KR101019765B1 - 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법 - Google Patents

박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101019765B1
KR101019765B1 KR1020087013781A KR20087013781A KR101019765B1 KR 101019765 B1 KR101019765 B1 KR 101019765B1 KR 1020087013781 A KR1020087013781 A KR 1020087013781A KR 20087013781 A KR20087013781 A KR 20087013781A KR 101019765 B1 KR101019765 B1 KR 101019765B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
emitting diode
light emitting
conversion layer
blue light
Prior art date
Application number
KR1020087013781A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080074972A (ko
Inventor
도모까즈 오까자끼
Original Assignee
로무 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2006000256A external-priority patent/JP5013713B2/ja
Priority claimed from JP2006000210A external-priority patent/JP4943005B2/ja
Application filed by 로무 가부시키가이샤 filed Critical 로무 가부시키가이샤
Publication of KR20080074972A publication Critical patent/KR20080074972A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101019765B1 publication Critical patent/KR101019765B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Abstract

선단면에 형성된 가늘고 긴 직사각형의 개구부를 갖는 홈형 오목부(3)에 있어서의 내저면의 대략 중심부에 설치된 청색 발광 다이오드 칩(6)과, 상기 청색 발광 다이오드 칩(6)을 피복하도록 형성된, 상기 청색 발광 다이오드 칩이 방사하는 청색광에 의해 여기되어 적색광을 방사하는 적색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 적색광 변환층(7)과, 상기 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방사하는 녹색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 녹색광 변환층(10)을 구비한 박형 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 적색광 변환층(7)과 상기 녹색광 변환층(10) 사이에, 상기 적색 형광체 및 녹색 형광체 모두 함유하지 않거나 혹은 함유량이 적은 광 투과층(9)을 형성한다.
홈형 오목부, 청색 발광 다이오드 칩, 적색광 변환층, 녹색광 변환층, 광 투과층

Description

박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법{THIN-TYPE LIGHT EMITTING DIODE LAMP, AND ITS MANUFACTURING}
본 발명은, 예를 들어 액정 표시 장치에 있어서의 백 라이트 광원용 램프 등에 사용되는 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래 이러한 종류의 박형 발광 다이오드 램프는, 예를 들어 선행 기술로서의 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에 기재되어 있는 바와 같이, 이하와 같이 구성되어 있다. 즉, 램프 본체의 선단면에 가늘고 긴 직사각형의 개구부를 갖는 홈형 오목부가 형성되어 있다. 이 홈형 오목부에 있어서의 내저면(內底面)의 대략 중심부에 발광 다이오드 칩이 마운트되어 있다. 홈형 오목부의 내측면에는 발광 다이오드 칩이 발광한 광을 직사각형 개구부로부터 방사하도록 경사가 형성되어 있다.
최근, 예를 들어 GaN계 등에서 청색을 발광하는 발광 다이오드 칩이 개발되고 있다. 이 청색 발광 다이오드 칩은 높은 광도를 나타내는 것이 알려져 있다. 선행 기술로서의 특허 문헌 3 및 특허 문헌 4에는 청색 발광 다이오드 칩을 사용하여 백색 발광하도록 구성한 백색 발광 장치가 기재되어 있다.
이들 백색 발광 장치는 이하와 같이 구성되어 있다. 즉, 청색광에 의해 여기되어 적색광을 방사하는 적색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 적색광 변환층과, 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방사하는 녹색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 녹색광 변환층이 형성되어 있다. 청색 발광 다이오드 칩으로부터의 청색광이 적색광 변환층을 투과함으로써 적색광 변환층으로부터 적색광이 방사된다. 또한, 적색광 변환층을 투과한 청색광이 녹색광 변환층을 투과함으로써 녹색광 변환층으로부터 녹색광이 방사된다. 청색 발광 다이오드 칩으로부터 방사된 청색광, 적색광 변환층으로부터 방사된 적색광 및 녹색광 변환층으로부터 방사된 녹색광이 합성되어 백색광이 방사된다.
또한, 특허 문헌 3에 있어서는, 청색 발광 다이오드 칩의 표면에 녹색광 변환층을 밀착하여 형성하고, 이 녹색광 변환층의 외측면에 상기 적색광 변환층을 밀착하여 형성하는 구성으로 하고 있다. 또한, 특허 문헌 4에 있어서는, 적색광 변환층의 외측에 녹색광 변환층을 밀착하여 형성한 변환층을 청색 발광 다이오드 칩으로부터 이격된 위치에 설치하는 구성으로 하고 있다.
