TWI751274B - 紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法 - Google Patents

紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI751274B
TWI751274B TW107102943A TW107102943A TWI751274B TW I751274 B TWI751274 B TW I751274B TW 107102943 A TW107102943 A TW 107102943A TW 107102943 A TW107102943 A TW 107102943A TW I751274 B TWI751274 B TW I751274B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light emitting
ultraviolet light
emitting diode
substrate
substrates
Prior art date
Application number
TW107102943A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201906197A (zh
Inventor
鄭偉德
邱國銘
周孟松
梁凱傑
Original Assignee
大陸商光寶光電（常州）有限公司
光寶科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=64657653&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI751274(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 大陸商光寶光電（常州）有限公司, 光寶科技股份有限公司 filed Critical 大陸商光寶光電（常州）有限公司
Publication of TW201906197A publication Critical patent/TW201906197A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI751274B publication Critical patent/TWI751274B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種紫外線發光二極體封裝結構，包含基板、彼此電性連接且分別設置於基板相反兩個板面的電極層與焊墊層、設置於基板上方且電性連接於電極層的紫外線發光二極體晶片、設置於基板上且圍繞紫外線發光二極體晶片的牆體、及位於牆體內且埋置紫外線發光二極體晶片的封裝膠體。封裝膠體包含有設置於紫外線發光二極體晶片頂面的附著部及圍繞附著部的圍繞部。圍繞部的頂面形成環形溝槽，並且環形溝槽的底緣於一高度方向上的位置是落在紫外線發光二極體晶片的厚度的25%至90%之間。此外，本發明另提供一種紫外線發光二極體封裝結構的製造方法。

Description

紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法
本發明涉及一種發光二極體封裝結構，尤其涉及一種紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法。
現有的紫外線發光二極體封裝結構大都是封裝膠體填滿牆體內側的空間。然而，現有紫外線發光二極體封裝結構已侷限於上述封裝膠體構造，而難以有進一步地改良。
於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。
本發明實施例在於提供一種紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法，能有效地改善現有紫外線發光二極體封裝結構所可能產生的缺陷。
本發明實施例公開一種紫外線發光二極體封裝結構，包括：一基板，具有位於相反兩側的一第一板面與一第二板面，並且所述基板定義有垂直所述第一板面的一高度方向；一電極層，設置於所述基板的所述第一板面；一紫外線發光單元，包含一紫外線發光二極體晶片；其中，所述紫外線發光二極體晶片具有一頂面及相連於所述頂面周緣的一環側面，所述紫外線發光單元位於所 述基板的所述第一板面上並且電性連接於所述電極層；一焊墊層，設置於所述基板的所述第二板面並且電性連接於所述電極層及所述紫外線發光二極體晶片；一牆體，位於所述基板的所述第一板面上，所述牆體與所述第一板面形成一容置空間，所述紫外線發光二極體晶片位於所述容置空間；以及一封裝膠體，位於所述容置空間內，以使所述電極層與所述紫外線發光二極體晶片完全埋置於所述封裝膠體內，並且所述封裝膠體包含有：一附著部，附著於所述紫外線發光二極體晶片的所述頂面上，並且所述附著部的頂緣相對於所述第一板面的高度小於所述牆體相對於所述第一板面的高度；及一圍繞部，圍繞所述附著部，並形成一內環部和一外環部，所述內環部連接所述附著部，所述外環部連接所述牆體的內側壁，所述圍繞部的頂面大致呈一環形溝槽，所述環形溝槽的一底緣於所述高度方向上的位置是落在所述紫外線發光二極體晶片的厚度的25%至90%之間。
