JP2013511603A - 半導体パッケージング用途において有用なインターポーザーフィルム、およびそれに関連する方法 - Google Patents

半導体パッケージング用途において有用なインターポーザーフィルム、およびそれに関連する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013511603A
JP2013511603A JP2012540096A JP2012540096A JP2013511603A JP 2013511603 A JP2013511603 A JP 2013511603A JP 2012540096 A JP2012540096 A JP 2012540096A JP 2012540096 A JP2012540096 A JP 2012540096A JP 2013511603 A JP2013511603 A JP 2013511603A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dianhydride
film
polyimide
rigid rod
interposer film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012540096A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013511603A5 (ja
Inventor
シー.アマン ブライアン
エル.ダンバー メレディス
ヒー タオ
コウタキス コスタンティノス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JP2013511603A publication Critical patent/JP2013511603A/ja
Publication of JP2013511603A5 publication Critical patent/JP2013511603A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C08G73/105Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain with oxygen only in the diamino moiety
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09D179/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295Organic, e.g. plastic containing a filler
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346Organic insulating material consisting of one material containing N
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2379/00Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
    • C08J2379/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08J2379/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/016Additives defined by their aspect ratio
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • C08K7/04Fibres or whiskers inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02Fibres or whiskers
    • C08K7/04Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/08Oxygen-containing compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0231Manufacturing methods of the redistribution layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0231Manufacturing methods of the redistribution layers
    • H01L2224/02319Manufacturing methods of the redistribution layers by using a preform
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0233Structure of the redistribution layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0233Structure of the redistribution layers
    • H01L2224/02335Free-standing redistribution layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0236Shape of the insulating layers therebetween
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/024Material of the insulating layers therebetween
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01021Scandium [Sc]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12032Schottky diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0154Polyimide
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0209Inorganic, non-metallic particles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/256Heavy metal or aluminum or compound thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/256Heavy metal or aluminum or compound thereof
    • Y10T428/257Iron oxide or aluminum oxide
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/259Silicic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Insulating Bodies (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

ICパッケージング用インターポーザーフィルムが開示される。インターポーザーフィルムは、複数の導電性領域を支持する基板を含んでなる。この基板は、ポリイミドおよびサブミクロン充填材から構成される。ポリイミドは、剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つの芳香族二無水物成分と、剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つの芳香族ジアミン成分とから誘導される。二無水物のジアミンに対するモル比は、48〜52:52〜48であり、そしてXを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Yを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のX:Y比率は、20〜80:80〜20である。サブミクロン充填材は、少なくとも1つの寸法で550ナノメートル未満であり、3:1を超えるアスペクト比を有し、全ての寸法でフィルムの厚さ未満である。

