KR20230064115A - 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법 - Google Patents

엘이디 전사 장치 및 그 제어방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230064115A
KR20230064115A KR1020210149342A KR20210149342A KR20230064115A KR 20230064115 A KR20230064115 A KR 20230064115A KR 1020210149342 A KR1020210149342 A KR 1020210149342A KR 20210149342 A KR20210149342 A KR 20210149342A KR 20230064115 A KR20230064115 A KR 20230064115A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
panel
wafer
moving mechanism
stage
stage moving
Prior art date
Application number
KR1020210149342A
Other languages
English (en)
Inventor
최민성
노승욱
김성연
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020210149342A priority Critical patent/KR20230064115A/ko
Publication of KR20230064115A publication Critical patent/KR20230064115A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

엘이디 전사 장치는 패널이 배치되는 패널 스테이지; 패널 스테이지를 무빙시키는 패널 스테이지 무빙기구; 복수개 엘이디가 형성된 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지; 웨이퍼 스테이지를 무빙시키는 웨이퍼 스테이지 무빙기구; 웨이퍼의 상측에 서로 이격되게 배치되고, 상기 복수개 엘이디를 패널로 전사하는 복수개의 이젝터 헤드; 패널 스테이지 무빙기구와, 웨이퍼 스테이지 무빙기구와, 복수개의 이젝터 헤드를 제어하는 컨트롤러를 포함할 수 있다. 컨트롤러는 얼라인 공정과, 전사 공정을 순차적으로 실시할 수 있다. 얼라인 공정은 웨이퍼와 패널이 얼라인되도록 패널 스테이지 무빙기구와 웨이퍼 스테이지 무빙기구를 작동할 수 있다. 전사 공정은 얼라인 공정 후, 패널 스테이지 무빙기구를 정지한 상태에서, 이젝터 헤드와 웨이퍼 스테이지 무빙기구를 복수회 작동할 수 있다.

Description

엘이디 전사 장치 및 그 제어방법{Light Emitting Diode transfer apparatus and Control method of the same}
본 발명은 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.
최근 마이크로 LED가 차세대 기술로 각광받으면서, 이를 플렉시블 디스플레이, 가전기기, 웨어러블 디바이스 및 바이오/의료 분야 등에 활용하고자 하는 연구가 활발하게 진행되고 있다.
또한, 현대 기술이 개발되면서 공법 및 공정에서 사용되는 소재 및 물체의 크기는 계속하여 um에서 nm까지 줄어 들고 있으며, 이에 따라 기존에 존재하는 방식인 1:1 전사 방식으로는 1개의 제품이 나오기까지 걸리는 제조 시간이 기하급수적으로 늘어나고 있다.
대한민국 공개특허공보 10-2018-0115584 A(2018년10월23일 공개)에는 엘이디칩을 패널에 전사하는 엘이디칩 전사헤드 및 이를 포함하는 엘이디칩 전사장비가 개시되어 있다.
엘이디칩 전사장비는 베이스와; 도너(Donor)에 전사된 엘이디칩을 패널에 전사하는 엘이디칩 전사헤드와; 상기 베이스에 올려지고, 상기 엘이디칩 전사헤드가 장착되며, 상기 엘이디칩 전사헤드를 3축 구동시키는 3축 구동기구와; 상기 엘이디칩 전사헤드를 제어하는 제어부를 포함하고, 상기 엘이디칩 전사헤드는 엘이디칩이 전사된 도너가 흡착되는 흡착판; 상기 흡착판이 연결되고 상기 흡착판을 승강시키는 승강기구와; 상기 승강기구가 연결되고 상기 승강기구를 틸팅시키는 틸팅기구와; 상기 흡착판에 장착되어 상기 엘이디칩이 전사될 패널과 거리를 측정하는 다수개의 거리측정센서를 포함하고, 상기 제어부는 상기 다수개의 거리측정센서의 측정값에 따라 상기 도너와 패널의 평행 여부를 판단하고, 상기 도너와 패널이 평행하게 상기 틸팅기구를 구동한 후, 상기 승강기구를 하강시킨다.