本發明實施例也公開一種紫外線發光二極體封裝結構的製造方法，包括：提供一承載模組；其中，所述承載模組包含有：一基板組合，包含有彼此相連成矩陣狀的多個基板，並且每個所述基板具有位於相反兩側的一第一板面與一第二板面；多個電極層，分別位於多個所述基板的所述第一板面；多個牆體，分別位於多個所述基板的所述第一板面；多個紫外線發光二極體晶片，分別位於多個所述基板的所述第一板面且分別位於多個所述牆體內；及多個焊墊層，分別位於多個所述基板的所述第二板面；其中，每個所述基板所承載的所述電極層、所述紫外線發光二極體晶片、及所述焊墊層彼此電性連接；以及以一點膠器向每個所述牆體內逐個實施一點膠作業；其中，於每個所述點膠作業中，所述點膠器朝向所述紫外線發光二極體晶片的一頂面輸出一封裝膠體，以使所述紫外線發光二極體晶片的所述頂面形成所述封裝膠體的一附著部，所述封裝膠體沿著所述紫外線發光二極體晶片周圍流入所述牆體內，以形成所述封裝膠體的一圍繞部，所述電極層與所述紫外線發光二極體晶片埋置於所述封裝膠體內，所述圍繞部的頂面大致呈一環形溝槽，所述環形溝槽的一底緣於所述高度方向上的位置是落在所述紫外線發光二極體晶片的厚度的25%至90%之間。
綜上所述，本發明實施例所公開的紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法，能通過改變封裝膠體的構造而提升紫外線發光二極體封裝結構的性能(如：發光效率)。再者，所述紫外線發光二極體封裝結構的製造方法能有效地避免基板組合在切割的過程中產生飛料等問題。
為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。
100‧‧‧紫外線發光二極體封裝結構
10‧‧‧基板組合
1‧‧‧基板
11‧‧‧第一板面
12‧‧‧第二板面
13‧‧‧導電柱
2‧‧‧電極層
3‧‧‧焊墊層
4‧‧‧紫外線發光二極體晶片
41‧‧‧頂面
42‧‧‧環側面
5‧‧‧牆體
51‧‧‧頂緣
6‧‧‧封裝膠體
61‧‧‧附著部
611‧‧‧頂緣
612‧‧‧底部
62‧‧‧圍繞部
621‧‧‧內環部
622‧‧‧外環部
6221‧‧‧頂緣
623‧‧‧頂面
6231‧‧‧底緣
7‧‧‧載座
8‧‧‧透光蓋板
U‧‧‧紫外線發光單元
S‧‧‧容置空間
M‧‧‧承載模組
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
H‧‧‧高度方向
H1、H2‧‧‧高度
T‧‧‧厚度
T1‧‧‧第一膠帶
T2‧‧‧第二膠帶
T3‧‧‧第三膠帶
R‧‧‧離型膜
B‧‧‧刀具
G‧‧‧點膠器
圖1為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S110示意圖。
圖2為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S120示意圖(一)。
圖3為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S120示意圖(二)。
圖4為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S120示意圖(三)。
圖5為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S130示意圖。
圖6為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法沿圖5的剖線VI-VI的步驟S130與步驟S140示意圖。
圖7為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法 的步驟S140示意圖。
圖8為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S150示意圖。
圖9為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法沿圖8的剖線IX-IX的步驟S150與步驟S160示意圖。
圖10為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S160示意圖。
圖11為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S170示意圖(一)。
圖12為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S170示意圖(二)。
圖13為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法的步驟S170示意圖(三)。
圖14為本發明實施例一的紫外線發光二極體封裝結構的示意圖。
圖15為本發明實施例二的紫外線發光二極體封裝結構的示意圖。
圖16為本發明實施例三的紫外線發光二極體封裝結構的示意圖。
請參閱圖1至圖16，為本發明的實施例，需先說明的是，本實施例對應附圖所提及的相關數量與外型，僅用來具體地說明本發明的實施方式，以便於了解本發明的內容，而非用來侷限本發明的保護範圍。
[實施例一]
