KR20130115266A - Ｌｅｄ 소자 탑재용 리드 프레임, 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 소자 탑재용 리드 프레임 - Google Patents

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다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
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Abstract

LED 소자 탑재용 리드 프레임(10)은, 프레임체 영역(13)과, 프레임체 영역(13) 내에 다열 및 다단으로 배치된 다수의 패키지 영역(14)을 구비하고 있다. 다수의 패키지 영역(14)은, 각각이 LED 소자(21)가 탑재되는 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)에 인접하는 리드부(26)를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역(15)을 개재하여 접속되어 있다. 하나의 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 상하로 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 경사 보강편(51)에 의해 연결되어 있다.

Description

ＬＥＤ 소자 탑재용 리드 프레임, 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 소자 탑재용 리드 프레임 {LED-ELEMENT MOUNTING LEAD FRAME, RESIN-ATTACHED LEAD FRAME, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR-ELEMENT MOUNTING LEAD FRAME}
본 발명은 LED 소자 탑재용 리드 프레임, 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 소자 탑재용 리드 프레임에 관한 것이다.
종래, 수지 밀봉형 반도체 장치용의 리드 프레임으로서, 예를 들어 일본 특허 공개 제2001-326316호 공보에 기재된 것이 존재한다. 이러한 리드 프레임에 있어서는, 각 다이 패드 주위에 다수의 단자부가 배치되어 있고, 이들 다수의 단자부와 현수 리드를 연결하는 타이 바가, 종횡으로 격자 형상으로 배치되어 있다.
한편, 최근 들어, LED(발광 다이오드) 소자를 광원으로서 사용하는 조명 장치가, 각종 가전, OA 기기, 차량 기기의 표시등, 일반 조명, 차량 탑재 조명 및 디스플레이 등에 사용되고 있다. 이러한 조명 장치 중에는, 리드 프레임에 LED 소자를 탑재함으로써 제작된 반도체 장치를 포함하는 경우가 있다.
일본 특허 공개 제2001-326316호 공보
LED 소자용의 반도체 장치 또는 디스크리트 반도체 소자용의 반도체 장치에 있어서는, 다이 패드의 주위에, 다이 패드와 리드가 직선상으로 일렬로 배치된 것이 있다. 이러한 반도체 장치에 사용되는 리드 프레임의 경우, 상술한 종래의 리드 프레임과 달리, 종횡의 격자 형상의 타이 바를 형성하지 않고, 서로 인접하는 다이 패드끼리 및 리드부끼리를 연결하는 것이, 1개의 리드 프레임 중의 소자의 실장(imposition) 수를 많게 할 수 있어, 리드 프레임을 효율적으로 제조할 수 있다.
이 경우, 다이 패드와 리드부는, 단락이 발생하지 않도록 이격하여 배치할 필요가 있다. 이로 인해, 각 다이 패드와 각 리드부 사이의 간극이 연결되어, 리드 프레임의 한 변에 평행한, 복수의 가늘고 긴 공간이 발생한다는 문제가 생긴다. 이로 인해, 리드 프레임이 발(bamboo blind) 형상이 되어, 취급할 때에 리드 프레임에 변형이 발생해버릴 우려가 있다.
본 발명은 이러한 점을 고려하여 이루어진 것으로, 다이 패드와 리드부 사이의 간극이 연결되어, 리드 프레임에 가늘고 긴 공간이 발생함으로써 리드 프레임이 발 형상이 되는 것을 방지하고, 취급 시에 변형이 발생하는 것을 방지하는 것이 가능한, LED 소자 탑재용 리드 프레임, 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 소자 탑재용 리드 프레임을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, LED 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서, 프레임체 영역과, 프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 LED 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고, 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부와 리드 연결부에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드는, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드와 다이 패드 연결부에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제1 경사 보강편에 의해 연결되고, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제2 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제1 경사 보강편에 의해 연결되고, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부와, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이싱 영역에 위치하는 제2 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이 패드측에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역 내의 리드부에, 다이싱 영역에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 리드부측에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역 내의 리드부에, 다이싱 영역에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, LED 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서, 프레임체 영역과, 프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 LED 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고, 적어도 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부와 리드 연결부에 의해 연결되고, 하나의 패키지 영역 내의 리드부와, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이싱 영역에 위치하는 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 경사 보강편은, 본체와, 본체 위에 형성된 도금층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 수지 부착 리드 프레임에 있어서, 리드 프레임과, 리드 프레임의 각 패키지 영역 주연 위에 배치된 반사 수지를 구비한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 수지 부착 리드 프레임을 준비하는 공정과, 수지 부착 리드 프레임의 각 반사 수지 내이며 각 다이 패드 위에 LED 소자를 탑재하는 공정과, LED 소자와 각 리드부를 도전부에 의해 접속하는 공정과, 수지 부착 리드 프레임의 각 반사 수지 내에 밀봉 수지를 충전하는 공정과, 반사 수지 및 리드 프레임을 절단함으로써, 반사 수지 및 리드 프레임을 LED 소자마다 분리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
본 발명은, 반도체 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서, 프레임체 영역과, 프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 반도체 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고, 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부와 리드 연결부에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드는, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드와 다이 패드 연결부에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제1 경사 보강편에 의해 연결되고, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제2 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제1 경사 보강편에 의해 연결되고, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부와, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이싱 영역에 위치하는 제2 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이 패드측에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역 내의 리드부에, 다이싱 영역에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 리드부측에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역 내의 리드부에, 다이싱 영역에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은 반도체 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서, 프레임체 영역과, 프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 반도체 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고, 적어도 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부와 리드 연결부에 의해 연결되고, 하나의 패키지 영역 내의 리드부와, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이싱 영역에 위치하는 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명에 따르면, 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 경사 보강편에 의해 연결되어 있으므로, 각 다이 패드와 각 리드부의 사이의 간극이 연결되어, 리드 프레임의 한 변에 대하여 평행한, 복수의 가늘고 긴 공간이 발생하지 않는다. 따라서, 취급 시에 리드 프레임이 변형되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은, LED 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서, 프레임체 영역과, 프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 LED 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고, 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와 각각 다이 패드 연결부 및 리드 연결부에 의해 연결되고, 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 보강편은, 프레임체 영역 내측의 전체 길이에 걸쳐 연장되어 다이 패드 연결부 및 리드 연결부를 연결하고 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부를 각각 연결하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되고, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부를 각각 연결하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 보강편에 의해 연결되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 보강편은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부에 각각 연결된 다이 패드 연결부 및 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 리드 연결부를 연결하고 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 각 패키지 영역은, 1개의 다이 패드와, 이 다이 패드의 양측에 위치하는 제1 리드부 및 제2 리드부를 포함하고, 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드, 제1 리드부 및 제2 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드, 제1 리드부 및 제2 리드부와 각각 다이 패드 연결부, 제1 리드 연결부 및 제2 리드 연결부에 의해 연결되고, 상기 하나의 패키지 영역과, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역의 사이에서, 보강편은, 다이 패드 연결부 및 제1 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 제1 리드 연결부를 연결하고, 상기 하나의 패키지 영역과, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역의 사이에서, 보강편은, 다이 패드 연결부 및 제2 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 제2 리드 연결부를 연결하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, LED 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서, 프레임체 영역과, 프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 LED 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고, 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부는, 세로 방향으로 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와 각각 다이 패드 연결부 및 리드 연결부에 의해 연결되고, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 일부의 다이싱 영역에 위치하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 당해 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 보강편이 설치된 다이싱 영역은, 소정수 걸러 주기적으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 보강편이 설치된 다이싱 영역은, 불규칙하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 보강편은, 본체와, 본체 위에 형성된 도금층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 수지 부착 리드 프레임에 있어서, 리드 프레임과, 리드 프레임의 각 패키지 영역 주연 위에 배치된 반사 수지를 구비한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임이다.
본 발명은, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 수지 부착 리드 프레임을 준비하는 공정과, 수지 부착 리드 프레임의 각 반사 수지 내이며 각 다이 패드 위에 LED 소자를 탑재하는 공정과, LED 소자와 각 리드부를 도전부에 의해 접속하는 공정과, 수지 부착 리드 프레임의 각 반사 수지 내에 밀봉 수지를 충전하는 공정과, 반사 수지 및 리드 프레임을 절단함으로써, 반사 수지 및 리드 프레임을 LED 소자마다 분리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
본 발명은, 반도체 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서, 프레임체 영역과, 프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 반도체 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고, 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와 각각 다이 패드 연결부 및 리드 연결부에 의해 연결되고, 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 보강편은, 프레임체 영역 내측의 전체 길이에 걸쳐 연장되어 다이 패드 연결부 및 리드 연결부를 연결하고 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부를 각각 연결하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되고, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부를 각각 연결하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 보강편에 의해 연결되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 보강편은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부에 각각 연결된 다이 패드 연결부 및 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 리드 연결부를 연결하고 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 각 패키지 영역은, 1개의 다이 패드와, 이 다이 패드의 양측에 위치하는 제1 리드부 및 제2 리드부를 포함하고, 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드, 제1 리드부 및 제2 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드, 제1 리드부 및 제2 리드부와 각각 다이 패드 연결부, 제1 리드 연결부 및 제2 리드 연결부에 의해 연결되고, 상기 하나의 패키지 영역과, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역의 사이에서, 보강편은, 다이 패드 연결부 및 제1 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 제1 리드 연결부를 연결하고, 상기 하나의 패키지 영역과, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역의 사이에서, 보강편은, 다이 패드 연결부 및 제2 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 제2 리드 연결부를 연결하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 반도체 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서, 프레임체 영역과, 프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 반도체 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고, 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부는, 세로 방향으로 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와 각각 다이 패드 연결부 및 리드 연결부에 의해 연결되고, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 일부의 다이싱 영역에 위치하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 당해 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 보강편이 설치된 다이싱 영역은, 소정수 걸러 주기적으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명은, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 보강편이 설치된 다이싱 영역은, 불규칙하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임이다.
본 발명에 따르면, 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되어 있으므로, 각 다이 패드와 각 리드부의 사이의 간극이 연결되어, 리드 프레임의 한 변에 대하여 평행한, 복수의 가늘고 긴 공간이 발생하지 않는다. 따라서, 취급 시에 리드 프레임이 변형되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임을 나타내는 전체 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임을 나타내는 부분 확대 평면도(도 1의 A부 확대도)이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임을 도시하는 단면도(도 2의 B-B선 단면도)이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임에 의해 제작된 반도체 장치를 도시하는 단면도(도 5의 C-C선 단면도)이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임에 의해 제작된 반도체 장치를 도시하는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 제조 방법을 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임을 사용하여, 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임을 사용하여, 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시하는 도면이다.
도 9는 반도체 장치를 제조하는 방법 중, 다이싱 공정을 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 1-1)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 11은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 1-2)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 12는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 1-3)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 13은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 1-4)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 14는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 1-5)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 15는 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 1-6)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 16은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 1-7)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 17은 본 발명의 제1 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 1-8)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 18은 반도체 장치의 변형예(변형예 A)를 도시하는 단면도이다.
도 19는 반도체 장치의 변형예(변형예 B)를 도시하는 단면도이다.
도 20은 반도체 장치의 변형예(변형예 C)를 도시하는 단면도이다.
도 21은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임을 나타내는 전체 평면도이다.
도 22는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임을 나타내는 부분 확대 평면도(도 21의 D부 확대도)이다.
도 23은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임을 도시하는 단면도(도 22의 E-E선 단면도)이다.
도 24는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임에 의해 제작된 반도체 장치를 도시하는 단면도(도 25의 F-F선 단면도)이다.
도 25는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임에 의해 제작된 반도체 장치를 도시하는 평면도이다.
도 26은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 제조 방법을 도시하는 도면이다.
도 27은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임을 사용하여, 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시하는 도면이다.