그리고, 상기 박형 발광 다이오드 램프에, 이 백색 발광 장치를 적용함으로써 백색으로 발광하는 박형 발광 다이오드 램프가 구성된다. 즉, 박형 발광 다이오드 램프에 있어서, 청색 발광 다이오드 칩이 홈형 오목부에 있어서의 내저면의 대략 중심부에 마운트된다. 이 청색 발광 다이오드 칩은 적색광 변환층으로 피복되고, 이 적색광 변환층의 외측에 녹색광 변환층이 형성된다. 이 구성에 의해, 상기 박형 발광 다이오드 램프의 홈형 오목부에 있어서의 직사각형 개구부로부터 백색광을 방사할 수 있다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 출원 공개 제2001-36147호 공보
특허 문헌 2 : 일본 특허 출원 공개 제2005-317820호 공보
특허 문헌 3 : 일본 특허 출원 공표 제2002-510866호 공보
특허 문헌 4 : 일본 특허 출원 공개 제2005-228996호 공보
그런데, 청색광의 파장은 약 450 ㎚ 전후로 가장 짧고, 녹색광의 파장은 약 530 ㎚ 전후이며, 적색광의 파장은 약 650 ㎚ 전후로 가장 길다. 파장이 짧은 광은 파장이 긴 광보다도 흡수되기 쉬운 성질이 있다. 따라서, 적색광 변환층과 녹색광 변환층이 서로 밀접하도록 구성된 경우, 적색광 변환층과 녹색광 변환층의 경계부에 있어서, 녹색광 변환층으로부터 방사된 파장이 짧은 녹색광의 일부가 적색광 변환층에 직접 흡수되게 된다. 따라서, 적색광 변환층에 흡수된 만큼 녹색광 변환층의 방사하는 녹색광의 양이 감소한다. 또한, 적색광 변환층에 흡수된 녹색광은 열에너지로 되어 소비된다.
따라서, 이와 같은 구성의 경우, 방사되는 합성광을 보다 백색광에 가깝게 하기 위해서는 발생하는 녹색광을 증가시킬 필요가 있다. 즉, 녹색광 변환층에 있어서의 녹색 형광체의 혼입량을 많이 할 필요가 있다. 또한, 흡수된 녹색광의 분만큼 전체적인 백색광의 광도가 저하되는 문제도 있었다.
또한, 홈형 오목부는 가늘고 긴 홈형으로 형성되어 있으므로, 청색 발광 다이오드 칩으로부터 방사되는 광의 경로는 청색 발광 다이오드 칩으로부터 홈형 오목부에 있어서의 길이 방향으로 이격됨에 따라서 길어진다. 따라서, 청색 발광 다이오드 칩으로부터의 광 중에서 홈형 오목부의 직사각형 개구부의 양단부 부근으로 부터 방사되는 광은 긴 경로를 통과함으로써 적색광 변환층에 의한 적색광으로의 변환이 불충분해진다. 이에 의해, 홈형 오목부의 직사각형 개구부에 있어서의 각 개소로부터 방사되는 백색광의 색조가 가지런하지 않게 되는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 문제를 해소한 백색 발광의 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 하는 것이다.
본 발명의 제1 측면에 의해 제공되는 박형 발광 다이오드 램프는, 선단면에 가늘고 긴 직사각형의 개구부를 갖는 홈형 오목부가 형성된 램프 본체와, 이 램프 본체의 상기 오목부에 있어서의 내저면의 대략 중심부에 설치된 청색 발광 다이오드 칩과, 상기 청색 발광 다이오드 칩을 피복하도록 형성된, 상기 청색 발광 다이오드 칩이 방사하는 청색광에 의해 여기되어 적색광을 방사하는 적색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 적색광 변환층과, 상기 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방사하는 녹색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 녹색광 변환층을 구비한 박형 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 적색광 변환층과 상기 녹색광 변환층 사이에, 상기 적색 형광체 및 녹색 형광체 모두 함유하지 않거나 혹은 함유량이 상기 적색광 변환층이나 상기 녹색광 변환층보다 적은 광 투과층을 형성하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 1에 기재된 박형 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 광 투과층은 공간이면 좋다.
또한, 청구항 1에 기재된 박형 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 광 투과층은 광 투과성 합성 수지이면 좋다.
또한, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 박형 발광 다이오드 램프에 있어서, 상기 적색광 변환층은, 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면 중 상기 오목부의 길이 방향에 직교하는 양 측면에 접하는 부분의 막 두께를, 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면 중 상기 오목부의 길이 방향으로 연장되는 양 측면에 접하는 부분의 막 두께보다도 두껍게 하면 좋다.