如圖1至圖14所示，其為本發明的實施例一，本實施例公開一種紫外線發光二極體封裝結構100及其製造方法。為便於理解本實施例的紫外線發光二極體封裝結構100，以下先說明紫外線發光二極體封裝結構100的製造方法，而後再進一步介紹紫外線發光二極體封裝結構100的各個元件構造與連接關係。
如圖1至圖13所示，所述紫外線發光二極體封裝結構的製造方法，包括步驟S110至步驟S170，但於實際應用時，上述步驟S110至步驟S170的其中一個步驟能夠視設計者的需求而省略或是以合理之變化態樣取代。
步驟S110，如圖1所示，提供一承載模組M。其中，所述承載模組M包含有一基板組合10、多個電極層2、多個焊墊層3、多個紫外線發光二極體晶片4、及多個牆體5。更詳細地說，所述基板組合10包含有沿相互垂直的一第一方向D1與一第二方向D2而彼此相連成矩陣狀的多個基板1(如圖5)。再者，每個基板1具有位於相反兩側的一第一板面11與一第二板面12，並且上述第一板面11與第二板面12各大致平行於第一方向D1與第二方向D2(如圖5)。
所述多個電極層2分別位於多個基板1的第一板面11，並且多個牆體5也分別位於多個基板1的第一板面11。所述多個紫外線發光二極體晶片4分別位於多個基板1的第一板面11且分別位於多個牆體5內。所述多個焊墊層3分別位於多個基板1的第二板面12。
其中，每個基板1所承載的電極層2、紫外線發光二極體晶片4、及焊墊層3彼此電性連接。更詳細地說，所述每個基板1內埋置有多個導電柱13，並且上述每個導電柱13的一端裸露於基板1的第一板面11並連接於電極層2，而每個導電柱13的另一端裸露於上述基板1的第二板面12並連接於焊墊層3，藉以使所述電極層2與上述焊墊層3能通過相對應的導電柱13而達成彼此電性連接。
再者，所述紫外線發光二極體晶片4與電極層2之間的電性連接方式，本發明在此不加以限制。舉例來說，如圖1所示，所 述紫外線發光二極體晶片4能以覆晶方式固定在設置於電極層2上的一載座7(submout)，並且所述發光二極體晶片4通過載座7和打線以電性連接於電極層2；或者，如圖15所示，所述紫外線發光二極體晶片4也可以直接固定於所述電極層2。
步驟S120，如圖2至圖4所示，以一點膠器G向每個牆體5內逐個實施一點膠作業。如圖2所示，於上述每個點膠作業中，所述點膠器G朝向紫外線發光二極體晶片4的一頂面41輸出一封裝膠體6，以使所述紫外線發光二極體晶片4的頂面41形成所述封裝膠體6的一附著部61。如圖3所示，所述封裝膠體6沿著紫外線發光二極體晶片4周圍流入牆體5內，以形成所述封裝膠體6的一圍繞部62。如圖4所示，所述電極層2與紫外線發光二極體晶片4埋置於所述封裝膠體6內。其中，所述圍繞部62的頂面623大致呈一環形溝槽，所述環形溝槽的一底緣6231於垂直所述第一板面11的一高度方向H上的位置是落在上述紫外線發光二極體晶片4的厚度T的25%至90%之間，但本發明不受限於此。
需說明的是，所述紫外線發光二極體晶片4的厚度T於本實施例中是由紫外線發光二極體晶片4底緣起算，也就是說，紫外線發光二極體晶片4的底緣所對應的厚度T為0%，而紫外線發光二極體晶片4頂面41所對應的厚度T為100%。
更詳細地說，如圖2所示，在點膠作業中，所述點膠器G會在紫外線發光二極體晶片4的頂面41上方大致0.2毫米的位置開始輸出所述封裝膠體6，而後如圖3，點膠器G逐漸朝遠離所述頂面41的方向移動(如：沿著高度方向H向上移動)，如圖4，直到所述點膠器G位在所述頂面41上方大致0.5毫米的位置並停止供膠，停止供膠的時間大約0.3秒，但本發明不以此為限。
步驟S130，如圖6所示，將多個牆體5的頂緣51貼附於一離 型膜R上，並將所述離型膜R貼附於一第一膠帶T1上。其中，所述離型膜R與第一膠帶T1於本實施例中各可以是一熱解膜(熱解膠帶)、一耐熱膜(耐熱膠帶)、及一紫外光膜(紫外光膠帶)的其中之一，但本發明不受限於此。
步驟S140，以一刀具B朝向所述多個基板1的第二板面12並沿第一方向D1進行切割(如圖5和圖6)，以使上述基板組合10形成為間隔設置的多列所述基板1(如圖7)。也就是說，上述多個基板1沿第一方向D1相連成上述多列基板1，並且所述多列基板1在第二方向D2上彼此分離。
步驟S150，如圖8所示，朝向多列所述基板1的第二板面12貼附一第二膠帶T2(如：第二膠帶T2貼附於焊墊層3上)。其中，所述第二膠帶T2於本實施例中各可以是一熱解膠帶、一耐熱膠帶、及一紫外光膠帶的其中之一，但本發明不受限於此。也就是說，所述多列基板1能通過黏貼在第二膠帶T2而有效地維持彼此的相對位置。
步驟S160，如圖9和圖10所示，以所述刀具B朝向所述第二膠帶T2並沿第二方向D2切割所述第二膠帶T2與多列所述基板1，以使多列所述基板1形成為呈矩陣狀間隔排列的多個基板1。需說明的是，在步驟S140與步驟S160中，所述多個基板1能夠被旋轉90度，以利於所述刀具B在步驟S140中沿著上述第一方向D1進行切割、並且在步驟S160中沿著上述第二方向D2進行切割，但本發明不以此為限。舉例來說，在實施步驟S160時，也可以是所述刀具B先被旋轉90度，以使上述刀具B能夠沿著上述第二方向D2進行切割。
