JP3111759B2 - リードフレームおよびリードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびリードフレームの製造方法Info
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- lead frame
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体用リードフレー
ムとその製造方法に係わり、更に詳しくはリードフレー
ムインナーリード部インナーリードに銀メッキを施す際
の銀漏れ防止を行い半導体装置の信頼性向上に関するも
のである。
ムとその製造方法に係わり、更に詳しくはリードフレー
ムインナーリード部インナーリードに銀メッキを施す際
の銀漏れ防止を行い半導体装置の信頼性向上に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図４は集積回路チップを搭載する従来の
リードフレームの一例を示す平面図である。フレーム枠
１は略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパッド
２を有している。更にダイパッド２はタイバー３によっ
てフレーム枠１に支持されている。又フレーム枠１の内
壁からは多数の細いインナーリード４が前記ダイパッド
２に向かって延在しており、各インナーリード４はモー
ルド工程でモールドエリア６内の樹脂封止時に樹脂の流
出を防止する為のダムバー５で支持されている。このダ
ムバー５はダイパッド２に搭載固着された集積回路チッ
プとインナーリード４のダイパッド側先端部をワイヤで
配線する際の補強部材となっており樹脂封止後各リード
間のダムバー５を切断する。フレーム枠１の内壁からダ
イパッド２に向かって延在しているインナーリード４の
ダイパッド２側の先端には銀メッキ７が施してある。銀
メッキ７を施す理由は、ダイパッド２に搭載固着された
集積回路チップとインナーリード４の先端部をワイヤで
配線した時のインナーリードとワイヤの合金を促進しワ
イヤボンディングの熱圧着の強度を上げるためである。
リードフレームの一例を示す平面図である。フレーム枠
１は略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパッド
２を有している。更にダイパッド２はタイバー３によっ
てフレーム枠１に支持されている。又フレーム枠１の内
壁からは多数の細いインナーリード４が前記ダイパッド
２に向かって延在しており、各インナーリード４はモー
ルド工程でモールドエリア６内の樹脂封止時に樹脂の流
出を防止する為のダムバー５で支持されている。このダ
ムバー５はダイパッド２に搭載固着された集積回路チッ
プとインナーリード４のダイパッド側先端部をワイヤで
配線する際の補強部材となっており樹脂封止後各リード
間のダムバー５を切断する。フレーム枠１の内壁からダ
イパッド２に向かって延在しているインナーリード４の
ダイパッド２側の先端には銀メッキ７が施してある。銀
メッキ７を施す理由は、ダイパッド２に搭載固着された
集積回路チップとインナーリード４の先端部をワイヤで
配線した時のインナーリードとワイヤの合金を促進しワ
イヤボンディングの熱圧着の強度を上げるためである。
【０００３】銀メッキの種類は、メッキを施す部分の違
いによって主に次の２つがある。
いによって主に次の２つがある。
【０００４】１）ダイパッド２の全体及びリード４の先
端部にメッキを施す部分銀メッキ。
端部にメッキを施す部分銀メッキ。
【０００５】２）リード４の先端部のみにメッキを施す
リング銀メッキ。
リング銀メッキ。
【０００６】上記のようなリードフレームの製作工程で
は、まず、材料となる金属板をエッチング加工またはス
タンピング加工によりダイパッド２、タイバー３、イン
ナーリード４、ダムバー５、アウターリード８等の形状
を作製する。形状作製後インナーリード４の先端に銀メ
ッキ７を施す。前述の部分メッキの場合は、インナーリ
ード４に加えてダイパッド２にもメッキを施す。その
後、必要に応じてポリイミドテープをインナーリード４
の中間部に貼付けし、ダイパッド２をタイバー５の適当
な位置でインナーリード４の面よりも下に折り曲げるデ
プレス加工をしてリードフレーム完成品とする。
は、まず、材料となる金属板をエッチング加工またはス
タンピング加工によりダイパッド２、タイバー３、イン
ナーリード４、ダムバー５、アウターリード８等の形状
を作製する。形状作製後インナーリード４の先端に銀メ
ッキ７を施す。前述の部分メッキの場合は、インナーリ
ード４に加えてダイパッド２にもメッキを施す。その
後、必要に応じてポリイミドテープをインナーリード４
の中間部に貼付けし、ダイパッド２をタイバー５の適当
な位置でインナーリード４の面よりも下に折り曲げるデ
プレス加工をしてリードフレーム完成品とする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように半導体用
リードフレームは図４のインナーリード４のダイパッド
側先端に銀メッキ７を施してあり半導体装置の組立時に
集積回路チップとインナーリード４とを結ぶワイヤ熱圧
着力を高める為にはどうしても銀メッキ７の部分が必要
である。しかし銀メッキ７を施す際には、前述の銀メッ
キの種類に関係無く、銀メッキを必要としない部分を完
全にマスキングする事は難しく特にインナーリード側面
への漏れは抑えられない。漏れ出した銀メッキが図３の
モールドエリア６を通過しダムバー５に至ってしまう。
モールドエリア６からダムバー５間に漏れ出した銀メッ
キは、モールドエリア６の内側を樹脂封止後に脱銀剤を
使用し脱銀を行っているが漏れ銀を完全に除去するのは
困難である。銀漏れが極小なりとも含まれている半導体
装置は、後工程である半田メッキでの半田メッキフクレ
や銀漏れ残りによるアウターリード８間のリーク等が発
生し長期間安定的に半導体装置が稼働しなかった。
リードフレームは図４のインナーリード４のダイパッド
側先端に銀メッキ７を施してあり半導体装置の組立時に
集積回路チップとインナーリード４とを結ぶワイヤ熱圧
着力を高める為にはどうしても銀メッキ７の部分が必要
である。しかし銀メッキ７を施す際には、前述の銀メッ
キの種類に関係無く、銀メッキを必要としない部分を完
全にマスキングする事は難しく特にインナーリード側面
への漏れは抑えられない。漏れ出した銀メッキが図３の
モールドエリア６を通過しダムバー５に至ってしまう。
モールドエリア６からダムバー５間に漏れ出した銀メッ
キは、モールドエリア６の内側を樹脂封止後に脱銀剤を
使用し脱銀を行っているが漏れ銀を完全に除去するのは
困難である。銀漏れが極小なりとも含まれている半導体
装置は、後工程である半田メッキでの半田メッキフクレ
や銀漏れ残りによるアウターリード８間のリーク等が発
生し長期間安定的に半導体装置が稼働しなかった。
【０００８】したがって、インナーリードのダイパッド
側先端への銀メッキを施す際に銀メッキが漏れてもモー
ルドエリア６外への銀漏れを防止ができ、安定した半導
体の稼働を保証することのできるリードフレームを提供
することが強く望まれた。
側先端への銀メッキを施す際に銀メッキが漏れてもモー
ルドエリア６外への銀漏れを防止ができ、安定した半導
体の稼働を保証することのできるリードフレームを提供
することが強く望まれた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るリードフレ
ームは、一方から他方に向かって延出される複数のリー
ドを有するリードフレームであって、前記複数のリード
に囲まれており半導体チップが搭載されるダイパッド
と、前記ダイパッドの複数の隅部から延出して設けられ
前記ダイパッドを支持する複数のタイバーと、前記リー
ドの前記一方における先端部に施された銀メッキ部と、
前記リードの銀メッキ部の施された位置よりも前記他方
側に設けられ且つ前記リードフレームと同じ材料で一体
成形された第１のダムバーと、前記銀メッキの領域と前
記第１のダムバーとの間に形成され且つ前記リードフレ
ームと同じ材料で一体成形された第２のダムバーと、を
有し、前記第２のダムバーは、前記タイバー間に位置す
るリード全てに跨って設けられると共に前記タイバーと
は離間された状態に形成されてなることを特徴とする。
また、前記第２のダムバーは、前記各リード毎に電気的
に独立するように且つ突起部を残すように前記リード間
に位置する部位が切り離されてなることを特徴とする。
ームは、一方から他方に向かって延出される複数のリー
ドを有するリードフレームであって、前記複数のリード
に囲まれており半導体チップが搭載されるダイパッド
と、前記ダイパッドの複数の隅部から延出して設けられ
前記ダイパッドを支持する複数のタイバーと、前記リー
ドの前記一方における先端部に施された銀メッキ部と、
前記リードの銀メッキ部の施された位置よりも前記他方
側に設けられ且つ前記リードフレームと同じ材料で一体
成形された第１のダムバーと、前記銀メッキの領域と前
記第１のダムバーとの間に形成され且つ前記リードフレ
ームと同じ材料で一体成形された第２のダムバーと、を
有し、前記第２のダムバーは、前記タイバー間に位置す
るリード全てに跨って設けられると共に前記タイバーと
は離間された状態に形成されてなることを特徴とする。
また、前記第２のダムバーは、前記各リード毎に電気的
に独立するように且つ突起部を残すように前記リード間
に位置する部位が切り離されてなることを特徴とする。
【００１０】一方、本発明のリードフレームの製造方法
は、一方から他方に向かって延出される複数のリードを
有するリードフレームの製造方法であって、前記リード
フレームと同じ材料で一体成形された第１のダムバー
と、前記リードフレームと同じ材料で一体成形され且つ
前記第１のダムバーよりも前記一方側で且つ前記リード
の前記一方側のリード間のピッチを広がるように変換し
たピッチ変換部よりも他方側に位置し前記複数のリード
に跨って形成された第２のダムバーと、複数のリードに
囲まれており半導体チップが搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの複数の隅部から延出して設けられ前記
ダイパッドを支持する複数のタイバーと、を有するリー
ドフレームを用意する工程と、を有するリードフレーム
を用意する工程と、前記リードの前記一方における先端
部に銀メッキを施す工程と、前記工程の後に前記第２の
ダムバーの少なくとも一部を打ち抜き、各々の前記リー
ドを電気的に独立した状態に形成する工程と、前記リー
ドの前記一方における先端部に銀メッキを施す工程と、
前記工程の後に前記第２のダムバーの少なくとも一部を
打ち抜き、各々の前記リードを電気的に独立した状態に
形成する工程と、を有することを特徴とする。
は、一方から他方に向かって延出される複数のリードを
有するリードフレームの製造方法であって、前記リード
フレームと同じ材料で一体成形された第１のダムバー
と、前記リードフレームと同じ材料で一体成形され且つ
前記第１のダムバーよりも前記一方側で且つ前記リード
の前記一方側のリード間のピッチを広がるように変換し
たピッチ変換部よりも他方側に位置し前記複数のリード
に跨って形成された第２のダムバーと、複数のリードに
囲まれており半導体チップが搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの複数の隅部から延出して設けられ前記
ダイパッドを支持する複数のタイバーと、を有するリー
ドフレームを用意する工程と、を有するリードフレーム
を用意する工程と、前記リードの前記一方における先端
部に銀メッキを施す工程と、前記工程の後に前記第２の
ダムバーの少なくとも一部を打ち抜き、各々の前記リー
ドを電気的に独立した状態に形成する工程と、前記リー
ドの前記一方における先端部に銀メッキを施す工程と、
前記工程の後に前記第２のダムバーの少なくとも一部を
打ち抜き、各々の前記リードを電気的に独立した状態に
形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
【作用】インナーリード先端部とモールドエリアの中間
部に素材金属性またはＵＶ硬化型樹脂性のダムバーを設
けることにより、リードフレームの製造工程でインナー
リード先端部に銀メッキを施す際にリード側面を伝いモ
ールドエリア外へ漏れ出すことを防止できる。
部に素材金属性またはＵＶ硬化型樹脂性のダムバーを設
けることにより、リードフレームの製造工程でインナー
リード先端部に銀メッキを施す際にリード側面を伝いモ
ールドエリア外へ漏れ出すことを防止できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１、図２および図
３を用いて説明する。
３を用いて説明する。
【００１３】図１は本発明の第１の実施例を示すリード
フレームの全体図である。フレーム枠１は略中央に集積
回路チップを搭載固着するダイパッド２を有している。
更にダイパッド２はタイバー３によってフレーム枠１に
支持されている。又フレーム枠１の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に、銀メッキ７を必要とし
ない部分を完全にマスキングすることは難しく、特にイ
ンナーリード４の側面への銀メッキの漏れは抑えられな
い。インナーリード４の側面を伝わって漏れ出した銀メ
ッキは、インナーリード４の先端からモールドエリア６
間にリードフレームの製造工程でエッチング加工または
スタンピング加工により設けられた素材金属性の銀メッ
キ漏れ止め用ダムバー９により止められる。この銀メッ
キ漏れ止め用ダムバー９のインナーリード４の間隔部分
を銀メッキを施した後に金型により打ち抜く。図２は銀
メッキ漏れ止め用ダムバー９を金型により打ち抜いた後
のリードフレームの部分平面図であるが、金型により打
ち抜かれた銀メッキ漏れ止め用のダムバー９は図２に示
す様にインナーリード４の突起部分１０となって残るも