본 발명의 제2 측면에 의해 제공되는 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법은, 램프 본체의 선단면에 형성한 홈형 오목부에 있어서의 내저면의 대략 중심부에 청색 발광 다이오드 칩을 마운트하는 제1 공정과, 상기 청색 발광 다이오드 칩이 방사하는 청색광에 의해 여기되어 적색광을 방사하는 적색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 적색광 변환층을, 상기 청색 발광 다이오드 칩을 피복하도록 형성하는 제2 공정과, 상기 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방사하는 녹색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 녹색광 변환층을 상기 적색광 변환층의 외측에 형성하는 제3 공정을 구비하는 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법에 있어서, 상기 제2 공정이, 미리 적색 형광체의 분말을 혼입한 광 투과성 합성 수지를 액체인 상태로 상기 오목부 내에 주입하는 공정과, 상기 오목부의 개구부를 상측으로 한 자세로 유지하는 공정과, 이 자세인 상태로 상기 액체의 광 투과성 합성 수지를 경화 처리하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제3 측면에 의해 제공되는 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법은, 청색 발광 다이오드 칩이 방사하는 청색광에 의해 여기되어 적색광을 방사하는 적색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 적색광 변환층을, 상기 청색 발광 다이오드 칩을 피복하도록 형성하는 제1 공정과, 램프 본체의 선단면에 형성한 홈형 오목부에 있어서의 내저면의 대략 중심부에 상기 청색 발광 다이오드 칩을 마운트하는 제2 공정과, 상기 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방사하는 녹색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 녹색광 변환층을 상기 적색광 변환층의 외측에 형성하는 제3 공정을 구비하는 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 공정은, 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면 중 상기 오목부의 길이 방향에 직교하는 양 측면에 접하는 부분의 상기 적색광 변환층의 막 두께를, 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면 중 상기 홈형 오목부의 길이 방향으로 연장되는 양 측면에 접하는 부분의 상기 적색광 변환층의 막 두께보다도 두껍게 형성하는 공정인 것을 특징으로 한다.
또한, 청구항 5 또는 청구항 6에 기재된 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법에 있어서, 상기 제3 공정은, 미리 녹색 형광체의 분말을 혼입한 광 투과성 합성 수지를 액체인 상태로 홈형 오목부 내에 주입하는 공정과, 상기 홈형 오목부의 개구부를 하측으로 한 자세로 유지하는 공정과, 이 자세인 상태로 상기 액체의 광 투과성 합성 수지를 경화 처리하는 공정으로 이루어지면 좋다.
도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 박형 발광 다이오드 램프를 도시하는 사시도이다.
도2는 도1의 Ⅱ-Ⅱ에서 본 단면도이다.
도3은 도2의 Ⅲ-Ⅲ에서 본 단면도이다.
도4는 도3의 Ⅳ-Ⅳ에서 본 단면도이다.
도5는 적색광 변환층으로 피복된 청색 발광 다이오드 칩을 도시하는 사시도이다.
도6은 도5의 Ⅵ-Ⅵ에서 본 단면도이다.
도7은 도5의 Ⅶ-Ⅶ에서 본 단면도이다.
도8은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프의 단면도이다.
도9는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프의 단면도이다.
도10은 제1 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법의 제1 공정을 도시하는 도면이다.
도11은 제1 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법의 제2 공정을 도시하는 도면이다.
도12는 제1 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법의 제3 공정을 도시하는 도면이다.
도13은 제3 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법의 제1 공정을 도시하는 도면이다.
도14는 제3 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법의 제2 공정을 도시하는 도면이다.
도15는 제3 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법의 제3 공 정을 도시하는 도면이다.
도16은 제3 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프를 제조하는 방법의 제4 공정을 도시하는 도면이다.
도17은 제3 실시 형태에 관한 발광 다이오드 램프를 제조하는 다른 방법의 제3 공정을 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 대해 설명한다.
도1은 제1 실시 형태에 관한 박형 발광 다이오드 램프를 도시하는 사시도이다. 도2는 Ⅱ-Ⅱ에서 본 단면도이다. 도3은 도2의 Ⅲ-Ⅲ에서 본 단면도이다. 도4는 도3의 Ⅳ-Ⅳ에서 본 단면도이다.
도1 내지 도4에 있어서, 부호 1은 합성 수지 등의 절연체로 제조된 램프 본체를 나타낸다. 또한, 부호 2는 도시하지 않은 액정 표시 장치의 이면에 배치되는 투명한 도광판을 나타낸다. 이 도광판은 백 라이트 광원으로서의 본 실시 형태에 관한 박형 발광 다이오드 램프가 방사하는 광을 액정 표시 장치로 유도하는 것이다.
램프 본체(1)의 도광판(2)에 대향하는 선단면(1a)에는 가늘고 긴 직사각형의 개구부를 갖는 홈형 오목부(3)가 형성되어 있다. 또한, 램프 본체(1)에는 한 쌍의 금속판으로 제조된 리드 단자(4, 5)가 홈형 오목부(3)의 내저면에 노출되도록 매설되어 있다. 또한, 홈형 오목부(3)의 내저면의 대략 중심부에는 청색 발광 다이오드 칩(6)이 설치되어 있다.
또한, 도2 내지 도4에 도시하는 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(6)의 측면은 적색광 변환층(7)으로 피복되어 있다. 또한, 홈형 오목부(3)의 개구부 전체를 폐색하도록 녹색광 변환층(10)이 형성되어 있다. 또한, 홈형 오목부(3) 내의 적색광 변환층(7)과 녹색광 변환층(10) 사이에는 광 투과층(9)이 형성되어 있다.
