KR101880130B1 - 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치 - Google Patents

백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101880130B1
KR101880130B1 KR1020110041496A KR20110041496A KR101880130B1 KR 101880130 B1 KR101880130 B1 KR 101880130B1 KR 1020110041496 A KR1020110041496 A KR 1020110041496A KR 20110041496 A KR20110041496 A KR 20110041496A KR 101880130 B1 KR101880130 B1 KR 101880130B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reflector
area
regular reflection
region
layer
Prior art date
Application number
KR1020110041496A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120123888A (ko
Inventor
고세진
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110041496A priority Critical patent/KR101880130B1/ko
Priority to TW100120225A priority patent/TWI569069B/zh
Priority to JP2011130073A priority patent/JP5964015B2/ja
Priority to US13/157,542 priority patent/US8596807B2/en
Priority to EP11169536.7A priority patent/EP2508942B1/en
Priority to CN201110166794.5A priority patent/CN102734696B/zh
Publication of KR20120123888A publication Critical patent/KR20120123888A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101880130B1 publication Critical patent/KR101880130B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0053—Prismatic sheet or layer; Brightness enhancement element, sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133605—Direct backlight including specially adapted reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것으로, 제 1 리플렉터(reflector)와, 제 2 리플렉터와, 제 1, 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 적어도 하나의 광원(light sourec)을 포함하고, 제 2 리플렉터는 정반사영역(specular reflection area)과 난반사영역(scattered reflection area)을 포함하고, 정반사영역은 제 2 리플렉터의 전체 영역 중 5 - 50%를 차지하며, 정반사영역은 제 1 리플렉터와 중첩될 수 있다.

Description

백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치{backlight unit and display apparatus using the same}
실시예는 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 대표적인 대형 디스플레이 장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 등이 있다.
자발광 방식의 PDP와는 다르게 LCD는 자체적인 발광소자의 부재로 인해 별도의 백라이트 유닛이 필수적이다.
LCD에 사용되는 백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 엣지(edge) 방식의 백라이트 유닛과 직하 방식의 백라이트 유닛으로 구분되는데, 엣지 방식은 LCD 패널의 좌우 측면 또는 상하 측면에 광원을 배치하고 도광판을 이용하여 빛을 전면에 고르게 분산시키므로 빛의 균일성이 좋고 패널 두께의 초박형화가 가능하다.
직하 방식은 보통 20인치 이상의 디스플레이에 사용되는 기술로써, 패널 하부에 광원을 복수 개로 배치하므로 엣지 방식에 비해 광효율이 우수한 장점이 있어 고휘도를 요구하는 대형 디스플레이에 주로 사용된다.
기존 엣지 방식이나 직하 방식의 백라이트 유닛의 광원으로는 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)를 이용하였다.
그러나, CCFL을 이용한 백라이트 유닛은 항상 CCFL에 전원이 인가되므로 상당량의 전력이 소모되며, CRT에 비해 약 70% 수준의 색 재현율, 수은이 첨가됨에 따른 환경 오염 문제들이 단점으로 지적되고 있다.
상기 문제점을 해소하기 위한 대체품으로 현재 LED(Light Emitting diode)를 이용한 백라이트 유닛에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
LED를 백라이트 유닛으로 사용하는 경우, LED 어레이의 부분적인 온/오프가 가능하여 소모전력을 획기적으로 줄일 수 있으며, RGB LED의 경우, NTSC (National Television System Committee) 색 재현 범위 사양의 100%를 상회하여 보다 생생한 화질을 소비자에게 제공할 수 있다.
또한, 반도체 공정으로 제작되는 LED는 환경에 무해한 것이 특징이다.
현재 상기와 같은 장점을 가진 LED를 채용한 LCD제품들이 속속들이 출시되고 있으나, 기존 CCFL 광원과 구동 메커니즘이 상이하므로, 구동 드라이버, PCB 기판 등이 고가이다.
따라서, LED 백라이트 유닛은 아직 고가의 LCD 제품에만 적용되고 있다.
실시예는 정반사 영역과 난반사 영역을 갖는 리플렉터를 이용하여, 에어 가이드(air guide)를 갖는 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치를 제공하고자 한다.
실시예는 제 1 리플렉터(reflector)와, 제 2 리플렉터와, 제 1, 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 적어도 하나의 광원(light source)을 포함하고, 제 2 리플렉터는 정반사영역(specular reflection area)과 난반사영역(scattered reflection area)을 포함하고, 정반사영역은 제 2 리플렉터의 전체 영역 중 5 - 50%를 차지하며, 정반사영역은 제 1 리플렉터와 중첩될 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터는 적어도 하나의 경사면(inclined surface)과 적어도 하나의 평면(flat surface)을 포함하고, 제 2 리플렉터의 평면은 제 1 리플렉터와 평행한 면일 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터는 적어도 하나의 변곡점을 갖는 적어도 2개 경사면을 포함하고, 변곡점을 중심으로 인접하는 제 1, 제 2 경사면의 곡률은 서로 다를 수 있다.
한편, 제 2 리플렉터의 정반사영역은 광원으로부터 멀어질수록 면적 비율이 줄어들 수 있다.
또한, 광원에 인접한 제 2 리플렉터의 정반사영역은 광원으로부터 멀리 떨어진 제 2 리플렉터의 정반사영역보다 면적이 더 클 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터의 정반사영역은 제 2 리플렉터의 전체 영역 중 20 - 30%를 차지할 수 있으며, 제 2 리플렉터의 정반사영역과 난반사영역의 면적 비율은 1 : 1 - 20일 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터는 정반사영역과 난반사영역을 포함하는 단일층(single layer)일 수 있으며, 단일층은 동일한 평면 상에 배열되는 정반사층과 난반사층으로 구성되고, 정반사층과 난반사층은 서로 동일한 두께를 가질 수 있다.
이어, 단일층은 동일한 평면 상에 배열되는 정반사층과 난반사층으로 구성되고, 정반사층과 난반사층은 일부분이 서로 중첩되고, 난반사층과 중첩된 정반사층의 두께는 난반사층과 중첩되지 않는 정반사층의 두께보다 더 얇을 수 있다.
여기서, 정반사층과 난반사층의 중첩영역은 난반사층 위에 정반사층이 형성되고, 난반사층의 일부가 노출되도록 정반사층에 적어도 하나의 홀(hole)이 형성될 수 있으며, 난반사층과 중첩된 정반사층의 두께는 광원으로부터 멀어질수록 얇아질 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터는 난반사층과, 난반사층의 일부분이 노출되도록 난반사층 위에 형성되는 정반사층을 포함하는 이중층(double layer)으로 이루어질 수도 있다.
여기서, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수 있고, 정반사층에 형성되는 홀은 광원으로부터 멀어질수록 홀의 개수가 증가할 수도 있다.
이어, 정반사층은 광원에 인접한 제 1 영역과 광원으로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함하고, 제 2 영역은 상기 제 1 영역보다 면적이 더 작을 수 있다.
여기서, 제 2 영역의 평면 형상은 반구형, 삼각형, 사각형, 다각형 중 적어도 어느 하나일 수 있고, 정반사층의 제 2 영역은 정반사층의 제 1 영역으로부터 5 - 200mm 거리만큼 연장될 수 있다.
또한, 정반사층의 제 2 영역은 광원으로부터 멀어질수록 두께가 감소하거나, 또는 광원으로부터 멀어질수록 두께가 일정하다가 감소할 수 있다.
