RU2331951C1 - Светодиод с двухслойной компаундной областью - Google Patents

Светодиод с двухслойной компаундной областью Download PDF

Info

Publication number
RU2331951C1
RU2331951C1 RU2007129018/28A RU2007129018A RU2331951C1 RU 2331951 C1 RU2331951 C1 RU 2331951C1 RU 2007129018/28 A RU2007129018/28 A RU 2007129018/28A RU 2007129018 A RU2007129018 A RU 2007129018A RU 2331951 C1 RU2331951 C1 RU 2331951C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
compound
led
light
lens
Prior art date
Application number
RU2007129018/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Анатолий Валерьевич Феопёнтов (RU)
Анатолий Валерьевич Феопёнтов
Александр Александрович Богданов (RU)
Александр Александрович Богданов
Мари Валерьевна Нахимович (RU)
Мария Валерьевна Нахимович
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" filed Critical Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника"
Priority to RU2007129018/28A priority Critical patent/RU2331951C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2331951C1 publication Critical patent/RU2331951C1/ru

Links

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Изобретение относится к светотехнике, а именно к полупроводниковым источникам света, преимущественно к источникам белого света. Светодиод содержит, по меньшей мере, один полупроводниковый светоизлучающий элемент, покрытый линзой, имеющей расположенную над светоизлучающим элементом выемку, в которой сформирована двухслойная компаундная область. Указанная область включает нижний и верхний слои оптически прозрачного компаунда. Нижний слой компаунда, в котором распределены люминофорные частицы, имеет в отвержденном состоянии твердость большую, чем верхний слой. Изобретение обеспечивает повышение стабильности оптических характеристик светодиода. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к светотехнике, а именно к полупроводниковым источникам света, преимущественно к источникам белого света.
В современных светодиодных модулях широко применяются оптически прозрачные компаунды различного вида, которые используются, в частности, в качестве адгезионных, изоляционных и защитных покрытий, а также для формирования внешних оболочек полупроводниковых источников света.
Кроме того, компаунды находят применение в качестве сред для диспергирования частиц люминофора, используемых для получения требуемой цветности излучения светодиодного источника света. Так, в частности, в источниках белого света используется полупроводниковый элемент, излучающий свет в синей области видимого спектра, и люминофор, частично поглощающий синее излучение, и, в свою очередь, излучающий свет в желтой, оранжевой или красной области видимого спектра, так что суммарное излучение светодиодного источника света воспринимается человеком как белый свет.
Известны конструкции светодиодных модулей, в которых сформированы двухслойные компаундные области, включающие компаунды различного вида и функционального назначения.
Так, известен светодиод [WO 2006059828], в котором расположенный в отражателе полупроводниковый светоизлучающий элемент покрыт двумя слоями компаунда, нижний из которых имеет твердость, меньшую, чем верхний. При этом более твердый верхний слой компаунда выполняет защитную функцию, предохраняя от деформации нижний слой компаунда, и, соответственно, от поломки электрические контакты светодиода, залитые указанным нижним слоем компаунда.
Известен светодиод [JP 2003234511], в котором расположенный в отражателе полупроводниковый светоизлучающий элемент покрыт двумя слоями компаунда, в верхнем из которых распределены частицы люминофора. Нижний слой компаунда заполняет почти полностью полость отражателя. Верхний слой компаунда имеет значительно меньшую толщину, чем нижний слой, и слегка выступает за уровень верхних краев полости отражателя. При этом за счет того, что частицы люминофора имеют удельный вес, больший, чем удельный вес компаунда, в котором они распределены, верхний слой приобретает форму выпукло-вогнутой линзы, которая участвует в формировании светового излучения.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому техническому решению является светодиод с двойной компаундной областью, описанный в одном из частных случаев выполнения изобретения, защищенного патентом RU 2251761, который выбран авторами в качестве ближайшего аналога.
