CN109087982B - 紫外线发光二极管封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种紫外线发光二极管封装结构及其制造方法，紫外线发光二极管封装结构包含基板、彼此电性连接且分别设置于基板相反两个板面的电极层与焊垫层、设置于基板上方且电性连接于电极层的紫外线发光二极管芯片、设置于基板上且围绕紫外线发光二极管芯片的墙体及位于墙体内且埋置紫外线发光二极管芯片的封装胶体。封装胶体包含有设置于紫外线发光二极管芯片顶面的附着部及围绕附着部的围绕部。围绕部的顶面形成环形沟槽，并且环形沟槽的底缘于一高度方向上的位置是落在紫外线发光二极管芯片的厚度的25％至90％之间。据此，本发明能通过改变封装胶体的构造而提升紫外线发光二极管封装结构的性能。

Description

紫外线发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构，尤其涉及一种紫外线发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术
现有的紫外线发光二极管封装结构大都是封装胶体填满墙体内侧的空间。然而，现有紫外线发光二极管封装结构已局限于上述封装胶体构造，而难以有进一步地改良。
于是，本发明人认为上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明实施例在于提供一种紫外线发光二极管封装结构及其制造方法，能有效地改善现有紫外线发光二极管封装结构所可能产生的缺陷。
本发明实施例公开一种紫外线发光二极管封装结构，其包括：一基板、一电极层、一紫外线发光单元、一焊垫层、一墙体、一封装胶体、一附着部及一围绕部。基板具有位于相反两侧的一第一板面与一第二板面，并且所述基板定义有垂直所述第一板面的一高度方向；电极层设置于所述基板的所述第一板面；紫外线发光单元包含有一紫外线发光二极管芯片；其中，所述紫外线发光二极管芯片具有一顶面及相连于所述顶面周缘的一环侧面，所述紫外线发光单元位于所述基板的所述第一板面上并且电性连接于所述电极层；焊垫层设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及所述紫外线发光二极管芯片；墙体位于所述基板的所述第一板面上，所述墙体与所述第一板面形成一容置空间，所述紫外线发光二极管芯片位于所述容置空间；封装胶体位于所述容置空间内，以使所述电极层与所述紫外线发光二极管芯片完全埋置于所述封装胶体内，并且所述封装胶体包含有：附着部附着于所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面上，并且所述附着部的顶缘相对于所述第一板面的高度小于所述墙体相对于所述第一板面的高度；围绕部围绕所述附着部，并形成一内环部和一外环部，所述内环部连接所述附着部，所述外环部连接所述墙体的内侧壁，所述围绕部的顶面呈一环形沟槽，所述环形沟槽的一底缘于所述高度方向上的位置是落在所述紫外线发光二极管芯片的厚度的25％至90％之间。
优选地，所述紫外线发光单元进一步包括有设置于所述电极层上的一载座，所述紫外线发光二极管芯片以倒装芯片的方式电性连接所述载座，并且所述发光二极管芯片通过所述载座和打线以电性连接于所述电极层。
优选地，所述封装胶体的材质包含聚二甲基硅氧烷或氟素高分子。
优选地，所述封装胶体的顶缘具有呈W字形的一剖面。
优选地，所述围绕部的所述顶面呈曲面状，并且所述围绕部的所述顶面的曲率中心位于所述容置空间之外。
优选地，所述紫外线发光二极管封装结构进一步包括有一透光盖板，并且所述透光盖板设置于所述墙体的顶缘，以封闭所述容置空间。
本发明实施例也公开一种紫外线发光二极管封装结构的制造方法，包括：提供一承载模块；其中，所述承载模块包含有：一基板组合、多个电极层、多个墙体、多个紫外线发光二极管芯片及多个焊垫层。