KR20130069247A - 발광 장치 및 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광 장치는, 광을 발생시키는 발광부; 상기 발광 칩을 수용하는 몸체부; 상기 발광부로부터 출사되는 광이 입사되는 광 변환 부재; 및 상기 몸체부에 연결되고, 상기 광 변환 부재를 고정시키는 고정부를 포함한다.
실시예에 따른 표시 장치는, 광원; 상기 광원의 출사면에 배치되는 광 변환 부재; 상기 광원에 연결되는 구동 기판; 상기 광원 또는 상기 구동 기판에 연결되고, 상기 광 변환 부재를 상기 광원의 출사면에 고정시키는 고정 부재를 포함한다.
실시예에 따른 표시 장치는, 광원; 상기 광원의 출사면에 배치되는 광 변환 부재; 상기 광원에 연결되는 구동 기판; 상기 광원 또는 상기 구동 기판에 연결되고, 상기 광 변환 부재를 상기 광원의 출사면에 고정시키는 고정 부재를 포함한다.
Description
실시예는 발광 장치 및 표시 장치에 관한 것이다.
표시장치들 중에는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 하는 장치가 있다. 백라이트 유닛은 액정 등을 포함하는 표시패널에 광을 공급하는 장치로서, 발광장치와 발광장치에서 출력된 광을 액정 측에 효과적으로 전달하기 위한 수단들을 포함한다.
이러한 표시장치의 광원으로서, LED(Light Emitted Diode)등이 적용될 수 있다. 또한, 광원으로부터 출력된 광이 표시패널 측에 효과적으로 전달되기 위해, 도광판과 광학시트 등이 적층되어, 사용될 수 있다.
이때, 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변화시켜서, 상기 도광판 또는 상기 표시패널에 백색광을 입사시키는 광학 부재 등이 이러한 표시장치에 적용될 수 있다. 특히, 광의 파장을 변화시키기 위해서, 양자점 등이 사용될 수 있다.
양자점은 10nm 이하의 입자 크기를 가지며, 그 크기에 따라 독특한 전기적 광학적 특성을 갖는다. 예컨대, 대략적인 크기가 55 ~ 65Å인 경우 적색계열, 40 ~ 50Å은 녹색계열, 20 ~ 35Å은 청색계열의 색을 발할 수 있으며, 황색은 적색과 녹색을 발하는 양자점의 중간 크기를 갖는다. 빛의 파장에 따른 스펙트럼이 적색에서 청색으로 변하는 추세에 따라 양자점의 크기는 65Å 정도에서 20Å 정도로 순차적으로 변하는 것으로 파악할 수 있으며, 이 수치는 약간의 차이가 있을 수 있다.
양자점을 포함하는 광학 부재를 형성하기 위해서는, 빛의 삼원색인 RGB 혹은, RYGB를 발하는 양자점을 글래스(glass) 등의 투명 기판에 스핀코팅 하거나 프린팅하여 형성할 수 있다. 여기서, 황색(Y)을 발하는 양자점을 더 포함하는 경우 좀 더 천연광에 가까운 백색광을 얻을 수 있다. 양자점을 분산 담채하는 매트릭스(매질)은 가시광 및 자외선 영역(Far UV 포함)의 빛을 발하거나 또는 가시광 영역의 빛에 관하여 투과성이 뛰어난 무기물이나 고분자를 적용할 수 있다. 예컨대, 무기질 실리카, PMMA(polymethylmethacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane), PLA(poly lactic acid), 실리콘 고분자 또는 YAG 등이 될 수 있다. 특히, 이와 같은 양자점 및 매질은 열에 의해서 변성되거나, 손상될 수 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0012246 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 내구성 및 신뢰성을 가지는 발광 장치 및 표시 장치를 제공하고 한다.