실시예들은 정반사영역(specular reflection area)과 난반사영역(scattered reflection area)을 갖도록 에어 가이드용 리플렉터를 형성함으로써, 무게가 가볍고, 제작단가가 저렴하며, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
따라서, 백라이트 유닛의 경제성 및 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 도면
도 2a 및 도 2b는 제 2 리플렉터의 정반사영역에 중첩되는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면
도 3a 내지 도 3c는 경사면과 평면을 포함하는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 4a 내지 도 4c는 다수의 경사면을 포함하는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 5는 제 1 실시예에 따른 단일층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도
도 6a 내지 도 6d는 광원 모듈로부터 멀어질수록 정반사영역이 감소하는 제 2 리플렉터의 다양한 형상을 보여주는 평면도
도 7a 내지 도 7c는 광원모듈과의 거리에 따라 면적이 다른 정반사영역을 갖는 제 2 리플렉터의 다양한 형상을 보여주는 평면도
도 8은 제 2 실시예에 따른 단일층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도
도 9a 내지 도 9d는 도 8의 중첩영역의 다양한 형상을 보여주는 단면도
도 10a 내지 도 10c는 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 다양한 형상을 보여주는 평면도
도 11은 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 홀을 보여주는 단면도
도 12a 및 도 12b는 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 홀을 보여주는 평면도
도 13는 이중층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도
도 14a 및 도 14b는 도 13의 정반사층의 두께를 보여주는 단면도
도 15a 및 도 15b는 정반사영역에 형성되는 홀을 보여주는 평면도
도 16a 내지 도 16c는 정반사영역의 제 2 영역에 대한 다양한 형상을 보여주는 평면도
도 17a 내지 도 17c 및 도 18은 제 2 리플렉터의 정반사영역의 형상에 따른 휘도의 균일도를 설명하기 위한 도면
도 19은 홀과 삼각형 형상을 갖는 정반사영역을 보여주는 도면
도 20a 및 도 20b는 스트라이프(stripe) 형상을 갖는 정반사영역을 보여주는 도면
도 21은 광 반사 특성이 다른 다수의 난반사 영역을 갖는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.
도 22는 1 에지 타입(one edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 23은 2 에지 타입(two edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 24 및 도 25는 4 에지 타입(four edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면
도 26은 광학 부재를 포함하는 백라이트 유닛을 보여주는 도면
도 27는 광학 부재의 형상을 일예로 보여주는 도면
도 28는 제 2 리플렉터의 하부면에 형성된 보강 리브를 보여주는 도면
도 29은 제 2 리플렉터의 상부면에 형성된 지지핀을 보여주는 도면
도 30은 실시예에 따른 백라이트 유닛을 갖는 디스플레이 모듈을 보여주는 도면
도 31 및 도 32는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면
이하 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시예의 설명에 있어서, 각 구성요소(element)의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 구성요소(element)가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 구성요소(element)가 상기 두 구성요소(element) 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 구성요소(element)를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 설명하기 위한 도면으로서, 도 1a는 단면도이고, 도 1b는 상면 사시도이다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 백라이트 유닛은 적어도 하나의 광원(110)을 포함하는 광원 모듈(100), 제 1 리플렉터(reflector)(200) 및 제 2 리플렉터(300)를 포함할 수 있다.
여기서, 광원(110)을 포함하는 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이에 위치하고, 제 1 리플렉터(200) 또는 제 2 리플렉터(300)에 인접하여 배치될 수 있다.
경우에 따라, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)에 접촉됨과 동시에 제 2 리플렉터(300)로부터 일정간격 떨어져 배치될 수 있거나, 또는 제 2 리플렉터(300)에 접촉됨과 동시에 제 1 리플렉터(200)로부터 일정간격 떨어져 배치될 수 있다.
또는, 광원 모듈(100)은 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)로부터 일정간격 떨어져 배치될 수 있거나, 또는 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)에 동시에 접촉될 수도 있다.
그리고, 광원 모듈(100)은 전극 패턴을 갖는 회로기판 및 광을 생성하는 발광 소자를 포함할 수 있다.
이때, 회로기판은 적어도 하나의 발광 소자가 실장될 수 있으며, 전원을 공급하는 어댑터와 발광 소자을 연결하기 위한 전극 패턴이 형성되어 있을 수 있다.
예를 들어, 회로기판의 상면에는 발광 소자와 어댑터를 연결하기 위한 탄소나노튜브 전극 패턴이 형성될 수 있다.
이러한 회로기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 유리, 폴리카보네이트(PC) 또는 실리콘(Si) 등으로 이루어져 복수의 광원들(100)이 실장되는 PCB(Printed Circuit Board) 기판일 수 있으며, 필름 형태로 형성될 수 있다.
또한, 기판은 단층 PCB, 다층 PCB, 세라믹 기판, 메탈 코아 PCB 등을 선택적으로 사용할 수 있다.
한편, 발광 소자는 발광 다이오드 칩(LED chip)일 수 있으며, 발광 다이오드 칩은 블루 LED 칩 또는 자외선 LED 칩으로 구성되거나 또는 레드 LED 칩, 그린 LED 칩, 블루 LED 칩, 엘로우 그린(Yellow green) LED 칩, 화이트 LED 칩 중에서 적어도 하나 또는 그 이상을 조합한 패키지 형태로 구성될 수도 있다.
그리고, 화이트 LED는 블루 LED 상에 옐로우 인광(Yellow phosphor)을 결합하거나, 블루 LED 상에 레드 인광(Red phosphor)과 그린 인광(Green phosphor)를 동시에 사용하여 구현할 수 있고, 블루 LED 상에 옐로우 인광(Yellow phosphor), 레드 인광(Red phosphor) 및 그린 인광(Green phosphor)를 동시에 사용하여 구현할 수도 있다.
다음, 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300) 사이의 빈 공간에는 에어 가이드(air guide)을 갖도록, 제 1 리플렉터(200)와 제 2 리플렉터(300)는 일정 간격 떨어져 서로 마주볼 수 있다.
그리고, 제 1 리플렉터(200)는 반사 코팅 필름 및 반사 코팅 물질층 중 어느 하나로 형성되어, 광원 모듈(100)로부터 생성된 광을 제 2 리플렉터(300) 방향으로 반사시키는 역할을 수행할 수 있다.
또한, 제 1 리플렉터(200)의 표면 중 광원 모듈(100)에 마주보는 표면 위에는 톱니형태의 반사 패턴이 형성되고, 반사 패턴의 표면은 평면 또는 곡면일 수도 있다.
제 1 리플렉터(200)의 표면에 반사 패턴을 형성하는 이유는 광원 모듈에서 생성된 광을 제 2 리플렉터(300)의 중앙영역으로 반사시킴으로써, 백라이트 유닛의 중앙영역에 휘도를 증가시키기 위함이다.
다음, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(specular reflection area)(300a)과 난반사영역(scattered reflection area)(300b)을 포함한다.
여기서, 정반사영역(300a)은 입사되는 광을 정반사하는 역할을 수행하고, 난반사영역(300b)는 입사되는 광을 난반사하는 역할을 수행할 수 있으며, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 광 반사율은 약 50 - 99.99%일 수 있다.
그리고, 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 5 - 50%를 차지할 수 있다.
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수도 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 1 : 1 - 20일 수도 있다.
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율을 정하는 이유는, 광원(110)에 인접한 영역과 광원(110)으로부터 멀리 떨어진 영역과의 휘도 차이를 줄이기 위함이다.