또한, 미국 특허공보 9871023 B2(2018년 01월 16 특허)에는 웨이퍼 테잎에 형성된 반도체 기구를 제품 기판으로 ?ケ穗? 반도체 기구 운반 방법이 개시되어 있다.
반도체 기구 운반 방법이 적용되는 장비는 제품 기판을 운반하는 제품 기판 운반 매커니즘과, 반도체 기구가 형성된 웨이퍼 테잎을 운반하는 웨이퍼 테잎 컨베이어를 포함하고, 웨이퍼 테잎이 제품 기판을 향하도록 위치시킨 후, 웨이퍼 테잎을 가압할 수 있는 핀을 갖는 액추에이터가 작동하면, 웨이퍼 테잎에 형성된 반도체 기구가 제품 기판으로 ?グ保愎?.
대한민국 공개특허공보 10-2018-0115584 A(2018년10월23일 공개) 미국 특허공보 9871023 B2(2018년 01월 16 특허)
본 실시예는 디스플레이의 제조 시간을 최소화할 수 있는 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 실시 예에 따른 엘이디 전사 장치는, 패널이 배치되는 패널 스테이지; 패널 스테이지를 무빙시키는 패널 스테이지 무빙기구; 복수개 엘이디가 형성된 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지; 웨이퍼 스테이지를 무빙시키는 웨이퍼 스테이지 무빙기구; 웨이퍼의 상측에 서로 이격되게 배치되고, 복수개 엘이디를 패널로 전사하는 복수개의 이젝터 헤드; 및 패널 스테이지 무빙기구와, 웨이퍼 스테이지 무빙기구와, 복수개의 이젝터 헤드를 제어하는 컨트롤러를 포함할 수 있다. 컨트롤러는 얼라인 공정과, 전사 공정을 순차적으로 실시할 수 있다. 얼라인 공정은 웨이퍼와 패널이 얼라인되도록 패널 스테이지 무빙기구와 웨이퍼 스테이지 무빙기구를 작동할 수 있다. 전사 공정은 얼라인 공정 후, 패널 스테이지 무빙기구를 정지한 상태에서, 이젝터 헤드와 웨이퍼 스테이지 무빙기구를 복수회 작동할 수 있다.
얼라인 공정시 패널 스테이지 무빙기구는 패널 스테이지를 패널 피치만큼 무빙시킬 수 있다. 전사 공정시 웨이퍼 스테이지 무빙기구는 웨이퍼 스테이지를 웨이퍼 피치씩 복수회 무빙시킬 수 있으며, 웨이퍼 피치는 패널 피치 보다 짧을 수 있다.
본 실시 예에 따른 엘이디 전사 장치의 제어 방법은, 패널이 배치되는 패널 스테이지; 패널 스테이지를 무빙시키는 패널 스테이지 무빙기구; 복수개 엘이디가 형성된 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지; 웨이퍼 스테이지는 무빙시키는 웨이퍼 스테이지 무빙기구; 웨이퍼의 상측에 서로 이격되게 배치되고, 복수개 엘이디를 패널로 전사하는 복수개의 이젝터 헤드를 포함하는 엘이디 전사 장치를 제어할 수 있고, 패널 스테이지 무빙기구와 웨이퍼 스테이지 무빙기구 작동하여, 상기 웨이퍼와 패널을 얼라인하는 제1단계와, 제1단계후, 상기 패널 스테이지 무빙기구를 정지한 상태에서, 상기 웨이퍼 스테이지 무빙기구와 이젝터 헤드를 작동하는 제2단계를 포함할 수 있다.
제1단계시 패널 스테이지 무빙기구는 패널 스테이지를 패널 피치 무빙시킬 수 있다. 제2단계시 웨이퍼 스테이지 무빙기구는 웨이퍼 스테이지를 웨이퍼 피치로 무빙시킬 수 있으며, 웨이퍼 피치는 패널 피치 보다 짧을 수 있다.
