KR101360643B1 - 광 변환 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 표시 장치는, 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 광 변환층; 및 상기 광 변환층으로부터 출사되는 광이 입사되는 표시 패널을 포함하고, 상기 광 변환층의 일면은 엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함하며, 상기 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격으로 형성된다.
실시예에 따른 광 변환 부재는, 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 형성되고, 엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함하는 광 변환층을 포함하고, 상기 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격으로 형성된다.
실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 하부 기판 및 광 변환 물질을 준비하는 단계; 상기 하부 기판 상에 광 변환 물질을 형성하는 단계; 및 상기 광 변환 물질 상에 광을 조사하는 단계를 포함한다.

Description

광 변환 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치{LIGHT CONVERTING MEMBER, LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
실시예는 광 변환 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치에 관한 것이다.
최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다.
이 중 액정표시장치는 박막트랜지스터 기판, 컬러필터 기판 그리고 양 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 하면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다.
백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지형과 직하형으로 구분된다. 에지형은 도광판의 측면에 광원이 설치되는 구조이다.
직하형은 액정표시장치의 크기가 대형화되면서 중점적으로 개발된 구조로서, 액정표시패널의 하부면에 하나 이상의 광원을 배치시켜 액정표시패널에 전면적으로 빛을 공급하는 구조이다.
이러한 직하형 백라이트 유닛은 에지형 백라이트 유닛에 비해 많은 수의 광원을 이용할 수 있어 높은 휘도를 확보할 수 있는 장점이 있는 반면, 휘도의 균일성을 확보하기 위하여 에지형에 비하여 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.
이를 극복하기 위해, 백라이트 유닛을 구성하는 청색 광을 발진하는 블루 LED의 전방에 청색 광을 받으면 적색파장 또는 녹색파장으로 변환되는 다수의 양자점이 분산된 양자점바를 구비시켜, 상기 양자점바에 청색 광을 조사함으로써, 양자점바에 분산된 다수의 양자점들에 의해 청색광, 적색 광 및 녹색 광이 혼합된 광이 도광판으로 입사되어 백색광을 제공한다.
이때, 상기 양자점바를 이용하여 도광판에 백색광을 제공할 경우 고색재현을 구현할 수 있다.
상기 백라이트 유닛은 청색 광을 발진하는 블루 LED의 일측에 LED와 신호를 전달하고, 전원공급하기 위한 FPCB(Flexible Printed Circuits Board)가 구비되며, FPCB의 하면에는 접착부재가 더 구비될 수 있다.
이와 같이, 블루 LED로부터 발진하는 광이 누출되면 양자점바를 통해 도광판에 제공되는 백색광을 사용하여 다양한 형태로 영상을 표시하는 표시장치가 널리 사용되고 있다.
이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0068110 등에 개시되어 있다.
실시예는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지고, 용이하게 제조될 수 있는 광 변환 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 표시 장치는, 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 광 변환층; 및 상기 광 변환층으로부터 출사되는 광이 입사되는 표시 패널을 포함하고, 상기 광 변환층의 일면은 엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함하며, 상기 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격으로 형성된다.
실시예에 따른 광 변환 부재는, 하부 기판; 상기 하부 기판 상에 형성되고, 엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함하는 광 변환층을 포함하고, 상기 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격으로 형성된다.
실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 하부 기판 및 광 변환 물질을 준비하는 단계; 상기 하부 기판 상에 광 변환 물질을 형성하는 단계; 및 상기 광 변환 물질 상에 광을 조사하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 광 변환 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치는 파장 변환층 상에 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 엠보싱 형상의 돌기 패턴이 형성된다. 즉, 상기 파장 변환층은 엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함하여, 굴곡을 가질 수 있다.
이에 따라, 상기 파장 변환층은 굴곡지는 형상을 가지기 때문에, 상기 파장 변환층을 통과하는 광의 경로가 증가될 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 변환 입자들에 더 많은 광이 입사될 수 있어 상기 파장 변환층은 향상된 효율로 파장을 변환시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광 변환 부재, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치는 향상된 색 재현성 및 높은 광 효율을 가질 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 6은 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 단면도이다.
도 7은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 8은 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 단면도이다.
도 9 및 도 10은 도 8에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 단면도이다.
도 12는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이다.
도 13은 도 12에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 14는 발광다이오드 칩의 일 단면을 도시한 도면이다.
도 15는 실시예에 따른 광 변환 복합체를 도시한 단면도이다.
도 16은 실시예에 따른 광 변환 입자를 도시한 도면이다.
도 17은 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
도 18은 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 설명한다.
도 1은 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이고, 도 2는 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이며, 도 3 및 도 4는 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는, 백라이트 유닛(10) 및 액정 패널(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정 패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정 패널(20)의 하면에 균일하게 광을 조사할 수 있다.
상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정 패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사 시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광 다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광 다이오들들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사 시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사 시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.
상기 반사 시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사 시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사 시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.
상기 발광 다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광 다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광 다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.
상기 발광 다이오드들(400)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광 다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광 다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광 다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.
상기 발광 다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광 다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광 다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광 다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광 다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.
상기 광학 시트들(500)은 광 변환 부재(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.
상기 광 변환 부재(501)는 상기 광원 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 부재(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.
예를 들어, 상기 발광 다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드들(400)이 UV 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 자외선의 일부를 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 자외선의 또 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 부재(501)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.
즉, 상기 광 변환 부재(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 광 변환 부재(501)는 시트 형상을 가진다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 광학 시트일 수 있다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(501)는 하부 기판(510) 및/또는 파장 변환층(530)을 포함한다.
