JPH0730033A - リードフレーム、リードフレームの製造方法およびリードフレームを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレーム、リードフレームの製造方法およびリードフレームを用いた半導体装置Info
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- JPH0730033A JPH0730033A JP17323493A JP17323493A JPH0730033A JP H0730033 A JPH0730033 A JP H0730033A JP 17323493 A JP17323493 A JP 17323493A JP 17323493 A JP17323493 A JP 17323493A JP H0730033 A JPH0730033 A JP H0730033A
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- lead frame
- lead
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- dam bar
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】リードフレームの製造工程において銀メッキを
施す際に、インナーリード側面を伝わって漏れ出す銀メ
ッキを、インナーリードとモールドエリアの中間に銀メ
ッキ漏れ止め用ダムバーを設けることによってモールド
エリア外に漏れ出すのを抑える。 【構成】インナーリード４先端部に銀メッキ７を施した
リードフレームにおいて、樹脂封止時に樹脂の流出を防
止し、リードフレームの補強部材となっているダムバー
５の他に、さらに１つの素材金属性のダムバーをリード
フレームの製造工程で設け銀メッキを施した後に切断し
たことを特徴とする。また、インナーリード４の中間部
にＵＶ硬化型樹脂性のダムバー１０を設けたことを特徴
とする。 【効果】樹脂封止後の脱銀工程を省く事が可能となり、
またアウターリードの漏れ銀による半田メッキふくれ、
アウターリード間のリークが防止できる。
施す際に、インナーリード側面を伝わって漏れ出す銀メ
ッキを、インナーリードとモールドエリアの中間に銀メ
ッキ漏れ止め用ダムバーを設けることによってモールド
エリア外に漏れ出すのを抑える。 【構成】インナーリード４先端部に銀メッキ７を施した
リードフレームにおいて、樹脂封止時に樹脂の流出を防
止し、リードフレームの補強部材となっているダムバー
５の他に、さらに１つの素材金属性のダムバーをリード
フレームの製造工程で設け銀メッキを施した後に切断し
たことを特徴とする。また、インナーリード４の中間部
にＵＶ硬化型樹脂性のダムバー１０を設けたことを特徴
とする。 【効果】樹脂封止後の脱銀工程を省く事が可能となり、
またアウターリードの漏れ銀による半田メッキふくれ、
アウターリード間のリークが防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体用リードフレー
ムとその製造方法に係わり、更に詳しくはリードフレー
ムインナーリード部インナーリードに銀メッキを施す際
の銀漏れ防止を行い半導体装置の信頼性向上に関するも
のである。
ムとその製造方法に係わり、更に詳しくはリードフレー
ムインナーリード部インナーリードに銀メッキを施す際
の銀漏れ防止を行い半導体装置の信頼性向上に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図４は集積回路チップを搭載する従来の
リードフレームの一例を示す平面図である。フレーム枠
１は略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパッド
２を有している。更にダイパッド２はタイバー３によっ
てフレーム枠１に支持されている。又フレーム枠１の内
壁からは多数の細いインナーリード４が前記ダイパッド
２に向かって延在しており、各インナーリード４はモー
ルド工程でモールドエリア６内の樹脂封止時に樹脂の流
出を防止する為のダムバー５で支持されている。このダ
ムバー５はダイパッド２に搭載固着された集積回路チッ
プとインナーリード４のダイパッド側先端部をワイヤで
配線する際の補強部材となっており樹脂封止後各リード
間のダムバー５を切断する。フレーム枠１の内壁からダ
イパッド２に向かって延在しているインナーリード４の
ダイパッド２側の先端には銀メッキ７が施してある。銀
メッキ７を施す理由は、ダイパッド２に搭載固着された
集積回路チップとインナーリード４の先端部をワイヤで
配線した時のインナーリードとワイヤの合金を促進しワ
イヤボンディングの熱圧着の強度を上げるためである。
リードフレームの一例を示す平面図である。フレーム枠
１は略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパッド
２を有している。更にダイパッド２はタイバー３によっ
てフレーム枠１に支持されている。又フレーム枠１の内
壁からは多数の細いインナーリード４が前記ダイパッド
２に向かって延在しており、各インナーリード４はモー
ルド工程でモールドエリア６内の樹脂封止時に樹脂の流
出を防止する為のダムバー５で支持されている。このダ