적색광 변환층(7)은 청색 발광 다이오드 칩(6)의 방사하는 청색광에 의해 여기되어 적색광을 방사하는 적색 형광체의 분말을 혼입한 광 투과성 합성 수지에 의해 형성된다. 녹색광 변환층(10)은 청색 발광 다이오드 칩(6)의 방사하는 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방사하는 녹색 형광체의 분말을 혼입한 광 투과성 합성 수지에 의해 형성된다. 광 투과층(9)은 적색 형광체 및 녹색 형광체를 일절 함유하지 않거나, 혹은 함유량이 적은 광 투과성 합성 수지에 의해 형성된다.
도5는 적색광 변환층(7)에 의해 측면이 피복된 청색 발광 다이오드 칩(6)을 도시하는 사시도이다. 본 실시 형태에서는, 도5에 도시하는 적색광 변환층(7)에 의해 측면이 피복된 청색 발광 다이오드 칩을 홈형 오목부(3)의 내저면의 대략 중심부에 설치하는 구성으로 되어 있다. 도6은 도5의 Ⅵ-Ⅵ에서 본 단면도이다. 도7은 도5의 Ⅶ-Ⅶ에서 본 단면도이다.
도6, 도7에 도시한 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(6)은, 예를 들어 n형 SiC 결정 기판 등의 투명한 두께가 두꺼운 n형 반도체층(6a), p형 반도체층(6b), 청색 발광의 발광층(6c), n 전극(6d), p 전극(6e)에 의해 구성되어 있다. n형 반도체층(6a)은 발광층(6c)을 사이에 두고, 하면에 p형 반도체층(6b)이 배치되어 있다. n형 반도체층(6a)의 상면에는 n 전극(6d)이 형성되고, p형 반도체층(6b)의 하 면에는 p 전극(6e)이 형성되어 있다.
또한, 도5에 도시하는 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(6)은, 대향하는 2개의 측면(6')을 홈형 오목부(3)의 길이 방향에 대략 평행하게, 다른 대향하는 2개의 측면(6")을 홈형 오목부(3)의 길이 방향에 대략 직교하는 자세로 하여 설치되어 있다. 또한, 도2 내지 도4에 도시하는 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(6)의 하면의 p 전극(6e)은 리드 단자(4)에 전기적으로 접속하도록 접합(다이 본딩)되어 있다. 또한, 상면의 n 전극(6d)은 리드 단자(5)에 전기적으로 접속하도록 가는 금속선(8)에 의한 와이어 본딩으로 접속되어 있다.
또한, 도5 내지 도7에 도시하는 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(6)의 측면을 피복하고 있는 적색광 변환층(7)의 막 두께는 측면(6')과 측면(6")에서 다르게 구성되어 있다. 즉, 측면(6')에 있어서의 적색광 변환층(7)의 막 두께는 치수 S1로 하여 얇게 하는 한편, 측면(6")에 있어서의 적색광 변환층(7)의 막 두께는 치수 S1보다 큰 치수 S2로 하여 두껍게 하고 있다.
이 구성에 있어서, 청색 발광 다이오드 칩(6)으로부터 방사된 청색광이 적색광 변환층(7)을 투과함으로써 적색광 변환층(7)으로부터 적색광이 방사된다. 또한, 적색광 변환층(7)을 투과한 청색광이 녹색광 변환층(10)을 투과함으로써 녹색광 변환층(10)으로부터 녹색광이 방사된다. 청색 발광 다이오드 칩(6)으로부터 방사된 청색광, 적색광 변환층(7)으로부터 방사된 적색광 및 녹색광 변환층(10)으로부터 방사된 녹색광으로부터 합성된 백색광이 홈형 오목부(3)의 개구부로부터 도광판(2)을 향해 방사된다.
이 경우에 있어서, 청색 발광 다이오드 칩(6)으로부터 홈형 오목부(3)의 직사각형 개구부의 양단부 부근을 향하는 청색광은, 적색광 변환층(7) 중 막 두께가 S2의 두꺼운 부분을 투과하게 된다. 따라서, 적색광 변환층(7)에 의한 청색광으로부터 적색광으로의 변환이 불충분해지는 것을 확실하게 방지할 수 있다. 이에 의해, 홈형 오목부(3)의 직사각형 개구부로부터 방사되는 백색광을 여러 군데에서 균일한 색조로 가지런하게 할 수 있다.
또한, 적색광 변환층(7)과 녹색광 변환층(10) 사이에 광 투과층(9)이 형성되어 있으므로 적색광 변환층(7)과 녹색광 변환층(10)이 서로 밀접하지 않은 구성으로 되어 있다. 따라서, 녹색광 변환층(10)으로부터 방사된 녹색광이 적색광 변환층에 직접 흡수되는 것을 확실하게 감소할 수 있다. 녹색광 변환층(10)으로부터 방사되는 녹색광의 흡수를 감소할 수 있으므로, 녹색광 변환층(10)으로의 녹색 형광체의 혼입량을 적게 할 수 있다. 또한, 녹색광의 광량의 저하가 억제되므로 전체적인 백색 발광의 광도를 향상할 수 있다.
