JP2015153987A - モールドパッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】リードフレームの一端部にてモールド樹脂の剥離が発生しにくいモールドパッケージを提供する。
【解決手段】貴金属めっき膜１４を、リードフレーム１０の基材１３の表面のうちリードフレーム１０の一端部１１とは所定距離Ｌ１、離れて隣接する部位に設ける。これにより、モールド樹脂３０内に位置するリードフレーム１０の一端部１１側のうち貴金属めっき膜１４とリードフレーム１０の一端部１１との間に位置する部位では、基材１３の表面がモールド樹脂３０に接触して封止される。さらに、当該部位における基材１３の表面のうち、貴金属めっき膜１４とリードフレーム１０の一端部１１との間に位置する部位には、溝１５が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、リードフレームの一端部側にワイヤを接続し、ワイヤとともにリードフレームの一端部側をモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージに関する。

従来より、この種のモールドパッケージとしては、たとえば、特許文献１に記載のものが提案されている。

このものは、一端部から他端部へ延びるリードフレームと、このリードフレームの一端部側に接続されたボンディングワイヤとを備えたものである。ここで、リードフレームは、Ｃｕ等よりなる導電性の基材と、リードフレームの一端部側にて基材の表面に設けられたボンディング部としての貴金属めっき膜と、を備えるものである。

そして、ボンディングワイヤは、リードフレームの一端部側にて、貴金属めっき膜に接続されている。そして、リードフレームの一端部側において少なくとも当該一端部から貴金属めっき膜に渡る部位が、ボンディングワイヤとともに、モールド樹脂によって封止されている。

特開２００８−９８４７８号公報

ところで、上記従来のものでは、貴金属めっき膜は、リードフレームの一端部を起点として当該一端部から他端部側へ向けて所定距離の領域にて、基材の表面に設けられている。ここで、貴金属めっき膜は、たとえばＡｇやＡｕ等よりなり、リードフレームにおけるＣｕ等の基材よりもモールド樹脂との密着性が小さいものである。

また、温度サイクルによって各部材の収縮および膨張等が発生するが、このとき、リードフレームとモールド樹脂との線膨張係数差により、リードフレームには応力が発生する。ここにおいて、モールド樹脂で封止されているリードフレームの一端部は、リードフレームのなかでも、当該応力が最も集中する部位である。

そうすると、この応力集中により、リードフレームの一端部において、互いの密着性が小さい貴金属めっき膜とモールド樹脂との間で、剥離が発生しやすくなる。このように、リードフレームの一端部にて樹脂剥離が発生すると、その近傍のボンディングワイヤに対するモールド樹脂による拘束が不十分となり、ワイヤが断線するおそれがある。

本発明は、上記したような問題に鑑みてなされたものであり、リードフレームの一端部側に設けられた貴金属めっき膜にボンディングワイヤを接続し、ボンディングワイヤとともにリードフレームの一端部側をモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、リードフレームの一端部にてモールド樹脂の剥離が発生するのを抑制することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一端部（１１）から他端部（１２）へ延びるものであって、導電性の基材（１３）、および、当該一端部側にて前記基材の表面に設けられたボンディング部としての貴金属めっき膜（１４）を備えるリードフレーム（１０）と、貴金属めっき膜に接続されたボンディングワイヤ（２０）と、リードフレームの一端部側において少なくとも当該一端部から貴金属めっき膜に渡る部位を、ボンディングワイヤとともに封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、リードフレームにおける基材は、貴金属めっき膜よりもモールド樹脂との密着性が大きいものであるモールドパッケージにおいて、さらに次の特徴点を有する。

すなわち、請求項１に記載のモールドパッケージにおいては、貴金属めっき膜を、基材の表面のうちリードフレームの一端部とは所定距離（Ｌ１）、離れて隣接する部位に設けることにより、モールド樹脂内に位置するリードフレームの一端部側のうち貴金属めっき膜とリードフレームの一端部との間に位置する部位では、基材の表面が露出し、当該露出した基材の表面がモールド樹脂に接触して封止されており、さらに、露出した基材の表面のうち、貴金属めっき膜とリードフレームの一端部との間に位置する部位には、当該表面より凹んだ溝（１５）が設けられていることを特徴とする。