Description

本開示は、一般に、基板によって支持された複数の導電性領域を含んでなる、集積回路パッケージング用インターポーザーフィルムに関する。より詳しくは、この基板は、サブミクロン充填材、およびハイブリッド骨格構造を有するポリイミドを含んでなるポリイミドフィルムである。
ICパッケージング技術は、(1)チップ上の回路に電力を供給する電流のための経路を提供するため、(2)チップ上へ、およびチップから信号を配信するため、(3)ICチップによって直接的または間接的に生じた熱を除去するため、そして(4)チップを不利な環境から支持および保護するために、ICチップに適用される。典型的なボールグリッドアレイ(BGA)ICパッケージには、可撓性ポリイミドインターポーザーフィルムに固定されたICチップが含まれる。そのようなBGA型ICパッケージング用途において、ICチップ上のパッドをポリイミドインターポーザーフィルム上の導電性トレースに接続するために、細線ワイヤーボンドが使用される。導電性トレースは、はんだボールへの経路が決められている。このはんだボールは、ポリイミドインターポーザーフィルムの裏面に配置されたはんだボールのアレイの1つであり、BGAパッケージの底面から突出している。これらのはんだボールは、プリント回路基板などの基板上に位置するパッドのアレイと相互接続する。したがって、典型的なBGAパッケージは、IC上の各パッドをプリント回路基板上のパッドに電気的に接続する。
このようなパッケージング用途において、加工温度が非常に高くなる可能性があり、例えば、300℃より高い温度となることがある。このような高い操作温度では、インターポーザーフィルムは寸法変形を示す可能性がある。また、加工コストを低減させる試みによって、ますます高い張力でのオープンリール式操作が必要となる可能性があり、このような高い張力での加工によっても、インターポーザーフィルムに寸法変形が引き起こされる可能性がある。この産業においては、ICチップ、ICパッケージングおよび関連する電気回路は、生産コストを低下させるための新たな世代の度にますます小型化されていることにより、(インターポーザーフィルムによって示される)寸法変形に対する許容が低くなる傾向にある。したって、この産業において、熱安定性および寸法安定性が改善された、ICパッケージング用のポリイミドインターポーザーフィルムに対するニーズがある。
Jiangらへの米国特許第6,770,981号明細書は、BGAパッケージング用の複合インターポーザーフィルムに関する。
本開示は、基板によって支持された複数の導電性領域を含んでなり、5〜150ミクロンの厚さを有するICパッケージング用インターポーザーフィルムに関する。この基板は、
i)剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つの芳香族二無水物成分と、
ii)剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つの芳香族ジアミン成分と
から誘導されるポリイミドを含んでなる。
ポリイミドの全二無水物成分および全ジアミン成分に基づき、二無水物のとジアミンに対するモル比は、48〜52:52〜48であり、そしてXを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Yを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のX:Y比率は、20〜80:80〜20である。この基板は、少なくとも1つの寸法で、(数平均で)550ナノメートル未満であり、3:1を超えるアスペクト比を有し、全ての寸法で基板の厚さ未満であり、そして基板の10〜45容積%の量で存在するサブミクロン充填材も含んでなる。
本開示の一実施形態による、延長リードを利用するフェースダウン、ファンインパッケージの底面図を示す。 本開示の一実施形態による、延長リードを利用するフェースダウン、ファンインパッケージの部分断面図を示す。 本開示の一実施形態による、基板の第2の表面上にリードを有する延長リードを利用するフェースダウン、ファンインパッケージの部分断面図を示す。 本開示の一実施形態による、柔軟層がチップのフェース面と基板の第1の表面との間に配置されている、延長リードを利用するフェースダウン、ファンインパッケージの部分断面図を示す。 μBGAパッケージングの斜視図である。 μBGAパッケージングの断面図である。 本発明の好ましいインターポーザーの断面図である。 第2レベルパッケージに取り付けられている第1レベルパッケージの断面図である。 第1レベルパッケージケースを図示しない図5の第1レベルパッケージの断面図である。
定義
「導電性領域」は、導電性パッド、導電性電気回路またはトレースなどのいずれかの導電性材料を意味するように意図される。導電性領域は、本開示のポリイミドフィルムによって支持される。導電性領域は、少なくとも部分的に、ICチップとICチップの一部ではない部材との間に導電性界面をもたらす。この導電性界面は、i.ICチップによるICチップの一部ではない部材(例えば、プリント配線板上の電気回路、入力/出力デバイスなど)の制御(または作用)を可能とし、そして/またはii.ICチップの一部ではない部材(例えば、ICチップに電力供給するための電気接続)によるICチップでの制御(または作用)を可能とする。
「フィルム」は、独立フィルムまたは(自立もしくは非自立)コーティングを意味するように意図される。「フィルム」という用語は、「層」という用語と交換可能に使用されて、所望の領域を被覆することを示す。
「二無水物」は、本明細書で使用される場合、技術的には二無水物ではなくてもよいが、それにもかかわらず、ジアミンと反応して、次にポリイミドへと変換可能なポリアミド酸を形成する能力のため、機能的には同等であろうそれらの前駆体または誘導体を含むように意図される。
「ジアミン」は、本明細書で使用される場合、技術的にはジアミンではなくてもよいが、それにもかかわらず、二無水物と反応して、次にポリイミドに変換可能なポリアミド酸を形成する能力のため、機能的には同等であるそれらの前駆体または誘導体を含むように意図される。
「ポリアミド酸」は、本明細書で使用される場合、二無水物およびジアミンモノマーまたはそれらの官能性同等物の組み合わせから誘導され、そしてポリイミドに変換可能ないかなるポリイミド前駆体物質も含むように意図される。
「サブミクロン」は、(数平均で)ミクロン未満である少なくとも1つの寸法を有する粒子を記載するように意図される。
「化学変換」または「化学的に変換される」は、本明細書で使用される場合、ポリアミド酸をポリイミドに変換するための触媒(促進剤)もしくは脱水剤(または両方)の使用を示しており、そしてその後、98%を超える固体濃度まで高温で乾燥される、部分的に化学的に変換されたポリイミドを含むように意図される。
「アスペクト比」は、長さと高さとの比率などの、1つの寸法ともう1つの寸法との比率を意味するように意図される。
ある種のポリマーの記載において、出願人らが、それらを製造するために使用するモノマー、またはそれらを製造するために使用するモノマーの量によってポリマーを示すことがあることを理解すべきである。そのような記載は、最終ポリマーを記載するために使用される特定の命名法を含まないかもしれず、またはプロダクト−バイ−プロセス用語を含有しないかもしれないが、モノマーおよび量のそのような記載は、文脈が別に示すか、または暗示しない限り、ポリマーがそれらのモノマーから製造されることを意味するように解釈されなければならない。
本明細書で使用される場合、「含んでなる」、「含んでなっている」「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」という用語、またはそれらの他のあらゆる変形は、非排他的包含を含むように意図される。例えば、要素のリストを含んでなる方法、プロセス、物品または装置は、必ずしもそれらの要素のみに限定されるというわけではなく、明白に記載されていない、またはそのような方法、プロセス、物品もしくは装置に固有の他の要素を含んでもよい。さらには、逆に明示されない限り、「または」は包括的論理和を示し、そして排他的論理和を示さない。例えば、条件AまたはBは、以下のいずれか1つによって満たされる。Aは真であり(または存在する)、そしてBは偽である(または存在しない)、Aは偽であり(または存在しない)、そしてBは真である(または存在する)、ならびにAおよびBが両方とも真である(または存在する)。
また、冠詞「a」または「an」は、本発明の要素および構成部分を記載するために使用される。これは単に、便宜のため、そして本発明の一般的な意味を与えるためである。この記載は、他を意味することが明らかでない限り、1つまたは少なくとも1つを含むように読解されるべきであり、また単数形は複数形を含む。
概要
本開示のインターポーザーフィルムは、基板によって支持された複数の導電性領域を有する。本開示の基板は、ポリイミドおよびサブミクロン充填材を含んでなる。本開示のサブミクロン充填材は、一般に、熱膨張係数を維持または低下させ、貯蔵弾性率を増加させながら、基板を過度に脆くさせることなく、比較的高い充填量で基板に組み込むことができる。ポリイミドは、剛性ロッド部分および非剛性ロッド部分を含んでなるハイブリッド骨格構造を有する。本開示のインターポーザーフィルムは、ロール−ツー−ロール(roll−to−roll)またはオープンリール式プロセスにおいてインターポーザーフィルムを利用するいずれものICパッケージング技術に十分に適応する。
ポリイミド
本開示のポリイミドは、剛性ロッド部分および非剛性ロッド部分の両方を含んでなるポリマー骨格構造を提供する、ある種の芳香族二無水物と、ある種の芳香族ジアミンとの重合反応から誘導される。剛性ロッド部分は、ポリイミドへの芳香族剛性ロッドモノマーの重合に起因し、そして非剛性ロッド部分は、ポリイミドへの非剛性ロッド芳香族モノマーの重合に起因する。ポリイミドへと重合する時に、芳香族剛性ロッドモノマーはポリマー骨格に同一直線上の(約180°)配置を与え、したがって、比較的小さい運動能力を与える。
芳香族剛性ロッドジアミンモノマーの例は、以下の通りである。
1,4−ジアミノベンゼン(PPD)、
4,4’−ジアミノビフェニル、
2,2’−ビス(トリフルオロメチル)4,4’−ジアミノビフェニル(TFMB)、
1,4−ナフタレンジアミン、
1,5−ナフタレンジアミン、
4,4’’−ジアミノテルフェニル、
4,4’−ジアミノベンズアニリド
4,4’−ジアミノフェニルベンゾエート、
3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、
2,5−ジアミノトルエンなど。
芳香族剛性ロッド二無水物モノマーの例は、以下の通りである。
ピロメリット酸二無水物(PMDA)、
2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、および
3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)。
(剛性ロッドジアミンおよび剛性ロッド二無水物の)上記例に実質的に等しいか、それ未満で、(ポリイミドへと重合した時点で)回転運動の自由度を有するか、または屈曲するモノマーは、本開示の目的に関して、剛性ロッドモノマーとみなされるように意図される。
非剛性ロッドモノマーは、本開示の目的に関して、上記の例示された剛性ロッドモノマーと比べて、実質的に大きい運動の自由度を有するポリイミド骨格構造へと重合することが可能な芳香族モノマーを意味するように意図される。非剛性ロッドモノマーは、ポリイミドへと重合される時、屈曲部を有する骨格構造を提供するか、またはそれらが生じたポリイミド骨格に沿って同一直線上ではない(例えば、約180°ではない)。本開示による非剛性ロッドモノマーの例としては、ポリイミド骨格に沿って回転性または屈曲性架橋基を提供することが可能ないかなるジアミンおよびいかなる二無水物も含まれる。回転性または屈曲性架橋基の例には、−O−、−S−、−SO2−、−C(O)−、C(CH32−、−C(CF32−および−C(R,R’)−(式中、RおよびR’は、同一であるか、または異なって、炭素に結合可能な任意の有機基である)が含まれる。
非剛性ロッドジアミンの例としては、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(“ODA”)、2,2−ビス−(4−アミノフェニル)プロパン、1,3−ジアミノベンゼン(MPD)、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス−(4−(4−アミノフェノキシ)フェニルスルホン(BAPS)、4,4’−ビス−(アミノフェノキシ)ビフェニル(BAPB)、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−イソプロピリデンジアニリン、2,2’−ビス−(3−アミノフェニル)プロパン、N,N−ビス−(4−アミノフェニル)−n−ブチルアミン、N,N−ビス−(4−アミノフェニル)メチルアミン、m−アミノベンゾイル−p−アミノアニリド、4−アミノフェニル−3−アミノベンゾエート、N,N−ビス−(4−アミノフェニル)アニリン、2,4−ジアミノトルエン、2,6−ジアミノトルエン、2,4−ジアミン−5−クロロトルエン、2,4−ジアミノ−6−クロロトルエン、2,4−ビス−(ベータ−アミノ−t−ブチル)トルエン、ビス−(p−ベータ−アミノ−t−ブチルフェニル)エーテル、p−ビス−2−(2−メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン、m−キシレンジアミン、p−キシレンジアミン、1,2−ビス−(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス−(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,2−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1−(4−アミノフェノキシ)−3−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス−(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1−(4−アミノフェノキシ)−4−(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2−ビス−(4−[4−アミノフェノキシ]フェニル)プロパン(BAPP)、2,2’−ビス−(4−アミノフェニル)−ヘキサフルオロプロパン(6Fジアミン)、2,2’−ビス−(4−フェノキシアニリン)イソプロピリデン、4,4’−ジアミノ−2,2’−トリフルオロメチルジフェニルオキシド、3,3’−ジアミノ−5,5’−トリフルオロメチルジフェニルオキシド、4,4’−トリフルオロメチル−2,2’−ジアミノビフェニル、2,4,6−トリメチル−1,3−ジアミノベンゼン、4,4’−オキシ−ビス−[2−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン](1,2,4−OBABTF)、4,4’−オキシ−ビス−[3−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン]、4,4’−チオ−ビス−[(2−トリフルオロメチル)ベンゼン−アミン]、4,4’−チオビス[(3−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン]、4,4’−スルホキシル−ビス−[(2−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン、4,4’−スルホキシル−ビス−[(3−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン]、および4,4’−ケト−ビス−[(2−トリフルオロメチル)ベンゼンアミン]が含まれる。
非剛性ロッド芳香族二無水物の例としては、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、4,4’−チオ−ジフタル酸無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物(DSDA)、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホキシド二無水物、4,4’−オキシジフタル酸無水物(ODPA)、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)チオエーテル二無水物、2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン二無水物(BPADA)、ビスフェノールS二無水物、2,2−ビス−(3,4−ジカルボキシフェニル)1,1,1,3,3,3,−ヘキサフルオロプロパン二無水物(6FDA)、5,5−[2,2,2]−トリフルオロ−1−(トリフルオロメチル)エチリデン、ビス−1,3−イソベンゾフランジオン、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、シクロペンタジエニルテトラカルボン酸二無水物、エチレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物が含まれる。
いくつかの実施形態において、ポリイミドの全二無水物成分およびジアミン成分に基づき、二無水物のジアミンに対するモル比は、48〜52:52〜48であり、そして、Xを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Yを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のX:Y比率は、20〜80:80〜20である。そして他の実施形態において、その広い比率の範囲内のいかなる下位の範囲であることも可能である(例えば、20〜80は、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75および80の間、および場合により、端点を含むいかなる範囲も含み、そして80〜20は、80、75、70、65、60、55、45、40、35、30および25の間、および場合により、端点を含むいかなる範囲も含む)。
一実施形態において、本開示のポリイミドは、実質的に等モル量の4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−ODA)非剛性ロッドモノマーと、ピロメリット酸二無水物(PMDA)剛性ロッドモノマーとから誘導される。もう1つの実施形態において、芳香族二無水物成分の少なくとも70モル%は、ピロメリット酸二無水物であり、そして芳香族ジアミン成分の少なくとも70モル%は、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルである。いくつかの実施形態において、(ポリイミドの全二無水物含有量に基づき)芳香族二無水物成分の少なくとも70、75、80、85、90または95モル%は、ピロメリット酸二無水物であり、そして(ポリイミドの全ジアミン含有量に基づき)芳香族ジアミン成分の少なくとも70、75、80、85、90または95モル%は、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルである。そのようなPMDA//4,4’ODAポリイミドは、比較的低コストで特性が改善されるため、本開示のサブミクロン充填材との組み合わせに特に好適であることが見出されている。もう1つの実施形態において、ポリイミドは、100モル%のピロメリット酸二無水物と、100モル%の4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとから誘導される。もう1つの実施形態において、ポリイミドは、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよび1,4−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とから誘導されるランダムコポリマーである。さらにもう1つの実施形態において、ポリイミドは、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよび1,4−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物とから誘導されるランダムコポリマーである。
もう1つの実施形態において、芳香族二無水物の少なくとも75モル%は、ピロメリット酸二無水物であり、芳香族ジアミン成分としては70モル%の4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよび30モル%の1,4−ジアミノベンゼンである。
もう1つの実施形態において、ポリイミドはブロックコポリマーである。ブロックコポリマーは、完全にランダムなモノマー配列の分布と対照的に、実質的に1つの二無水物/ジアミンの組み合わせの配列がポリマー骨格に沿って存在するポリマーである。典型的に、ポリアミド酸調製の間、異なるモノマーの連続添加によって、これは達成される。
さらにもう1つの実施形態において、ポリイミドは、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよび1,4−ジアミノベンゼンとピロメリット酸二無水物とから誘導されるブロックコポリマーである。さらにもう1つの実施形態において、ポリイミドは、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(4,4’−ODA)および1,4−ジアミノベンゼン(PPD)と、ピロメリット酸二無水物(PMDA)および3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)とから誘導されるブロックコポリマーである。さらにもう1つの実施形態において、ポリイミドは、実質的に剛性のブロック(PPDと反応したPMDA)と、実質的により屈曲性のブロック(ODAと反応したPMDA)とからなるブロックコポリマーである。もう1つの実施形態において、ブロックコポリマーは、10〜40モル%のピロメリット酸二無水物および1,4−ジアミノベンゼンのブロックと、90〜60モル%のピロメリット酸二無水物および4,4’−ジアミノジフェニルエーテルのブロックとから誘導される。
サブミクロン充填材
本開示によると、充填材は、(少なくとも1つの寸法で)サブミクロンの充填材またはサブミクロンの充填材の混合物である。
一実施形態において、本開示のポリイミドフィルムは、少なくとも1つのサブミクロン充填材を含んでなり、サブミクロン充填材は、
1.少なくとも1つの寸法で、550ナノメートル未満である(そしていくつかの実施形態において、475、450、425、400、375、350、325、300、275、250、225または200ナノメートル未満である)(充填材は、任意の寸法で様々な形状を有することが可能であるため、そして充填材の形状は、任意の寸法に沿って異なることが可能であるため、「少なくとも1つの寸法」は、その寸法に沿った数平均であるように意図される)、
2.3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14または15対1を超える平均アスペクト比を有し、
3.全寸法において、基板の厚さの100、95、90、85、80、75、70、65、60、55、50、45、40、35、30、25、20、15または10%未満であり、そして
4.基板の10、15、20、25、30、35、40および45容積%の任意の2つのパーセントの間の量、および場合により、端点を含む量で存在する。
適切なサブミクロン充填材は、一般に、300、350、400、425または450℃を超える温度で安定であり、そしていくつかの実施形態において、基板の電気絶縁特性を有意に低下させない。いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、針様充填材(針状)、繊維状充填材、プレートレット充填材およびそれらの混合物からなる群から選択される。一実施形態において、サブミクロン充填材は、実質的に非凝集体である。サブミクロン充填材は、中空、多孔質または固体であることが可能である。
一実施形態において、本開示のサブミクロン充填材は、少なくとも3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14または15対1のアスペクト比を示す。一実施形態において、サブミクロン充填材アスペクト比は、5:1またはそれより大きい。もう1つの実施形態において、サブミクロン充填材のアスペクト比は、10:1またはそれより大きく、そしてもう1つの実施形態において、アスペクト比は、12:1またはそれより大きい。いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、酸化物(例えば、ケイ素、マグネシウムおよび/またはアルミニウムを含んでなる酸化物)、窒化物(例えば、ホウ素および/またはケイ素を含んでなる窒化物)、炭化物(例えば、タングステンおよび/またはケイ素を含んでなる炭化物)、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される。いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、針状二酸化チタン、タルク、SiC繊維、プレート状Al23またはそれらの混合物である。いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、全寸法において(数平均で)50、25、20、15、12、10、8、6、5、4または2ミクロン未満である。
さらにもう1つの実施形態において、機械特性を増加させるために、他のサブミクロン充填材と組み合わせて、炭素繊維およびグラファイトを使用することができる。しかしながら、一実施形態において、グラファイトおよび炭素繊維充填材が電気絶縁特性を低下させるおそれがあり、そしていくつかの実施形態においては、低下した電気絶縁特性が望ましくないため、グラファイト、炭素繊維および/または導電性充填材の充填は、浸透閾値以下(おそらく10容積%未満)である必要があり得る。
いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、カップリング剤でコーティングされている。いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、アミノシランカップリング剤でコーティングされる。いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、分散剤でコーティングされる。いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、カップリング剤および分散剤の組み合わせでコーティングされる。いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、カップリング剤、分散剤またはそれらの組み合わせでコーティングされる。あるいは、カップリング剤および/または分散剤をフィルムに直接組み込むことが可能であり、必ずしもサブミクロン充填材上にコーティングされない。いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、少なくとも一部が酸化アルミニウムでコーティングされた針状二酸化チタンを含んでなる。
いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、所望の加工温度でそれ自体が分解しないか、またはオフガスを生じないように選択される。同様に、いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、ポリマーの分解の一因とならないように選択される。
一実施形態において、1つの粒子において1つの酸化物がもう1つの酸化物を封入する充填材複合材(例えば単一または複数コア/シェル構造)を使用することができる。
基板
比較的安価なポリイミドに本開示のサブミクロン充填材を充填することが可能であり、それによって、少なくともいくつかの様式で、より低コストであるが、より高価なポリイミドと同様に機能することが見出されている。BPDAまたはフッ素化モノマーなどの、より高価なモノマーを、より安価なモノマーと少なくとも部分的に(または完全に)置き換えることができる。高価なモノマーの他に、いくつかのポリイミドは、例えば、BPDA//PPDではブリスター形成のため、商業的に加工することがより困難である。より低い製造速度は、フィルムのコストを高める。その上、全ての剛性ロッドモノマーから誘導されたポリイミドは、低いCTEおよび高い弾性率を有し得るが、充填時に低い伸び率を有する。3:1またはそれより大きいアスペクト比を有するサブミクロン充填材を、より安価であり、容易に加工可能なポリイミドに比較的高い充填濃度(10〜45容積%)で組み込むことができることが見出された。本開示のサブミクロン充填材は、基板を過度に脆くさせることなく、本開示の基板の貯蔵弾性率を増加させて、そしてCTEを低下させるか、またはほぼ維持する傾向がある。
驚くべきことに、本開示のサブミクロン充填材は、全てのポリイミドにおいて同様に作用しないことがある。驚くべきことに、剛性ロッドポリイミド(BPDA//PPD)において、CTEは未充填の剛性ロッドポリイミドにおけるよりも大きくなり得る。
本開示のサブミクロン充填材は、本開示のポリイミドに組み込まれる場合、それらの従来のアスペクト比が高くない(3:1未満のアスペクト比)対応物と比較して、より良好な特性(または特性の釣合い)を有する基板を生じる。
いくつかの実施形態において、基板は、芳香族二無水物成分として100モル%のピロメリット酸二無水物と、芳香族ジアミン成分として100モル%の4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとから誘導されるポリイミドを含んでなり、そしてサブミクロン充填材は、針状二酸化チタン、タルク、SiC繊維、プレート状Al23またはそれらの混合物である。いくつかの実施形態において、ポリイミドは、ピロメリット酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとのホモポリマーである。
もう1つの実施形態において、基板は、10〜40モル%のピロメリット酸二無水物および1,4−ジアミノベンゼンのブロックと、90〜60モル%のピロメリット酸二無水物および4,4’−ジアミノジフェニルエーテルのブロックとから誘導されたブロックコポリマーであるポリイミドを含んでなり、そしてサブミクロン充填材は、針状二酸化チタン、タルク、SiC繊維、プレート状Al23またはそれらの混合物である。
熱および寸法安定性
充填材の添加がCTEを低下させて、貯蔵弾性率を増加させることは一般に知られているが、驚くべきことに、本開示のサブミクロン充填材に関しては、貯蔵弾性率の有意な増加および/またはCTEの減少が観察される閾値がある。一実施形態において、サブミクロン充填材は、機械特性および熱特性を改善しながら、熱膨張係数(CTE)を実質的に維持する(80、70、60、50、40、30、20、10、5、4、3、2または1%、プラスまたはマイナス)。
一実施形態において、本開示の基板は、面内熱膨張係数(CTE)を、60℃(または50℃)〜350℃の間で測定すると、1、5、10、15、20、25、30および35ppm/℃の任意の2つの間(および場合により端点を含む)範囲で面内CTEを有する。
本開示のいくつかの未充填のブロックまたはランダムコポリマーは、比較的低いCTEを有し得る。したがって、いくつかの実施形態において、本開示のサブミクロン充填材は、ブロックコポリマーCTEに対してほとんど影響を及ぼさない。いくつかの実施形態において、本開示のサブミクロン充填材は、低いCTEを有するブロックまたはランダムコポリマーのCTEを増加させ得るが、CTEはなお所望の範囲内に維持される。基板の厚さもCTEに影響を及ぼす可能性があって、より薄いフィルムでは、より低いCTEを与える傾向があり(そして、より厚いフィルムでは、より高いCTEを与える傾向がある)、したがって、基板の厚さを、選択されるいずれかの特定の用途次第で、基板のCTEを微調整するために使用することができる。本開示の基板は、5、6、8、10、12、15、20、25、50、75、100、125および150ミクロンのいずれかの厚さ(ミクロン)の間の(および任意にそれらを含む)範囲の厚さを有する。本開示の範囲内のモノマーおよびサブミクロン充填材を、上記範囲内でCTEを微調整するために選択することもでき、または最適化することもできる。通常の技術および実験は、特定の用途次第で、本開示の基板のいずれかの特定のCTEを微調整する際に必要であり得る。いくつかの実施形態において、基板の面内CTEは、10℃/分で400℃まで運転され、次いで、冷却され、400℃まで再加熱されるTA Instruments TMA−2940を利用する熱機械分析によって得ることができる。CTEは、ppm/℃の単位で、50℃〜350℃の間の再加熱走査の間に得られる。もう1つの実施形態において、フィルムの面内CTEは、熱機械分析(TA Instruments、TMA−2940、10℃/分で460℃まで加熱、次に冷却し、500℃まで再加熱)によって得ることができ、再加熱時50℃〜350℃の間で評価される。もう1つの実施形態において、フィルムの面内CTEは、熱機械分析(TA Instruments、TMA−2940、10℃/分で380℃まで加熱、次に冷却し、380℃まで再加熱)によって得ることができ、再加熱時50℃〜350℃の間で評価される。
いくつかの実施形態において、サブミクロン充填材は、ポリイミドのガラス転移温度(Tg)を越えて、貯蔵弾性率を増加させる。いくつかの実施形態において、本開示のサブミクロン充填材は、25℃で、3:1未満のアスペクト比を有するサブミクロン充填材と比較して、少なくとも20、22、24、26、28または30%貯蔵弾性率を増加させる。いくつかの実施形態において、本開示のサブミクロン充填材は、480℃〜500℃で、3:1未満のアスペクト比を有するサブミクロン充填材と比較して、貯蔵弾性率を少なくとも40、42、44または46%増加させる。いくつかの実施形態において、本開示のサブミクロン充填材は、25℃で、未充填のポリイミドと比較して、貯蔵弾性率を少なくとも38、40、42、44または46%増加させる。いくつかの実施形態において、本開示のサブミクロン充填材は、480℃〜500℃で、未充填のポリイミドと比較して、貯蔵弾性率を少なくとも52、53、54または55%増加させる。
典型的に、フィルム中の充填材の量が増加すると、フィルムはより脆く、加工が困難になる傾向がある。典型的に、引張伸び率が20%未満である場合、フィルムは加工が困難であり、商業的な価値が制限される。驚くべきことに、本開示のサブミクロン充填材が、二無水物のジアミンに対するモル比が48〜52:52〜48であり、そしてXを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Yを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のX:Y比率が20〜80:80〜20であるポリイミドに添加される場合、引張伸び率は容認できる値のままである。いくつかの実施形態において、10容積%より多いサブミクロン充填材が使用される場合、引張伸び率は容認できる値のままである。一実施形態において、30容積%より多いサブミクロン充填材が使用される場合、引張伸び率は容認できる値のままである。もう1つの実施形態において、40容積%より多いサブミクロン充填材が使用される場合、引張伸び率は容認できる値のままである。
一般に、ポリイミドを形成する際、化学変換過程は(熱変換過程とは対照的に)、より低いCTEポリイミドフィルムをもたらす。したがって、本開示の利点は、化学的または熱的に変換されたポリイミドの両方に関して見られるが、本開示のサブミクロン充填材を組み込むことの利点は、本開示の化学的に変換されたポリイミドに関して最も有用となり得る。
基板形成
本開示の基板は、当該技術で周知の方法によって製造することができる。いくつかの実施形態において、上記のモノマーを溶媒と一緒に組み合わせて、ポリアミド酸(またポリアミド酸溶液とも呼ばれる)を形成することによって、基板を製造することができる。二無水物およびジアミン成分は、典型的に、0.90〜1.10の芳香族二無水物成分と芳香族ジアミン成分とのモル比で組み合わせられる。分子量は、二無水物およびジアミン成分のモル比を調節することによって調節することができる。
本開示の実施において、化学変換または熱変換を使用することができる。化学変換が使用される例において、ポリアミド酸キャスティング溶液をポリアミド酸溶液から誘導する。一実施形態において、ポリアミド酸キャスティング溶液は、(i)1種または複数種の、脂肪族酸無水物(無水酢酸など)および芳香族酸無水物などの脱水剤、ならびに(ii)1種または複数種の、脂肪族第三級アミン(トリエチルアミンなど)、芳香族第三級アミン(ジメチルアニリンなど)、および複素環式第三級アミン(ピリジン、ピコリン、イソキノリンなど)などの触媒などの変換化学物質と組み合わせたポリアミド酸溶液を含んでなる。無水脱水物質は、しばしば、コポリアミド酸のアミド酸基の量のモル過剰で使用される。使用される無水酢酸の量は、典型的に、アミド酸1当量につき約2.0〜3.0モルである。一般に、相当量の第三級アミン触媒が使用される。
一実施形態において、ポリアミド酸は、約5重量%〜40重量%(40重量%を含む)濃度で有機溶媒に溶解される。一実施形態において、ポリアミド酸は、約5、10、15、20、25、30、35または40重量%の濃度で有機溶媒に溶解される。適切な溶媒の例には、ホルムアミド溶媒(N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミドなど)、アセトアミド溶媒(N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミドなど)、ピロリドン溶媒(N−メチル−2−ピロリドン、N−ビニル−2−ピロリドンなど)、フェノール溶媒(フェノール、o−、m−またはp−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなど)、ヘキサメチルホスホルアミドおよびガンマ−ブチロラクトンが含まれる。これらの溶媒の1種またはそれらの混合物を使用することが望ましい。これらの溶媒と、キシレンおよびトルエンなどの芳香族炭化水素、またはジグリム、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコール、メチルエーテルアセテート、テトラヒドロフランなどのエーテル含有溶媒との組み合わせを使用することも可能である。
一実施形態において、本開示の基板を形成するために多数の変形を使用して、プレポリマーを調製すること、およびサブミクロン充填材(それらの分散またはコロイド)と組み合わせることが可能である。「プレポリマー」は、典型的に、やや化学量論過剰(約2〜4%)のジアミンモノマー(または過剰の二無水物モノマー)で製造された、より低分子量のポリマーを意味するように意図される。プレポリマーの分子量(および溶液粘度)を増加させることは、1:1の二無水物とジアミンとの化学量論比に到達させるために、追加的な二無水物(または二無水物モノマーが最初にプレポリマーにおいて過剰である場合、追加的なジアミン)の増加量を添加することによって達成することができる。
本開示による基板を製造するための有用な方法は、Kreuzらへの米国特許第5,166,308号明細書に見ることができる。多数の変形も可能であり、例えば、(a)ジアミン成分および二無水物成分をあらかじめ一緒に混合しておき、次いで、攪拌しながら、混合物を溶媒に数回に分けて添加する方法、(b)溶媒をジアミンおよび二無水物成分の攪拌混合物に添加する方法(上記(a)とは逆)、(c)ジアミンのみを溶媒に溶解し、次いで、反応速度を制御するような比率で、二無水物をそれに添加する方法、(d)二無水物成分のみを溶媒に溶解し、次いで、反応速度を制御するような比率で、アミン成分をそれに添加する方法、(e)ジアミン成分および二無水物成分を別々に溶媒に溶解し、次いで、これらの溶液を反応器で混合する方法、(f)過剰のアミン成分を含むポリアミド酸および過剰の二無水物成分を含むもう1つのポリアミド酸をあらかじめ形成し、次いで、特に非ランダムまたはブロックコポリマーを生じるような様式で、反応器中で互いに反応させる方法、(g)アミン成分および二無水物成分の特定の部分を最初に反応させ、次いで、残りのジアミン成分を反応させる、またはその逆の方法、(h)変換化学物質をポリアミド酸と混合して、ポリアミド酸キャスティング溶液を形成し、次いで、キャストしてゲルフィルムを形成する方法、(i)任意の順番で、成分の一部または全部を、溶媒の一部または全部に添加する方法であって、また、任意の成分の一部または全部を、溶媒の一部または全体中の溶液として添加することもできる方法、(j)最初に二無水物成分の1つをジアミン成分の1つと反応させ、第1のポリアミド酸を生じ、次いで、他の二無水物成分を他のアミン成分と反応させ、第2のポリアミド酸を生じ、次いで、複数の方法のいずれか1つでアミド酸を組み合わせ、その後、フィルム形成を行う方法、ならびに(k)連続添加によってブロックコポリマーを生じさせる方法、例えば、第1のジアミンおよび第1の二無水物を添加して、過剰な二無水物(または過剰なジアミン)を有するポリアミド酸を形成し、第1のブロックを生じさせ、次いで、第2のジアミンおよび第2の二無水物をポリアミド酸に添加して、第1のブロックの存在下で第2のブロックを生じさせる方法が挙げられる。(k)に関しては、特定の応用または所望の特性次第で、(各ブロック中で)異なる二無水物(および同一ジアミン)に基づき、または異なる二無水物および異なるジアミンに基づき、ブロックを製造することができる。
サブミクロン充填材(それらの分散またはコロイド)は、基板調製のいくつかの点で添加することができる。一実施形態において、コロイドまたは分散をプレポリマーに組み込み、25℃で50〜100ポアズの範囲のBrookfield溶液粘度を得る。他の実施形態において、コロイドまたは分散をモノマーと直接組み合わせられることができ、この場合、重合は反応中に充填材が存在する状態で生じる。モノマーは、この「その場」重合の間、過剰の任意のモノマー(ジアミンまたは二無水物)を有してもよい。モノマーは、1:1の比率で添加されてもよい。モノマーがアミン過剰(ケースi)または二無水物過剰(ケースii)のいずれかで添加される場合、必要に応じて、1:1の二無水物とアミンとの化学量論比に到達するように、追加的な二無水物(ケースi)またはジアミン(ケースii)の増加量を添加することによって、分子量(および溶液粘度)の増加を達成することができる。次いで、ポリアミド酸キャスティング溶液を、エンドレスベルトまたは回転ドラムなどの支持体上にキャストまたは塗布することができる。ポリアミド酸は、変換化学反応物を含有する。次に、適切な温度で焼成して溶媒を除去することによって(熱硬化)、または化学変換反応物と一緒に焼成することによって(化学硬化)、溶媒含有フィルムを自立フィルムに変換することができる。次いで、フィルムを支持体から分離して、連続的な熱硬化とともに、幅出し(tentering)などによって延伸して、基板を提供することができる。
一般的に、表面の粗さが、i.本開示の充填基板上に堆積された層の機能を妨害する可能性があり、ii.電気または機械欠陥の可能性を増加させる可能性があり、そしてiii.基板に沿って均一性を減少させる可能性があるため、基板が平滑であることが望ましい。一実施形態において、サブミクロン充填材(および他の任意の不連続な領域)が、1000、750、500または400ナノメートル未満の平均表面粗度(Ra)を有する最終基板を提供するように、基板形成時に基板の表面間に十分にあるように、サブミクロン充填材(および他の任意の不連続な領域)は基板形成の間に十分に分散する。本明細書に提供される表面粗度は、Veeco Wyco NT 1000 Series機器上、VSIモードで、25.4倍または51.2倍で、Wyco Vision 32を利用して測定するように、Ra値を提供する光学面プロフィロメトリーによって決定することができる。
ポリアミド酸(およびキャスティング溶液)は、加工助剤(例えばオリゴマー)、酸化防止剤、光安定剤、難燃添加剤、帯電防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、充填材または様々な強化剤などの複数の添加剤のいずれか1種をさらに含むことができる。
アルコキシシランカップリング剤(または任意の従来の、非従来の、現在既知の、もしくは将来発見されるカップリング剤)を、調合前にサブミクロン充填材を前処理することによって、プロセス間に添加することができる。一般に、カップリング剤が重合反応を妨害しない限り、充填材およびモノマーをアルコキシシランと組み合わせることによって、アルコキシシランカップリング剤を「その場」重合の間に添加することもできる。
いくつかの場合、二無水物をサブミクロン充填材と接触させることができる。一切の特定の理論または仮説に拘束されるように意図されないが、二無水物とサブミクロン充填材との間のそのような接触によって、モノマーまたはプレポリマーとのさらなる反応の前に、二無水物によるサブミクロン充填材の官能化が可能である。最後に、充填ポリアミド酸組成物を一般にフィルムにキャストして、これを乾燥および硬化させ(化学および/または熱硬化)、充填ポリイミドフィルムを形成する。充填ポリイミドフィルムを製造するための任意の従来の方法または非従来の方法を、本開示に従って使用することができる。一般に、充填ポリイミドフィルムの製造は周知であり、本明細書でさらに説明する必要がない。一実施形態において、本開示の基板で使用されるポリイミドは、300、310、320、330、340、350、360、370、380、390または400℃より高いガラス転移温度(Tg)を有する。Tgが高いことは、一般に、高温で貯蔵弾性率などの機械特性を維持するために有益である。
いくつかの実施形態において、基板の電気特性を変性するために、電気絶縁性充填材を添加してもよい。いくつかの実施形態において、基板の電気的完全性および絶縁耐力に悪影響を及ぼすおそれのある小穴または他の欠陥(外部粒子、ゲル、充填材凝集体または他の汚染)が基板にないことは重要であり、これは一般に、濾過によって対処することができる。そのような濾過は、基板製造の任意の段階で実施することができる。例えば、溶媒和された充填材を、1種または複数種のモノマーに添加される前または後に濾過し、そして/または特に、ポリアミド酸が低粘度である場合、ポリアミド酸を濾過し、あるいは濾過が可能な製造プロセスの任意の工程で濾過する。一実施形態において、そのような濾過は、最小の適切なフィルタ細孔サイズで、または選択された充填材の最大寸法よりわずかに大きいサイズで行われる。いくつかの実施形態において、フィルムに組み込む(またはポリイミド前駆体に組み込む)時に、攪拌および/または高剪断混合、あるいは媒体粉砕または分散助剤の使用を含む他の分散技術などの激しい分散エネルギーをサブミクロン充填材に与え、所望の最大充填材サイズを上回る望ましくない凝集体形成を抑制するか、または最初にサブミクロン充填材に存在し得る凝集体を分解する。サブミクロン充填材のアスペクト比が増加すると、サブミクロン充填材の長軸が整列するか、他の様式でフィルムの外側表面と平行してそれ自体を配置する傾向も増加する。
フィルム内の望ましくない(または望ましくなく大きい)不連続相材料によって生じる欠陥の影響を低減させるために、単層フィルムをより厚く製造することができる。あるいは、任意の特定の層の任意の特定の欠陥(所望の特性に損害を及ぼす可能性のあるサイズの望ましくない不連続相材料)の損害を低減するために、ポリイミドの複数層を使用してもよい。一般的に、そのような多層は、同じ厚さのポリイミド単層と比較して、性能の欠陥がより少ない。欠陥がそれぞれの個々の層で重複する可能性が非常に小さくなる傾向があるため、ポリイミドフィルムの複数層を使用することによって、フィルムの全体の厚さにわたって生じ得る欠陥の発生を減少させることができるか、または排除することができる。したがって、任意の1層の欠陥が、フィルムの全体的な厚さを通して電気的または他の種類の不全を生じる可能性は低い。いくつかの実施形態において、基板は2層以上のポリイミド層を含んでなる。いくつかの実施形態において、ポリイミド層は同一である。いくつかの実施形態において、ポリイミド層は異なる。いくつかの実施形態において、基板は、熱的に安定した、無機物、織物、紙、シート、スクリムまたはそれらの組み合わせによって強化される。場合により、フィルムの0〜55重量%には、任意の特定の応用のために所望であるか、または必要とされる特性を変性するために他の成分が含まれる。
インターポーザーフィルム
本開示のインターポーザーフィルムは、上記のように、基板によって支持された複数の導電性領域を含んでなる。インターポーザーフィルムは、ダイを、μBGAパッケージのはんだボールアレイに接続する。しかしながら、本開示の原理が、μBGA技術にのみではなく、インターポーザーフィルムを利用するいずれものICパッケージング系に関することはいうまでもない。
本開示のインターポーザーフィルムは、ほぼ室温から、300℃、400℃、425℃または450℃を超える温度までなどの広い温度範囲内で、収縮またはクリープに(オープンリール式プロセスなどの張力下においても)耐える。一実施形態において、本開示のインターポーザーフィルムは、7.4〜8.0MPa(メガパスカル)の範囲内の応力下で、450℃の温度に30分間曝された場合、寸法変化は1、0.75、0.5または0.25パーセント未満である。
本開示のポリイミドインターポーザーフィルムは、熱安定性の無機物、織物、紙(例えば、マイカ紙)、シート、スクリムまたはこれらの組み合わせによって強化可能である。いくつかの実施形態において、本開示のインターポーザーフィルムは、
i.低い表面粗度、すなわち、1000、750、500、400、350、300または275ナノメートル未満の平均表面粗度(Ra)、
ii.低水準の表面欠陥、および/または
iii.他の有用な表面形態
をもたらして、電気的短絡などの不要な欠陥を低減させるか抑制する。
例えば、半導体堆積プロセスの間、フィルムが実質的に劣化せず、重量が減少せず、機械的特性が低下せず、または有意な揮発性物質を放出しないように、本開示のインターポーザーフィルムは高い熱安定性を有するべきである。本開示のポリイミドインターポーザーフィルムは、過剰の重量またはコストを追加しないように、十分薄くなければならないが、いくつかの場合においては400、500、750または1000ボルト以上に達し得る作動電圧で高い電気絶縁性をもたらすよう十分に厚いべきである。
図1Aおよび1Bは、それぞれ、接触支持面上に複数のチップ接触20を有するチップ10の正面図および部分的断面図を示す。インターポーザーフィルム30は、チップ接触20が露出するように、チップ10の接触支持面上に重ねられて、典型的に中心に位置する。インターポーザーフィルム30は、単にチップ10の接触支持面上に重ねられるだけでもよいが、典型的に、図1Bに示すように、インターポーザーフィルムは、接着材料の薄層80を使用して、チップ表面に接着される。
インターポーザーフィルム30は、剛性または可撓性材料を含んでもよい。好ましくは、インターポーザーフィルムは、約5〜150ミクロンの厚さを有するポリイミドのシートを含んでなる。インターポーザーフィルム30の第1の表面は、その上に複数の導電性領域40を有する。領域40は、基板の反対側に沿って延在するそれぞれの導電性リード50を経由してチップ接触20に電気的に接続され、そして導電性ビア70を経由してリード50に接続される。あるいは、導電性ビア70を必要とせずに、はんだボール端子がリード線50端部上に直接配置されるように、基板が単に排除されてもよい。