도 28은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임을 사용하여, 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시하는 도면이다.
도 29는 반도체 장치를 제조하는 방법 중, 다이싱 공정을 도시하는 도면이다.
도 30은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-1)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 31은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-2)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 32는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-3)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 33은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-4)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 34는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-5)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 35는 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-6)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 36은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-7)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 37은 변형예 2-7(도 36)에 의한 리드 프레임을 사용하여 제작된 반도체 장치를 도시하는 개략 평면도이다.
도 38은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-8)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 39는 변형예 2-8(도 38)에 의한 리드 프레임을 사용하여 제작된 반도체 장치를 도시하는 개략 평면도이다.
도 40은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-9)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 41은 본 발명의 제2 실시 형태에 의한 리드 프레임의 변형예(변형예 2-10)를 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 42는 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 리드 프레임을 도시하는 단면도이다.
도 43은 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 리드 프레임에 의해 제작된 반도체 장치를 도시하는 단면도이다.
도 44는 본 발명의 제3 실시 형태에 의한 리드 프레임을 사용하여, 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시하는 단면도이다.
(제1 실시 형태)
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시 형태를 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 대해서 도 1 내지 도 20을 참조하여 설명한다.
리드 프레임의 구성
우선, 도 1 내지 도 3에 의해, 본 실시 형태에 의한 LED 소자 탑재용 리드 프레임의 개략에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 의한 리드 프레임의 전체 평면도이며, 도 2는 도 1의 A부 확대도이며, 도 3은 도 2의 B-B선 단면도이다.
도 1에 도시하는 리드 프레임(10)은 LED 소자(21)를 탑재한 반도체 장치(20)(도 4 및 도 5)를 제작할 때에 사용되는 것이다. 이러한 리드 프레임(10)은 직사각 형상의 외형을 갖는 프레임체 영역(13)과, 프레임체 영역(13) 내에 다열 및 다단으로(매트릭스 형상으로) 배치된 다수의 패키지 영역(14)을 구비하고 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 패키지 영역(14)은, 각각 LED 소자(21)가 탑재되는 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)에 인접하는 리드부(26)를 포함하고 있다. 또한, 복수의 패키지 영역(14)은 서로 다이싱 영역(15)을 개재하여 접속되어 있다.
하나의 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와 리드부(26) 사이에는, 간극이 형성되어 있어, 다이싱된 후, 다이 패드(25)와 리드부(26)는 서로 전기적으로 절연되도록 되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14)은 각각 개개의 반도체 장치(20)에 대응하는 영역이다. 또한, 도 2에서, 각 패키지 영역(14)을 2점 쇄선으로 나타내고 있다.
한편, 다이싱 영역(15)은, 각 패키지 영역(14)의 사이에 종횡으로 연장되어 있다. 이 다이싱 영역(15)은, 후술하는 바와 같이, 반도체 장치(20)를 제조하는 공정에서, 리드 프레임(10)을 패키지 영역(14)마다 분리할 때에 블레이드(38)가 통과하는 영역이 된다. 또한, 도 2에서, 다이싱 영역(15)을 빗금으로 나타내고 있다.
또한, 본 명세서에서, 도 2에 도시한 바와 같이, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와 다이 패드(25)를 좌우로 나란히 배치한 경우의 가로 방향이 X 방향에 대응하고, 세로 방향이 Y 방향에 대응한다. 또한 이 경우, Y 방향 플러스측, Y 방향 마이너스측을 각각 상방, 하방이라 하고, X 방향 플러스측, X 방향 마이너스측을 각각 우측 방향, 좌측 방향이라 한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 그 상방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 경사 보강편(51)에 의해 서로 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와, 그 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 경사 보강편(51)에 의해 서로 연결되어 있다. 각 경사 보강편(51)은 다이싱 영역(15)에 위치하고 있고, 또한 도 2의 X 방향 및 Y 방향 중 어디에 대해서도 경사지도록 배치되어 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 그 상방 및 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와, 각각 리드 연결부(52)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 그 상방 및 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각각 다이 패드 연결부(53)에 의해 연결되어 있다. 이들 각 리드 연결부(52) 및 각 다이 패드 연결부(53)는 모두 다이싱 영역(15)에 위치하고 있고, 또한 Y 방향으로 평행하게 배치되어 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 그 우측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와, 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 그 좌측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다. 각 패키지 영역 연결부(54)는, 다이싱 영역(15)에 위치하고 있고, 또한 X 방향으로 평행하게 배치되어 있다.
또한, 가장 외주에 위치하는 패키지 영역(14) 내의 리드부(26) 및 다이 패드(25)는, 경사 보강편(51), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54) 중 1개 또는 복수에 의해 프레임체 영역(13)에 연결되어 있다.
한편, 도 3의 단면도에 도시한 바와 같이, 리드 프레임(10)은, 리드 프레임 본체(11)와, 리드 프레임 본체(11) 위에 형성된 도금층(12)을 포함하여 이루어져 있다.
이 중 리드 프레임 본체(11)는 금속판을 포함하여 이루어져 있다. 리드 프레임 본체(11)를 구성하는 금속판의 재료로는, 예를 들어 구리, 구리 합금, 42 합금(Ni 42%의 Fe 합금) 등을 들 수 있다. 이 리드 프레임 본체(11)의 두께는, 반도체 장치의 구성에도 의하지만, 0.05mm 내지 0.5mm로 하는 것이 바람직하다.
또한, 도금층(12)은, 리드 프레임 본체(11)의 표면 및 이면의 전체에 설치되어 있다. 표면측의 도금층(12)은, LED 소자(21)로부터의 광을 반사하기 위한 반사층으로서 기능한다. 한편, 이면측의 도금층(12)은, 땜납과의 밀착성을 높이는 역할을 한다. 이 도금층(12)은, 예를 들어 은(Ag)의 전해 도금층을 포함하여 이루어져 있다. 도금층(12)은, 그 두께가 매우 얇게 형성되어 있으며, 구체적으로는 0.005㎛ 내지 0.2㎛가 되는 것이 바람직하다. 또한, 도금층(12)은, 반드시 리드 프레임 본체(11)의 표면 및 이면의 전체에 설치할 필요는 없고, 리드 프레임 본체(11)의 표면 및 이면 중 일부에만 설치해도 된다.
또한, 다이 패드(25)의 이면에 제1 아우터 리드부(27)가 형성되고, 리드부(26)의 저면에 제2 아우터 리드부(28)가 형성되어 있다. 제1 아우터 리드부(27) 및 제2 아우터 리드부(28)는, 각각 반도체 장치(20)와 외부의 배선 기판을 접속할 때에 사용된다.
또한 리드 프레임(10)의 표면에는, 리드 프레임(10)과 반사 수지(23)(후술)의 밀착성을 높이기 위한 홈(18)이 형성되어 있다. 또한, 도 2에서는, 홈(18)의 표시를 생략하고 있다.
반도체 장치의 구성
이어서, 도 4 및 도 5에 의해, 도 1 내지 도 3에 도시하는 리드 프레임을 사용하여 제작된 반도체 장치의 일 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 4 및 도 5는 각각 반도체 장치(SON 타입)를 도시하는 단면도 및 평면도이다.
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(20)는, (개편화된) 리드 프레임(10)과, 리드 프레임(10)의 다이 패드(25)에 적재된 LED 소자(21)와, LED 소자(21)와 리드 프레임(10)의 리드부(26)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어(도전부)(22)를 구비하고 있다.
또한, LED 소자(21)를 둘러싸도록, 오목부(23a)를 갖는 반사 수지(23)가 설치되어 있다. 이 반사 수지(23)는 리드 프레임(10)과 일체화되어 있다. 또한, LED 소자(21)와 본딩 와이어(22)는 투광성의 밀봉 수지(24)에 의해 밀봉되어 있다. 이 밀봉 수지(24)는 반사 수지(23)의 오목부(23a) 내에 충전되어 있다.
이하, 이러한 반도체 장치(20)를 구성하는 각 구성 부재에 대해서, 순차 설명한다.
LED 소자(21)는 발광층으로서 예를 들어 GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, AlInGaP 또는 InGaN 등의 화합물 반도체 단결정을 포함하여 이루어지는 재료를 적절히 선택함으로써, 자외광에서부터 적외광에 걸친 발광 파장을 선택할 수 있다. 이러한 LED 소자(21)로는, 종래 일반적으로 사용되고 있는 것을 사용할 수 있다.
또한 LED 소자(21)는, 땜납 또는 다이 본딩 페이스트에 의해, 반사 수지(23)의 오목부(23a) 내에서 다이 패드(25) 위에 고정 실장되어 있다. 또한, 다이 본딩 페이스트를 사용하는 경우, 내광성이 있는 에폭시 수지나 실리콘 수지를 포함하여 이루어지는 다이 본딩 페이스트를 선택하는 것이 가능하다.
본딩 와이어(22)는, 예를 들어 금 등의 도전성이 좋은 재료를 포함하여 이루어지고, 그 일단부가 LED 소자(21)의 단자부(21a)에 접속됨과 함께, 그 타단이 리드부(26) 위에 접속되어 있다.
반사 수지(23)는, 예를 들어 리드 프레임(10) 위에 열가소성 수지를 예를 들어 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형함으로써 형성된 것이다. 반사 수지(23)의 형상은, 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형에 사용하는 금형의 설계에 의해, 다양하게 실현하는 것이 가능하다. 예를 들어, 반사 수지(23)의 전체 형상을, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이 직육면체로 해도 되고, 또는 원통형 또는 뿔형 등의 형상으로 하는 것도 가능하다. 또한 오목부(23a)의 저면은, 직사각형, 원형, 타원형 또는 다각형 등으로 할 수 있다. 오목부(23a)의 측벽의 단면 형상은, 도 4와 같이 직선으로 구성되어 있어도 되고, 또는 곡선으로 구성되어 있어도 된다.
반사 수지(23)에 사용되는 열가소성 수지에 대해서는, 특히 내열성, 내후성 및 기계적 강도가 우수한 것을 선택하는 것이 바람직하다. 열가소성 수지의 종류로는, 폴리아미드, 폴리프탈아미드, 폴리페닐렌술피드, 액정 중합체, 폴리에테르술폰, 실리콘, 에폭시, 폴리에테르이미드, 폴리우레탄 및 폴리부틸렌테레프탈레이트 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 수지 중에 광 반사제로서, 이산화티타늄, 이산화지르코늄, 티타늄산칼륨, 질화알루미늄 및 질화붕소 중 어느 하나를 첨가함으로써, 오목부(23a)의 저면 및 측면에서, 발광 소자로부터의 광의 반사율을 증대시켜, 반도체 장치(20) 전체의 광 취출 효율을 증대시키는 것이 가능하게 된다.
밀봉 수지(24)로는, 광의 취출 효율을 향상시키기 위해서, 반도체 장치(20)의 발광 파장에 있어서 광투과율이 높고, 또한 굴절률이 높은 재료를 선택하는 것이 바람직하다. 따라서 내열성, 내후성 및 기계적 강도가 높은 특성을 만족하는 수지로서, 에폭시 수지나 실리콘 수지를 선택하는 것이 가능하다. 특히, LED 소자(21)로서 고휘도 LED를 사용하는 경우, 밀봉 수지(24)가 강한 광에 노출되기 때문에, 밀봉 수지(24)는 높은 내후성을 갖는 실리콘 수지를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 리드 프레임(10)의 구성에 대해서는, 도 1 내지 도 3을 사용하여 이미 설명했으므로, 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
LED 소자 탑재용 리드 프레임의 제조 방법
이어서, 도 1 내지 도 3에 도시하는 리드 프레임(10)의 제조 방법에 대해서, 도 6의 (a) 내지 (f)를 사용하여 설명한다.