それによれば、上記の応力が集中するリードフレームの一端部では、モールド樹脂との密着性のよい基材の表面が露出し、この基材の表面がモールド樹脂に密着している形となるので、モールド樹脂との密着性が確保される。さらに、貴金属めっき膜とリードフレームの一端部との間に位置する基材の表面に、溝が設けられているので、この溝によるモールド樹脂へのアンカー効果が発揮される。

つまり、本発明によれば、リードフレームの一端部では、基材の表面の露出によるモールド樹脂との密着性の向上に加えて、この基材の表面に設けられた溝のアンカー効果による当該密着性の向上が期待できる。よって、本発明によれば、リードフレームの一端部にてモールド樹脂の剥離が発生するのを抑制することができる。

また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のモールドパッケージにおいて、モールド樹脂内に位置するリードフレームの一端部側のうち貴金属めっき膜よりもリードフレームの他端部側にて貴金属めっき膜に隣接する部位では、基材の表面が露出し、当該露出した基材の表面がモールド樹脂に接触して封止されており、溝は、貴金属めっき膜よりもリードフレームの他端部側にて露出した基材の表面にも、設けられていることを特徴とする。

それによれば、モールド樹脂で封止されているリードフレームの一端部側の部位のうち貴金属めっき膜よりもリードフレームの他端部側の部位においても、上記請求項１と同様、基材の表面の露出、および、基材の表面に設けられた溝による密着性の向上が期待できる。そのため、貴金属めっき膜よりもリードフレームの他端部側におけるモールド樹脂の剥離の発生についても抑制できるので、好ましい。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態にかかるモールドパッケージの概略断面図である。 図１中の丸で囲まれたＡ部についてモールド樹脂を除いて拡大して示す拡大図である。 図２の上視概略平面図である。 本発明の第２実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略平面図である。 本発明の第３実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略平面図である。 本発明の第４実施形態にかかるモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかるモールドパッケージＰ１について、図１〜図３を参照して述べる。このモールドパッケージＰ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。

本実施形態のモールドパッケージＰ１は、一端部１１から他端部１２へ延び、当該延びる方向を長手方向とするリードフレーム１０と、このリードフレーム１０の一端部１１側に接続されたボンディングワイヤ２０とを備える。

ここで、リードフレーム１０は、導電性の基材１３と、リードフレーム１０の一端部１１側にて基材１３の表面に設けられたボンディング部としての貴金属めっき膜１４と、を備えるものである。

そして、ボンディングワイヤ２０は、リードフレーム１０の一端部１１側にて、貴金属めっき膜１４に接続されている。そして、リードフレーム１０の一端部１１側において当該一端部１１から貴金属めっき膜１４に渡る部位が、ボンディングワイヤ２０とともに、モールド樹脂３０によって封止されている。

また、モールド樹脂３０内にて、アイランド４０および当該アイランド４０上に搭載されたＩＣチップ５０が設けられている。そして、モールド樹脂３０内にて、ＩＣチップ５０とリードフレーム１０とはボンディングワイヤ２０により結線されて電気的に接続されている。

ここでは、モールドパッケージＰ１は、ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）の如く、リードフレーム１０の一端部１１側がモールド樹脂３０で封止されたインナーリードとされ、他端部１２側がモールド樹脂３０より突出するアウターリードとされたものとされている。このモールドパッケージＰ１について、各部の詳細を述べる。

まず、ＩＣチップ５０は、たとえばシリコン半導体等の半導体チップよりなるもので、通常の半導体プロセスにより形成されるものである。このＩＣチップ５０は、図示しないが、Ａｇペースト等のダイボンド材を介して、アイランド４０に接着されて固定されている。