ムバー５はダイパッド２に搭載固着された集積回路チッ
プとインナーリード４のダイパッド側先端部をワイヤで
配線する際の補強部材となっており樹脂封止後各リード
間のダムバー５を切断する。フレーム枠１の内壁からダ
イパッド２に向かって延在しているインナーリード４の
ダイパッド２側の先端には銀メッキ７が施してある。銀
メッキ７を施す理由は、ダイパッド２に搭載固着された
集積回路チップとインナーリード４の先端部をワイヤで
配線した時のインナーリードとワイヤの合金を促進しワ
イヤボンディングの熱圧着の強度を上げるためである。
【０００３】銀メッキの種類は、メッキを施す部分の違
いによって主に次の２つがある。
いによって主に次の２つがある。
【０００４】１）ダイパッド２の全体及びリード４の先
端部にメッキを施す部分銀メッキ。
端部にメッキを施す部分銀メッキ。
【０００５】２）リード４の先端部のみにメッキを施す
リング銀メッキ。
リング銀メッキ。
【０００６】上記のようなリードフレームの製作工程で
は、まず、材料となる金属板をエッチング加工またはス
タンピング加工によりダイパッド２、タイバー３、イン
ナーリード４、ダムバー５、アウターリード８等の形状
を作製する。形状作製後インナーリード４の先端に銀メ
ッキ７を施す。前述の部分メッキの場合は、インナーリ
ード４に加えてダイパッド２にもメッキを施す。その
後、必要に応じてポリイミドテープをインナーリード４
の中間部に貼付けし、ダイパッド２をタイバー５の適当
な位置でインナーリード４の面よりも下に折り曲げるデ
プレス加工をしてリードフレーム完成品とする。
は、まず、材料となる金属板をエッチング加工またはス
タンピング加工によりダイパッド２、タイバー３、イン
ナーリード４、ダムバー５、アウターリード８等の形状
を作製する。形状作製後インナーリード４の先端に銀メ
ッキ７を施す。前述の部分メッキの場合は、インナーリ
ード４に加えてダイパッド２にもメッキを施す。その
後、必要に応じてポリイミドテープをインナーリード４
の中間部に貼付けし、ダイパッド２をタイバー５の適当
な位置でインナーリード４の面よりも下に折り曲げるデ
プレス加工をしてリードフレーム完成品とする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように半導体用
リードフレームは図４のインナーリード４のダイパッド
側先端に銀メッキ７を施してあり半導体装置の組立時に
集積回路チップとインナーリード４とを結ぶワイヤ熱圧
着力を高める為にはどうしても銀メッキ７の部分が必要
である。しかし銀メッキ７を施す際には、前述の銀メッ
キの種類に関係無く、銀メッキを必要としない部分を完
全にマスキングする事は難しく特にインナーリード側面
への漏れは抑えられない。漏れ出した銀メッキが図３の
モールドエリア６を通過しダムバー５に至ってしまう。
モールドエリア６からダムバー５間に漏れ出した銀メッ
キは、モールドエリア６の内側を樹脂封止後に脱銀剤を
使用し脱銀を行っているが漏れ銀を完全に除去するのは
困難である。銀漏れが極小なりとも含まれている半導体
装置は、後工程である半田メッキでの半田メッキフクレ
や銀漏れ残りによるアウターリード８間のリーク等が発
生し長期間安定的に半導体装置が稼働しなかった。
リードフレームは図４のインナーリード４のダイパッド
側先端に銀メッキ７を施してあり半導体装置の組立時に
集積回路チップとインナーリード４とを結ぶワイヤ熱圧
着力を高める為にはどうしても銀メッキ７の部分が必要
である。しかし銀メッキ７を施す際には、前述の銀メッ
キの種類に関係無く、銀メッキを必要としない部分を完
全にマスキングする事は難しく特にインナーリード側面
への漏れは抑えられない。漏れ出した銀メッキが図３の
モールドエリア６を通過しダムバー５に至ってしまう。
モールドエリア６からダムバー５間に漏れ出した銀メッ
キは、モールドエリア６の内側を樹脂封止後に脱銀剤を
使用し脱銀を行っているが漏れ銀を完全に除去するのは
困難である。銀漏れが極小なりとも含まれている半導体
装置は、後工程である半田メッキでの半田メッキフクレ
や銀漏れ残りによるアウターリード８間のリーク等が発
生し長期間安定的に半導体装置が稼働しなかった。
【０００８】したがって、インナーリードのダイパッド
側先端への銀メッキを施す際に銀メッキが漏れてもモー
ルドエリア６外への銀漏れを防止ができ、安定した半導
体の稼働を保証することのできるリードフレームを提供
することが強く望まれた。
側先端への銀メッキを施す際に銀メッキが漏れてもモー
ルドエリア６外への銀漏れを防止ができ、安定した半導
体の稼働を保証することのできるリードフレームを提供
することが強く望まれた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】集積回路チップを搭載す
る略四角形のダイパッドと前記ダイパッドの周縁に配置
され、一端をダイパッドに向けたインナーリードによっ
て構成され、前記インナーリード先端部に銀メッキを施
したリードフレームにおいて、樹脂封止時に樹脂の流出
を防止し、リードフレームの補強部材となっているダム
バーの他に、さらに１つの素材金属性のダムバーをリー
ドフレーム製造工程でエッチング加工またはスタンピン
グ加工により設け銀メッキを施した後に切断したことで
達成される。
る略四角形のダイパッドと前記ダイパッドの周縁に配置