우선 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 평판 형상의 금속 기판(31)을 준비한다. 이 금속 기판(31)으로는, 상술한 바와 같이 구리, 구리 합금, 42 합금(Ni 42%의 Fe 합금) 등을 포함하여 이루어지는 금속 기판을 사용할 수 있다. 또한 금속 기판(31)은 그 양면에 대하여 탈지 등을 행하고, 세정 처리를 실시한 것을 사용하는 것이 바람직하다.
이어서, 금속 기판(31)의 표리 전체에 각각 감광성 레지스트(32a, 33a)를 도포하고, 이것을 건조한다(도 6의 (b)). 또한 감광성 레지스트(32a, 33a)로는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다.
계속해서, 이 금속 기판(31)에 대하여 포토마스크를 통해 노광하고 현상함으로써, 원하는 개구부(32b, 33b)를 갖는 에칭용 레지스트층(32, 33)을 형성한다(도 6의 (c)).
이어서, 에칭용 레지스트층(32, 33)을 내부식 막으로 해서 금속 기판(31)에 부식액으로 에칭을 실시한다(도 6의 (d)). 부식액은, 사용하는 금속 기판(31)의 재질에 따라서 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 금속 기판(31)으로서 구리를 사용하는 경우, 통상, 염화제2철 수용액을 사용하여, 금속 기판(31)의 양면으로부터 스프레이 에칭으로 행할 수 있다.
계속해서, 에칭용 레지스트층(32, 33)을 박리하여 제거함으로써, 리드 프레임 본체(11)가 얻어진다(도 6의 (e)). 또한 이때, 도 2에 도시하는 경사 보강편(51), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54)가 에칭에 의해 형성된다.
이어서, 리드 프레임 본체(11)의 표면 및 이면에 전해 도금을 실시함으로써, 리드 프레임 본체(11) 위에 금속(은)을 석출시켜, 리드 프레임 본체(11)의 표면 및 이면에 도금층(12)을 형성한다(도 6의 (f)). 이 경우, 경사 보강편(51), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54)가, 모두 본체(리드 프레임 본체(11))와, 본체 위에 형성된 도금층(12)을 포함하여 이루어져 있으므로, 이들 경사 보강편(51), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54)의 강도를 높일 수 있다.
그 사이에, 구체적으로는, 예를 들어 전해 탈지 공정, 산 세정 공정, 화학 연마 공정, 구리 스트라이크 공정, 수세 공정, 중성 탈지 공정, 시안 세정 공정 및 은 도금 공정을 순차 거침으로써, 리드 프레임 본체(11)에 도금층(12)을 형성한다. 이 경우, 은 도금 공정에서 사용되는 전해 도금용의 도금액으로는, 예를 들어 시안화은을 주성분으로 한 은 도금액을 들 수 있다. 실제의 공정에서는, 각 공정간에 필요에 따라 적절히 수세 공정을 첨가한다. 또한, 상기 공정 도중에 패터닝 공정을 개재시킴으로써, 리드 프레임 본체(11)의 일부에 도금층(12)을 형성해도 된다.
이와 같이 하여, 도 1 내지 도 3에 도시하는 리드 프레임(10)이 얻어진다(도 6의 (f)).
또한, 도 6의 (a) 내지 (f)에서, 에칭에 의해 리드 프레임(10)을 제조하는 방법을 나타냈지만, 프레스에 의한 제조 방법을 사용해도 된다.
반도체 장치의 제조 방법
이어서, 도 4 및 도 5에 도시하는 반도체 장치(20)의 제조 방법에 대해서, 도 7의 (a) 내지 (d), 도 8의 (a) 내지 (e) 및 도 9의 (a) 내지 (b)를 사용하여 설명한다.
우선 상술한 공정에 의해(도 6의 (a) 내지 (f)), 리드 프레임(10)을 제작한다(도 7의 (a)).
계속해서, 이 리드 프레임(10)을, 사출 성형기 또는 트랜스퍼 성형기(도시하지 않음)의 금형(35) 내에 장착한다(도 7의 (b)). 금형(35) 내에는, 반사 수지(23)의 형상에 대응하는 공간(35a)이 형성되어 있다.
이어서, 사출 성형기 또는 트랜스퍼 성형기의 수지 공급부(도시하지 않음)로부터 금형(35) 내에 열가소성 수지를 유입하고, 그 후 경화시킴으로써, 리드 프레임(10)의 도금층(12) 위에 반사 수지(23)를 형성한다(도 7의 (c)).
계속해서, 반사 수지(23)가 형성된 리드 프레임(10)을 금형(35) 내로부터 꺼낸다. 이와 같이 하여, 반사 수지(23)와 리드 프레임(10)이 일체로 형성된 수지 부착 리드 프레임(30)이 얻어진다(도 7의 (d)). 본 실시 형태에서, 이와 같이, 리드 프레임(10)과, 리드 프레임(10)의 각 패키지 영역(14)의 주연 위에 배치된 반사 수지(23)를 구비한 수지 부착 리드 프레임(30)도 제공한다.
이어서, 수지 부착 리드 프레임(30)의 각 반사 수지(23) 내이며, 리드 프레임(10)의 다이 패드(25) 위에 LED 소자(21)를 탑재한다. 이 경우, 땜납 또는 다이 본딩 페이스트를 사용하여, LED 소자(21)를 다이 패드(25) 위에 적재하여 고정한다(다이 어태치 공정)(도 8의 (a)).
이어서, LED 소자(21)의 단자부(21a)와 리드부(26) 표면을, 본딩 와이어(22)에 의해 서로 전기적으로 접속한다(와이어 본딩 공정)(도 8의 (b)).
그 후, 반사 수지(23)의 오목부(23a) 내에 밀봉 수지(24)를 충전하고, 밀봉 수지(24)에 의해 LED 소자(21)와 본딩 와이어(22)를 밀봉한다(도 8의 (c)).
이어서, 반사 수지(23) 및 리드 프레임(10) 중 다이싱 영역(15)에 대응하는 부분을 절단함으로써, 반사 수지(23) 및 리드 프레임(10)을 LED 소자(21)마다 분리한다(다이싱 공정)(도 8의 (d)). 이때, 우선 리드 프레임(10)을 다이싱 테이프(37) 위에 적재하여 고정하고, 그 후, 예를 들어 다이아몬드 지석 등으로 이루어지는 블레이드(38)에 의해, 각 LED 소자(21) 사이의 반사 수지(23), 및 리드 프레임(10)의 경사 보강편(51), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54)를 절단한다.
이때, 도 9의 (a)에 도시한 바와 같이, 다이싱 영역(15)의 폭에 대응하는 상대적으로 두꺼운 블레이드(38)에 의해 리드 프레임(10)을 절단해도 된다. 이 경우, 1회의 절단 작업으로, 인접하는 패키지 영역(14)끼리를 효율적으로 분리할 수 있다. 또는, 도 9의 (b)에 도시한 바와 같이, 다이싱 영역(15)의 폭보다 좁은 상대적으로 얇은 블레이드(38)를 사용하여, 2회의 절단 작업에 의해 리드 프레임(10)을 절단해도 된다. 이 경우, 1회의 절단 작업당의 블레이드(38)의 이송 속도를 빨리할 수 있고, 또한 블레이드(38)의 수명을 길게 할 수 있다.
이와 같이 하여, 도 4 및 도 5에 도시하는 반도체 장치(20)를 얻을 수 있다(도 8의 (e)).
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 의하면, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 경사 보강편(51)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다. 따라서, 리드 프레임(10)의 상하 방향을 따라서 가늘고 긴 공간이 발생하지 않아, 리드 프레임(10)이 상하 방향으로 발 형상이 되지 않는다. 이에 의해, 취급 시에 리드 프레임(10)에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와 리드 연결부(52)에 의해 연결되고, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와 다이 패드 연결부(53)에 의해 연결되어 있다. 따라서, 리드 프레임(10)의 좌우 방향을 따라 가늘고 긴 공간이 발생하지 않아, 리드 프레임(10)이 좌우 방향으로 발 형상이 되지 않는다. 이에 의해, 취급 시에 리드 프레임(10)에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 리드 프레임(10)의 변형을 방지함으로써, 리드 프레임(10)에 반사 수지(23)를 형성할 때(도 7의 (b), (c)), 리드 프레임(10)에 대한 반사 수지(23)의 형성 위치가 어긋나지 않는다. 따라서, 작은 패키지 영역(14)에 대하여 대면적의 LED 소자(21)를 탑재하거나, 복수의 LED 소자(21)를 탑재하거나, 또는 LED 소자(21) 이외에 정전 파괴 소자를 탑재하는 것도 용이해진다.
또한, 본 실시 형태에 의하면, 각 패키지 영역(14)의 주위에 종횡의 타이 바를 설치할 필요가 없기 때문에, 각 패키지 영역(14)끼리를 접근시켜 배치할 수 있고, 리드 프레임(10)당의 패키지 영역(14)의 취득 개수를 증가시킬 수 있다(고밀도 실장이 가능하게 된다).
또한, 본 실시 형태에 의하면, 각 패키지 영역(14)의 코너부에 현수 리드 등의 커넥팅 바가 존재하지 않으므로, 반도체 장치(20)의 코너부에서, 반사 수지(23)가 리드 프레임(10)으로부터 박리할 우려가 없어, 반도체 장치(20)의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.
리드 프레임의 변형예
이하, 본 실시 형태에 의한 리드 프레임의 각종 변형예(변형예 1-1 내지 변형예 1-8)에 대해서, 도 10 내지 도 17을 참조하여 설명한다. 도 10 내지 도 17은, 각각 리드 프레임의 변형예를 나타내는 부분 확대 평면도(도 2에 대응하는 도)이다. 도 10 내지 도 17에서, 도 1 내지 도 9에 나타내는 실시 형태와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.
변형예 1-1
도 10은 본 실시 형태의 하나의 변형예(변형예 1-1)에 의한 리드 프레임(10A)을 나타내고 있다. 도 10에 도시하는 리드 프레임(10A)에 있어서, 도 1 내지 도 9에 나타내는 실시 형태와 달리, 다이 패드(25)끼리를 연결하는 다이 패드 연결부(53)는 설치되어 있지 않다.
즉 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 상방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와 경사 보강편(51)에 의해 연결되고, 우측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있지만, 상방 및 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와는 직접 연결되어 있지 않다.
이와 같이, 다이 패드 연결부(53)를 설치하지 않음으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 1 내지 도 9에 나타내는 실시 형태와 대략 동일하다.
변형예 1-2
도 11은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 1-2)에 의한 리드 프레임(10B)을 나타내고 있다. 도 11에 도시하는 리드 프레임(10B)에 있어서, 도 1 내지 도 9에 나타내는 실시 형태와 달리, 리드부(26)끼리를 연결하는 리드 연결부(52)는 설치되어 있지 않다.
즉 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와 경사 보강편(51)에 의해 연결되고, 좌측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있지만, 상방 및 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와는 직접 연결되어 있지 않다.
이와 같이, 리드 연결부(52)를 설치하지 않음으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 1 내지 도 9에 나타내는 실시 형태와 대략 동일하다.
변형예 1-3
도 12는 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 1-3)에 의한 리드 프레임(10C)을 나타내고 있다. 도 12에 나타내는 리드 프레임(10C)에 있어서, 도 1 내지 도 9에 나타내는 실시 형태와 달리, 각 패키지 영역(14)은 1개의 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)의 양측에 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(이하, 제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b)라고도 함)를 갖고 있다(3pin 타입).