アイランド４０は、本実施形態では元々、リード部としてのリードフレーム１０とアイランド４０とが一体に形成されたリードフレーム素材の一部として構成されたものである。このアイランド４０は、ＩＣチップ５０の搭載、ＩＣチップ５０とリードフレーム１０とのワイヤボンディング、および、モールド樹脂３０による封止を順次、行った後、通常のリードカットやリード成形等を行うことによって、リードフレーム１０と分離されるものである。

このようなアイランド４０およびリードフレーム１０は、Ｃｕ（銅）やＦｅ（鉄）あるいは、Ｃｕ合金、Ｆｅ合金等よりなるものである。ここで、リードフレーム１０は、上記したように、導電性の基材１３と、基材１３表面の一部に設けられた貴金属めっき膜１４と、を備えるものであるが、この基材１３がＣｕやＦｅあるいは、Ｃｕ合金、Ｆｅ合金等よりなる。

リードフレーム１０は、一端部１１から他端部１２へ延び、当該延びる方向を長手方向とする細長の板状をなす。ここでは、リードフレーム１０は、一端部１１と他端部１２とが対向する短辺とされた細長の短冊板状をなす。

また、リードフレーム１０の他端部１２側であるアウターリードは、典型的なＱＦＰの如く、モールド樹脂３０の外側にて所望の曲げ形状に成形されている。そして、このアウターリードにて、図示しないパッケージ外部の配線部材等との電気的接続がなされるようになっている。

ここで、リードフレーム１０の一端部１１側にて基材１３の表面に設けられた貴金属めっき膜１４は、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｐｄ（パラジウム）等の貴金属の単層膜、あるいは、これらの各貴金属の単層膜が積層された多層膜よりなるめっき膜である。なお、多層膜の場合は、最表層が貴金属であればよく、下層は貴金属でなくてもよい。

たとえば、貴金属めっき膜１４としては、ＡｇめっきよりなるＡｇの単層膜や、基材１３側から順次Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｄ、Ａｕの各めっき膜が積層されてなるＡｕ／Ｐｄ／Ｎｉの多層膜等が挙げられる。このような貴金属めっき膜１４は、通常の無電解めっきや電気めっき等により形成される。

このような貴金属めっき膜１４は、基材１３よりもモールド樹脂３０との密着性が小さいものである。逆に言えば、リードフレーム１０において基材１３は、貴金属めっき膜１４よりもモールド樹脂３０との密着性が大きい材質よりなる。

また、ボンディングワイヤ２０は、通常のワイヤボンディング法により形成されたもので、たとえばＡｕ、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ、Ａｇ等よりなる。このボンディングワイヤ２０およびリードフレーム１０を介して、ＩＣチップ５０とパッケージ外部との電気的なやり取りが可能とされている。

モールド樹脂３０は、エポキシ樹脂等の通常のモールド材料よりなるものであり、たとえばトランスファー成形やコンプレッション成形、あるいはポッティング等により成形されるものである。ここでは、モールド樹脂３０は、貴金属めっき膜１４を含むリードフレーム１０の一端部１１側およびボンディングワイヤ２０を封止するとともに、アイランド４０およびＩＣチップ５０を封止している。

さらに、本実施形態のモールドパッケージＰ１は、次に述べるように、リードフレーム１０において独自の構成を備えている。まず、本実施形態では、図１〜図３に示されるように、貴金属めっき膜１４は、基材１３の表面のうちリードフレーム１０の一端部１１とは所定距離Ｌ１、離れて隣接する部位に設けられている。

つまり、上記従来の構成では、貴金属めっき膜１４は、リードフレーム１０の一端部１１を起点として当該一端部１１から他端部１２側へ向けて連続した領域に設けられていたが、本実施形態では、貴金属めっき膜１４を、リードフレーム１０の一端部１１とは所定距離Ｌ１、離した位置に設けている。

ここで、モールド樹脂３０内に位置するリードフレーム１０の一端部１１側のうち貴金属めっき膜１４とリードフレーム１０の一端部１１との間に位置する部位を、一端側のめっき隣接部位１３ａということにする。