各リード50は、インターポーザーフィルム30の縁部から延在する延長部55を有する。各延長部は、典型的に従来の超音波またはサーモソニックボンディング装置を使用して、それぞれのチップ接触20に接合される。各延長部55は、接合操作の前に、インターポーザフィルム30の面に実質的に平行に横方向に湾曲される。好ましくは、各延長部55は、反対方向に少なくとも2回、横方向に湾曲しており(実質的に「s」字形)、2回を超えて湾曲されていてもよい。リード50は、さらに、米国特許第5,489,749号明細書および同第5,536,909号明細書に開示されているとおり、接合の前に、支持構造に着脱可能に接続されていてもよい。
典型的に、リードの延長部55は、汚染および損傷からの保護のためにシリコーンまたはエポキシなどの好適な封入材によって封入されている。パッケージ化されたチップの操作の間、これらの導電性領域はプリント回路基板に取り付けられており、リード50の延長部55の横方向に湾曲した形状が、独立して撓んだり、屈曲する能力を有することにより、熱サイクルの間のチップの膨張および収縮の相殺を助ける。前述の封入材60は、リード50の延長部55が撓んだり、屈曲した時に、これらを支持し、さらに、リードに作用する力の分散を助ける。さらに、接合および封入ステップ後に、導電性領域のみが露出されるように、ソルダーレジストまたはカバーレイが基板30の露出面上に配置されてもよい。
図1Cは、リード50’が導電性領域40と同じ側に配置されて、したがって、導電性ビア70(図1Bに示されている)が必要とされない別の実施形態の部分断面図を示す。図1Cに示される実施形態においては、リード50および導電性領域40がインターポーザーフィルム30と同じ側にあるため、ソルダーレジスト/カバーレイも使用されている。ソルダーレジスト/カバーレイは、導電性領域をプリント回路基板上の接触に接続するはんだが、リードをウィックダウンしないか、または他のはんだ付けされた導電性領域にショートしないことを確実にさせる誘電性コーティングをもたらす。
図1Dは、米国特許第5,148,265号明細書および同第5,148,266号明細書に開示されるように、図1Bの接着剤薄層が、柔軟材料のより厚い層80’によって置き換えられて、熱的不整合に対する追加的な相殺がもたらされる、別の実施形態の部分断面図を示す。この柔軟材料80’は、典型的に、約50〜200ミクロンの厚さであり、熱硬化性材料または熱可塑性材料のいずれかを含む。図1Dに示される構造はまた、リード50の延長部55が、リード50の横方向の湾曲に垂直な方向に湾曲するように接合する操作によって成形されることを可能にする。上述のとおり、これらの横方向および垂直方向に湾曲されたリードは、典型的に、使用中のパッケージの熱サイクルの間にリードに作用する力が分散するように、封入材60によって支持されている。これらおよび他の実施形態に関するさらなる詳細は、米国特許第5,821,608号明細書に開示されている。
図2および図3は、第1レベルパッケージ8が設けられている本発明の一実施形態を示しており、ここで、同様の構成要素には上記の図1A〜1Dに従って符号が付されている。ICパッケージング産業においては、通常、適切なパッケージ内でのICチップの配置が、「第1レベル」パッケージングと呼ばれる。適切なプリント回路基板(PCB)または他の基板上へのICパッケージの配置または取り付けは「第2レベル」パッケージングと呼ばれる。例えば、マザーボードの使用を介する電子システム内の種々のPCBまたは他の担体の相互接続は、「第3レベル」パッケージングと呼ばれる。
一実施形態において、パッケージ8は、パッケージをプリント回路基板に相互接続する複数のはんだボール40を有するボールグリッドアレイ(BGA)パッケージである(図5および図6を参照のこと)。図2および図3に示されているとおり、このパッケージ8においては、ダイまたはチップ10は、第2レベルパッケージとの接合のために調製される。図5に示されているとおり、BGAパッケージの集積回路ダイ10は、ソルダーパッド88を介してプリント回路基板82に取り付けられ、典型的に、成形プラスチック材料から構成されている剛性筐体または蓋84によって包囲されている。図6は、パッケージケース84を有さないμBGAパッケージの別の実施形態を示す。
ダイ10は、多くの異なる種類の集積回路の1種であることは当業者によって理解されるであろう。例えば、ダイ10は、マイクロプロセッサ、コプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、グラフィックプロセッサ、マイクロコントローラ、メモリデバイス、再プログラム可能デバイス、プログラム可能論理デバイスおよび、論理アレイなどの広範囲の集積回路製品であることが可能である。
ダイ接合材料80は、ダイ10の中央部分上に設けられる。はんだボールアレイ40はダイ接合材料上に設けられている。はんだボールアレイ40は、次レベルパッケージへの接続を形成するものである。ダイ接合材料80は、シリコーンクラストマー、またはエポキシ−変性エラストマー材料であり得る。はんだボール40は、好ましくは、比較的可撓性であり、したがって、プリント回路基板またはパッケージにおける平坦性のいずれもの欠如を相殺することができる。加えて、はんだボールは、アレイに構成され、したがって、比較的高いスループットをもたらす。好ましい一実施形態において、はんだボールは、Sn63Pb37などのスズ/鉛(SnPb)共晶材料製であり、約0.3〜0.5mmの直径を有する。
インターポーザーフィルム30はダイ接合材料80上に延在して、はんだボールアレイ40との接続を形成する。インターポーザーフィルム30上のはんだボール40のバンプピッチは、約0.25〜1mmの小ささであることが可能であり、より好ましくは約0.5mmである。リード50は、インターポーザーフィルム30から延在して、ダイパッド20でダイ10との接続を形成する。リードは、好ましくは、Auワイヤー製であり、好ましくは、延長部55において、ゆるいS字形状にサーモソニック的に接合されて熱膨張による変形を吸収する。
図4は、インターポーザーフィルム30の断面をより具体的に示す。インターポーザーフィルム30は、複合ポリイミドコア100と、好ましくは銅製である導電性トレース102および104とを含んでなる。ポリイミドコア100は、好ましくは、約25μmの厚さを有する。銅トレースは、好ましくは、約12μmの厚さを有する。
インターポーザーフィルム100の剛性が増加することにより、パッケージ製造間のインターポーザフィルムの取り扱いが有利により容易となる。約4.5〜8GPaの範囲の係数を有する従来のインターポーザーフィルムでは、例えば、パッケージ構成間に、インターポーザーは、上述のような金属フレームを用いて運ばれる。好ましい実施形態の複合インターポーザーは、対照的に、より高い係数を有し、金属フレームの使用の必要性を排除し得る。例えば、充填材は、インターポーザーの係数がポリイミドコア単独の係数よりも約5〜500%高くなるように添加されてもよい。これによって製造が単純化され、インターポーザーフィルムの剛性が増加することによって、金属フレームを用いない機器によるインターポーザフィルムの直接的な取り扱いが可能となる。金属フレームが排除されることは、プロセス精度を助けて、取り扱いおよびコストを低減させる。
さらにまた、好ましい実施形態のより剛性のインターポーザーは、ダイ層剥離を防止する。これは、より剛性のインターポーザーをより平坦にすることが可能であり、したがって、ダイ接合材料により効果的に接着することが可能であるためである。
本開示のインターポーザーフィルムは、高温寸法安定性を有し、良好な屈曲性持久力を示し、そして下部のチップまたは導電性リードに厳密に適合するCTEを有する。本開示のポリイミド中の本開示のサブミクロン充填材は、より高性能で、より低コストのインターポーザーフィルムの可能性をもたらす。
本明細書に記載されるインターポーザーフィルムが、μBGAパッケージのみではなく、他の集積回路パッケージにも使用され得ることはいうまでもない。当業者に既知の他の種類の集積回路としては、限定されないが、フレキシブル基板を使用するいずれものパッケージが含まれる。
上記で例示され、記載された実施形態は、単に、本発明のある種の好ましい実施形態の例としてのみ提供されている。当業者は、添付の請求の範囲に定義される本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本明細書に示される実施形態に様々な変更および修正を行うことができる。
本発明を以下の実施例にさらに記載する。これは請求の範囲に記載される発明の範囲を限定するように意図するものではない。
全ての実施例において、組成物の重量パーセントを等容積百分率に変換する計算に関して、針状二酸化チタンには4.2g/cc、タルクには2.75g/cc、SiCには3.22g/cc、そしてポリイミドには1.42g/ccの密度を使用した。
実施例1〜4では、未充填の比較例1と比較した場合、10容積%またはそれより高い本開示のサブミクロン充填材が、破断まで適切な伸び率を維持しながら、貯蔵弾性率を有意に増加させ、CTEを低下させることを実証する。
実施例1
PMDA//ODA中15容積%(34.3重量%)針状TiO2
25.0グラムの針状TiO2(FTL−110、Ishihara Corporation,USA)を、141.11グラムの無水DMACと組み合わせた。このスラリーを、正方形孔、高剪断スクリーンを備えたSilverson Model L4RT高剪断混合機(Silverson Machines,LTD,Chesham Baucks,England)を使用して(約4000rpmのブレード速度で)、高剪断下で約10〜15分間混合した。
丸底フラスコ中、針状TiO2含有スラリー74.1グラムを、116.94グラムのPMDA//ODAプレポリマー(無水DMAC中20重量%溶液)と混合し、そして得られた混合物を約24時間攪拌した。この操作の間、丸底フラスコ中で穏やかな窒素気体パージを使用した。
約24時間撹拌した後、この材料を、45ミクロン濾過材(Millipore、45ミクロンポリプロピレンスクリーン、PP4504700)に通して濾過した。
別の容器において、9.00gのPMDA(Aldrich 412287,Allentown,PA)および15mlのDMACを組み合わせて、ピロメリット酸無水物(PMDA)の6重量%溶液を調製した。
PMDA溶液をプレポリマースラリーにゆっくり添加し、1090ポアズの最終粘度を達成した。調合物を0℃で一晩中貯蔵し、脱気した。
25ミルドクターブレードを使用して、調合物をガラスプレートの表面上にキャストし、3インチ×4インチのフィルムを形成した。次いで、キャストフィルムおよびガラスプレートを、110mlの3−ピコリン(ベータピコリン、Aldrich,242845)および110mlの無水酢酸(Aldrich,98%,P42053)を含有する溶液に浸漬する。
その後、フィルムをガラス表面から持ち上げ、そして3インチ×4インチのピンフレーム上に取り付けた。取り付けたフィルムを、炉(Thermolyne、F6000箱形炉)に置いた。炉を窒素パージして、以下の温度プロトコルに従って加熱した。
40℃〜125℃(4℃/分で昇温)
125℃〜125℃(30分浸漬)
125℃〜250℃(4℃/分で昇温)
250℃(30分浸漬)
250℃〜400℃(5℃/分で昇温)
400℃(20分浸漬)
熱膨張係数は、熱機械分析(TMA)によって測定した。TA Instrumentモデル2940を張力モードで使用した。機器をN2気体によって30〜50ml/分でパージした。加熱サイクルの間に機器の温度を迅速に冷却する機械式クーラーも使用した。このフィルムを幅2.0mmおよび長さ6〜9mm(MDまたはキャスティング方向)に切断された。フィルムを7.5〜9.0mmの長さに縦に固定した。プレロード張力は、5グラムの力に設定された。次いで、フィルムに10℃/分の速度で0℃〜400℃の加熱を行い、3分間400℃で保持し、再び0℃まで冷却した。同様に400℃までの第2の加熱サイクルを実行した。60℃から400℃までのμm/m−℃(またはpp/℃)の単位の熱膨張係数の計算を、第2の加熱サイクルのキャスティング方向(MD)に関して報告した。
貯蔵弾性率(E’)は、フィルムの機械的挙動を特徴づけるために使用される動的機械分析(DMA)機器で測定した。DMA操作は、温度および時間の関数として小さい振動歪み(例えば、10μm)を受けたポリマーの粘弾性応答をベースとした(TA Instruments,New Castle,DE,USA,DMA 2980)。フィルムを多周波−歪みモードで張力下に置いた。長方形の試料の有限サイズを固定ジョーと可動ジョーとの間に固定した。フィルムは、幅6〜6.4mm、厚さ0.03〜0.05mm、長さ10mmであった。MD方向を使用して、フィルムを3in−lbトルク力で固定した。長さ方向の静的力は、125%の自動張力で0.05Nであった。フィルムを、1Hzの周波数で、3℃/分の速度で、0℃から500℃まで加熱した。25℃での貯蔵弾性率は、5757MPaであると測定された。
フィルムの引張特性(破断点伸び率%を含む)は、Instronモデル3345機器で測定した。クロスヘッドギャップ(試料試験長さ)は1インチ(2.54センチメートル)であり、そして幅は0.5インチ(1.27センチメートル)であった。クロスヘッド速度は、1インチ(2.54センチメートル)/分であった。
結果を表1に示す。
実施例2
PMDA//ODA中10容積%(24.70重量%)針状TiO2(FTL−110)
以下の例外を除き、実施例1に記載されたものと同じ手順に従った。針状TiO2含有スラリー(FTL−110、DMAC中15重量%)54.24グラムを、136.15グラムのPMDA//ODAプレポリマー(DMAC中20重量%)と混合した。
この物質は、PMDA溶液によって899ポアズの粘度まで仕上げられた。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例3
PMDA//ODA中20容積%(42.5重量%)針状TiO2(FTL−110)
以下の例外を除き、実施例1に記載されたものと同じ手順に従った。針状TiO2含有スラリー(FTL−110、DMAC中15重量%、高剪断混合された)57.7グラムを、63.3グラムのPMDA//ODAプレポリマー(DMAC中20.6重量%)と組み合わせた。
この物質は、PMDA溶液によって1380ポアズの粘度まで仕上げられた。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例4
PMDA//ODA中10容積%SiC繊維(20.1重量%)
以下の差異を除き、実施例1に記載されたものと同じ手順に従った。24.75グラムのSiC繊維(Silar(登録商標)Silicon Carbide whiskers、ベータ型、Advanced Composites Materials,Greer,SC,USA)を140.25グラムの無水DMACと組み合わせた。実施例1に記載されるように、スラリーを高剪断条件下で混合した。
45.62グラムのこのスラリーを144.44グラムのPMDA//ODAプレポリマー(DMAC中20.6重量%)と組み合わせた。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例1
未充填PMDA//ODA
以下の例外を除き、実施例1に記載されたものと同じ手順に従った。無機粒子を含有するスラリーをPMDA//ODAプレポリマーに添加しなかった(プレポリマーはDMAC中20重量%である)。
この物質は、PMDA溶液によって890ポアズの粘度まで仕上げられた。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例2〜5は、本開示のサブミクロン充填材が10容積%未満で存在する場合、貯蔵弾性率(特に500℃の貯蔵弾性率)の有意な増加を生じず、またはCTEを低下させないこと(貯蔵弾性率およびCTEの比較的わずかな改善)を実証する。
比較例2
PMDA//ODA中2.5容積%(7重量%)針状TiO2
以下の差異を除き、実施例1に記載されたものと同様の手順を使用した。24.08グラムの針状TiO2(FTL−110,Ishihara Corporation,USA)を、135.92グラムの無水DMACと組み合わせ、そしてスラリーを高剪断下で混合した。
針状TiO2含有スラリー10.1グラムを、109.9グラムのPMDA//ODAプレポリマーと混合した。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例3
PMDA//ODA中5容積%(13.5重量%)針状TiO2
以下の差異を除き、実施例1に記載されたものと同様の手順を使用した。24.08グラムの針状TiO2(FTL−110,Ishihara Corporation,USA)を、135.92グラムの無水DMACと組み合わせ、そしてスラリーを高剪断下で混合した。
針状TiO2含有スラリー19.1グラムを、100.9グラムのPMDA//ODAプレポリマーと混合した。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例4
PMDA//ODA中6.5容積%(17.1重量%)針状TiO2
以下の差異を除き、実施例1に記載されたものと同様の手順を使用した。24.08グラムの針状TiO2(FTL−110,Ishihara Corporation,USA)を、135.92グラムの無水DMACと組み合わせ、そしてスラリーを高剪断下で混合した。
針状TiO2含有スラリー23.96グラムを、96.1グラムのPMDA//ODAプレポリマーと混合した。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例5
PMDA//ODA中8.5容積%(21.6重量%)針状TiO2
以下の差異を除き、実施例1に記載されたものと同様の手順を使用した。24.08グラムの針状TiO2(FTL−110,Ishihara Corporation,USA)を、135.92グラムの無水DMACと組み合わせ、そしてスラリーを高剪断下で混合した。
針状TiO2含有スラリー30.0グラムを、90.0グラムのPMDA//ODAプレポリマーと混合した。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例6
PMDA//ODA中15容積%(34.3重量%)のアスペクト比3:1未満のTiO2
比較例6では、3:1未満のアスペクト比を有する充填材が、少なくとも3:1のアスペクト比を有するサブミクロン充填材を15容積%で有する実施例1と比較して、より低い貯蔵弾性率およびより高いCTEを有するフィルムを生じることを実証する。フィルムは端部が脆く、商業的な製造プロセスで実行不可能であった。
以下の例外を除き、実施例1に記載されたものと同じ手順に従った。DuPont Light Stabilized Titania,210含有スラリー(DuPont,Wilmington,Delaware,DMAC中25重量%、高剪断混合された)33.84グラムを、86.2グラムのPMDA//ODAプレポリマー(DMAC中20.6重量%)と組み合わせた。
この物質は、PMDA溶液によって1100ポアズの粘度まで仕上げられた。
DuPont Titania 210は、重量基準で130〜140nmの範囲が中央となる粒子分布を有する白色微粉末である。粒子は、ほぼ球状である。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例7
未充填BPDA//PPD
針状TiO2を調合物に添加しなかったことを除き、比較例8に関して記載されたものと同じ手順に従った。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例8〜9は、本開示のサブミクロン充填材が、全てのポリイミドで予測された通りに作用しないことを実証する。BPDA//PPD系の場合、約15容積%の針状TiO2が導入されると、CTEは劇的に増加する(2倍より大きい)。
比較例8
BPDA//PPD中14.64容積%(33.7重量%)針状TiO2(FTL−110)
針状TiO2の導入によってCTEは増加した。
BPDA//PPDプレポリマー(無水DMAC中17.5重量%溶液69.3g)を5.62gの針状TiO2(FTL−110,Ishihara Corporation,USA)と組み合わせて、得られたスラリーを24時間攪拌した。別の容器で、0.9gのPMDA(Aldrich 412287,Allentown,PA)および15mlのDMACを組み合わせることによって、ピロメリット酸無水物(PMDA)の6重量%溶液を調製した。
PMDA溶液をプレポリマースラリーにゆっくり添加して、653ポアズの最終粘度を達成した。調合物を0℃で一晩貯蔵し、脱気した。
25ミルドクターブレードを使用して、調合物をガラスプレートの表面上にキャストし、3インチ×4インチのフィルムを形成した。ガラス表面からのフィルムの除去を促進するために、ガラスを剥離剤で前処理した。フィルムを20分間、80℃のホットプレート上で乾燥させた。その後、フィルムを表面から持ち上げ、そして3インチ×4インチのピンフレーム上に取り付けた。
真空下、室温で、さらに12時間乾燥した後、取り付けたフィルムを、炉(Thermolyne、F6000箱形炉)に置いた。炉を窒素でパージして、以下の温度プロトコルに従って加熱した。
・125℃(30分)
・125℃〜350℃(4℃/分で昇温)
・350℃(30分)
・350℃〜450℃(5℃/分で昇温)
・450℃(20分)
・450℃〜40℃(8℃/分で冷却)
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例9
BPDA//PPD中14.64容積%針状TiO2(FTL−110)
破断までの伸び率は非常に低い。フィルムが非常に脆いため、製造は困難である。
以下の差異を除き、実施例1に記載されたものと同様の手順を使用した。33.99グラムの針状TiO2(FTL−110,Ishihara Corporation,USA)を、191.9グラムの無水DMACと組み合わせた。このスラリーを、正方形孔、高剪断スクリーンを備えたSilverson Model L4RT高剪断混合機(Silverson Machines,LTD,Chesham Baucks,England)を使用して(約4000rpmのブレード速度で)、高剪断下で約10〜15分間混合した。
129.25gのBPDA//PPDプレポリマー(無水DMAC中17.5重量%溶液)を、針状TiO2含有スラリー69.335グラムと組み合わせた。得られたスラリーを24時間撹拌した。別の容器において、0.9gのPMDA(Aldrich 412287,Allentown,PA)および15mlのDMACを組み合わせて、ピロメリット酸無水物(PMDA)の6重量%溶液を調製した。
PMDA溶液をプレポリマースラリーにゆっくり添加し、998ポアズの最終粘度を達成した。
化学的イミド化の後、フィルムをガラス表面から持ち上げ、そして3インチ×4インチのピンフレーム上に取り付けた。取り付けたフィルムを、炉(Thermolyne、F6000箱形炉)に置いた。炉を窒素パージして、以下の温度プロトコルに従って加熱した。
125℃(30分)
125℃〜350℃(4℃/分で昇温)
350℃(30分)
350℃〜450℃(5℃/分で昇温)
450℃(20分)
450℃〜40℃(8℃/分で冷却)
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例10
未充填PMDA//ODA
PMDAおよびODAのプレポリマー(DMAC中約20.6%で調製した。粘度約50ポアズ)180g部分3つを、26gのDMACの添加によって、18%ポリマー固体まで希釈し、希釈ポリマー206g部分3つを得た。これらの3つの希釈プレポリマー試料の1つを、強力に混合しながらDMAC中6重量%PMDA溶液を段階的に添加することによって、約2100ポアズの粘度(#LV5スピンドルを備えたBrookfield DV−II+粘度計)まで反応させ(「仕上げ」)、分子量を増加させた(以下、「仕上げポリマー」と呼ぶ)。溶液をポリプロピレンスクリーンフィルターディスク(45ミクロン)を通して加圧濾過した後、溶液を真空下で脱気し、気泡を除去して、次いで、この溶液をレターサイズの透明なポリエステルフィルム(厚さ約3ミル)のシート上にキャストした。その後、ポリエステルシート上のポリアミド酸コーティングを、無水酢酸および3−ピコリンの容積比1/1の混合物を含有する浴に浸漬した。約2分後、部分的にイミド化されたコーティングがポリエステルシートから分離し始めたら、これを浴から取り出し、約8インチ×8インチのピンフレーム上にピンでとめ、そして約10〜20分間、研究室フード中、室温で静置した。次に、ピンフレーム上のフィルムを、窒素パージしたオーブン中に置き、そして30分間、約40℃でパージした後、このオーブンを70分間かけて320℃まで昇温させ、この温度で30分間保持し、次いで、約16分間かけて450℃まで昇温させ、そしてこの温度で4分間保持して、ポリイミドに硬化した。冷却後、得られた2.4ミル(61ミクロン)のフィルムをオーブンおよびピンフレームから取り外した。
動的機械分析(TA Instruments、DMA−2980、5℃/分)による貯蔵弾性率(E’)は、5℃/分で室温から500℃まで加熱することによって測定した。
熱機械分析(TA Instruments、TMA−2940、10℃/分で460℃まで加熱、次に冷却し、500℃まで再加熱)による熱膨張係数(CTE)は、再加熱時50〜350℃の間で評価した。
引張伸び率%(Instronモデル3345張力試験機)−試料幅0.5インチ、ゲージ長さ1インチ(2.54センチメートル)、クロスヘッド速度1インチ(2.54センチメートル)/分。
結果を表1に示す。
比較例11
PMDA//ODA中5.4容積%(10重量%)タルク
比較例11は、タルクが約5.5容積%未満である場合、予測通りに作用しないことを実証する。
比較例10と同様の方法で、PMDAおよびODAのプレポリマー(DMAC中約20.6%で調製した。粘度約50ポアズ)1部分を、DMACの添加によって、18%ポリマー固体まで希釈した。次いで、プレポリマーをThinky ARE−250遠心混合機中で数分間、SF310タルクとブレンドし、PAA溶液中の充填材の分散体を得、PIフィルム中約10重量%の充填量を達成した。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。1ミル(25ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例5〜9は、タルクが約5.5容積%より高い場合、破断まで適切な伸び率を維持しながら、貯蔵弾性率が有意に増加し、CTEが低下することを実証する。
