JP2005135977A - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 配線基板上をシリコーン樹脂で覆った基板を確実に分割する。
【解決手段】 本発明の分割方法では、セラミックからなる配線基板をクランパの下クランプ爪で押し上げ（上揺動）、搬送シュートから突出する突出配線基板部分の一部を支持体に押し付けて曲げ応力によって第１の分割を行う。その後、第２の分割として上方に位置するクランパを下方に回転揺動（下揺動）させて上クランパ爪で突出配線基板部分を押し下げて第１の分割部分で再度逆方向の分割を行う。この第２の分割は残留した薄い分割されない樹脂部分に引張力を作用させるため、分割されない樹脂部分は千切れる。これにより、完全な分割が可能になる。１列分割と個別分割によって個片化が行われ半導体装置が形成される。
【選択図】 図１

Description

本発明は混成集積回路装置（ハイブリッドＩＣ）等の半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に係わり、例えば、携帯電話機に組み込む半導体装置の製造に適用して有効な技術に関する。

混成集積回路装置等の半導体装置の製造方法の一つとして、例えば、多数個取りされるパッケージ用ベース基板の単位区画にベアーチップや他の部品を搭載し、その後前記ベアーチップや他の部品を絶縁性の樹脂で覆って封止樹脂を形成し、ついで前記パッケージ用ベース基板を樹脂と共に切断して前記単位区画部分による半導体装置を製造する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この特許文献１には、前記封止樹脂をポッティング法で形成した場合、封止樹脂の表面が平坦になり難く、この結果製造された半導体装置を回路基板に表面実装する場合に、真空吸着ノズルによる吸着性が良くないという問題があることが指摘されている。

一方、モジュール基板の一面に半導体チップやチップ部品を搭載し、半導体チップやチップ部品を覆うように絶縁性の樹脂で覆って封止部を形成した構造の半導体装置が知られている。この場合、チップ部品を半田接続によってモジュール基板に固定し、高弾性樹脂で封止部を形成した半導体装置では、半導体装置を実装基板に半田リフローによって接続する際、封止部内の半田接続部分の半田が再溶融し、短絡などの不具合が発生する。前記短絡は、例えば、半田が再溶融すると、その溶融膨張圧力が、チップ部品と封止部を形成する樹脂（レジン）の界面またはレジンとモジュール基板の界面を剥離させ、そこに半田が流れ込み、チップ部品の両端の電極端子が半田で繋がることによって発生する。そこで、高弾性樹脂に代えて、低弾性率の樹脂（例えば、１５０℃以上の温度において２００ＭＰａ以下の弾性率の樹脂：例えば、シリコーン樹脂）で封止部を形成する半導体装置が提案されている。この半導体装置では、実装リフローの際に封止部内の半田が再溶融しても、その溶融膨張による圧力を低弾性樹脂によって緩和するため短絡が防止できる（例えば、特許文献２参照）。

また、特許文献２には、多数個取り基板の一面に印刷方式で樹脂を塗布し、ベークによってレジン硬化を行って一括封止部を形成した後、一括封止部を含み多数個取り基板を１次分割して半導体装置を製造することが記載されている。樹脂としては、シリコーン樹脂または低弾性エポキシ樹脂が用いられる。分割は１列分割（１次分割）と個片化（２次分割）の２回が行われ、これによりモジュール（半導体装置）が製造される。

特許文献２には、分割において、柔らかなシリコーン樹脂の場合、分割が完全に行われず分割しきれない箇所が発生すること、分割をレーザやダイシングで行うことが記載されている。

一方、携帯電話機の実装基板に搭載する半導体装置として、送信部に用いる高周波電力増幅装置等の半導体装置が知られている。この半導体装置は、例えば、配線基板構造のモジュール基板の上面に、トランジスタ等の能動部品（能動素子）や、抵抗，コンデンサ等の受動部品（受動素子）からなる電子部品を搭載した構造になっている。モジュール基板の裏面には複数の電極端子（外部電極端子）が設けられ、表面実装型の半導体装置になっている。モジュール基板はセラミックからなる低温焼成基板（低温焼成多層配線基板）で形成されている（例えば、特許文献３参照）。

特開平１１−３１７０４号公報 特開２００２−２０８６６８号公報 特開平９−１１６０９１号公報

携帯電話機に組み込まれる半導体装置は高周波域での使用になる。フィルター高周波回路を含む半導体装置（混成集積回路装置）では、その製造時基板にフィルター配線を焼成にて形成する。この場合、フィルター配線形成のために、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等のインピーダンスの低い材料が使用される。ＣｕやＡｇはその融点が低いため、低温焼成によって基板を製造する必要がある。そこで、基板は、セラミックからなる低温焼成基板（低温焼成多層配線基板）が使用されている。

また、前記混成集積回路装置では、チップ抵抗、チップコンデンサ等の受動素子は、モジュール基板の配線（ランド）に半田接続によって実装されている。この半田は半導体装置を実装基板にリフロー（一時的な加熱処理）によって接続する際再溶融し、前述のような短絡の原因になる。そこで、封止体内で再溶融した半田に起因する短絡（ショート）を防ぐため、本出願人においては、封止体を形成する樹脂として、前記特許文献２に記載されているような、シリコーン樹脂や低弾性エポキシ樹脂を使用している。そして、多数個取りの基板（配線基板）を封止体を形成する樹脂層と共に分割（１次分割による１列分割と、２次分割による個片化）して半導体装置を製造している。

この場合、配線基板の下面に設けた分割用の小さな溝（分割ライン）を利用して分割を図っている。しかし、特許文献２にも記載されているように、図３４に示すように、配線基板１５０の１面に設ける樹脂層をシリコーン樹脂層１５１で形成した場合、分割されない樹脂部分１５２が発生してしまう。

本発明の一つの目的は、シリコーン樹脂や低弾性エポキシ樹脂を封止材料として使用した半導体装置の製造方法において、分割されない樹脂部分が残らないように確実に分割ができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供することにある。

本発明の一つの目的は、配線基板の一面を覆う封止体をシリコーン樹脂や低弾性エポキシ樹脂の印刷によって形成する半導体装置の製造方法において、封止体表面の平坦性の良否を検査できる製法及び半導体製造装置を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）本発明の半導体装置の製造方法は、
（ａ）第１の面の複数の領域に素子搭載部及び導体層を有し、前記各領域に対応しかつ前記第１の面と反対の面である第２の面に外部電極端子を有し、最終製造段階では前記各領域は分割によって個片にされる配線基板を準備する工程と、
（ｂ）前記複数の領域に半田接続を含み電子部品を実装する工程と、
（ｃ）前記複数の領域を絶縁性の樹脂で覆い樹脂層を形成する工程と、
（ｄ）台座（搬送シュート）と、前記搬送シュートの上面に所定距離を隔てて対面する第１装置部品（支持体）と、前記搬送シュートの一方の縁から外れた分割位置側に一部を突出するように前記搬送シュート上に載置される配線基板の前記突出配線基板部分の上下面側にそれぞれ上クランプ爪及び下クランプ爪を位置させるように配置される第２装置部品（クランパ）とを有する分割機構を準備する工程と、
（ｅ）前記配線基板の分割する部分を前記分割位置に一致するように前記配線基板を前記搬送シュートの上面に設定する工程と、
（ｆ）前記クランパを前記支持体に対して回転させて前記突出配線基板部分を上方向に揺動させ、前記支持体に設けた支点に接触する箇所で前記配線基板を分割させる第１の分割工程と、
（ｇ）前記クランパを前記工程（ｆ）の回転方向とは逆の方向に回転させて前記突出配線基板部分を下方向に揺動させ、前記搬送シュートに前記配線基板を押し付けて前記第１の分割工程によって分割された箇所で再度分割させる第２の分割工程とを有し、
前記工程（ｅ）〜工程（ｇ）による第１次分割処理によって、前記配線基板を前記領域が一列に並ぶ短冊体を形成し、
その後前記短冊体を前記工程（ｅ）〜工程（ｇ）による第２次分割処理によって各領域毎に分割することによって半導体装置を製造する構成である。

また、前記樹脂層は、１５０℃以上の温度において２００ＭＰａ以下の弾性率を有する樹脂（シリコーン樹脂）を前記配線基板に印刷し、脱泡処理及び硬化処理を行うことによって形成する。また、前記工程（ｆ）において、前記搬送シュートの上面に載置された前記配線基板の前記突出配線基板部分を上下から非接触状態で挟む状態の原点位置にある前記クランパを前記支点を中心に前記上方向に８０°から１２０°程度回転させ、次の前記工程（ｇ）においては、前記工程（ｆ）の回転方向とは逆の回転方向に前記工程（ｆ）の回転角度に１０°から４５°程度の回転角度を加えた角度回転させる。

また、半導体製造装置は、前記支持体の下面と前記搬送シュート上の配線基板の樹脂層表面との間には所定の空間を有する構成になり、
前記搬送シュート上に載り前記搬送シュートの一方の縁から突出する設定状態の前記配線基板の前記突出配線基板部分の上下面側に上クランプ爪及び下クランプ爪を位置させる原点位置にあるクランプにおいては、
前記突出配線基板部分との間に所定の隙間を有して前記上クランプ爪及び前記下クランプ爪が位置するようになり、
前記工程（ｆ）において、前記クランパを前記支持体に対して上方向に回転させる際、前記上クランプ爪を前記突出配線基板部分に接触させない状態で、前記クランパの下クランプ爪で前記突出配線基板部分を押し上げて前記配線基板を分割させ、
前記工程（ｇ）において、前記クランパを前記支持体に対して下方向に回転させる際、前記下クランプ爪を前記突出配線基板部分に接触させない状態で、前記クランパの上クランプ爪で前記突出配線基板部分を押し下げて前記配線基板を完全に分割させる構成になっている。