본 실시 예에 따르면, 패널에 복수개의 엘이디를 전사할 때, 패널의 이동 횟수를 최소화할 수 있고, 디스플레이의 제조 시간을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 실시 예에 따른 엘이디 전사 장치가 복수개 엘이디를 패널에 전사하는 과정이 도시된 도,
도 2은 본 실시 예에 따른 엘이디 전사 장치의 제어 블럭도,
도 3은 비교예가 복수개 엘이디를 패널에 전사하는 과정이 도시된 도,
도 4는 본 실시 예에 따른 엘이디 전사 방법의 순서도,
도 5는 비교예에 따른 엘이디 전사과정과 본 실시예에 따른 엘이디 전사 과정을 비교한 도,
도 6은 본 실시예에 따른 엘이디 전사 방식에 따른 이젝터 헤드의 개수에 따른 단위 시간당 전사되는 엘이디의 수의 관계가 도시된 도이다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시 예를 도면과 함께 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 실시 예에 따른 엘이디 전사 장치가 복수개 엘이디를 패널에 전사하는 과정이 도시된 도이고, 도 2은 본 실시 예에 따른 엘이디 전사 장치의 제어 블럭도이다.
그리고, 도 3은 비교예가 복수개 엘이디를 패널에 전사하는 과정이 도시된 도이다.
엘이디 전사 장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)에 형성된 복수개 엘이디(2)를 패널(3)에 전사시킬 수 있는 장치이다.
웨이퍼(1)는 패널(3)에 복수개 엘이디(2)를 전사하기 위한 도너(Doner) 또는 캐리어(Carrier)일 수 있다. 웨이퍼(1)는 외부에서 외력이 가해지면, 외력이 가해진 부분이 휘거나 굽을 수 있는 탄성 재질일 수 있다. 웨이퍼(1)는 패널(3)의 상측에서 패널(3)로 복수개 엘이디(2)를 전사할 수 있다.
엘이디(2)는 반도체 기구일 수 있고, 엘이디 칩일 수 있다. 복수개의 엘이디(2)는 웨이퍼(1)의 저면에 형성되어 있고, 웨이퍼(1)에 의해 패널(1)의 상측 위치로 운반될 수 있고, 엘이디 전사 장치에 의해 패널(3)의 상면으로 전사될 수 있다.
패널(3)는 복수개의 엘이디(2)가 설치되는 기판 또는 엘이디 설치 기판일 수 있고, 패널(3)은 복수개의 엘이디(2)와 조립되어 디스플레이를 구성할 수 있다.
패널(3)에는 복수개 엘이디(2)를 연결하는 회로가 형성될 수 있다.
엘이디 전사 장치는 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 패널(3)이 배치되는 패널 스테이지(4); 패널 스테이지(4)를 무빙시키는 패널 스테이지 무빙기구(5); 복수개 엘이디(2)가 형성된 웨이퍼(1)를 지지하는 웨이퍼 스테이지(6); 웨이퍼 스테이지(6)를 무빙시키는 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7) 및 웨이퍼(1)의 상측에 서로 이격되게 배치되고, 복수개 엘이디(2)를 패널(3)로 전사하는 복수개의 이젝터 헤드(8)를 포함한다.
엘이디 전사 장치는 베이스(10) 또는 프레임을 포함할 수 있다. 패널 스테이지(4)는 베이스(10) 위에 놓일 수 있고 패널 스테이지 무빙기구(5)에 의해 베이스(10) 위에서 이동될 수 있다.
패널 스테이지 무빙기구(5)와, 웨이퍼 스테이지(6)와, 스테이지 무빙기구(7) 및 복수개의 이젝터 헤드(8)는 베이스(10)에 지지될 수 있다.
패널(3)은 로봇이나 컨베이어 등의 운송기구(미도시)에 의해 패널 스테이지(4)에 놓일 수 있고, 패널 스테이지(4)는 패널 스테이지 무빙기구(5)에 의해 복수개의 엘이디(2)가 전사될 수 있는 전사위치로 이동될 수 있다.
패널 스테이지 무빙기구(5)는 패널 스테이지(4)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 패널 스테이지 무빙기구(5)는 패널 스테이지(4)를 전후 방향과 좌우 방향의 양 방향으로 이동시킬 수 있다. 패널 스테이지 무빙기구(5)는 모터나 실린더 등의 구동원과, 구동원의 동력을 패널 스테이지(4)로 전달하는 적어도 하나의 동력전달부재를 포함할 수 있다.