実施例5
PMDA//ODA中14.0容積%(24重量%)タルク
以下の例外を除き、実施例1に記載されたものと同じ手順に従った。25グラムのタルク(Flextalc 610,Kish Company,Inc.,Mentor,OH)を、141グラムの無水DMACと高剪断下で混合した。
55.9グラムのこのスラリーを、134.7グラムのPMDA//ODAプレポリマーと混合した。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例6
PMDA//ODA中18容積%(30重量%)タルク
比較例11と同様の方法で、比較例10からの希釈プレポリマーの第2の206g部分を、14.77gのFlextalc 610(Lot M1085、Kish Co.,Mentor,OH)とブレンドした。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。充填材の充填量は、ポリイミドフィルム中約30重量%であった。3.2ミル(81ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例7
PMDA//ODA中18.1容積%(30重量%)タルク
比較例11と同様の方法で、比較例10からの希釈プレポリマーの第3の206g部分を、14.77gのSF310タルク(Kish Co.,Mentor,OH)とブレンドした。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。充填材の充填量は、ポリイミドフィルム中約30重量%であった。3.2ミル(81ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例8
PMDA//ODA中34容積%(50重量%)タルク
比較例11と同様の方法で、PMDA//ODAプレポリマーをSF310タルクとブレンドし、PIフィルム中約50重量%の充填量を達成した。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。充填材の充填量は、ポリイミドフィルム中約50重量%であった。1.8ミル(46ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例9
PMDA//ODA中43.6容積%(60重量%)タルク
比較例11と同様の方法で、PMDA//ODAプレポリマーをSF310タルクとブレンドし、PIフィルム中約60重量%の充填量を達成した。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。1.3ミル(33ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例10〜11は、本開示のサブミクロン充填材がポリイミドコポリマー中10容積%より高い場合、比較例13の未充填のコポリマーと比較して、貯蔵弾性率が有意に増加し、CTEが低下することを実証する。
実施例10
PMDA//ODA/PPD 100//70/30のランダムコポリマー中18.1容積%(30重量%)タルク
比較例11と同様の方法で、比較例13からのプレポリマー186.87g部分を、13.13gのFlextalc 610(Lot M6734、Kish Co.,Mentor,OH)とブレンドした。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。充填材の充填量は、ポリイミドフィルム中約30重量%であった。2.2ミル(56ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例11
MDA//ODA/PPD 100//70/30のランダムコポリマー中12.6容積%(30重量%)針状TiO2
比較例11と同様の方法で、比較例13からのプレポリマー173g部分を、DMAC中の針状TiO2(Ishihara Corp.(USA)からのFTL−110粉末)の粉砕/分散された45重量%スラリー27gとブレンドした。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。充填材の充填量は、ポリイミドフィルム中約30重量%であった。1.1ミル(28ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例12
PMDA//ODA/PPD 100//70/30の未充填ランダムコポリマー
窒素パージされたグローブボックス内で1.5リットルのビーカー中、15.118gのPPD(0.1398モル)および65.318g(0.3262モル)のODAを、機械撹拌器で十分に攪拌した779.2gのDMACに添加した。室温で簡単に混合した後、温度を40℃未満に保持するように、99.612g(0.4567モル)のPMDAをゆっくり添加し、続いて、41.0gのDMACを添加して、反応を約2時間進行させた。得られたプレポリマー溶液(ジアミンに対して98%の二無水物の全化学量論量、18%ポリマー固体)を容器中にデカンテーションし、使用するまでは冷凍庫で貯蔵した。このプレポリマーの一部分を実施例Aの場合と同様に仕上げて、濾過し、次いで、比較例10と同様にフィルムをキャストし、硬化した。1.4ミル(36ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例12および13は、本開示のサブミクロン充填材の混合物が、比較例10の未充填のポリイミドと比較した場合、貯蔵弾性率を有意に増加させ、CTEを低下させることを実証する。
実施例12
PMDA//ODAポリマー中10重量%タルク、20重量%針状TiO2
PMDAおよびODAのプレポリマー(DMAC中約20.6%で調製した。粘度約50ポアズ)168.21g部分を、4.60gのSF310タルクおよび20.46gのFTL−110 TiO2(実施例11に記載の45%スラリー)と一緒にブレンドし、PIフィルム中10重量%および20重量%のそれぞれのサブミクロン充填材の充填量を達成した(合計30重量%)。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。1.0ミル(25ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例13
PMDA//ODAポリマー中20重量%タルク、10重量%針状TiO2
実施例12と同様に、PMDA//ODAプレポリマー173.13g部分を、9.45gのSF310タルクおよび10.50gのFTL−110 TiO2(実施例11に記載の45%スラリー)と一緒にブレンドし、PIフィルム中20重量%および10重量%のそれぞれのサブミクロン充填材の充填量を達成した(合計30重量%)。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。2.2ミル(56ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例14および15は、本開示のTiO2サブミクロン充填材が、CTEに関して、全てのポリイミドで同様に作用しないことを実証する。
実施例14
PMDA//ODA/PPD 100//80/20のブロックコポリマー中11.7容積%針状TiO2(28.23重量%)
実施例14のブロックコポリマー中の高アスペクト比のTiO2は、比較例13の未充填のブロックコポリマーと比較して、CTEをほとんど維持しながら、貯蔵弾性率を有意に増加させる。
以下の差異を除き、実施例1に記載されたものと同様の手順を使用した。プレポリマーを調製するために、1.36グラムのPPDを110.0グラムの無水DMACと組み合わせ、40℃で約20分間、穏やかに加熱しながら攪拌した。次いで、2.71グラムのPMDAをこの混合物に添加し、第1のブロックを生じさせ、これを約2.5時間、穏やかに加熱(35〜40℃)しながら、攪拌した。混合物を室温まで冷却した。
この調合物に10.10グラムのODAを添加し、約5分間で調合物に溶解させた。次いで、その後のPMDA添加の間、温度をコントロールするために氷水浴を使用した。この混合物に10.9gのPMDAをゆっくり添加した。この調合物に追加的な15グラムのDMACを添加し、そして反応物を約90分間、穏やかに加熱(30〜35℃)しながら、攪拌した。混合物を約18時間、室温で撹拌した。
別の容器で、20.88グラムの針状TiO2(FTL−11)を、25.52gの無水DMACおよび0.426gのSolplus D540(Lubrizol)と組み合わせ、そして8mmの球状粉砕媒体を使用して、ジャーミル中で24時間粉砕した。
TiO2含有スラリー14.2グラムを、上記のプレポリマー調合物105.8グラムと混合した。
以下に示す修正された加熱手順を使用した。
40℃〜125℃(4℃/分で昇温)
125℃(30分浸漬)
125℃〜350℃(4℃/分で昇温)
350℃〜350℃(30分浸漬)
350℃〜450℃(5℃/分で昇温)
450℃(20分浸漬)
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例15
PMDA//ODA/PPD 100//80/20のブロックコポリマー中17.5容積%針状TiO2(38.5重量%)
15のブロックコポリマー中の高アスペクト比のTiO2は、比較例13の未充填のブロックコポリマーと比較して、移動方向でCTEをわずかに低下させるが、貯蔵弾性率を有意に増加させる。
以下の差異を除き、実施例1に記載されたものと同様の手順を使用した。プレポリマーを調製するために、1.36グラムのPPDを113.0グラムの無水DMACと組み合わせ、40℃で約20分間、穏やかに加熱しながら攪拌した。次いで、2.71グラムのPMDAをこの混合物に添加し、第1のブロックを生じさせ、これを約2.5時間、穏やかに加熱(35〜40℃)しながら、攪拌した。混合物を室温まで冷却した。
この調合物に10.10グラムのODAを添加し、約5分間で調合物に溶解させた。次いで、その後のPMDA添加の間、温度をコントロールするために氷水浴を使用した。この混合物に10.9gのPMDAをゆっくり添加した。この調合物に追加的な12グラムのDMACを添加し、そして反応物を約90分間、穏やかに加熱(30〜35℃)しながら、攪拌した。混合物を約18時間、室温で撹拌した。
別の容器で、20.88グラムの針状TiO2(FTL−11)を、25.52gの無水DMACおよび0.426gのSolplus D540(Lubrizol)と組み合わせ、そして8mmの球状粉砕媒体を使用し、80rpmで回転させて、4インチ(内径)ナイロンジャーミル中で24時間粉砕した。
TiO2含有スラリー15.34グラムを、上記のプレポリマー調合物72.0グラムと混合した。
以下に示す修正された加熱手順を使用した。
40℃〜125℃(4℃/分で昇温)
125℃(30分浸漬)
125℃〜350℃(4℃/分で昇温)
350℃〜350℃(30分浸漬)
350℃〜450℃(5℃/分で昇温)
450℃(20分浸漬)
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例13
PMDA//ODA/PPD 100//80/20の未充填ブロックコポリマー
針状TiO2スラリーを調合物に添加しなかったことを除き、実施例15に記載されたものと同様の手順を使用した。調合物の最終粘度は、1000〜1200ポアズであった。
CTE、E’および破断点伸び率%を、実施例1の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例16
12.6容積%針状TiO2(30重量%)充填のPMDA//ODA/PPD 100//70/30ブロックコポリマー
実施例16は、本開示の針状TiO2サブミクロン充填材が、CTEに関して、全てのポリイミドで同様に作用しないことを実証する。CTEは、比較例14の未充填のブロックコポリマーと比較して、増加するが、なお望ましい範囲にある。
比較例11と同様の方法で、比較例14からのプレポリマー173g部分を、DMAC中の針状TiO2(Ishihara Corp.(USA)からのFTL−110粉末)の粉砕/分散された45重量%スラリー27gとブレンドした。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。充填材の充填量は、ポリイミドフィルム中約30重量%であった。3.0ミル(76ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例14
PMDA//ODA/PPD 100//70/30の未充填ブロックコポリマー
窒素パージされたグローブボックス内で1.5リットルのビーカー中、15.115gのPPDを、機械撹拌器で十分に攪拌した396.7gのDMACに添加した。室温で簡単に混合した後(全てではないが、いくらかのPPDが溶解した)、温度を40℃未満に保持するように、28.962gのPMDAをゆっくり添加した。モノマーは溶解して、反応し、そしてポリアミド酸(PAA)溶液を1時間撹拌した。その後、溶液を382.3gのDMACで希釈し、次いで、65.304gのODAを添加した。この溶液を30分間撹拌し、そしてODAをPAA溶液に溶解した。その後、70.627gのPMDAをゆっくり添加し、続いて、41.0gのDMACを添加して、反応を約2時間進行させた。得られたプレポリマー溶液(ジアミンに対して98%の二無水物の全化学量論量、18%ポリマー固体)を容器中にデカンテーションし、使用するまでは冷凍庫で貯蔵した。このプレポリマーの180g部分を比較例10の場合と同様に約2200ポアズに仕上げて、濾過し、次いで、比較例10と同様にフィルムをキャストし、硬化した。得られた2.2ミル(56ミクロン)のフィルムの特性
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例17〜20は、ブロックコポリマーが約5.5容積%より多いタルクを含む場合、破断まで適切な伸び率が維持されながら、貯蔵弾性率が有意に増加し、CTEが維持されることを実証する。
実施例17
18.1容積%タルク(30重量%)充填のPMDA//ODA/PPD 100//70/30ブロックコポリマー
比較例11と同様の方法で、比較例14で調製したプレポリマー186.87g部分を、13.13gのSF−310タルク(Lot M685,Kish Co.,Mentor,OH)とブレンドした。この充填材含有PAA溶液を、比較例10に記載されるものと同様に仕上げ、約2000ポアズの粘度を得た。溶液を45ミクロンポリプロピレンスクリーンに通して加圧濾過し、真空下で脱気し、気泡を除去した。比較例10と同様に、フィルムをキャストおよび硬化した。充填材の充填量は、ポリイミドフィルム中約30重量%であった。2.6ミル(66ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例18
18.1容積%タルク(30重量%)充填のPMDA//ODA/PPD 100//70/30ブロックコポリマー
比較例11と同様の方法で、比較例14からのプレポリマー186.87g部分を、13.13gのFlextalc 610(Lot M1085、Kish Co.,Mentor,OH)とブレンドした。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。充填材の充填量は、ポリイミドフィルム中約30重量%であった。2.9ミル(74ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例19
25.6容積%タルク(40重量%)充填のPMDA//ODA/PPD 100//70/30ブロックコポリマー
比較例15と同様の方法で、PMDA//ODA/PPD 100//70/30のブロックプレポリマーをSF310タルクとブレンドして、PIフィルム中約40重量%の充填量を達成した。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。1.8ミル(46ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例20
34容積%タルク(50重量%)充填のPMDA//ODA/PPD 100//70/30ブロックコポリマー
比較例14と同様の方法で、ブロックプレポリマーを、70/30のODA対PPDの比率で調製した。次いで、比較例11と同様の方法で、このプレポリマーの171.75g部分を、28.255gのSF310とブレンドして、PIフィルム中約50重量%の充填量を達成した。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。1.5ミル(38クロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
比較例15
5.4容積%タルク(10重量%)充填のPMDA//ODA/PPD 100//70/30ブロックコポリマー
比較例15は、タルクが約5.5容積%未満である場合、貯蔵弾性率は有意に増加しないことを実証する。
比較例14と同様の方法で、ブロックプレポリマーを、70/30のODA対PPDの比率で調製した。次いで、比較例11と同様の方法で、このプレポリマーの187.16g部分を、3.48gのSF310とブレンドし、PIフィルム中約10重量%の充填量を達成した。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。1.7ミル(43クロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例21〜24は、本発明の組成物に追加的なコモノマーを含ませても、なお望ましい特性を達成する能力を例示する。
実施例21
18.1容積%(30重量%)タルク充填のPMDA/BPDA//ODA/PPD 95/5//70/30ブロックコポリマー
比較例14と同様の方法で、393.4gのDMAC中、14.988gのPPDおよび28.720gのPMDAからプレポリマーを製造し、続いて、386.8gのDMACによって希釈し、次いで、64.758gのODA、次いで、6.796gのBPDA(これを溶解/反応させた)、次いで、64.998gのPMDAを添加し、続いて、41.0gのDMACを添加した。比較例11と同様の方法で、このプレポリマーの186.8g部分を、13.17gのSF310タルク(Lot M685,Kish Co.,Mentor,OH)とブレンドし、比較例10と同様に仕上げ、濾過し、次いで、比較例10と同様に、フィルムをキャストし、硬化した。2.0ミル(51ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例22
12.6容積%(30重量%)針状TiO2充填のPMDA/BPDA//ODA/PPD 95/5//70/30ブロックコポリマー
実施例21と同様の方法で、実施例21からのプレポリマーの172.7g部分を、実施例16に記載のTiO2スラリーの27.3g部分とブレンドした。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。充填材の充填量は、ポリイミドフィルム中約30重量%であった。2.2ミル(56ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例23
18.1容積%(30重量%)タルク充填のPMDA/BPDA//ODA/PPD 75/25//70/30ブロックコポリマー
比較例14と同様の方法で、378.1gのDMAC中、14.407gのPPDおよび27.607gのPMDAからプレポリマーを製造し、続いて、401gのDMACによって希釈し、次いで、62.249gのODA、次いで、32.666gのBPDA(これを溶解/反応させた)、次いで、43.106gのPMDAを添加し、続いて、41.0gのDMACを添加した。比較例11と同様の方法で、このプレポリマーの186.8g部分を13.17gのSF310タルク(Lot M685,Kish Co.,Mentor,OH)とブレンドし、比較例10と同様に仕上げ、キャストし、硬化した。1.7ミル(43ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
実施例24
12.6容積%(30重量%)針状TiO2充填のPMDA/BPDA//ODA/PPD 75/25//70/30ブロックコポリマー
実施例23と同様の方法で、実施例23からのプレポリマーの172.7g部分を、実施例16に記載のTiO2スラリーの27.3g部分とブレンドした。仕上げ、濾過、キャスティングおよび硬化は、比較例10に記載されるものと同様であった。2.3ミル(58ミクロン)のフィルムが製造された。
CTE、E’および破断点伸び率%を、比較例10の場合と同様に測定した。
結果を表1に示す。
以下の実施例は、ポリイミドフィルムの特性に及ぼす、高アスペクト比(3:1より高いアスペクト比)のプレートレット充填材に対する(アスペクト比3:1未満の)粒子の特性の影響を実証する。プレートレット充填材では、等重量充填量で、有利により高い弾性率およびより低いCTEがもたらされる。(ここで留意すべきは、粒径分析(Horiba LA−930粒径分析器)によって、これらの2つの充填材の平均粒径は有意に異なるように見えるが(プレートレットは有意により大きい)、特性に及ぼす影響は、平均粒径の差異によるものよりも、主に充填材の形状によるものであると考えられているということである)。
比較例16
PMDA//ODA中(40重量%)アスペクト比3:1未満のAl23(粒子)
PMDAおよびODAのポリアミド酸プレポリマーの1部分(DMAC中約20.6%で調製した。粘度約50ポアズ)を、Silverson(model L4RT−A)高剪断混合器中、粒子アルミナ充填材(Martoxid MZS−1,Albermarle Corporation)とブレンドした。アルミナの量は、最終的にポリイミド中アルミナ40重量%の充填量で最終ポリイミドフィルムを生じるように選択した。次いで、このポリアミド酸を、高トルク機械混合機/攪拌ブレードによって強力に混合しながら、DMAC中6重量%PMDA溶液を段階的に添加することによって、約537ポアズの粘度(#LV5スピンドルを備えたBrookfield DV−II+粘度計)までさらに反応させた(「仕上げた」)。その後、このポリマーをガラスプレートにキャストし、そして不粘着性フィルムが得られるまで約80℃に加熱した。フィルムを慎重にガラスから剥離し、そしてピンフレーム上に置き、循環式エアオーブン中に置き、そして温度を320℃までゆっくり昇温させ、この温度で30分間保持した。次に、フィルムを320℃のオーブンから取り出し、そして400℃のエアオーブンに約5分間置いた。その後、ピンフレーム上のポリイミドフィルムをオーブンから取り出し、室温まで冷却した。次いで、フィルムをピンフレームから分離した。
E’を比較例10の場合と同様に測定した。CTEは、試料を380℃まで加熱し、次いで冷却し、そして380℃まで再加熱し、そして再加熱時50℃〜350℃の間で評価したことを除き、比較例10と同じ機器で、そして同じ速度で測定した。
結果を表1に示す。
実施例25
PMDA//ODA中(40重量%)アスペクト比が3:1より大きいAl23(プレート状)。
比較例16と同様の方法で、比較例16の粒子アルミナと同じ充填量で、PMDA//ODAプレポリマーの1部分を、プレートレット状アルミナ(Advanced Nanotechnology Limited,Australiaからの「Platyl」)とブレンドし、502ポアズのBrookfield粘度まで仕上げた。比較例16と同様に、この充填ポリマー溶液をキャストし、熱硬化した。
E’を比較例10の場合と同様に測定した。CTEは、比較例16と同じ機器で、そして同じ速度で測定した。
結果を表1に示す。
ここでは、一般的な記載または実施例において上記の活性の全てが必要とされるのではなく、特定の活性の一部は必要とされなくてもよく、そして記載される活性に加えて、さらなる活性が実行されてもよいという点に留意すべきである。なおさらに、各活性が記載される順番が、必ずしも、それらが実行される順番であるというわけではない。この明細書を読んだ後、当業者は、それらの特定のニーズまたは要求に対して、どの活性を使用することができるかを決定することができるであろう。
上記明細書において、本発明は、特定の実施形態に関して説明された。しかしながら、当業者は、以下の請求の範囲において明かにされる本発明の範囲から逸脱することなく、様々な修正および変更を実行することができることを認識する。したがって、本明細書およびいずれの図面も、限定的な意味よりもむしろ、実例と見なされるべきであり、そして全てのそのような修正は、本発明の範囲内に含まれるように意図される。
利益、他の利点および課題に対する解決策は、特定の実施形態に関しては上記に記載されている。しかしながら、利益、利点、課題に対する解決策、および利益、利点または解決策を生じさせるか、またはより明白とさせる任意の要素が、請求の範囲のいずれか、または全ての重要な、必要な、もしくは本質的な特徴または要素として解釈されるべきではない。
量、濃度、あるいは他の値またはパラメーターが、範囲、好ましい範囲、または高い値および低い値のリストのいずれかとして記載される場合、これは、範囲が別々に開示されるかどうかにかかわらず、任意の高い範囲限界または好ましい値と、任意の低い範囲限界または好ましい値との任意の組から形成される全ての範囲を具体的に開示するものとして理解されるべきである。数値の範囲が本明細書に列挙される場合、特に明記しない限り、その範囲は、それらの終点と、その範囲内の全ての整数および分数を含むように意図される。範囲が定義される場合、本発明の範囲が、列挙された具体的な値に限定されるようには意図されない。
Figure 2013511603
Figure 2013511603
Figure 2013511603
Figure 2013511603