このような半導体装置の製造方法には、以下の半導体製造装置が使用される。半導体製造装置は、第１の面の複数の領域にそれぞれ電子部品を実装し、前記各領域に対応しかつ前記第１の面と反対の面である第２の面に外部電極端子を有し、前記複数の領域を絶縁性の樹脂層で覆ってなる配線基板を、いずれも制御系の制御に基づき、第１次分割処理によって分割して前記領域が一列に並ぶ短冊体を形成し、その後前記短冊体を第２次分割処理によって各領域毎に分割して半導体装置を製造する半導体製造装置であって、
前記第１次分割処理を行う１列分割機構及び第２次分割処理を行う個別分割機構は、
上面に前記配線基板を前記樹脂層が上面となるように載置する搬送シュートと、前記搬送シュートの上面に対面しかつ前記搬送シュート上の前記配線基板の前記樹脂層に対面する支持体と、前記搬送シュートの一方の縁から外れた分割位置側に一部を突出するように前記搬送シュート上に載置された前記配線基板の突出配線基板部分の上下面側にそれぞれ上クランプ爪及び下クランプ爪を位置させるように配置されかつ上下方向にそれぞれ回転制御されるクランパとを有し、
前記第１次及び第２次分割処理においては、
前記配線基板の分割する部分を前記分割位置に一致するように前記配線基板を前記搬送シュートの上面に載置設定するとともに、前記搬送シュートから突出する突出配線基板部分を前記上クランプ爪及び下クランプ爪間に位置させ、
つぎに、前記クランパを前記支持体に対して上方向に回転させて前記突出配線基板部分を上方向に揺動させ、前記支持体に設けた支点に接触させて前記配線基板を分割させる第１の分割と、
前記クランパを前記第１分割における回転方向とは逆の方向に回転させて前記突出配線基板部分を前記搬送シュートの上面よりも下方に揺動させて前記第１の分割によって分割された箇所で前記配線基板を完全に分割させる第２の分割とを行う構成になっている。

また、前記分割機構の前記クランパの作業を開始する原点位置は、前記搬送シュートの上面に前記配線基板を設定した状態において、前記突出配線基板部分の上下に非接触状態で前記上クランプ爪及び下クランプ爪を位置させて挟む状態にある位置であり、
前記クランパは前記支点を中心に前記原点位置から上方に少なくとも８０°から１２０°程度、下方に少なくとも１０°から４５°程度正逆回転できるように構成されている。

また、半導体製造装置は、全体を制御する制御系と、前記１列分割機構に前記配線基板を供給するローダと、前記１列分割機構で分割されて形成された前記短冊体をその長手方向に搬送して前記個別分割機構に供給する搬送機構と、前記個別分割機構で分割されて個片となった半導体装置を１乃至複数のステージに順次個別搬送する個別搬送機構と、前記最終ステージの前記半導体装置を真空吸着によるツールで保持し前記制御系の制御のもと良品を良品収容部に搬送し、不良品を不良品収容部に搬送するピックアップ機構とを有する。

前記ピックアップ機構は、半導体装置を下端面に真空吸着するツールと、ツールを保持してツールを３次元的に移動制御する駆動部と、ツールに配管を介して接続される真空源と、配管に連通状態で接続され、前記制御系によってオン・オフ動作を行う電磁弁と、電磁弁とツールとの間に接続されツール内の真空度を測定するデジタル真空計とを有し、デジタル真空計による真空度情報は前記制御系に送られる構成になっている。そして、制御系では前記真空度情報に基づいてピックアップ機構を制御し、基準真空度以上の場合は良品収容部へ半導体装置を搬送し、基準真空度に満たない場合は不良品収容部へ半導体装置を搬送する構成になっている。

本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

（１）シリコーン樹脂の印刷によって形成された樹脂層は、印刷後、脱泡処理、硬化処理（ベーク処理）が行われる。処理時間が長い脱泡処理の時点で樹脂中に含まれるフィラー等の重い物質は上面側から下面の配線基板側に沈下する。この結果、樹脂層の表面は引き千切れにくい樹脂成分の層となる。従って、配線基板を樹脂層側に折り返すような分割では、配線基板は分割されても樹脂層の表層の樹脂成分の層は圧縮力が作用されるだけであることから分割されずに残留（分割されない樹脂部分の残留）する。本発明の分割方法では、セラミックからなる配線基板をクランパの下クランプ爪で押し上げ（上揺動）、搬送シュートから突出する突出配線基板部分の一部を支持体に押し付けて曲げ応力によって第１の分割を行う。その後、第２の分割として上方に位置するクランパを下方に回転揺動（下揺動）させて上クランパ爪で突出配線基板部分を押し下げて第１の分割部分で再度逆方向の分割を行う。この第２の分割は残留した薄い分割されない樹脂部分に引張力を作用させるため、分割されない樹脂部分は千切れる。これにより、完全な分割が可能になる。１列分割と個別分割によって個片化が行われ半導体装置が形成される。

（２）個片化されて半導体装置となった製品を搬送するピックアップ機構は、最終ステージの半導体装置をツールで真空吸着保持するが、この保持状態の真空度を測定するようになっている。そして、この真空度情報に基づいてピックアップ機構は制御され、基準真空度以上の場合は良品収容部へ半導体装置を搬送し、基準真空度に満たない場合は不良品収容部へ半導体装置を搬送することになり、封止体の表面の平坦度の良好な製品のみを出荷できることになる。この結果、ユーザにおける半導体装置の実装作業において、半導体装置のピックアップが確実になり、良好な実装が可能になる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

本実施例１は、携帯電話機に組み込む半導体装置（混成集積回路装置）の製造に本発明を適用した例について説明する。図１乃至図２９は本発明の実施例１である半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に係わる図である。図２及び図７は本実施例１によって製造された半導体装置に係わる図であり、図１及び図８乃至２９は半導体製造装置に係わる図である。

本実施例１の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置（混成集積回路装置）１は、外観的には、図２に示すように、四角形状の低温焼成積層基板からなるモジュール基板２と、このモジュール基板２の上面を被う絶縁性の樹脂（レジン）からなる封止体３とからなっている。

封止体３を形成する樹脂としては、低弾性樹脂が使用されている。低弾性樹脂としては、１５０℃以上の温度において２００ＭＰａ以下の弾性率の樹脂、または１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上で２００ＭＰａ以下、かつ２５℃の温度において弾性率が２００ＭＰａ以上の樹脂を使用する。１５０℃以上の温度において２００ＭＰａ以下の弾性率の樹脂としてはシリコーン樹脂がある。また、１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上で２００ＭＰａ以下、かつ２５℃の温度において弾性率が２００ＭＰａ以上の樹脂としてはエポキシ樹脂がある。本実施例１ではシリコーン樹脂によって封止体３が形成されている。

また、封止体３の裏面には、図３に示すように外部電極端子４が複数設けられている。図４は半導体装置１の裏面を示す図であり、大小の四角形部分が外部電極端子４である。外部電極端子４の縁は封止体３の裏面に設けたアルミナコート膜からなる絶縁膜５によって被われている。そして、絶縁膜５に被われない部分が接続に寄与する実質的な外部電極端子部分となる。図４において、点線枠で囲まれた領域の外部電極端子４はグランド電極である。

半導体装置１の厚さは１．６ｍｍ程度であり、モジュール基板２の厚さは、例えば０．７５ｍｍ程度である。モジュール基板２は低温焼成基板（低温焼成アルミナセラミック基板）であり、図３に示すように積層構造の基板である。モジュール基板２の上面、中層及び下面にそれぞれ導体層７ａ，７ｂ，７ｃが設けられている。また、モジュール基板２の各積層を貫いて導体層７ａ，７ｂ，７ｃのいずれかの層を電気的に接続する導体７ｄが設けられている。さらに、モジュール基板２の上面には所定箇所に窪み８が設けられている。これら窪み８の底にも素子搭載用の導体層７ｅが設けられている。そして、この導体層７ｅ上には図示しない接着材を介して半導体チップ９（能動部品：能動素子）が固定（搭載）されている。半導体チップ９の上面の電極とモジュール基板２の上面の所定の導体層７ａは導電性のワイヤ１０で電気的に接続されている。また、モジュール基板２の上面には一対の導体層７ａが設けられ、これら一対の導体層７ａにはチップ型電子部品１１の電極部分が半田１２を介して電気的に接続されている。チップ型電子部品１１は、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ等の受動部品（受動素子）である。モジュール基板２の第１の面には前述のように能動素子や受動層等の回路素子が搭載されている。

一方、モジュール基板２の下面には選択的に絶縁膜５が設けられている。この絶縁膜５は部分的に各導体層７ｃを被う。モジュール基板２の縁に沿って、電源端子、信号端子等を形成する四角形状の外部電極端子が、途中途切れるが一列に配列されている。

また、図４に示すように、モジュール基板２の内側から部分的には縁にまで、これも外部電極端子となるグランド電極４ｆが複数設けられている。このグランド電極４ｆはモジュール基板２の下面に広い面積に亘って形成した導体層７ｃを絶縁膜５によって小分けに露出させてグランド電極４ｆとしたものである。また、絶縁膜５から露出する外部電極端子４の表面にはメッキ膜１５が形成されている（図３参照）。メッキ膜１５は、図示はしないが下層の第１メッキ膜と、この第１メッキ膜上に形成される第２メッキ膜とからなっている。例えば、導体層７ｃは、ＡｇにＰｔを含むペーストを印刷し、かつ焼成して形成したものである。第１メッキ膜はＡｕであり、第２メッキ膜はＮｉである。この構造はグランド電極４ｆも同様である。

本実施例１の半導体装置１は、具体的には動作周波数８００ＭＨｚ以上で動作する電力増幅装置（高周波電力増幅装置）やデュプレクサー等を含む混成集積回路装置１である。そこで、本実施例による半導体装置１（高周波電力増幅装置）を組み込んだ携帯電話機（無線通信機）について説明する。図５はデュアルバンド無線通信機の一部を示すブロック図である。このブロック図は、無線通信システムにおけるＧＳＭ方式用の増幅系と、ＤＣＳ方式用の増幅系を有する高周波電力増幅装置と、これら二つの通信システムが利用できるデュアルバンド方式の携帯電話機の一部を示すブロック図である。