즉, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율을 적절하게 조절함으로써, 전체적으로 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 이산화 티타늄(TiO2) 등과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있는데, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)에 형성되는 물질이 서로 다를 수도 있고, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 표면 거칠기가 서로 다를 수도 있다.
즉, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)은 동일한 물질로 형성됨과 동시에, 표면 거칠기가 서로 다를 수 있다.
또는, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)은 서로 다른 물질로 형성됨과 동시에, 표면 거칠기가 서로 다를 수 있다.
그리고, 광원(110) 및 제 1 리플렉터(200) 중 적어도 어느 하나는 정반사영역(300a)과 중첩될 수 있다.
즉, 제 1 리플렉터(200)는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부만 중첩될 수도 있고, 완전히 중첩될 수도 있다.
제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원 모듈(100)에 인접하여 위치하고, 광원(110)으로부터 출사된 광을 제 2 리플렉터(300)의 중앙영역으로 반사시키는 역할을 수행하고, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 제 2 리플렉터(300)의 중앙영역에 위치하여 입사되는 광을 확산시키는 역할을 수행할 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)는 적어도 하나의 경사면(inclined surface)과 적어도 하나의 평면(flat surface)을 포함할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 경사면은 제 1 리플렉터(200)에 대해 일정 각도로 경사진 면일 수 있고, 제 2 리플렉터(300)의 평면은 제 1 리플렉터(200)와 평행한 면일 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 경사면(inclined surface)은 전체 영역이 정반사영역일 수 있고, 또는 일부 영역만이 정반사영역일 수 있으며, 광원(110) 및 제 1 리플렉터(200) 중 적어도 어느 하나와 중첩될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 제 2 리플렉터의 정반사영역에 중첩되는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면으로서, 도 2a는 제 2 리플렉터의 정반사영역에 일부 중첩되는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면이고, 도 2b는 제 2 리플렉터의 정반사영역에 완전 중첩되는 제 1 리플렉터를 보여주는 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 제 1 리플렉터(200)는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부만 중첩될 수도 있다.
여기서, 광원(100)은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부만 중첩되거나 또는 완전 중첩될 수도 있다.
그리고, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제 1 리플렉터(200)는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 완전 중첩될 수도 있다.
여기서, 광원(100)은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부만 중첩되거나 또는 완전 중첩될 수도 있다.
도 3a 내지 도 3c는 경사면과 평면을 포함하는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.
도 3a는 경사면이 편평한 표면을 가지고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함될 수 있다.
그리고, 도 3b는 경사면이 오목한 곡면을 가지고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함될 수 있으며, 도 2c는 경사면이 볼록한 곡면을 가지고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함될 수 있다.
이어, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 제 1 리플렉터(200)와 평행한 제 2 리플렉터(300)의 평면은 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)에 포함될 수 있다.
한편, 제 2 리플렉터(300)는 적어도 하나의 변곡점을 갖는 적어도 2개 경사면을 포함하고, 변곡점을 중심으로 인접하는 제 1, 제 2 경사면의 곡률은 서로 다를 수도 있다.
도 4a 내지 도 4c는 다수의 경사면을 포함하는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.
도 4a는 서로 인접하는 두 경사면이 편평한 표면을 가지고, 하나의 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함되고, 나머지 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)에 포함될 수 있다.
경우에 따라, 나머지 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부 포함될 수도 있다.
그리고, 도 4b는 서로 인접하는 두 경사면이 오목한 곡면을 가지고, 두 경사면의 곡률은 서로 다를 수도 있으며, 도 4c는 서로 인접하는 두 경사면이 볼록한 곡면을 가지고, 두 경사면의 곡률은 서로 다를 수도 있다.
여기서, 하나의 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 포함되고, 나머지 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)에 포함될 수 있다.
경우에 따라, 나머지 경사면은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 일부 포함될 수도 있다.
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 경사면은 오목면(concave surface), 볼록면(convex surface), 평면(flat surface) 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
한편, 제 2 리플렉터(300)은 단일층(single layer)일 수도 있고, 이중층(double layer)일 수도 있다.
즉, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)을 포함하는 단일층(single layer)일 수도 있고, 난반사층과, 난반사층의 일부분이 노출되도록 난반사층 위에 형성되는 정반사층을 포함하는 이중층(double layer)일 수도 있다.
도 5는 제 1 실시예에 따른 단일층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도로서, 도 5는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 중첩되지 않는 구조이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 정반사층이 형성되고, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 난반사층이 형성될 수 있다.
여기서, 정반사층과 난반사층은 동일한 평면 상에 배열되고, 정반사층의 두께 t1과 난반사층의 두께 t2는 서로 동일할 수 있다.
그리고, 정반사층과 난반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 이산화 티타늄(TiO2) 등과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있는데, 정반사층과 난반사층의 물질은 서로 동일하거나 또는 서로 다를 수도 있고, 그들의 표면 거칠기는 서로 다를 수도 있다.
또한, 정반사층과 난반사층은 몰드 바디(mold body)에 반사 필름이 부착된 구조일 수도 있고, 정반사면 또는 난반사면을 갖는 몰드 바디 자체일 수도 있다.
경우에 따라, 정반사층 및 난반사층은 사출 성형이 가능하도록 플라스틱 등과 같은 고분자 수지로 제작할 수 있다.
여기서, 반사 필름은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 또는 이산화 티타늄(TiO2)과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있다.
그리고, 정반사층으로 이루어진 정반사영역(300a)과 난반사층으로 이루어진 난반사영역(300b)의 경계면에는 접착제 또는 결합 부재 등이 형성되어, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 연결될 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원 모듈(100)로부터 멀어질수록 면적 비율이 줄어들 수 있다.
도 6a 내지 도 6d는 광원 모듈로부터 멀어질수록 정반사영역이 감소하는 제 2 리플렉터의 다양한 형상을 보여주는 평면도이다.
도 6a는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 삼각형 형상을 가지고, 도 6b는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 반구 형상을 가지며, 도 6c는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 계단형 형상을 가지고, 도 6d는 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 비스듬한 라인(slant line) 형상을 가질 수 있다.
도 6a 내지 도 6d에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 정반사영역의 면적이 점차적으로 감소할 수 있다.
반면, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 난반사영역의 면적이 점차적으로 증가할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있다.
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)이 광원 모듈(100)로부터 멀어질수록 면적 비율이 줄어들도록 형성하는 이유는, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 경계에서 나타날 수 있는 블랙라인을 제거하여 균일한 휘도를 제공할 수 있기 때문이다.
또한, 다른 실시예로서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있는데, 광원모듈(100)에 인접한 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)보다 면적이 더 클 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 광원모듈과의 거리에 따라 면적이 다른 정반사영역을 갖는 제 2 리플렉터의 다양한 형상을 보여주는 평면도이다.
도 7a는 제 2 영역의 정반사영역이 삼각형 형상을 가지고, 도 7b는 제 2 영역의 정반사영역이 반구 형상을 가지며, 도 7c는 제 2 영역의 정반사영역이 사각형 형상을 가질 수 있다.
도 7a 내지 도 7c에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있다.
여기서, 제 2 영역의 정반사영역(300a)은 제 1 영역의 정반사영역(300a)보다 면적은 더 작고, 삼각형, 반구, 사각형, 다각형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.
즉, 제 2 영역의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 정반사영역의 면적이 점차적으로 감소할 수 있다.
반면, 제 2 영역의 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 난반사영역의 면적이 점차적으로 증가할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있다.
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 제 1 영역과 제 2 영역의 면적 비율은 약 1 - 10 : 0.4일 수 있다.