Рассматриваемый светодиод содержит по меньшей мере один полупроводниковый светоизлучающий элемент, покрытый линзой. Линза имеет расположенную над светоизлучающим элементом выемку, залитую двухслойной оптически прозрачной компаундной массой. Сформированная двухслойная компаундная область обеспечивает оптическую связь светоизлучающего элемента с линзой, при этом верхний слой является средой, в которой содержатся люминофорные частицы.
В рассматриваемом устройстве не предусмотрены специальные меры, направленные на предотвращение деформации люминофорного слоя в процессе изготовления светодиода. Между тем, при возникновении деформации люминофорного слоя, приводящей к изменению его формы и размеров, в значительной степени изменяются оптические характеристики светодиода.
Задачей заявляемого изобретения является повышение стабильности оптических характеристик светодиода.
Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что в светодиоде, содержащем по меньшей мере один полупроводниковый светоизлучающий элемент, покрытый линзой, имеющей расположенную над светоизлучающим элементом выемку, в которой сформирована двухслойная компаундная область, включающая нижний и верхний слои оптически прозрачного компаунда, в одном из которых распределены люминофорные частицы, согласно изобретению слой компаунда, в котором распределены люминофорные частицы, является нижним слоем, при этом нижний слой компаунда имеет в отвержденном состоянии твердость большую, чем верхний слой.
В частном случае выполнения изобретения нижний слой компаунда имеет в отвержденном состоянии твердость, достаточную для обеспечения постоянства распределения в его объеме люминофорных частиц.
В частном случае выполнения изобретения светодиод содержит расположенный в выемке линзы отражатель, в котором помещен светоизлучающий элемент и который является емкостью для нижнего слоя компаунда.
В заявляемом светодиоде связь линзы, обеспечивающей требуемое угловое распределение светового излучения, с полупроводниковым светоизлучающим элементом осуществляется через двухслойную компаундную область, сформированную в имеющейся в линзе выемке.
Являющийся в двухслойной компаундной области нижним люминофорный компаундный слой, который непосредственно покрывает полупроводниковый светоизлучающий элемент, обеспечивает эффективное преобразование цветности испускаемых указанным элементом световых лучей.
Верхний слой компаунда, расположенный поверх люминофорного компаундного слоя и заполняющий оставшийся свободный объем выемки линзы, необходим для обеспечения надежного оптического контакта на границах нижний люминофорный слой - верхний слой компаунда и верхний слой компаунда - линза.
Принципиально важным в заявляемом светодиоде является то, что для предотвращения в процессе сборки светодиода деформации нижнего люминофорного слоя он выполнен из компаунда, который в отвержденном состоянии имеет твердость, большую, чем верхний компаундный слой. В противном случае, когда верхний компаундный слой имеет одинаковую или большую твердость в отвержденном состоянии, чем нижний слой, при установке линзы заливочная компаундная масса верхнего слоя в отвержденном состоянии продавливает поверхность нижнего слоя, которая приобретает слегка вогнутую форму, то есть происходит деформация люминофорного слоя, обуславливающая изменение заданных световых характеристик светодиода.
Таким образом, техническим эффектом, достигаемым при использовании заявляемого изобретения, является повышение стабильности оптических характеристик светодиода.
Для предотвращения изменения с течением времени характеристик люминофорного слоя, обусловленного изменением местоположения частиц люминофора под действием на них сил тяжести, целесообразным является, чтобы нижний компаундный слой имел в отвержденном состоянии твердость, достаточно высокую для обеспечения постоянства распределения в его объеме люминофорных частиц. В случае, когда нижний компаундный слой в отвержденном состоянии имеет твердость, хотя и более высокую, чем верхний компаундный слой, но недостаточную, чтобы предотвратить перераспределение люминофорных частиц в его объеме, может происходить с течением времени "оседание" указанных частиц в слое компаунда, что может привести к изменению характеристик цветности излучения светодиода.
Применение в светодиоде расположенного в выемке линзы отражателя, в котором помещен светоизлучающий элемент и который является емкостью для нижнего слоя компаунда, обеспечивает более полное использование светового излучения.