図５のブロック図は、高周波信号処理ＩＣ（ＲＦlinear）２０からアンテナ３９までの部分を示すものである。同図に示すように、高周波信号処理ＩＣ２０からのＧＳＭ用の信号はＧＳＭ用の増幅器（ＰＡ）２１に送られ、増幅器２１の出力はカプラー２２によって検出され、この検出信号は自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）２３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路２３は上記検出信号を基に動作して増幅器２１を制御する。また、同様に高周波信号処理ＩＣ２０からのＤＣＳ用の信号はＤＣＳ用の増幅器（ＰＡ）２４に送られ、増幅器２４の出力はカプラー２５によって検出され、この検出信号はＡＰＣ回路２３にフィードバックされる。ＡＰＣ回路２３は上記検出信号を基に動作して増幅器２４を制御する。

ＧＳＭ用の増幅器２１の出力は、出力端子Ｐout１からフィルター２６に送られ、ＧＳＭ用の送信受信切替スイッチ２７を通ってデュプレクサー３８に入力される。デュプレクサー３８の出力端子にはアンテナ３９が接続されている。同様にＤＣＳ用の増幅器２４の出力は、出力端子Ｐout２からフィルター３５に送られ、ＤＣＳ用の送信受信切替スイッチ３６を通ってデュプレクサー３８に入力される。

送信受信切替スイッチ２７，３６は、制御端子cont１，cont２から制御信号を受けて切り替わり、アンテナ３９で受信した受信信号を受信端子ＲＸ１，ＲＸ２に送り出す。これら信号はフィルター３０，３７及び低雑音アンプ（ＬＮＡ）３１，３８を通して高周波信号処理ＩＣ２０に送られる。この無線通信機によってＧＳＭ通信及びＤＣＳ通信が可能になる。

本実施例の半導体装置１は、図５に示すように、増幅器（ＰＡ）２１，２４、カプラー２２，２５、フィルター２６，３５、送信受信切替スイッチ２７，３６、デュプレクサー３８を一体とした構造になっている。

このような半導体装置１は、図６に示すように、基板準備（Ｓ１）、電子部品実装（Ｓ２）、樹脂層形成（Ｓ３）、分割（Ｓ４）の各工程を経て製造される。図７（ａ）〜（ｃ）は前記各工程の基板状態を示す模式的断面図である。半導体装置１の構造説明で示したモジュール基板２を形成するための低温焼成セラミック配線基板からなる基板２ａを準備する（Ｓ１）。

この基板２ａは、１個の半導体装置を製造する四角形状の領域（製品形成部）をマトリックス状に整列配置したパターンになっている。図７では、基板２ａの一部、即ち単一の領域（製品形成部）２ｃを示すものであり、この単一の領域が分割されて個片化されることによってモジュール基板が形成される。単一の領域２ｃの配線構造は、既に説明済であるモジュール基板の構造であることから省略する。

図７（ａ）に示すように、各領域（製品形成部）２ｃの第１の面には窪み８が設けられ、この窪み８の底には導体層７ｅが設けられている。また、第１の面にはチップ型電子部品の両端の電極やワイヤを接続するための導体層７ａが形成されている。基板２ａの各領域２ｃの反対面、即ち第２の面の所定箇所には外部電極端子４が設けられている。外部電極端子４以外の領域は絶縁膜５によって覆われている。

そこで、図７（ｂ）に示すように、電子部品の実装（搭載）を行う。即ち、窪み８の底の導体層７ｅ上に半導体チップ９を固定するとともに、半導体チップ９の上面に設けられた各電極と周囲の導体層７ａを導電性のワイヤ１０で接続する。また、一対の導体層７ａにチップ型電子部品１１の両端の電極部分を半田１２によって接続する。電子部品実装（Ｓ２）は、半導体チップ９の搭載やチップ型電子部品１１の搭載に含め、基板２ａの導体層７ａ，７ｅと半導体チップ９及びチップ型電子部品１１のとの電気的接続も含む。

つぎに、図７（ｃ）に示すように、基板２ａの第１の面に樹脂層３ａを形成する（Ｓ３）。樹脂層３ａは、１５０℃以上の温度において２００ＭＰａ以下の弾性率を有する樹脂を所定厚さ（例えば、０．７５〜０．８ｍｍの厚さ）に印刷し、脱泡処理を行い、さらに硬化処理（ベーク処理）を行うことによって形成する。具体的には、シリコーン樹脂を印刷する。印刷後は樹脂層中に含まれる気泡を脱泡（脱気）させる。この脱泡処理は基板２ａを真空雰囲気（５３ｈｐａ）下に１０〜２０分程度放置することによって行う。また、硬化処理は基板２ａを１５０℃の雰囲気下に９０分放置することによって行う。

シリコーン樹脂は、半導体装置を実装基板にリフローによって実装する際、封止体内の半田の再溶融に伴う短絡を防止するために使用する。このような目的のためには、１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上で２００ＭＰａ以下、かつ２５℃の温度において弾性率が２００ＭＰａ以上の樹脂も使用できる。この樹脂として低弾性のエポキシ樹脂を使用する。

つぎに、樹脂層３ａを形成した基板２ａにおいて、不良品となるものに対して、基板２ａの露出面、即ち基板２ａの第２の面にインクジエット法等によって不良マークを付ける。この不良マークを後工程で検出し、不良マークが付いているものは排除される。不良マークは図６Ｓ３の印刷前に基板上面の不良マーク（基板初期不良及び組立不良には予め不良マークを付けてある）を認識にて検出後基板２ａの第２の面の同じ位置にインクジェット方等によって付ける。

つぎに、基板２ａを樹脂層３ａとともに、分割し（Ｓ４）、図３に示す半導体装置１を製造する。分割は第１次分割処理と第２次分割処理によって行われる。第１次分割処理は１列分割処理であり、基板２ａを領域が一列に並ぶ短冊体を形成するような分割である。第２次分割処理は個別分割処理であり、短冊体を領域の境界で順次分割して個片化して半導体装置１を形成する分割である。

本実施例１では、前記第１次分割処理（１列分割）及び第２次分割処理（個別分割）における分割を、図９で示す半導体製造装置４３で行う。半導体製造装置４３はその正面と開閉自在の扉４５を複数有するとともに、正面にはコントロールパネル４６が設けられている。半導体製造装置４３の内部には、特に図示しないが、機構各部の駆動制御や各種検出による検出情報（測定情報）を演算処理し、その情報によって各部を駆動制御する等が行える制御系が設けられている。

半導体製造装置４３においては、図８のフローチャートで示すように、封止後基板準備（Ｓ１１）、１列分割（Ｓ１２）、個別分割（Ｓ１３）、不良品選別（Ｓ１４）、厚さ検出（Ｓ１５）、サイズ検出（Ｓ１６）、平坦度検出（Ｓ１７）、良品・不良品選別（Ｓ１８）の各工程作業を行うことかできる。

図１０は半導体製造装置４３の各作業ステージと関連機構を示す模式的平面図である。図１０において、左から右に向かって１列分割ステージＡ、不良マーク検出ステージＢ、個別分割ステージＣ、厚さ検出ステージＤ、位置決めステージＥ、サイズ検出ステージＦ、良品収容ステージＧ、不良品収容ステージＨが配置されている。これらのステージ部分はそれぞれ所定のユニットで構成されている。

１列分割ステージＡには、製品形成部（領域）がマトリックス状に配置された樹脂層を有する基板（配線基板）２ａが順次ピッチ送りされ、１列ごとの分割がなされる。基板ローダには５０及び５１のラックが手動で順次セットされるようになっている。基板ローダ５０にセットされた積層状態の基板２ａは、順次基板供給機構５２によって一枚ずつ１列分割ステージＡに向けて送り出される。基板供給機構５２は、図示しないがプッシャ構成となり、このプッシャによって１枚ずつ基板２ａが送り出される。そして、図示しない搬送機構によって基板２ａは１列分割ステージＡにピッチ送りされる。この１列分割ステージＡでは、基板２ａが１列ずつ分割されて細長い短冊体２ｇが形成される。短冊体２ｇには製品形成部（領域）が一列に並ぶ構造となる。

本実施例１では基板２ａの分割は、短冊体２ｇを形成する第１次分割処理（１列分割）と、短冊体２ｇを各領域（製品形成部）の境界で分割して個片化する第２次分割処理（個別分割）の２回の分割を行う。これら分割は、図１（ａ）〜（ｂ）に示すような機構の分割機構によって行う。なお、以下の説明で単に基板２ａと呼称しても、個別分割されるまでの説明では樹脂層３ａを有する基板２ａを意味する。

分割機構は、上面に基板２ａ（配線基板）を樹脂層３ａが上面となるように載置する台座（搬送シュート）５５と、搬送シュート５５の上面に対面しかつ搬送シュート５５上の基板２ａの樹脂層３ａに対面する第１装置部品（支持体）５６とを有している。また、搬送シュート５５の一方の縁（図中右端縁）から外れた分割位置側に一部を突出するように搬送シュート５５上に載置された基板２ａの突出配線基板部分２ｊの上下面側にそれぞれ上クランプ爪５７及び下クランプ爪５８を位置させるように配置される第２装置部品（クランパ）５９が配置されている。図１（ａ）に示すように、平坦な状態で搬送シュート５５上に載置される平板からなる基板２ａの突出配線基板部分２ｊを、側方から基板２ａ及び樹脂層３ａに接触しない状態（非接触状態）で挟むような姿勢のクランパ５９を原点位置のクランパと呼称する。原点位置のクランパ５９は、突出配線基板部分２ｊに対して０．２〜０．３ｍｍ程度の隙間を介して上クランプ爪５７と下クランプ爪５８が臨むように設定されている。

搬送シュート５５上に基板２ａを載置した状態では、基板２ａの上面側の樹脂層３ａと支持体５６の下面には所定の寸法の隙間が発生するようになっている。これは、クランパ５９を上方向に回転させ、下クランプ爪５８で突出配線基板部分２ｊを押し上げた際、基板２ａの上面の樹脂層３ａが最初に支持体５６の右端縁に接触し、この接触する部分で基板２ａ（及び樹脂層３ａが分割されるようにするためである。基板２ａの上面の樹脂層３ａが最初に支持体５６に接触する部分、即ち前記右端縁を支点５６ａと呼称する。