다음, 정반사영역(300a)의 제 2 영역은 정반사영역(300a)의 제 1 영역으로부터 약 5 - 200mm 거리만큼 연장될 수도 있다.
도 8은 제 2 실시예에 따른 단일층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도로서, 도 8은 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 중첩되는 구조이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 정반사층이 형성되고, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 난반사층이 형성되며, 제 2 리플렉터(300)의 중첩영역은 정반사층과 난반사층이 중첩되어 형성될 수 있다.
여기서, 중첩영역은 난반사층 위에 정반사층이 적층된 구조일 수 있고, 중첩영역의 전체 두께는 정반사영역(300a)의 두께와 난반사영역(300b)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다.
경우에 따라서, 중첩영역의 전체 두께는 정반사영역(300a)의 두께와 난반사영역(300b)의 두께 중 적어도 어느 하나와는 다를 수도 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 중첩영역은 정반사층 위에 난반사층이 적층된 구조일 수도 있다.
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사층과 난반사층은 동일한 평면 상에 배열되고, 정반사층과 난반사층은 일부분이 서로 중첩될 수 있다.
도 9a 내지 도 9d는 도 8의 중첩영역의 다양한 형상을 보여주는 단면도이다.
도 9a 및 도 9d는 중첩영역의 정반사층의 두께가 일정한 실시예이고, 도 9b 및 도 9c는 중첩영역의 정반사층의 두께가 점차 감소하는 실시예이다.
도 9a 내지 도 9d에 도시된 바와 같이, 중첩영역은 정반사층과 난반사층이 적층되고, 난반사층과 중첩된 정반사층의 두께 t11는 난반사층과 중첩되지 않는 정반사층의 두께 t1보다 더 얇을 수 있다.
좀 더 상세히 설명하면, 도 9a에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11은 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작고, 중첩영역에 형성되는 난반사층의 두께 t22은 난반사영역(300b)에 형성되는 난반사층의 두께 t2보다 더 작을 수 있다.
그리고, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11은 중첩영역 내에서 일정한 두께를 유지하고, 중첩영역에 형성된 난반사층의 두께 t22와 동일할 수도 있다.
하지만, 경우에 따라, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11은 중첩영역에 형성된 난반사층의 두께 t22보다 더 크거나 작을 수도 있다
그리고, 도 9b에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작을 수 있다.
여기서, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 광원모듈로부터 멀어질수록 점차 작아질 수 있다.
즉, 중첩영역에 형성되는 정반사층은 광원모듈에 인접하는 영역의 두께 t11으로부터 광원모듈로부터 먼 영역의 두께 t12로 서서히 감소할 수 있다.
이어, 도 9c에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작을 수 있다.
여기서, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 광원모듈로부터 멀어질수록 단계적으로 작아질 수 있다.
즉, 중첩영역에 형성되는 정반사층은 광원모듈에 인접하는 영역의 두께 t11으로부터 광원모듈로부터 먼 영역의 두께 t12로 감소할 수 있다.
다음, 도 9d에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 난반사층은 정반사층 사이에 삽입되어 있다.
중첩영역에서, 난반사층의 상부에 위치하는 정반사층의 두께 t11과 난반사층의 하부에 위치하는 정반사층의 두께 t12는 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작고, 중첩영역에 형성되는 난반사층의 두께 t22은 난반사영역(300b)에 형성되는 난반사층의 두께 t2보다 더 작을 수 있다.
그리고, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 중첩영역 내에서 일정한 두께를 유지하고, 중첩영역에 형성된 난반사층의 두께 t22와 동일할 수도 있다.
하지만, 경우에 따라, 중첩영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 중첩영역에 형성된 난반사층의 두께 t22보다 더 크거나 작을 수도 있다
도 10a 내지 도 10c는 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 다양한 형상을 보여주는 평면도이다.
도 10a는 중첩영역의 정반사층이 삼각형 형상을 가지고, 도 10b는 중첩영역의 정반사층이 반구 형상을 가지며, 도 10c는 중첩영역의 정반사층이 사각형 형상을 가질 수 있다.
도 10a 내지 도 10c에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)의 정반사층과 난반사영역(300b)의 난반사층이 서로 중첩되는 중첩영역을 포함할 수 있는데, 중첩영역의 정반사층은 정반사영역(300a)의 정반사층보다 면적은 더 작고, 삼각형, 반구, 사각형, 다각형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.
즉, 중첩영역의 정반사층은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 정반사층의 면적이 점차적으로 감소할 수 있다.
반면, 중첩영역의 난반사층은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 난반사층의 면적이 점차적으로 증가할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있다.
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 중첩영역 이외의 영역과 중첩영역의 면적 비율은 약 1 - 10 : 0.4일 수 있다.
다음, 정반사영역(300a)의 중첩영역은 정반사영역(300a)으로부터 약 5 - 200mm 거리만큼 연장될 수도 있다.
또한, 중첩영역의 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 정반사층에 적어도 하나의 홀(hole)이 형성될 수도 있다.
도 11은 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 홀을 보여주는 단면도이고, 도 12a 및 도 12b는 도 8의 중첩영역에 형성되는 정반사층의 홀을 보여주는 평면도이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 중첩영역에서, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수 있다.
여기서, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈로부터 멀어질수록 홀의 개수가 증가할 수 있다.
또한, 정반사층에 형성되는 홀의 크기는 서로 동일할 수도 있지만, 경우에 따라서는, 서로 다를 수도 있다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 홀의 크기가 서로 동일할 수도 있고, 도 12b에 도시된 바와 같이, 중첩영역에 형성되는 홀의 크기가 서로 다를 수도 있다.
중첩영역에 형성되는 홀의 크기가 서로 다른 경우, 광원모듈(100)으로부터 멀어질수록 홀의 크기는 커질 수 있다.
그리고, 중첩영역에 형성되는 홀은 그 크기에 상관 없이, 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 개수가 증가할 수도 있다.
이와 같이, 제 2 리플렉터의 중첩영역에 홀을 형성하는 이유는 광원모듈(100)로부터 멀어질수록, 정반사영역(300a)의 면적비율을 줄임으로써, 균일한 휘도를 제공할 수 있기 때문이다.
그리고, 제 2 리플렉터의 정반사영역에 형성되는 정반사층과 제 2 리플렉터의 난반사영역에 형성되는 난반사층은 몰드 바디(mold body)에 반사 필름이 부착된 구조일 수도 있고, 정반사면 또는 난반사면을 갖는 몰드 바디 자체일 수도 있다.
경우에 따라, 정반사층 및 난반사층은 사출 성형이 가능하도록 플라스틱 등과 같은 고분자 수지로 제작할 수 있다.
여기서, 반사 필름은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 또는 이산화 티타늄(TiO2)과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있다.
그리고, 정반사층으로 이루어진 정반사영역과 난반사층으로 이루어진 난반사영역 사이에는 접착제 또는 결합 부재 등이 형성되어, 정반사영역과 난반사영역이 서로 연결될 수 있다.
도 13는 이중층 구조의 제 2 리플렉터를 보여주는 단면도이다.
도 13에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)는 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 중첩되는 구조이다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)는 난반사층과, 난반사층의 일부분이 노출되도록 난반사층 위에 형성되는 정반사층을 포함하는 이중층(double layer)으로 이루어질 수 있다.
즉, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 난반사층 위에 정반사층이 형성된 구조이고, 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)은 난반사층이 노출된 구조이다.
이때, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있고, 경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.