웨이퍼 스테이지(6)는 웨이퍼(1)가 지지되는 스테이지 또는 프레임일 수 있고, 웨이퍼(1)가 패널(3)과 나란하도록 웨이퍼(1)를 지지할 수 있다.
웨이퍼 스테이지 무빙기구(7)는 웨이퍼 스테이지(6)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7)는 웨이퍼 스테이지(6)를 전후 방향과 좌우 방향의 양 방향으로 이동시킬 수 있다. 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7)는 모터나 실린더 등의 구동원과, 구동원의 동력을 웨이퍼 스테이지(6)로 전달하는 적어도 하나의 동력전달부재를 포함할 수 있다.
복수개 이젝터 헤드(8) 각각의 예는 핀과, 핀을 상하 왕복시킬 수 있는 모터등의 액츄에이터를 포함할 수 있다.
복수개 이젝터 헤드(8)는 수평방향으로 이격될 수 있다. 복수개 이젝터 헤드(8)는 하나의 헤드 홀더(11)에 장착될 수 있다. 헤드 홀더(11)는 베이스(10) 위에 베이스(10)와 이격되게 배치될 수 있고, 베이스(10) 위에 배치된 프레임 바디(미도시)에 지지될 수 있다.
도 1의 (a)는 제1이젝터 헤드(8A)가 웨이퍼(1)에 형성된 복수개 엘이디(2)의 어느 하나(2A)를 패널(3)로 전사할 때의 도이고, 도 1의 (b)는 웨이퍼(1)가 웨이퍼 피치만큼 이동된 후 제2이젝터 헤드(8B)가 웨이퍼(1)에 형성된 복수개 엘이디(2)의 다른 하나(2B))를 패널로 전사할 때의 도이다.
엘이디(2)의 크기는 100㎛ 내지 500㎛ 정도의 미니 엘이디일 수 있고, 패널(3)에는 십만개 이상의 엘이디(2)가 전사될 수 있으며, 본 실시예는 복수개 이젝터 헤드(8)에 복수의 엘이디(2)를 빠른 시간 안에 효율적으로 전사할 수 있다.
비교예는 엘이디 전사 장치가 하나의 이젝터 헤드만을 갖는 경우로서, 도 3에 도시된 바와 같이, 하나의 이젝터 헤드(8, 핀 또는 레이져)가 엘이디(1)를 1개씩 패널(3)에 전사하는데, 이 경우, 패널(3)의 피치에 따라 단위 시간당 전사되는 엘이디의 수(UPH; Unit Per Hour)가 결정되고, 패널(3)의 피치가 길수록 UPH는 낮게 된다.
본 실시예는 패널(3)의 피치가 길더라도 패널(3)의 이동 회수를 최소화할 수 있고, UPH(UPH; Unit Per Hour)를 향상시킬 수 있다.
엘이디 전사 장치는 패널 스테이지 무빙기구(5)와, 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7)와, 복수개의 이젝터 헤드(8)를 제어하는 컨트롤러(9)를 포함할 수 있다. 엘이디 전사 장치는 사용자가 운전 명령 등의 각종 명령을 입력하는 조작부(91)와, 웨이퍼(1)와 패널(3)의 얼라인을 센싱할 수 있는 얼라인 센서(92)를 포 포함할 수 있다.
컨트롤러(9)는 엘이디 전사 장치의 전반적인 동작을 제어할 수 있는 마이컴을 포함할 수 있다.
컨트롤러(9)는 조작부(91)를 통해 운전명령이 입력되면, 미리 정해진 프로그램에 따라 엘이디 전사 장치를 작동한다.
조작부(91)는 엘이디 전사 장치에 구비된 조작 패널인 것도 가능하고, 엘이디 전사 장치에 연결된 컴퓨터인 것도 가능하다.
얼라인 센서(92)는 웨이퍼(1)에 구비된 마킹을 센싱할 수 있는 센서다. 얼라인 센서(92)의 일예는 비젼센서일 수 있다.
컨트롤러(9)는 얼라인 공정과, 전사 공정을 순차적으로 실시할 수 있다.
얼라인 공정은 웨이퍼(1)와 패널(3)이 얼라인되도록 패널 스테이지 무빙기구(5)와 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7)를 작동할 수 있다.