基板组合包含有彼此相连成矩阵状的多个基板，并且每个所述基板具有位于相反两侧的一第一板面与一第二板面；多个电极层分别位于多个所述基板的所述第一板面；多个墙体分别位于多个所述基板的所述第一板面；多个紫外线发光二极管芯片分别位于多个所述基板的所述第一板面且分别位于多个所述墙体内；多个焊垫层分别位于多个所述基板的所述第二板面；其中，每个所述基板所承载的所述电极层、所述紫外线发光二极管芯片及所述焊垫层彼此电性连接；以一点胶机向每个所述墙体内逐个实施一点胶作业；其中，于每个所述点胶作业中，所述点胶机朝向所述紫外线发光二极管芯片的一顶面输出一封装胶体，以使所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面形成所述封装胶体的一附着部，所述封装胶体沿着所述紫外线发光二极管芯片周围流入所述墙体内，以形成所述封装胶体的一围绕部，所述电极层与所述紫外线发光二极管芯片埋置于所述封装胶体内，所述围绕部的顶面呈一环形沟槽，所述环形沟槽的一底缘于垂直所述第一板面的一高度方向上的位置是落在所述紫外线发光二极管芯片的厚度的25％至90％之间。
优选地，在每个所述墙体内形成有相对应的所述封装胶体后，所述紫外线发光二极管封装结构的制造方法进一步包括：将多个所述墙体的顶缘贴附于一离型膜上，并将所述离型膜贴附于一第一胶带上；朝向多个所述基板的所述第二板面并沿一第一方向进行切割，以使所述基板组合形成为间隔设置的多列所述基板；朝向多列所述基板的所述第二板面贴附一第二胶带；朝向所述第二胶带并沿垂直所述第一方向的一第二方向切割所述第二胶带与多列所述基板，以使多列所述基板形成为呈矩阵状间隔排列的多个所述基板；移除所述第一胶带、所述第二胶带及所述离型膜，以形成有多个紫外线发光二极管封装结构。
优选地，先移除所述第一胶带与所述第二胶带，而后移除所述离型膜。
优选地，在所述离型膜的移除过程中，包含加热所述离型膜、对所述离型膜照射紫外光或将所述离型膜接触有机溶液，以降低所述离型膜与每个所述墙体之间的黏着性。
优选地，在所述第一胶带与所述第二胶带被移除之后，朝向多个所述基板的所述第二板面贴附一第三胶带，而后移除所述离型膜。
优选地，在每个所述点胶作业中，所述点胶机会在所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面上方0.2毫米的位置开始输出所述封装胶体，而后逐渐朝远离所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面的方向移动，直到所述点胶机位在所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面上方0.5毫米的位置。
综上所述，本发明实施例所公开的紫外线发光二极管封装结构及其制造方法，能通过改变封装胶体的构造而提升紫外线发光二极管封装结构的性能(如：发光效率)。再者，所述紫外线发光二极管封装结构的制造方法能有效地避免基板组合在切割的过程中产生飞料等问题。
为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S110示意图。
图2为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S120示意图(一)。
图3为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S120示意图(二)。
图4为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S120示意图(三)。
图5为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S130示意图。
图6为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S130与步骤S140示意图。
图7为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S140示意图。
图8为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S150示意图。
图9为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S150与步骤S160示意图。
图10为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S160示意图。
图11为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S170示意图(一)。