На чертеже представлен общий вид заявляемого светодиода.
Светодиод содержит полупроводниковый светоизлучающий элемент (чип) 1, в частности, полупроводниковый светоизлучающий кристалл, излучающий свет в синей области видимого спектра. Чип 1 помещен в отражателе 2 и установлен на подложке (подкристальной плате) 3. Плата 3 расположена на основании 4, имеющем вертикально ориентированный верхний выступ (на чертеже не обозначен) для монтажа платы 3. Светодиод содержит также печатную коммутационную плату 5, имеющую отверстие (на чертеже не показано) под выступ основания 4 и помещенную поверх основания 4, так что его выступ пропущен через указанное отверстие в печатной плате 5. К печатной плате 5 подсоединены электрические контакты 6, соединяющие печатную плату 5 с подкристальной платой 3. Отражатель 2 с чипом 1 сверху закрыты линзой 7, при этом линза 7 имеет в нижней части выемку (на чертеже не обозначена), расположенную над отражателем 2 с чипом 1, в которой сформирована двухслойная компаундная область. Указанная область содержит выполненные из оптически прозрачных гелевых компаундов нижний слой 8 и верхний слой 9, при этом нижний слой 8 заполняет полость отражателя 2, а верхний слой 9 располагается в выемке линзы 7 поверх слоя 8.
В нижнем компаундном слое 8 распределены частицы люминофора (люминофоров), изменяющие цветность излучения чипа 1, в частности частицы иттрий-алюминиевого граната, излучающие свет в такой области видимого света, что суммарное излучение чипа 1 и люминофора воспринимается как белый свет.
Материалы компаундных слоев 8 и 9 выбраны из условия, что твердость в отвержденном состоянии нижнего люминофорного компаундного слоя 8 больше, чем верхнего компаундного слоя 9. При этом твердость в отвержденном состоянии нижнего компаундного слоя 8 имеет достаточно высокую величину, при которой исключается эффект перераспределения люминофорных частиц в объеме слоя 8 в процессе работы светодиода.
Так, например, в качестве гелевого компаунда для нижнего люминофорного слоя 8 может быть использован гелевый компаунд марки LS-6257, который в отвержденном состоянии имеет относительно высокое значение твердости, лежащее в диапазоне 20-80 единиц по Шору (класс А). В качестве гелевого компаунда для верхнего слоя 9 может быть, например, использован гелевый компаунд марки SilGel 612, имеющий значительно более низкое значение твердости в отвержденном состоянии, лежащее в диапазоне 20-70 единиц по Шору (класс 00).
Заявляемый светодиод изготавливают следующим образом.
Печатную плату 5 закрепляют на основании 4, например, приклеиванием. Чип 1 устанавливают на подкристальной плате 3, в частности, методом пайки, после чего плату 3 монтируют на основании 4, например, также методом пайки. Соединяют контактные площадки (на чертеже не показаны) печатной платы 5 с подкристальной платой 3 с помощью контактов 6. Устанавливают отражатель 2 на плате 3, например, с помощью клея. Заполняют полость отражателя 2 гелевым компаундом с распределенными в нем люминофорными частицами, образующим нижний слой 8 двухслойной компаундной области. Заполняют полость линзы 7 заливочной массой, образующей верхний слой 9 двухслойной компаундной области. После отверждения компаундных слоев 8 и 9 устанавливают линзу 7 на основании 4. Линза 7 может быть изготовлена, например, из теплостойкого поликарбоната, и закреплена на основании 4 методом горячей завальцовки (запрессовки).
Светодиод работает следующим образом.
При протекании тока через чип 1 последний излучает свет в некоторой, в частности в синей, области видимого спектра. Люминофорные частицы, находящиеся в нижнем компаундном слое 8, частично поглощают указанное излучение, преобразуют полученную энергию и в ходе процесса люминесценции излучают свет в другой области видимого спектра, изменяя цветность излучения, в частности, таким образом, что суммарное излучение воспринимается человеком как белый свет.
За счет выбранных вышеуказанным образом различающихся твердостей, которые в отвержденном состоянии имеют компаундные слои 8 и 9, исключается деформация люминофорного слоя 8 в процессе изготовления светодиода, а также не происходит перераспределение частиц люминофора в объеме слоя 8 в процессе работы светодиода, что обуславливает стабильность его оптических характеристик.