다음에, 도8은 제2 실시 형태에 관한 박형 발광 다이오드 램프를 도시하는 단면도이다. 이 박형 발광 다이오드 램프는, 적색광 변환층(7)과 녹색광 변환층(10) 사이의 광 투과층(9)을 광 투과성 합성 수지로 구성하지 않고 공간으로 한 것이다. 이 구성에 따르면, 적색광 변환층(7)과 녹색광 변환층(10) 사이의 광 투과층(9)에 광 투과성 합성 수지를 필요로 하지 않으므로 재료 비용을 삭감할 수 있다. 그 밖의 구성은 상기 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 본 실시 형태에 있어서도, 적색광 변환층(7)과 녹색광 변환층(10)이 서로 밀접하지 않은 구성으로 되어 있으므로, 상기 제1 실시 형태와 같은 작용 효과를 얻을 수 있다.
다음에, 도9는 제3 실시 형태에 관한 박형 발광 다이오드 램프를 도시하는 단면도이다. 이 박형 발광 다이오드 램프는, 미리 청색 발광 다이오드 칩(6)의 측면에 적색광 변환층(7)을 피복하는 구성으로 되어 있지 않다. 본 실시 형태에서는, 홈형 오목부(3)의 내저면의 대략 중심부에는 청색 발광 다이오드 칩(6)을 단독으로 설치한 후, 적색광 변환층(7)으로 피복하는 구성으로 되어 있다. 이 구성에 따르면, 청색 발광 다이오드 칩의 측면에 미리 적색광 변환층(7)을 피복해 둘 필요가 없다. 또한, 후술하는 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법을 이용함으로써 제조 공정을 간략화할 수 있다. 그 밖의 구성은 상기 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 본 실시 형태에 있어서도, 적색광 변환층(7)과 녹색광 변환층(10)이 서로 밀접하지 않은 구성으로 되어 있으므로, 녹색광이 적색광 변환층에 직접 흡수되는 것을 확실하게 감소하는 작용 효과를 얻을 수 있다.
다음에, 도10 내지 도12는 제1 실시 형태에 관한 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법을 도시한다.
이 제조 방법은, 우선 도10에 도시하는 바와 같이, 램프 본체(1)의 홈형 오목부(3)의 내저면의 대략 중심부에, 미리 적색광 변환층(7)에 의해 피복된 청색 발광 다이오드 칩(6)을 설치한다. 이때, 청색 발광 다이오드 칩(6)의 하면의 p 전극(6e)은 리드 단자(4)에 다이 본딩에 의해 접속된다. 또한, 상면의 n 전극(6d)은 리드 단자(5)에 와이어 본딩에 의해 금속선(8)으로 접속된다.
계속해서, 도11에 도시하는 바와 같이, 홈형 오목부(3)의 개구부를 상향으로 하여, 홈형 오목부(3) 내에, 미리 녹색 형광체의 분말을 혼입한 액체 상태의 광 투과성 합성 수지(10')를 적절한 양만큼 주입한다. 이 광 투과성 합성 수지(10')에 의해 청색 발광 다이오드 칩(6) 및 적색광 변환층(7)의 전체가 피복된다.
계속해서, 도12에 도시하는 바와 같이, 홈형 오목부(3)의 개구부를 하향으로 하여, 이 자세를 적절한 시간 동안만큼 유지한다. 또한, 액체 상태의 광 투과성 합성 수지(10')는 이 자세라도 액적(液滴)이 떨어지지 않을 정도의 점성을 갖게 해야만 한다. 녹색 형광체의 분말은 광 투과성 합성 수지보다 비중이 높다. 따라서, 이 자세 유지에 의해, 광 투과성 합성 수지(10')에 혼입되어 있는 녹색 형광체의 분말은 비중 차로 침전하게 된다. 이 침전이 완료 또는 대략 완료된 시점에서 광 투과성 합성 수지(10')의 경화 처리를 행한다. 경화 처리는 광 투과성 합성 수지(10')를 액체로 하기 위한 용제의 건조나, 광 투과성 합성 수지(10')를 경화시키기 위한 자외선의 조사 또는 가열 등에 의해 행해진다.
이 공정에 의해, 도12에 도시하는 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(6)에 대해 가장 외측에 녹색 형광체의 분말을 포함하는 녹색광 변환층(10a)이 형성된다. 또한, 녹색광 변환층(10a)과 적색광 변환층(7) 사이에 적색 형광체를 함유하지 않고 녹색 형광체도 함유하지 않거나, 혹은 함유량이 적은 광 투과층(9a)이 형성된다.