步驟S170，如圖11至圖13所示，移除所述第一膠帶T1、第二膠帶T2、及離型膜R，以形成有多個紫外線發光二極體封裝結構100。本步驟S170較佳是先移除所述第一膠帶T1與第二膠帶T2，而後移除離型膜R。進一步地說，如圖11所示，本步驟S170在所述第一膠帶T1與第二膠帶T2被移除之後，如圖12所示，朝向多個基板1的第二板面12進一步貼附一第三膠帶T3(如：第三膠帶T3貼附於焊墊層3上)，而後如圖13所示，再移除所述離型膜R，以形成有多個紫外線發光二極體封裝結構100。
再者，在上述第一膠帶T1、第二膠帶T2、及離型膜R的移除過程中，可依據第一膠帶T1、第二膠帶T2、及離型膜R的類型而先進行移除前的處理，藉以降低第一膠帶T1、第二膠帶T2、及離型膜R的黏著性。舉例來說，上述離型膜R的移除前處理包含加熱所述離型膜R(如：加熱至120℃)、對所述離型膜R照射紫外光、或將所述離型膜R接觸有機溶液，以降低所述離型膜R與每個牆體5之間的黏著性。
以上為本實施例紫外線發光二極體封裝結構100的製造方法說明，以下接著介紹通過上述紫外線發光二極體封裝結構100的製造方法所製成的一種紫外線發光二極體封裝結構100，但本發明不受限於此。也就是說，本實施例的紫外線發光二極體封裝結構100也可以是通過其他製造方法所製成。
如圖14所示，所述紫外線發光二極體封裝結構100包含一基板1、一電極層2、一焊墊層3、一紫外線發光單元U、一牆體5、及一封裝膠體6。其中，所述電極層2與焊墊層3彼此電性連接並且分別設置於基板1的相反兩個板面，所述紫外線發光單元U位於基板1上並且電性連接於所述電極層2，所述牆體5位於基板1上並包圍在紫外線發光單元U的外側，所述封裝膠體6設置於牆 體5內並使紫外線發光單元U埋置於其內。下述進一步介紹所述紫外線發光二極體封裝結構100的各個元件構造及連接關係。
所述基板1於本實施例中為一陶瓷基板，但本發明不受限於此。其中，所述基板1具有位於相反兩側的一第一板面11與一第二板面12，並且上述基板1定義有垂直第一板面11的一高度方向H。所述基板1內埋置有多個導電柱13，並且上述每個導電柱13的一端裸露於基板1的第一板面11，而每個導電柱13的另一端裸露於上述基板1的第二板面12。
所述電極層2設置於上述基板1的第一板面11，並且所述焊墊層3設置於上述基板1的第二板面12。其中，裸露於基板1第一板面11的每個導電柱13一端連接於電極層2，而裸露於基板1第二板面12的每個導電柱13另一端連接於焊墊層3，藉以使所述電極層2與焊墊層3能通過上述多個導電柱13而達成彼此電性連接。
所述紫外線發光單元U於本實施例中包含一紫外線發光二極體晶片4和一載座7，所述紫外線發光二極體晶片4設置於所述載座7上，並能發出的紫外線波長範圍介於260奈米至270奈米、270奈米至290奈米、305奈米至315奈米、或320奈米至330奈米，但本發明不受限於此。其中，所述紫外線發光二極體晶片4具有一頂面41及相連於上述頂面41周緣的一環側面42。
再者，所述紫外線發光二極體晶片4位於上述基板1的第一板面11上方並且電性連接於電極層2與焊墊層3。其中，所述紫外線發光二極體晶片4與電極層2之間的電性連接方式，本發明在此不加以限制。舉例來說，如圖14所示，所述紫外線發光二極體晶片4能以覆晶方式固定在設置於電極層2上的一載座7，並且 所述發光二極體晶片4通過載座7和打線以電性連接於電極層2，而所述載座7可以是通過正向打線(Normal Bonding)或是反向打線(Reverse Bonding)電性連接於所述電極層2。
所述牆體5於本實施例中可以是形成在所述基板1上的一鋁牆體或一高分子牆體，或者，所述基板1及牆體5也可以是通過高溫共燒陶瓷(High Temperature Co-Fired Ceramic，HTCC)製程或是低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramic，LTCC)製程所一體成形的單件式構造，但本發明不受限於此。
其中，所述牆體5位於上述基板1的第一板面11上，所述牆體5與基板1的第一板面11包圍形成一容置空間S，並且所述紫外線發光二極體晶片4位於所述容置空間S內。也就是說，所述牆體5大致呈環狀，並且牆體5的頂緣51高於上述紫外線發光二極體晶片4的頂面41。
所述封裝膠體6的材質於本實施例中包含有聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)或氟素高分子(Fluoropolymer)，但本發明不受限於此。其中，所述封裝膠體6位於上述容置空間S內，以使所述電極層2與紫外線發光二極體晶片4完全埋置於所述封裝膠體6內。並且所述封裝膠體6的頂緣於本實施例中具有大致呈W字形的一剖面(如：圖14)，但本發明的封裝膠體6構造不受限於此。
更詳細地說，所述封裝膠體6包含有附著於所述紫外線發光二極體晶片4頂面41上的一附著部61以及圍繞於上述附著部61的一圍繞部62。其中，上述紫外線發光二極體晶片4的頂面41完全被上述附著部61所覆蓋。所述附著部61大致呈錐狀且其外表面大致呈曲面狀，而垂直於高度方向H的附著部61截面面積是自附著部61的頂緣朝向紫外線發光二極體晶片4頂面41的方向逐漸地增加。所述附著部61的頂緣相對於所述基板1第一板面11 的高度H1小於所述牆體5相對於所述基板1第一板面11的高度H2。