图12为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S170示意图(二)。
图13为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的制造方法的步骤S170示意图(三)。
图14为本发明实施例一的紫外线发光二极管封装结构的示意图。
图15为本发明实施例二的紫外线发光二极管封装结构的示意图。
图16为本发明实施例三的紫外线发光二极管封装结构的示意图。
具体实施方式
请参阅图1至图16，为本发明的实施例，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用来具体地说明本发明的实施方式，以便于了解本发明的内容，而非用来局限本发明的保护范围。
[实施例一]
如图1至图14所示，其为本发明的实施例一，本实施例公开一种紫外线发光二极管封装结构100及其制造方法。为便于理解本实施例的紫外线发光二极管封装结构100，以下先说明紫外线发光二极管封装结构100的制造方法，而后再进一步介绍紫外线发光二极管封装结构100的各个组件构造与连接关系。
如图1至图13所示，所述紫外线发光二极管封装结构的制造方法，包括步骤S110至步骤S170，但于实际应用时，上述步骤S110至步骤S170的其中一个步骤能够视设计者的需求而省略或是以合理的变化方式取代。
步骤S110，如图1所示，提供一承载模块M。其中，所述承载模块M包含有一基板组合10、多个电极层2、多个焊垫层3、多个紫外线发光二极管芯片4及多个墙体5。更详细地说，所述基板组合10包含有沿相互垂直的一第一方向D1与一第二方向D2而彼此相连成矩阵状的多个基板1(如图5)。再者，每个基板1具有位于相反两侧的一第一板面11与一第二板面12，并且上述第一板面11与第二板面12各大致平行于第一方向D1与第二方向D2(如图5)。
所述多个电极层2分别位于多个基板1的第一板面11，并且多个墙体5也分别位于多个基板1的第一板面11。所述多个紫外线发光二极管芯片4分别位于多个基板1的第一板面11且分别位于多个墙体5内。所述多个焊垫层3分别位于多个基板1的第二板面12。
其中，每个基板1所承载的电极层2、紫外线发光二极管芯片4及焊垫层3彼此电性连接。更详细地说，所述每个基板1内埋置有多个导电柱13，并且上述每个导电柱13的一端裸露于基板1的第一板面11并连接于电极层2，而每个导电柱13的另一端裸露于上述基板1的第二板面12并连接于焊垫层3，借以使所述电极层2与上述焊垫层3能通过相对应的导电柱13而达成彼此电性连接。
再者，所述紫外线发光二极管芯片4与电极层2之间的电性连接方式，本发明在此不加以限制。举例来说，如图1所示，所述紫外线发光二极管芯片4能以倒装芯片的方式固定在设置于电极层2上的一载座7(submout)，并且所述发光二极管芯片4通过载座7和打线以电性连接于电极层2；或者，如图15所示，所述紫外线发光二极管芯片4也可以直接固定于所述电极层2。
步骤S120，如图2至图4所示，以一点胶机G向每个墙体5内逐个实施一点胶作业。如图2所示，于上述每个点胶作业中，所述点胶机G朝向紫外线发光二极管芯片4的一顶面41输出一封装胶体6，以使所述紫外线发光二极管芯片4的顶面41形成所述封装胶体6的一附着部61。如图3所示，所述封装胶体6沿着紫外线发光二极管芯片4周围流入墙体5内，以形成所述封装胶体6的一围绕部62。如图4所示，所述电极层2与紫外线发光二极管芯片4埋置于所述封装胶体6内。其中，所述围绕部62的顶面623大致呈一环形沟槽，所述环形沟槽的一底缘6231于垂直所述第一板面11的一高度方向H上的位置是落在上述紫外线发光二极管芯片4的厚度T的25％至90％之间，但本发明不受限于此。
需说明的是，所述紫外线发光二极管芯片4的厚度T于本实施例中是由紫外线发光二极管芯片4底缘起算，也就是说，紫外线发光二极管芯片4的底缘所对应的厚度T为0％，而紫外线发光二极管芯片4顶面41所对应的厚度T为100％。
更详细地说，如图2所示，在点胶作业中，所述点胶机G会在紫外线发光二极管芯片4的顶面41上方大致0.2毫米的位置开始输出所述封装胶体6，而后如图3，点胶机G逐渐朝远离所述顶面41的方向移动(如：沿着高度方向H向上移动)，如图4，直到所述点胶机G位在所述顶面41上方大致0.5毫米的位置并停止供胶，停止供胶的时间大约0.3秒，但本发明不以此为限。