이 경우, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각 패키지 영역(14)의 상방에 인접하는 패키지 영역(14)(제1 패키지 영역) 내의 제1 리드부(26a)는, 제1 경사 보강편(51a)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각 패키지 영역(14)의 하방에 인접하는 패키지 영역(14)(각 패키지 영역(14)에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역) 내의 제2 리드부(26b)는, 제2 경사 보강편(51b)에 의해 연결되어 있다. 또한, 제1 경사 보강편(51a) 및 제2 경사 보강편(51b)은 모두 다이싱 영역(15)에 위치하고 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 그 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14)(제1 패키지 영역 및 제2 패키지 영역) 내의 다이 패드(25)와, 각각 다이 패드 연결부(53)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 그 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14)(제1 패키지 영역 및 제2 패키지 영역) 내의 제1 리드부(26a)와, 각각 제1 리드 연결부(52a)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)는, 그 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14)(제1 패키지 영역 및 제2 패키지 영역) 내의 제2 리드부(26b)와, 각각 제2 리드 연결부(52b)에 의해 연결되어 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)는 그 우측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)와, 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 그 좌측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)와, 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다.
이와 같이, 각 패키지 영역(14)이 다이 패드(25)와 한 쌍의 리드부(26a, 26b)를 갖는 경우에도, 리드 프레임(10C)이 발 형상으로 되는 것을 방지하여, 취급 시에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
변형예 1-4
도 13은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 1-4)에 의한 리드 프레임(10D)을 나타내고 있다. 도 13에 나타내는 리드 프레임(10D)에 있어서, 도 12에 나타내는 변형예 1-3과 달리, 다이 패드(25)끼리를 연결하는 다이 패드 연결부(53)는 설치되어 있지 않다.
즉 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 상방에 인접하는 다른 패키지 영역(14)(제1 패키지 영역) 내의 제1 리드부(26a)와 제1 경사 보강편(51a)에 의해 연결되고, 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14)(제2 패키지 영역) 내의 제2 리드부(26b)와 제2 경사 보강편(51b)에 의해 연결되어 있다. 한편, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 상방 및 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14)(제1 패키지 영역 및 제2 패키지 영역) 내의 다이 패드(25)와는 직접 연결되어 있지 않다.
이와 같이, 다이 패드 연결부(53)를 설치하지 않음으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 12에 나타내는 변형예 1-3과 대략 동일하다.
변형예 1-5
도 14는 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 1-5)에 의한 리드 프레임(10E)을 나타내고 있다. 도 14에 도시하는 리드 프레임(10E)에 있어서, 도 12에 나타내는 변형예 1-3과 달리, 제1 경사 보강편(51a) 및 제2 경사 보강편(51b)이 연결된 다이 패드(25)와, 제1 경사 보강편(51a) 및 제2 경사 보강편(51b)이 연결되어 있지 않은 다이 패드(25)가 상하 방향 1개 간격으로 설치되어 있다.
예를 들어, 도 14에서, 패키지 영역(14(14b))의 다이 패드(25)에는, 제1 경사 보강편(51a) 및 제2 경사 보강편(51b)이 모두 연결되어 있지 않다. 이에 반해, 패키지 영역(14(14b))의 상방에 인접하는 패키지 영역(14(14a))과, 패키지 영역(14(14b))의 하방에 인접하는 패키지 영역(14(14c))에는, 각각 제1 경사 보강편(51a) 및 제2 경사 보강편(51b)이 연결되어 있다.
이와 같이, 제1 경사 보강편(51a) 및 제2 경사 보강편(51b)의 수를 저감시킴으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 12에 나타내는 변형예 1-3과 대략 동일하다.
변형예 1-6
도 15는 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 1-6)에 의한 리드 프레임(10F)을 나타내고 있다. 도 15에 도시하는 리드 프레임(10F)에 있어서, 도 1 내지 도 9에 나타내는 실시 형태와 달리, 다이 패드 연결부(53) 및 리드 연결부(52)는 설치되어 있지 않다.
이 경우, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각 패키지 영역(14)의 상방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 제1 경사 보강편(51a)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와, 각 패키지 영역(14)의 상방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 제2 경사 보강편(51b)에 의해 연결되어 있다. 또한, 제1 경사 보강편(51a) 및 제2 경사 보강편(51b)은 모두 다이싱 영역(15)에 위치하고 있다. 또한, 제1 경사 보강편(51a) 및 제2 경사 보강편(51b)은, 서로 교차함으로써 X자 형상을 이루고 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각 패키지 영역(14)의 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 제2 경사 보강편(51b)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와, 각 패키지 영역(14)의 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 제1 경사 보강편(51a)에 의해 연결되어 있다.
이와 같이, 다이 패드 연결부(53) 및 리드 연결부(52)를 설치하지 않음으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 1 내지 도 9에 나타내는 실시 형태와 대략 동일하다.
변형예 1-7
도 16은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 1-7)에 의한 리드 프레임(10G)을 나타내고 있다. 도 16에 나타내는 리드 프레임(10G)에 있어서, 도 15에 도시하는 변형예 1-6과 달리, 패키지 영역 연결부(54)는 설치되어 있지 않다.
이 경우, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 다이 패드(25)측(우측)에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)에, 다이싱 영역(15)에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편(55a, 55b)에 의해 연결되어 있다. 즉, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 추가 경사 보강편(55a)에 의해 우측 경사 상방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)에 연결되고, 추가 경사 보강편(55b)에 의해 우측 경사 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)에 연결되어 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 리드부(26)측(좌측)에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)에, 다이싱 영역(15)에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편(55b, 55a)에 의해 연결되어 있다. 즉, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 좌측 경사 상방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)에 추가 경사 보강편(55b)에 의해 연결되고, 좌측 경사 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)에 추가 경사 보강편(55a)에 의해 연결되어 있다. 그 외의 구성은, 도 15에 도시하는 변형예 1-6과 대략 동일하다.
변형예 1-8
도 17은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 1-8)에 의한 리드 프레임(10H)을 나타내고 있다. 도 17에 나타내는 리드 프레임(10H)에 있어서, 도 16에 나타내는 변형예 1-7과 달리, 각 패키지 영역(14)은, 1개의 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)의 양측에 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b))를 갖고 있다.
이 경우, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각 패키지 영역(14)의 상방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 제1 경사 보강편(51a)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각 패키지 영역(14)의 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 제2 경사 보강편(51b)에 의해 연결되어 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각 패키지 영역(14)의 상방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 제3 경사 보강편(51c)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각 패키지 영역(14)의 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 제4 경사 보강편(51d)에 의해 연결되어 있다.
각 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 제1 리드부(26a)측(좌측)에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)에, 각각 다이싱 영역(15)에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편(55b, 55a)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)에, 각각 제2 경사 보강편(51b) 및 제1 경사 보강편(51a)에 의해 연결되어 있다.
각 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)는, 제2 리드부(26b)측(우측)에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)에, 각각 다이싱 영역(15)에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편(55a, 55b)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)는, 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)에, 각각 제4 경사 보강편(51d) 및 제3 경사 보강편(51c)에 의해 연결되어 있다.
이상, 도 10 내지 도 17에 나타내는 리드 프레임(변형예 1-1 내지 변형예 1-8)에 대해서도, 상술한 도 1 내지 도 9에 나타내는 실시 형태의 효과와 대략 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
반도체 장치의 변형예
이어서, 본 실시 형태에 의한 반도체 장치의 변형예(변형예 A 내지 변형예 C)에 대해서, 도 18 내지 도 20을 참조하여 설명한다. 도 18 내지 도 20은 각각 반도체 장치의 변형예를 도시하는 단면도(도 4에 대응하는 도)이다. 도 18 내지 도 20에서, 도 4 및 도 5에 도시하는 실시 형태와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.
변형예 A
도 18은 본 실시 형태의 일 변형예(3pin 타입)에 의한 반도체 장치(20A)를 나타내고 있다. 도 18에 나타내는 반도체 장치(20A)에 있어서, 리드 프레임(10)은 1개의 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)의 양측에 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b))를 갖고 있다.
또한, LED 소자(21)는 한 쌍의 단자부(21a)를 갖고 있으며, 이 한 쌍의 단자부(21a)는, 각각 본딩 와이어(22)를 개재하여 제1 리드부(26a) 및 제2 리드부(26b)에 접속되어 있다. 이 경우, 리드 프레임(10)으로는, 예를 들어 도 12, 도 13, 도 14 또는 도 17에 나타내는 것(리드 프레임(10C, 10D, 10E, 10H))을 사용할 수 있다. 그 외의 구성은 상술한 도 4 및 도 5에 도시하는 반도체 장치(20)와 대략 동일하다.
변형예 B
도 19는 본 실시 형태의 일 변형예(렌즈 부착 일괄 몰드 타입)에 의한 반도체 장치(20B)를 나타내고 있다. 도 19에 나타내는 반도체 장치(20B)에 있어서, 반사 수지(23)는 다이 패드(25)와 리드부(26) 사이에 충전되어 있다. 한편, 도 4 및 도 5에 도시하는 반도체 장치(20)와 달리, 리드 프레임(10) 상에는 반사 수지(23)가 설치되어 있지 않다.
또한 도 19에서, LED 소자(21)는, 본딩 와이어(22) 대신에, 땜납 볼(도전부)(41a, 41b)에 의해 리드 프레임(10)에 접속되어 있다. 즉, 땜납 볼(41a, 41b) 중, 한쪽의 땜납 볼(41a)은 다이 패드(25)에 접속되고, 다른 쪽의 땜납 볼(41b)은 리드부(26)에 접속되어 있다. 또한, 도 19에서, 밀봉 수지(24)의 표면에, LED 소자(21)로부터의 광의 조사 방향을 제어하는 돔 형상의 렌즈(61)가 형성되어 있다.
변형예 C
도 20은 본 실시 형태의 일 변형예(일괄 몰드 타입)에 의한 반도체 장치(20C)를 나타내고 있다. 도 20에 나타내는 반도체 장치(20C)에 있어서, 반사 수지(23)를 사용하지 않고, 밀봉 수지(24)에 의해서만 LED 소자(21)와 본딩 와이어(22)가 일괄 밀봉되어 있다. 또한, 다이 패드(25)와 리드부(26) 사이에는, 밀봉 수지(24)가 충전되어 있다.
(제2 실시 형태)
이어서, 도 21 내지 도 41을 참조하여 본 발명의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 21 내지 도 41은 본 발명의 제2 실시 형태를 도시하는 도면이다. 도 21 내지 도 41에서, 제1 실시 형태와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하여 상세한 설명은 생략한다.
리드 프레임의 구성
우선, 도 21 내지 도 23에 의해, 본 실시 형태에 의한 LED 소자 탑재용 리드 프레임의 개략에 대하여 설명한다. 도 21은 본 실시 형태에 의한 리드 프레임의 전체 평면도이며, 도 22는 도 21의 D부 확대도이며, 도 23은 도 22의 E-E선 단면도이다.
도 21 내지 도 23에 나타내는 리드 프레임(70)은, LED 소자(21)를 탑재한 반도체 장치(80)(도 24 및 도 25)를 제작할 때에 사용되는 것이다. 이러한 리드 프레임(70)은, 직사각 형상의 외형을 갖는 프레임체 영역(13)과, 프레임체 영역(13) 내에 다열 및 다단으로(매트릭스 형상에) 배치된 다수의 패키지 영역(14)을 구비하고 있다.
도 22에 도시한 바와 같이, 복수의 패키지 영역(14)은, 각각 LED 소자(21)가 탑재되는 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)에 인접하는 리드부(26)를 포함하고 있다. 또한, 복수의 패키지 영역(14)은, 서로 다이싱 영역(15)을 개재하여 접속되어 있다.
하나의 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와 리드부(26) 사이에는, 간극이 형성되어 있고, 다이싱된 후, 다이 패드(25)와 리드부(26)는 서로 전기적으로 절연되도록 되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14)은, 각각 개개의 반도체 장치(80)에 대응하는 영역이다. 또한, 도 22에서, 각 패키지 영역(14)을 2점 쇄선으로 나타내고 있다.