そして、本実施形態では、上記したような貴金属めっき膜１４をリードフレーム１０の一端部１１より離した構成とすることで、リードフレーム１０における一端側のめっき隣接部位１３ａでは、基材１３の表面が露出したものとなる。そして、当該一端側のめっき隣接部位１３ａにて露出した基材１３の表面が、モールド樹脂３０に接触した状態でモールド樹脂３０に封止されたものとされている。

さらに、本実施形態では、この一端側のめっき隣接部位１３ａにて露出した基材１３の表面のうち、貴金属めっき膜１４とリードフレーム１０の一端部１１との間に位置する部位には、当該表面より凹んだ溝１５が設けられている。そして、モールド樹脂３０は、この溝１５に食い込んだ状態で基材１３表面に密着している。

また、本実施形態では、図１〜図３に示されるように、モールド樹脂３０内に位置するリードフレーム１０において、貴金属めっき膜１４よりもリードフレーム１０の一端部１１側だけでなく他端部１２側でも、基材１３の表面が露出している。

ここで、モールド樹脂３０内に位置するリードフレーム１０の一端部１１側のうち貴金属めっき膜１４よりもリードフレーム１０の他端部１２側にて貴金属めっき膜１４に隣接する部位を、他端側のめっき隣接部位１３ｂということにする。

つまり、本実施形態では、一端側のめっき隣接部位１３ａだけでなく他端側のめっき隣接部位１３ｂでも、基材１３の表面が露出している。そして、当該他端側のめっき隣接部位１３ｂにて露出した基材１３の表面も、モールド樹脂３０に接触した状態でモールド樹脂３０に封止されている。

ここにおいて、本実施形態では、さらに、この他端側のめっき隣接部位１３ｂにて露出した基材１３の表面にも、一端側のめっき隣接部位１３ａと同様、溝１５が設けられている。そして、モールド樹脂３０は、この他端側のめっき隣接部位１３ｂにおいても、溝１５に食い込んだ状態で基材１３表面に密着している。

また、本実施形態では、モールド樹脂３０内に位置するリードフレーム１０の基材１３の表面のうちボンディングワイヤ２０が接合される部位のみに、実質的に貴金属めっき膜１４が形成されている。そして、この貴金属めっき膜１４以外の部位では、基材１３の表面がモールド樹脂３０と密着している。

なお、貴金属めっき膜１４に対してリードフレーム１０の一端部１１側、他端部１２側に位置する両方の溝１５は、ともに断面Ｖ字をなすＶ溝とされている。また、本実施形態では、当該両方の溝１５は、貴金属めっき膜１４の外縁に接してリードフレーム１０の基材１３表面に形成されている。

ここで、貴金属めっき膜１４は、上述のように、無電解めっきや電気めっき等により形成されたものであるが、一方、溝１５は、レーザ加工、エッチング加工、プレス加工等により形成されたものである。

ここにおいて、これら貴金属めっき膜１４と溝１５との形成順序については、どちらを先に形成してもよい。具体的には、リードフレーム１０の基材１３の表面上の所定領域に選択的に貴金属めっき膜１４を形成した後、貴金属めっき膜１４の外側にて基材１３の表面に溝１５を形成してもよい。

また、これとは逆に、リードフレーム１０の基材１３の表面のうち貴金属めっき膜１４の形成領域の外側に溝１５を形成した後、当該貴金属めっき膜１４の形成領域に貴金属めっき膜１４を形成するようにしてもよい。

本実施形態のモールドパッケージＰ１の製造方法は、次のとおりである。まず、アイランド４０上にＩＣチップ５０を搭載し、固定する。そして、ＩＣチップ５０とリードフレーム１０の貴金属めっき膜１４との間でワイヤボンディングを行う。そして、このものをモールド樹脂３０で封止し、必要に応じて、リードカット等を行う。こうして、モールドパッケージＰ１ができあがる。