步骤S130，如图6所示，将多个墙体5的顶缘51贴附于一离型膜R上，并将所述离型膜R贴附于一第一胶带T1上。其中，所述离型膜R与第一胶带T1于本实施例中各可以是一热解膜(热解胶带)、一耐热膜(耐热胶带)及一紫外光膜(紫外光胶带)的其中之一，但本发明不受限于此。
步骤S140，以一刀具B朝向所述多个基板1的第二板面12并沿第一方向D1进行切割(如图5和图6)，以使上述基板组合10形成为间隔设置的多列所述基板1(如图7)。也就是说，上述多个基板1沿第一方向D1相连成上述多列基板1，并且所述多列基板1在第二方向D2上彼此分离。
步骤S150，如图8所示，朝向多列所述基板1的第二板面12贴附一第二胶带T2(如：第二胶带T2贴附于焊垫层3上)。其中，所述第二胶带T2于本实施例中各可以是一热解胶带、一耐热胶带及一紫外光胶带的其中之一，但本发明不受限于此。也就是说，所述多列基板1能通过黏贴在第二胶带T2而有效地维持彼此的相对位置。
步骤S160，如图9和图10所示，以所述刀具B朝向所述第二胶带T2并沿第二方向D2切割所述第二胶带T2与多列所述基板1，以使多列所述基板1形成为呈矩阵状间隔排列的多个基板1。需说明的是，在步骤S140与步骤S160中，所述多个基板1能够被旋转90度，以利于所述刀具B在步骤S140中沿着上述第一方向D1进行切割、并且在步骤S160中沿着上述第二方向D2进行切割，但本发明不以此为限。举例来说，在实施步骤S160时，也可以是所述刀具B先被旋转90度，以使上述刀具B能够沿着上述第二方向D2进行切割。
步骤S170，如图11至图13所示，移除所述第一胶带T1、第二胶带T2及离型膜R，以形成有多个紫外线发光二极管封装结构100。本步骤S170较佳是先移除所述第一胶带T1与第二胶带T2，而后移除离型膜R。进一步地说，如图11所示，本步骤S170在所述第一胶带T1与第二胶带T2被移除之后，如图12所示，朝向多个基板1的第二板面12进一步贴附一第三胶带T3(如：第三胶带T3贴附于焊垫层3上)，而后如图13所示，再移除所述离型膜R，以形成有多个紫外线发光二极管封装结构100。
再者，在上述第一胶带T1、第二胶带T2及离型膜R的移除过程中，可依据第一胶带T1、第二胶带T2及离型膜R的类型而先进行移除前的处理，借以降低第一胶带T1、第二胶带T2及离型膜R的黏着性。举例来说，上述离型膜R的移除前处理包含加热所述离型膜R(如：加热至120℃)、对所述离型膜R照射紫外光或将所述离型膜R接触有机溶液，以降低所述离型膜R与每个墙体5之间的黏着性。
以上为本实施例紫外线发光二极管封装结构100的制造方法说明，以下接着介绍通过上述紫外线发光二极管封装结构100的制造方法所制成的一种紫外线发光二极管封装结构100，但本发明不受限于此。也就是说，本实施例的紫外线发光二极管封装结构100也可以是通过其他制造方法所制成。
如图14所示，所述紫外线发光二极管封装结构100包含一基板1、一电极层2、一焊垫层3、一紫外线发光单元U、一墙体5及一封装胶体6。其中，所述电极层2与焊垫层3彼此电性连接并且分别设置于基板1的相反两个板面，所述紫外线发光单元U位于基板1上并且电性连接于所述电极层2，所述墙体5位于基板1上并包围在紫外线发光单元U的外侧，所述封装胶体6设置于墙体5内并使紫外线发光单元U埋置于其内。下述进一步介绍所述紫外线发光二极管封装结构100的各个组件构造及连接关系。
所述基板1于本实施例中为一陶瓷基板，但本发明不受限于此。其中，所述基板1具有位于相反两侧的一第一板面11与一第二板面12，并且上述基板1定义有垂直第一板面11的一高度方向H。所述基板1内埋置有多个导电柱13，并且上述每个导电柱13的一端裸露于基板1的第一板面11，而每个导电柱13的另一端裸露于上述基板1的第二板面12。
所述电极层2设置于上述基板1的第一板面11，并且所述焊垫层3设置于上述基板1的第二板面12。其中，裸露于基板1第一板面11的每个导电柱13一端连接于电极层2，而裸露于基板1第二板面12的每个导电柱13另一端连接于焊垫层3，借以使所述电极层2与焊垫层3能通过上述多个导电柱13而达成彼此电性连接。
所述紫外线发光单元U于本实施例中包含一紫外线发光二极管芯片4和一载座7，所述紫外线发光二极管芯片4设置于所述载座7上，并能发出的紫外线波长范围介于260纳米至270纳米、270纳米至290纳米、305纳米至315纳米或320纳米至330纳米，但本发明不受限于此。其中，所述紫外线发光二极管芯片4具有一顶面41及相连于上述顶面41周缘的一环侧面42。