再者，所述圍繞部62並形成一內環部621、一外環部622、及相連於上述內環部621頂緣與外環部622頂緣的一頂面623。其中，所述內環部621連接所述附著部61的底部周緣及紫外線發光二極體晶片4的環側面42，而所述外環部622連接上述牆體5的內側壁，並且所述圍繞部62的頂面623大致呈一環形溝槽。也就是說，所述圍繞部62頂面623相對於基板1第一板面11的高度，由鄰近內環部621與外環部622朝向逐漸地縮小。此外，附著部61的頂緣611應矮於牆體5的頂緣51，避免貼透光蓋板8時壓到附著部61。
進一步地說，所述環形溝槽的一底緣6231於所述高度方向H上的位置是落在所述紫外線發光二極體晶片4的厚度的25%至90%之間。換個角度來說，在平行於高度方向H且通過紫外線發光二極體晶片4的封裝膠體6剖面中，所述剖面的頂緣大致呈W字形，並且上述W字形是由所述附著部61的外表面及上述圍繞部62的頂面623所構成。
另，由於所述圍繞部62是連接所述附著部61的底部612周緣，以使所述圍繞部62頂面623所呈現的曲面狀能夠被設計者依需求而加以調整其曲率。在本實施例中，所述附著部61的頂緣611與圍繞部62的外環部622頂緣6221相對於基板1能夠大致位於相同的高度，以使所述圍繞部62頂面623較佳是形成較大的曲率半徑，但本發明不受限於此。進一步地說，所述頂面623的曲率中心位於上述容置空間S之外，並且所述頂面623的曲率中心較佳是位於紫外線發光二極體晶片4的發光路徑上，藉以使由圍繞部62頂面623所發出的光線能夠被聚集在所述牆體5之外，進而避免紫外線發光二極體晶片4在牆體5內產生多個亮點。
再者，因為所述圍繞部62是連接所述附著部61的底部612 周緣，所以所述紫外線發光二極體晶片4的環側面42能夠被所述圍繞部62所完整覆蓋，藉以避免紫外線發光二極體晶片4產生漏光之情事。依上所述，本實施例的封裝膠體6是排除上述附著部61與圍繞部62彼此分離的態樣。本實施例的紫外線發光二極體封裝結構100相較於未有W字形的封裝膠體6且僅由一透光蓋板8附蓋在紫外線發光單元U的結構，發光效率多了26%。再者，本實施例的紫外線發光二極體封裝結構100在加熱時，不會因為內部氣體壓力而使透光蓋板8爆開而影響信賴性。
[實施例二]
如圖15所示，其為本發明的實施例二，本實施例與實施例一大致相同，其差異在於紫外線發光單元U。其中，所述紫外線發光單元U僅包含一紫外線發光二極體晶片4。所述紫外線發光二極體晶片4也可以直接固定於所述電極層2。
[實施例三]
如圖16所示，其為本發明的實施例三，本實施例與上述實施例一和二大致相同，其差異在於：本實施例的紫外線發光二極體封裝結構100進一步包括有一透光蓋板8，並且所述透光蓋板8設置於上述牆體5的頂緣51，以封閉其內側的容置空間S，即透光蓋板8設置於紫外線發光單元U上，紫外線發光單元U可以包含一紫外線發光二極體晶片4、或紫外線發光二極體晶片4與載座7。本實施例的紫外線發光二極體封裝結構100同時採用W字形的封裝膠體6以及透光蓋板8，其與僅由一透光蓋板8覆蓋在紫外線發光單元U的結構，發光效率多了13%。再者，因為本實施例的紫外線發光二極體封裝結構100採用了W字形的封裝膠體6，所以容置空間S內的氣體相對變少，進而可以降低透光蓋板8爆開的風險，增加產品信賴性。
[本發明實施例的技術功效]
綜上所述，本發明實施例所公開的紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法，能通過改變封裝膠體的構造而提升紫外線發光二極體封裝結構的性能(如：發光效率)。再者，所述紫外線發光二極體封裝結構的製造方法能有效地避免基板組合在切割的過程中產生飛料等問題。
以上所述僅為本發明的優選可行實施例，並非用來侷限本發明的保護範圍，凡依本發明申請專利範圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的權利要求書的保護範圍。
100‧‧‧紫外線發光二極體封裝結構
1‧‧‧基板
11‧‧‧第一板面
12‧‧‧第二板面
13‧‧‧導電柱
2‧‧‧電極層
3‧‧‧焊墊層
4‧‧‧紫外線發光二極體晶片
41‧‧‧頂面
42‧‧‧環側面
5‧‧‧牆體
51‧‧‧頂緣
6‧‧‧封裝膠體
61‧‧‧附著部
611‧‧‧頂緣
612‧‧‧底部
62‧‧‧圍繞部
621‧‧‧內環部
622‧‧‧外環部
6221‧‧‧頂緣
623‧‧‧頂面
6231‧‧‧底緣
7‧‧‧載座
U‧‧‧紫外線發光單元
S‧‧‧容置空間
T‧‧‧厚度
H‧‧‧高度方向
H1、H2‧‧‧高度

Claims (11)

  1. 一種紫外線發光二極體封裝結構，包括：一基板，具有位於相反兩側的一第一板面與一第二板面，並且所述基板定義有垂直所述第一板面的一高度方向；一電極層，設置於所述基板的所述第一板面；一紫外線發光單元，包含有一紫外線發光二極體晶片；其中，所述紫外線發光二極體晶片具有一頂面及相連於所述頂面周緣的一環側面，所述紫外線發光單元位於所述基板的所述第一板面上並且電性連接於所述電極層；－焊墊層，設置於所述基板的所述第二板面並且電性連接於所述電極層及所述紫外線發光二極體晶片；一牆體，位於所述基板的所述第一板面上，所述牆體與所述第一板面形成一容置空間，所述紫外線發光二極體晶片位於所述容置空間；以及一封裝膠體，位於所述容置空間內，以使所述電極層與所述紫外線發光二極體晶片埋置於所述封裝膠體內，並且所述封裝膠體包含有：一附著部，附著於所述紫外線發光二極體晶片的所述頂面上，並且所述附著部的頂緣相對於所述第一板面的高度小於所述牆體相對於所述第一板面的高度；及一圍繞部，圍繞所述紫外線發光單元的環側面且一體延伸於所述附著部，使所述紫外線發光單元所產生的側向光被所述圍繞部向上導引；所述圍繞部形成一內環部和一外環部，所述內環部連接所述附著部，所述外環部連接所述牆體的內側壁，所述圍繞部的頂面大致呈一環形溝槽，所述環形溝槽的頂面呈曲面狀且曲率中心位於所述容置空間外，所述環形溝槽的一底緣於所述高度方向上的位置是落在所述紫外線發光二極體晶片的厚度的25%至90%之 間；其中，所述附著部及所述圍繞部可使所述紫外線發光二極體晶片所產生的光通過。