이 제조 방법에 의해, 제1 실시 형태에 관한 박형 발광 다이오드 램프를 간단한 공정으로 제조할 수 있으므로 제조에 드는 비용을 삭감할 수 있다.
다음에, 도13 내지 도16은 제3 실시 형태에 관한 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법을 도시한다.
이 제조 방법은, 우선 램프 본체(1)의 홈형 오목부(3)의 내저면의 대략 중심부에 청색 발광 다이오드 칩(6)을 단독으로 설치한다. 이때, 청색 발광 다이오드 칩(6)의 하면의 p 전극(6e)은 리드 단자(4)에 다이 본딩에 의해 접속된다. 또한, 상면의 n 전극(6d)은 리드 단자(5)에 와이어 본딩에 의해 금속선(8)으로 접속된다.
계속해서, 도13에 도시하는 바와 같이, 홈형 오목부(3)의 개구부를 상향으로 하여, 홈형 오목부(3) 내에 미리 적색 형광체의 분말을 혼입한 액체 상태의 광 투과성 합성 수지(7')를 적절한 양만큼 주입한다. 이 광 투과성 합성 수지(7')에 의해 청색 발광 다이오드 칩(6)의 전체가 피복된다. 또한, 액체 상태의 광 투과성 합성 수지(7')는 그 점성에 의한 표면 장력에 의해, 도13과 같은 중심이 솟아오른 대략 볼록 렌즈 형상으로 된다.
계속해서, 이 자세를 적절한 시간 동안만큼 유지한다. 적색 형광체의 분말도 광 투과성 합성 수지보다 비중이 높다. 따라서, 이 자세 유지에 의해, 도14에 도시하는 바와 같이, 광 투과성 합성 수지(7')에 혼입되어 있는 적색 형광체의 분말은 비중 차로 침전하게 된다. 이 침전이 완료 또는 대략 완료된 시점에서 광 투과성 합성 수지(7')의 경화 처리를 행한다.
이 공정에 의해, 도14에 도시하는 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(6)은 적색광 변환층(7a)에 의해 피복되고, 적색광 변환층(7a)의 외측에, 녹색 형광체를 함유하지 않고 적색 형광체도 함유하지 않거나 혹은 함유량이 적은 광 투과층(9b)이 형성된다.
계속해서, 도15에 도시하는 바와 같이, 홈형 오목부(3)의 개구부를 상향으로 하여, 홈형 오목부(3) 내에, 미리 녹색 형광체의 분말을 혼입한 액체 상태의 광 투과성 합성 수지(10')를 적절한 양만큼 주입한다. 이 광 투과성 합성 수지(10')에 의해 청색 발광 다이오드 칩(6), 적색광 변환층(7a) 및 광 투과층(9b)의 전체가 피복된다.
계속해서, 도16에 도시하는 바와 같이, 홈형 오목부(3)의 개구부를 하향으로 하여, 이 자세를 적절한 시간 동안만큼 유지한다. 또한, 액체 상태의 광 투과성 합성 수지(10')는 이 자세라도 액적이 떨어지지 않을 정도의 점성을 갖게 해야만 한다. 녹색 형광체의 분말은 광 투과성 합성 수지보다 비중이 높다. 따라서, 이 자세 유지에 의해, 광 투과성 합성 수지(10')에 혼입되어 있는 녹색 형광체의 분말은 비중 차로 침전하게 된다. 이 침전이 완료 또는 대략 완료된 시점에서 광 투과성 합성 수지(10')의 경화 처리를 행한다.
이 공정에 의해, 도16에 도시하는 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(6)에 대해 가장 외측에 녹색 형광체의 분말을 포함하는 녹색광 변환층(10a)을 형성할 수 있다. 또한, 녹색광 변환층(10a)과 광 투과층(9b) 사이에, 적색 형광체를 함유하지 않고 녹색 형광체도 함유하지 않거나 혹은 함유량이 적은 광 투과층(9a)이 형성된다.
이 제조 방법에 의해, 제3 실시 형태에 관한 박형 발광 다이오드 램프를 간단한 공정으로 제조할 수 있으므로 제조에 드는 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 제3 실시 형태의 제조 방법에 있어서, 도15에 도시한 광 투과성 합성 수지(10')의 주입 대신에, 광 투과층(9b)의 외측면으로의 녹색 형광체의 분말을 혼입한 광 투과성 합성 수지의 도포를 행해도 좋다. 이 경우, 당해 광 투과성 합성 수지의 도포 후 곧 경화 처리를 행한다. 이 공정에 의해, 도17에 도시한 바와 같이, 청색 발광 다이오드 칩(6)에 대해 가장 외측에 녹색광 변환층(10a)을 보다 간단하게 형성할 수 있다.