また、突出配線基板部分２ｊを押し上げた際、支点５６ａに最初に樹脂層付き基板２ａが接触するように、支持体５６の下面は平坦になっている。また、樹脂層３ａと支持体５６の下面との隙間も０．２〜０．３ｍｍ程度となっている。

クランパ５９を上方に回転させることによって、下クランプ爪５８は突出配線基板部分２ｊを押し上げる。このため、基板２ａは支点５６ａを中心に曲げ応力が作用し、支点５６ａに接触した基板部分で分割が起きる。そこで、支点とこの支点から下方に向かう線分の位置を分割位置と呼称する。

また、基板２ａの分割を容易にするために、図１（ａ）に示すように、基板２ａの第２の面（図１では下面）に溝（分割溝）２ｐが設けられている。分割溝２ｐは一定間隔に設けられている。図１（ａ）では、右端側の最初に分割する部分（線分）を太線で示してあるが、この線分に一致する基板２ａの下面側にも溝（分割溝）２ｐが設けられている。溝２ｐは応力集中が起きやすいようにＶ字断面の溝になっている。なお、図１を含め以降の分断の説明の図では図（ａ）にのみ分割溝２ｐを示し、図（ｂ）以降では省略する。

また、搬送シュート５５上の基板２ａは左端側に示す搬送爪６０によって基板２ａをピッチ送りする。分割動作の最初に、最初に分割する部分を分割位置に合わせる。この設定の後は、ピッチ送りにより、常に分割位置に分割溝２ｐが位置するようになる。

クランパ５９は原点位置にある状態から上下方向にそれぞれ回転することができる。回転は、前記支点を中心に原点位置から上方に少なくとも８０°から１２０°程度、下方に少なくとも１０°から４５°程度正逆回転できるように構成されている。

このような分割機構では、原点位置にあるクランパ５９を、図１（ｂ）に示すように、支点５６ａを中心に上方向に回転させて突出配線基板部分２ｊを上方向に揺動させ、支持体５６に設けた支点５６ａに接触させて基板２ａを分割させる（第１の分割）。しかし、後述するが、この一回の折り返し方向の回転では、図１（ｂ）の右側に拡大して示すように、セラミックからなる基板２ａは分割されても、基板２ａの上面の樹脂層３ａの表層部分は分割されず、分割されない樹脂部分３ｓが発生する。即ち、分割部（分割線）６２は脂層３ａの途中で止まった状態になる。

そこで、図１（ｃ）に示すように、クランパ５９を第１の分割における回転方向とは逆の方向に回転させて突出配線基板部分２ｊを搬送シュート５５の上面よりも下方に揺動させて第１の分割によって分割された箇所（分割部６２）で基板２ａを完全に分割させる（第２の分割）。第２の分割では、図１（ｃ）の下方に拡大して示す上の図のように、最初は分割されたセラミックからなる基板端面同士が当たり、分割されない樹脂部分３ｓには引張応力が作用する。この結果、図１（ｃ）の下方に拡大して示す下の図のように、分割部（分割線）６２の先端は分割されない樹脂部分３ｓに向かって伸び続け、ついには分割されない樹脂部分３ｓも完全に分割される。なお、前記第１の分割及び第２の分割における回転角度等については、１列分割機構の説明箇所で説明する。

１列分割機構及び個別分割機構も基本的には図１で示す構成になっている。しかし、１列分割機構は個別分割機構に比較して分割する幅が広いことから搬送シュート５５及び支持体５６を幅広の構造にする点、支持体５６には大きな力が加わることから剛性を持たせる必要がある点、第１の分割角度を大きくする点等が異なる。なお、１列分割機構及び個別分割機構の説明において、同一作用を行う部分は同じ名称同じ符号で説明する。

つぎに、半導体製造装置４３のステージの配列方向に沿って各部を説明する。１列分割ステージＡの部分は、図１１及び図１２に示すように、基板２ａをその上面に載置する搬送シュート５５が配置されている。この搬送シュート５５には、基板ローダ５０によって一枚の基板２ａが送り出される。この基板２ａは、図１１及び図１２において、搬送爪６０によって右側にピッチ送りされる。搬送爪６０は支持アーム６１に支持される。支持アーム６１は図示しない駆動部に取り付けられ、ピッチ送りとタクト運動して順次基板２ａを分割位置に移送するようになっている。
搬送シュート５５の右端上部には支持体５６が位置している。この支持体５６は支点５６ａを有する下部と、この下部に連なる板状部６５とからなっている。また、前記板状部６５の上端には上下動シリンダ６６のロッド６６ｂが固定され、ロッド６６ｂの上下動によって支持体５６を上下動させるようになっている。搬送シュート５５上に基板２ａを載置する際は支持体５６を上昇させる。

搬送シュート５５の右端延長上には前述のクランパ５９が配置されている。下クランプ爪５８は回転中心６７（図１１参照）を中心に上下に回転する支持ブロック６８に固定されている。また、上クランプ爪５７はその両端部分がボルト６９によって固定されている。支持ブロック６８の両端は回転軸７１ａ，７１ｂが固定され、かつこの回転軸はそれぞれ支持部材７０ａ，ｂに支持されている。一方の回転軸７１ａの一端は支持ブロック６８に固定され、他端にはドリブンプーリ７２が固定されている。また、他方の回転軸７１ｂはベアリングを介して回転可能に支持部材７０ｂに支持されている。

前記ドリブンプーリ７２は分割揺動モータ７３の回転軸７４に固定されたドライブプーリ７５に掛けられた駆動ベルト７６に掛けられている。従って、１列分割揺動モータ７３の正回転・逆回転駆動によって回転軸７１は正回転・逆回転し、この結果、クランパ５９が上下に回転する。回転中心６７は、図１２に示すように、支持体５６の支点５６ａと一致した位置に設定されている。

ここで、１列分割機構及び個別分割機構におけるクランパの上揺動及び下揺動の回転角度について説明する。図１９及び図２０は、本発明者による実験及び分析によって得たデータである。図１９は基板１列分割における上揺動角度と、基板を覆うレジン残り量（分割されない樹脂部分の厚さ）との相関を示すグラフである。図１９のグラフで分かるように、例えば、樹脂層３ａの厚さを８００μｍとした場合、上揺動２０°程度でセラミックからなる基板２ａが分割される（同グラフで示すＰ点）。上揺動角度が７０°の場合、分割されない樹脂部分（レジン残り量）の厚さは２５０μｍ程度となり、上揺動角度８０°ではレジン残り量（厚さ）は２２０μｍ程度となる。そして、上揺動角度を順次大きくするとレジン残り量は順次薄くなることが分かる。上揺動角度を１８０°にすれば、殆どのものは完全に分割されるが、上揺動角度を１８０°の採用は各機構部分の配置関係から難しい。

そこで、上揺動角度を１２０°とした場合の第２の分割における完全なる分割がどの時点で起きるかを、短冊体２ｇの分割において調べてみた。図２０は基板個別分割における基板分割位置とその位置での切断角度（下揺動角度）との相関を示すグラフである。

マトリックス状に矩形に領域（製品形成部）を配置した基板２ａは、図１０に示すように、製品の信頼性を考慮してマトリックス状に配列される領域（製品形成部）２ｃの周囲に使用しない枠部２ｓが存在する。従って、第１次分割処理を行って短冊体２ｇを形成した場合、図２０に示すように、基板位置の０乃至６の７箇所で順次分割を行う形態では、最初の分割時にクランパ５９側に突出する、枠部８０が存在するようになる。図３３には各基板位置での分割（分割位置０，１，６）を示してある。なお、ここでは、図１の構成にて説明する。図３３（ａ）は枠部８０をクランパ５９で押し上げて分割位置０で分割する状態を示す。図３３（ｂ）は分割位置１で最初の領域（製品形成部）２ｃを上揺動させて分割を図った状態を示す。また、図３３（ｃ）は、最後の領域（製品形成部）２ｃを下揺動させて枠部８１から分割（分割位置６）する状態を示すものであり、搬送シュート５５上に、枠部８１が位置するようになる。これら長さが短い枠部８０，８１の存在から、最初の分割では下揺動角度はクランパが原点位置にある状態から下方に向かって２６°で完全に分割され、最後の分割では下揺動角度は２８°で完全に分割される。ここで、原点位置にあるクランパが下方に揺動することから、角度にはマイナス（−）を付してある。基板位置が１から５に至る各分割においては、−１１°から−１５°の下揺動角度域で完全に分割できることが分かる。これらのデータは樹脂層３ａをシリコーン樹脂で形成した場合である。

また、本発明者らが行った他の実験結果によれば、１列の長さを７５ｍｍ程度にした条件で、上揺動角度が８０°、９０°の場合、下揺動角度がそれぞれ４０°、３５°程度で基板を分割できることが分かった。

以上の実験結果から、基板を分割する際に、上揺動角度を大きくした場合は下揺動角度を小さくでき、逆に上揺動角度を小さくした場合は下揺動角度を大きくする必要があることを本発明者らは見出した。

実施例１では、１列分割及び個別分割における第１の分割では、原点位置にあるクランパ５９を上揺動角度９０°まで回転させ、その後の第２の分割ではクランパ５９を逆方向に回転させ、原点位置から下方に２０°の位置までクランパ５９を回転させる例を示している。ここで、第１の分割でレジン残り量（厚さ）を０．１ｍｍ以下にすれば、第２の分割時小さい角度でかつ確実に分割できる。

ここで、樹脂層３ａを低弾性エポキシ樹脂で形成した場合について説明する。図２１は樹脂層を低弾性率エポキシ樹脂で形成した基板の分割における上揺動角度と基板を覆うレジン残り量（分割されない樹脂部分の厚さ）との相関を示すグラフである。

また、本発明者らが行った他の実験結果によれば、１列の長さを７５ｍｍ程度にした条件で、上揺動角度が３０°、４０°の場合、下揺動角度が３０°程度で基板を分割できることが分かった。