상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 파장 변환층(530)은 도 3에 도시되어 있듯이. 상기 하부 기판(510)이 존재하는 경우에는 상기 하부 기판(510) 상에 위치한다. 또는, 도 2에 도시되어 있듯이, 상기 하부 기판(510)은 생략될 수 있다. 즉, 광 경화 및/또는 열 경화 공정에 의해서, 상기 파장 변환층(530)이 형성된 후, 상기 파장 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)으로 이탈되어 사용될 수 있다.
상기 파장 변환층(530)의 일면은 오목한 면을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 파장 변환층(530)의 상면은 오목한 면을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환층의 일면은 오목한 면을 포함하며, 상기 오목한 면은 돌기 패턴을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 돌기 패턴은 엠보싱 형상일 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 돌기 패턴은 반구 형상을 가질 수 있다.
상기 돌기 패턴은 상기 파장 변환층(530)의 일면으로부터 상방으로 돌출된다. 상기 돌기 패턴은 곡면을 포함할 수 있으며, 상기 돌기 패턴은 상기 파장 변환층(530)과 일체로 형성될 수 있다.
상기 엠보싱 형상의 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격, 0.1㎛ 내지 0.2㎛의 높이 및 0.1㎛ 내지 1㎛의 직경으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 파장 변환층의 일면, 바람직하게는, 상기 파장 변환층의 상면은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 엠보싱 형상이 반복적으로 배열되는 돌기 패턴을 포함할 수 있다.
상기 파장 변환층은 호스트층(532); 및 상기 호스트층(532) 내에 수용되는 파장 변환 입자(531)를 포함할 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(531)은 상기 발광 다이오드들(400)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(531) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
즉, 상기 발광 다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광 다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광 다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광 다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(531)이 사용될 수 있다.
상기 파장 변환 입자들(531)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.
상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.
상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1nm 내지 10nm일 수 있다.
상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화시킬 수 있다.
특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기 되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄 한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다.
이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100배 내지 1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.
상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.
상기 호스트층(532)은 상기 파장 변환 입자들(531)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(532)은 상기 파장 변환 입자들(531)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(532)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(532)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(532)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트층(532)은 비선형 광학 특성을 가지는 아조벤젠(azobenzene)을 관능기로 가지는 poly[4-(phenylazo)triphenylamine-1,2-hexafluorocyclobutyl ether(PPF, 이하 PPF) 고분자의 단량체인 1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함한다.
상기 PPF는 빛을 받으면 수 마이크로 간격으로 일정하게 배향하게 되며, 표면 요철 격자(surface relief grating, SRG) 효과를 나타낼 수 있다. 즉, 상기 PPF를 포함하는 기재 상에 광을 조사하게 되면 상기 광이 조사되는 기재의 표면은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 표면 요철 격자를 가질 수 있다.
실시예에 따른 호스트층(532)는 상기 PPF를 포함하고, 상기 PPF를 포함하는 호스트층(532) 내에 상기 파장 변환 입자(531)을 분산한 후, 상기 호스트층(532)의 일면에 광을 조사한다.
이에 따라, 실시예에 따른 호스트층은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 표면 요철 격자 즉, 엠보싱 형상의 돌기 패턴이 일정하게 배향되며, 상기 호스트층(532) 내에 수용되는 상기 파장 변환 입자(531)는 일정하게 배향되는 엠보싱 형상의 돌기 패턴 내에 수용된다.
이에 따라, 상기 파장 변환층은 상기 광 변환 부재의 일면에 굴곡지는 형상을 가진다. 이에 따라, 상기 파장 변환층(530)을 통과하는 광의 경로가 증가될 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 변환 입자들(531)에 더 많은 광이 입사될 수 있어 상기 파장 변환층(530)은 향상된 효율로 파장을 변환시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 색 재현성을 가질 수 있다.
상기 파장 변환층(530) 상에는 상부 기판 또는 보호막이 더 배치될 수 있다.
상기 상부 기판은 상기 하부 기판과 동일한 재질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 상부 기판은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판은 상기 파장 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.
상기 상부 기판으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
이에 따라, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은 상기 파장 변환층(530)을 샌드위치할 수 있다. 즉, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은 상기 파장 변환층(530)을 지지하며, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호한다. 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은 상기 파장 변환층(530)에 직접 접촉될 수 있다.
또한, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 파장 변환층(530)을 보호할 수 있다.
또한, 상기 보호막은 상기 파장 변환층(530) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 보호막은 상기 호스트층(532)에 직접 코팅될 수 있다. 더 자세하게, 상기 보호막은 상기 돌기 패턴을 덮도록 상기 호스트층의 외부면에 코팅될 수 있다.
상기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등을 들 수 있다.
또한, 상기 보호막은 상기 호스트층보다 더 낮든 굴절률을 가질 수 있다. 이에 따라서, 상기 보호막은 상기 파장 변환층(530) 및 공기층 사이에서 광학적 완충 기능을 수행할 수 있다. 따라서, 상기 보호막에 의해서, 상기 파장 변환층(530)을 통과하는 광은 상방으로 효율적으로 출사될 수 있다.
상기 확산 시트(502)는 상기 파장 변환 부재(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.
상기 액정패널(20)은 상기 광학 시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.
상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.
도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.
액정표시패널(210)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.
상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 상기 파장 변환층(530)에는 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 패턴이 형성된다. 즉, 상기 파장 변환층(530)은 엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함하여, 굴곡을 가질 수 있다. 즉, 상기 파장 변환층(530)은 엠보싱 형상 등을 가질 수 있다.
상기 파장 변환층(530)은 굴곡지는 형상을 가지기 때문에, 상기 파장 변환층(530)을 통과하는 광의 경로가 증가될 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 변환 입자들(531)에 더 많은 광이 입사될 수 있다. 상기 파장 변환층(530)은 향상된 효율로 파장을 변환시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 색 재현성을 가질 수 있다.
이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 설명한다.
도 5는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이고, 도 6은 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 광 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.
상기 광 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.
상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 광 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.