실시예에 따른 발광 장치는, 광을 발생시키는 발광부; 상기 발광 칩을 수용하는 몸체부; 상기 발광부로부터 출사되는 광이 입사되는 광 변환 부재; 및 상기 몸체부에 연결되고, 상기 광 변환 부재를 고정시키는 고정부를 포함한다.
실시예에 따른 표시 장치는, 광원; 상기 광원의 출사면에 배치되는 광 변환 부재; 상기 광원에 연결되는 구동 기판; 상기 광원 또는 상기 구동 기판에 연결되고, 상기 광 변환 부재를 상기 광원의 출사면에 고정시키는 고정 부재를 포함한다.
실시예에 따른 발광 장치 및 표시 장치는 상기 고정부에 의해 상기 광 변환 부재를 고정할 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재를 연결하기 위해 접착제를 이용할 필요가 없으므로, 접착 공정을 생략할 수 있다. 또한, 상기 접착제로 인한 휘도의 불균일을 방지할 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 발광 장치 및 표시 장치는 향상된 내구성 및 성능을 가질 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광 장치를 도시한 사시도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광 장치에 광 변환 부재가 삽입된 것을 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3의 A-A'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광 장치를 도시한 사시도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광 장치에 광 변환 부재가 삽입된 것을 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3의 A-A'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(1000)은 상기 액정패널(2000)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(1000)은 면 광원으로 상기 액정패널(2000)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(1000)은 상기 액정패널(2000) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(1000)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 광학 시트(500)를 포함한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 발광다이오드들(400)을 포함하는 발광 장치에 대해서는 이하에서 상세히 설명한다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
도 2는 실시예에 따른 발광 장치를 도시한 사시도이고, 도 3은 실시예에 따른 발광 장치에 광 변환 부재가 삽입된 것을 도시한 사시도이며, 도 4는 도 3의 A-A'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 발광 장치는 몸체부(10), 리드 전극들(21, 22), 발광 칩(30), 파장 변환부(600) 및 고정부(40)를 포함한다.
상기 몸체부(10)는 이중 사출 공정에 의해서 형성될 수 있다. 상기 몸체부들(10)은 서로 연결되어, 서로 지지될 수 있다. 즉, 상기 몸체부(10)는 서로 연결되어, 전체적으로 플레이트 형상을 구현할 수 있다. 즉, 상기 몸체부(10)는 어레이 기판 형상으로 형성될 수 있다.
상기 몸체부(10)는 에폭시 또는 폴리프탈아미드(polyphthalamide;PPA)와 같은 수지 재질, 세라믹 재질, 액정 폴리머(LCP), SPS(Syndiotactic), PPS(Poly(phenylene ether)), 실리콘 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 다만, 상기 몸체부(10)의 재질에 대해 한정하지는 않는다.
각각의 몸체부(10)는 상부가 개방된 캐비티(C)를 포함한다. 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(10)에 대해 패터닝, 펀칭, 절단 공정 또는 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(10)의 성형시 캐비티(C) 형태를 본뜬 금속 틀에 의해 형성될 수 있다.
상기 캐비티(C)의 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 표면은 원형 형상, 다각형 형상, 또는 랜덤한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(C)의 내측면(13)은 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 배광 각도를 고려하여 상기 캐비티(C)의 바닥면(14)에 대해 수직하거나 경사진 면으로 형성될 수 있다.
상기 몸체부(10)는 베이스부(11) 및 수용부(12)를 포함한다.
상기 베이스부(11)는 상기 수용부(12)를 지지한다. 또한, 상기 베이스부(11)는 상기 리드 전극들(21, 22)을 지지한다. 상기 베이스부(11)는 예를 들어, 직육면체 형상을 가질 수 있다.
상기 수용부(12)는 상기 베이스부(11) 상에 배치된다. 상기 수용부(12)에 의해서, 상기 캐비티(C)가 정의된다. 즉, 상기 캐비티(C)는 상기 수용부(12)에 형성된 홈이다. 상기 수용부(12)는 상기 캐비티(C)의 주위를 둘러싼다. 상기 수용부(12)는 탑측에서 보았을 때, 폐루프(closed loop) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 수용부(120)는 상기 캐비티(C)를 둘러싸는 벽 형상을 가질 수 있다.