再者，所述紫外线发光二极管芯片4位于上述基板1的第一板面11上方并且电性连接于电极层2与焊垫层3。其中，所述紫外线发光二极管芯片4与电极层2之间的电性连接方式，本发明在此不加以限制。举例来说，如图14所示，所述紫外线发光二极管芯片4能以倒装芯片的方式固定在设置于电极层2上的一载座7，并且所述发光二极管芯片4通过载座7和打线以电性连接于电极层2，而所述载座7可以是通过正向打线(Normal Bonding)或是反向打线(Reverse Bonding)电性连接于所述电极层2。
所述墙体5于本实施例中可以是形成在所述基板1上的一铝墙体或一高分子墙体，或者，所述基板1及墙体5也可以是通过高温共烧陶瓷(High Temperature Co-FiredCeramic，HTCC)工艺或是低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramic，LTCC)工艺所一体成形的单件式构造，但本发明不受限于此。
其中，所述墙体5位于上述基板1的第一板面11上，所述墙体5与基板1的第一板面11包围形成一容置空间S，并且所述紫外线发光二极管芯片4位于所述容置空间S内。也就是说，所述墙体5大致呈环状，并且墙体5的顶缘51高于上述紫外线发光二极管芯片4的顶面41。
所述封装胶体6的材质于本实施例中包含有聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)或氟素高分子(Fluoropolymer)，但本发明不受限于此。其中，所述封装胶体6位于上述容置空间S内，以使所述电极层2与紫外线发光二极管芯片4完全埋置于所述封装胶体6内。并且所述封装胶体6的顶缘于本实施例中具有大致呈W字形的一剖面(如：图14)，但本发明的封装胶体6构造不受限于此。
更详细地说，所述封装胶体6包含有附着于所述紫外线发光二极管芯片4顶面41上的一附着部61以及围绕于上述附着部61的一围绕部62。其中，上述紫外线发光二极管芯片4的顶面41完全被上述附着部61所覆盖。所述附着部61大致呈锥状且其外表面大致呈曲面状，而垂直于高度方向H的附着部61截面面积是自附着部61的顶缘朝向紫外线发光二极管芯片4顶面41的方向逐渐地增加。所述附着部61的顶缘相对于所述基板1第一板面11的高度H1小于所述墙体5相对于所述基板1第一板面11的高度H2。
再者，所述围绕部62并形成一内环部621、一外环部622及相连于上述内环部621顶缘与外环部622顶缘的一顶面623。其中，所述内环部621连接所述附着部61的底部周缘及紫外线发光二极管芯片4的环侧面42，而所述外环部622连接上述墙体5的内侧壁，并且所述围绕部62的顶面623大致呈一环形沟槽。也就是说，所述围绕部62顶面623相对于基板1第一板面11的高度，由邻近内环部621与外环部622朝向逐渐地缩小。此外，附着部61的顶缘611应矮于墙体5的顶缘51，避免贴透光盖板8时压到附着部61。
进一步地说，所述环形沟槽的一底缘6231于所述高度方向H上的位置是落在所述紫外线发光二极管芯片4的厚度的25％至90％之间。换个角度来说，在平行于高度方向H且通过紫外线发光二极管芯片4的封装胶体6剖面中，所述剖面的顶缘大致呈W字形，并且上述W字形是由所述附着部61的外表面及上述围绕部62的顶面623所构成。
另外，由于所述围绕部62是连接所述附着部61的底部612周缘，以使所述围绕部62顶面623所呈现的曲面状能够被设计者依需求而加以调整其曲率。在本实施例中，所述附着部61的顶缘611与围绕部62的外环部622顶缘6221相对于基板1能够大致位于相同的高度，以使所述围绕部62顶面623较佳是形成较大的曲率半径，但本发明不受限于此。进一步地说，所述顶面623的曲率中心位于上述容置空间S之外，并且所述顶面623的曲率中心较佳是位于紫外线发光二极管芯片4的发光路径上，借以使由围绕部62顶面623所发出的光线能够被聚集在所述墙体5之外，进而避免紫外线发光二极管芯片4在墙体5内产生多个亮点。