以上の実験結果から、基板を分割する際に、上揺動角度を大きくした場合は下揺動角度を小さくでき、逆に上揺動角度を小さくした場合は下揺動角度を大きくする必要があることを本発明者らは見出した。

樹脂層３ａを低弾性エポキシ樹脂で形成した場合では、１列分割及び個別分割における第１の分割では、原点位置にあるクランパ５９を上揺動角度４０°まで回転させ、その後の第２の分割ではクランパ５９を逆方向に回転させて原点位置から下方に３０°の位置までクランパ５９を回転させる。これにより完全な分割が行える。

図１３（ａ）〜（ｄ）は１列分割機構における第１の分割及び第２の分割による短冊体２ｇを形成する方法を示す。図１３（ａ）に示すように、搬送シュート５５の上面に基板２ａを位置決め載置する。

図１３（ａ）〜（ｄ）は１列分割機構における第１の分割及び第２の分割による短冊体２ｇを形成する方法を示す。図１３（ａ）に示すように、搬送シュート５５の上面に基板２ａを位置決め載置する。

つぎに、図１３（ｂ）に示すように、クランパ５９を支点５６ａを中心に上方向に９０°回転（正回転）させて、第１の分割を行う。この回転によって、搬送シュート５５の一縁（右端縁）から突出する突出配線基板部分２ｊは下クランプ爪５８によって押し上げられ、分割する部分が支持体５６の支点５６ａに当接する。そして、図１３（ｃ）に示すように、クランパ５９のさらなる上昇によって突出配線基板部分２ｊは支点５６ａを中心に曲げ応力が作用し、前述のように基板２ａは完全に分割され、樹脂層３ａには分割部６２が入る。しかし、この時点では、前述したように樹脂層３ａには分割されない樹脂部分３ｓが残り、基板２ａは完全に分割されない状態になる。なお、図１３では、回転中心６７を黒丸で示してある。回転中心６７は支点５６ａと重なる。

つぎに、図１３（ｄ）に示すように、クランパ５９を逆回転させて上クランプ爪５７で突出配線基板部分２ｊを下方に押しさげて第２の分割を行う。クランパ５９は原点位置から支点５６ａを中心に３５°程度の角度下方に回転移動する。即ち、クランパ５９は正回転によって原点位置から９０°回転した後、１２５°逆回転することになる。この結果、図１３（ｄ）に示すように、基板２ａは搬送シュート５５の右縁と搬送爪６０または支持体５６に保持される状態になる。そして、さらなるクランパ５９の逆回転によって、図１３（ｄ）の右下の拡大図面で示すように、分割されない樹脂部分３ｓには引張応力が作用することになる。即ち、最初は分割されたセラミックからなる基板２ａ端面同士が曲げのため当たり、分割されない樹脂部分３ｓには引張応力が作用し、分割部（分割線）６２の先端が分割されない樹脂部分３ｓに向かって伸び続け、ついには分割されない樹脂部分３ｓも完全に分割されることになる。これは瞬時に起きる。これにより、図１０に示すように、短冊体２ｇが形成される。この短冊体２ｇには、領域（製品形成部）が一列に並ぶ構造となる。

図１４は本実施例１の変形例である基板１列分割を示す模式図である。図１４では、分割がし易いように、樹脂層３ａの表面にも前記分割溝２ｐに対応して溝（分割溝）３ｐを設けておき、さらに分割を容易にするものである。このように樹脂層３ａの表面に分割溝３ｐを形成しておくことによって、分割溝２ｐの存在とも相俟って分割位置（分割線）を正確に決めることができ、最終的に形成される半導体装置１のサイズの一定化が可能になる。

つぎに、不良マーク検出ステージＢ及び個別分割ステージＣの部分を、図１５乃至図１８と図２２を参照しながら説明する。１列分割ステージＡで１列分割されて形成された短冊体２ｇは、図示しない搬送機構によって、不良マーク検出ステージＢ及び個別分割ステージＣがある搬送シュート５５上に搬送される。搬送機構は、例えば、一般によく使用されるモータ駆動による搬送爪送り機構となっている。図１５及び図１６には、この搬送シュート５５と、この搬送シュート５５の右端上に配置される支点５６ａを有する支持体５６、さらには搬送シュート５５の右端延長側に配設されるクランパ５９を含む機構を有している。個別分割機構は１列分割機構とその構成が類似していることから、同様な構成部分は１列分割機構の名称と同じ名称を使用し、符号はダッシュ（’）を付けて説明する。特に１列分割機構の構成や作用が同じ箇所の説明は省略する。

個別分割機構の搬送シュート５５部分には、短冊体２ｇの下面の不良マークの有無を検出する不良マーク検出機構が設けられている。また個別分割機構のクランパ５９部分には、個別分割時不良マークが付いた製品（半導体装置）を排除する選別機構を有する構造が設けられている。クランパ５９は不良マークが付いている半導体装置を受け入れるときは、側方に横滑りして切り替わる構成（スライド構成）になっている。図１５及び図１６は不良マークが付いていない半導体装置を受け入れる態勢の図面であり、図１７及び図１８は不良マークが付いている半導体装置を受け入れ、かつ通過させて不良品収容箱８８に不良半導体装置を収容させる態勢の図である。

図１５に示すように、左右方向に延在する搬送シュート５５’の右端延長側には上クランプ爪５７’及び下クランプ爪５８’を有するクランパ５９’が位置している。また、図１６に示すように、搬送シュート５５’の右端のわずか上方には支持体５６’が配置されている。

搬送シュート５５’が細い短冊体２ｇを案内するため、搬送シュート５５’の上面には一対のガイド片８３が１本の短冊体２ｇを通過案内できる間隔を有して配置されている。ガイド片８３はボルト８４で搬送シュート５５’に固定されている。

短冊体２ｇが通過する搬送シュート５５’の一部は、透明体８５に形成され、搬送シュート５５’の下方に配置される不良マーク検出機構によって、短冊体２ｇの各領域（製品形成部）に不良マークがあるか否かを検出する構造になっている。不良マーク検出機構は透明体８５に向けて光を照射する投光器８６と、短冊体２ｇの下面を検出するモニターカメラ８７とからなっている。不良マーク検出機構の情報は制御系に送られて処理され、この情報に基づいて選別機構が動作して、不良品を、図１８に示すようにクランパ５９’の下方に位置する不良品収容箱８８に落下投入するようになっている。

個別分割機構の支持体５６’は１列分割機構の支持体５６に比較して分割力は小さい。従って、支持体５６’の剛性は１列分割機構の場合よりも小さくともよく、例えば、３．５ｍｍ程度と薄い構造とすることができ、支持体５６’の上方の空間領域を有効に使用できる利点がある。支持体５６’の両端部分はボルト８４にそれぞれガイド片８３に固定されている。支持体５６’は一枚構造または２枚重ね構造等でもよい。

分割揺動モータ７３’によって正逆回転制御される支持ブロック６８’には下クランプ爪５８’が短冊体２ｇの搬送方向に直交する方向（横方向）にスライド制御されるようになっている。下クランプ爪５８’はスライド部８９上に固定され、スライド部８９は支持ブロック６８’上をスライドする。スライド機構は省略する。個別分割機構では分割揺動モータ７３’のドライブプーリ７５’をカップリング９５で直接回転軸７１ａ’に連結して支持ブロック６８’を正逆回転させる構成になっている。

下クランプ爪５８’には３本の細長いガイド片９０がねじにて固定されている。例えば、中央のガイド片９０と短冊体２ｇの進行方向右側のガイド片９０とによって不良品シュート９２が形成されている。図１５の状態が良品を良品シュート９１に受け入れることができるようになっている。良品シュート９１にはストッパ９３が設けられ、傾斜した良品シュート９１内を滑ってくる半導体装置１を受けて良品シュート９１上に位置させるようになっている。

不良品を受け入れる態勢では、下クランプ爪５８’は短冊体２ｇの進行方向左側にスライドし、図１７に示すように、不良品シュート９２が分割して個片化された半導体装置１を受け入れるようになっている。この不良品シュート９２にはストッパは設けられていない。従って、傾斜した不良品シュート９２上を滑って落下する半導体装置１は、図１８に示すように、不良品収容箱８８に収容される。

スライドする下クランプ爪５８’に上クランプ爪５７’が常に対面するように、図１５に示すように、上クランプ爪５７’は下クランプ爪５８’よりも長く延在し、その両端を支持ブロック６８’にねじ固定されている。

図１５は良品を受け入れるクランパ５９’の態勢であり、図１６は個別分割開始前または個別分割終了後の原点位置に復帰したクランパ５９’の状態を示す。また、図１７は不良品を受け入れるクランパ５９’の態勢であり、図１８は個別分割がなされて傾斜した状態のクランパ５９’の状態を示すものである。

図２２（ａ）〜（ｄ）は個別分割機構における第１の分割及び第２の分割による個片化、即ち半導体装置１を形成する方法を示す。図２２（ａ）に示すように、搬送シュート５５’の上面に短冊体２ｇを位置決め載置する。

つぎに、図２２（ｂ）に示すように、クランパ５９’を支点５６ａ’を中心に上方向に
１２０°程度回転（正回転）させて、第１の分割を行う。この回転によって、搬送シュート５５’の一縁（右端縁）から突出する突出配線基板部分２ｊ’は下クランプ爪５８’によって押し上げられ、分割する部分が支持体５６’の支点５６ａ’に当接する。そして、図２２（ｃ）に示すように、クランパ５９’のさらなる上昇によって突出配線基板部分２ｊ’は支点５６ａ’を中心に曲げ応力が作用し、前述のように短冊体２ｇは完全に分割され、樹脂層３ａには分割部６２’が入る。しかし、この時点では、前述したように樹脂層３ａには分割されない樹脂部分３ｓ’が残り、短冊体２ｇは完全に分割されない状態になる。なお、図２２では、回転中心６７’を黒丸で示してある。回転中心６７’は支点５６ａ’と重なる。