ところで、本実施形態によれば、上記した応力が集中するリードフレーム１０の一端部１１では、モールド樹脂３０との密着性のよい基材１３の表面が露出し、この基材１３の表面がモールド樹脂３０に密着している形となるので、モールド樹脂３０との密着性が確保される。

さらに、貴金属めっき膜１４とリードフレーム１０の一端部１１との間に位置して貴金属めっき膜１４より露出する基材１３の表面に、溝１５が設けられているので、この溝１５によるモールド樹脂３０へのアンカー効果が発揮される。

つまり、本実施形態によれば、リードフレーム１０の一端部１１では、基材１３の表面の露出によるモールド樹脂３０との密着性の向上に加えて、この基材１３の表面に設けられた溝１５のアンカー効果による当該密着性の向上が期待できる。よって、本実施形態によれば、リードフレーム１０の一端部１１にてモールド樹脂３０の剥離が発生するのを抑制することができる。

さらに、本実施形態では、上記したように、貴金属めっき膜１４に対してリードフレーム１０の一端部１１側にて露出する基材１３の表面だけでなく、他端部１２側にて露出する基材１３の表面にも、溝１５が設けられている。

それによれば、モールド樹脂３０で封止されているリードフレーム１０における他端側のめっき隣接部位１３ｂにおいても、上記同様、基材１３の表面の露出、および、基材１３の表面に設けられた溝１５による密着性の向上が期待できる。そのため、貴金属めっき膜１４よりもリードフレーム１０の他端部１２側におけるモールド樹脂３０の剥離の発生についても抑制できる。

さらに言えば、このように、貴金属めっき膜１４に対するリードフレーム１０の一端部１１側および他端部１２側の両側にてモールド樹脂３０の剥離が抑制されることにより、ボンディングワイヤ２０をモールド樹脂３０により確実に拘束することができる。そのため、ボンディングワイヤ２０の断線防止の効果とともに、ワイヤ接合部への外部からの水分の侵入を防止することも可能となる。

なお、溝１５は、貴金属めっき膜１４に対してリードフレーム１０の一端部１１側にて露出する基材１３の表面側のみに設けられ、他端部１２側にて露出する基材１３の表面には設けられていなくてもよい。この場合であっても、上記したリードフレーム１０の一端部１１にてモールド樹脂３０の剥離発生を抑制する、という溝１５による効果が発揮されるものとなる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について、図４を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとする。

細長板状のリードフレーム１０における長手方向は、一端部１１から他端部１２に延びる方向であるが、リードフレーム１０の幅方向とは、具体的には、この長手方向と直交する方向である。つまり、ここでは、細長の短冊板状のリードフレームにおける短辺の長さ方向である。

このとき、上記第１実施形態では、上記図３に示されるように、貴金属めっき膜１４は、リードフレーム１０の幅方向の全域に設けられていた。しかし、本実施形態では、図４に示されるように、貴金属めっき膜１４の幅寸法がリードフレーム１０の幅よりも小さいものとされている。

そして、貴金属めっき膜１４の外縁全周を取り囲むように溝１５が設けられている。この場合も、環状の溝１５が、基金属めっき膜１４の外縁に接して設けられている。本実施形態においても、ボンディング部としての貴金属めっき膜１４の外側にて基材１３表面を露出させて溝１５を形成し、これをモールド樹脂３０で封止しているので、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態は、上記第２実施形態において溝１５の配置パターンを一部変形したところが相違するものであり、図５を参照して、上記第２実施形態との相違点を中心に述べることとする。

図５に示されるように、本実施形態では、貴金属めっき膜１４の外縁のうちリードフレーム１０の幅方向の部分には、溝１５を設けずに、リードフレーム１０の長手方向のみに溝１５を設けている。

つまり、本実施形態では、溝１５は、基材１３の表面のうち貴金属めっき膜１４に対してリードフレーム１０の一端部１１側と他端部１２側のみに設けられたものとしている。この場合も、上記第２実施形態と同様の効果が得られることはもちろんである。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について図６を参照して述べる。上記各実施形態のリードフレーム１０では、基材１３の表面のうち実質的にボンディングワイヤ２０が接合される領域のみに貴金属めっき膜１４を設けていた。