얼라인 공정시, 패널 스테이지 무빙기구(5)는 패널 스테이지(4)를 패널 피치(P1, 도 5 참조) 만큼 무빙시킬 수 있다.
웨이퍼(1)와 패널(3)은 이동될 수 있고, 웨이퍼(1)는 패널(3)의 상측으로 이동될 수 있다.
얼라인 센서(92)가 웨이퍼(1)에 구비된 마킹을 센싱하면, 얼라인 공정은 완료될 수 있다.
전사 공정은 얼라인 공정 후, 패널 스테이지 무빙기구(5)를 정지한 상태에서, 실시될 수 있고, 이젝터 헤드(8)와 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7)를 복수회 작동할 수 있다.
전사 공정시 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7)는 웨이퍼 스테이지(6)를 웨이퍼 피치(P2, 도 5 참조)씩 복수회 무빙시킬 수 있다.
전사 공정시, 복수개의 이젝터 헤드(8)는 시간차를 두고 작동될 수 있고, 웨이퍼(1)가 이동될 때 마다 웨이퍼(1)에 형성된 엘이디(2)는 이젝터 헤드(8)의 개수만큼 패널(3)로 전사될 수 있다.
도 4는 본 실시 예에 따른 엘이디 전사 장치의 제어 방법의 순서도이다.
엘이디 전사 장치의 제어 방법은 패널(3)이 배치되는 패널 스테이지(4); 패널 스테이지(4)를 무빙시키는 패널 스테이지 무빙기구(5); 복수개 엘이디(2)가 형성된 웨이퍼(1)를 지지하는 웨이퍼 스테이지(6); 웨이퍼 스테이지(6)를 무빙시키는 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7); 웨이퍼(1)의 상측에 서로 이격되게 배치되고, 복수개 엘이디(2)를 패널(3)로 전사하는 복수개의 이젝터 헤드(8)를 포함하는 엘이디 전사 장치를 제어하는 방법이다.
엘이디 전사 장치의 제어 방법은 제1단계(S1)와, 제2단계(S2)를 포함할 수 있다.
제1단계(S1)는 패널 스테이지 무빙기구(5)와 웨이퍼 스테이지 무빙기구(6)를 작동하여, 웨이퍼(1)와 패널(3)을 얼라인하는 단계일 수 있다.
제1단계(S1)시, 패널 스테이지 무빙기구(5)가 패널 스테이지(4)를 패널 피치(P1, 도 5 참조) 무빙시킬 수 있다.
제2단계(S2)는 제1단계(S1) 후, 패널 스테이지 무빙기구(5)를 정지한 상태에서, 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7)와 이젝터 헤드(8)를 작동하는 단계일 수 있다.
제2단계(S2)시, 웨이퍼 스테이지 무빙기구(7)가 웨이퍼 스테이지(6)를 웨이퍼 피치(P2, 도 5 참조)무빙시킬 수 있다.
도 5는 비교예에 따른 엘이디 전사과정과 본 실시예에 따른 엘이디 전사 과정을 비교한 도이고, 도 6은 본 실시예에 따른 엘이디 전사 방식에 따른 이젝터 헤드의 개수에 따른 단위 시간당 전사되는 엘이디의 수의 관계가 도시된 도이다.
패널 피치(P1)는 패널(3)에 복수개 엘이디(2)를 전사시키기 위해 패널(3)를 이동시키는 거리일 수 있다.
웨이퍼 피치(P2)는 웨이퍼(1)를 패널(3) 위에서 복수회 이동시키는 거리일 수 있다.
웨이퍼 피치(P2)는 패널 피치(P1) 보다 짧을 수 있다. 패널 피치(P1)는 웨이퍼 피치(P2)의 15배 내지 20배일 수 있다. 웨이퍼 피치(P2)의 예는 0.3mm일 수 있고, 패널 피치(P1)의 예는 5mm일 수 있다.
도 5의 (a)에 도시된 비교예는 하나의 이젝터 헤드가 배치된 경우로서, 웨이퍼(1)가 5mm씩 이동시마다 하나의 엘이디(2)가 패널(3)로 전사될 수 있고, 웨이퍼(1)는 총 16회 이동될 수 있다. 이 경우, 단위 시간당 전사되는 엘이디의 수(UPH; Unit Per Hour)는 36,000일 수 있고, 하나의 엘이디(2)가 전사되는 시간은 100ms일 수 있다.