つぎに、図２２（ｄ）に示すように、クランパ５９’を逆回転させて上クランプ爪５７’で突出配線基板部分２ｊ’を下方に押しさげて第２の分割を行う。クランパ５９’は原点位置から支点５６ａ’を中心に３０°程度の角度下方に回転移動する。即ち、クランパ５９’は正回転によって原点位置から１２０°回転した後、１５０度程度逆回転することになる。この結果、図２２（ｄ）に示すように、短冊体２ｇは搬送シュート５５’の右縁と搬送爪６０’または支持体５６’に保持される状態になる。そして、さらなるクランパ５９’の逆回転によって、図２２（ｄ）の右下の拡大図面で示すように、分割されない樹脂部分３ｓ’には引張応力が作用することになる。即ち最初は分割されたセラミックからなる基板２ａ端面同士が曲げのため当たり、分割されない樹脂部分３ｓ’には引張応力が作用し、分割部（分割線）６２’の先端が分割されない樹脂部分３ｓ’に向かって伸び続け、ついには分割されない樹脂部分３ｓ’も完全に分割されることになる。この分割部（分割線）６２’の伸びは瞬時に起きる。この個別分割によって基板２ａはモジュール基板２になり、樹脂層３ａは封止体３になる。

前記不良マーク検出機構の情報に基づいて、下クランプ爪５８’のスライド位置が制御され、不良品とされない半導体装置１は下クランプ爪５８’の良品シュート９１上に載り、不良品とされた半導体装置１は不良品収容箱８８に回収される。

実施例では、不良マーク品排除の際、下クランプ爪５８だけが横にスライドする構造になるが、上クランプ爪５７及び下クランプ爪５８を共に横にスライドする構造としてもよい。

個別分割ステージＣに置かれた半導体装置１は、その後続く複数のステージ上に個別搬送機構９７によって順次ピックアップ搬送される。図１０では、個別搬送機構９７は５本のアーム９８をステージ上に延在させ、図示しないがその先端の下部に取り付けられた真空吸着ツールで半導体装置１を真空吸着保持してつぎのステージに搬送するようになっている。

厚さ検出ステージＤには、厚さ検出機構が配置されている。図２３に示すように、厚さ検出ステージＤのステージ１００の側面には、レーザセンサ１０１ａ及び受光器１０１ｂが配置され、ステージ１００上の半導体装置１の厚さをレーザ光１０２の照射とその受光量によって測定する。この測定情報は制御系に送られて処理される。制御系で演算処理され、良品・不良品の判定が行われ、この情報は記憶される。また、最終ステージには、半導体装置１をピックアップして良品を良品収容部に搬送し、不良品を不良品収容部に搬送するピックアップ機構が設けられている。厚さ検出情報もピックアップ機構による製品の良否を決定する情報の一つとされ、不良と判定されれば、他の検出情報で良品とされたものでも不良品収容部に搬送される。

位置決めステージＥには、位置決め機構が配置されている。図２４に示すように、位置決めステージＥのステージ１０５上に載置された四角形状の半導体装置１に対して、前記四角形の１本の対角線項２４上を半導体装置１に対して接近、離反する一対の位置決め爪１０６が設けられている。この一対の位置決め爪１０６の対面する先端面には、底が直角窪みとなり、四角形状の半導体装置１の一対の角部に対応する窪み１０７がそれぞれ設けられている。従って、ステージ１０５上の半導体装置１に対して、一対の位置決め爪１０６を中心に対して弾力的に移動させることによって、半導体装置１の中心がステージ１０５の中心に位置するようになり、位置決めが完了する。実施例では一対の２本の位置決め爪で位置決めを行うが、これに限定されるものではなく、例えば、４本の位置決め爪で位置決めを行う方式としてもよい。

サイズ検出ステージＦには、半導体装置のサイズを検出するサイズ検出機構が設けられている。図２５（ａ）及び図２６（ａ）〜（ｃ）に示すように、サイズ検出ステージＦのステージ１１０には、ステージ１１０を上下に貫通する所定寸法の検出穴１１１を有している。この検出穴１１１内には上下に昇降制御される上下シャフト１１２が挿入されている。上下シャフト１１２の上端は台座１１３となり、半導体装置１を載置するようになっている。

また、検出穴１１１の上端部分には半導体装置１を中心に向かって案内するポケット部１１４が設けられている。検出穴１１１は半導体装置１と相似形の穴となるとともに、わずかな隙間を介して挿入できるようになっている。例えば、半導体装置１の設計寸法よりも１７０μｍ程度大きな穴になっている。そして、検出穴１１１内に挿入できず、図２６（ｃ）に示すように、検出穴１１１内で傾斜したものをサイズ不良とするものである。

ポケット部１１４は半導体装置１と相似形となる四角錐状の窪みで形成され、ステージ１１０に搬送されてきた半導体装置１を検出穴１１１に案内する。

また、ステージ１１０は２段に亘って上方が細くなる筒体になっている。上段の上筒部１１５には、検出穴１１１に交差するように複数本の光透過孔１１６が設けられている。図２６では３本の光透過孔１１６が設けられている。そして、各光透過孔の外側の一方には投光器（発光器）１１７が設けられ、外側の他方には投光器１１７から出射される光１１８を受光する受光器１１９が設けられている。光透過孔１１６は１方向に１本、またこれと直交する方向に並列に２本設けられ、サイズ検出の信頼性を高めている。投光器１１７及び受光器１１９は中段筒部１２０に設けられた装着穴１２１の上部に取り付けられている。投光器１１７及び受光器１１９に繋がる電源線１１７ａ，１１９ａは装着穴１２１から所定のコントローラ等の制御系に接続されている。

サイズ検出においては、半導体装置１はサイズ検出ステージ１１０のポケット部１１４に搬送される。図２６（ａ）に示すように、半導体装置１を受け入れる上下シャフト１１２は上昇して所定高さで静止し、上端をポケット部１１４の下部に位置する。このため、ポケット部１１４内に搬送された半導体装置１はポケット部１１４に案内されて上下シャフト１１２の上端に載る。

つぎに、図２６（ｂ）に示すように、上下シャフト１１２は所定高さ（基準位置）まで降下する。この状態では、上下シャフト１１２の平坦な台座１１３上に密着するように載置された半導体装置１の場合、光１１８は半導体装置１の上方を通過するため、受光器１１９で受光できる。この受光できる状態を良品とする。また、図２６（ｃ）に示すように、半導体装置１が検出穴１１１に入れきれず、台座１１３上で傾斜する場合は、投光器１１７から発光された光１１８は半導体装置１に当たり、受光器１１９には到達しなくなる。これがサイズ不良の情報となる。

前記サイズの測定情報は制御系に送られて処理される。制御系で演算処理され、良品・不良品の判定が行われ、この情報は記憶される。そして、最終ステージの半導体装置１をピックアップするピックアップ機構での良品・不良品を振り分ける指示情報になる。従って、サイズ検出情報もピックアップ機構による製品の良否を決定する情報の一つとされ、不良と判定されれば、他の検出情報で良品とされたものでも不良品収容部に搬送されることになる。

サイズ検出ステージＦと良品収容ステージＧ及び不良品収容ステージＨに亘ってピックアップ機構が配設されている。このピックアップ機構はサイズ検出ステージＦでピックアップした半導体装置１を後述するピックアップ機構による平坦度検出による平坦度良否の情報と、前記厚さ検出・サイズ検出の良否情報に基づいて、保持した半導体装置１を良品収容ステージＧの良品収容部または不良品収容ステージＨの不良品収容部に搬送するように構成されている。

ピックアップ機構１２４は、図２７に示すように、半導体装置１を下端面に真空吸着するツール（ノズル）１２５を有している。このツール１２５は、図１０に示すように、駆動部１２６によって３次元的に移動制御される。即ち、駆動部１２６の一部であるアーム１２７の先端下面にツール１２５が取り付けられ、駆動部１２６によってアーム１２７が３次元的に移動する。図２７に示すように、ツール１２５には配管１２８が接続され、この配管１２８には真空源１２９が接続されている。また、配管１２８の途中には、制御系によってオン・オフ動作を行う電磁弁１３０、流量絞り弁１３１が連通状態で接続されている。また、ツール１２５内の真空度を測定するデジタル真空計１３２が、電磁弁１３０とツール１２５との間の配管１２８に接続されている。

サイズ検出ステージＦで半導体装置１をピックアップした時点で、ツール１２５内の真空度を測定する。図２７では、サイズ検出ステージＦのステージ１１０は単に線で示してある。ツール１２５は、半導体装置１の樹脂による封止体３の表面側を真空吸着保持する。このため、デジタル真空計１３２によって測定される真空度は、表面がうねるようなシリコーン樹脂の場合では大きく変動する。

図２８（ａ），（ｂ）はピックアップ機構１２４によって良品とされる製品（半導体装置１）の真空吸着状態、及び封止体３の表面の平坦度状態を示す模式図である。図２８（ｂ）は封止体３の所定厚さでの平坦度を示すものであり、低い所と高い所の差は１００μｍ以下である。なお、図２８（ｂ）における封止体３の寸法ａ，ｂは、例えば、ａ＝７ｍｍ、ｂ＝７ｍｍである。

ツール１２５の下端の真空吸着面で半導体装置１を真空吸着した際、図２８（ｂ）に示すように、封止体３の表面であるシリコーン樹脂表面の平坦度が良好な場合、図２８（ａ）に示すように、真空吸着面の弾性体からなるリング１２５ａは略全周に亘って封止体３に接触し、漏れが少なく、ツール１２５内の真空度（真空圧）が高くなる。

図２９（ａ），（ｂ）はピックアップ機構１２４によって不良品とされる製品（半導体装置１）の真空吸着状態、及び封止体３の表面の平坦度状態を示す模式図である。図２９
（ｂ）は封止体３の所定厚さでの平坦度を示すものであり、低い所と高い所の差は１５０μｍにも及ぶ。

ツール１２５の下端の真空吸着面で半導体装置１を真空吸着した際、図２９（ｂ）に示すように、封止体３の表面であるシリコーン樹脂表面の平坦度が良好でない場合、図２９（ａ）に示すように、リング１２５ａの一部が封止体３に接触せず、かつその隙間１３３も大きくなり、大気がツール１２５内に流入し、ツール１２５内の真空度（真空圧）が低くなる。

