JPH03238851A - 大電力絶縁樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

大電力絶縁樹脂封止型半導体装置

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JPH03238851A
JPH03238851A JP3466790A JP3466790A JPH03238851A JP H03238851 A JPH03238851 A JP H03238851A JP 3466790 A JP3466790 A JP 3466790A JP 3466790 A JP3466790 A JP 3466790A JP H03238851 A JPH03238851 A JP H03238851A
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semiconductor device
semiconductor element
sealing
bonded
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JP3466790A
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Hidekazu Takagi
英一 高木
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電子部品のうち樹脂封止型半導体装置に係
り、特に大電力絶縁ｍ脂封止型半導体装置に関するもの
である。
〔従来の技術〕
第３図は従来の大電力絶縁ｍ脂封止型半導体装置を示す
断面図を示す。
第３図において、１は半導体素子、２はＡＩワイヤ、６
は半田層、８は高熱伝導封止用４ｔ１脂（以下、単に樹
脂という）、９は異形リードフレームで、放熱板部９ａ
と外部導出用リード９ｂからなる。また、１０は樹脂薄
肉部である。
第４図は、第３図の半導体装置の樹脂封止前の状態を示
す斜視図である。
従来の大電力絶縁樹脂封止型半導体装置は、熱伝導の良
好な金属で作られた放熱板部９ａと、外部導出用リード
９ｂをもつ異形リードフレーム９に半導体素子１が搭載
され、外部導出用リード９ｂと半導体素子１とがＡＩワ
イヤ２で接続されたものを樹脂８で封止して作られてい
た。この時、絶縁は第３図に示すａｍ薄肉部（ｔ＝５０
０〜３００μｍ〉　１０によって保持されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の大電力絶縁４Ｉｆ＆ｖ封止型半導体装置は、以上
のように構成されているので、下記の問題点があった。
（１）　　半導体装置の熱抵抗の改善は、樹脂８の物性
（熱伝導率）と樹脂薄肉部１０の厚みによって決定され
、現在、これ以上前記２点の改善は困難となっている。
（２）　　異形リードフレーム９の放熱板部９ａを覆う
樹脂８の蒋肉化に伴い、樹脂部のビンホル、内部ボイド
などによる絶縁性の信頼性が損なわれる傾向にある。
（３）　　高熱伝導の樹脂８は、一般に結晶性〉リカが
使用されており、そのため、封止用金型は一般の樹脂を
封止する場合に比して摩耗が２〜５倍程度早い。
この発明は、上記のような問題点を一挙に解消するため
になされたもので、絶縁性を安定させ、製造工程の信頼
度を向上させた低熱抵抗である大電力絶縁樹脂封止型半
導体装置全提供することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る大電力絶縁樹脂封止型半導体装置は、放
熱ブロック上に高熱伝導絶縁性基板を接合し、この高熱
伝導絶縁性基板上に、アイランド部と外部導出用リード
がフラット状に形成されたフラットフレームのアイラン
ド部を接合し、このアイランド部に半導体素子を搭載し
、半導体素子と外部導出用リードとの間を所要のボンデ
ィングワイヤにより接続し、さらにこれらを放熱ブロッ
クの裏面を露出させて封止用樹脂により樹脂封止したも
のである。
〔作用〕
この発明においては、アイランド部と外部導出用リード
を分割し、アイランド部と外部導出用リドはフラットフ
レームとして、このフラットフし一ムを放熱ブロック上
に接合された高熱伝導絶縁性基板上に接合したことから
、フランｌ−）　Ｌ・ムと放熱ブロックは絶縁されてお
り、また、樹脂封止時に放熱ブロックを４肉樹脂で覆う
必要はなく、もちろん封止用樹脂は高熱伝導である必要
はない。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図はこの発明の大電力絶縁樹脂封止型半導体装置の
一実施例を示す断面図であり、第２図は樹脂封止前の要
部を示す斜視図である。第１図において、１，２．６は
第３図、第４図と同しものであり、３は放熱ブロック、
４はアイランド部４ａと外部導出用リード４ｂとからな
るフラットフレム、５１．ｆ高熱伝導絶縁性基板で、例
えばＳｉＣ基板、７は封止用樹脂で、一般的な樹脂でよ
く、高熱伝導のものを使用する必要はない。
半導体素子１は、従来の半導体装置の製造方法と同様に
フラットフＬ・−ム４のアイランド部４ａ上にグイボン
ドされ、ＡＩワイヤ２により外部導出用リード４ｂと接
続される。一方、放熱ブロック３上には、板厚１ｍｍ前
後のＳｉＣ基板５を半田層６により接続し、さらにＳｉ
Ｃ基板５上に前記半導体素子１をグイボンドしたフラッ
トフし一ム４のアイランド部４ａを半田Ｍ６により接続
する１、この状態を第２図に斜視図で示す。
この後、封止用樹脂７で樹脂封止を行い、第１図に示す
構造を得る。
以上のように、この発明の大電力絶縁樹脂封止型半導体
装置は、従来の半導体装置の製造工程をほとんど変更せ
ずに得ることができる。
なお、上記実施例では、高熱伝導絶縁性基板にＳｉＣ基
板５を使用した場合について説明したが、アルミナ基板
やＡＩＮ基板、その他の高熱伝導絶縁性基板でも同様の
効果が得られることはあきらかである。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、放熱ブロック上に高
熱伝導絶縁性基板を接合し、この高熱伝導絶縁性基板上
に、アイランド部と外部導出用リドがフラット状に形成
されたフラットフレームのアイランド部を接合し、この
アイランド部に半導体素子を搭載し、半導体素子と外部
導出用リードとの間を所要のボンディングワイヤにより
接続し、さらにこれらを放熱ブロックの裏面を露出させ
て封止用樹脂により樹脂封止したので、絶縁樹脂封止型
半導体装置の熱抵抗を高熱伝導絶縁基板の選択により改
善でき、設計の自由度が大幅に向上し、高熱伝導封止用
樹脂を用いる必要性がなくなり、絶縁４！！ｌ脂封止型
半導体装置が大容量化され、安価で、信頼性の高い大電
力絶縁樹脂封止型半導体装置が容易に得られる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は乙の発明の一実施例による大電力絶縁樹脂封止
型半導体装置の断面図、第２図は、第１図の樹脂封止型
半導体装置の樹脂封止前の斜視図、第３図は従来の樹脂
封止型半導体装置の断面図、第４図は、第３図の樹脂封
止前の状態を示す斜視図である。 図において、１は半導体素子、２はＡＩワイヤ、３は放
熱ブロック、４はフラッＩ−フレーム、５はＳｉＣ基板
、６は半田層、７は封止用樹脂である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 放熱ブロック上に高熱伝導絶縁性基板を接合し、この高
    熱伝導絶縁性基板上に、アイランド部と外部導出用リー
    ドがフラット状に形成されたフラットフレームの前記ア
    イランド部を接合し、このアイランド部に半導体素子を
    搭載し、前記半導体素子と外部導出用リードとの間を所
    要のボンデイングワイヤにより接続し、さらにこれらを
    前記放熱ブロックの裏面を露出させて封止樹脂により樹
    脂封止したことを特徴とする大電力絶縁樹脂封止型半導
    体装置。
JP3466790A 1990-02-15 1990-02-15 大電力絶縁樹脂封止型半導体装置 Pending JPH03238851A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2526171A (en) * 2014-03-28 2015-11-18 Deere & Co Electronic assembly for an inverter
US9504191B2 (en) 2014-03-28 2016-11-22 Deere & Company Electronic assembly for an inverter

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