한편, 다이싱 영역(15)은, 각 패키지 영역(14) 사이에 종횡으로 연장되어 있다. 이 다이싱 영역(15)은 후술하는 바와 같이, 반도체 장치(80)를 제조하는 공정에서, 리드 프레임(70)을 패키지 영역(14)마다 분리할 때에 블레이드(38)가 통과하는 영역이 된다. 또한, 도 22에서, 다이싱 영역(15)을 빗금으로 나타내고 있다.
도 22에 도시한 바와 같이, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 그 상방 및 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와, 각각 리드 연결부(52)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 그 상방 및 하방에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각각 다이 패드 연결부(53)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다. 이들 각 리드 연결부(52) 및 각 다이 패드 연결부(53)는 Y 방향에 대하여 평행하게 배치되어 있다.
또한, 각 다이 패드 연결부(53) 및 각 리드 연결부(52)는 다이싱 영역(15)에 위치하는 보강편(57)에 의해 연결되어 있다. 이 경우, 보강편(57)은 X 방향에 대하여 평행하게 배치되어 있고, 프레임체 영역(13) 내측의 전체 길이에 걸쳐 일직선상으로 연장되어, 복수의 다이 패드 연결부(53) 및 복수의 리드 연결부(52)를 연결하고 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 그 우측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와, 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 그 좌측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다. 각 패키지 영역 연결부(54)는 X 방향에 대하여 평행하게 배치되어 있다.
또한, 가장 외주에 위치하는 패키지 영역(14) 내의 리드부(26) 및 다이 패드(25)는, 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54) 중 1개 또는 복수에 의해, 프레임체 영역(13)에 연결되어 있다.
또한, 도 21 내지 도 23에서, 리드 프레임 본체(11) 및 도금층(12)의 구성은, 제1 실시 형태에서의 것과 마찬가지이므로, 여기서는 설명을 생략한다.
반도체 장치의 구성
이어서, 도 24 및 도 25에 의해, 도 21 내지 도 23에 나타내는 리드 프레임을 사용하여 제작된 반도체 장치의 제2 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 24 및 도 25는 각각 반도체 장치(SON 타입)를 도시하는 단면도 및 평면도이다.
도 24 및 도 25에 도시한 바와 같이, 반도체 장치(80)는 (개편화된) 리드 프레임(70)과, 리드 프레임(70)의 다이 패드(25)에 적재된 LED 소자(21)와, LED 소자(21)와 리드 프레임(70)의 리드부(26)를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어(도전부)(22)를 구비하고 있다.
또한, LED 소자(21)를 둘러싸도록, 오목부(23a)를 갖는 반사 수지(23)가 설치되어 있다. 이 반사 수지(23)는, 리드 프레임(70)과 일체화되어 있다. 또한, LED 소자(21)와 본딩 와이어(22)는, 투광성의 밀봉 수지(24)에 의해 밀봉되어 있다. 이 밀봉 수지(24)는, 반사 수지(23)의 오목부(23a) 내에 충전되어 있다.
이러한 반도체 장치(80)를 구성하는, LED 소자(21), 본딩 와이어(22), 반사 수지(23) 및 밀봉 수지(24)의 구성은, 제1 실시 형태에서의 것과 마찬가지이므로, 여기서는 설명을 생략한다.
LED 소자 탑재용 리드 프레임 및 반도체 장치의 제조 방법
이어서, 도 21 내지 도 23에 나타내는 리드 프레임(70) 및 도 24 및 도 25에 나타내는 반도체 장치(80)의 제조 방법에 대해서, 도 26 내지 도 29를 사용하여 설명한다. 또한, 도 26 내지 도 28에 나타내는 제조 방법은, 도 6 내지 도 8에 나타내는 제조 방법과 대략 마찬가지이므로, 이하에서는 일부 설명을 생략한다.
우선, 평판 형상의 금속 기판(31)을 준비한다(도 26의 (a)). 이어서, 이 금속 기판(31)의 표리 전체에 각각 감광성 레지스트(32a, 33a)를 도포하고, 이것을 건조한다(도 26의 (b)).
계속해서, 이 금속 기판(31)에 대하여 포토마스크를 통해 노광하고 현상함으로써, 원하는 개구부(32b, 33b)를 갖는 에칭용 레지스트층(32, 33)을 형성한다(도 26의 (c)). 이어서, 에칭용 레지스트층(32, 33)을 내부식 막으로 해서 금속 기판(31)에 부식액으로 에칭을 실시한다(도 26의 (d)).
계속해서, 에칭용 레지스트층(32, 33)을 박리하여 제거함으로써, 리드 프레임 본체(11)가 얻어진다(도 26의 (e)). 또한 이때, 도 22에 나타내는 보강편(57), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54)가 에칭에 의해 형성된다.
이어서, 리드 프레임 본체(11)의 표면 및 이면에 전해 도금을 실시함으로써, 리드 프레임 본체(11) 위에 금속(은)을 석출시켜서, 리드 프레임 본체(11)의 표면 및 이면에 도금층(12)을 형성한다(도 26의 (f)). 이 경우, 보강편(57), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54)가 모두 본체(리드 프레임 본체(11))와, 본체 위에 형성된 도금층(12)을 포함하여 이루어지고 있으므로, 이들 보강편(57), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54)의 강도를 높일 수 있다.
이와 같이 하여, 도 21 내지 도 23에 나타내는 리드 프레임(70)이 얻어진다(도 26의 (f)).
계속해서, 이와 같이 하여 얻어진 리드 프레임(70)을(도 27의 (a)), 사출 성형기 또는 트랜스퍼 성형기(도시하지 않음)의 금형(35) 내에 장착한다(도 27의 (b)). 그 후, 금형(35) 내에 열가소성 수지를 유입하여 경화시킴으로써, 리드 프레임(70)의 도금층(12) 위에 반사 수지(23)가 형성된다(도 27의 (c)).
계속해서, 반사 수지(23)가 형성된 리드 프레임(70)을 금형(35) 내로부터 꺼냄으로써 수지 부착 리드 프레임이 얻어진다(도 27의 (d)). 본 실시 형태에서, 이와 같이, 리드 프레임(10)과, 리드 프레임(10)의 각 패키지 영역(14)의 주연 위에 배치된 반사 수지(23)를 구비한 수지 부착 리드 프레임(90)도 제공한다.
이어서, 수지 부착 리드 프레임(90)의 각 반사 수지(23) 내이며, 리드 프레임(70)의 다이 패드(25) 위에 LED 소자(21)를 탑재한다(도 28의 (a)).
이어서, LED 소자(21)의 단자부(21a)와, 리드부(26) 표면을, 본딩 와이어(22)에 의해 서로 전기적으로 접속한다(도 28의 (b)).
그 후, 반사 수지(23)의 오목부(23a) 내에 밀봉 수지(24)를 충전하고, 밀봉 수지(24)에 의해 LED 소자(21)와 본딩 와이어(22)를 밀봉한다(도 28의 (c)).
이어서, 반사 수지(23) 및 리드 프레임(70) 중 다이싱 영역(15)을 절단함으로써, 반사 수지(23) 및 리드 프레임(70)을 LED 소자(21)마다 분리한다(도 28의 (d)). 이때, 우선 리드 프레임(70)을 다이싱 테이프(37) 위에 적재하여 고정한다. 그 후, 예를 들어 다이아몬드 지석 등으로 이루어지는 블레이드(38)에 의해, 각 LED 소자(21) 사이에 위치하는 반사 수지(23), 및 리드 프레임(70)의 보강편(57), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54)를 각각 절단한다.
이때, 도 29의 (a)에 도시한 바와 같이, 다이싱 영역(15)의 폭에 대응하는 상대적으로 두꺼운 블레이드(38)에 의해 리드 프레임(70)을 절단해도 된다. 즉, 블레이드(38)를 리드 프레임(70)의 보강편(57)을 따라 이동하여, 보강편(57)과, 보강편(57) 주위에 위치하는 각 리드 연결부(52) 및 각 다이 패드 연결부(53)를 통합해서 절단한다. 이 경우, 1회의 절단 작업으로, 인접하는 패키지 영역(14)끼리를 효율적으로 분리할 수 있다.
또는, 도 29의 (b)에 도시한 바와 같이, 다이싱 영역(15)의 폭보다 좁은 상대적으로 얇은 블레이드(38)를 사용하여, 2회의 절단 작업에 의해 리드 프레임(70)을 절단해도 된다. 즉, 블레이드(38)를 리드 프레임(70)의 보강편(57)에 대하여 평행하게 이동하여, 보강편(57)을 직접 절단하지 않고, 보강편(57) 주위에 위치하는 각 리드 연결부(52) 및 각 다이 패드 연결부(53)를 절단한다. 이 경우, 1회의 절단 작업당의 블레이드(38)의 이송 속도를 빠르게 할 수 있음과 함께, 블레이드(38)의 수명을 길게 할 수 있다.
이와 같이 하여, 도 24 및 도 25에 나타내는 반도체 장치(80)를 얻을 수 있다(도 28의 (e)).
이상 설명한 바와 같이 본 실시 형태에 의하면, 다이 패드 연결부(53) 및 리드 연결부(52)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 보강편(57)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다. 따라서, 리드 프레임(70)의 상하 방향을 따라서 가늘고 긴 공간이 발생하지 않아, 리드 프레임(70)이 상하 방향으로 발 형상이 되지 않는다. 이에 의해, 취급 시에 리드 프레임(70)에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)와 리드 연결부(52)에 의해 연결되고, 또한 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와 다이 패드 연결부(53)에 의해 연결되어 있다. 따라서, 리드 프레임(70)의 좌우 방향을 따라 가늘고 긴 공간이 발생하지 않아, 리드 프레임(70)이 좌우 방향으로 발 형상이 되지 않는다. 이에 의해, 취급 시에 리드 프레임(70)에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 리드 프레임(70)의 변형을 방지함으로써, 리드 프레임(70)에 반사 수지(23)를 형성할 때(도 27의 (b), (c)), 리드 프레임(70)에 대한 반사 수지(23)의 형성 위치가 어긋나지 않는다. 따라서, 작은 패키지 영역(14)에 대하여 대면적의 LED 소자(21)를 탑재하거나, 복수의 LED 소자(21)를 탑재하거나, 또는 LED 소자(21) 이외에 정전 파괴 소자를 탑재하는 것도 용이해진다.
또한, 본 실시 형태에 의하면, 각 패키지 영역(14)의 주위에 종횡의 타이 바를 설치할 필요가 없기 때문에, 각 패키지 영역(14)끼리를 접근시켜 배치할 수 있고, 리드 프레임(70)당의 패키지 영역(14)의 취득 개수를 증가시킬 수 있다(고밀도 실장이 가능하게 된다).
또한, 본 실시 형태에 의하면, 각 패키지 영역(14)의 코너부에 현수 리드 등의 커넥팅 바가 존재하지 않으므로, 반도체 장치(80)의 코너부에 있어서, 반사 수지(23)가 리드 프레임(70)으로부터 박리할 우려가 없어, 반도체 장치(80)의 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.
리드 프레임의 변형예
이하, 본 실시 형태에 의한 리드 프레임의 각종 변형예(변형예 2-1 내지 변형예 2-6)에 대해서, 도 30 내지 도 35를 참조하여 설명한다. 도 30 내지 도 35는 각각 리드 프레임의 변형예를 나타내는 부분 확대 평면도(도 2에 대응하는 도)이다. 도 30 내지 도 35에서, 도 21 내지 도 29에 나타내는 실시 형태와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.
변형예 2-1
도 30은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 2-1)에 의한 리드 프레임(70A)을 나타내고 있다. 도 30에 나타내는 리드 프레임(70A)에서, 도 21 내지 도 29에 나타내는 실시 형태와 달리, 각 패키지 영역(14)은 1개의 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)의 양측에 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(이하, 제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b)라고도 함)를 갖고 있다(3pin 타입).