そこで、ツール１２５内の真空度を測定する。この真空度測定情報は制御系に送られる。制御系では、予め定めた基準真空度に満たない真空度の場合は半導体装置１を平坦度不良品と判定し、前記基準真空度以上の真空度の場合は良品と判定し、この判定結果に基づいてピックアップ機構を制御する。

一方、良品収容ステージＧには良品収容部としてトレー１３５が配置され、不良品収容ステージＨには不良品収容部として不良品収容箱１３６が配置されている。従って、ピックアップ機構１２４は、厚さ検出情報、サイズ検出情報及び平坦度検出情報のいずれかが不良である場合、制御系によるコントロールで半導体装置１を不良品収容箱１３６に運ぶ。また全ての検出情報が良とする場合には、半導体装置１は良品をトレー１３５に収容される。図１０に示すように、良品収容ステージＧには、トレー１３５を収容するラック１３８が配置されている。このラックからトレー１３５が良品収容位置にピッチ送りされる。トレー１３５は満杯になるとトレー回収台１３９上に送り出される。トレー回収台１３９上のトレー１３５は所定箇所に移送される。

本実施例１よれば以下の効果を有する。

（１）シリコーン樹脂の印刷によって形成された樹脂層３ａは、印刷後、脱泡処理、硬化処理（ベーク処理）が行われる。処理時間が長い脱泡処理の時点で樹脂中に含まれるフィラー等の重い物質は上面側から下面の基板（配線基板）２ａ配線基板側に沈下する。この結果、樹脂層３ａの表面は引き千切れにくい樹脂成分の層となる。従って、基板２ａを樹脂層３ａ側に折り返すような分割では、基板２ａは分割されても樹脂層３ａの表層の樹脂成分の層は圧縮力が作用されるだけであることから分割されずに残留（分割されない樹脂部分の残留）する。本発明による分割方法及び半導体製造装置では、セラミックからなる配線基板（基板２ａ，短冊体２ｇ）の突出配線基板部分２ｊをクランパ５９の下クランプ爪５８で押し上げ（上揺動）、突出配線基板部分２ｊの一部を支持体に押し付けて曲げ応力によって第１の分割を行う。その後、第２の分割として上方に位置するクランパ５９を下方に回転揺動（下揺動）させて上クランプ爪５７で突出配線基板部分２ｊを押し下げて第１の分割部分で再度逆方向の分割を行う。この第２の分割は残留した薄い分割されない樹脂部分３ｓに引張力を作用させるため、分割されない樹脂部分３ｓは千切れる。これにより、完全な分割が可能になる。１列分割と個別分割によって個片化が行われ半導体装置１が製造される。

（２）１列分割及び個別分割において、配線基板は支点５６ａで分割位置が決まるとともに、配線基板に設けた分割溝２ｐで分割位置（分割線）が決まるため、最終的に形成された半導体装置１のサイズの一定化が可能になる。これにより、ユーザでの実装の信頼性が高くなる。

（３）上揺動で樹脂層３ａの切り残しを０．１ｍｍ以下にすることから、下揺動で配線基板に必要以上の負荷をかけることなく分離が可能になる。従って、品質面でも安定したレジンパッケージ製品を提供することができる。

（４）本実施例１の半導体製造装置は、１列分割及び個別分割においても、突出配線基板部分２ｊを押し上げたり、あるいは押し下げたりするクランパ５９は、直接突出配線基板部分２ｊを挟んで持つことはしない構造になっている。また、搬送シュート５５上に載る配線基板も搬送シュート５５と支持体５６の支点５６ａとで挟まれて保持されることはあっても、この分割部分には電子部品は存在しない。これらにより、配線基板や搭載部品にダメージを与えることなく分割ができ、品質の優れたレジンパッケージ製品を提供することができる。
上記（１）乃至（４）により、本実施例１によれば、分割不良が発生し難くなり、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また歩留りの向上を図ることができる。この結果、品質の優れた半導体装置を安価に提供することができる。例えば、携帯電話機用の半導体装置を安価に提供することができる。

（５）本実施例１の半導体製造装置においては、個片化されて半導体装置１となった製品を搬送するピックアップ機構１２４は、最終ステージの半導体装置１をツール１２５で真空吸着保持するが、この保持状態の真空度を測定するようになっている。そして、この真空度情報に基づいてピックアップ機構１２４は制御され、基準真空度以上の場合は良品収容部へ半導体装置１を搬送し、基準真空度に満たない場合は不良品収容部へ半導体装置１を搬送することになる。従って、封止体３の表面の平坦度の良好な製品のみを出荷できることになる。この結果、ユーザにおける半導体装置１の実装作業において、半導体装置１のピックアップが確実になり、良好な実装が可能になる。

（６）本実施例の半導体製造装置は、樹脂層３ａを形成した基板２ａの状態で基板２ａの表面に不良マークを付したものに対して、短冊体２ｇの状態で検出し、短冊体２ｇを分割して個片化する際選別して排除することができる優れた特長がある。

（７）本実施例の半導体製造装置は、個片化された半導体装置１の厚さ検出を行うことができるとともに、不良品はピックアップ機構１２４で排除できるため、良品のみをトレー１３５に収容することができる優れた特長がある。

（８）本実施例の半導体製造装置は、個片化された半導体装置１のサイズ検出を行うことができるとともに、不良品はピックアップ機構１２４で排除できるため、良品のみをトレー１３５に収容することができる優れた特長がある。

（９）本実施例の半導体製造装置は、基板２ａや短冊体２ｇを正確かつ確実に分割できる。また、予め不良マークが付けられた半導体装置１を個片化時に排除することができる。さらに、各検出ステージで検出した厚さ検出情報、サイズ検出情報、平坦度検出情による不良品排除をピックアップ機構１２４で行える。従って、本実施例の半導体製造装置は品質が優れた半導体装置１を高歩留りで製造することができる優れた特長がある。

（１０）自動分割実現により、レジンパッケージ製品の量産化が可能になり、基板周辺の実装領域拡大、サイズ対応も容易でかつ小型化及びパッケージ多様化へ対応可能となった。

（１１）本実施例１の半導体製造装置の使用により、顧客２次実装時の封止体３内の半田再溶融に起因する短絡を防止できる低弾性樹脂封止製品の製造も確立できる。

（１２）本実施例１の半導体製造装置の使用により、半導体装置の品質向上及び加工費低減が可能になる。

（１３）本実施例１の半導体製造装置の使用により、高周波モジュール製品のコスト低減も可能になる。

（１４）本実施例１の半導体製造装置の使用により、ＴＡＴ（Turn around Time：製品開発期間）の短縮が図れる。

（１５）レーザまたはダイシングによる分割は切削屑の飛散、付着及び含有されるシリカを切断する事により切断面が白色になる問題がある。これに対し本実施例はきれいな分割面を得る事ができる。

実施例２は、半導体製造装置において、配線基板の分割を良好にし、さらに分割位置を正確にできる例である。図３０は樹脂層で覆われる基板を切断する切断機構と切断状態を示す模式図である。

実施例１で説明したように、印刷によって形成された樹脂層３ａの表面はうねり等によって平坦性が低い。うねりが大きい場合、図３１に示すように、基板２ａの突出配線基板部分２ｊを押し上げた際、支持体５６の支点５６ａに樹脂層３ａが接触せず、うねり１４１の頂上部分１４２が支持体５６の下面に接触してしまう。このような場合、分割力の加わる位置が支点５６ａの位置ではなくなることから、支点５６ａの略真下に分割溝２ｐが位置していても、必ずこの分割溝２ｐの位置から分割が開始されるとは限らなくなり、分割位置が特定されなくなるおそれがあることが判明した。

実施例２は、前述のような分割不良を解消する技術である。実施例２では、図３０（ａ）に示すように、支持体５６は搬送シュート５５に対面する下面が平坦な面になっている。また、支持体５６の下面の右端には、搬送シュート５５に向かって突出する突条体１４３が設けられている。この突条体１４３は下方に向かうに従って徐々に細くなる先細断面となっている。また、この突条体１４３は幅広の基板２ａや短冊体２ｇを分割のため線状に接触支持できるように幅が広くなっている。そして、突条体１４３の先端縁が支点５６ａを形成するようになる。

このような分割機構によれば、図３０（ｂ）に示すように、クランパ５９を上揺動させると、下クランプ爪５８が突出配線基板部分２ｊを押し上げる。この上揺動によって、樹脂層３ａの表面には、最初に突条体１４３の先端の支点５６ａが接触する。突条体１４３の先端は先鋭であることから、幾分樹脂層３ａに食い込むようになるが、この食い込む位置は分割溝２ｐと対面する位置となり、分割溝２ｐ部分で正確かつ確実に分割が行えるようになる。これにより、半導体装置１のサイズがいつも一定となる。

前述の説明でもわかるように、突条体１４３の突出長さは、突条体１４３の先端が溝（分割溝）２ｐ部分に接触しかつ食い込んだ状態で樹脂層３ａの表面が支持体５６の下面に接触しない長さになっている。

図３２は本発明の実施例２の変形例である、この例では、突条体１４３の突出する面の１面を搬送シュート５５の上面に対して垂直な面とし、その垂直面１４４に連なる支持体５６の下面及び垂直面１４４に樹脂層３ａのうねりの頂上部分や突出部分が接触し難くして分断を良好に行うように配慮した機構となっている。