그리고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있는데, 제 2 영역은 제 1 영역보다 면적이 더 작을 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 제 1 영역과 제 2 영역의 면적 비율은 약 1 - 10 : 0.4일 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께는 제 1 영역에 형성되는 정반사층의 두께와 동일할 수도 있지만, 서로 다를 수도 있다.
도 14a 및 도 14b는 도 13의 정반사층의 두께를 보여주는 단면도이다.
도 14a는 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께가 광원모듈(도시하지 않음)로부터 멀어질수록 서서히 감소하는 실시예이고, 도 14b는 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께가 광원모듈(도시하지 않음)로부터 멀어질수록 두께가 일정하다가 서서히 감소하는 실시예이다.
도 14a에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 정반사영역(300a)의 제 1 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t1보다 더 작을 수 있다.
여기서, 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12은 광원모듈로부터 멀어질수록 점차 작아질 수 있다.
즉, 제 2 영역에 형성되는 정반사층은 광원모듈에 인접하는 영역의 두께 t11으로부터 광원모듈로부터 먼 영역의 두께 t12로 서서히 감소할 수 있다.
이어, 도 14b에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t11, t12는 정반사영역(300a)의 제 1 영역에 형성되는 정반사층의 두께 t1와 동일한 두께를 유지하다가 서서히 감소할 수 있다.
즉, 제 2 영역에 형성되는 정반사층은 광원모듈에 인접하는 영역의 두께 t11으로부터 광원모듈로부터 먼 영역의 두께 t12로 감소할 수 있다.
이와 같이, 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 두께를 감소시키는 이유는, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b) 사이의 경계영역에서, 급격한 휘도변화를 감소시키기 위함이다.
또한, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수도 있다.
도 15a 및 도 15b는 정반사영역에 형성되는 홀을 보여주는 평면도이다.
도 15a는 정반사영역(300a)에 형성되는 홀의 개수가 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 증가하는 것을 보여주는 실시예이고, 도 15b는 정반사영역(300a)에 형성되는 홀의 크기가 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 증가하는 것을 보여주는 실시예이다.
도 15a에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)에서, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수 있다.
여기서, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 개수가 증가할 수 있다.
또한, 정반사층에 형성되는 홀의 크기는 서로 동일할 수도 있지만, 경우에 따라서는, 서로 다를 수도 있다.
즉, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 개수 및 홀의 크기가 동시에 증가할 수도 있다.
도 15b에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)에서, 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 난반사층의 일부가 노출되도록 다수의 홀(hole)들이 형성될 수 있다.
여기서, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 크기가 증가할 수 있다.
또한, 정반사층에 형성되는 홀의 개수는 서로 동일할 수도 있지만, 경우에 따라서는, 서로 다를 수도 있다.
즉, 정반사층에 형성되는 홀은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 홀의 개수 및 홀의 크기가 동시에 증가할 수도 있다.
이와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 홀을 형성하는 이유는 광원모듈(100)로부터 멀어질수록, 정반사영역(300a)의 면적비율을 줄임으로써, 균일한 휘도를 제공할 수 있기 때문이다.
그리고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있는데, 제 2 영역은 제 1 영역보다 면적이 더 작을 수 있다.
도 16a 내지 도 16c는 정반사영역의 제 2 영역에 대한 다양한 형상을 보여주는 평면도이다.
도 16a는 제 2 영역의 정반사영역이 삼각형 형상을 가지고, 도 16b는 제 2 영역의 정반사영역이 반구 형상을 가지며, 도 16c는 제 2 영역의 정반사영역이 사각형 형상을 가질 수 있다.
도 16a 내지 도 16c에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접한 제 1 영역과 광원모듈(100)로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있다.
여기서, 제 2 영역의 정반사영역(300a)은 제 1 영역의 정반사영역(300a)보다 면적은 더 작고, 삼각형, 반구, 사각형, 다각형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.
즉, 제 2 영역의 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 정반사영역의 면적이 점차적으로 감소할 수 있다.
반면, 제 2 영역의 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 멀어질수록 난반사영역의 면적이 점차적으로 증가할 수 있다.
여기서, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)은 제 2 리플렉터(300)의 전체 영역 중 약 20 - 30%를 차지할 수 있다.
경우에 따라, 제 2 리플렉터(300)에서, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)의 면적 비율은 약 1 : 1 - 20일 수 있다.
또한, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에서, 제 1 영역과 제 2 영역의 면적 비율은 약 1 - 10 : 0.4일 수 있다.
다음, 정반사영역(300a)의 제 2 영역은 정반사영역(300a)의 제 1 영역으로부터 약 5 - 200mm 거리만큼 연장될 수도 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에 형성되는 정반사층과 제 2 리플렉터(300)의 난반사영역(300b)에 형성되는 난반사층은 몰드 바디(mold body)에 반사 필름이 부착된 구조일 수도 있고, 정반사면 또는 난반사면을 갖는 몰드 바디 자체일 수도 있다.
경우에 따라, 정반사층 및 난반사층은 사출 성형이 가능하도록 플라스틱 등과 같은 고분자 수지로 제작할 수 있다.
여기서, 반사 필름은 금속 또는 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 또는 이산화 티타늄(TiO2)과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있다.
그리고, 정반사층으로 이루어진 정반사영역(300a)과 난반사층으로 이루어진 난반사영역(300b) 사이에는 접착제 또는 결합 부재 등이 형성되어, 정반사영역(300a)과 난반사영역(300b)이 서로 연결될 수 있다.
도 17a 내지 도 17c 및 도 18은 제 2 리플렉터의 정반사영역의 형상에 따른 휘도의 균일도를 설명하기 위한 도면이다.
도 17a는 정반사영역의 끝단에 삼각형 형상이 없는 실시예이고, 도 17b 및 도 17c는 정반사영역의 끝단에 삼각형 형상이 형성된 실시예이며, 도 18은 도 17a 내지 도 17c의 실시예에 따른 휘도의 균일도를 비교한 그래프이다.
먼저, 도시하지는 않았지만, 정반사영역은 없고 난반사영역만을 갖는 제 2 리플렉터를 실시예 A이고, 도 17a에 도시된 바와 같이, 양 끝단의 거리 D1이 약 100mm인 정반사영역(300a)을 갖는 제 2 리플렉터(300)를 실시예 B이며, 도 17b에 도시된 바와 같이, 양 끝단의 거리 D1이 약 100mm인 정반사영역(300a) 내에서, 양 끝단의 거리 D2(즉, 삼각형 형상의 높이)가 약 30mm인 삼각형 형상을 갖는 제 2 리플렉터(300)를 실시예 C이고, 도 17c에 도시된 바와 같이, 양 끝단의 거리 D1이 약 100mm인 정반사영역(300a) 내에서, 양 끝단의 거리 D2(즉, 삼각형 형상의 높이)가 약 90mm인 삼각형 형상을 갖는 제 2 리플렉터(300)를 실시예 D일 수 있다.
그리고, 도 18은 광원과의 거리에 따른 휘도를 각 실시예별로 측정하여 비교한 그래프이다.
도 18에 도시된 바와 같이, 정반사영역이 없는 실시예 A에서는, 광원에 인접한 영역의 휘도가 높게 나타나고, 광원에서 먼 영역의 휘도는 낮게 나타나는 것을 알 수 있다.
그리고, 정반사영역이 있는 실시예 B에서는, 광원에 인접한 영역의 휘도가 낮게 나타나고, 광원에서 먼 영역의 휘도는 높게 나타나는 것을 알 수 있다.
또한, 정반사영역 내에 삼각형 형상을 갖는 실시예 C 및 D에서는, 광원에 인접한 영역의 휘도와 광원에서 먼 영역의 휘도가 거의 균일하게 나타나는 것을 알 수 있다.