상기 캐비티(C)의 내측면(13)에는 반사층이 형성될 수 있다. 즉, 상기 수용부(120)의 내측면(13)에 반사 효과가 높은 물질, 예를 들어 백색의 PSR(Photo Solder Resist) 잉크, 은(Ag), 알루미늄(Al) 등이 코팅 또는 도포될 수 있으며, 이에 따라 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 발광 효율이 향상될 수 있다.
상기 리드 전극들(21, 22)은 상기 몸체부들(10)과 일체화되어 형성될 수 있다. 더 자세하게, 하나의 몸체부에 두 개의 리드 전극들이 구비될 수 있다. 상기 리드 전극들(21, 22)은 리드 프레임으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 리드 전극들(21, 22)은 상기 몸체부(10) 내에 배치되며, 상기 리드 전극들(21, 22)은 상기 캐비티(C)의 바닥면에 전기적으로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 리드 전극들(21, 22)의 외측부는 상기 몸체부(10)의 외측에 노출될 수 있다. 더 자세하게, 상기 리드 전극들(21, 22)은 상기 베이스부(11)에 구비된다.
상기 리드 전극들(21, 22)의 끝단은 상기 캐비티(C)의 일 측면 또는 캐비티(C) 반대측에 배치될 수 있다.
상기 리드 전극들(21, 22)은 리드 프레임으로 이루어질 수 있으며, 상기 리드 프레임은 상기 몸체부(10)의 사출 성형시 형성될 수 있다. 상기 리드 전극들(21, 22)은 예를 들어, 제 1 리드 전극(21) 및 제 2 리드 전극(22)일 수 있다.
상기 제 1 리드 전극(21) 및 상기 제 2 리드 전극(22)은 서로 이격된다. 상기 제 1 리드 전극(21) 및 상기 제 2 리드 전극(22)은 상기 발광 칩(30)에 전기적으로 연결된다.
상기 캐비티(C) 내측에는 발광 칩(30)이 배치된다. 상기 발광 칩(30)은 광을 발생시키는 발광부이다. 상기 발광 칩(30)은 광을 발생시키는 발광다이오드 칩이다. 예를 들어, 상기 발광 칩(30)은 유색 컬러의 발광다이오드 칩 또는 UV 발광다이오드 칩 등을 포함할 수 있다. 하나의 캐비티(C)에 각각 하나의 발광 칩(30)이 배치될 수 있다.
상기 발광 칩(30)은 수직형 발광다이오드 칩일 수 있다. 상기 발광 칩(30)은 도전기판, 반사층, 제 1 도전형 반도체층, 제 2 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 전극을 포함할 수 있다.
상기 도전기판은 도전체로 이루어진다. 상기 도전기판은 상기 반사층, 상기 제 1 도전형 반도체층, 상기 제 2 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제 2 전극을 지지한다.
상기 도전기판은 상기 반사층을 통하여, 상기 제 1 도전형 반도체층에 접속된다. 즉, 상기 도전기판은 상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적인 신호를 인가하기 위한 제 1 전극이다.
상기 반사층은 상기 도전기판 상에 배치된다. 상기 반사층은 상기 활성층으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다. 또한, 상기 반사층은 도전층이다. 따라서, 상기 반사층은 상기 도전기판을 상기 제 1 도전형 반도체층에 연결시킨다. 상기 반사층으로 사용되는 물질의 예로서는 은 또는 알루미늄과 같은 금속 등을 들 수 있다.
상기 제 1 도전형 반도체층은 상기 반사층 상에 배치된다. 상기 제 1 도전형 반도체층은 제 1 도전형을 가진다. 상기 제 1 도전형 반도체층은 n형 반도체층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도전형 반도체층은 n형 GaN층 일 수 있다.