상기 광 변환 부재(600)는 하부 기판 및/또는 파장 변환층(630)을 포함한다.
상기 하부 기판은 상기 파장 변환층(630) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 파장 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 파장 변환층(630)은 상기 하부 기판이 존재하는 경우에는 상기 하부 기판 상에 위치한다. 또는, 상기 하부 기판은 생략될 수 있다. 즉, 광 경화 및/또는 열 경화 공정에 의해서, 상기 파장 변환층(630)이 형성된 후, 상기 파장 변환층(630)은 상기 하부 기판으로 이탈되어 사용될 수 있다.
상기 파장 변환층(630)의 일면은 오목한 면을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 파장 변환층(630)의 상면은 오목한 면을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환층의 일면은 오목한 면을 포함하며, 상기 오목한 면은 돌기 패턴을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 돌기 패턴은 엠보싱 형상일 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 돌기 패턴은 반구 형상을 가질 수 있다.
상기 돌기 패턴은 상기 파장 변환층(630)의 일면으로부터 상방으로 돌출된다. 상기 돌기 패턴은 곡면을 포함할 수 있으며, 상기 돌기 패턴은 상기 파장 변환층(630)과 일체로 형성될 수 있다.
상기 엠보싱 형상의 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격, 0.1㎛ 내지 0.2㎛의 높이 및 0.1㎛ 내지 1㎛의 직경으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 파장 변환층의 일면, 바람직하게는, 상기 파장 변환층의 상면은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 엠보싱 형상이 반복적으로 배열되는 돌기 패턴을 포함할 수 있다.
상기 호스트층(632)은 상기 파장 변환 입자들(631)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(632)은 상기 파장 변환 입자들(631)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(632)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(632)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(632)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트층(632)은 비선형 광학 특성을 가지는 아조벤젠(azobenzene)을 관능기로 가지는 poly[4-(phenylazo)triphenylamine-1,2-hexafluorocyclobutyl ether(PPF, 이하 PPF) 고분자의 단량체인 1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함한다.
상기 PPF는 빛을 받으면 수 마이크로 간격으로 일정하게 배향하게 되며, 표면 요철 격자(surface relief grating, SRG) 효과를 나타낼 수 있다. 즉, 상기 PPF를 포함하는 기재 상에 광을 조사하게 되면 상기 광이 조사되는 기재의 표면은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 표면 요철 격자를 가질 수 있다.
실시예에 따른 호스트층(632)는 상기 PPF를 포함하고, 상기 PPF를 포함하는 호스트층(632) 내에 상기 파장 변환 입자(631)을 분산한 후, 상기 호스트층(632)의 일면에 광을 조사한다.
이에 따라, 실시예에 따른 호스트층은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 표면 요철 격자 즉, 엠보싱 형상의 돌기 패턴이 일정하게 배향되며, 상기 호스트층(632) 내에 수용되는 상기 파장 변환 입자(631)는 일정하게 배향되는 엠보싱 형상의 돌기 패턴 내에 수용된다.
이에 따라, 상기 파장 변환층은 상기 광 변환 부재의 일면에 굴곡지는 형상을 가진다. 이에 따라, 상기 파장 변환층(630)을 통과하는 광의 경로가 증가될 수 있다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 입자들(631)에 더 많은 광이 입사될 수 있어 상기 파장 변환층(630)은 향상된 효율로 파장을 변환시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 색 재현성을 가질 수 있다.
이하, 도 7 내지 도 11을 참조하여 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 설명한다.
도 7은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이고, 도 8은 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 단면도이며, 도 9 및 도 10은 도 8에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이고, 도 11은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 7 내지 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 광 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.
또한, 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 광 변환 부재(700)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.
상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 광 변환 부재(700)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.
상기 광 변환 부재(700)는 하부 기판(710) 및/또는 파장 변환층(730)을 포함한다.
상기 하부 기판은 상기 파장 변환층(730) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(710)은 상기 파장 변환층(730)의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 파장 변환층(730)은 상기 하부 기판이 존재하는 경우에는 상기 하부 기판 상에 위치한다. 또는, 상기 하부 기판은 생략될 수 있다. 즉, 광 경화 및/또는 열 경화 공정에 의해서, 상기 파장 변환층(730)이 형성된 후, 상기 파장 변환층(730)은 상기 하부 기판으로 이탈되어 사용될 수 있다.
상기 파장 변환층(730)의 일면은 오목한 면을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 파장 변환층(730)의 상면은 오목한 면을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환층의 일면은 오목한 면을 포함하며, 상기 오목한 면은 돌기 패턴을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 돌기 패턴은 엠보싱 형상일 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 돌기 패턴은 반구 형상을 가질 수 있다.
상기 돌기 패턴은 상기 파장 변환층(730)의 일면으로부터 상방으로 돌출된다. 상기 돌기 패턴은 곡면을 포함할 수 있으며, 상기 돌기 패턴은 상기 파장 변환층(730)과 일체로 형성될 수 있다.
상기 엠보싱 형상의 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격, 0.1㎛ 내지 0.2㎛의 높이 및 0.1㎛ 내지 1㎛의 직경으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 파장 변환층의 일면, 바람직하게는, 상기 파장 변환층의 상면은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 엠보싱 형상이 반복적으로 배열되는 돌기 패턴을 포함할 수 있다.
상기 호스트층(732)은 상기 파장 변환 입자들(731)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(732)은 상기 파장 변환 입자들(731)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(732)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(732)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(732)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트층(732)은 비선형 광학 특성을 가지는 아조벤젠(azobenzene)을 관능기로 가지는 poly[4-(phenylazo)triphenylamine-1,2-hexafluorocyclobutyl ether(PPF, 이하 PPF) 고분자의 단량체인 1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함한다.