され、一端をダイパッドに向けたインナーリードによっ
て構成され、前記インナーリード先端部に銀メッキを施
したリードフレームにおいて、樹脂封止時に樹脂の流出
を防止し、リードフレームの補強部材となっているダム
バーの他に、さらに１つの素材金属性のダムバーをリー
ドフレーム製造工程でエッチング加工またはスタンピン
グ加工により設け銀メッキを施した後に切断したことで
達成される。
【００１０】また、ＵＶ硬化型樹脂性のダムバーを前記
インナーリードの中間部に設けたことで達成される。
インナーリードの中間部に設けたことで達成される。
【００１１】
【作用】インナーリード先端部とモールドエリアの中間
部に素材金属性またはＵＶ硬化型樹脂性のダムバーを設
けることにより、リードフレームの製造工程でインナー
リード先端部に銀メッキを施す際にリード側面を伝いモ
ールドエリア外へ漏れ出すことを防止できる。
部に素材金属性またはＵＶ硬化型樹脂性のダムバーを設
けることにより、リードフレームの製造工程でインナー
リード先端部に銀メッキを施す際にリード側面を伝いモ
ールドエリア外へ漏れ出すことを防止できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１、図２および図
３を用いて説明する。
３を用いて説明する。
【００１３】図１は本発明の第１の実施例を示すリード
フレームの全体図である。フレーム枠１は略中央に集積
回路チップを搭載固着するダイパッド２を有している。
更にダイパッド２はタイバー３によってフレーム枠１に
支持されている。又フレーム枠１の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に、銀メッキ７を必要とし
ない部分を完全にマスキングすることは難しく、特にイ
ンナーリード４の側面への銀メッキの漏れは抑えられな
い。インナーリード４の側面を伝わって漏れ出した銀メ
ッキは、インナーリード４の先端からモールドエリア６
間にリードフレームの製造工程でエッチング加工または
スタンピング加工により設けられた素材金属性の銀メッ
キ漏れ止め用ダムバー９により止められる。この銀メッ
キ漏れ止め用ダムバー９のインナーリード４の間隔部分
を銀メッキを施した後に金型により打ち抜く。図２は銀
メッキ漏れ止め用ダムバー９を金型により打ち抜いた後
のリードフレームの部分平面図であるが、金型により打
ち抜かれた銀メッキ漏れ止め用のダムバー９は図２に示
す様にインナーリード４の突起部分１０となって残るも
のの、図４に示す従来のリードフレームの形状と同等と
なり、電気的な機能にも支障がなくなる。銀メッキ漏れ
止め用ダムバー９を金型により打ち抜いた後にモールド
工程でモールドエリア６内を樹脂封止する。こうするこ
とによりダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは皆無とな
り、樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでなく、
アウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田メッキ
ふくれや銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリ
ークが押さえられ長期間安定した半導体装置の稼働が可
能となる。さらには、金型により打ち抜かれた銀メッキ
漏れ止め用ダムバーの突起部１０はインナーリード４の
一部となり、半導体装置を基板に実装する際のアウター
リード８の抜け防止にもなる。樹脂封止後、アウターリ
ード８間のダムバー５を切断する。
フレームの全体図である。フレーム枠１は略中央に集積
回路チップを搭載固着するダイパッド２を有している。
更にダイパッド２はタイバー３によってフレーム枠１に
支持されている。又フレーム枠１の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に、銀メッキ７を必要とし
ない部分を完全にマスキングすることは難しく、特にイ
ンナーリード４の側面への銀メッキの漏れは抑えられな
い。インナーリード４の側面を伝わって漏れ出した銀メ
ッキは、インナーリード４の先端からモールドエリア６
間にリードフレームの製造工程でエッチング加工または
スタンピング加工により設けられた素材金属性の銀メッ
キ漏れ止め用ダムバー９により止められる。この銀メッ
キ漏れ止め用ダムバー９のインナーリード４の間隔部分
を銀メッキを施した後に金型により打ち抜く。図２は銀
メッキ漏れ止め用ダムバー９を金型により打ち抜いた後
のリードフレームの部分平面図であるが、金型により打
ち抜かれた銀メッキ漏れ止め用のダムバー９は図２に示
す様にインナーリード４の突起部分１０となって残るも
のの、図４に示す従来のリードフレームの形状と同等と
なり、電気的な機能にも支障がなくなる。銀メッキ漏れ
止め用ダムバー９を金型により打ち抜いた後にモールド
工程でモールドエリア６内を樹脂封止する。こうするこ
とによりダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは皆無とな
り、樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでなく、
アウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田メッキ