상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 배치된다. 상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 제 1 도전형 반도체층과 마주보며, p형 반도체층일 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층은 예를 들어, p형 GaN층 일 수 있다.
상기 활성층은 상기 제 1 도전형 반도체층 및 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 개재된다. 상기 활성층은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 갖는다. 상기 활성층은 InGaN 우물층 및 AlGaN 장벽층의 주기 또는 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있으며, 이러한 활성층의 발광 재료는 발광 파장 예컨대, 청색 파장, 레드 파장, 녹색 파장 등에 따라 달라질 수 있다.
상기 제 2 전극은 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 배치된다. 상기 제 2 전극은 상기 제 2 도전형 반도체층에 접속된다.
이와는 다르게, 상기 발광 칩(30)은 수평형 LED일 수 있다. 이때, 수평형 LED를 상기 제 1 리드 전극(21)에 접속시키기 위해서, 추가적인 배선이 필요할 수 있다.
상기 발광 칩(30)은 상기 제 1 리드 전극(21)에 범프 등에 의해서 접속되고, 상기 제 2 리드 전극(22)에는 와이어에 의해서 연결될 수 있다. 특히, 상기 발광 칩(30)은 상기 제 1 리드 전극(21) 상에 직접 배치될 수 있다.
또한, 이와 같은 접속 방식에 한정되지 않고, 상기 발광 칩(30)은 와이어 본딩, 다이 본딩, 또는 플립 본딩 방식 등에 의해서, 상기 리드 전극들(21, 22)에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 고정부(40)는 상기 몸체부에 연결될 수 있다. 또한, 상기 고정부(40)는 상기 광 변환 부재(600)를 고정시킬 수 있다.
상기 고정부(40, 50)는 상기 몸체부로부터 연장되는 연장부(41, 51)와 상기 연장부(41, 51)로부터 절곡 또는 만곡되어 연장되는 걸림부(42, 52)를 포함한다. 상기 걸림부(42, 52)는 상기 광 변환 부재(600)에 직접 접촉될 수 있다.
또한, 상기 고정부(40)는 상기 몸체부와 일체로 형성될 수 있다. 즉, 상기 고정부(40)와 상기 몸체부(10)는 일체화될 수 있다.
즉, 상기 고정부는 상기 몸체부(10)의 일 측의 모서리 부분으로부터 연장되는 제 1 고정부(40)와 상기 몸체부(10)의 타 측의 모서리 부분으로부터 연장되는 제 2 고정부(50)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 고정부(40)와 상기 제 2 고정부(50)의 사이에 상기 광 변환 부재(600)가 배치되고, 상기 제 1 고정부(40)와 상기 제 2 고정부(50)의 걸림부(42, 52)에 의해 상기 광 변환 부재(600)를 고정할 수 있다.
상기 걸림부(42, 52)는 상기 제 1 고정부(40)와 상기 제 2 고정부(50) 사이에 배치되는 상기 광 변환 부재(600)와 직접 접촉됨으로써, 상기 광 변환 부재(600)를 상기 제 1 고정부(40)와 상기 제 2 고정부(50) 사이에 고정할 수 있다.
종래에는, 상기 발광 장치와 상기 광 변환 부재를 접착제 등을 이용하여 접착하였다. 즉, 상기 광 변환 부재를 상기 발광 장치와 상기 도광판에 접착제를 이용하여 접착하였다. 그러나, 상기 접착제로 인해 휘도를 감소시킬 수 있고, 접착 공정에 따른 공정 시간 상승 등의 문제점이 있었다.
그러나, 실시예에 따른 발광 장치 및 표시 장치는 상기 고정부에 의해 상기 광 변환 부재를 고정할 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재를 연결하기 위해 접착제를 이용할 필요가 없으므로, 접착 공정을 생략할 수 있다. 또한, 상기 접착제로 인한 휘도의 불균일을 방지할 수 있다.