이 경우, 각 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)와, 각 패키지 영역(14)의 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 각각 제1 리드 연결부(52a)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)와, 각 패키지 영역(14)의 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)는, 각각 제2 리드 연결부(52b)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)는, 그 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 각각 다이 패드 연결부(53)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다. 또한, 다이 패드 연결부(53), 제1 리드 연결부(52a) 및 제2 리드 연결부(52b)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 보강편(57)에 의해 연결되어 있다. 이 경우, 보강편(57)은, 프레임체 영역(13) 내측의 전체 길이에 걸쳐 일직선상으로 연장되어, 복수의 다이 패드 연결부(53), 복수의 제1 리드 연결부(52a) 및 복수의 제2 리드 연결부(52b)를 연결하고 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)는, 그 우측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)와, 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 그 좌측 방향에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)와, 패키지 영역 연결부(54)에 의해 연결되어 있다.
이와 같이, 각 패키지 영역(14)이 다이 패드(25)와 한 쌍의 리드부(26a, 26b)를 갖는 경우에도, 보강편(57)이 설치되어 있음으로써, 리드 프레임(70A)의 상하 방향을 따라서 가늘고 긴 공간이 발생하지 않아, 리드 프레임(70A)이 발 형상으로 되는 것을 방지할 수 있어, 취급 시에 리드 프레임(70A)에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
변형예 2-2
도 31은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 2-2)에 의한 리드 프레임(70B)을 나타내고 있다. 도 31에 나타내는 리드 프레임(70B)에 있어서, 도 21 내지 도 29에 나타내는 실시 형태와 달리, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역(15) 중 보강편(57)이 설치된 다이싱 영역(15)과, 보강편(57)이 설치되어 있지 않은 다이싱 영역(15)이 상하 방향 교대로 배치되어 있다.
즉, 도 31에서, 패키지 영역(14(14b))에서 보아 상방에 인접하는 패키지 영역(14(14a))을 제1 패키지 영역(14a)으로 하고, 패키지 영역(14(14b))에서 보아 하방에 인접하는 패키지 영역(14(14c))을 제2 패키지 영역(14c)으로 한다.
이 경우, 패키지 영역(14b) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26)와, 제1 패키지 영역(14a) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26)를 각각 연결하는 다이 패드 연결부(53) 및 리드 연결부(52)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 보강편(57)에 의해 연결되어 있다. 한편, 패키지 영역(14b) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26)와, 제2 패키지 영역(14c) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26)를 각각 연결하는 다이 패드 연결부(53) 및 리드 연결부(52)는, 보강편(57)에 의해 연결되어 있지 않다.
이와 같이, 보강편(57)의 수를 저감시킴으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 21 내지 도 29에 나타내는 실시 형태와 대략 동일하다.
또한, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역(15) 중 보강편(57)이 설치되어 있지 않은 다이싱 영역(15)의 폭(Wa)을, 보강편(57)이 설치되어 있는 다이싱 영역(15)의 폭(Wb)보다 좁게 하는 것이 바람직하다(Wa<Wb). 이 경우, 1개의 리드 프레임(70)당의 패키지 영역(14)의 취득 개수를 증가시킬 수 있다. 또한, 상대적으로 얇은 블레이드(38)를 사용하여 다이싱 영역(15)을 절단할 경우에는(도 29의 (b)), 보강편(57)이 설치되어 있지 않은 다이싱 영역(15)은 1회의 절단 작업으로 절단할 수 있으므로, 절단 작업의 횟수를 저감시킬 수 있다.
변형예 2-3
도 32는 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 2-3)에 의한 리드 프레임(70C)을 나타내고 있다. 도 32에 나타내는 리드 프레임(70C)은, 도 30에 나타내는 변형예 2-1과, 도 31에 나타내는 변형예 2-2를 조합한 것이다.
도 32에서, 각 패키지 영역(14)은, 1개의 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)의 양측에 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(이하, 제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b)라고도 함)를 갖고 있다(3pin 타입).
또한, 도 32에서, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역(15) 중 보강편(57)이 설치된 다이싱 영역(15)과, 보강편(57)이 설치되어 있지 않은 다이싱 영역(15)이 상하 방향 교대로 존재하고 있다.
즉, 도 32에서, 하나의 패키지 영역(14(14b)) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26a, 26b)와, 이 패키지 영역(14(14b))의 상방에 인접하는 제1 패키지 영역(14(14a)) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26a, 26b)를 각각 연결하는 다이 패드 연결부(53), 제1 리드 연결부(52a) 및 제2 리드 연결부(52b)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 보강편(57)에 의해 연결되어 있다.
한편, 하나의 패키지 영역(14(14b)) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26a, 26b)와, 이 패키지 영역(14(14b))의 하방에 인접하는 제2 패키지 영역(14(14c)) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26a, 26b)를 각각 연결하는 다이 패드 연결부(53), 제1 리드 연결부(52a) 및 제2 리드 연결부(52b)는, 보강편(57)에 의해 연결되어 있지 않다.
그 외의 구성은, 도 30에 나타내는 변형예 2-1 및 도 31에 나타내는 변형예 2-2와 대략 동일하다.
변형예 2-4
도 33은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 2-4)에 의한 리드 프레임(70D)을 나타내고 있다. 도 33에 나타내는 리드 프레임(70D)에 있어서, 도 21 내지 도 29에 나타내는 실시 형태와 달리, 보강편(57)은 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26)에 각각 연결된 다이 패드 연결부(53) 및 리드 연결부(52)간에만 연장되어, 이들 다이 패드 연결부(53) 및 리드 연결부(52)를 연결하고 있다.
즉, 하나의 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26)와, 이 패키지 영역(14)의 상방(또는 하방)에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26)는, 각각 리드 연결부(52) 및 다이 패드 연결부(53)에 의해 연결되어 있다. 이 경우, 보강편(57)은 이들 리드 연결부(52)와 다이 패드 연결부(53)간에만 연장되어, 리드 연결부(52)와 다이 패드 연결부(53)를 연결하고 있다. 한편, 보강편(57)은, 리드 연결부(52)의 좌측 방향과, 다이 패드 연결부(53)의 우측 방향으로는 각각 연장되어 있지 않다.
이와 같이, 다이싱 영역(15)에서의 보강편(57)의 전체적인 길이를 저감시킴으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 21 내지 도 29에 나타내는 실시 형태와 대략 동일하다.
변형예 2-5
도 34는 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 2-5)에 의한 리드 프레임(70E)을 나타내고 있다. 도 34에 나타내는 리드 프레임(70E)은, 도 30에 나타내는 변형예 2-1과, 도 33에 나타내는 변형예 2-4를 조합한 것이다.
도 34에서, 각 패키지 영역(14)은, 1개의 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)의 양측에 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(이하, 제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b)라고도 함)를 갖고 있다(3pin 타입).
또한, 도 34에서, 보강편(57)은, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25) 및 리드부(26a, 26b)에 각각 연결된 제1 리드 연결부(52a), 다이 패드 연결부(53) 및 제2 리드 연결부(52b)간에만 연장되어, 이들 제1 리드 연결부(52a), 다이 패드 연결부(53) 및 제2 리드 연결부(52b)를 연결하고 있다.
이와 같이, 다이싱 영역(15)에서의 보강편(57)의 전체적인 길이를 저감시킴으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 30에 나타내는 변형예 2-1 및 도 33에 나타내는 변형예 2-4와 대략 동일하다.
변형예 2-6
도 35는 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 2-6)에 의한 리드 프레임(70F)을 나타내고 있다. 도 35에 나타내는 리드 프레임(70F)에 있어서, 각 패키지 영역(14)은 1개의 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)의 양측에 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b))를 갖고 있다(3pin 타입).
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25), 제1 리드부(26a) 및 제2 리드부(26b)는, 상하에 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25), 제1 리드부(26a) 및 제2 리드부(26b)와 각각 다이 패드 연결부(53), 제1 리드 연결부(52a) 및 제2 리드 연결부(52b)에 의해 연결되어 있다.
도 35에 도시한 바와 같이, 다이 패드 연결부(53) 및 제1 리드 연결부(52a)만을 연결하는 보강편(57)과, 다이 패드 연결부(53) 및 제2 리드 연결부(52b)만을 연결하는 보강편(57)이 상하 방향 1개 간격으로 설치되어 있다.
즉, 도 35에서, 패키지 영역(14(14b))에서 보아 상방에 인접하는 패키지 영역(14(14a))을 제1 패키지 영역(14a)으로 하고, 패키지 영역(14(14b))에서 보아 하방에 인접하는 패키지 영역(14(14c))을 제2 패키지 영역(14c)으로 한다.
이 경우, 패키지 영역(14b)과 제1 패키지 영역(14a) 사이의 다이싱 영역(15)에 있어서, 보강편(57)은 다이 패드 연결부(53) 및 제1 리드 연결부(52a)간에만 연장되어, 다이 패드 연결부(53) 및 제1 리드 연결부(52a)만을 연결하고 있다.
한편, 패키지 영역(14b)과 제2 패키지 영역(14c) 사이의 다이싱 영역(15)에 있어서, 보강편(57)은 다이 패드 연결부(53) 및 제2 리드 연결부(52b)간에만 연장되어, 다이 패드 연결부(53) 및 제2 리드 연결부(52b)만을 연결하고 있다.
이와 같이, 보강편(57)의 수를 저감시킴으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 34에 나타내는 변형예 2-5와 대략 동일하다.
본 실시 형태의 보강편을 적용할 수 있는 리드 프레임의 다른 예로는, 도 36에 나타내는 리드 프레임(70G)(변형예 2-7)과 같이, 각 패키지 영역(14) 내에 2개의 다이 패드(25a, 25b)(이하, 제1 다이 패드부(25a), 제2 다이 패드부(25b)라고도 함)와, 다이 패드(25a, 25b)의 양측에 인접하여 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(이하, 제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b)라고도 함)를 갖고 있는 4pin 타입의 형태나, 도 38에 나타내는 리드 프레임(70H)(변형예 2-8)과 같이 각 패키지 영역(14) 내에 1개의 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)의 한쪽 측에 인접하여 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(이하, 제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b)라고도 함)와, 다이 패드(25)의 다른 쪽 측에 인접하여 위치하는 1개의 리드부(26c)를 갖는 4pin 타입의 형태를 예시할 수 있다.
이들 예에 공통되는 과제는, 각 패키지 영역(14)의 다이 패드(25(25a, 25b))와 리드부(26(26a, 26b, 26c))가 직선상으로 일렬로 배치되어 있기 때문에, 다이 패드(25)와 리드부(26)가 단락하지 않도록 각 패키지 영역(14) 사이를 연결하는 리드 연결부(52) 및 다이 패드 연결부(53)를 배치하면, 각 다이 패드(25)와 각 리드부(26) 사이의 간극이 연결되어, 리드 프레임(70)의 한 변에 평행한, 복수의 가늘고 긴 공간이 발생해버려, 구조적으로 변형이 발생하기 쉬워진다는 문제를 갖는 것이다. 이들 과제는 이미 설명한 대로, 본 실시 형태의 보강편(57)에 의해 효과적으로 해결할 수 있다. 또한, 이하에 나타내는 변형예 2-7 내지 2-10(도 36 내지 도 41)에서도, 도 21 내지 도 29에 나타내는 실시 형태와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략한다.
변형예 2-7
도 36은 본 실시 형태의 일 변형예 2-7에 의한 리드 프레임(70G)을 나타내고 있다. 도 36에 나타내는 리드 프레임(70G)에 있어서, 도 21 내지 도 29에 나타내는 실시 형태와 달리, 각 패키지 영역(14)은 2개의 다이 패드(25a, 25b)(이하, 제1 다이 패드부(25a), 제2 다이 패드부(25b)라고도 함)와, 다이 패드(25a, 25b)의 양측에 인접하여 위치하는 한 쌍의 리드부(26a, 26b)(이하, 제1 리드부(26a), 제2 리드부(26b)라고도 함)를 갖고 있다(4pin 타입). 이러한 리드 프레임(70G)을 사용하면, 1 패키지에 2개의 LED 소자(21)를 저장한 반도체 장치(80)를 실현할 수 있다(도 37).