これに対して、本実施形態のリードフレーム１０では、図６に示されるように、一端側のめっき隣接部位１３ａにおけるボンディングワイヤ２０の接合される面のうち一端部１１から所定距離Ｌ１、離れた領域のみにて、基材１３の表面が露出し、残りの基材１３表面全体が貴金属めっき膜１４で被覆されている。

そして、貴金属めっき膜１４に対してリードフレーム１０の一端部１１側に、溝１５が設けられている。この場合も、環状の溝１５が、基金属めっき膜１４の外縁に接して設けられている。そして、本実施形態によっても、露出する基材１３表面および溝１５によって、リードフレーム１０の一端部１１にてモールド樹脂３０の剥離発生を抑制する、という上記同様の効果が発揮される。

本実施形態のリードフレーム１０の形成方法は、次の通りである。まず、基材１３の全表面に貴金属めっき膜１４を形成する。その後、貴金属めっきボンディングワイヤ２０が接合される基材の面のうちリードフレーム１０の一端部１１から所定距離Ｌ１までの領域のみ、レーザ加工などにより貴金属めっき膜１４を除去して、基材１３の表面を露出させる。

その後、続けて、レーザ加工により貴金属めっき膜１４に隣接して露出する基材１３の表面を、エッチングして溝１５を形成する。こうして、本実施形態のリードフレーム１０ができあがる。

なお、貴金属めっき膜１４は、基材１３の表面のうちのボンディングワイヤ２０の接合領域に設けられることは必須である。一方、基材１３の表面の露出については、最低限、一端側のめっき隣接部位１３ａにおけるボンディングワイヤ２０の接合される面のうち一端部１１から所定距離Ｌ１、離れた領域にて実現されていればよい。

つまり、本第４実施形態のように、貴金属めっき膜１４は、当該所定距離Ｌ１離れた領域以外のすべての基材１３表面に設けられていてもよいが、当該所定距離Ｌ１離れた領域において部分的に基材１３表面に設けられていてもよい。

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態においては、リードフレーム１０の基材１３表面に形成される溝１５は、貴金属めっき膜１４の外縁に接して設けられていた。つまり、溝１５は、貴金属めっき膜１４に接して隣り合うように（つまり隣接して）設けられていた。これに対して、基材１３表面において溝１５と貴金属めっき膜１４とは、多少離れて（つまり離間して）いるものであってもよい。

また、溝１５の深さを貴金属めっき膜１４の厚さよりも大きいものとした場合、次のような利点が期待できる。つまり、この場合、リードフレーム１０の基材１３の表面のうち貴金属めっき膜１４の形成領域よりも多少広い領域に貴金属めっき膜１４を形成した後、狙いの形成領域の外側にて、プレス加工する。

このプレス加工では、プレスによる押し込み量を貴金属めっき膜１４の厚さよりも大きいものとする。こうすることで、当該狙いの形成領域の外側では、貴金属めっき膜１４がプレスの治具により除去されて、溝１５が形成され、基材１３の表面が露出するものとなる。

このように、溝１５の深さを貴金属めっき膜１４の厚さよりも大きいものとした場合、リードフレーム１０の基材１３の表面のうち貴金属めっき膜１４の形成領域よりも多少広い領域に貴金属めっき膜１４を形成できる。そのため、貴金属めっき膜１４の形成寸法における寸法誤差を緩和できるという利点がある。

ここで、限定するものではないが、たとえばリードフレーム１０の基材１３の板厚が１５０μｍ〜５００μｍである場合、溝１５の深さは数十μｍ〜１００μｍ、貴金属めっき膜１４の厚さは数μｍ程度とする。

