JPH10321782A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH10321782A JPH10321782A JP12826597A JP12826597A JPH10321782A JP H10321782 A JPH10321782 A JP H10321782A JP 12826597 A JP12826597 A JP 12826597A JP 12826597 A JP12826597 A JP 12826597A JP H10321782 A JPH10321782 A JP H10321782A
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- JP
- Japan
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- tab
- resin
- semiconductor element
- semiconductor device
- plates
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3201—Structure
- H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32014—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being smaller than the bonding area, e.g. bond pad
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】小タブ構造の樹脂封止型半導体装置は、大小チ
ップを共用できるようにインナーリードとタブの隙間が
広い。このため、インナーリードとタブ間の熱抵抗が大
きく、小チップを搭載した場合に熱抵抗が大きくなる。 【解決手段】小タブとインナーリードの間に小タブに連
続したプレートを設け、プレートをタブよりも一段下げ
る。あるいは、さらにこのプレートの一部をインナーリ
ードに接続する。
ップを共用できるようにインナーリードとタブの隙間が
広い。このため、インナーリードとタブ間の熱抵抗が大
きく、小チップを搭載した場合に熱抵抗が大きくなる。 【解決手段】小タブとインナーリードの間に小タブに連
続したプレートを設け、プレートをタブよりも一段下げ
る。あるいは、さらにこのプレートの一部をインナーリ
ードに接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、タブが半導体素子
よりも小さい小タブ構造半導体装置の放熱構造に関す
る。
よりも小さい小タブ構造半導体装置の放熱構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】特開平8−55934号公報記載の公報に開示
されるように、小タブ構造の半導体装置は、タブを半導
体素子より小さくし、温度サイクル時のレジンクラック
を防止している。このほか、小タブ構造は、半導体素子
とタブとの接着面積を低減することによって、リフロー
時に発生するリフロークラックを防止するとともに、イ
ンナーリードとタブ間隔を広くとることによって大小複
数の大きさの半導体素子を搭載することが可能であり、
マイコンなどの製品に広く用いられている。
されるように、小タブ構造の半導体装置は、タブを半導
体素子より小さくし、温度サイクル時のレジンクラック
を防止している。このほか、小タブ構造は、半導体素子
とタブとの接着面積を低減することによって、リフロー
時に発生するリフロークラックを防止するとともに、イ
ンナーリードとタブ間隔を広くとることによって大小複
数の大きさの半導体素子を搭載することが可能であり、
マイコンなどの製品に広く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、タブ
とインナーリードの間の空間が広く空いているため、半
導体素子が小さい場合、半導体素子とインナーリードの
間の熱抵抗が大きくなり、パッケージの放熱性が低くな
る。
とインナーリードの間の空間が広く空いているため、半
導体素子が小さい場合、半導体素子とインナーリードの
間の熱抵抗が大きくなり、パッケージの放熱性が低くな
る。
【０００４】本発明の目的は、小タブ構造の樹脂封止型
半導体装置において、温度サイクル時やリフロー時のレ
ジンクラック対策，複数の半導体素子が搭載できる機能
を保持しながら、パッケージの放熱性能を高めることに
ある。
半導体装置において、温度サイクル時やリフロー時のレ
ジンクラック対策，複数の半導体素子が搭載できる機能
を保持しながら、パッケージの放熱性能を高めることに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、樹脂封止型半導体装置を以下のように構成し