상기 PPF는 빛을 받으면 수 마이크로 간격으로 일정하게 배향하게 되며, 표면 요철 격자(surface relief grating, SRG) 효과를 나타낼 수 있다. 즉, 상기 PPF를 포함하는 기재 상에 광을 조사하게 되면 상기 광이 조사되는 기재의 표면은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 표면 요철 격자를 가질 수 있다.
실시예에 따른 호스트층(632)는 상기 PPF를 포함하고, 상기 PPF를 포함하는 호스트층(532) 내에 상기 파장 변환 입자(631)을 분산한 후, 상기 호스트층(632)의 일면에 광을 조사한다.
이에 따라, 실시예에 따른 호스트층은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 표면 요철 격자 즉, 엠보싱 형상의 돌기 패턴이 일정하게 배향되며, 상기 호스트층(732) 내에 수용되는 상기 파장 변환 입자(731)는 일정하게 배향되는 엠보싱 형상의 돌기 패턴 내에 수용된다.
이에 따라, 상기 파장 변환층은 상기 광 변환 부재의 일면에 굴곡지는 형상을 가진다. 이에 따라, 상기 파장 변환층(730)을 통과하는 광의 경로가 증가될 수 있다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 입자들(731)에 더 많은 광이 입사될 수 있어 상기 파장 변환층(730)은 향상된 효율로 파장을 변환시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 색 재현성을 가질 수 있다.
이하, 도 12 내지 도 14를 참고하여 실시예에 따른 발광 장치를 설명한다.
도 12는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 단면도이고, 도 13은 도 12에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이며, 도 14는 발광다이오드 칩의 일 단면을 도시한 도면이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 발광 소자 패키지에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 12 내지 도 14를 참조하면, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 몸체부(410), 다수 개의 리드 전극들(421, 422), 발광부(430), 충진부(400) 및 복수의 광 변환 복합체들(30)을 포함한다.
상기 몸체부(410)는 상기 발광부(430), 상기 충진부(400) 및 상기 광 변환 복합체들(30)을 수용하고, 상기 리드 전극들(421, 422)을 지지한다.
상기 몸체부(410)의 재질은 예컨대, PPA와 같은 수지 재질, 세라믹 재질, 액정 폴리머(LCP), SPS(Syndiotactic), PPS(Poly(phenylene ether)), 실리콘 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 다만, 상기 몸체부(410)의 재질에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체부(410)는 사출 성형에 의해 일체로 형성하거나, 다수 개의 층이 적층된 구조로 형성될 수 있다.
상기 몸체부(410)는 상부가 개방된 캐비티(C)를 포함한다. 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(410)에 대해 패터닝, 펀칭, 절단 공정 또는 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(410)의 성형시 캐비티(C) 형태를 본뜬 금속 틀에 의해 형성될 수 있다.
상기 캐비티(C)의 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 표면은 원형 형상, 다각형 형상, 또는 랜덤한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 캐비티(C)의 내측면은 따른 발광다이오드 패키지의 배광 각도를 고려하여 상기 캐비티(C)의 바닥면에 대해 수직하거나 경사진 면으로 형성될 수 있다.
상기 몸체부(410)는 베이스부(411) 및 수용부(412)를 포함한다.
상기 베이스부(411)는 상기 수용부(412)를 지지한다. 또한, 상기 베이스부(411)는 상기 리드 전극들(421, 422)을 지지한다. 상기 베이스부(411)는 예를 들어, 직육면체 형상을 가질 수 있다.
상기 수용부(412)는 상기 베이스부(411) 상에 배치된다. 상기 수용부(412)에 의해서, 상기 캐비티(C)가 정의된다. 즉, 상기 캐비티(C)는 상기 수용부(412)에 형성된 홈이다. 상기 수용부(412)는 상기 캐비티(C)의 주위를 둘러싼다. 상기 수용부(412)는 탑측에서 보았을 때, 폐루프(closed loop) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 수용부(412)는 상기 캐비티(C)를 둘러싸는 벽 형상을 가질 수 있다.
상기 수용부(412)는 상면, 외측면 및 내측면(122)을 포함한다. 상기 내측면은 상기 상면에 대하여 경사지는 경사면이다.
상기 리드 전극들(421, 422)은 리드 프레임으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 리드 전극들(421, 422)은 상기 몸체부(410) 내에 배치되며, 상기 리드 전극들(421, 422)은 상기 캐비티(C)의 바닥면에 전기적으로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 리드 전극들(421, 422)의 외측부는 상기 몸체부(410)의 외측에 노출될 수 있다.
상기 리드 전극들(421, 422)의 끝단은 상기 캐비티(C)의 일 측면 또는 캐비티(C) 반대측에 배치될 수 있다.
상기 리드 전극들(421, 422)은 리드 프레임으로 이루어질 수 있으며, 상기 리드 프레임은 상기 몸체부(410)의 사출 성형시 형성될 수 있다. 상기 리드 전극들(421, 422)은 예를 들어, 제 1 리드 전극(421) 및 제 2 리드 전극(422)일 수 있다.
상기 제 1 리드 전극(421) 및 상기 제 2 리드 전극(422)은 서로 이격된다. 상기 제 1 리드 전극(421) 및 상기 제 2 리드 전극(422)은 상기 발광부(430)에 전기적으로 연결된다.
상기 발광부(430)는 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 포함한다. 예를 들어, 상기 발광부(430)는 청색 발광다이오드 칩 또는 UV 발광다이오드 칩 등을 포함할 수 있다.
상기 발광부(430)는 수평형 발광다이오드 또는 수직형 발광다이오드 칩일 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 발광부(430)는 도전기판(431), 광 반사층(432), 제 1 도전형 반도체층(433), 제 2 도전형 반도체층(434), 활성층(435) 및 제 2 전극(436)을 포함할 수 있다.