また、上記各実施形態では、溝１５は断面Ｖ字のＶ溝であったが、溝１５形状はこれに限定されるものではない。たとえば溝１５としては、断面Ｕ字のＵ溝形状でもよいし、断面角形の角溝形状であってもよい。さらに、溝１５の平面パターンとしては、上記各図に示したような直線状の溝に限らず、曲線状、蛇行形状等の溝であってもよい。

また、上記各実施形態におけるモールドパッケージは、ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）の如く、リードフレーム１０の一端部１１側がモールド樹脂３０で封止されたインナーリードとされ、他端部１２側がモールド樹脂３０より突出するアウターリードとされたものであった。

ここで、モールドパッケージとしては、リードフレーム１０の一端部１１側において当該一端部１１から貴金属めっき膜１４に渡る部位が、ボンディングワイヤ２０とともに、モールド樹脂３０によって封止されたものであればよく、上記ＱＦＰのような形態に限定されるものではない。

たとえば、モールドパッケージとしては、ＱＦＮ（クワッドフラットノンリードパッケージ）のように、リードフレーム１０の他端部１２側がモールド樹脂３０より突出しないものであってもよい。このＱＦＮの場合、リードフレーム１０の他端部１２側もモールド樹脂３０で封止された構成となる。

また、アイランド４０は、上記各実施形態では、リードフレーム１０をリード部としてリードフレーム１０と一体に形成されたリードフレーム素材の一部として構成されたものであったが、リードフレーム１０とは元々、別体のヒートシンク等であってもよい。

また、モールドパッケージとしては、上記構成のように、リードフレーム１０の一端部１１側に貴金属めっき膜１４が設けられ、それに対してボンディングワイヤ２０が接続されて、モールド樹脂３０による封止がなされるものであればよい。たとえば、ボンディングワイヤ２０を介したリードフレーム１０との接続相手としては、ＩＣチップ５０以外のものでもよい。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

１０ リードフレーム
１１ リードフレームの一端部
１２ リードフレームの他端部
１３ 基材
１３ａ モールド樹脂内に位置するリードフレームの一端部側のうち貴金属めっき膜とリードフレームの一端部との間に位置する部位としての一端側のめっき隣接部位
１４ 貴金属めっき膜
１５ 溝
２０ ボンディングワイヤ
３０ モールド樹脂

Claims (2)

1. 一端部（１１）から他端部（１２）へ延びるものであって、導電性の基材（１３）、および、当該一端部側にて前記基材の表面に設けられたボンディング部としての貴金属めっき膜（１４）を備えるリードフレーム（１０）と、
   前記貴金属めっき膜に接続されたボンディングワイヤ（２０）と、
   前記リードフレームの一端部側において少なくとも当該一端部から前記貴金属めっき膜に渡る部位を、前記ボンディングワイヤとともに封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、
   前記リードフレームにおける前記基材は、前記貴金属めっき膜よりも前記モールド樹脂との密着性が大きいものであり、
   前記貴金属めっき膜を、前記基材の表面のうち前記リードフレームの一端部とは所定距離（Ｌ１）、離れて隣接する部位に設けることにより、
   前記モールド樹脂内に位置する前記リードフレームの一端部側のうち前記貴金属めっき膜と前記リードフレームの一端部との間に位置する部位（１３ａ）では、前記基材の表面が露出し、当該露出した前記基材の表面が前記モールド樹脂に接触して封止されており、
   さらに、前記露出した前記基材の表面のうち、前記貴金属めっき膜と前記リードフレームの一端部との間に位置する部位には、当該表面より凹んだ溝（１５）が設けられていることを特徴とするモールドパッケージ。
2. 前記モールド樹脂内に位置する前記リードフレームの一端部側のうち前記貴金属めっき膜よりも前記リードフレームの他端部側にて前記貴金属めっき膜に隣接する部位（１３ｂ）では、前記基材の表面が露出し、当該露出した前記基材の表面が前記モールド樹脂に接触して封止されており、
   前記溝は、前記貴金属めっき膜よりも前記リードフレームの他端部側にて露出した前記基材の表面にも、設けられていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。

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