도 5의 (b)에 도시된 일 예는 2개의 이젝터 헤드(8)가 배치된 경우로서, 웨이퍼(1)는 제1수평방향(X)으로 10mm씩 이동할 수 있고, 제1수평방향(X)과 직교한 제2수평방향(Y)으로 5mm씩 이동할 수 있으며, 웨이퍼(1)의 이동시마다 2개의 엘이디(2)가 패널(2)로 전사될 수 있고, 웨이퍼(1)는 총 8회 이동될 수 있다. 이 경우, 단위 시간당 전사되는 엘이디의 수(UPH)는 40,449일 수 있으며, 2개의 엘이디(2)가 전사되는 시간은 178ms로서, 웨이퍼(1)의 이동시마다 하나의 이젝터 헤드(8)가 하나의 엘이디(2)를 전사하는 비교예의 경우 보다 전체 시간을 12,3% 단축될 수 있다.
도 5의 (c)에 도시된 다른 예는 4개의 이젝터 헤드(8)가 배치된 경우로서, 이젝터 헤드(8)는 대략 정사각형 공간 내에 2x2 형태로 배치될 수 있으며, 웨이퍼(1)가 제1수평방향(X)과 제2수평방향(Y)으로 각각 10mm씩 이동할 수 있고, 웨이퍼(1)의 이동시마다 4개의 엘이디(2)가 패널(2)로 전사될 수 있고, 웨이퍼(1)는 총 4회 이동될 수 있다. 이 경우, 단위 시간당 전사되는 엘이디의 수(UPH)는 44,307일 수 있으며, 4개의 엘이디(2)가 전사되는 시간은 178ms로서, 웨이퍼(1)의 이동시마다 하나의 이젝터 헤드(8)가 하나의 엘이디(2)를 전사하는 비교예의 경우 보다 전체 시간을 23% 단축될 수 있다.
패널(3)이 정사각형 또는 직사각형 형상일 경우, 이젝터 헤드(8)의 개수는 2개이거나 4개(2X2)이거나 9개(3X3)인 것이 바람직하다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1: 웨이퍼 2: 복수의 엘이디
3: 패널 4: 패널 스테이지
5: 패널 스테이지 무빙기구 6: 웨이퍼 스테이지
7: 웨이퍼 스테이지 무빙기구 8: 복수개의 이젝터 헤드
9: 컨트롤러

Claims (4)

  1. 패널이 배치되는 패널 스테이지;
    상기 패널 스테이지를 무빙시키는 패널 스테이지 무빙기구;
    복수개 엘이디가 형성된 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지;
    상기 웨이퍼 스테이지를 무빙시키는 웨이퍼 스테이지 무빙기구;
    상기 웨이퍼의 상측에 서로 이격되게 배치되고, 상기 복수개 엘이디를 패널로 전사하는 복수개의 이젝터 헤드; 및
    상기 패널 스테이지 무빙기구와, 웨이퍼 스테이지 무빙기구와, 복수개의 이젝터 헤드를 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
    상기 컨트롤러는
    상기 웨이퍼와 패널이 얼라인되도록 상기 패널 스테이지 무빙기구와 상기 웨이퍼 스테이지 무빙기구를 작동하는 얼라인 공정과,
    상기 얼라인 공정 후, 상기 패널 스테이지 무빙기구를 정지한 상태에서, 상기 복수개 이젝터 헤드와 웨이퍼 스테이지 무빙기구를 복수회 작동하는 전사 공정을 순차적으로 실시하는 엘이디 전사 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는
    상기 얼라인 공정시 상기 패널 스테이지 무빙기구는 상기 패널 스테이지를 패널 피치만큼 무빙시키고,
    상기 전사 공정시 상기 웨이퍼 스테이지 무빙기구는 상기 웨이퍼 스테이지를 웨이퍼 피치씩 복수회 무빙시키며,
    상기 웨이퍼 피치는 상기 패널 피치 보다 짧은 엘이디 전사 장치.