이에 따라, 실시예에 따른 발광 장치 및 표시 장치는 향상된 내구성 및 성능을 가질 수 있다.
상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광 칩(30)으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 입사광의 파장을 변환시키는 다수 개의 파장 변환 입자들(610)을 포함할 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(610)은 입사광의 파장을 변환시킨다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(610)은 상기 발광 칩(30)으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킬 수 있다. 상기 파장 변환 입자들(610)은 양자점 또는 형광체일 수 있다.
상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 형광체는 황색 형광체, 적색 형광체 또는 녹색 형광체일 수 있다. 상기 형광체는 YAG계 형광체, TAG계 형광체 시아온(sialon)계 형광체 또는 BOS계 형광체 일 수 있다.
상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광 칩(30)으로부터 출사되는 광을 다른 파장의 광으로 변환시킨다. 예를 들어, 상기 발광 칩(30)으로부터 청색 광이 출사되는 경우, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 청색 광을 녹색 광 또는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
상기 광 변환 부재(600)는 다수 개의 파장 변환 입자들(610) 및 호스트층(620)을 포함한다.
상기 파장 변환 입자들(610)은 상기 호스트층(620)에 균일하게 분산된다. 상기 파장 변환 입자들(610)은 상기 발광 칩(30)으로부터 출사되는 광을 상기 다른 파장의 광으로 변환시킨다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(610)은 상기 발광 칩(30)으로부터 출사되는 청색 광을 녹색 광으로 변환시킬 수 있다.
상기 호스트(620)는 상기 파장 변환 입자들(610)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트(620)는 상기 파장 변환 입자들(620)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트(620)는 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트(440)는 투명하다. 즉, 상기 호스트(620)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다. 상기 호스트층(620)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘계 수지 등을 들 수 있다.
상기 액정패널(2000)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(2000)은 패널 가이드(730) 상에 배치된다. 상기 액정패널(2000)은 상기 패널 가이드(730)에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(2000)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(2000)은 상기 백라이트 유닛(1000)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(2000)은 TFT기판(710), 컬러필터기판(720), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(2000)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(710) 및 컬러필터기판(720)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(710)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(720)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정표시패널의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(750)가 구비된다.
상기 구동 PCB(750)는 COF(Chip on film, 740)에 의해 액정패널(2000)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(740)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
앞서 설명하였듯이, 실시예에 따른 발광 장치는 상기 몸체부에 연결되고, 연장부와 걸림부를 포함하는 고정부에 의해 상기 광 변환 부재를 고정시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 광 변환 부재를 고정시키기 위해 접착제를 사용할 필요가 없으며, 이에 따라 접착제로 인한 휘도의 불균일 문제를 해결할 수 있다.
이에 따라서, 실시예에 따른 발광 장치 및 표시 장치는 향상된 내구성 및 성능을 가질 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (5)
- 광을 발생시키는 발광부;
상기 발광 칩을 수용하는 몸체부;
상기 발광부로부터 출사되는 광이 입사되는 광 변환 부재; 및
상기 몸체부에 연결되고, 상기 광 변환 부재를 고정시키는 고정부를 포함하는 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 고정부는
상기 몸체부로부터 연장되는 연장부; 및
상기 연장부로부터 절곡 또는 만곡되어 연장되고, 상기 광 변환 부재에 직접 접촉되는 걸림부를 포함하는 발광 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 광 변환 부재는 상기 걸림부 및 상기 발광부 사이에 배치되는 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 고정부는 상기 몸체부와 일체로 형성되는 발광 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 고정부는
상기 몸체부의 일 측으로부터 연장되는 제 1 고정부; 및
상기 몸체부의 타 측으로부터 연장되는 제 2 고정부를 포함하고,
상기 광 변환 부재는 상기 제 1 고정부 및 상기 제 2 고정부 사이에 배치되는 발광 장치.
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |