JP2928120B2 - 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JP2928120B2 JP2928120B2 JP7005495A JP549595A JP2928120B2 JP 2928120 B2 JP2928120 B2 JP 2928120B2 JP 7005495 A JP7005495 A JP 7005495A JP 549595 A JP549595 A JP 549595A JP 2928120 B2 JP2928120 B2 JP 2928120B2
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- semiconductor device
- lead
- tie bar
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方
法に関する。
用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置用リードフ
レームは、樹脂封止の際の上下金型の隙間から漏れ出す
樹脂をせき止めるために外部リード間を連絡するタイバ
ーを備えており、樹脂封止後にそのタイバーを切断金型
で切断除去するのが一般的である。また、封止樹脂領域
の周端からタイバーまでの間に漏れ出た樹脂は水圧ホー
ニング装置等を用い高圧水にて除去するのが一般的であ
るが、リードフレームと封止樹脂との接着力は強いた
め、高圧水でも完全に除去するのは困難である。この対
策として、特開平４−１６４３５６号公報に示された技
術がある。
レームは、樹脂封止の際の上下金型の隙間から漏れ出す
樹脂をせき止めるために外部リード間を連絡するタイバ
ーを備えており、樹脂封止後にそのタイバーを切断金型
で切断除去するのが一般的である。また、封止樹脂領域
の周端からタイバーまでの間に漏れ出た樹脂は水圧ホー
ニング装置等を用い高圧水にて除去するのが一般的であ
るが、リードフレームと封止樹脂との接着力は強いた
め、高圧水でも完全に除去するのは困難である。この対
策として、特開平４−１６４３５６号公報に示された技
術がある。
【０００３】図４は、特開平４−１６４３５６号公報に
示された従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
の部分平面図である。
示された従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
の部分平面図である。
【０００４】図４に示す従来のリードフレームでは、封
止樹脂領域の周端５からタイバー１までの間に存在する
外部リード２の側面に封止樹脂との密着性の悪い物質４
を形成することにより、樹脂封止時に封止樹脂領域の周
端５からタイバー１までの間に生じる樹脂を容易に除去
することができる。
止樹脂領域の周端５からタイバー１までの間に存在する
外部リード２の側面に封止樹脂との密着性の悪い物質４
を形成することにより、樹脂封止時に封止樹脂領域の周
端５からタイバー１までの間に生じる樹脂を容易に除去
することができる。
【０００５】一方、半導体装置の外部リードピッチが狭
くなるに従い、従来のタイバー切断金型によるタイバー
の切断除去が困難になってきている。すなわち、リード
ピッチが狭くなるに従いタイバーを切断除去するポンチ
も細くなってゆき、機械的強度が低下し容易に破損して
しまうという問題点が生じる。
くなるに従い、従来のタイバー切断金型によるタイバー
の切断除去が困難になってきている。すなわち、リード
ピッチが狭くなるに従いタイバーを切断除去するポンチ
も細くなってゆき、機械的強度が低下し容易に破損して
しまうという問題点が生じる。
【０００６】この対策としては、特開平４−１３９８６
８号公報に示されているタイバーそのものをなくすとい
う技術がある。
８号公報に示されているタイバーそのものをなくすとい
う技術がある。
【０００７】図５は、特開平４−１３９８６８号公報に
示された従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
の平面図である。
示された従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
の平面図である。
【０００８】すなわち、図５に示すように外部リード２
の間にタイバーと同様の機能を果たす樹脂（以下、「樹
脂タイバー３」という）が形成されている。樹脂封止時
には、この樹脂タイバー３により封止樹脂はせき止めら
れる。この樹脂タイバー３を残したままにしておくとリ
ード成形時にリード変形の原因となり、またリード成形
時に剥がれてリード表面に圧着されることもあるので、
一般的には樹脂封止後に除去される。除去方法として
は、水圧ホーニング装置等を用いて高圧水を吹き付ける
のが一般的である。
の間にタイバーと同様の機能を果たす樹脂（以下、「樹
脂タイバー３」という）が形成されている。樹脂封止時
には、この樹脂タイバー３により封止樹脂はせき止めら
れる。この樹脂タイバー３を残したままにしておくとリ
ード成形時にリード変形の原因となり、またリード成形
時に剥がれてリード表面に圧着されることもあるので、
一般的には樹脂封止後に除去される。除去方法として
は、水圧ホーニング装置等を用いて高圧水を吹き付ける
のが一般的である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示したリードフレームには次のような問題点がある。図
６は図５に示したリードフレームのリード断面図、図７
は図５に示したリードフレームの部分平面図である。
示したリードフレームには次のような問題点がある。図
６は図５に示したリードフレームのリード断面図、図７
は図５に示したリードフレームの部分平面図である。
【００１０】樹脂タイバーが適用される樹脂封止型半導
体装置は、通常、タイバー切断が困難なリードピッチの
狭いものであるが、そのようなリードピッチの狭い樹脂
封止型半導体装置用のリードフレームはプレス加工では
なくエッチングにて製造される。エッチングにて製造さ
れたリードフレームのリード断面は図６に示すように矩
形とはならずにリード間の側面が湾曲している。
体装置は、通常、タイバー切断が困難なリードピッチの
狭いものであるが、そのようなリードピッチの狭い樹脂
封止型半導体装置用のリードフレームはプレス加工では
なくエッチングにて製造される。エッチングにて製造さ
れたリードフレームのリード断面は図６に示すように矩
形とはならずにリード間の側面が湾曲している。
【００１１】そのため樹脂封止後に、樹脂タイバーを除
去する目的で高圧水を吹き付けても、図７に示すように
樹脂タイバー３がリード側面の湾曲部に支えられてリー
ド間で移動するだけで落下しない場合がある。樹脂タイ
バーが除去できずにリード間に残っていると、リード成
形にてリードが変形したり、あるいはリード成形時に樹
脂が剥がれ落ちてリード表面に圧着されたりして、歩留
りが低下してしまう。
去する目的で高圧水を吹き付けても、図７に示すように
樹脂タイバー３がリード側面の湾曲部に支えられてリー
ド間で移動するだけで落下しない場合がある。樹脂タイ
バーが除去できずにリード間に残っていると、リード成
形にてリードが変形したり、あるいはリード成形時に樹
脂が剥がれ落ちてリード表面に圧着されたりして、歩留
りが低下してしまう。
【００１２】このように樹脂タイバーがリード間に残る
現象は、樹脂とリードフレームとの密着性とは関係ない
ため、リードの側面に樹脂との密着性の悪い物質を形成
するという前述の特開平４−１６４３５６号公報に示さ
れた技術を適用しても全く効果がない。
現象は、樹脂とリードフレームとの密着性とは関係ない
ため、リードの側面に樹脂との密着性の悪い物質を形成
するという前述の特開平４−１６４３５６号公報に示さ
れた技術を適用しても全く効果がない。
【００１３】そこで本発明は、上記従来技術の有する問
題点に鑑み、タイバーの代わりにリード間にタイバーと
同様の機能を果たす樹脂が形成されているリードフレー
ムにおいて、樹脂封止後に、リード間の樹脂封止領域の
周端から樹脂タイバーを含むまでの樹脂を容易に除去す
ることができる樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
および樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
題点に鑑み、タイバーの代わりにリード間にタイバーと
同様の機能を果たす樹脂が形成されているリードフレー
ムにおいて、樹脂封止後に、リード間の樹脂封止領域の
周端から樹脂タイバーを含むまでの樹脂を容易に除去す
ることができる樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
および樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、エッチングにより製造され、かつ、樹脂封
止領域内からその外側へと形成されている外部リードの
間であって該樹脂封止領域の周端の外側付近に、タイバ
ーの代わりに該タイバーと同様の機能を果たす樹脂が形
成されている樹脂封止型半導体装置用リードフレームに
おいて、前記外部リードの幅を前記樹脂封止領域の周端
から外側に離れるに従って徐々に細くし、樹脂封止後に
前記樹脂の除去が容易にしてなる外部リード形状とした
ことを特徴とする。
に本発明は、エッチングにより製造され、かつ、樹脂封
止領域内からその外側へと形成されている外部リードの
間であって該樹脂封止領域の周端の外側付近に、タイバ
ーの代わりに該タイバーと同様の機能を果たす樹脂が形
成されている樹脂封止型半導体装置用リードフレームに
おいて、前記外部リードの幅を前記樹脂封止領域の周端
から外側に離れるに従って徐々に細くし、樹脂封止後に
前記樹脂の除去が容易にしてなる外部リード形状とした
ことを特徴とする。
【００１５】また、上記の樹脂封止型半導体装置用リー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法で
あって、樹脂封止後に高圧水にて前記樹脂を除去するこ
とを特徴とする方法も本発明に属する。
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法で
あって、樹脂封止後に高圧水にて前記樹脂を除去するこ
とを特徴とする方法も本発明に属する。
【００１６】
【作用】エッチングにより製造されたリードフレームで
は、タイバーの代わりを果たす樹脂、すなわち樹脂タイ
バーを外部リード間に形成した場合、樹脂タイバーは、
エッチングによってできたリード側面の湾曲部により支
えられた状態にある。そして、樹脂封止後、樹脂タイバ
ーを除去するために高圧水を吹き付けると、外部リード
間の樹脂タイバーは、リード側面の湾曲部に支えられた
まま移動する。このとき、樹脂タイバーがリード間を樹
脂封止領域から離れる方向へと移動するにつれて、本発
明によるリードフレームの外部リードの幅が樹脂封止領
域の周端から外側に離れるに従って徐々に細くなった形
状であるため、リード間隔が広くなり、容易に落下す
る。また同時に、樹脂封止後の周端から樹脂タイバーま
での間に漏れ出た樹脂（バリ）も同様に除去される。
は、タイバーの代わりを果たす樹脂、すなわち樹脂タイ
バーを外部リード間に形成した場合、樹脂タイバーは、
エッチングによってできたリード側面の湾曲部により支
えられた状態にある。そして、樹脂封止後、樹脂タイバ
ーを除去するために高圧水を吹き付けると、外部リード
間の樹脂タイバーは、リード側面の湾曲部に支えられた
まま移動する。このとき、樹脂タイバーがリード間を樹
脂封止領域から離れる方向へと移動するにつれて、本発
明によるリードフレームの外部リードの幅が樹脂封止領
域の周端から外側に離れるに従って徐々に細くなった形
状であるため、リード間隔が広くなり、容易に落下す
る。また同時に、樹脂封止後の周端から樹脂タイバーま
での間に漏れ出た樹脂（バリ）も同様に除去される。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１８】図１は本発明の樹脂封止型半導体装置用リ
ードフレームの第１実施例の特徴部を示す部分平面図で
ある。
ードフレームの第１実施例の特徴部を示す部分平面図で
ある。
【００１９】第１実施例のリードフレームはリードピッ
チ０．５ｍｍの１６０ピンＱＦＰに使用するものであ
り、図１に示すように外部リード１１のリード間には、
タイバーと同様の機能を果たす樹脂、すなわち樹脂タイ
バー１２が形成されている。そして外部リード１１は、
樹脂タイバー１２が形成された部分より樹脂封止領域側
から見て外側に段差を有することで、樹脂タイバー１２
を含む樹脂封止領域近傍のリード幅よりもリード先端側
が細くなっている。そのため、樹脂タイバー１２が形成
されている部分よりも樹脂封止領域側から見て外側の、
樹脂タイバー１２が形成されていない部分におけるリー
ド同士の間隔は、樹脂タイバー１２が形成されている部
分のリード同士の間隔より広い。
チ０．５ｍｍの１６０ピンＱＦＰに使用するものであ
り、図１に示すように外部リード１１のリード間には、
タイバーと同様の機能を果たす樹脂、すなわち樹脂タイ
バー１２が形成されている。そして外部リード１１は、
樹脂タイバー１２が形成された部分より樹脂封止領域側
から見て外側に段差を有することで、樹脂タイバー１２
を含む樹脂封止領域近傍のリード幅よりもリード先端側
が細くなっている。そのため、樹脂タイバー１２が形成
されている部分よりも樹脂封止領域側から見て外側の、
樹脂タイバー１２が形成されていない部分におけるリー
ド同士の間隔は、樹脂タイバー１２が形成されている部
分のリード同士の間隔より広い。
【００２０】第１実施例では外部リード１１は、封止樹
脂領域の周端１３から０．８７ｍｍまでは一定のリード
幅０．３５ｍｍで、ここで段差を持ち、封止樹脂領域の
周端１３から１．０ｍｍ以上離れた所からは一定のリー
ド幅０．２ｍｍとなっている。また、リード間の樹脂タ
イバー１２は、封止樹脂領域の周端１３より０．２ｍｍ
離れた所から０．６ｍｍの長さで形成されている。
脂領域の周端１３から０．８７ｍｍまでは一定のリード
幅０．３５ｍｍで、ここで段差を持ち、封止樹脂領域の
周端１３から１．０ｍｍ以上離れた所からは一定のリー
ド幅０．２ｍｍとなっている。また、リード間の樹脂タ
イバー１２は、封止樹脂領域の周端１３より０．２ｍｍ
離れた所から０．６ｍｍの長さで形成されている。
【００２１】図１に示したリードフレームを用いて半導
体装置を製造すると、樹脂封止時、封止樹脂は外部リー
ド１１の間に形成された樹脂タイバー１２にてせき止め
られる。その後、樹脂タイバー１２を除去するために高
圧水を吹き付けると、従来技術とは異なり、樹脂タイバ
ー１２が形成されている部分のリード幅が、その部分よ
り樹脂封止領域側から見て外側の、樹脂タイバー１２が
形成されていない部分のリード幅より太いため、外部リ
ード１１間に形成された樹脂タイバー１２が、エッチン
グによるリード側面の湾曲部に支えられてリード間を移
動した際に容易に落下する。また、樹脂封止領域の周端
１３から樹脂タイバー１２までの間に生じた封止樹脂も
同様に高圧水により除去される。
体装置を製造すると、樹脂封止時、封止樹脂は外部リー
ド１１の間に形成された樹脂タイバー１２にてせき止め
られる。その後、樹脂タイバー１２を除去するために高
圧水を吹き付けると、従来技術とは異なり、樹脂タイバ
ー１２が形成されている部分のリード幅が、その部分よ
り樹脂封止領域側から見て外側の、樹脂タイバー１２が
形成されていない部分のリード幅より太いため、外部リ
ード１１間に形成された樹脂タイバー１２が、エッチン
グによるリード側面の湾曲部に支えられてリード間を移
動した際に容易に落下する。また、樹脂封止領域の周端
１３から樹脂タイバー１２までの間に生じた封止樹脂も
同様に高圧水により除去される。
【００２２】次に、本発明の第２実施例を説明する。
【００２３】図２は本発明の樹脂封止型半導体装置用リ
ードフレームの第２実施例を示す部分平面図である。
ードフレームの第２実施例を示す部分平面図である。
【００２４】図２に示す第２実施例のリードフレームも
第１実施例と同様、リードピッチ０．５ｍｍの１６０ピ
ンＱＦＰに使用するものとした。
第１実施例と同様、リードピッチ０．５ｍｍの１６０ピ
ンＱＦＰに使用するものとした。
【００２５】第２実施例では外部リード２１は、封止樹
脂領域の周端２３においてリード幅０．３５ｍｍであっ
て、封止樹脂領域の周端２３から離れるに従って徐々に
細くなり封止樹脂領域の周端２３から２ｍｍ離れた所か
らは一定のリード幅０．２ｍｍとなっている。また、リ
ード間の樹脂タイバー２２は、封止樹脂領域の周端１３
より０．２ｍｍの所から０．６ｍｍの長さで形成されて
いる。
脂領域の周端２３においてリード幅０．３５ｍｍであっ
て、封止樹脂領域の周端２３から離れるに従って徐々に
細くなり封止樹脂領域の周端２３から２ｍｍ離れた所か
らは一定のリード幅０．２ｍｍとなっている。また、リ
ード間の樹脂タイバー２２は、封止樹脂領域の周端１３
より０．２ｍｍの所から０．６ｍｍの長さで形成されて
いる。
【００２６】その結果、第１実施例とは異なり、外部リ
ード根元から外部リード先端にかけて段差がない。この
ようにすると、高圧水を吹き付けた際の除去性は第１実
施例と同様であるが、外部リードに段差がないためリー
ド成形が安定して行なえるという利点がある。
ード根元から外部リード先端にかけて段差がない。この
ようにすると、高圧水を吹き付けた際の除去性は第１実
施例と同様であるが、外部リードに段差がないためリー
ド成形が安定して行なえるという利点がある。
【００２７】次に、実際の結果に評価した結果について
説明する。
説明する。
【００２８】図３は、第１および第２実施例と比較評価
するための従来のリードフレームの部分平面図である。
するための従来のリードフレームの部分平面図である。
【００２９】評価にあたっては従来技術との比較のた
め、図３に示すような外部リード３１の幅が０．２ｍｍ
で一定で、外部リード３１間に封止樹脂領域の周端１３
より０．２ｍｍの所から０．６ｍｍの長さで樹脂タイバ
ー３２が形成されている０．５ｍｍピッチの１６０ピン
ＱＦＰ用リードフレームを用意した。
め、図３に示すような外部リード３１の幅が０．２ｍｍ
で一定で、外部リード３１間に封止樹脂領域の周端１３
より０．２ｍｍの所から０．６ｍｍの長さで樹脂タイバ
ー３２が形成されている０．５ｍｍピッチの１６０ピン
ＱＦＰ用リードフレームを用意した。
【００３０】この従来技術、第１実施例、および第２実
施例の３種のリードフレームを樹脂封止し、その後、外
部リード間の樹脂を除去するために２００ｋｇ／ｃｍ2
の高圧水を吹き付けたところ、半導体装置単位での樹脂
残り発生率は、 従来技術の図３のリードフレーム：１００％（６０個／
６０個）、 第１実施例の図１のリードフレーム：０％（０個／６０
個）、 第２実施例の図２のリードフレーム：０％（０個／６０
個）となり、本発明の効果が確認された。
施例の３種のリードフレームを樹脂封止し、その後、外
部リード間の樹脂を除去するために２００ｋｇ／ｃｍ2
の高圧水を吹き付けたところ、半導体装置単位での樹脂
残り発生率は、 従来技術の図３のリードフレーム：１００％（６０個／
６０個）、 第１実施例の図１のリードフレーム：０％（０個／６０
個）、 第２実施例の図２のリードフレーム：０％（０個／６０
個）となり、本発明の効果が確認された。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エッチン
グにより製造され、かつ、樹脂封止領域内からその外側
へと形成されている外部リードの間であって該樹脂封止
領域の周端の外側付近に、タイバーの代わりに該タイバ
ーと同様の機能を果たす樹脂が形成されている樹脂封止
型半導体装置用リードフレームにおいて、前記外部リー
ドの幅を前記樹脂封止領域の周端から外側に離れるに従
って徐々に細くしたことにより、樹脂封止後に容易にリ
ード間の樹脂を除去することができ、リード間に樹脂が
残ることが原因で発生するリード成形時のリード変形、
リードへの樹脂圧着を防止することができる。
グにより製造され、かつ、樹脂封止領域内からその外側
へと形成されている外部リードの間であって該樹脂封止
領域の周端の外側付近に、タイバーの代わりに該タイバ
ーと同様の機能を果たす樹脂が形成されている樹脂封止
型半導体装置用リードフレームにおいて、前記外部リー
ドの幅を前記樹脂封止領域の周端から外側に離れるに従
って徐々に細くしたことにより、樹脂封止後に容易にリ
ード間の樹脂を除去することができ、リード間に樹脂が
残ることが原因で発生するリード成形時のリード変形、
リードへの樹脂圧着を防止することができる。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ムの第１実施例の特徴部を示す部分平面図である。
ムの第１実施例の特徴部を示す部分平面図である。
【図２】本発明の樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ムの第２実施例を示す部分平面図である。
ムの第２実施例を示す部分平面図である。
【図３】第１および第２実施例と比較評価するための従
来のリードフレームの部分平面図である。
来のリードフレームの部分平面図である。
【図４】特開平４−１６４３５６号公報に示された従来
の樹脂封止型半導体装置用リードフレームの部分平面図
である。
の樹脂封止型半導体装置用リードフレームの部分平面図
である。
【図５】特開平４−１３９８６８号公報に示された従来
の樹脂封止型半導体装置用リードフレームの平面図であ
る。
の樹脂封止型半導体装置用リードフレームの平面図であ
る。
【図６】図５に示したリードフレームのリード断面図で
ある。
ある。
【図７】図５に示したリードフレームの部分平面図であ
る。
る。
１１，２１，３１ 外部リード １２，２２，３２ 樹脂タイバー １３，２３，３３ 樹脂封止領域の周端
Claims (2)
- 【請求項１】エッチングにより製造され、かつ、樹脂封
止領域内からその外側へと形成されている外部リードの
間であって該樹脂封止領域の周端の外側付近に、タイバ
ーの代わりに該タイバーと同様の機能を果たす樹脂が形
成されている樹脂封止型半導体装置用リードフレームに
おいて、 前記外部リードの幅を前記樹脂封止領域の周端から外側
に離れるに従って徐々に細くし、樹脂封止後に前記樹脂
の除去が容易にしてなる外部リード形状としたことを特
徴とする樹脂封止型半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置用
リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方
法であって、 樹脂封止後に高圧水にて前記樹脂を除去することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7005495A JP2928120B2 (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| TW085100465A TW295714B (ja) | 1995-01-18 | 1996-01-16 | |
| KR1019960001007A KR100242362B1 (ko) | 1995-01-18 | 1996-01-18 | 수지 봉합된 반도체 장치의 리드프레임과 수지 봉합된 반도체 장치의 제조 방법 |
| CN96104307A CN1051170C (zh) | 1995-01-18 | 1996-01-18 | 树脂密封半导体器件的引线框和该半导体器件的制造方法 |
| US08/891,831 US5821610A (en) | 1995-01-18 | 1997-07-14 | Leadframe allowing easy removal of tie bars in a resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7005495A JP2928120B2 (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195462A JPH08195462A (ja) | 1996-07-30 |
| JP2928120B2 true JP2928120B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=11612820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7005495A Expired - Lifetime JP2928120B2 (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5821610A (ja) |
| JP (1) | JP2928120B2 (ja) |
| KR (1) | KR100242362B1 (ja) |
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