이 변형예 2-7에서는, 각 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)와, 각 패키지 영역(14)의 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 각각 제1 리드 연결부(52a)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)와, 각 패키지 영역(14)의 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26b)는, 각각 제2 리드 연결부(52b)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다.
또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제1 다이 패드(25a)와 제2 다이 패드(25b)는, 그 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 대응하는 다이 패드(25a, 25b)와, 각각 제1 다이 패드 연결부(53a), 제2 다이 패드 연결부(53b)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다. 또한, 제1 다이 패드 연결부(53a), 제2 다이 패드 연결부(53b), 제1 리드 연결부(52a) 및 제2 리드 연결부(52b)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 보강편(57)에 의해 연결되어 있다. 이 경우, 보강편(57)은 프레임체 영역(13) 내측의 전체 길이에 걸쳐 일직선상으로 연장되어, 복수의 제1 다이 패드 연결부(53a), 복수의 제2 다이 패드 연결부(53b), 복수의 제1 리드 연결부(52a) 및 복수의 제2 리드 연결부(52b)를 연결하고 있다.
또한, 도 36에 나타내는 리드 프레임(70G)에 있어서는, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역(15) 중 보강편(57)이 설치된 다이싱 영역(15)과, 보강편(57)이 설치되어 있지 않은 다이싱 영역이 상하 방향 교대로 배치되어 있다.
이와 같이, 각 패키지 영역(14)이 2개의 다이 패드(25a, 25b)와 한 쌍의 리드부(26a, 26b)를 갖는 경우에도, 보강편(57)에 의해 리드 프레임(70G)의 상하 방향을 따라 가늘고 긴 공간이 발생하지 않아, 리드 프레임(70G)이 발 형상으로 되는 것을 방지할 수 있어, 취급 시에 리드 프레임(70G)에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또, 복수의 다이싱 영역(15) 중 일부의 다이싱 영역(15)에만 보강편(57)을 갖기 때문에, 다이서의 이의 마모를 경감할 수 있다.
변형예 2-8
도 38은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 2-8)에 의한 리드 프레임(70H)을 나타내고 있다. 도 38에 나타내는 리드 프레임(70H)에 있어서, 각 패키지 영역(14)은 다이 패드(25)와, 다이 패드(25)의 양측에 위치하는 한 쌍의 리드 배치 영역(16L), 리드 배치 영역(16R)을 갖고 있다. 리드 배치 영역(16L)에는 리드부(26a)를 배치하고, 리드 배치 영역(16R)에는 2개의 리드부(26c와 26d)를 다이 패드(25)를 따라 일렬로 배치하고 있다(이하, 리드부(26a, 26c, 26d)를, 각각 제1 리드부(26a), 제2 리드부(26c), 제3 리드부(26d)라고도 함). 이러한 리드 프레임(70H)을 사용하면, 1 패키지에 3개의 LED 소자(21)를 저장한 반도체 장치(80)를 실현할 수 있다(도 39).
변형예 2-1(도 30) 또는 변형예 2-3(도 32)은, 제2 리드부(26c), 제3 리드부(26d)를 갖는 점에서 다른데, 도 38에 나타내는 리드 프레임(70H)에 있어서는, 제2 리드부(26c)와 제3 리드부(26d)를 연결하는 부분 리드 연결부(55)를 설치하고, 다이싱 영역(15)에 위치하는 제2 리드 연결부(52c)를 개재하여 제2 리드부(26c)와 제3 리드부(26d)를 연결하고 있다. 또한 제2 리드 연결부(52c)는, 다이싱 영역(15) 내에서, 프레임체 영역(13)의 내측의 전체 길이에 걸쳐 세로 방향으로 연장되어 있다.
리드 프레임(10H)의 각 패키지 영역(14) 사이에서, 각 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)와, 각 패키지 영역(14)의 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제1 리드부(26a)는, 각각 제1 리드 연결부(52a)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다. 또한, 각 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26c) 및 제3 리드부(26d)는, 각 패키지 영역(14)의 상방 및 하방에 인접하는 패키지 영역(14) 내의 제2 리드부(26c) 및 제3 리드부(26d)와, 각각 부분 리드 연결부(55)를 개재하여 제2 리드 연결부(52c)에 의해 다이싱 영역(15)을 넘어서 연결되어 있다. 이 변형예에서 나타낸 바와 같이, 제2 리드부(26c) 및 제3 리드부(26d)를 부분 리드 연결부(55)에 의해 일체의 리드로서 취급하는 것이 가능한 경우, 일체로서 취급하는 제2 리드부(26c) 및 제3 리드부(26d)(즉, 리드 배치 영역(16R))와, 다이 패드(25), 제1 리드부(26a)가 일직선상에 일렬로 배치되어 있으면, 본원 발명의 보강편(57)을 사용하여 리드 프레임에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 38에 나타내는 리드 프레임(70H)에 있어서는, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역(15) 중 보강편(57)이 설치된 다이싱 영역(15)과, 보강편(57)이 설치되어 있지 않은 다이싱 영역이 상하 방향 교대로 배치되어 있다.
변형예 2-9
도 40은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 2-9)에 의한 리드 프레임(70I)을 나타내고 있다. 도 40에 나타내는 리드 프레임(70I)에 있어서, 도 31에 나타내는 변형예 2-2와 달리, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역(15) 중 보강편(57)이 설치된 다이싱 영역(15)이 상하 방향으로 소정수 걸러 주기적으로 설치되어 있다. 도 40에서, 보강편(57)이 설치된 다이싱 영역(15)은 2개 걸러 설치되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들어 3개 또는 4개 거르는 등의 간격으로 설치해도 된다.
이와 같이, 보강편(57)의 수를 저감시킴으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 31에 나타내는 변형예 2와 대략 동일하다.
변형예 2-10
도 41은 본 실시 형태의 일 변형예(변형예 2-10)에 의한 리드 프레임(70J)을 나타내고 있다. 도 41에 나타내는 리드 프레임(70J)에 있어서, 도 40에 나타내는 변형예 2-9와 달리, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역(15) 중 보강편(57)이 설치된 다이싱 영역(15)은 주기적으로 배치되어 있지 않고, 상하 방향으로 불규칙적으로 배치되어 있다.
이 경우에도, 보강편(57)의 수를 저감시킴으로써, 다이싱 시에 블레이드(38)에 가해지는 부하를 경감할 수 있다. 그 외의 구성은, 도 31에 나타내는 변형예 2-2와 대략 동일하다.
이상, 도 30 내지 도 41에 나타내는 리드 프레임(변형예 2-1 내지 변형예 2-10)에 대해서도, 상술한 도 21 내지 도 29에 나타내는 실시 형태의 효과와 대략 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 도 21 내지 도 23, 도 31, 도 33, 도 40, 도 41에 나타내는 리드 프레임(70, 70B, 70D, 70I, 70J)을 사용하여 제작되는 반도체 장치로는, 도 24 및 도 25에 나타내는 것에 한하지 않고, 도 19(변형예 B) 또는 도 20(변형예 C)에 나타내는 반도체 장치이어도 된다. 또한, 도 30, 도 32, 도 34, 도 35에 나타내는 리드 프레임(70A, 70C, 70E, 70F)을 사용하여 제작되는 반도체 장치로는, 도 18(변형예 A)에 나타내는 반도체 장치이어도 된다.
(제3 실시 형태)
이어서, 도 42 내지 도 44를 참조하여 본 발명의 제3 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 42 내지 도 44는 본 발명의 제3 실시 형태를 도시하는 도면이다. 도 42 내지 도 44에 나타내는 제3 실시 형태는, LED 소자(21) 대신에 다이오드 등의 반도체 소자(45)를 사용하는 점이 주로 다른 점이며, 다른 구성은, 상술한 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태와 대략 동일하다. 도 42 내지 도 44에서, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태와 동일 부분에는 동일한 부호를 부여하여 상세한 설명은 생략한다.
리드 프레임의 구성
도 42는 본 실시 형태에 의한 리드 프레임(60)을 도시하는 단면도이다. 본 실시 형태에 의한 리드 프레임(60)은, LED 소자(21) 대신에 다이오드 등의 반도체 소자(45)(도 42 참조)를 탑재하기 위한 것이고, 도금층(12)이 리드부(26)의 일부(본딩 와이어(22)가 접속되는 부분)에만 형성되어 있다. 그 외의 구성은, 도 1 내지 3에 나타내는 리드 프레임(10) 또는 도 21 내지 도 23에 나타내는 리드 프레임(70)과 동일하다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 리드 프레임(60)의 평면 형상은, 도 1 내지 도 3에 도시하는 리드 프레임(10)의 형상 또는 도 21 내지 도 23에 나타내는 리드 프레임(70)의 형상에 한하지 않고, 도 10 내지 도 17에 나타내는 각 리드 프레임의 형상 또는 도 30 내지 도 41에 나타내는 각 리드 프레임이 형상으로 이루어져 있어도 된다.
반도체 장치의 구성
도 43은 본 실시 형태에 의한 반도체 장치(65)를 나타내고 있다. 반도체 장치(65)는, 도 42에 나타내는 리드 프레임(60)을 사용하여 제작된 것이며, (개편화된) 리드 프레임(60)과, 리드 프레임(60)의 다이 패드(25)에 적재된 반도체 소자(45)를 구비하고 있다. 반도체 소자(45)는 예를 들어 다이오드 등의 디스크리트 반도체 소자로 이루어져 있어도 된다. 또한, 반도체 소자(45)의 단자부(45a)와, 리드부(26) 위에 설치된 도금층(12)은, 본딩 와이어(22)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 반도체 소자(45)와 본딩 와이어(22)가 밀봉 수지(24)에 의해 밀봉되어 있다.
또한, 밀봉 수지(24)로는, 에폭시 수지나 실리콘 수지를 포함하여 이루어지는 것을 선택하는 것이 가능한데, 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태와 달리, 반드시 투명한 것이 아니어도 되고, 흑색 등의 불투명한 수지를 포함하여 이루어져 있어도 된다.
반도체 장치의 제조 방법
이어서, 도 43에 나타내는 반도체 장치(65)의 제조 방법에 대해서, 도 44의 (a) 내지 (f)를 사용하여 설명한다. 도 44의 (a) 내지 (f)는 본 실시 형태에 의한 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 도면이다.
우선, 상술한 공정(도 6의 (a) 내지 (f) 및 도 26의 (a) 내지 (f))과 대략 마찬가지로 하여 리드 프레임(60)을 제작한다(도 44의 (a)). 또한, 이 경우, 도금층(12)을 형성하는 공정(도 6의 (f) 및 도 26의 (f))에서, 도금층(12)은 리드 프레임 본체(11)의 전체면이 아니라, 리드부(26)의 일부에만 형성된다.
이어서, 리드 프레임(60)의 다이 패드(25) 위에 반도체 소자(45)를 탑재한다. 이 경우, 땜납 또는 다이 본딩 페이스트를 사용하여, 반도체 소자(45)를 다이 패드(25) 위에 적재하여 고정한다(도 44의 (b)).
이어서, 반도체 소자(45)의 단자부(45a)와, 리드부(26) 위의 도금층(12)을 본딩 와이어(22)에 의해 서로 전기적으로 접속한다(도 44의 (c)).