또한, 각 실시 형태는 램프 본체(1)에 매설된 한 쌍의 리드 단자(4, 5) 대신에, 램프 본체의 선단면(1a) 및 홈형 오목부(3) 내면이 형성된 전극막으로 구성할 수 있다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 램프 본체의 선단면에 형성한 홈형 오목부에 있어서의 내저면의 중심부에 청색 발광 다이오드 칩을 마운트하는 제1 공정과,
    상기 청색 발광 다이오드 칩이 방사하는 청색광에 의해 여기되어 적색광을 방사하는 적색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 적색광 변환층을, 상기 청색 발광 다이오드 칩을 피복하도록 형성하는 제2 공정과,
    상기 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방사하는 녹색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 녹색광 변환층을 상기 적색광 변환층의 외측에 형성하는 제3 공정을 구비하는 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법에 있어서,
    상기 제2 공정이, 미리 적색 형광체의 분말을 혼입한 광 투과성 합성 수지를 액체인 상태로 상기 오목부 내에 주입하는 공정과, 상기 오목부의 개구부를 상측으로 한 자세로 유지하는 공정과, 이 자세인 상태로 상기 액체의 광 투과성 합성 수지를 경화 처리하는 공정으로 이루어지고,
    상기 제3 공정은, 미리 녹색 형광체의 분말을 혼입한 광 투과성 합성수지를 액체인 상태로 홈형 오목부 내에 주입하는 공정과, 상기 홈형 오목부의 개구부를 하측으로 한 자세로 유지하는 공정과, 이 자세 그대로 상기 액체의 광투과성 합성수지를 경화 처리하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법.
  6. 청색 발광 다이오드 칩이 방사하는 청색광에 의해 여기되어 적색광을 방사하는 적색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 적색광 변환층을, 상기 청색 발광 다이오드 칩을 피복하도록 형성하는 제1 공정과,
    램프 본체의 선단면에 형성한 홈형 오목부에 있어서의 내저면의 중심부에 상기 청색 발광 다이오드 칩을 마운트하는 제2 공정과,
    상기 청색광에 의해 여기되어 녹색광을 방사하는 녹색 형광체의 분말을 광 투과성 합성 수지에 혼입하여 이루어지는 녹색광 변환층을 상기 적색광 변환층의 외측에 형성하는 제3 공정을 구비하는 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법에 있어서,
    상기 제1 공정은, 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면 중 상기 오목부의 길이 방향에 직교하는 양 측면에 접하는 부분의 상기 적색광 변환층의 막 두께를, 상기 청색 발광 다이오드 칩의 측면 중 상기 홈형 오목부의 길이 방향으로 연장되는 양 측면에 접하는 부분의 상기 적색광 변환층의 막 두께보다도 두껍게 형성하는 공정이고,
    상기 제3 공정은, 미리 녹색 형광체의 분말을 혼입한 광 투과성 합성수지를 액체인 상태로 홈형 오목부 내에 주입하는 공정과, 상기 홈형 오목부의 개구부를 하측으로 한 자세로 유지하는 공정과, 이 자세 그대로 상기 액체의 광투과성 합성수지를 경화 처리하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박형 발광 다이오드 램프의 제조 방법.
  7. 삭제
KR1020087013781A 2006-01-04 2006-12-27 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법 KR101019765B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00000256 2006-01-04
JP2006000256A JP5013713B2 (ja) 2006-01-04 2006-01-04 発光装置及びその製造方法
JPJP-P-2006-00000210 2006-01-04
JP2006000210A JP4943005B2 (ja) 2006-01-04 2006-01-04 薄型発光ダイオードランプとその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080074972A KR20080074972A (ko) 2008-08-13
KR101019765B1 true KR101019765B1 (ko) 2011-03-04

Family

ID=38228223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087013781A KR101019765B1 (ko) 2006-01-04 2006-12-27 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8004002B2 (ko)
EP (1) EP1976030A1 (ko)
KR (1) KR101019765B1 (ko)
TW (1) TW200735423A (ko)
WO (1) WO2007077869A1 (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5197368B2 (ja) * 2006-08-30 2013-05-15 京セラ株式会社 発光装置
WO2008044759A1 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Panasonic Corporation Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
DE102008029191A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung eines Displays sowie ein Display mit einer solchen Beleuchtungseinrichtung
EP2104149A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-23 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd White light emitting device and white light source module using the same
TWI449996B (zh) * 2009-01-23 2014-08-21 Au Optronics Corp 高色彩飽合度之顯示裝置及其使用之色彩調整方法
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
JP2012525711A (ja) * 2009-04-27 2012-10-22 マニュファクチャリング・リソーシズ・インターナショナル・インコーポレーテッド 液晶ディスプレイバックライトの白色led
JP2012529081A (ja) 2009-06-03 2012-11-15 マニュファクチャリング・リソーシズ・インターナショナル・インコーポレーテッド Ledバックライトの動的減光
CN101916806A (zh) * 2010-06-18 2010-12-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 Led封装方法及采用该方法封装成的led封装结构
JP5863291B2 (ja) * 2011-06-28 2016-02-16 株式会社小糸製作所 平面発光モジュール
US9365766B2 (en) * 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
JP5893888B2 (ja) * 2011-10-13 2016-03-23 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
WO2013144834A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with wavelength converting side coat
WO2013144798A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Koninklijke Philips N.V. Optical cavity including a light emitting device and wavelength converting material
CN104205375B (zh) 2012-03-30 2019-01-15 亮锐控股有限公司 包括发光器件和波长转换材料的光学腔
AT13372U1 (de) * 2012-04-30 2013-11-15 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit hoher Lichtstromdichte
US9348174B2 (en) 2013-03-14 2016-05-24 Manufacturing Resources International, Inc. Rigid LCD assembly
