JPH0621315A - 半導体装置用リードフレーム及び、それを用いた半導体装置 - Google Patents

半導体装置用リードフレーム及び、それを用いた半導体装置

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JPH0621315A
JPH0621315A JP4175376A JP17537692A JPH0621315A JP H0621315 A JPH0621315 A JP H0621315A JP 4175376 A JP4175376 A JP 4175376A JP 17537692 A JP17537692 A JP 17537692A JP H0621315 A JPH0621315 A JP H0621315A
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JP
Japan
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lead frame
leads
semiconductor device
lead
frame
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Tadaaki Nakano
忠明 中野
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体装置用リードフレームにおいてボンディ
ングワイヤとリードフレームとの結合性、リードフレー
ムと樹脂との密着性、それぞれを向上させる。 【構成】矩形に形成された帯状枠、半導体装置搭載部、
前記帯状枠より前記半導体装置搭載部近傍まで伸び、か
つ前記半導体素子搭載部周辺に複数連なるリード、前記
複数リードの中間に位置し、前記複数リードを各々接続
するダムバー等から構成される半導体装置用リードフレ
ームにおいて、前記複数リードを前記複数リード先端付
近において、表面粗さを大きくするための凹凸を形成す
る。また前記複数リードを前記複数リードにおいて、リ
ードフレーム表面から裏面に達する穴を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用のリード
フレームの先端のボンディング点及びその付近の表面粗
さ、及び形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置用リードフレームは、
図２に示すように、矩形に形成された帯状枠１の内部
に、半導体装置搭載部２を有し、前記半導体装置搭載部
２と前記帯状枠１を接続するタブ吊りリード３、前記帯
状枠１より前記半導体装置搭載部２近傍まで伸び、かつ
前記半導体素子搭載部周辺２に複数連なるリード４、前
記複数リード４の中間に位置し、前記複数リードを各々
接続するダムバー５等から構成されているが、前記複数
リード先端付近においての表面粗さは、リードフレーム
の部材である鉄とニッケルやその他の合金である４２Ａ
ｌｌｏｙやＣｕ本来の持つ表面粗さとリードフレームを
加工する際のエッチング工程やプレス工程によって生じ
る粗さによるものであって特定の工程によって表面粗さ
を加工するものでなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の様な従
来の技術では、半導体装置の入出力部であるパッド部と
ＡｕやＡｌ等のボンディングワイヤによって上記のリー
ドフレームと接合しても、ワイヤボンディング工程が終
了した後のボンディングワイヤとリードフレームとに圧
着部である２ｎｄ部においてボンディングワイヤとリー
ドフレームとの結合性が悪く、少しの環境の変化等です
ぐにボンディングワイヤが切れてしまったり、リードフ
レームと半導体装置を封止するための樹脂との密着性が
悪く、上記と同様にリードフレームインナーリード部が
環境の変化によって微動しボンディングワイヤが切れた
りしてしまう。
【０００４】本発明は、上記の問題を解決すべくなされ
るものでリードフレームの表面に凹凸部を設ける等して
表面粗さを大にするまたは、表面から裏面に達する穴を
あけることによってボンディングワイヤとリードフレー
ムとの結合性、リードフレームと樹脂との密着性、それ
ぞれを向上させることを目的とする半導体装置用リード
フレームである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体装
置用リードフレームは、矩形に形成された帯状枠１、半
導体装置搭載部２、前記帯状枠１より前記半導体装置搭
載部２近傍まで伸び、かつ前記半導体素子搭載部２周辺
に複数連なるリード４、前記複数リードの中間に位置
し、前記複数リードを各々接続するダムバー５等から構
成される半導体装置用リードフレームにおいて、前記複
数リード４を前記複数リード先端付近において、凹凸部
を形成することまたは、前記複数リードを前記複数リー
ドにおいて、リードフレーム表面から裏面に達する穴を
形成することを特徴とする。
【０００６】
【実施例】図１は、本発明の実施例である半導体装置用
リードフレーム７の形状である。図１（ａ）は、リード
フレーム７の製造工程の中にインナリード部４先端付近
に凹凸を付けるためにエッチング工程を追加した場合の
リードフレーム７である。このリードフレーム７を半導
体装置に用いる事によって、半導体装置の入出力部であ
るパッド部とＡｕやＡｌ等のボンディングワイヤ６によ
って接合するワイヤボンディング工程を行う場合、ボン
ディングワイヤ６とリードフレーム７との圧着部におい
て、ボンディングワイヤ６とリードフレーム７との圧着
量が多い部分と少ない部分が図３のように数カ所によっ
て存在することとなる。その事によりＡｕやＡｌ等のボ
ンディングワイヤ６とリードフレーム７との結合性が強
くなり、少しの環境の変化等ですぐにボンディングワイ
ヤ６が切れてしまう事がなくなる。図１（ｂ）は、リー
ドフレーム７の製造工程の中にインナリード部４先端付
近にリード形状に対して平行な溝を付けるためにエッチ
ング工程を追加した場合のリードフレーム７である。こ
のリードフレーム７を半導体装置に用いる事によって、
半導体装置の入出力部であるパッド部とＡｕやＡｌ等の
ボンディングワイヤ６によって接合するワイヤボンディ
ング工程を行う場合、ボンディングワイヤ６とリードフ
レーム７との圧着部において、ボンディングワイヤ６と
リードフレーム７との圧着量が多い部分と少ない部分が
溝に沿った方向に図３のように存在することとなる。そ
の事によりＡｕやＡｌ等のボンディングワイヤ６とリー
ドフレーム７との結合性が強くなり、少しの環境の変化
等ですぐにボンディングワイヤ６が切れてしまう事がな
くなる。図１（ｃ）は、リードフレーム７の製造工程の
中にインナリード部４先端付近に表面から裏面に達する
穴を付けるためにエッチング工程または、プレス工程を
追加したリードフレーム７である。このリードフレーム
７を半導体装置に用いる事によって、半導体装置の入出
力部であるパッド部とＡｕやＡｌ等のボンディングワイ
ヤ６によって接合するワイヤボンディング工程を行う場
合、ボンディングワイヤ６とリードフレーム７との圧着
部において、ボンディングワイヤ６とリードフレーム７
との圧着量が多い部分と少ない部分が図４のように数カ
所によって存在することとなる。その事によりＡｕやＡ
ｌ等のボンディングワイヤ６とリードフレーム７との結
合性が強くなり、少しの環境の変化等ですぐにボンディ
ングワイヤ６が切れてしまう事がなくなる。また、これ
らのリードフレーム７のインナリード先端４付近の表面
に凹凸部や溝等が形成されることにより、インナリード
４の表面粗さが大になったり、リードフレーム７のイン
ナリード先端４に穴があくことによりリードフレーム７
と樹脂との密着性が向上し、環境の変化によりリードフ
レーム７と樹脂との熱膨張係数の違いによって発生する
インナリード４が樹脂内で微動する事が抑制できる。
【０００７】
【発明の効果】以上に述べたように発明すれば、ボンデ
ィングワイヤとリードフレームのインナリード部との結
合性が向上するのと、リードフレームと樹脂との密着性
が向上し、温度変化等による環境の変化に左右されない
信頼性の高い半導体装置を製造できるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例のリードフレーム図。
【図２】従来のリードフレーム図。
【図３】本発明実施例のリードフレームとボンディング
ワイヤの結合図。
【図４】本発明実施例のリードフレームとボンディング
ワイヤの結合図。
【符号の説明】
１ 帯状枠 ２ 半導体装置搭載部 ３ タブ吊りリード ４ リード ５ ダムバー ６ ボンディングワイヤ ７ リードフレーム