상기 도전기판(431)은 도전체로 이루어진다. 상기 도전기판(431)은 상기 광 반사층(432), 상기 제 1 도전형 반도체층(433), 상기 제 2 도전형 반도체층(434), 상기 활성층(435) 및 상기 제 2 전극(436)을 지지한다.
상기 도전기판(431)은 상기 광 반사층(432)을 통하여, 상기 제 1 도전형 반도체층(433)에 접속된다. 즉, 상기 도전기판(431)은 상기 제 1 도전형 반도체층(433)에 전기적인 신호를 인가하기 위한 제 1 전극이다.
상기 광 반사층(432)은 상기 도전기판(431) 상에 배치된다. 상기 광 반사층(432)은 상기 활성층(435)으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다. 또한, 상기 광 반사층(432)은 도전층이다. 따라서, 상기 광 반사층(432)은 상기 도전기판(431)을 상기 제 1 도전형 반도체층(433)에 연결시킨다. 상기 광 반사층(432)으로 사용되는 물질의 예로서는 은 또는 알루미늄과 같은 금속 등을 들 수 있다.
상기 제 1 도전형 반도체층(433)은 상기 광 반사층(432) 상에 배치된다. 상기 제 1 도전형 반도체층(433)은 제 1 도전형을 가진다. 상기 제 1 도전형 반도체층(433)은 n형 반도체층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도전형 반도체층(433)은 n형 GaN층 일 수 있다.
상기 제 2 도전형 반도체층(434)은 상기 제 1 도전형 반도체층(433) 상에 배치된다. 상기 제 2 도전형 반도체층(434)은 상기 제 1 도전형 반도체층(433)과 마주보며, p형 반도체층일 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(434)은 예를 들어, p형 GaN층 일 수 있다.
상기 활성층(435)은 상기 제 1 도전형 반도체층(433) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(434) 사이에 개재된다. 상기 활성층(435)은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 갖는다. 상기 활성층(435)은 InGaN 우물층 및 AlGaN 장벽층의 주기 또는 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있으며, 이러한 활성층(435)의 발광 재료는 발광 파장 예컨대, 청색 파장, 레드 파장, 녹색 파장 등에 따라 달라질 수 있다.
상기 제 2 전극(436)은 상기 제 2 도전형 반도체층(434) 상에 배치된다. 상기 제 2 전극(436)은 상기 제 2 도전형 반도체층(434)에 접속된다.
이와는 다르게, 상기 발광부(430)는 수평형 LED일 수 있다. 이때, 수평형 LED를 상기 제 1 리드 전극(421)에 접속시키기 위해서, 추가적인 배선이 필요할 수 있다.
상기 발광부(430)는 상기 제 1 리드 전극(421)에 범프 등에 의해서 접속되고, 상기 제 2 리드 전극(422)에는 와이어에 의해서 연결될 수 있다. 특히, 상기 발광부(430)는 상기 제 1 리드 전극(421) 상에 직접 배치될 수 있다.
또한, 이와 같은 접속 방식에 한정되지 않고, 상기 발광부(430)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 또는 플립 본딩 방식 등에 의해서, 상기 리드 전극들(421, 422)에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 충진부(400)는 상기 캐비티(C)에 형성된다. 상기 충진부(400)는 투명하다. 상기 충진부(400)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 재질이거나, 굴절률이 2이하인 물질을 포함할 수 있다. 상기 충진부(400)는 상기 발광부(430)를 덮는다. 상기 충진부(400)는 상기 발광부(430)에 직접 접촉될 수 있다.
또한, 상기 캐비티(C)의 내측면에 반사층이 형성될 수 있다. 상기 반사층은 반사 효과가 높은 물질, 예를 들어 백색의 PSR(Photo Solder Resist) 잉크, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다.
상기 광 변환 부재(830)는 시트 형태, 즉, 층구조로 상기 충진부의 표면에 적용될 수 있다. 즉, 용매가 제거되지 않는 상태로, 상기 매트릭스(832) 및 상기 광 변환 입자들(31)을 포함하는 용액이 상기 충진부(400) 상에 코팅되고, 상기 용매가 증발될 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 변환 복합체(830)가 층구조로 형성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 발광부(430)로부터 출사되는 광의 일부 또는 전부는 상기 광 변환 복합체들(30)에 입사될 수 있다.
상기 광 변환 부재(830)는 상기 발광부(430)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 광 변환 부재(830)는 입사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다.
또한, 상기 광 변환 부재(830)는 상기 발광부(430)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다.
이에 따라서, 상기 광 변환 부재(830)에 의해서 변환된 광 및 변환되지 않는 광에 의해서, 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 백색광이 출사될 수 있다.
상기 광 변환 부재(830)는 호스트층(832) 및 상기 호스트층(832) 내에 수용되는 파장 변환 입자들(831)을 포함한다.
상기 광 변환 부재(830)의 일면은 오목한 면을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 광 변환 부재(830)의 상면은 오목한 면을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환층의 일면은 오목한 면을 포함하며, 상기 오목한 면은 돌기 패턴을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 돌기 패턴은 엠보싱 형상일 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 돌기 패턴은 반구 형상을 가질 수 있다.
상기 돌기 패턴은 상기 광 변환 부재(830)의 일면으로부터 상방으로 돌출된다. 상기 돌기 패턴은 곡면을 포함할 수 있으며, 상기 돌기 패턴은 상기 파장 변환층(730)과 일체로 형성될 수 있다.
상기 엠보싱 형상의 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격, 0.1㎛ 내지 0.2㎛의 높이 및 0.1㎛ 내지 1㎛의 직경으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 파장 변환층의 일면, 바람직하게는, 상기 파장 변환층의 상면은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 엠보싱 형상이 반복적으로 배열되는 돌기 패턴을 포함할 수 있다.