再者，因为所述围绕部62是连接所述附着部61的底部612周缘，所以所述紫外线发光二极管芯片4的环侧面42能够被所述围绕部62所完整覆盖，借以避免紫外线发光二极管芯片4产生漏光的事情。依上所述，本实施例的封装胶体6是排除上述附着部61与围绕部62彼此分离的方式。本实施例的紫外线发光二极管封装结构100相较于未有W字形的封装胶体6且仅由一透光盖板8附盖在紫外线发光单元U的结构，发光效率多了26％。再者，本实施例的紫外线发光二极管封装结构100在加热时，不会因为内部气体压力而使透光盖板8爆开而影响信赖性。
[实施例二]
如图15所示，其为本发明的实施例二，本实施例与实施例一大致相同，其差异在于紫外线发光单元U。其中，所述紫外线发光单元U仅包含一紫外线发光二极管芯片4。所述紫外线发光二极管芯片4也可以直接固定于所述电极层2。
[实施例三]
如图16所示，其为本发明的实施例三，本实施例与上述实施例一和二大致相同，其差异在于：本实施例的紫外线发光二极管封装结构100进一步包括有一透光盖板8，并且所述透光盖板8设置于上述墙体5的顶缘51，以封闭其内侧的容置空间S，也就是透光盖板8设置于紫外线发光单元U上，紫外线发光单元U可以包含一紫外线发光二极管芯片4或紫外线发光二极管芯片4与载座7。本实施例的紫外线发光二极管封装结构100同时采用W字形的封装胶体6以及透光盖板8，其与仅由一透光盖板8覆盖在紫外线发光单元U的结构，发光效率多了13％。再者，因为本实施例的紫外线发光二极管封装结构100采用了W字形的封装胶体6，所以容置空间S内的气体相对变少，进而可以降低透光盖板8爆开的风险，增加产品信赖性。
[本发明实施例的技术功效]
综上所述，本发明实施例所公开的紫外线发光二极管封装结构及其制造方法，能通过改变封装胶体的构造而提升紫外线发光二极管封装结构的性能(如：发光效率)。再者，所述紫外线发光二极管封装结构的制造方法能有效地避免基板组合在切割的过程中产生飞料等问题。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例，并非用来局限本发明的保护范围，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的权利要求书的保护范围。

Claims (11)

1.一种紫外线发光二极管封装结构，其特征在于，所述紫外线发光二极管封装结构包括：
一基板，具有位于相反两侧的一第一板面与一第二板面，并且所述基板定义有垂直所述第一板面的一高度方向；
一电极层，设置于所述基板的所述第一板面；
一紫外线发光单元，包含有一紫外线发光二极管芯片；其中，所述紫外线发光二极管芯片具有一顶面及相连于所述顶面周缘的一环侧面，所述紫外线发光单元位于所述基板的所述第一板面上并且电性连接于所述电极层；
一焊垫层，设置于所述基板的所述第二板面并且电性连接于所述电极层及所述紫外线发光二极管芯片；
一墙体，位于所述基板的所述第一板面上，所述墙体与所述第一板面形成一容置空间，所述紫外线发光二极管芯片位于所述容置空间；以及
一封装胶体，位于所述容置空间内，以使所述电极层与所述紫外线发光二极管芯片完全埋置于所述封装胶体内，并且所述封装胶体包含有：
一附着部，附着于所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面上，并且所述附着部的顶缘相对于所述第一板面的高度小于所述墙体相对于所述第一板面的高度；及
一围绕部，围绕所述紫外线发光单元的环侧面且一体延伸于所述附着部，并形成一内环部和一外环部，所述内环部连接所述附着部，所述外环部连接所述墙体的内侧壁，所述围绕部的顶面呈一环形沟槽，所述环形沟槽的顶面呈曲面状且曲率中心位于所述容置空间之外，所述环形沟槽的一底缘于所述高度方向上的位置是落在由所述紫外线发光二极管芯片的底缘朝其顶面方向的厚度的25％至90％之间；
其中所述附着部及所述围绕部可使所述紫外线发光二极管芯片所产生的光通过。
2.依据权利要求1所述的紫外线发光二极管封装结构，其特征在于，所述紫外线发光单元进一步包括有设置于所述电极层上的一载座，所述紫外线发光二极管芯片以倒装芯片的方式电性连接所述载座，并且所述发光二极管芯片通过所述载座和打线以电性连接于所述电极层。
3.依据权利要求1所述的紫外线发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装胶体的材质包含聚二甲基硅氧烷或氟素高分子。
4.依据权利要求1所述的紫外线发光二极管封装结构，其特征在于，所述封装胶体的顶缘具有呈W字形的一剖面。