以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

本実施例１の半導体装置の製造方法を示す模式図である。 本実施例１の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の外観を示す斜視図である。 前記半導体装置の模式的拡大断面図である。 前記半導体装置の模式的拡大底面図である。 前記半導体装置を組み込の携帯電話機の一部の回路構成を示すブロック図である。 本実施例１の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 前記半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。 前記半導体装置の製造における基板分割方法を示すフローチャートである。 本実施例１の半導体装置の製造に用いる半導体製造装置の外観を示す斜視図である。 前記半導体製造装置の作業ステージと関連機構を示す模式的平面図である。 前記半導体製造装置の１列分割機構の一部を示す模式的平面図である。 図１１のＡ−Ａ線に沿う模式的断面図である。 前記１列分割機構の各動作段階を示す模式的である。 本実施例１の変形例である基板分割を示す模式図である。 前記半導体製造装置の基板を個別に分割する個別分割機構を示す模式的平面図である。 図１５のＢ−Ｂ線に沿う模式的断面図である。 前記個別分割機構において不良品を排除するスライド態勢を示す模式的平面図である。 図１７のＣ−Ｃ線に沿う模式的断面図である。 シリコーン樹脂における、１列分割における上揺動角度と基板を覆うレジン残り量（分割されない樹脂部分の厚さ）との相関を示すグラフである。 前記個別分割における基板分割位置とその位置での切断角度（下揺動角度）との相関を示すグラフである。 低弾性エポキシ樹脂における、１列分割における上揺動角度と基板を覆うレジン残り量（分割されない樹脂部分の厚さ）との相関を示すグラフである。 前記個別分割機構の各動作段階を示す模式図である。 前記半導体製造装置の厚さ検査ステージの厚さ検査機構の概略を示す模式的側面図である。 前記半導体製造装置の位置決めステージの位置決め機構の概略を示す模式的側面図である。 前記半導体製造装置のサイズ検査ステージのサイズ検査機構を示す模式的側面図である。 前記サイズ検査機構の動作を示す模式図である。 前記半導体製造装置における製品の平坦化の良否を検出するピックアップ機構の概略を示す模式図である。 前記ピックアップ機構によって良品とされた製品の真空吸着状態、及び分割前の樹脂層で覆われた基板の平坦度状態を示す模式図である。 前記ピックアップ機構によって不良品とされた製品の真空吸着状態、及び分割前の樹脂層で覆われた基板の平坦度状態を示す模式図である。 本発明の実施例２である半導体製造装置における分割機構と分割状態を示す模式図である。 基板の分割位置が確定できない状態を示す模式図である。 本発明の実施例２の変形例である分割機構の分割状態を示す模式図である。 短冊体における各基板位置での分割状態を示す模式図である。 従来のシリコーン樹脂で覆った基板の分割状態を示す模式図である。

符号の説明

１…半導体装置（混成集積回路装置）、２…モジュール基板、２ａ…基板、２ｃ…領域（製品形成部）、２ｇ…短冊体、２ｊ…突出配線基板部分、２ｐ…溝（分割溝）、２ｓ…枠部、３…封止体、３ａ…樹脂層、３ｐ…溝（分割溝）、３ｓ…分割されない樹脂部分、４…外部電極端子、４ｆ…グランド電極、５…絶縁膜、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｅ…導体層、７ｄ…導体、８…窪み、９…半導体チップ、１０…ワイヤ、１１…チップ型電子部品、１２…半田、１５…メッキ膜、２０…高周波信号処理ＩＣ、２１，２４…増幅器（ＰＡ）、２２，２５…カプラー、２３…自動出力制御回路（ＡＰＣ回路）、２６，３０，３５，３７…フィルター、２７，３６…送信受信切替スイッチ、３８…デュプレクサー、３９…アンテナ、３１，３８…低雑音アンプ（ＬＮＡ）、４３…半導体製造装置、４５…扉、４６…コントロールパネル、５０…ラック、５１…ラック、５２…基板供給機構、５５，５５’…台座（搬送シュート）、５６，５６’…第１装置部品（支持体）、５６ａ，５６ａ’…支点、５７，５７’…上クランプ爪、５８，５８’…下クランプ爪、５９，５９’…第２装置部品（クランパ）、６０，６０’…搬送爪、６２，６２’…分割部、６１…支持アーム、６５…板状部、６６…上下動シリンダ、６７，６７’…回転中心、６８，６８’…支持ブロック、６９，６９’…ボルト、７０…支持部材、７１ａ，７１ａ’，７１ｂ，７１ｂ’…回転軸、７２…ドリブンプーリ、７３，７３’…揺動モータ、７４…回転軸、７５，７５’…ドライブプーリ、７６…駆動ベルト、８０，８１…枠部、８３…ガイド片、８４…ボルト、８５…透明体、８６…投光器、８７…モニターカメラ、８８…不良品収容箱、８９…スライド部、９０…ガイド片、９１…良品シュート、９２…不良品シュート、９３…ストッパ、９５…カップリング、９７…個別搬送機構、９８…アーム、１００…ステージ、１０１…レーザセンサ、１０２…レーザ光、１０５…ステージ、１０６…位置決め爪、１０７…窪み、１１０…ステージ、１１１…検出穴、１１２…上下シャフト、１１３…台座、１１４…ポケット部、１１５…上筒部、１１６…光透過孔、１１７…投光器、１１７ａ…電源線、１１８…光、１１９…受光器、１１９ａ…電源線、１２０…中段筒部、１２１…装着穴、１２４…ピックアップ機構、１２５…ツール（ノズル）、１２７…アーム、１２８…配管、１２９…真空源、１３０…電磁弁、１３１…流量絞り弁、１３２…デジタル真空計、１３３…隙間、１３５…トレー、１３６…不良品収容箱、１３８…ラック、１３９…トレー回収台、１４１…うねり、１４２…頂上部分、１４３…突条体、１４４…垂直面、１５０…配線基板、１５１…シリコーン樹脂層、１５２…分割されない樹脂部分

Claims (20)

1. 以下の工程を有する半導体装置の製造方法、
   （ａ）複数の領域を含む配線基板を準備する工程、
   （ｂ）前記複数の領域にそれぞれ電子部品を搭載する工程、
   （ｃ）前記工程(ｂ)の後、前記複数の領域を絶縁性樹脂で封止する工程、
   （ｄ）前記工程(ｃ)の後、前記配線基板を台座に配置する工程、
   （ｅ）前記工程(ｄ)の後、前記配線基板上の隣接する前記複数の領域間に支点となる第１装置部品を配置し、前記配線基板の一端を前記台座の上方側に移動し前記配線基板の一部を切断する工程、
   （ｆ）前記工程(ｅ)の後、前記配線基板の前記一端を前記台座の下方に移動し、前記樹脂を切断し、記複数の領域の１つを分離する工程。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、前記工程(ｂ)において、前記電子部品は半田によって前記配線基板に実装されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記絶縁性樹脂は１５０℃以上の温度において２００ＭＰａ以下の弾性率を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、前記絶縁性樹脂はシリコーン樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記(ｅ)において、前記支点の回りに、前記台座の上面から上方向に８０°以上の角度回転し、
   前記(ｆ)において、前記支点の回りに、前記台座の上面から下方向に１０°以上の角度回転することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記絶縁性樹脂は１５０℃以上の温度において弾性率が１ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下、かつ２５℃の温度において弾性率が２００ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の半導体装置の製造方法であって、前記絶縁性樹脂はエポキシ樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項４に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記(ｅ)において、前記支点の回りに、前記台座の上面から上方向に３０°以上の角度回転し、
   前記(ｆ)において、前記支点の回りに、前記台座の上面から下方向に１０°以上の角度回転することを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記配線基板の上面と、前記支点となる第１装置部品との最短距離には所定の空間を設けていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
    前記工程(ｅ)は、前記配線基板の前記一端の上面および下面を覆う第２装置部品により、前記配線基板の上面と前記第２装置部品の最短距離に所定の空間を設けた状態で、前記配線基板の前記一端を上方に移動することを含み、
    前記工程(ｆ)は、前記配線基板の下面と前記第２装置部品の最短距離に所定の空間を設けた状態で、前記配線基板の前記一端を下方に移動することを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置は、動作周波数８００ＭＨｚ以上で動作する電力増幅装置を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記電子部品は、受動素子、および半導体基板上に形成された能動素子を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
13. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記配線基板上の複数の領域はマトリックス状に配置され、
    前記工程(ｃ)において、前記絶縁性樹脂は印刷法で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記配線基板はセラミックからなること特徴とする半導体装置の製造方法。
15. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記工程(ｃ)と（ｅ）の間に、隣接する前記複数の領域間の前記樹脂の表面に溝を形成する工程を有すること特徴とする半導体装置の製造方法。
16. 以下の工程を有する半導体装置の製造方法、
    （ａ）配線基板を準備する工程、
    （ｂ）前記配線基板上に電子部品を搭載する工程、
    （ｃ）前記工程(ｂ)の後、前記配線基板上を絶縁性樹脂で封止する工程、
    （ｄ）前記工程(ｃ)の後、真空吸着によって前記絶縁性樹脂部分を吸着し、前記絶縁性樹脂上面の平坦度を検査する工程。
17. 複数の領域にそれぞれ電子部品が実装され、絶縁性樹脂によって前記電子部品が封止された配線基板を前記領域毎に分割する半導体製造装置であって、
    前記配線基板を配置する台座と、
    前記配線基板上の隣接する前記複数の領域間に支点となるように配置された第１装置部品と、
    前記台座上に前記配線基板を配置した状態で、前記配線基板の一端を、前記第１装置部品を支点として、前記台座の上面から上方向に移動した後、
    前記第１装置部品を支点として、前記台座の上面から下方向に移動することで前記配線基板を隣接する前記領域間で分割する為の第２装置部品を有する半導体製造装置。
18. 請求項１７に記載の半導体製造装置であって、前記絶縁性樹脂は１５０℃以上の温度において２００ＭＰａ以下の弾性率を有するシリコーン樹脂からなり、前記配線基板はセラミックからなることを特徴とする半導体製造装置。
19. 請求項１８に記載の半導体製造装置であって、前記配線基板の一端を、前記第１装置部品を支点として、前記台座の上面から上方向に８０°以上の角度移動した後、
    前記第１装置部品を支点として、前記台座の上面から下方向に１０°以上の角度移動することで前記配線基板を隣接する前記領域間で分割する為の前記第２装置部品を有する半導体製造装置ことを特徴とする半導体製造装置。
20. 配線基板上に電子部品が実装され、前記電子部品を絶縁性樹脂によって封止した半導体装置の製造装置であって、真空吸着によって前記絶縁性樹脂部分を吸着し、前記絶縁性樹脂上面の平坦度を検査する機能を有する製造装置。
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    
    

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