た。すなわち、タブとインナーリードの間にタブに連続
したプレートを設け、プレートをタブよりも一段下げ
る。あるいは、さらにこのプレートの一部をインナーリ
ードに接続する。本構造につき３次元差分法による熱伝
導解析を行った結果を述べる。半導体装置の外形を２８
mm角とし、銅合金のリードフレームを用い、タブの径が
３mm，タブとインナーリード先端の間隔が３.７mm ，搭
載するチップが４mm角であった場合、自然対流での熱抵
抗は７４℃／Ｗであったが、プレートを設けることによ
って熱抵抗を５８℃／Ｗまで下げられることがわかっ
た。
するため、樹脂封止型半導体装置を以下のように構成し
た。すなわち、タブとインナーリードの間にタブに連続
したプレートを設け、プレートをタブよりも一段下げ
る。あるいは、さらにこのプレートの一部をインナーリ
ードに接続する。本構造につき３次元差分法による熱伝
導解析を行った結果を述べる。半導体装置の外形を２８
mm角とし、銅合金のリードフレームを用い、タブの径が
３mm，タブとインナーリード先端の間隔が３.７mm ，搭
載するチップが４mm角であった場合、自然対流での熱抵
抗は７４℃／Ｗであったが、プレートを設けることによ
って熱抵抗を５８℃／Ｗまで下げられることがわかっ
た。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の第一実施例による樹脂封
止型半導体装置の断面図を図１に示す。本実施例による
樹脂封止型半導体装置は半導体素子１と、半導体素子を
搭載するタブ２と、タブ２と連続したプレート３と、半
導体素子１とインナーリード４を電気的に接続するワイ
ヤ５とこれらを封止する樹脂６から構成されている。
止型半導体装置の断面図を図１に示す。本実施例による
樹脂封止型半導体装置は半導体素子１と、半導体素子を
搭載するタブ２と、タブ２と連続したプレート３と、半
導体素子１とインナーリード４を電気的に接続するワイ
ヤ５とこれらを封止する樹脂６から構成されている。
【０００７】第一実施例による樹脂封止型半導体装置の
半導体素子搭載前のリードフレームを図２に示す。２枚
のプレート３は細いリードでタブ２と連続し、インナー
リード先端部に向かって拡がるように形成されている。
放熱のためには太いことが望ましい連続部のリードが細
い理由は、プレート下げを容易にするためである。
半導体素子搭載前のリードフレームを図２に示す。２枚
のプレート３は細いリードでタブ２と連続し、インナー
リード先端部に向かって拡がるように形成されている。
放熱のためには太いことが望ましい連続部のリードが細
い理由は、プレート下げを容易にするためである。
【０００８】本発明の第二実施例による樹脂封止型半導
体装置の断面図を図３に示す。樹脂封止型半導体装置の
基本構成は図１と同じであるが、プレート３にインナー
リードが接続し、放熱リードを形成している。
体装置の断面図を図３に示す。樹脂封止型半導体装置の
基本構成は図１と同じであるが、プレート３にインナー
リードが接続し、放熱リードを形成している。
【０００９】第二実施例による樹脂封止型半導体装置の
半導体素子搭載前のリードフレームを図４に示す。プレ
ート３は２本のインナーリードと接続している。インナ
ーリードとの接続場所は外側の２本で１枚のプレートと
接続しているが、信号用のリードを犠牲に出来る場合
は、さらに設けてもよく、外側の２本以外でも良い。
半導体素子搭載前のリードフレームを図４に示す。プレ
ート３は２本のインナーリードと接続している。インナ
ーリードとの接続場所は外側の２本で１枚のプレートと
接続しているが、信号用のリードを犠牲に出来る場合
は、さらに設けてもよく、外側の２本以外でも良い。
【００１０】第一、および第二実施例による樹脂封止型
半導体装置の製造工程を図５から図８に示す。図５に示
すようなプレートのついたリードフレーム８を１枚の金
属板を型抜き、あるいはエッチングなどで製造し、図６
に示すように吊りリードからのタブ下げとタブからのプ
レート下げを行う。タブ２にぺ付け材を塗布し半導体素
子を搭載する。図７に示すようにプレートのないタブと
インナーリードの隙間より半導体素子の裏面をヒートブ
ロックで加熱し、半導体素子をタブに接着し、半導体素
子のパッドとインナーリードをワイヤ５で電気的に接続
する。図８に示すように樹脂６で全体を封止する。
半導体装置の製造工程を図５から図８に示す。図５に示
すようなプレートのついたリードフレーム８を１枚の金
属板を型抜き、あるいはエッチングなどで製造し、図６
に示すように吊りリードからのタブ下げとタブからのプ
レート下げを行う。タブ２にぺ付け材を塗布し半導体素
子を搭載する。図７に示すようにプレートのないタブと
インナーリードの隙間より半導体素子の裏面をヒートブ
ロックで加熱し、半導体素子をタブに接着し、半導体素