그 후, 밀봉 수지(24)에 의해, 반도체 소자(45)와 본딩 와이어(22)를 일괄적으로 밀봉한다(도 44의 (d)). 또한, 이때, 리드 프레임(60)의 이면에, 도시하지 않은 백 테이프를 부착함으로써, 밀봉 수지(24)가 제1 아우터 리드부(27) 및/또는 제2 아우터 리드부(28)의 이면으로 돌아 들어가는 것을 방지해도 된다.
이어서, 밀봉 수지(24) 및 리드 프레임(60) 중 다이싱 영역(15)에 대응하는 부분을 절단함으로써, 밀봉 수지(24) 및 리드 프레임(60)을 반도체 소자(45)마다 분리한다(도 44의 (e)). 이때, 우선 리드 프레임(60)을 다이싱 테이프(37) 위에 적재하여 고정하고, 그 후, 예를 들어 다이아몬드 지석 등으로 이루어지는 블레이드(38)에 의해, 각 반도체 소자(45) 사이의 밀봉 수지(24), 및 리드 프레임(60)의 경사 보강편(51)(또는 보강편(57)), 리드 연결부(52), 다이 패드 연결부(53) 및 패키지 영역 연결부(54)를 절단한다. 또한, 블레이드(38)에 의해 리드 프레임(60)을 절단할 때, 상술한 도 9의 (a), (b) 또는 도 29의 (a), (b)에 나타내는 방법을 사용해도 된다.
이와 같이 하여, 도 43에 나타내는 반도체 장치(65)를 얻을 수 있다(도 44의 (e)).
이와 같이, 본 실시 형태에서는, LED 소자(21) 대신에 다이오드 등의 반도체 소자(45)를 적재하고 있어, 리드 프레임(60) 위에는 반사 수지(23)가 설치되어 있지 않다. 이 경우, 반도체 장치(65)를 제조하는 공정에서(도 44의 (a) 내지 (f)), 그 도중에 반사 수지(23)에 의해 리드 프레임(60)이 보강되는 경우가 없기 때문에, 밀봉 수지(24)에 의해 밀봉될 때까지의 동안에, 리드 프레임(60)(도 44의 (e))의 변형을 방지할 필요가 발생한다. 구체적으로는, 반도체 소자(45)를 탑재할 때, 리드 프레임(60)은, 그 단부면을 통해 레일에 의해 반송되는 경우가 있고, 이때 리드 프레임(60)이 변형되지 않도록 할 필요가 있다. 또한, 공정 본딩에 의해 반도체 소자(45)를 접합하는 경우에는, 리드 프레임(60)에 열이 가해지기 때문에(예를 들어 400℃에서 10분간 열이 가해지는 등), 이 열에 의해 리드 프레임(60)의 강도가 저하되는 것을 방지할 필요가 있다. 또한, 와이어 본딩 시에도 열 및 충격이 가해지기 때문에, 이 열에 의해 리드 프레임(60)의 강도가 저하되는 것을 방지하는 것도 필요하다. 따라서, 반사 수지(23)를 설치하는 경우에 비해, 더 한층 리드 프레임(60)의 강도를 높일 것이 요구된다.
이에 반해 본 실시 형태에 의하면, 각 패키지 영역(14) 내의 다이 패드(25)와, 인접하는 다른 패키지 영역(14) 내의 리드부(26)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 경사 보강편(51)에 의해 연결되어 있다. 또는, 다이 패드 연결부(53) 및 리드 연결부(52)는, 다이싱 영역(15)에 위치하는 보강편(57)에 의해 연결되어 있다. 이에 의해, 리드 프레임(60)의 상하 방향을 따라 가늘고 긴 공간이 발생하지 않아, 리드 프레임(60)이 상하 방향으로 발 형상이 되지 않는다. 이에 의해, 취급 시에 리드 프레임(60)에 변형이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
그 외에, 본 실시 형태에서도, 상술한 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.

Claims (38)

  1. LED 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서,
    프레임체 영역과,
    프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 LED 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고,
    하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부와 리드 연결부에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드는, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드와 다이 패드 연결부에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  4. 제1항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제1 경사 보강편에 의해 연결되고,
    상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제2 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  5. 제1항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제1 경사 보강편에 의해 연결되고,
    상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부와, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이싱 영역에 위치하는 제2 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  6. 제1항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이 패드측에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역 내의 리드부에, 다이싱 영역에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  7. 제1항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 리드부측에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역 내의 리드부에, 다이싱 영역에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  8. LED 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서,
    프레임체 영역과,
    프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 LED 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고,
    적어도 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부와 리드 연결부에 의해 연결되고,
    하나의 패키지 영역 내의 리드부와, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이싱 영역에 위치하는 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  9. 제1항에 있어서, 경사 보강편은, 본체와, 본체 위에 형성된 도금층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  10. 수지 부착 리드 프레임에 있어서,
    제1항의 리드 프레임과,
    리드 프레임의 각 패키지 영역 주연 위에 배치된 반사 수지를 구비한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  11. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    제10항의 수지 부착 리드 프레임을 준비하는 공정과,
    수지 부착 리드 프레임의 각 반사 수지 내이며 각 다이 패드 위에 LED 소자를 탑재하는 공정과,
    LED 소자와 각 리드부를 도전부에 의해 접속하는 공정과,
    수지 부착 리드 프레임의 각 반사 수지 내에 밀봉 수지를 충전하는 공정과,
    반사 수지 및 리드 프레임을 절단함으로써, 반사 수지 및 리드 프레임을 LED 소자마다 분리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 반도체 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서,
    프레임체 영역과,
    프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 반도체 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고,
    하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  13. 제12항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부와 리드 연결부에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  14. 제12항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드는, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드와 다이 패드 연결부에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  15. 제12항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제1 경사 보강편에 의해 연결되고,
    상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제2 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  16. 제12항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드와, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부는, 다이싱 영역에 위치하는 제1 경사 보강편에 의해 연결되고,
    상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부와, 상기 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이싱 영역에 위치하는 제2 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  17. 제12항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이 패드측에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역 내의 리드부에, 다이싱 영역에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  18. 제12항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 리드부측에 인접하는 비스듬한 상방 및 비스듬한 하방의 패키지 영역 내의 리드부에, 다이싱 영역에 위치하는 한 쌍의 추가 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  19. 반도체 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서,
    프레임체 영역과,
    프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 반도체 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고,
    적어도 하나의 패키지 영역 내의 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 리드부와 리드 연결부에 의해 연결되고,
    하나의 패키지 영역 내의 리드부와, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드는, 다이싱 영역에 위치하는 경사 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  20. LED 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서,
    프레임체 영역과,
    프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 LED 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고,
    하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와 각각 다이 패드 연결부 및 리드 연결부에 의해 연결되고,
    다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  21. 제20항에 있어서, 보강편은, 프레임체 영역 내측의 전체 길이에 걸쳐 연장되어 다이 패드 연결부 및 리드 연결부를 연결하고 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  22. 제20항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부를 각각 연결하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되고, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부를 각각 연결하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 보강편에 의해 연결되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  23. 제20항에 있어서, 보강편은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부에 각각 연결된 다이 패드 연결부 및 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 리드 연결부를 연결하고 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  24. 제20항에 있어서, 각 패키지 영역은, 1개의 다이 패드와, 이 다이 패드의 양측에 위치하는 제1 리드부 및 제2 리드부를 포함하고,
    하나의 패키지 영역 내의 다이 패드, 제1 리드부 및 제2 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드, 제1 리드부 및 제2 리드부와 각각 다이 패드 연결부, 제1 리드 연결부 및 제2 리드 연결부에 의해 연결되고,
    상기 하나의 패키지 영역과, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역의 사이에서, 보강편은, 다이 패드 연결부 및 제1 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 제1 리드 연결부를 연결하고,
    상기 하나의 패키지 영역과, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역의 사이에서, 보강편은, 다이 패드 연결부 및 제2 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 제2 리드 연결부를 연결하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  25. LED 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서,
    프레임체 영역과,
    프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 LED 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고,
    하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부는, 세로 방향으로 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와 각각 다이 패드 연결부 및 리드 연결부에 의해 연결되고,
    가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 일부의 다이싱 영역에 위치하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 당해 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  26. 제25항에 있어서, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 보강편이 설치된 다이싱 영역은, 소정수 걸러 주기적으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  27. 제25항에 있어서, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 보강편이 설치된 다이싱 영역은, 불규칙하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  28. 제20항에 있어서, 보강편은, 본체와, 본체 위에 형성된 도금층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  29. 수지 부착 리드 프레임에 있어서,
    제20항의 리드 프레임과,
    리드 프레임의 각 패키지 영역 주연 위에 배치된 반사 수지를 구비한 것을 특징으로 하는 수지 부착 리드 프레임.
  30. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서,
    제29항의 수지 부착 리드 프레임을 준비하는 공정과,
    수지 부착 리드 프레임의 각 반사 수지 내이며 각 다이 패드 위에 LED 소자를 탑재하는 공정과,
    LED 소자와 각 리드부를 도전부에 의해 접속하는 공정과,
    수지 부착 리드 프레임의 각 반사 수지 내에 밀봉 수지를 충전하는 공정과,
    반사 수지 및 리드 프레임을 절단함으로써, 반사 수지 및 리드 프레임을 LED 소자마다 분리하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  31. 반도체 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서,
    프레임체 영역과,
    프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 반도체 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고,
    하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와 각각 다이 패드 연결부 및 리드 연결부에 의해 연결되고,
    다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  32. 제31항에 있어서, 보강편은, 프레임체 영역 내측의 전체 길이에 걸쳐 연장되어 다이 패드 연결부 및 리드 연결부를 연결하고 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  33. 제31항에 있어서, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부를 각각 연결하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되고,
    상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부를 각각 연결하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 보강편에 의해 연결되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  34. 제31항에 있어서, 보강편은, 상기 하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부에 각각 연결된 다이 패드 연결부 및 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 리드 연결부를 연결하고 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  35. 제31항에 있어서, 각 패키지 영역은, 1개의 다이 패드와, 이 다이 패드의 양측에 위치하는 제1 리드부 및 제2 리드부를 포함하고,
    하나의 패키지 영역 내의 다이 패드, 제1 리드부 및 제2 리드부는, 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드, 제1 리드부 및 제2 리드부와 각각 다이 패드 연결부, 제1 리드 연결부 및 제2 리드 연결부에 의해 연결되고,
    상기 하나의 패키지 영역과, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하는 제1 패키지 영역의 사이에서, 보강편은, 다이 패드 연결부 및 제1 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 제1 리드 연결부를 연결하고,
    상기 하나의 패키지 영역과, 상기 하나의 패키지 영역에 인접하고 상기 하나의 패키지 영역에 대하여 제1 패키지 영역과는 반대측에 위치하는 제2 패키지 영역의 사이에서, 보강편은, 다이 패드 연결부 및 제2 리드 연결부간에만 연장되어 다이 패드 연결부 및 제2 리드 연결부를 연결하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  36. 반도체 소자 탑재용 리드 프레임에 있어서,
    프레임체 영역과,
    프레임체 영역 내에 다열 및 다단으로 배치되고, 각각이 반도체 소자가 탑재되는 다이 패드와, 다이 패드에 인접하는 리드부를 포함함과 함께 서로 다이싱 영역을 개재하여 접속된 다수의 패키지 영역을 구비하고,
    하나의 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부는, 세로 방향으로 인접하는 다른 패키지 영역 내의 다이 패드 및 리드부와 각각 다이 패드 연결부 및 리드 연결부에 의해 연결되고,
    가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 일부의 다이싱 영역에 위치하는 다이 패드 연결부 및 리드 연결부는, 당해 다이싱 영역에 위치하는 보강편에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  37. 제36항에 있어서, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 보강편이 설치된 다이싱 영역은, 소정수 걸러 주기적으로 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  38. 제36항에 있어서, 가로 방향으로 연장되는 복수의 다이싱 영역 중 보강편이 설치된 다이싱 영역은, 불규칙하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
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