  2. 如請求項1所述的紫外線發光二極體封裝結構，其中，所述紫外線發光單元進一步包括有設置於所述電極層上的一載座(submout)，所述紫外線發光二極體晶片以覆晶方式電性連接所述載座，並且所述發光二極體晶片通過所述載座和打線以電性連接於所述電極層。
  3. 如請求項1所述的紫外線發光二極體封裝結構，其中，所述封裝膠體的材質包含聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)或氟素高分子(Fluoropolymer)。
  4. 如請求項1所述的紫外線發光二極體封裝結構，其中，所述封裝膠體的頂緣具有大致呈W字形的一剖面。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的紫外線發光二極體封裝結構，其進一步包括有一透光蓋板，並且所述透光蓋板設置於所述牆體的頂緣，以封閉所述容置空間。
  6. 一種紫外線發光二極體封裝結構的製造方法，包括：提供一承載模組；其中，所述承載模組包含有：一基板組合，包含有彼此相連成矩陣狀的多個基板，並且每個所述基板具有位於相反兩側的一第一板面與一第二板面；多個電極層，分別位於多個所述基板的所述第一板面；多個牆體，分別位於多個所述基板的所述第一板面；多個紫外線發光二極體晶片，分別位於多個所述基板的所述第一板面且分別位於多個所述牆體內；及多個焊墊層，分別位於多個所述基板的所述第二板面；其中，每個所述基板所承載的所述電極層、所述紫外線發光二極體晶片、及所述焊墊層彼此電性連接；以及 以一點膠器向每個所述牆體內逐個實施一點膠作業；其中，於每個所述點膠作業中，所述點膠器朝向所述紫外線發光二極體晶片的一頂面輸出一封裝膠體，以使所述紫外線發光二極體晶片的所述頂面形成所述封裝膠體的一附著部，所述封裝膠體沿著所述紫外線發光二極體晶片周圍流入所述牆體內，以形成所述封裝膠體的一圍繞部，所述電極層與所述紫外線發光二極體晶片埋置於所述封裝膠體內，所述圍繞部的頂面大致呈一環形溝槽，所述環形溝槽的一底緣於垂直所述第一板面的一高度方向上的位置是落在所述紫外線發光二極體晶片的厚度的25%至90%之間。
  7. 如請求項6所述的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法，其中，在每個所述牆體內形成有相對應的所述封裝膠體後，所述紫外線發光二極體封裝結構的製造方法進一步包括：將多個所述牆體的頂緣貼附於一離型膜上，並將所述離型膜貼附於一第一膠帶上；朝向多個所述基板的所述第二板面並沿一第一方向進行切割，以使所述基板組合形成為間隔設置的多列所述基板；朝向多列所述基板的所述第二板面貼附一第二膠帶；朝向所述第二膠帶並沿垂直所述第一方向的一第二方向切割所述第二膠帶與多列所述基板，以使多列所述基板形成為呈矩陣狀間隔排列的多個所述基板；移除所述第一膠帶、所述第二膠帶、及所述離型膜，以形成有多個紫外線發光二極體封裝結構。
  8. 如請求項7所述的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法，其中，先移除所述第一膠帶與所述第二膠帶，而後移除所述離型膜。
  9. 如請求項8所述的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法，其中，在所述離型膜的移除過程中，包含加熱所述離型膜、對所 述離型膜照射紫外光、或將所述離型膜接觸有機溶液，以降低所述離型膜與每個所述牆體之間的黏著性。
  10. 如請求項8所述的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法，其中，在所述第一膠帶與所述第二膠帶被移除之後，朝向多個所述基板的所述第二板面貼附一第三膠帶，而後移除所述離型膜。
  11. 如請求項7至10中任一項所述的紫外線發光二極體封裝結構的製造方法，其中，在每個所述點膠作業中，所述點膠器會在所述紫外線發光二極體晶片的所述頂面上方大致0.2毫米的位置開始輸出所述封裝膠體，而後逐漸朝遠離所述紫外線發光二極體晶片的所述頂面的方向移動，直到所述點膠器位在所述紫外線發光二極體晶片的所述頂面上方大致0.5毫米的位置。
TW107102943A 2017-06-14 2018-01-26 紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法 TWI751274B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762519218P 2017-06-14 2017-06-14