상기 호스트층(832)은 상기 파장 변환 입자들(831)을 둘러싼다. 즉, 상기 호스트층(732)은 상기 파장 변환 입자들(831)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 호스트층(832)은 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 호스트층(832)은 투명하다. 즉, 상기 호스트층(832)은 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.
상기 호스트층(832)은 비선형 광학 특성을 가지는 아조벤젠(azobenzene)을 관능기로 가지는 poly[4-(phenylazo)triphenylamine-1,2-hexafluorocyclobutyl ether(PPF, 이하 PPF) 고분자의 단량체인 1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함한다.
상기 PPF는 빛을 받으면 수 마이크로 간격으로 일정하게 배향하게 되며, 표면 요철 격자(surface relief grating, SRG) 효과를 나타낼 수 있다. 즉, 상기 PPF를 포함하는 기재 상에 광을 조사하게 되면 상기 광이 조사되는 기재의 표면은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 표면 요철 격자를 가질 수 있다.
실시예에 따른 호스트층(832)는 상기 PPF를 포함하고, 상기 PPF를 포함하는 호스트층(532) 내에 상기 파장 변환 입자(831)을 분산한 후, 상기 호스트층(832)의 일면에 광을 조사한다.
이에 따라, 실시예에 따른 호스트층은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 표면 요철 격자 즉, 엠보싱 형상의 돌기 패턴이 일정하게 배향되며, 상기 호스트층(732) 내에 수용되는 상기 파장 변환 입자(731)는 일정하게 배향되는 엠보싱 형상의 돌기 패턴 내에 수용된다.
이에 따라, 상기 파장 변환층은 상기 광 변환 부재의 일면에 굴곡지는 형상을 가진다. 이에 따라, 상기 광 변환 부재(830)를 통과하는 광의 경로가 증가될 수 있다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 입자들(831)에 더 많은 광이 입사될 수 있어 상기 파장 변환층(830)은 향상된 효율로 파장을 변환시킬 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 색 재현성을 가질 수 있다.
이하, 도 15 내지 도 18을 참고하여 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 설명한다.
도 15는 실시예에 따른 광 변환 복합체를 도시한 단면도이고, 도 16은 실시예에 따른 광 변환 입자를 도시한 도면이며, 도 17은 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이고, 도 18은 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이다. 본 광 변환 부재 제조 방법에 대한 설명에 있어서, 앞선 광 변환 부재에 대한 설명을 참조한다. 즉, 변경된 부분을 제외하고, 앞선 광 변환 부재에 대한 설명은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 15 내지 도 18을 참조하면, 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 하부 기판 및 광 변환 물질을 준비하는 단계(ST10); 상기 하부 기판 상에 광 변환 물질을 형성하는 단계(ST20); 및 상기 광 변환 물질 상에 광을 조사하는 단계(ST30)를 포함한다.
상기 하부 기판 및 광 변환 물질을 준비하는 단계(ST10) 및 상기 하부 기판 상에 광 변환 물질을 형성하는 단계(ST20)에서는, 상기 하부 기판 및 상기 하부 기판 상에 의해 지지되는 상기 광 변환 물질을 준비하고, 상기 광 변환 물질을 상기 하부 기판 상에 형성한다.
상기 하부 기판은, 상기 하부 기판은 상기 광 변환 물질을 지지한다. 상기 하부 기판은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판은 상기 광 변환 물질의 하면에 밀착될 수 있다.
상기 하부 기판으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 폴리머 등을 들 수 있다.
상기 광 변환 물질은 상기 하부 기판 상에 배치되며, 상기 하부 기판에 의해 지지될 수 있다. 자세하게, 상기 광 변환 물질을 준비하는 단계는, 1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함하는 호스트를 준비하는 단계; 복수의 광 변환 입자들, 양친성 폴리머 및 제 1 용매를 포함하는 용액을 형성하는 단계; 상기 용액에 제 2 용매를 첨가하는 단계; 상기 용액에서 제 1 용매를 제거하여 광 변환 복합체를 형성하는 단계; 및 상기 광 변환 복합체를 상기 호스트에 분산하는 단계를 포함한다.
상기 광 변환 물질은 양친성 블록 공중합체로 형성될 수 있다. 상기 양친성 공중합체로, 원자 이동 라디칼 중합(ATRP: atomic transfer radical polymerization) 에 의해 합성될 수 있지만 이에 한정된 것은 아니다. 구체적으로, ATRP는 브롬화구리(CuBr) 등의 라디컬 소스에 의해서 이중 결합의 라디칼의 연속반응에 의해 중합이 이루어진다. 개시제가 동시에 단분자에 붙어서 체인의 길이를 늘어나게 해주므로 매우 낮은 다분산 지수(PDI :polydispersity index)와 높은 분자량을 얻게 해주는 장점이 있는 리빙 중합(living polymerization)방법이다.
이후, 상기 양친성 블록 공중합체 및 상기 광 변환 입자들은 각각 제 1 용매에 분산된다. 이때, 상기 제 1 용매는 친수성 또는 소수성을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 용매는 상기 광 변환 입자들과 동일한 특성을 가질 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들, 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들의 리간드(35)가 친수성을 가지는 경우, 상기 양친성 블록 공중합체 및 상기 광 변환 입자들(31)은 친수성 용매에 각각 분산된다. 이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(31)이 소수성을 가지는 경우, 상기 양친성 블록 공중합체 및 상기 광 변환 입자들(31)은 소수성 용매에 각각 분산된다.
이후, 상기 광 변환 입자들(31) 포함하는 용액 및 상기 양친성 블록 공중합체를 포함하는 용액이 서로 혼합된다(S30).