子のパッドとインナーリードをワイヤ５で電気的に接続
する。図８に示すように樹脂６で全体を封止する。
【００１１】
【発明の効果】本発明は以上に説明したように構成され
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
ているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００１２】タブとインナーリードの間にタブに連続し
たプレートを設けることにより、プレート部に熱が拡が
り半導体装置の放熱性を高めることが出来る。また、プ
レートをタブよりも一段下げることにより、プレートに
半導体素子が接触せず、耐リフロー性が保持される。
たプレートを設けることにより、プレート部に熱が拡が
り半導体装置の放熱性を高めることが出来る。また、プ
レートをタブよりも一段下げることにより、プレートに
半導体素子が接触せず、耐リフロー性が保持される。
【図１】第一実施例による樹脂封止型半導体装置におい
て小タブにプレートが連続して設けられている構造の断
面図。
て小タブにプレートが連続して設けられている構造の断
面図。
【図２】第一実施例による樹脂封止型半導体装置におい
てタブ，プレート下げ前のリードフレームの平面図。
てタブ，プレート下げ前のリードフレームの平面図。
【図３】第二実施例による樹脂封止型半導体装置におい
て小タブにプレートが連続して設けられさらにリードに
連続している構造の断面図。
て小タブにプレートが連続して設けられさらにリードに
連続している構造の断面図。
【図４】第二実施例による樹脂封止型半導体装置におい
てタブ，プレート下げ前のリードフレームの平面図。
てタブ，プレート下げ前のリードフレームの平面図。
【図５】第一実施例による樹脂封止型半導体装置の製造
工程においてタブ，プレート下げ前のリードフレームの
斜視図。
工程においてタブ，プレート下げ前のリードフレームの
斜視図。
【図６】第一実施例による樹脂封止型半導体装置の製造
工程においてタブ，プレート下げ後のリードフレームの
斜視図。
工程においてタブ，プレート下げ後のリードフレームの
斜視図。
【図７】第一実施例による樹脂封止型半導体装置の製造
工程において半導体素子を搭載し、ワイヤボンディング
が完了した後の斜視図。
工程において半導体素子を搭載し、ワイヤボンディング
が完了した後の斜視図。
【図８】第一実施例による樹脂封止型半導体装置の製造
工程において樹脂封止が完了した後の斜視図。
工程において樹脂封止が完了した後の斜視図。
１…半導体素子、２…タブ、３…プレート、４…インナ
ーリード、５…ワイヤ、６…樹脂、７…放熱リード、８
…リードフレーム。
ーリード、５…ワイヤ、６…樹脂、７…放熱リード、８
…リードフレーム。
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームのタブに半導体素子を搭載
し、リードフレームのインナーリードと半導体素子を電
気的に接続し、その周囲を樹脂でモールドし、複数のア
ウターリードを介して樹脂外と電気接続を行う構造の樹
脂封止型半導体装置において、タブが半導体素子よりも
小さく、かつインナーリードとタブの間に、タブと連続
したプレートが少なくとも１枚設けられ、該プレートと
タブが同一平面に存在しないことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12826597A JPH10321782A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12826597A JPH10321782A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321782A true JPH10321782A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14980573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12826597A Pending JPH10321782A (ja) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184930A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-05-19 JP JP12826597A patent/JPH10321782A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184930A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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