Claims (3)

1. Светодиод, содержащий по меньшей мере один полупроводниковый светоизлучающий элемент, покрытый линзой, имеющей расположенную над светоизлучающим элементом выемку, в которой сформирована двухслойная компаундная область, включающая нижний и верхний слои оптически прозрачного компаунда, в одном из которых распределены люминофорные частицы, отличающийся тем, что слой компаунда, в котором распределены люминофорные частицы, является нижним слоем, при этом нижний слой имеет в отвержденном состоянии твердость большую, чем верхний слой.
2. Светодиод по п.1, отличающийся тем, что нижний слой компаунда имеет в отвержденном состоянии твердость, достаточную для обеспечения постоянства распределения в его объеме люминофорных частиц.
3. Светодиод по п.1 или 2, отличающийся тем, что он содержит расположенный в выемке линзы отражатель, в котором помещен светоизлучающий элемент и полость которого является емкостью для нижнего слоя компаунда.
RU2007129018/28A 2007-07-24 2007-07-24 Светодиод с двухслойной компаундной областью RU2331951C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007129018/28A RU2331951C1 (ru) 2007-07-24 2007-07-24 Светодиод с двухслойной компаундной областью

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007129018/28A RU2331951C1 (ru) 2007-07-24 2007-07-24 Светодиод с двухслойной компаундной областью

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2331951C1 true RU2331951C1 (ru) 2008-08-20

Family

ID=39748144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007129018/28A RU2331951C1 (ru) 2007-07-24 2007-07-24 Светодиод с двухслойной компаундной областью