상기 광 변환 입자들(31) 및 상기 양친성 블록 공중합체의 질량 비는 약 1:10 내지 약 1:100일 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(31) 및 상기 양친성 블록 공중합체의 질량비는 약 1:10 내지 약 1:30일 수 있다. 상기 광 변환 입자들(31) 및 상기 양친성 블록 공중합체의 질량비는 형성하고자 하는 호스트(32)의 직경 및 하나의 호스트(32)에 분산시키고자 하는 광 변환 입자들(31)의 개수에 따라서 다양하게 달라질 수 있다.
이후, 상기 혼합 용액에 상기 제 1 용매와 다른 특성의 제 2 용매가 과량으로 첨가한다. 즉, 상기 광 변환 입자들(31) 및 상기 양친성 블록 공중합체가 소수성 용매에 용해되는 경우, 이와 같은 혼합 용액에 물과 같은 친수성 용매가 첨가된다. 이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(31) 및 상기 양친성 블록 공중합체가 친수성 용매에 용해되는 경우, 상기 혼합 용액에 소수성 용매가 첨가된다.
이후, 상기 제 1 용매는 투석, 여막 분석(dialysis), 추출 또는 증류 등에 의해서 제거된다(S50). 특히, 상기 제 1 용매는, 바람직하게는 투석을 통해서 제거될 수 있다.
이에 따라서, 상기 혼합 용액에는 상기 제 2 용매만이 주로 남게된다. 이에 따라서, 상기 양친성 블록 공중합체는 상기 광 변환 입자들(31)을 내부에 수용하면서 미셀(micelle)을 형성한다. 즉, 상기 광 변환 입자들(31)의 리간드(35)는 상기 양친성 블록 공중합체의 같은 특성의 블록에 결합되고, 상기 양친성 블록 공중합체의 다른 블록은 외벽을 형성할 수 있다.
즉, 상기 광 변환 입자들(31)이 소수성을 가지는 경우, 상기 혼합 용액에는 친수성 용매만 남게되므로, 상기 양친성 블록 공중합체의 친수성 블록은 미셀의 바깥에 배치되고, 상기 광 변환 입자들(31)은 상기 소수성 블록과 함께 상기 미셀의 내부에 배치될 수 있다. 또한, 상기 광 변환 입자들(31)이 친수성을 가지는 경우, 상기 혼합 용액에는 소수성 용매만 남게되므로, 상기 소수성 블록은 상기 미셀의 바깥에 위치하고, 상기 광 변환 입자들(31)은 상기 친수성 블록과 함께 상기 미셀의 내부에 배치될 수 있다.
이와 같이, 상기 광 변환 입자들(31)을 수용하는 미셀이 형성될 수 있다.
상기 제 1 용매 및 상기 제 2 용매로 사용되는 소수성 용매의 예로서는 디메틸포르마이드(dimethylformamide), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran), 톨루엔(Toluene), 디클로로벤젠(dichlorobenzene), 메틸 에틸 케톤(methyl ethyl ketone), 아세톤(acetone), 에틸 아세테이트(ethylacetate), 메틸렌 클로라이드(methylene chloride), 디옥산(dioxane), 사이클로헥산(cyclohexane), 헥산(Hexane) 및 클로로포름(Chloroform)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상, 바람직하게는 디메틸포르마이드(dimethylformamide) 또는 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 제 1 용매 및 상기 제 2 용매로 사용되는 친수성 용매의 예로서는 물, 알콜계 용매 또는 아세트산 등을 들 수 있다.
이어서, 상기 광 변환 물질 상에 광을 조사하는 단계(ST30)에서는, 상기 광 변환 물질 상에 일정한 파장 대를 가지는 광을 조사할 수 있다. 자세하게, 상기 광 변환 물질 상에 400㎚ 내지 500㎚의 파장을 가지는 광을 조사할 수 있다.
상기 호스트는 비선형 광학 특성을 가지는 아조벤젠(azobenzene)을 관능기로 가지는 poly[4-(phenylazo)triphenylamine-1,2-hexafluorocyclobutyl ether(PPF, 이하 PPF) 고분자의 단량체인 1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함한다.
상기 PPF는 일정한 파장을 가지는 광을 조사하면 수 마이크로 간격으로 일정하게 배향하게 되어 표면 요철 격자(surface relief grating, SRG) 효과를 나타낼 수 있다. 즉, 상기 PPF를 포함하는 기재 상에 광을 조사하게 되면 상기 광이 조사되는 기재의 표면은 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 표면 요철 격자를 가질 수 있다.
도 15 내지 도 18을 참조하면, 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 희생 기판 및 광 변환 물질을 준비하는 단계(ST100); 상기 희생 기판 상에 광 변환 물질을 형성하는 단계(ST200); 상기 광 변환 물질 상에 광을 조사하는 단계(ST300); 및 상기 희생 기판을 제거하는 단계(ST400)를 포함한다. 본 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법에 대한 설명에 있어서, 앞선 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법에 대한 설명을 참조한다. 즉, 변경된 부분을 제외하고, 앞선 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법에 대한 설명은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
상기 희생 기판을 준비하는 단계에서는, 상기 광 변환 물질을 지지할 수 있는 지지 기판을 준비할 수 있다. 상기 희생 기판은 이형제를 포함할 수 있다. 즉, 상기 희생 기판은 상기 광 변환 물질과 탈착 및 분리 가능할 수 있다.
이어서, 상기 희생 기판 상에 광 변환 물질을 형성하는 단계(ST200); 상기 광 변환 물질 상에 광을 조사하는 단계(ST300); 및 상기 희생 기판을 제거하는 단계(ST400)에서는, 상기 희생 기판 상에 광 변환 물질을 형성하고, 상기 광 변환 물질 상에 광을 조사한 후, 상기 희생 기판을 제거할 수 있다.
상기 희생 기판을 제거하는 단계(ST400)에서는, 광 경화 및/또는 열 경화 공정에 의해서, 상기 광 변환 물질이 형성 및 광이 조사된 후, 경화된 상기 광 변환 물질은 상기 하부 기판으로 이탈될 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법은, 상기 광 변환 물질 상에 일정한 파장을 가지는 광을 조사하여, 상기 광 변환 물질을 포함하는 광 변환층 상에 일정한 간격, 높이 및 직경을 가지는 엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함한다.