Claims (15)

  1. 5〜150ミクロンの厚さを有する基板によって支持された複数の導電性領域を含んでなるインターポーザーフィルムであって、前記基板が、
    a)i)剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つの芳香族二無水物成分と
    ii)剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも1つの芳香族ジアミン成分と
    から誘導されるポリイミドであって、
    前記ポリイミドの全二無水物成分および全ジアミン成分に基づき、二無水物のジアミンに対するモル比が、48〜52:52〜48であり、そしてXを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Yを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のX:Y比率が、20〜80:80〜20である、ポリイミド、ならびに
    b)i)少なくとも1つの寸法で、(数平均で)550ナノメートル未満であり、
    ii)3:1を超えるアスペクト比を有し、
    iii)全ての寸法で前記基板の厚さ未満であり、
    iv)前記基板の10〜45容積%の量で存在する、サブミクロン充填材
    を含んでなる、インターポーザーフィルム。
  2. 前記サブミクロン充填材が、少なくとも1つの寸法で400ナノメートル未満である、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
  3. 前記サブミクロン充填材が、少なくとも1つの寸法で200ナノメートル未満である、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
  4. 前記サブミクロン充填材が、酸化物、窒化物、炭化物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
  5. 前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、SiC繊維、プレート状Al23またはそれらの混合物である、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
  6. a)前記芳香族二無水物成分の少なくとも70モル%がピロメリット酸二無水物であり、そして
    b)前記芳香族ジアミン成分の少なくとも70モル%が4,4’−ジアミノジフェニルエーテルである、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
  7. 前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、SiC繊維、プレート状Al23またはそれらの混合物である、請求項6に記載のインターポーザーフィルム。
  8. a)前記芳香族二無水物成分の少なくとも75モル%がピロメリット酸二無水物であり、そして
    b)前記芳香族ジアミン成分としては、70モル%の4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよび30モル%の1,4−ジアミノベンゼンである、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
  9. 前記ポリイミドがブロックコポリマーである、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
  10. 前記ブロックコポリマーが、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよび1,4−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とから誘導される、請求項9に記載のインターポーザーフィルム。
  11. 前記ブロックコポリマーが、
    a)10〜40モル%の、ピロメリット酸二無水物および1,4−ジアミノベンゼンのブロックと、
    b)90〜60モル%の、ピロメリット酸二無水物および4,4’−ジアミノジフェニルエーテルのブロックと
    から誘導される、請求項9に記載のインターポーザーフィルム。
  12. 前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、SiC繊維、プレート状Al23またはそれらの混合物である、請求項11に記載のインターポーザーフィルム。
  13. 前記サブミクロン充填材が、カップリング剤、分散剤またはそれらの組み合わせによってコーティングされている、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
  14. 前記ポリイミドが、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよび1,4−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とから誘導されるランダムコポリマーである、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
  15. 前記ポリイミドが、4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよび1,4−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物とから誘導されるランダムコポリマーである、請求項1に記載のインターポーザーフィルム。
JP2012540096A 2009-11-20 2010-11-19 半導体パッケージング用途において有用なインターポーザーフィルム、およびそれに関連する方法 Pending JP2013511603A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26326609P 2009-11-20 2009-11-20
US61/263,266 2009-11-20
PCT/US2010/057452 WO2011063247A2 (en) 2009-11-20 2010-11-19 Interposer films useful in semiconductor packaging applications, and methods relating thereto

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013511603A true JP2013511603A (ja) 2013-04-04
JP2013511603A5 JP2013511603A5 (ja) 2013-12-26

Family

ID=43458223

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012540083A Pending JP2013511601A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 ポリイミドフィルムおよび電極を備えるアセンブリ、ならびにそれに関連する方法
JP2012540079A Pending JP2013511599A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 熱安定性および寸法安定性ポリイミドフィルム、ならびにそれに関連する方法
JP2012540088A Pending JP2013511412A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 カバーレイ組成物、およびそれに関連する方法
JP2012540092A Pending JP2013512535A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 ワイヤーラップ組成物、およびそれに関連する方法
JP2012540080A Pending JP2013511600A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 薄膜トランジスタ組成物、およびそれに関連する方法
JP2012540096A Pending JP2013511603A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 半導体パッケージング用途において有用なインターポーザーフィルム、およびそれに関連する方法

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012540083A Pending JP2013511601A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 ポリイミドフィルムおよび電極を備えるアセンブリ、ならびにそれに関連する方法
JP2012540079A Pending JP2013511599A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 熱安定性および寸法安定性ポリイミドフィルム、ならびにそれに関連する方法
JP2012540088A Pending JP2013511412A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 カバーレイ組成物、およびそれに関連する方法
JP2012540092A Pending JP2013512535A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 ワイヤーラップ組成物、およびそれに関連する方法
JP2012540080A Pending JP2013511600A (ja) 2009-11-20 2010-11-19 薄膜トランジスタ組成物、およびそれに関連する方法

Country Status (6)

Country Link
US (6) US20120227790A1 (ja)
EP (6) EP2501741A1 (ja)
JP (6) JP2013511601A (ja)
KR (6) KR20120117783A (ja)
CN (6) CN102668108A (ja)
WO (6) WO2011063215A1 (ja)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2501741A1 (en) 2009-11-20 2012-09-26 E. I. du Pont de Nemours and Company Coverlay compositions and methods relating thereto
KR101125567B1 (ko) * 2009-12-24 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 고분자 기판 및 그 제조 방법과 상기 고분자 기판을 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101793047B1 (ko) * 2010-08-03 2017-11-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
JP5362752B2 (ja) * 2011-01-26 2013-12-11 Jfeケミカル株式会社 ポリアミド酸組成物、ポリイミドおよびポリイミドフィルムならびにそれらの製造方法
KR20140039034A (ko) * 2011-06-09 2014-03-31 스미또모 세이까 가부시키가이샤 불연 필름, 불연 필름용 분산액, 불연 필름의 제조 방법, 태양 전지 백 시트, 플렉시블 기판, 및 태양 전지
JP2013131423A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Hitachi Cable Ltd 絶縁電線及びコイル
WO2013192466A1 (en) * 2012-06-22 2013-12-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polyimide metal clad laminate
US20150342043A1 (en) * 2012-06-22 2015-11-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Circuit board
KR20140029987A (ko) * 2012-08-31 2014-03-11 삼성디스플레이 주식회사 캐리어 기판, 이의 제조방법 및 이를 이용한 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법
JP5931654B2 (ja) * 2012-09-03 2016-06-08 日立金属株式会社 絶縁電線及びそれを用いたコイル
KR101987197B1 (ko) * 2012-10-04 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 장치의 제조방법
JP5761151B2 (ja) 2012-10-16 2015-08-12 日立金属株式会社 絶縁電線及びコイル
CN103897391B (zh) * 2012-12-31 2017-04-12 中原工学院 薄膜太阳能电池用光固化聚酰亚胺膜及其制备方法
CN103078010B (zh) * 2013-02-03 2016-12-28 电子科技大学 一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池的全非真空工艺制备方法
WO2014141322A1 (ja) * 2013-03-14 2014-09-18 三井化学株式会社 車両船舶のモーター巻線用の角型電線、巻線コイル、およびモーター
CN104854708B (zh) * 2013-05-17 2016-05-18 株式会社钟化 太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块
CN108047978B (zh) * 2013-05-31 2021-06-08 株式会社钟化 绝缘包覆材料及其制造方法、绝缘缆线及其制造方法
WO2015003725A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Friedrich-Schiller-Universität Jena Electroactive polymers, manufacturing process thereof, electrode and use thereof
WO2015081487A1 (en) 2013-12-03 2015-06-11 Abb Technology Ltd Multi-layered dielectric polymer material, capacitor, use of the material and formation method thereof
KR102151077B1 (ko) 2014-01-27 2020-09-02 에스케이이노베이션 주식회사 폴리이미드 복합체 필름 구조 및 제조 공정
US20150257296A1 (en) * 2014-03-07 2015-09-10 Taiflex Scientific Co., Ltd. Cover layer with high thermal resistance and high reflectivity for a printed circuit board
KR102220012B1 (ko) 2014-04-04 2021-02-26 에스케이이노베이션 주식회사 폴리이미드 복합기판의 제조방법 및 이로 제조된 폴리이미드 복합기판
WO2016084661A1 (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 株式会社カネカ 耐摩耗性の優れる絶縁被覆材料
WO2016084662A1 (ja) 2014-11-27 2016-06-02 株式会社カネカ 耐摩耗性の優れる絶縁被覆材料
KR102401764B1 (ko) * 2014-12-31 2022-05-26 하나 마이크론(주) 전자 소자 및 이의 제조 방법
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
US9947895B2 (en) 2015-06-17 2018-04-17 Universal Display Corporation Flexible AMOLED display
CN108026273B (zh) * 2015-09-24 2021-04-06 旭化成株式会社 聚酰亚胺前体、树脂组合物和树脂薄膜的制造方法
US20190136054A1 (en) * 2016-05-12 2019-05-09 E I Du Pont De Nemours And Company Polyimide compositions and a polyimide test socket housing
CN115162221A (zh) * 2016-10-14 2022-10-11 杜邦公司 用于隧道中拦截落石的防护网
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
CN108300363B (zh) * 2017-09-05 2021-01-08 广州美维电子有限公司 一种应用于pcb制作的保护胶膜及其制备方法和使用方法
US11059204B2 (en) 2018-02-27 2021-07-13 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method for manufacturing flexible material having surface protecting layer
CN108342082B (zh) * 2018-02-27 2020-12-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种具有表面保护层的柔性材料的制备方法
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
CN109486189A (zh) * 2018-11-09 2019-03-19 李梅 一种用于fpc行业的tpi薄膜及其制备方法
CN113170576A (zh) * 2019-01-21 2021-07-23 株式会社村田制作所 伸缩性布线基板
CN109880094B (zh) * 2019-03-12 2021-08-24 黄山金石木塑料科技有限公司 一种防静电/导电型聚酰亚胺树脂及其制备方法与应用
EP3825343A1 (en) 2019-11-19 2021-05-26 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Tunable refractive index polymers
US11746184B2 (en) 2019-11-19 2023-09-05 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Polyimide-polyarylene polymers
CN111732910B (zh) 2020-06-30 2022-05-27 晶科绿能(上海)管理有限公司 复合封装材料和用其封装的光伏组件
CN113912878A (zh) * 2020-07-08 2022-01-11 达迈科技股份有限公司 白色聚酰亚胺膜及其制造方法
KR102414419B1 (ko) * 2020-08-27 2022-06-30 피아이첨단소재 주식회사 그라파이트 시트용 폴리이미드 필름 제조방법 및 그라파이트 시트 제조방법
CN112812559A (zh) * 2021-01-28 2021-05-18 苏州泰仑电子材料有限公司 绝缘pi膜及其制备方法
CN117581386A (zh) * 2021-05-31 2024-02-20 出光兴产株式会社 光电转换元件、太阳能电池模块和帆板
KR20230040721A (ko) 2021-09-16 2023-03-23 주식회사 에코세미텍 솔더링 환원 시스템
CN115367785A (zh) * 2022-08-23 2022-11-22 安徽工程大学 高效光催化剂微/纳刺球状硫化铟及其制备方法和应用、硫化铟复合膜及其制备方法和应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002102882A1 (fr) * 2001-06-15 2002-12-27 Kaneka Corporation Film de polyimide semi-conducteur et son procede de production
JP2004035825A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導電性ポリイミドフィルムおよびその製造方法
JP2005064029A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Kaneka Corp 半導体実装用フィルム基材およびそれから得られる半導体パッケージ

Family Cites Families (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3179634A (en) * 1962-01-26 1965-04-20 Du Pont Aromatic polyimides and the process for preparing them
US3287311A (en) 1963-01-03 1966-11-22 Du Pont Polyimide containing tio2, articles, and process of making
DE3486131T2 (de) * 1983-08-01 1993-10-28 Hitachi Ltd Harzmaterial mit geringer thermischer Ausdehnung für Verdrahtungsisolationsfolie.
US4522958A (en) 1983-09-06 1985-06-11 Ppg Industries, Inc. High-solids coating composition for improved rheology control containing chemically modified inorganic microparticles
JPH0665708B2 (ja) 1985-11-29 1994-08-24 鐘淵化学工業株式会社 新規ポリイミドフィルム及びその製造法
JP2744786B2 (ja) 1987-01-20 1998-04-28 鐘淵化学工業株式会社 熱的寸法安定性にすぐれたポリイミド及びそれに用いるポリアミド酸
JPS63312328A (ja) 1987-06-15 1988-12-20 Tokai Carbon Co Ltd SiCウイスカ−強化ポリイミド樹脂の製造方法
JPS6455120A (en) 1987-08-27 1989-03-02 Mori Sangyo Kk Cultivation of shiitake mushroom and apparatus therefor
US5166308A (en) 1990-04-30 1992-11-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copolyimide film with improved properties
US5148266A (en) 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies having interposer and flexible lead
US5148265A (en) 1990-09-24 1992-09-15 Ist Associates, Inc. Semiconductor chip assemblies with fan-in leads
JPH05193065A (ja) * 1992-01-17 1993-08-03 Shin Etsu Chem Co Ltd カバーレイフィルム
AU4782293A (en) 1992-07-24 1994-02-14 Tessera, Inc. Semiconductor connection components and methods with releasable lead support
JPH0680874A (ja) * 1992-08-31 1994-03-22 Nippon G Ii Plast Kk 熱可塑性ポリエステルエラストマー樹脂組成物
US5436204A (en) 1993-04-12 1995-07-25 Midwest Research Institute Recrystallization method to selenization of thin-film Cu(In,Ga)Se2 for semiconductor device applications
US5441897A (en) 1993-04-12 1995-08-15 Midwest Research Institute Method of fabricating high-efficiency Cu(In,Ga)(SeS)2 thin films for solar cells
US5837767A (en) 1994-10-31 1998-11-17 Ntn Corporation Stripping fingers
US5648407A (en) 1995-05-16 1997-07-15 Minnesota Mining And Manufacturing Company Curable resin sols and fiber-reinforced composites derived therefrom
US6124851A (en) 1995-07-20 2000-09-26 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
US6120839A (en) 1995-07-20 2000-09-19 E Ink Corporation Electro-osmotic displays and materials for making the same
US6017584A (en) 1995-07-20 2000-01-25 E Ink Corporation Multi-color electrophoretic displays and materials for making the same
US6120588A (en) 1996-07-19 2000-09-19 E Ink Corporation Electronically addressable microencapsulated ink and display thereof
US6118426A (en) 1995-07-20 2000-09-12 E Ink Corporation Transducers and indicators having printed displays
US5821608A (en) 1995-09-08 1998-10-13 Tessera, Inc. Laterally situated stress/strain relieving lead for a semiconductor chip package
US5930026A (en) 1996-10-25 1999-07-27 Massachusetts Institute Of Technology Nonemissive displays and piezoelectric power supplies therefor
US5961804A (en) 1997-03-18 1999-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Microencapsulated electrophoretic display
US6067185A (en) 1997-08-28 2000-05-23 E Ink Corporation Process for creating an encapsulated electrophoretic display
CN1085707C (zh) 1997-10-23 2002-05-29 上海市合成树脂研究所 钛酸钾晶须增强聚酰亚胺复合材料的制备方法
US6207739B1 (en) 1997-11-20 2001-03-27 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Polyamide acid composition containing metal, polyimide film, flexible printed wiring board and method for producing them
JP3978754B2 (ja) * 1997-12-29 2007-09-19 チッソ株式会社 ポリアミド酸組成物、液晶配向膜、及び液晶表示素子
EP1075670B1 (en) 1998-04-27 2008-12-17 E-Ink Corporation Shutter mode microencapsulated electrophoretic display
JP3518992B2 (ja) * 1998-06-05 2004-04-12 ソニーケミカル株式会社 フレキシブルプリント配線板
JP2000202970A (ja) * 1999-01-13 2000-07-25 Pi Gijutsu Kenkyusho:Kk ポリイミド被覆フィルム
JP3937278B2 (ja) * 1999-09-17 2007-06-27 東レ・デュポン株式会社 太陽電池基板用ポリイミドフィルムおよびそれを用いた太陽電池基板
JP4046921B2 (ja) 2000-02-24 2008-02-13 触媒化成工業株式会社 シリカ系微粒子、該微粒子分散液の製造方法、および被膜付基材
US6372538B1 (en) 2000-03-16 2002-04-16 University Of Delaware Fabrication of thin-film, flexible photovoltaic module
ATE438927T1 (de) * 2000-04-18 2009-08-15 E Ink Corp Prozess zur herstellung von dünnfilmtransistoren
JP4031624B2 (ja) 2000-06-23 2008-01-09 株式会社東芝 透明被膜付基材、透明被膜形成用塗布液、および表示装置
US6528145B1 (en) * 2000-06-29 2003-03-04 International Business Machines Corporation Polymer and ceramic composite electronic substrates
JP2002138152A (ja) * 2000-08-24 2002-05-14 Du Pont Toray Co Ltd ポリイミドフィルム、その製造方法およびこれを基材とした金属配線板
US6710456B1 (en) * 2000-08-31 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Composite interposer for BGA packages
JP2002173640A (ja) 2000-11-30 2002-06-21 Three M Innovative Properties Co ポリイミド含有コーティング組成物及びそれから形成されたフィルム
CN100580014C (zh) * 2001-06-15 2010-01-13 株式会社钟化 半导电性聚酰亚胺膜及其制造方法
WO2003038859A2 (en) 2001-07-20 2003-05-08 Itn Energy Systems, Inc. Apparatus and method of production of thin film photovoltaic modules
JP2003082231A (ja) 2001-09-17 2003-03-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド樹脂組成物、ポリイミドフィルムおよびポリイミド管状物
WO2003030598A1 (fr) * 2001-09-28 2003-04-10 Kaneka Corporation Pellicule polyimide pour carte imprimee souple et carte imprimee souple l'utilisant
TWI272183B (en) * 2001-11-01 2007-02-01 Arakawa Chem Ind Polyimide-metal layered products and polyamideimide-metal layered product
JP2003192891A (ja) * 2001-12-20 2003-07-09 Thinflex Corp 耐熱性ポリイミド重合物及びその銅被覆積層板
CN1307260C (zh) * 2002-01-15 2007-03-28 株式会社Pi技术研究所 溶剂可溶的嵌段共聚聚酰亚胺组合物及其制造方法
JP2003306553A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd ポリイミド成形体
JP4119700B2 (ja) 2002-07-26 2008-07-16 株式会社カネカ 樹脂添加用無機粉体分散液の製造方法、並びに、ポリイミドフィルムおよびポリアミドイミドフィルム
AU2003289846A1 (en) 2002-08-16 2004-03-11 Daimlerchrysler Ag Body part of a vehicle provided with a thin-film solar cell and the production thereof
US6949296B2 (en) * 2002-12-31 2005-09-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polyimide substrates having enhanced flatness, isotropy and thermal dimensional stability, and methods and compositions relating thereto
US20050056312A1 (en) * 2003-03-14 2005-03-17 Young David L. Bifacial structure for tandem solar cells
US20050072461A1 (en) 2003-05-27 2005-04-07 Frank Kuchinski Pinhole porosity free insulating films on flexible metallic substrates for thin film applications
US7022402B2 (en) * 2003-07-14 2006-04-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric substrates comprising a polymide core layer and a high temperature fluoropolymer bonding layer, and methods relating thereto
JP2005109163A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Nec Electronics Corp 半導体素子
US20050163968A1 (en) 2004-01-20 2005-07-28 Hanket Gregory M. Microfiller-reinforced polymer film
CN1320060C (zh) 2004-04-01 2007-06-06 中国科学院化学研究所 一种短纤维增强聚酰亚胺复合材料及制备方法和用途
JP2006028216A (ja) 2004-07-12 2006-02-02 Kaneka Corp ポリイミドフィルム及び該ポリイミドフィルムの製造方法
KR100591068B1 (ko) * 2004-09-03 2006-06-19 주식회사 코오롱 플렉시블 동박 폴리이미드 적층판 및 그 제조방법
KR100952796B1 (ko) * 2004-09-24 2010-04-14 가부시키가이샤 가네카 신규한 폴리이미드 필름 및 이를 이용하여 얻어지는 접착필름, 플렉시블 금속장 적층판
US20060083939A1 (en) * 2004-10-20 2006-04-20 Dunbar Meredith L Light activatable polyimide compositions for receiving selective metalization, and methods and compositions related thereto
US20060127686A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-15 Meloni Paul A Thermally conductive polyimide film composites having high thermal conductivity useful in an electronic device
US7579134B2 (en) * 2005-03-15 2009-08-25 E. I. Dupont De Nemours And Company Polyimide composite coverlays and methods and compositions relating thereto
WO2006112523A1 (ja) * 2005-04-19 2006-10-26 Ube Industries, Ltd. ポリイミドフィルム積層体
WO2007002110A2 (en) 2005-06-20 2007-01-04 Solyndra, Inc. Bifacial elonagated solar cell devices
WO2007011742A2 (en) 2005-07-14 2007-01-25 Konarka Technologies, Inc. Cigs photovoltaic cells
JP2007169494A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Du Pont Toray Co Ltd 芳香族ポリイミドフィルム、カバーレイフイルムおよびフレキシブル積層板
EP1998902A2 (en) * 2006-02-23 2008-12-10 Van Duren, Jeroen K.J. High-throughput formation of semiconductor layer by use of chalcogen and inter-metallic material
DE102006016307B4 (de) 2006-04-06 2011-07-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 Thermisch stabile Matrixmikropartikel und Mikrokapseln für die Kunststoffadditivierung und Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
US9161440B2 (en) 2006-06-26 2015-10-13 Sabic Global Technologies B.V. Articles comprising a polyimide solvent cast film having a low coefficient of thermal expansion and method of manufacture thereof
JP2008034527A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Du Pont Toray Co Ltd カバーレイ
JP2008041960A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Nissan Chem Ind Ltd 電子回路部品の製造方法
US20100048861A1 (en) * 2006-12-15 2010-02-25 Hak Gee Jung Polyimide resin and liquid crystal alignment layer and polyimide film using the same
JP2008156557A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Du Pont Toray Co Ltd 高接着性共重合ポリイミドフィルム
US7695882B2 (en) * 2007-02-01 2010-04-13 Lexmark International, Inc. Toner formulation for controlling mass flow
JP4680979B2 (ja) * 2007-12-25 2011-05-11 住友電気工業株式会社 ポリイミドチューブ、その製造方法、及び定着ベルト
TWI398350B (zh) * 2008-02-05 2013-06-11 Du Pont 高黏著性聚醯亞胺銅箔積層板及其製造方法
CN102089366B (zh) * 2008-05-20 2013-06-19 宇部兴产株式会社 聚酰亚胺-金属层压制品和太阳电池
US20090288699A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laminate structures for high temperature photovoltaic applications, and methods relating thereto
WO2009142938A1 (en) 2008-05-20 2009-11-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermally and dimensionally stable polyimide films and methods relating thereto
AU2009255657A1 (en) * 2008-06-04 2009-12-10 Solexant Corp. Thin film solar cells with monolithic integration and backside contact
EP2404487B1 (en) * 2009-03-06 2015-04-22 E. I. du Pont de Nemours and Company Multilayer film for electronic circuitry applications and methods relating thereto
EP2501741A1 (en) 2009-11-20 2012-09-26 E. I. du Pont de Nemours and Company Coverlay compositions and methods relating thereto
US20120100663A1 (en) * 2010-10-26 2012-04-26 International Business Machines Corporation Fabrication of CuZnSn(S,Se) Thin Film Solar Cell with Valve Controlled S and Se

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002102882A1 (fr) * 2001-06-15 2002-12-27 Kaneka Corporation Film de polyimide semi-conducteur et son procede de production
JP2004035825A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 半導電性ポリイミドフィルムおよびその製造方法
JP2005064029A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Kaneka Corp 半導体実装用フィルム基材およびそれから得られる半導体パッケージ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011063215A1 (en) 2011-05-26
KR20120117783A (ko) 2012-10-24
KR20120096000A (ko) 2012-08-29
EP2502269A2 (en) 2012-09-26
WO2011063209A1 (en) 2011-05-26
US20120228616A1 (en) 2012-09-13
JP2013511601A (ja) 2013-04-04
US8653512B2 (en) 2014-02-18
US20120292086A1 (en) 2012-11-22
EP2502280A1 (en) 2012-09-26
EP2501741A1 (en) 2012-09-26
CN102712753A (zh) 2012-10-03
KR20120101459A (ko) 2012-09-13
KR20120096002A (ko) 2012-08-29
CN102714192A (zh) 2012-10-03
CN102791769A (zh) 2012-11-21
CN102803345A (zh) 2012-11-28
EP2501740B1 (en) 2016-03-16
EP2502280B1 (en) 2014-03-05
WO2011063247A2 (en) 2011-05-26
KR20120096003A (ko) 2012-08-29
JP2013511600A (ja) 2013-04-04
JP2013511412A (ja) 2013-04-04
EP2501740A1 (en) 2012-09-26
CN102712754A (zh) 2012-10-03
CN102668108A (zh) 2012-09-12
US20120227790A1 (en) 2012-09-13
WO2011063238A1 (en) 2011-05-26
US20120231264A1 (en) 2012-09-13
JP2013512535A (ja) 2013-04-11
EP2501742B1 (en) 2016-03-16
EP2501743B1 (en) 2016-03-16
EP2501743A1 (en) 2012-09-26
JP2013511599A (ja) 2013-04-04
US20120231257A1 (en) 2012-09-13
WO2011063247A3 (en) 2011-09-29
WO2011063204A1 (en) 2011-05-26
EP2501742A1 (en) 2012-09-26
KR20120096001A (ko) 2012-08-29
WO2011063229A1 (en) 2011-05-26
US20120231263A1 (en) 2012-09-13
CN102712753B (zh) 2015-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013511603A (ja) 半導体パッケージング用途において有用なインターポーザーフィルム、およびそれに関連する方法
US20110123796A1 (en) Interposer films useful in semiconductor packaging applications, and methods relating thereto
JP5117746B2 (ja) 有利な熱膨張特性を有するアラミド充填ポリイミド、およびこれに関連する方法
JP4237694B2 (ja) (微細粉末)フルオロポリマーから部分的に誘導され、電子基板として有用なポリイミドをベースとした組成物、およびそれに関連する方法と組成物
JP5740979B2 (ja) 接着組成物、接着シート、それらを用いた回路基板および半導体装置ならびにそれらの製造方法
CN111132456A (zh) 覆金属层叠板、电路基板、多层电路基板及其制造方法
JP5643536B2 (ja) 熱伝導性接着樹脂組成物、それを含む積層体および半導体装置
JP5648904B2 (ja) ポリエステルイミド樹脂組成物、ならびにそれを含浸させたプリプレグ、積層板および半導体装置
JP4120110B2 (ja) ポリイミド系絶縁膜用組成物、絶縁膜および絶縁膜の形成法
JP2003261834A (ja) 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP4273777B2 (ja) 絶縁膜用組成物、絶縁膜、及び、絶縁膜の形成方法
JP2005166818A (ja) Tab用テープの製造方法
JP2004292700A (ja) 半導体実装用フィルム基材およびそれから得られる半導体パッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131106

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141209

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150428