のの、図４に示す従来のリードフレームの形状と同等と
なり、電気的な機能にも支障がなくなる。銀メッキ漏れ
止め用ダムバー９を金型により打ち抜いた後にモールド
工程でモールドエリア６内を樹脂封止する。こうするこ
とによりダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは皆無とな
り、樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでなく、
アウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田メッキ
ふくれや銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリ
ークが押さえられ長期間安定した半導体装置の稼働が可
能となる。さらには、金型により打ち抜かれた銀メッキ
漏れ止め用ダムバーの突起部１０はインナーリード４の
一部となり、半導体装置を基板に実装する際のアウター
リード８の抜け防止にもなる。樹脂封止後、アウターリ
ード８間のダムバー５を切断する。
フレームの全体図である。フレーム枠１は略中央に集積
回路チップを搭載固着するダイパッド２を有している。
更にダイパッド２はタイバー３によってフレーム枠１に
支持されている。又フレーム枠１の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に、銀メッキ７を必要とし
ない部分を完全にマスキングすることは難しく、特にイ
ンナーリード４の側面への銀メッキの漏れは抑えられな
い。インナーリード４の側面を伝わって漏れ出した銀メ
ッキは、インナーリード４の先端からモールドエリア６
間にリードフレームの製造工程でエッチング加工または
スタンピング加工により設けられた素材金属性の銀メッ
キ漏れ止め用ダムバー９により止められる。この銀メッ
キ漏れ止め用ダムバー９のインナーリード４の間隔部分
を銀メッキを施した後に金型により打ち抜く。図２は銀
メッキ漏れ止め用ダムバー９を金型により打ち抜いた後
のリードフレームの部分平面図であるが、金型により打
ち抜かれた銀メッキ漏れ止め用のダムバー９は図２に示
す様にインナーリード４の突起部分１０となって残るも
のの、図４に示す従来のリードフレームの形状と同等と
なり、電気的な機能にも支障がなくなる。銀メッキ漏れ
止め用ダムバー９を金型により打ち抜いた後にモールド
工程でモールドエリア６内を樹脂封止する。こうするこ
とによりダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは皆無とな
り、樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでなく、
アウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田メッキ
ふくれや銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリ
ークが押さえられ長期間安定した半導体装置の稼働が可
能となる。さらには、金型により打ち抜かれた銀メッキ
漏れ止め用ダムバーの突起部１０はインナーリード４の
一部となり、半導体装置を基板に実装する際のアウター
リード８の抜け防止にもなる。樹脂封止後、アウターリ
ード８間のダムバー５を切断する。
【００１４】また、図３は本発明の第２の実施例を示す
リードフレームの部分平面図である。
リードフレームの部分平面図である。
【００１５】図３の例は、前述した図２の銀メッキ漏れ
止め用ダムバー９の代わりにＵＶ硬化型樹脂性ダムバー
１１を用いたものである。このＵＶ硬化型樹脂性ダムバ
ー１１は、リードフレームの製造工程で材料となる金属
板をエッチング加工またはスタンピング加工によりダイ
パッド２、タイバー３、インナーリード４、ダムバー
５、アウターリード８等の形状を作製した後、適当な幅
の樹脂をインナーリード４の先端からモールドエリア６
間にインナーリード４の間隔部分に入り込むように塗布
し、紫外線により硬化させてその形状を作製する。その
後、インナーリード４の先端部に銀メッキ７を施す。前
述の部分メッキの場合は、インナーリード４に加えてダ
イパッド２にもメッキを施す。銀メッキ７を施す際に、
インナーリード４の側面を伝わって漏れだした銀メッキ
は、インナーリード４の先端からモールドエリア６間に
設けられたＵＶ硬化型樹脂性ダムバー１１により止めら
れる。この後、モールドエリア６内を樹脂封止する。こ
うすることによりダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは
皆無となり、樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかり
でなくアウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田
メッキふくれや銀メッキ漏れ残りによるアウターリード
間のリークが押さえられ長期間安定した半導体装置の稼
働が可能となる。樹脂封止後、アウターリード８間のダ
ムバー５を切断する。
止め用ダムバー９の代わりにＵＶ硬化型樹脂性ダムバー
１１を用いたものである。このＵＶ硬化型樹脂性ダムバ
ー１１は、リードフレームの製造工程で材料となる金属
板をエッチング加工またはスタンピング加工によりダイ
パッド２、タイバー３、インナーリード４、ダムバー
５、アウターリード８等の形状を作製した後、適当な幅
の樹脂をインナーリード４の先端からモールドエリア６
間にインナーリード４の間隔部分に入り込むように塗布
し、紫外線により硬化させてその形状を作製する。その
後、インナーリード４の先端部に銀メッキ７を施す。前
述の部分メッキの場合は、インナーリード４に加えてダ
イパッド２にもメッキを施す。銀メッキ７を施す際に、
インナーリード４の側面を伝わって漏れだした銀メッキ
は、インナーリード４の先端からモールドエリア６間に
設けられたＵＶ硬化型樹脂性ダムバー１１により止めら
れる。この後、モールドエリア６内を樹脂封止する。こ
うすることによりダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは
皆無となり、樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかり
でなくアウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田
メッキふくれや銀メッキ漏れ残りによるアウターリード
間のリークが押さえられ長期間安定した半導体装置の稼
働が可能となる。樹脂封止後、アウターリード８間のダ
ムバー５を切断する。
【００１６】以上、本発明に係わる実施例を説明してき
たが、本実施例ではエッチング加工またはスタンピング
加工により設けた素材金属性およびＵＶ硬化型樹脂性の
ダムバーの形状を直線状のものの例にて説明している
が、銀メッキがモールドエリア外に漏れ出すものでなけ
ればどのような形状をしていてもよい。
たが、本実施例ではエッチング加工またはスタンピング
加工により設けた素材金属性およびＵＶ硬化型樹脂性の
ダムバーの形状を直線状のものの例にて説明している
が、銀メッキがモールドエリア外に漏れ出すものでなけ
ればどのような形状をしていてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明は、リー
ドフレームのインナーリード先端とモールドエリア間に
素材金属性のダムバーまたはＵＶ硬化型樹脂性のダムバ
ーを設けることによって、リードフレームの製造工程で
インナーリード先端に銀メッキを施す際に、銀メッキが
リード側面を伝いモールドエリア外へ漏れ出すことを防
止できるので、樹脂封止後の脱銀工程を省く事が可能と
なり、またアウターリードの漏れ銀による半田メッキふ
くれ、アウターリード間のリークが完全に防止でき、長
期間安定した稼働のできる半導体装置の供給を可能とす
るという優れた効果がある。
ドフレームのインナーリード先端とモールドエリア間に
素材金属性のダムバーまたはＵＶ硬化型樹脂性のダムバ
ーを設けることによって、リードフレームの製造工程で
インナーリード先端に銀メッキを施す際に、銀メッキが
リード側面を伝いモールドエリア外へ漏れ出すことを防
止できるので、樹脂封止後の脱銀工程を省く事が可能と
なり、またアウターリードの漏れ銀による半田メッキふ
くれ、アウターリード間のリークが完全に防止でき、長
期間安定した稼働のできる半導体装置の供給を可能とす
るという優れた効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施例を示す部分平面図。
【図３】本発明の第２の実施例を示す部分平面図。
【図４】従来の方法を示す平面図。
【符号の説明】 １…フレーム枠 ２…ダイパッド ３…タイバー ４…インナーリード ５…ダムバー ６…モールドエリア ７…銀メッキ ８…アウターリード ９…銀メッキ漏れ止め用ダムバー １０…銀メッキ漏れ止め用の素材金属性ダムバーの切断
後の突起部 １１…銀メッキ漏れ止め用のＵＶ硬化型樹脂性ダムバー
後の突起部 １１…銀メッキ漏れ止め用のＵＶ硬化型樹脂性ダムバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/28
Claims (3)
- 【請求項１】 一方から他方に向かって延出される複数
のリードを有するリードフレームであって、 前記複数のリードに囲まれており半導体チップが搭載さ
れるダイパッドと、 前記ダイパッドの複数の隅部から延出して設けられ前記
ダイパッドを支持する複数のタイバーと、 前記リードの前記一方における先端部に施された銀メッ
キ部と、 前記リードの銀メッキ部の施された位置よりも前記他方
側に設けられ且つ前記リードフレームと同じ材料で一体
成形された第１のダムバーと、 前記銀メッキの領域と前記第１のダムバーとの間に形成
され且つ前記リードフレームと同じ材料で一体成形され
た第２のダムバーと、を有し、 前記第２のダムバーは、前記タイバー間に位置するリー
ド全てに跨って設けられると共に前記タイバーとは離間
された状態に形成されてなることを特徴とするリードフ
レーム。 - 【請求項２】 前記第２のダムバーは、前記各リード毎
に電気的に独立するように且つ突起部を残すように前記
リード間に位置する部位が切り離されてなることを特徴
とする請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 一方から他方に向かって延出される複数
のリードを有するリードフレームの製造方法であって、 前記リードフレームと同じ材料で一体成形された第１の
ダムバーと、前記リードフレームと同じ材料で一体成形
され且つ前記第１のダムバーよりも前記一方側で且つ前
記リードの前記一方側のリード間のピッチを広がるよう
に変換したピッチ変換部よりも他方側に位置し前記複数
のリードに跨って形成された第２のダムバーと、複数の
リードに囲まれており半導体チップが搭載されるダイパ
ッドと、前記ダイパッドの複数の隅部から延出して設け
られ前記ダイパッドを支持する複数のタイバーと、を有
するリードフレームを用意する工程と、 前記リードの前記一方における先端部に銀メッキを施す
工程と、 前記工程の後に前記第２のダムバーの少なくとも一部を
打ち抜き、各々の前記リードを電気的に独立した状態に
形成する工程と、 を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17323493A JP3111759B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17323493A JP3111759B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000230646A Division JP2001024131A (ja) | 2000-01-01 | 2000-07-31 | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730033A JPH0730033A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3111759B2 true JP3111759B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=15956642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17323493A Expired - Fee Related JP3111759B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3111759B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5011879B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2012-08-29 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置及びリードフレーム組立体の製法 |
| JP6518547B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2019-05-22 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP17323493A patent/JP3111759B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0730033A (ja) | 1995-01-31 |
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