여기서, 삼각형 형상의 높이가 약 90mm인 실시예 D는 삼각형 형상의 높이가 약 30mm인 실시예 C보다 휘도가 더 높음과 동시에 더 균일하다는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 제 2 리플렉터의 정반사영역은 광원에 인접한 제 1 영역과 광원으로부터 멀리 떨어진 제 2 영역을 포함할 수 있는데, 정반사영역의 제 2 영역이 광원에서 멀어질수록 점차 감소하는 형상을 가질 때, 휘도는 균일하게 나타나는 것을 알 수 있다.
도 19는 홀과 삼각형 형상을 갖는 정반사영역을 보여주는 도면이다.
도 19에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)의 제 1 영역에는 다수의 홀을 갖는 정반사층이 형성되고, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에는 삼각형 형상을 갖는 정반사층이 형성될 수도 있다.
여기서, 제 1 영역에 형성된 홀은 정반사층의 하부에 위치하는 난반사층이 노출될 수 있다.
도 19의 실시예는 정반사영역(300a)의 제 1 영역에 형성되는 정반사층의 홀의 개수 또는 홀의 크기와, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성되는 정반사층의 형상을 적절하게 조절함으로써, 전체적으로 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
도 20a 및 도 20b는 스트라이프(stripe) 형상을 갖는 정반사영역을 보여주는 도면이다.
도 20a 및 도 20b에 도시된 바와 같이, 정반사영역(300a)의 제 1 영역에는 정반사층이 형성되고, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에는 스트라이프 형상을 갖는 정반사층이 형성될 수도 있다.
여기서, 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성된 정반사층은 다수개의 스트라이프들로 구성되고, 서로 인접한 스트라이프들의 폭은 서로 동일할 수도 있고, 서로 다를 수도 있다.
도 20a는 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 동일한 폭을 갖는 다수의 스트라이프들이 배열된 실시예이고, 도 19b는 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 다른 폭을 갖는 다수의 스트라이프들이 배열된 실시예이다.
도 20b의 스트라이프들 중, 광원 모듈(100)에 인접한 스트라이프의 폭 w1은 광원 모듈(100)로부터 멀리 떨어진 스트라이프의 폭 w3보다 더 넓을 수 있다.
경우에 따라, 정반사영역(300a)의 제 1 영역에 형성된 정반사층은, 다수의 홀을 가질 수 있고, 홀은 정반사층의 하부에 위치하는 난반사층이 노출될 수 있다.
도 20a 및 도 20b의 실시예는 정반사영역(300a)의 제 2 영역에 형성되는 스트라이프의 개수 및 폭을 적절하게 조절함으로써, 전체적으로 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
도 21은 광 반사 특성이 다른 다수의 난반사 영역을 갖는 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.
도 21에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터의 난반사 영역은 광 반사 특성에 따라 다수 영역으로 분리할 수 있다.
예를 들면, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에는 정반사 특성을 갖는 반사시트를 배치하고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 난반사영역(300b1)에는 정반사와 난반사 특성이 혼합된 반사시트를 배치하며, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 난반사영역(300b2)에는 난반사 특성을 갖는 반사시트를 배치할 수도 있다.
즉, 제 2 리플렉터(300)의 제 2 난반사영역(300b2)에는 램버시안 표면(lambertian surface)을 가지는 반사시트를 배치할 수 있다.
여기서, 램버시안 표면(lambertian surface)을 가지는 반사시트는 모든 방향으로 거의 동일한 휘도가 나타나는 확산면을 가질 수 있는 반사시트일 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터(300)의 제 1 난반사영역(300b1)에는 램버시안 표면(lambertian surface)의 밀도가 제 2 리플렉터(300)의 제 2 난반사영역(300b2)보다 더 낮은 반사시트를 배치할 수 있다.
이어, 제 2 리플렉터(300)의 정반사영역(300a)에는 램버시안 표면(lambertian surface)의 밀도가 제 2 리플렉터(300)의 제 1 난반사영역(300b1)보다 더 낮은 반사시트를 배치할 수도 있고, 또는 램버시안 표면(lambertian surface)이 거의 존재하지 않을 수도 있다.
한편, 정반사영역과 난반사영역을 갖는 제 2 리플렉터는 광원 모듈의 배치에 따라 다양한 형상으로 제작될 수 있다.
도 22는 1 에지 타입(one edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이고, 도 23은 2 에지 타입(two edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이며, 도 24 및 도 25는 4 에지 타입(four edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 도면이다.
도 22는 1 에지 타입(one edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 평면도로서, 도 21에 도시된 바와 같이, 1 에지 타입의 제 2 리플렉터(300)는 일측에 광원 모듈(100)이 배치되고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접하여 배치되며, 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 먼 영역에 배치될 수 있다.
그리고, 도 23은 2 에지 타입의 제 2 리플렉터를 보여주는 평면도로서, 도 23에 도시된 바와 같이, 2 에지 타입의 제 2 리플렉터(300)는 양측에 광원 모듈(100)이 배치되고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접하여 배치되며, 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 먼 영역에 배치될 수 있다.
이어, 도 24는 4 에지 타입(four edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 평면도로서, 도 24에 도시된 바와 같이, 4 에지 타입의 제 2 리플렉터(300)는 4 측면에 각각 광원 모듈(100)이 배치되고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접하여 배치되며, 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 먼 영역에 배치될 수 있다.
다음, 도 25는 4 에지 타입(four edge type)의 제 2 리플렉터를 보여주는 평면도로서, 도 25에 도시된 바와 같이, 4 에지 타입의 제 2 리플렉터(300)는 4 모서리 영역에 각각 광원 모듈(100)이 배치되고, 정반사영역(300a)은 광원모듈(100)에 인접하여 배치되며, 난반사영역(300b)은 광원모듈(100)로부터 먼 영역에 배치될 수 있다.
또한, 실시예에 따른 백라이트 유닛은 제 2 리플렉터로부터 일정 간격으로 공간을 두고 배치되는 광학 부재(optical member)를 더 포함할 수 있고, 제 2 리플렉터와 광학 부재 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성될 수 있다.
도 26은 광학 부재를 포함하는 백라이트 유닛을 보여주는 도면이고, 도 27은 광학 부재의 형상을 일예로 보여주는 도면이다.
도 26에 도시된 바와 같이, 광학 부재(600)는 제 1 리플렉터(200)의 오픈 영역에 배치되고, 상부 표면에 요철 패턴(620)을 가질 수 있다.
여기서, 광학 부재(600)는 제 1 리플렉터(200)의 오픈 영역을 통해 출사되는 광을 확산시키기 위한 것으로, 확산 효과를 증가시키기 위해 확산시트(600)의 상부 표면에 요철 패턴(620)을 형성할 수 있다.
요철 패턴(620)은 도 27에 도시된 바와 같이, 광원 모듈(100)을 따라 배치되는 스트라이프(strip) 형상을 가질 수 있다.
이때, 요철 패턴(620)은 광학 부재(600) 표면으로 돌출부를 가지고, 돌출부는 서로 마주보는 제 1 면과 제 2 면으로 구성되며, 제 1 면과 제 2 면 사이의 각은 둔각 또는 예각일 수 있다.
경우에 따라, 광학 부재(600)는 적어도 하나의 시트로 이루어지는데, 확산 시트, 프리즘 시트, 휘도 강화 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
여기서, 확산 시트는 광원에서 출사된 광을 확산시켜 주고, 프리즘 시트는 확산된 광을 발광 영역으로 가이드하며, 휘도 확산 시트는 휘도를 강화시켜 준다.
이와 같이, 백라이트 유닛은 제 2 리플렉터의 표면을 오목라인과 볼록라인이 교대로 배열되도록 다수의 패턴을 형성함으로써, 휘도를 향상시키고, 균일한 휘도를 제공할 수 있다.
한편, 본 실시예는 광원 모듈의 광 출사면을 다양한 방향으로 배치할 수도 있다.
즉, 광원 모듈은 광 출사면이 광학 부재와 제 2 리플렉터 사이의 에어 가이드 방향을 향하도록 배치된 직접 출사형(direct emitting type) 구조일 수도 있고, 광원 모듈은 광 출사면이 제 1 리플렉터, 제 2 리플렉터 및 커버 플레이트 방향 중 어느 한 방향을 향하도록 배치되는 간접 출사형 구조일 수도 있다.
여기서, 간접 출사형 광원 모듈은 출사된 광이 제 1 리플렉터, 제 2 리플렉터 및 커버 플레이트에 반사되고, 반사된 광은 다시 백라이트 유닛의 에어 가이드 방향으로 나아갈 수 있다.
이와 같이, 광원 모듈을 간접 출사형 구조로 배치하는 이유는 핫 스팟(hot spot) 현상을 줄일 수 있기 때문이다.
또한, 제 2 리플렉터의 하부면에 다수의 보강 리브(rib)가 배치될 수 있다.
도 28는 제 2 리플렉터의 하부면에 형성된 보강 리브를 보여주는 도면으로서, 도 28에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터의 하부면에 다수의 보강 리브(rib)(350)가 배치될 수 있다.
그 이유는 제 2 리플렉터가 곡면을 갖는 반사면을 가지므로, 외부 환경 조건에 의해, 변형될 수 있으므로, 이를 방지하기 위하여 보강 리브(350)가 설치될 수 있다.
보강 리브(350)는 제 2 리플렉터의 경사면과 마주하는 후면에 배치될 뿐만 아니라, 제 2 리플렉터의 측면과 마주하는 후면에도 배치될 수 있다.
그리고, 제 2 리플렉터의 상부면에 광학 부재를 지지하는 지지 핀들이 형성될 수도 있다.
도 29은 제 2 리플렉터의 상부면에 형성된 지지핀을 보여주는 도면으로서, 도 29에 도시된 바와 같이, 제 2 리플렉터(300)의 상부면에 광학 부재를 지지하는 지지 핀(360)들이 형성될 수도 있다.
그 이유는, 광학 부재가 제 2 리플렉터(300)로부터 이격되고, 그 사이에는 에어 가이드가 형성되므로, 광학 부재의 중심영역이 하부로 처질 수 있기 때문이다.
여기서, 지지 핀(360)는 제 2 리플렉터(300)에 접촉되는 하부면의 면적이 상부면의 면적보다 넓게 형성하는 것이 안정적일 수 있다.
한편, 제 2 리플렉터의 경사면 하부에는 광원 모듈을 구동시키기 위한 회로 장치들이 배치될 수 있다.
제 2 리플렉터의 후면에는 경사면 사이에 소정의 공간이 형성되므로, 해당 공간에 회로 장치들을 배치하면, 빈 공간을 효율적으로 이용할 수 있다.
도 30은 실시예에 따른 백라이트 유닛을 갖는 디스플레이 모듈을 보여주는 도면이다.
도 30에 도시된 바와 같이, 디스플레이 모듈(20)은 디스플레이 패널(800) 및 백라이트 유닛(700)을 포함할 수 있다.
디스플레이 패널(800)은 서로 마주하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 컬러필터 기판(810)과 TFT(Thin Film Transistor) 기판(820)을 포함하며, 상기 두 기판(810, 820)의 사이에 액정층(미도시)이 개재될 수 있다.
그리고, 디스플레이 패널(800)의 상측 및 하측에는 각각 상부 편광판(830) 및 하부 편광판(840)이 배치될 수 있으며, 보다 자세하게는 컬러필터 기판(810)의 상면에 상부 편광판(830)이 배치되고, TFT 기판(820)의 하면에 하부 편광판(840)이 배치될 수 있다.
도시하지 않았지만, 디스플레이 패널(800)의 측면에는 패널(800)을 구동시키기 위한 구동 신호를 생성하는 게이트 및 데이터 구동부가 구비될 수 있다.
도 31 및 도 32는 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 도면이다.
도 31을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 디스플레이 모듈(20), 디스플레이 모듈(20)을 둘러싸는 프론트 커버(30) 및 백 커버(35), 백 커버(35)에 구비된 구동부(55) 및 구동부(55)를 감싸는 구동부 커버(40)로 구성될 수 있다.
프론트 커버(30)는 광을 투과시키는 투명한 재질의 전면 패널(미도시)을 포함할 수 있으며, 전면 패널은 일정한 간격을 두고 디스플레이 모듈(20)을 보호하며, 디스플레이 모듈(20)로부터 방출되는 광을 투과시켜 디스플레이 모듈(20)에서 표시되는 영상이 외부에서 보여지도록 한다.
백 커버(35)는 프론트 커버(30)와 결합하여 디스플레이 모듈(20)을 보호할 수 있다.
백 커버(35)의 일면에는 구동부(55)가 배치될 수 있다.
구동부(55)는 구동 제어부(55a), 메인보드(55b) 및 전원공급부(55c)를 포함할 수 있다.
구동 제어부(55a)는 타이밍 컨트롤러로 일 수 있으며, 디스플레이 모듈(20)의 각 드라이버 IC에 동작 타이밍을 조절하는 구동부이고, 메인보드(55b)는 타이밍 컨트롤러에 V싱크, H싱크 및 R, G, B 해상도 신호를 전달하는 구동부이며, 전원 공급부(55c)는 디스플레이 모듈(20)에 전원을 인가하는 구동부이다.
구동부(55)는 백 커버(35)에 구비되어 구동부 커버(40)에 의해 감싸질 수 있다.
백 커버(35)에는 복수의 홀이 구비되어 디스플레이 모듈(20)과 구동부(55)가 연결될 수 있고, 디스플레이 장치(1)를 지지하는 스탠드(60)가 구비될 수 있다.
반면, 도 32에 도시된 바와 같이, 구동부(55)의 구동 제어부(55a)는 백 커버(35)에 구비되고, 메인보드(55b)와 전원보드(55c)는 스탠드(60)에 구비될 수도 있다.
그리고, 구동부 커버(40)는 백 커버(35)에 구비된 구동부(55)만을 감쌀 수 있다.