  3. 패널이 배치되는 패널 스테이지; 상기 패널 스테이지를 무빙시키는 패널 스테이지 무빙기구; 복수개 엘이디가 형성된 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 스테이지; 상기 웨이퍼 스테이지를 무빙시키는 웨이퍼 스테이지 무빙기구; 상기 웨이퍼의 상측에 서로 이격되게 배치되고, 상기 복수개 엘이디를 패널로 전사하는 복수개의 이젝터 헤드를 포함하는 엘이디 전사 장치의 제어 방법에 있어서,
    상기 패널 스테이지 무빙기구와 상기 웨이퍼 스테이지 무빙기구 작동하여, 상기 웨이퍼와 패널을 얼라인하는 제1단계와,
    상기 제1단계후, 상기 패널 스테이지 무빙기구를 정지한 상태에서, 상기 웨이퍼 스테이지 무빙기구와 복수개 이젝터 헤드를 작동하는 제2단계를 포함하는 엘이디 전사 장치의 제어 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1단계시 상기 패널 스테이지 무빙기구가 상기 패널 스테이지를 패널 피치 무빙시키고,
    상기 제2단계시 상기 웨이퍼 스테이지 무빙기구가 상기 웨이퍼 스테이지를 웨이퍼 피치로 무빙시키며,
    상기 웨이퍼 피치는 상기 패널 피치 보다 짧은 엘이디 전사 장치의 제어 방법.
KR1020210149342A 2021-11-03 2021-11-03 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법 KR20230064115A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210149342A KR20230064115A (ko) 2021-11-03 2021-11-03 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210149342A KR20230064115A (ko) 2021-11-03 2021-11-03 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230064115A true KR20230064115A (ko) 2023-05-10

Family

ID=86386129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210149342A KR20230064115A (ko) 2021-11-03 2021-11-03 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230064115A (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9871023B2 (en) 2015-03-20 2018-01-16 Rohinni, LLC Method for transfer of semiconductor devices
KR20180115584A (ko) 2017-04-13 2018-10-23 엘지전자 주식회사 엘이디칩 전사헤드 및 이를 포함하는 엘이디칩 전사장비

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9871023B2 (en) 2015-03-20 2018-01-16 Rohinni, LLC Method for transfer of semiconductor devices
KR20180115584A (ko) 2017-04-13 2018-10-23 엘지전자 주식회사 엘이디칩 전사헤드 및 이를 포함하는 엘이디칩 전사장비

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6511074B2 (ja) 基板搬送ロボットおよびその運転方法
JP6383152B2 (ja) 移載方法、保持装置及び移載システム
KR20170024906A (ko) 마이크로 디바이스의 픽업 헤드유닛
KR101291495B1 (ko) 로봇 및 그 교시 방법
JP4849825B2 (ja) 処理装置、位置合わせ方法、制御プログラムおよびコンピュータ記憶媒体
CN103193085B (zh) 搬运系统
JP6088243B2 (ja) エンドエフェクタ
WO2006003820A1 (ja) 移載装置
TWI743614B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20080030111A (ko) 가공대상물 수납장치
CN107026110B (zh) 基板交接位置的示教方法和基板处理系统
CN113228246A (zh) 基板搬运机器人和自动示教方法
KR101548920B1 (ko) 이송로봇의 티칭시스템 및 이를 이용한 이송로봇의 티칭방법
US11282730B2 (en) Bridge apparatus for semiconductor die transfer
JP5877761B2 (ja) 保持装置、搬送システム及び保持方法
KR20230064115A (ko) 엘이디 전사 장치 및 그 제어방법
US20220351994A1 (en) Substrate mapping device, method of mapping by the device, and method of teaching the mapping
JP2011192676A (ja) 基板処理装置、積層半導体装置製造方法及び積層半導体装置
KR101471900B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6246605B2 (ja) 剥離装置および剥離方法
JP6207857B2 (ja) 剥離装置および剥離方法
JP2012212798A (ja) 部品実装装置及び基板製造方法
KR20230081535A (ko) 마이크로 led 칩 전사 장치
JPH02211650A (ja) 板状物の載置装置
KR20220070985A (ko) 다이 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치