5.依据权利要求1至4中任一项所述的紫外线发光二极管封装结构，其特征在于，所述紫外线发光二极管封装结构进一步包括有一透光盖板，并且所述透光盖板设置于所述墙体的顶缘，以封闭所述容置空间。
6.一种紫外线发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述紫外线发光二极管封装结构的制造方法包括：
提供一承载模块；其中，所述承载模块包含有：
一基板组合，包含有彼此相连成矩阵状的多个基板，并且每个所述基板具有位于相反两侧的一第一板面与一第二板面；
多个电极层，分别位于多个所述基板的所述第一板面；
多个墙体，分别位于多个所述基板的所述第一板面；
多个紫外线发光二极管芯片，分别位于多个所述基板的所述第一板面且分别位于多个所述墙体内；及
多个焊垫层，分别位于多个所述基板的所述第二板面；
其中，每个所述基板所承载的所述电极层、所述紫外线发光二极管芯片及所述焊垫层彼此电性连接；以及
以一点胶机向每个所述墙体内逐个实施一点胶作业；其中，于每个所述点胶作业中，所述点胶机朝向所述紫外线发光二极管芯片的一顶面输出一封装胶体，以使所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面形成所述封装胶体的一附着部，所述封装胶体沿着所述紫外线发光二极管芯片周围流入所述墙体内，以形成所述封装胶体的一围绕部，且所述围绕部围绕所述紫外线发光二极管芯片的环侧面，所述电极层与所述紫外线发光二极管芯片埋置于所述封装胶体内，所述围绕部的顶面呈一环形沟槽，所述环形沟槽的一底缘于垂直所述第一板面的一高度方向上的位置是落在由所述紫外线发光二极管芯片的底缘朝其顶面方向的厚度的25％至90％之间；其中所述附着部及所述围绕部可使所述紫外线发光二极管芯片所产生的光通过；其中所述墙体与所述第一板面形成一容置空间，所述围绕部的所述顶面呈曲面状，并且所述围绕部的所述顶面的曲率中心位于所述容置空间之外。
7.依据权利要求6所述的紫外线发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在每个所述墙体内形成有相对应的所述封装胶体后，所述紫外线发光二极管封装结构的制造方法进一步包括：
将多个所述墙体的顶缘贴附于一离型膜上，并将所述离型膜贴附于一第一胶带上；
朝向多个所述基板的所述第二板面并沿一第一方向进行切割，以使所述基板组合形成为间隔设置的多列所述基板；
朝向多列所述基板的所述第二板面贴附一第二胶带；
朝向所述第二胶带并沿垂直所述第一方向的一第二方向切割所述第二胶带与多列所述基板，以使多列所述基板形成为呈矩阵状间隔排列的多个所述基板；
移除所述第一胶带、所述第二胶带及所述离型膜，以形成有多个紫外线发光二极管封装结构。
8.依据权利要求7所述的紫外线发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，先移除所述第一胶带与所述第二胶带，而后移除所述离型膜。
9.依据权利要求8所述的紫外线发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在所述离型膜的移除过程中，包含加热所述离型膜、对所述离型膜照射紫外光或将所述离型膜接触有机溶液，以降低所述离型膜与每个所述墙体之间的黏着性。
10.依据权利要求8所述的紫外线发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在所述第一胶带与所述第二胶带被移除之后，朝向多个所述基板的所述第二板面贴附一第三胶带，而后移除所述离型膜。
11.依据权利要求7至10中任一项所述的紫外线发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在每个所述点胶作业中，所述点胶机会在所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面上方0.2毫米的位置开始输出所述封装胶体，而后逐渐朝远离所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面的方向移动，直到所述点胶机位在所述紫外线发光二极管芯片的所述顶面上方0.5毫米的位置。
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