본 실시예에서는, 메인보드(55b)와 전원보드(55c)를 각각 따로 구성하였으나, 하나의 통합보드로도 이루어질 수 있으며 이에 한정되지 않는다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (26)

  1. 제 1 리플렉터(reflector);
    제 2 리플렉터; 및
    상기 제 1 및 제 2 리플렉터 사이에 배치되는 적어도 하나의 광원(light source)을 포함하고,
    상기 제 2 리플렉터는
    상기 광원에 인접한 정반사층을 포함하고, 상기 제 1 리플렉터와 중첩되는 정반사영역(specular reflection area);
    상기 정반사영역보다 상기 광원으로부터 멀리 떨어지고, 상기 정반사층과 동일한 평면상에 배열되는 난반사층을 포함하는 난반사영역(scattered reflection area); 및
    상기 정반사층과 상기 난반사층의 일부분이 서로 중첩되고, 상기 난반사층의 일부가 노출되도록 상기 난반사층 위에 상기 정반사층이 형성되는 중첩영역을 포함하고,
    상기 중첩영역은 상기 정반사영역과 상기 난반사영역 사이에 위치하는 디스플레이 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제 2 리플렉터는 적어도 하나의 경사면(inclined surface)과 적어도 하나의 평면(flat surface)을 포함하고, 상기 제 2 리플렉터의 평면은 상기 제 1 리플렉터와 평행한 면인 디스플레이 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제 2 리플렉터는 적어도 하나의 변곡점을 갖는 적어도 2개 경사면을 포함하고, 상기 변곡점을 중심으로 인접하는 제 1 및 제 2 경사면의 곡률은 서로 다른 디스플레이 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제 2 리플렉터로부터 일정 간격으로 공간을 두고 배치되는 광학 부재(optical member)를 더 포함하고, 상기 제 2 리플렉터와 상기 광학 부재 사이의 공간에는 에어 가이드가 형성되는 디스플레이 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 중첩영역의 정반사층은 상기 광원으로부터 멀어질수록 면적 비율이 줄어드는 디스플레이 장치.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정반사영역은 상기 중첩영역보다 면적이 더 큰 디스플레이 장치.
  7. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 리플렉터의 정반사영역은 상기 제 2 리플렉터의 전체 영역 중 20% 내지 30%를 차지하는 디스플레이 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1 항에 있어서, 상기 난반사층과 중첩된 정반사층의 두께는 상기 난반사층과 중첩되지 않는 정반사층의 두께보다 더 얇은 디스플레이 장치.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 난반사층과 중첩된 정반사층의 두께는 상기 광원으로부터 멀어질수록 얇아지는 디스플레이 장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제1 항에 있어서, 상기 난반사층 위에 형성되는 정반사층은 상기 난반사층의 일부가 노출되도록 반구형, 삼각형, 사각형 또는 다각형 중 적어도 어느 하나의 평면 평상(plane shape)을 가지고,
    상기 중첩영역은 상기 정반사영역으로부터 5mm 내지 200mm 거리만큼 연장되는 디스플레이 장치.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 제1 항 또는 제18 항에 있어서, 상기 난반사 영역은 제1 및 제2 난반사 영역을 포함하고,
    상기 제1 난반사 영역에는 정반사 및 난반사 특성이 혼합된 반사시트가 배치되고,
    상기 제2 난반사 영역에는 난반사 특성을 갖는 반사 시트가 배치되는 디스플레이 장치.
  23. 제1 항 또는 제18 항에 있어서, 상기 난반사 영역은 제1 및 제2 난반사 영역을 포함하고,
    상기 제1 난반사 영역에 형성된 램버시안 표면의 밀도는 상기 제2 난반사 영역에 형성된 램버시안 표면의 밀도보다 낮고,
    상기 정반사 영역에 형성된 램버시안 표면의 밀도는 상기 제1 난반사 영역에 형성된 램버시안 표면의 밀도보다 낮은 디스플레이 장치.
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
KR1020110041496A 2011-04-04 2011-05-02 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치 KR101880130B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110041496A KR101880130B1 (ko) 2011-05-02 2011-05-02 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
TW100120225A TWI569069B (zh) 2011-04-04 2011-06-09 背光單元及其顯示設備
JP2011130073A JP5964015B2 (ja) 2011-04-04 2011-06-10 バックライトユニット及びこれを用いるディスプレイ装置
US13/157,542 US8596807B2 (en) 2011-04-04 2011-06-10 Backlight unit and display apparatus using the same having a reflector that includes a diffuse reflection area
EP11169536.7A EP2508942B1 (en) 2011-04-04 2011-06-10 Backlight unit and display apparatus using the same
CN201110166794.5A CN102734696B (zh) 2011-04-04 2011-06-14 背光单元和使用该背光单元的显示设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110041496A KR101880130B1 (ko) 2011-05-02 2011-05-02 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120123888A KR20120123888A (ko) 2012-11-12
KR101880130B1 true KR101880130B1 (ko) 2018-07-19

Family

ID=47509424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110041496A KR101880130B1 (ko) 2011-04-04 2011-05-02 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101880130B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101479620B1 (ko) * 2013-04-17 2015-01-06 주식회사 세진엘이디 Led 등기구용 투광커버
KR101469510B1 (ko) * 2013-04-17 2014-12-05 주식회사 세진엘이디 기능성 소재를 채용한 led 등기구
KR102352568B1 (ko) * 2017-08-02 2022-01-18 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 전자 기기
CN109870818B (zh) * 2019-03-12 2023-10-13 成都工业学院 一种高亮度增强现实3d显示装置及方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06235918A (ja) * 1993-02-09 1994-08-23 Ohtsu Tire & Rubber Co Ltd :The 導光装置
KR19990035897A (ko) * 1995-07-28 1999-05-25 고오사이 아끼오 반사판, 반사형 편광판 및 반사형 액정표시장치
JP2005216693A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Harison Toshiba Lighting Corp バックライト
JP2006253139A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Au Optronics Corp バックライトモジュール
KR20080037429A (ko) * 2006-10-26 2008-04-30 엘지디스플레이 주식회사 버틈 커버 및 이를 포함한 액정표시장치
KR20110019388A (ko) * 2008-06-04 2011-02-25 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 경사형 광원을 갖는 중공 백라이트
JP2011082037A (ja) * 2009-10-07 2011-04-21 Sharp Corp 光源モジュールおよびそれを備えた電子機器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06235918A (ja) * 1993-02-09 1994-08-23 Ohtsu Tire & Rubber Co Ltd :The 導光装置
KR19990035897A (ko) * 1995-07-28 1999-05-25 고오사이 아끼오 반사판, 반사형 편광판 및 반사형 액정표시장치
JP2005216693A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Harison Toshiba Lighting Corp バックライト
JP2006253139A (ja) * 2005-03-10 2006-09-21 Au Optronics Corp バックライトモジュール
KR20080037429A (ko) * 2006-10-26 2008-04-30 엘지디스플레이 주식회사 버틈 커버 및 이를 포함한 액정표시장치
KR20110019388A (ko) * 2008-06-04 2011-02-25 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 경사형 광원을 갖는 중공 백라이트
JP2011082037A (ja) * 2009-10-07 2011-04-21 Sharp Corp 光源モジュールおよびそれを備えた電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120123888A (ko) 2012-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101943446B1 (ko) 디스플레이 장치 및 조명 시스템
JP6163232B2 (ja) バックライトユニット及びそれを用いたディスプレイ装置
JP5964015B2 (ja) バックライトユニット及びこれを用いるディスプレイ装置
KR102024288B1 (ko) 조명 시스템
KR101948141B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템
KR101941031B1 (ko) 백라이트 유닛, 이를 이용한 디스플레이 장치, 및 이를 포함하는 조명 장치
KR101880130B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR101824037B1 (ko) 디스플레이 장치
KR101827970B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 표시장치
KR101824035B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR101852389B1 (ko) 디스플레이 장치
KR101948144B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템
KR101827971B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR20130020302A (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR101948139B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템
KR101850436B1 (ko) 표시 장치 및 그를 이용한 조명 시스템
KR101824041B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR101818590B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR101948142B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템
KR101859151B1 (ko) 조명 시스템
KR101854850B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR101850429B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR101908652B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 디스플레이 장치
KR101933999B1 (ko) 조명 시스템
KR101933998B1 (ko) 백라이트 유닛 및 그를 이용한 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right