상기 광 변환층은 상기 돌기 패턴들에 의해 굴곡지는 형상을 가지기 때문에, 상기 광 변환을 통과하는 광의 경로가 증가될 수 있다. 이에 따라서, 상기 광 변환 입자들에 더 많은 광이 입사될 수 있고, 상기 광 변환은 향상된 효율로 파장을 변환시킬 수 있다. 따라서, 제 1 실시예 및 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재 제조 방법에 따라 제조되는 광 변환 부재는 향상된 색 재현성을 가지고, 향상된 효율을 가질 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 광원;
    상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 광 변환층;
    상기 광 변환층으로부터 출사되는 광이 입사되는 표시 패널; 및
    상기 광 변환층 상에 배치되는 보호막을 포함하고,
    상기 광 변환층의 일면은 엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함하며,
    상기 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격으로 형성되는 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 돌기 패턴은 0.1㎛ 내지 0.2㎛의 높이로 형성되는 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 돌기 패턴은 0.1㎛ 내지 1㎛의 직경으로 형성되는 표시 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 광 변환층 아래에 배치되는 하부 기판을 더 포함하는 표시 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 광 변환층을 덮는 상부 기판을 더 포함하는 표시 장치.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 광 변환층은,
    호스트; 및
    상기 호스트에 수용되고, 복수의 광 변환 입자들 및 상기 광 변환 입자들을 둘러싸는 비드를 포함하는 광 변환 복합체를 포함하고,
    상기 호스트는 1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함하는 표시 장치.
  8. 하부 기판;
    상기 하부 기판 상에 형성되고, 엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함하는 광 변환층; 및
    상기 광 변환층 상에 배치되는 보호막을 포함하고,
    상기 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격으로 형성되는 하는 광 변환 부재.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 광 변환층을 덮는 상부 기판을 더 포함하는 광 변환 부재.
  10. 삭제
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 돌기 패턴은 0.1㎛ 내지 0.2㎛의 높이로 형성되는 광 변환 부재.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 돌기 패턴은 0.1㎛ 내지 1㎛의 직경으로 형성되는 광 변환 부재.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 광 변환층은,
    호스트; 및
    상기 호스트에 수용되고, 복수의 광 변환 입자들 및 상기 광 변환 입자들을 둘러싸는 비드를 포함하는 광 변환 복합체를 포함하고,
    상기 호스트는 1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함하는 광 변환 부재.
  14. 하부 기판 및 광 변환 물질을 준비하는 단계;
    상기 하부 기판 상에 광 변환 물질을 형성하는 단계; 및
    상기 광 변환 물질 상에 광을 조사하는 단계를 포함하고,
    상기 광 변환 물질을 준비하는 단계는,
    1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함하는 호스트를 준비하는 단계;
    복수의 광 변환 입자들, 양친성 폴리머 및 제 1 용매를 포함하는 용액을 형성하는 단계;
    상기 용액에 제 2 용매를 첨가하는 단계;
    상기 용액에서 제 1 용매를 제거하여 광 변환 복합체를 형성하는 단계; 및
    상기 광 변환 복합체를 상기 호스트에 분산하는 단계를 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
  15. 희생 기판 및 광 변환 물질을 준비하는 단계;
    상기 희생 기판 상에 광 변환 물질을 형성하는 단계;
    상기 광 변환 물질 상에 광을 조사하는 단계; 및
    상기 희생 기판을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 광 변환 물질을 준비하는 단계는,
    1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함하는 호스트를 준비하는 단계;
    복수의 광 변환 입자들, 양친성 폴리머 및 제 1 용매를 포함하는 용액을 형성하는 단계;
    상기 용액에 제 2 용매를 첨가하는 단계;
    상기 용액에서 제 1 용매를 제거하여 광 변환 복합체를 형성하는 단계; 및
    상기 광 변환 복합체를 상기 호스트에 분산하는 단계를 포함하는 광 변환 부재 제조 방법.
  16. 삭제
  17. 제 14항 또는 제 15항에 있어서,
    상기 광 변환 물질 상에 광을 조사하는 단계는,
    상기 광 변환 물질 상에 400㎚ 내지 500㎚의 파장을 가지는 광을 조사하는 광 변환 부재 제조 방법.
  18. 제 14항 또는 제 15항에 있어서,
    상기 광 변환 입자는,
    화합물 반도체를 포함하는 나노 입자; 및 상기 나노 입자에 결합되는 리간드를 포함하고,
    상기 리간드는 소수성을 가지는 광 변환 부재 제조 방법.
  19. 발광부; 및
    상기 발광부로부터의 광의 경로에 배치되는 광 변환 부재를 포함하고,
    상기 광 변환 부재는,
    엠보싱 형상의 돌기 패턴을 포함하는 광 변환층을 포함하고,
    상기 돌기 패턴은 0.5㎛ 내지 1㎛의 간격으로 형성되며,
    상기 광 변환층은,
    호스트; 및
    상기 호스트에 수용되고, 복수의 광 변환 입자들 및 상기 광 변환 입자들을 둘러싸는 비드를 포함하는 광 변환 복합체를 포함하고,
    상기 호스트는 1,2,3,3,4,4-헥사플루오로-1,2-비스(4-브로모페녹시)싸이클로부탄(1,2,3,3,4,4-Hexafluoro-1,2-bis(4-bromophenoxy)cyclobutane, HFBC)를 포함하는 발광 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 돌기 패턴은 0.1㎛ 내지 0.2㎛의 높이 및 0.1㎛ 내지 1㎛의 직경으로 형성되는 발광 장치.
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