US62,519218 2017-06-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201906197A TW201906197A (zh) 2019-02-01
TWI751274B true TWI751274B (zh) 2022-01-01

Family

ID=64657653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107102943A TWI751274B (zh) 2017-06-14 2018-01-26 紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10916685B2 (zh)
CN (1) CN109087982B (zh)
TW (1) TWI751274B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11522108B2 (en) * 2017-06-14 2022-12-06 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Package structure
TWI779188B (zh) * 2019-05-02 2022-10-01 光感動股份有限公司 發光元件封裝結構及其製作方法
CN113471185A (zh) * 2020-03-31 2021-10-01 光宝光电(常州)有限公司 封装结构
TWI753431B (zh) * 2020-05-19 2022-01-21 光感動股份有限公司 封裝組件
CN113782522A (zh) * 2020-06-09 2021-12-10 佛山市国星光电股份有限公司 一种显示模组及其制造方法
JP7231846B2 (ja) * 2020-11-30 2023-03-02 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TWI744139B (zh) * 2020-12-16 2021-10-21 隆達電子股份有限公司 二極體封裝結構及其製造方法
CN114843253A (zh) * 2021-02-02 2022-08-02 光宝科技股份有限公司 发光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090278147A1 (en) * 2006-01-16 2009-11-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
US20120217531A1 (en) * 2011-02-28 2012-08-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting apparatus, and method for manufacturing semiconductor light emitting device
US20140071689A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-13 Yeo Chan Yoon Light emitting device and lighting system having the same
US20150287894A1 (en) * 2014-04-07 2015-10-08 Masato Toita Ultraviolet light-emitting devices and methods

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101019765B1 (ko) * 2006-01-04 2011-03-04 로무 가부시키가이샤 박형 발광 다이오드 램프와 그 제조 방법
JP5311281B2 (ja) * 2008-02-18 2013-10-09 日本電気硝子株式会社 波長変換部材およびその製造方法
CN101567413A (zh) * 2009-05-28 2009-10-28 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管
EP2460783A4 (en) * 2009-07-31 2013-02-20 Kyocera Corp CERAMIC SUBSTRATE FOR FIXING A LIGHT ELEMENT
DE102010038396B4 (de) * 2010-07-26 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Leuchtvorrichung damit
JP5730680B2 (ja) * 2011-06-17 2015-06-10 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置とその製造方法
JP2013026244A (ja) * 2011-07-15 2013-02-04 Panasonic Corp Ｌｅｄ光源
CN103378257A (zh) * 2012-04-16 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
CN104701438B (zh) * 2015-03-18 2017-11-03 青岛杰生电气有限公司 深紫外光源及其封装方法
JP6372664B2 (ja) * 2015-03-20 2018-08-15 豊田合成株式会社 発光装置およびその製造方法
TWI572064B (zh) 2016-03-14 2017-02-21 光寶光電（常州）有限公司 發光二極體封裝結構

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090278147A1 (en) * 2006-01-16 2009-11-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device
US20120217531A1 (en) * 2011-02-28 2012-08-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device, semiconductor light emitting apparatus, and method for manufacturing semiconductor light emitting device
US20140071689A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-13 Yeo Chan Yoon Light emitting device and lighting system having the same
US20150287894A1 (en) * 2014-04-07 2015-10-08 Masato Toita Ultraviolet light-emitting devices and methods

Also Published As

Publication number Publication date
TW201906197A (zh) 2019-02-01
US10916685B2 (en) 2021-02-09
CN109087982B (zh) 2021-04-30
US20180366623A1 (en) 2018-12-20
CN109087982A (zh) 2018-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI751274B (zh) 紫外線發光二極體封裝結構及其製造方法
JP5277085B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
TWI630731B (zh) 白光發光二極體元件
EP2954566B1 (en) Led module with hermetic seal of wavelength conversion material
TWI648880B (zh) 形成發光裝置之方法
KR101959035B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
TWI599077B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
JP2016146480A (ja) Ｌｅｄパッケージング構造及びその製造方法
US20120286308A1 (en) Led package structure and method of fabricating the same
CN108615805B (zh) 一种芯片级封装白光芯片及其封装方法
TWI479699B (zh) 發光二極體封裝結構之製造方法
KR20130101467A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
TWI406435B (zh) 發光二極體製造方法
TWI538256B (zh) 發光二極體的製造方法
KR101460742B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
TWI630732B (zh) 螢光粉片供應模組、發光二極體封裝結構及其製造方法
TW202008620A (zh) 發光結構及其製造方法
TWI806751B (zh) 半導體密封封裝結構及其製作方法
KR101465708B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법
US20220293831A1 (en) Semiconductor device
TWM520195U (zh) 獨立反射杯之基板
TW200952211A (en) Method for manufacturing light emitting diode
KR101494440B1 (ko) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 및 이를 이용하는 반도체 소자 구조물
TW202410493A (zh) 半導體密封封裝結構及其製作方法
TWI412117B (zh) 發光二極體製造方法