DE102013103416A1 (de) * 2013-04-05 2014-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierende Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer elektromagnetische Strahlung emittierenden Baugruppe
WO2015003130A1 (en) 2013-07-03 2015-01-08 Manufacturing Resources International, Inc. Airguide backlight assembly
US10191212B2 (en) 2013-12-02 2019-01-29 Manufacturing Resources International, Inc. Expandable light guide for backlight
JP6191453B2 (ja) 2013-12-27 2017-09-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10527276B2 (en) 2014-04-17 2020-01-07 Manufacturing Resources International, Inc. Rod as a lens element for light emitting diodes
US10649273B2 (en) 2014-10-08 2020-05-12 Manufacturing Resources International, Inc. LED assembly for transparent liquid crystal display and static graphic
JP6354626B2 (ja) * 2015-03-09 2018-07-11 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US10261362B2 (en) 2015-09-01 2019-04-16 Manufacturing Resources International, Inc. Optical sheet tensioner
TWI735562B (zh) * 2016-04-08 2021-08-11 新加坡商新加坡恒立私人有限公司 具有孔徑之薄光電模組及其製造
CN109087982B (zh) * 2017-06-14 2021-04-30 光宝光电(常州)有限公司 紫外线发光二极管封装结构及其制造方法
CN108133982B (zh) * 2017-12-20 2021-12-10 射阳拉曼半导体科技有限公司 基于SiC的多色LED芯片的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277127A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
JP4625997B2 (ja) 1999-07-22 2011-02-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP3589187B2 (ja) 2000-07-31 2004-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の形成方法
US7129638B2 (en) * 2000-08-09 2006-10-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting devices with a phosphor coating having evenly dispersed phosphor particles and constant thickness
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP4222017B2 (ja) * 2001-12-18 2009-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
US6917057B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
JP2005167079A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005228996A (ja) 2004-02-13 2005-08-25 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4229447B2 (ja) 2004-03-31 2009-02-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び製造方法
JP2005317820A (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Korai Kagi Kofun Yugenkoshi 発光ダイオードパッケージ構造
JP3994094B2 (ja) 2004-05-27 2007-10-17 ローム株式会社 発光ダイオードランプ
JP2006135225A (ja) * 2004-11-09 2006-05-25 Toshiba Corp 発光装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277127A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
EP1976030A1 (en) 2008-10-01
US8004002B2 (en) 2011-08-23
US20110284904A1 (en) 2011-11-24
TWI336528B (ko) 2011-01-21
US20090206353A1 (en) 2009-08-20
US8405112B2 (en) 2013-03-26
KR20080074972A (ko) 2008-08-13
WO2007077869A1 (ja) 2007-07-12
TW200735423A (en) 2007-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101019765B1 (ko) 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법
US7518150B2 (en) White light source and illumination apparatus using the same
CN107024797B (zh) 光学片以及具有该光学片的显示装置和发光装置
US10215907B2 (en) Substrate for color conversion, manufacturing method therefor, and display device comprising same
JP5158472B2 (ja) 半導体発光装置
KR101812168B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 발광 장치
US20110089815A1 (en) Light-emitting device
JP4943005B2 (ja) 薄型発光ダイオードランプとその製造方法
JP2000022222A (ja) 発光ダイオード
JP2010087324A (ja) 発光装置
US20080123023A1 (en) White light unit, backlight unit and liquid crystal display device using the same
JP2011114093A (ja) 照明装置
KR102446576B1 (ko) 백라이트 유닛
KR20090039932A (ko) 발광 소자 패키지
CN110970408A (zh) 发光装置
KR20120051855A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 광원 장치, 백라이트 유닛
US20090091239A1 (en) Light-emitting chip and method of manufacturing the same
CN112531095A (zh) 背光单元
JP6197288B2 (ja) 発光装置およびその製造方法
JP2007324451A (ja) 半導体発光装置
KR101862873B1 (ko) 광학 부재, 발광장치 및 표시장치
KR20130069247A (ko) 발광 장치 및 표시 장치
KR101326892B1 (ko) 광학 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법
KR101873996B1 (ko) 광원 장치 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, 표시 장치
KR100620556B1 (ko) 형광제를 이용한 백색 발광 다이오드의 구조 및 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140204

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160127

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170202

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180202

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee