Inc チップ転写方法およびチップ転写装置
US8193555B2 (en) 2009-02-11 2012-06-05 Megica Corporation Image and light sensor chip packages
EP2404202B1 (en) * 2009-03-05 2016-08-10 Design LED Products Limited Light guides
KR101307490B1 (ko) 2009-03-30 2013-12-11 메기가 코포레이션 상부 포스트-패시베이션 기술 및 하부 구조물 기술을 이용한 집적 회로 칩
US8141612B2 (en) 2009-04-02 2012-03-27 Asm Assembly Automation Ltd Device for thin die detachment and pick-up
WO2010119590A1 (ja) 2009-04-17 2010-10-21 シャープ株式会社 照明装置、及び表示装置
KR101706915B1 (ko) 2009-05-12 2017-02-15 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 변형가능 및 반투과 디스플레이를 위한 초박형, 미세구조 무기발광다이오드의 인쇄 어셈블리
RU2502916C2 (ru) 2009-06-15 2013-12-27 Шарп Кабусики Кайся Осветительное устройство, устройство отображения и телевизионный приемник
US8110839B2 (en) 2009-07-13 2012-02-07 Luxingtek, Ltd. Lighting device, display, and method for manufacturing the same
WO2011016607A1 (ko) * 2009-08-02 2011-02-10 (주)큐엠씨 픽업장치 및 이를 포함하는 엘이디 칩 분류장치
TWM374648U (en) 2009-10-15 2010-02-21 Forward Electronics Co Ltd AC LED packaging structure
US20110123796A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 E.I. Dupont De Nemours And Company Interposer films useful in semiconductor packaging applications, and methods relating thereto
EP2501741A1 (en) 2009-11-20 2012-09-26 E. I. du Pont de Nemours and Company Coverlay compositions and methods relating thereto
TWI506082B (zh) 2009-11-26 2015-11-01 Ajinomoto Kk Epoxy resin composition
JP5532863B2 (ja) 2009-11-27 2014-06-25 株式会社リコー 給紙装置および画像形成装置
US9936574B2 (en) 2009-12-16 2018-04-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Waterproof stretchable optoelectronics
EP2513953B1 (en) 2009-12-16 2017-10-18 The Board of Trustees of the University of Illionis Electrophysiology using conformal electronics
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8378563B2 (en) * 2010-01-15 2013-02-19 Express Imaging Systems, Llc Apparatus, method to change light source color temperature with reduced optical filtering losses
US9390829B2 (en) 2010-01-25 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110180138A1 (en) 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110209751A1 (en) 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110180137A1 (en) 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
WO2011111293A1 (ja) 2010-03-10 2011-09-15 パナソニック株式会社 Ｌｅｄ封止樹脂体、ｌｅｄ装置およびｌｅｄ装置の製造方法
KR101619466B1 (ko) 2010-03-26 2016-05-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 실장 장치
CN102959708B (zh) 2010-06-29 2016-05-04 柯立芝照明有限公司 具有易弯曲基板的电子装置
JP2012015318A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Sharp Corp 発光装置の製造方法および発光装置
TW201210078A (en) 2010-08-25 2012-03-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc Light emitting diode
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
US9032611B2 (en) * 2010-09-15 2015-05-19 Mycronic AB Apparatus for generating patterns on workpieces
US20120070570A1 (en) 2010-09-16 2012-03-22 Xerox Corporation Conductive thick metal electrode forming method
JP5740901B2 (ja) 2010-10-15 2015-07-01 ソニー株式会社 発光装置および表示装置
GB2484712A (en) 2010-10-21 2012-04-25 Optovate Ltd Illumination Apparatus
US8455895B2 (en) * 2010-11-08 2013-06-04 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
TWI408463B (zh) 2010-11-18 2013-09-11 Young Lighting Technology Corp 光源模組及照明裝置
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US8323857B2 (en) 2010-12-21 2012-12-04 Ultratech, Inc. Phase-shift mask with assist phase regions
WO2012101780A1 (ja) 2011-01-26 2012-08-02 日立コンシューマエレクトロニクス株式会社 液晶表示装置
JP2012156473A (ja) * 2011-01-28 2012-08-16 Adwelds:Kk 部品移載装置および部品移載方法
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9673363B2 (en) 2011-01-31 2017-06-06 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
KR20120096669A (ko) 2011-02-23 2012-08-31 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 출하 편집 장치
JP2012182023A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 面光源装置、液晶表示装置、及びテレビジョン受信機
JP2012195350A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2012209148A (ja) 2011-03-30 2012-10-25 Sony Corp 導電性粒子、導電性ペースト、及び、回路基板
KR101209446B1 (ko) 2011-04-28 2012-12-07 피에스아이 주식회사 초소형 ｌｅｄ 소자 번들 및 그 제조방법
TWI444721B (zh) * 2011-04-29 2014-07-11 Au Optronics Corp 背光模組
WO2012158709A1 (en) 2011-05-16 2012-11-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed led arrays assembled by printing
DE102011104225B4 (de) * 2011-06-15 2017-08-24 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum Positionieren eines elektronischen Bauteils und / oder eines Trägers relativ zu einer Ausstoßeinrichtung
JP2013004815A (ja) 2011-06-17 2013-01-07 Sony Corp 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置
US9666764B2 (en) 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
KR101933549B1 (ko) * 2011-07-06 2018-12-28 삼성전자주식회사 레이저를 이용한 반도체 칩의 제거장치 및 그의 제거방법
US9034674B2 (en) 2011-08-08 2015-05-19 Quarkstar Llc Method and apparatus for coupling light-emitting elements with light-converting material
US8704262B2 (en) 2011-08-11 2014-04-22 Goldeneye, Inc. Solid state light sources with common luminescent and heat dissipating surfaces
US20130056749A1 (en) 2011-09-07 2013-03-07 Michael Tischler Broad-area lighting systems
US9312451B2 (en) 2011-09-14 2016-04-12 Express Imaging Systems, Llc Apparatus, method to enhance color contrast in phosphor-based solid state lights
US8609446B2 (en) 2011-10-06 2013-12-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for accurate die-to-wafer bonding
US20130119538A1 (en) 2011-11-16 2013-05-16 Texas Instruments Incorporated Wafer level chip size package
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
JP2013118244A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びそれを用いた照明装置
EP2809982A1 (en) * 2012-02-02 2014-12-10 The Procter and Gamble Company Bidirectional light sheet
EP2626901A1 (en) 2012-02-10 2013-08-14 Oki Data Corporation Semiconductor light emitting apparatus, image displaying apparatus, mobile terminal, head-up display apparatus, image projector, head-mounted display apparatus, and image forming apparatus
JP5965199B2 (ja) 2012-04-17 2016-08-03 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法
JP6219929B2 (ja) 2012-04-20 2017-10-25 レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート 発光ダイオード及びそのパッケージング方法
WO2013161061A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 富士機械製造株式会社 ダイ実装システムのウエハマップ管理装置及びダイ実装方法
KR101315939B1 (ko) 2012-04-30 2013-10-08 부경대학교 산학협력단 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR101525652B1 (ko) 2012-05-04 2015-06-03 삼성전기주식회사 도전성 수지 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
JP5770677B2 (ja) 2012-05-08 2015-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US20130309792A1 (en) 2012-05-21 2013-11-21 Michael A. Tischler Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
JP2014135471A (ja) 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 発光装置、発光装置集合体および電極付基板
US8415771B1 (en) 2012-05-25 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head with silicon electrode
US9034754B2 (en) 2012-05-25 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro device transfer head with silicon electrode
DE102012013370B4 (de) 2012-07-04 2017-11-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Montagevorrichtung und Verfahren zum Fixieren einer Nadel in einem Nadelhalter einer Ausstoßvorrichtung zum Abheben eines Chips von einem Trägermaterial
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8569115B1 (en) 2012-07-06 2013-10-29 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
JP5968705B2 (ja) * 2012-07-13 2016-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US8933433B2 (en) 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US8704448B2 (en) 2012-09-06 2014-04-22 Cooledge Lighting Inc. Wiring boards for array-based electronic devices
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
JP5723337B2 (ja) 2012-09-07 2015-05-27 株式会社東芝 パターン形成方法及びパターン形成装置
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
DE102012217957B4 (de) 2012-10-01 2014-10-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix
US9651231B2 (en) 2012-10-04 2017-05-16 Guardian Industries Corp. Laminated LED array and/or products including the same
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US9331230B2 (en) 2012-10-30 2016-05-03 Cbrite Inc. LED die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
CN102931309B (zh) 2012-11-15 2015-04-01 安徽三安光电有限公司 一种倒装发光二极管及其制作方法
TWI474432B (zh) 2012-11-15 2015-02-21 Lextar Electronics Corp 晶粒定位裝置、具有晶粒定位裝置的晶粒定位系統與發光二極體顯示板的晶粒定位方法
JP5785532B2 (ja) 2012-11-30 2015-09-30 三井金属鉱業株式会社 銀コート銅粉及びその製造方法
US9255001B2 (en) 2012-12-10 2016-02-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head array with metal electrodes
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
JP2014135470A (ja) 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp 発光装置、発光装置集合体および電極付基板
US9105714B2 (en) 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
JP5999391B2 (ja) 2012-12-13 2016-09-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、照明用光源及び照明装置
US9314930B2 (en) 2012-12-14 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with integrated pivot mount
US9391042B2 (en) 2012-12-14 2016-07-12 Apple Inc. Micro device transfer system with pivot mount
US9153171B2 (en) 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
EP2940738B1 (en) 2012-12-28 2017-07-26 Kyocera Corporation Solar cell element and method for manufacturing solar cell element
JP6122299B2 (ja) 2013-01-15 2017-04-26 キヤノン株式会社 処理装置、処理方法、及びデバイスの製造方法
US9082936B2 (en) 2013-01-29 2015-07-14 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent LED lamp for bidirectional lighting
US9142535B2 (en) 2013-01-31 2015-09-22 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Vertically printing LEDs in series
US10617300B2 (en) 2013-02-13 2020-04-14 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Injectable and implantable cellular-scale electronic devices
US9324692B2 (en) 2013-02-18 2016-04-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent LED layer between phosphor layer and light exit surface of lamp
JP6161319B2 (ja) 2013-02-22 2017-07-12 ニスカ株式会社 転写装置及び転写方法
US9229597B2 (en) 2013-02-22 2016-01-05 Nthdegree Technologies Worldwide, Inc. Integrated capacitive touch screen and LED layer
US9308649B2 (en) 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
US9099568B2 (en) 2013-03-14 2015-08-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Three-terminal printed devices interconnected as circuits
US8928014B2 (en) 2013-03-15 2015-01-06 Cooledge Lighting Inc. Stress relief for array-based electronic devices
US9484504B2 (en) * 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9780270B2 (en) 2013-06-04 2017-10-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Molded LED light sheet
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US8928021B1 (en) * 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
CN105247697A (zh) 2013-07-31 2016-01-13 沙特基础工业全球技术公司 用于制造具有微米或纳米结构导电层的材料的方法
JP2015035532A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ集合プレート及びこれを用いた発光装置
US9657903B2 (en) 2013-08-20 2017-05-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Geometrical light extraction structures for printed LEDs
US9324693B2 (en) 2013-09-09 2016-04-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Folded 3-D light sheets containing printed LEDs
JP6156509B2 (ja) 2013-10-15 2017-07-05 三菱電機株式会社 半導体素子の製造方法
GB2519587A (en) 2013-10-28 2015-04-29 Barco Nv Tiled Display and method for assembling same
US9111984B2 (en) 2013-10-28 2015-08-18 Freescale Semiconductor Inc. Devices and methods of operation for separating semiconductor die from adhesive tape
WO2015084360A1 (en) 2013-12-05 2015-06-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Regular expression matching
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US20150204490A1 (en) 2014-01-18 2015-07-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printed led layer with diffusing dielectric and conductor layers
US9508694B2 (en) * 2014-03-04 2016-11-29 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Multi-layer conductive backplane for LED light sheet segments
US20160172562A1 (en) 2014-01-31 2016-06-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for forming Circuit-on-Wire
US9281298B2 (en) 2014-02-10 2016-03-08 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Process for forming ultra-micro LEDS
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US9318671B2 (en) * 2014-04-18 2016-04-19 Toshiba Corporation High efficiency light emitting diode package suitable for wafer level packaging
US10229630B2 (en) 2014-05-14 2019-03-12 The Hong Kong University Of Science And Technology Passive-matrix light-emitting diodes on silicon micro-display
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9660151B2 (en) * 2014-05-21 2017-05-23 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
EP3152781A4 (en) 2014-06-06 2018-03-14 Rohinni, LLC Manufacture of circuit assembly with unpackaged semiconductor devices
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
US10224460B2 (en) 2014-06-18 2019-03-05 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
TWI544471B (zh) 2014-06-19 2016-08-01 光芯科技股份有限公司 發光模組及照明模組
US9818018B2 (en) 2014-07-22 2017-11-14 Nanotek Instruments, Inc. Flexible fingerprint sensor materials and processes
US10615222B2 (en) 2014-08-21 2020-04-07 The University Of Hong Kong Flexible GAN light-emitting diodes
JP6296299B2 (ja) 2014-09-02 2018-03-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6271380B2 (ja) 2014-09-12 2018-01-31 アルパッド株式会社 半導体装置の製造装置と半導体装置の製造方法
WO2016069766A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 The Regents Of The University Of California Flexible arrays of micro light emitting diodes using a photoelectrochemical (pec) liftoff technique
US9698134B2 (en) 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
US9721931B2 (en) 2015-01-15 2017-08-01 Industrial Technology Research Institute Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof
US10319890B2 (en) 2015-01-26 2019-06-11 Cooledge Lighting Inc. Systems for adhesive bonding of electronic devices
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
CN107408364B (zh) 2015-03-20 2020-06-30 索尼半导体解决方案公司 显示装置、照明装置、发光元件以及半导体装置
CN107431107B (zh) 2015-04-01 2020-07-24 歌尔股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
US10319697B2 (en) 2015-05-21 2019-06-11 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
EP3271951B1 (en) 2015-05-21 2019-03-20 Goertek Inc. Transferring method, manufacturing method of micro-led
JP6878314B2 (ja) 2015-06-11 2021-05-26 ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニーＴｈｅ Ｐｒｏｃｔｅｒ ＆ Ｇａｍｂｌｅ Ｃｏｍｐａｎｙ 表面に組成物を塗布するための装置及び方法
US9841548B2 (en) 2015-06-30 2017-12-12 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
US10224308B2 (en) 2015-07-14 2019-03-05 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
JP2018506166A (ja) 2015-08-18 2018-03-01 ゴルテック．インク マイクロ発光ダイオードの事前排除方法、製造方法、装置及び電子機器
WO2017028206A1 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Goertek.Inc Repairing method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led
US10297719B2 (en) 2015-08-27 2019-05-21 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light emitting diode (micro-LED) device
US9368549B1 (en) 2015-09-02 2016-06-14 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printed mesh defining pixel areas for printed inorganic LED dies
CN105278160B (zh) 2015-10-29 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 背光单元、背光模组及显示装置
US9801276B2 (en) 2015-11-25 2017-10-24 The Boeing Company Methof of forming an integrated composite structure
JP6608298B2 (ja) 2016-02-05 2019-11-20 川田工業株式会社 複合梁材及びその製造方法
KR20170106575A (ko) * 2016-03-11 2017-09-21 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
US10193031B2 (en) 2016-03-11 2019-01-29 Rohinni, LLC Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
EP3580778B1 (en) 2017-02-07 2023-06-07 Rohinni, Inc. Apparatus and method for stacking semiconductor devices
US20180248090A1 (en) 2017-02-27 2018-08-30 Rohinni, LLC Semiconductor Device Circuit Apparatus Bonded with Anisotropic Conductive Film and Method of Direct Transfer for Making the Same
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) * 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070086211A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-19 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
US20080266872A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Optical plate and backlight module using the same
JP4996747B2 (ja) * 2008-12-15 2012-08-08 パナソニック株式会社 面状照明装置および液晶ディスプレイ装置

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Publication number Publication date
EP3780079A1 (en) 2021-02-17
US10615152B2 (en) 2020-04-07
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