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2331951C1 (ru)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2451365C1 (ru) * 2011-02-22 2012-05-20 Закрытое Акционерное Общество "Кб "Света-Лед" Светоизлучающий диод
RU2475887C1 (ru) * 2011-08-01 2013-02-20 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с удаленным отражательным многослойным фотолюминесцентным конвертером
RU2481670C2 (ru) * 2007-12-11 2013-05-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Устройство бокового свечения с гибридным верхним отражателем
RU2499329C2 (ru) * 2011-09-02 2013-11-20 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Люминесцирующая поликарбонатная пленка для белых светодиодов и детекторов
RU2511030C2 (ru) * 2009-12-04 2014-04-10 Анатолий Васильевич Вишняков Композиционный люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света
RU2571176C1 (ru) * 2014-07-14 2015-12-20 Гиа Маргович Гвичия Светодиодная матрица
WO2015188172A3 (en) * 2014-06-06 2016-01-28 Rohinni, LLC Manufacture of circuit assembly with unpackaged semiconductor devices
RU2589338C2 (ru) * 2011-06-10 2016-07-10 Конинклейке Филипс Н.В. Устройство вывода света и способ его изготовления
US9985003B2 (en) 2015-03-20 2018-05-29 Rohinni, LLC Substrate with array of LEDs for backlighting a display device
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10203627B2 (en) 2014-06-06 2019-02-12 Rohinni, LLC Electrophotographic deposition of unpackaged semiconductor device
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10566507B2 (en) 2017-01-12 2020-02-18 Rohinini, LLC Apparatus for high speed printing of semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2481670C2 (ru) * 2007-12-11 2013-05-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Устройство бокового свечения с гибридным верхним отражателем
RU2511030C2 (ru) * 2009-12-04 2014-04-10 Анатолий Васильевич Вишняков Композиционный люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света
RU2451365C1 (ru) * 2011-02-22 2012-05-20 Закрытое Акционерное Общество "Кб "Света-Лед" Светоизлучающий диод
RU2589338C2 (ru) * 2011-06-10 2016-07-10 Конинклейке Филипс Н.В. Устройство вывода света и способ его изготовления
RU2475887C1 (ru) * 2011-08-01 2013-02-20 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с удаленным отражательным многослойным фотолюминесцентным конвертером
RU2499329C2 (ru) * 2011-09-02 2013-11-20 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Люминесцирующая поликарбонатная пленка для белых светодиодов и детекторов
US10203627B2 (en) 2014-06-06 2019-02-12 Rohinni, LLC Electrophotographic deposition of unpackaged semiconductor device
WO2015188172A3 (en) * 2014-06-06 2016-01-28 Rohinni, LLC Manufacture of circuit assembly with unpackaged semiconductor devices
US20170194171A1 (en) * 2014-06-06 2017-07-06 Rohinni, LLC Manufacture of Circuit Assembly with Unpackaged Semiconductor Devices
RU2571176C1 (ru) * 2014-07-14 2015-12-20 Гиа Маргович Гвичия Светодиодная матрица
US10636770B2 (en) 2015-03-20 2020-04-28 Rohinni, LLC Apparatus and method for direct transfer of semiconductor devices from a substrate and stacking semiconductor devices on each other
US11488940B2 (en) 2015-03-20 2022-11-01 Rohinni, Inc. Method for transfer of semiconductor devices onto glass substrates
US10157896B2 (en) 2015-03-20 2018-12-18 Rohinni, LLC Method and apparatus for light diffusion
US10170454B2 (en) 2015-03-20 2019-01-01 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of semiconductor device die from a mapped wafer
US11562990B2 (en) 2015-03-20 2023-01-24 Rohinni, Inc. Systems for direct transfer of semiconductor device die
US10242971B2 (en) 2015-03-20 2019-03-26 Rohinni, LLC Apparatus for direct transfer of semiconductor devices with needle retraction support
US10290615B2 (en) 2015-03-20 2019-05-14 Rohinni, LLC Method and apparatus for improved direct transfer of semiconductor die
US10325885B2 (en) 2015-03-20 2019-06-18 Rohinni, LLC Semiconductor device on string circuit and method of making the same
US11515293B2 (en) 2015-03-20 2022-11-29 Rohinni, LLC Direct transfer of semiconductor devices from a substrate
US10361176B2 (en) 2015-03-20 2019-07-23 Rohinni, LLC Substrate with array of LEDs for backlighting a display device
US10373937B2 (en) 2015-03-20 2019-08-06 Rohinni, LLC Apparatus for multi-direct transfer of semiconductors
US11152339B2 (en) 2015-03-20 2021-10-19 Rohinni, LLC Method for improved transfer of semiconductor die
US10910354B2 (en) 2015-03-20 2021-02-02 Rohinni, LLC Apparatus for direct transfer of semiconductor device die
US10490532B2 (en) 2015-03-20 2019-11-26 Rohinni, LLC Apparatus and method for direct transfer of semiconductor devices
US9985003B2 (en) 2015-03-20 2018-05-29 Rohinni, LLC Substrate with array of LEDs for backlighting a display device
US10622337B2 (en) 2015-03-20 2020-04-14 Rohinni, LLC Method and apparatus for transfer of semiconductor devices
US10566319B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Rohinni, LLC Apparatus for direct transfer of semiconductor device die
US10615153B2 (en) 2015-03-20 2020-04-07 Rohinni, LLC Apparatus for direct transfer of semiconductor device die
US10615152B2 (en) 2015-03-20 2020-04-07 Rohinni, LLC Semiconductor device on glass substrate
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US11069551B2 (en) 2016-11-03 2021-07-20 Rohinni, LLC Method of dampening a force applied to an electrically-actuatable element
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US11462433B2 (en) 2016-11-23 2022-10-04 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10566507B2 (en) 2017-01-12 2020-02-18 Rohinini, LLC Apparatus for high speed printing of semiconductor devices
US10354895B2 (en) 2017-01-18 2019-07-16 Rohinni, LLC Support substrate for transfer of semiconductor devices
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
US11728195B2 (en) 2018-09-28 2023-08-15 Rohinni, Inc. Apparatuses for executing a direct transfer of a semiconductor device die disposed on a first substrate to a second substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2331951C1 (ru) Светодиод с двухслойной компаундной областью
US9252342B2 (en) LED module with improved light output
TWI392833B (zh) 燈罩以及使用該燈罩的led燈
US9791119B2 (en) Light emitting module and head lamp including the same
US8421102B2 (en) Semiconductor light-emitting device having a member in a periphery made of a material whose color, transparency or adhesiveness changes overtime due to light or heat emission from the emitting element
TWI599078B (zh) 具濕氣阻隔結構之晶片級封裝發光裝置
US10361349B2 (en) Light emitting diodes, components and related methods
KR20090031446A (ko) 조명 디바이스 패키지
TWI648880B (zh) 形成發光裝置之方法
JP2012533904A5 (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2006066786A (ja) 発光ダイオード
CN102779815A (zh) 发光二极管的封装结构及其制法
US10347803B2 (en) Light emitting device package and light system including the same
JP2015082550A (ja) 発光モジュール、照明装置および照明器具
US20110194273A1 (en) Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit
JP2007043074A (ja) 照明装置
TWI384659B (zh) 發光二極體封裝結構
EP2549553B1 (en) Led module and manufacturing method thereof
JP6537259B2 (ja) 発光装置
CN102479909B (zh) 发光二极管
TW201426966A (zh) 發光二極體燈條
KR20150049669A (ko) 발광 장치
JP2008218484A (ja) 照明装置
JP5738257B2 (ja) 発光装置
TW201316565A (zh) 具膠牆的發光二極體封裝方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180725