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 矩形に形成された帯状枠、半導体装置搭
    載部、前記帯状枠より前記半導体装置搭載部近傍まで伸
    び、かつ前記半導体素子搭載部周辺に複数連なるリー
    ド、前記複数リードの中間に位置し、前記複数リードを
    各々接続するダムバー等から構成される半導体装置用リ
    ードフレームにおいて、前記複数リードの前記複数リー
    ド先端付近において、凹凸部を形成することを特徴とす
    る半導体装置用リードフレーム。
  2. 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームにおい
    て、前記複数リードの前記複数リード先端付近におい
    て、深さ１０μｍ前後の凹凸部を有することを特徴とす
    る半導体装置用リードフレーム。
  3. 【請求項３】 請求項１記載のリードフレームにおい
    て、前記複数リードの前記複数リード先端付近におい
    て、リード形状に対して平行な溝を有することを特徴と
    する半導体装置用リードフレーム。
  4. 【請求項４】 請求項１記載のリードフレームにおい
    て、前記複数リードの前記複数リード先端付近におい
    て、深さ１０μｍ前後のリード形状に対して平行な溝を
    有することを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
  5. 【請求項５】 矩形に形成された帯状枠、半導体装置搭
    載部、前記帯状枠より前記半導体装置搭載部近傍まで伸
    び、かつ前記半導体素子搭載部周辺に複数連なるリー
    ド、前記複数リードの中間に位置し、前記複数リードを
    各々接続するダムバー等から構成される半導体装置用リ
    ードフレームにおいて、前記複数リードを前記複数リー
    ドにおいて、リードフレーム表面から裏面に達する穴を
    形成することを特徴とする半導体装置用リードフレー
    ム。
  6. 【請求項６】 矩形に形成された帯状枠、半導体装置搭
    載部、前記帯状枠より前記半導体装置搭載部近傍まで伸
    び、かつ前記半導体素子搭載部周辺に複数連なるリー
    ド、前記複数リードの中間に位置し、前記複数リードを
    各々接続するダムバー等から構成される半導体装置用リ
    ードフレームにおいて、前記複数リードの前記複数リー
    ド先端付近において、凹凸部を形成することを特徴とす
    る上記請求項１または、前記複数リードの前記複数リー
    ド先端付近において、リードフレーム表面から裏面に達
    する穴が形成されていることを特徴とする上記請求項５
    記載の半導体装置用リードフレームを用いた半導体装
    置。
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