ふくれや銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリ
ークが押さえられ長期間安定した半導体装置の稼働が可
能となる。さらには、金型により打ち抜かれた銀メッキ
漏れ止め用ダムバーの突起部１０はインナーリード４の
一部となり、半導体装置を基板に実装する際のアウター
リード８の抜け防止にもなる。樹脂封止後、アウターリ
ード８間のダムバー５を切断する。
【００１４】また、図３は本発明の第２の実施例を示す
リードフレームの部分平面図である。
リードフレームの部分平面図である。
【００１５】図３の例は、前述した図２の銀メッキ漏れ
止め用ダムバー９の代わりにＵＶ硬化型樹脂性ダムバー
１１を用いたものである。このＵＶ硬化型樹脂性ダムバ
ー１１は、リードフレームの製造工程で材料となる金属
板をエッチング加工またはスタンピング加工によりダイ
パッド２、タイバー３、インナーリード４、ダムバー
５、アウターリード８等の形状を作製した後、適当な幅
の樹脂をインナーリード４の先端からモールドエリア６
間にインナーリード４の間隔部分に入り込むように塗布
し、紫外線により硬化させてその形状を作製する。その
後、インナーリード４の先端部に銀メッキ７を施す。前
述の部分メッキの場合は、インナーリード４に加えてダ
イパッド２にもメッキを施す。銀メッキ７を施す際に、
インナーリード４の側面を伝わって漏れだした銀メッキ
は、インナーリード４の先端からモールドエリア６間に
設けられたＵＶ硬化型樹脂性ダムバー１１により止めら
れる。この後、モールドエリア６内を樹脂封止する。こ
うすることによりダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは
皆無となり、樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかり
でなくアウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田
メッキふくれや銀メッキ漏れ残りによるアウターリード
間のリークが押さえられ長期間安定した半導体装置の稼
働が可能となる。樹脂封止後、アウターリード８間のダ
ムバー５を切断する。
止め用ダムバー９の代わりにＵＶ硬化型樹脂性ダムバー
１１を用いたものである。このＵＶ硬化型樹脂性ダムバ
ー１１は、リードフレームの製造工程で材料となる金属
板をエッチング加工またはスタンピング加工によりダイ
パッド２、タイバー３、インナーリード４、ダムバー
５、アウターリード８等の形状を作製した後、適当な幅
の樹脂をインナーリード４の先端からモールドエリア６
間にインナーリード４の間隔部分に入り込むように塗布
し、紫外線により硬化させてその形状を作製する。その
後、インナーリード４の先端部に銀メッキ７を施す。前
述の部分メッキの場合は、インナーリード４に加えてダ
イパッド２にもメッキを施す。銀メッキ７を施す際に、
インナーリード４の側面を伝わって漏れだした銀メッキ
は、インナーリード４の先端からモールドエリア６間に
設けられたＵＶ硬化型樹脂性ダムバー１１により止めら
れる。この後、モールドエリア６内を樹脂封止する。こ
うすることによりダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは
皆無となり、樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかり
でなくアウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田
メッキふくれや銀メッキ漏れ残りによるアウターリード
間のリークが押さえられ長期間安定した半導体装置の稼
働が可能となる。樹脂封止後、アウターリード８間のダ
ムバー５を切断する。
【００１６】以上、本発明に係わる実施例を説明してき
たが、本実施例ではエッチング加工またはスタンピング
加工により設けた素材金属性およびＵＶ硬化型樹脂性の
ダムバーの形状を直線状のものの例にて説明している
が、銀メッキがモールドエリア外に漏れ出すものでなけ
ればどのような形状をしていてもよい。
たが、本実施例ではエッチング加工またはスタンピング
加工により設けた素材金属性およびＵＶ硬化型樹脂性の
ダムバーの形状を直線状のものの例にて説明している
が、銀メッキがモールドエリア外に漏れ出すものでなけ
ればどのような形状をしていてもよい。
【００１７】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明は、リー
ドフレームのインナーリード先端とモールドエリア間に
素材金属性のダムバーまたはＵＶ硬化型樹脂性のダムバ
ーを設けることによって、リードフレームの製造工程で
インナーリード先端に銀メッキを施す際に、銀メッキが
リード側面を伝いモールドエリア外へ漏れ出すことを防
止できるので、樹脂封止後の脱銀工程を省く事が可能と
なり、またアウターリードの漏れ銀による半田メッキふ
くれ、アウターリード間のリークが完全に防止でき、長
期間安定した稼働のできる半導体装置の供給を可能とす
るという優れた効果がある。
ドフレームのインナーリード先端とモールドエリア間に
素材金属性のダムバーまたはＵＶ硬化型樹脂性のダムバ
ーを設けることによって、リードフレームの製造工程で
インナーリード先端に銀メッキを施す際に、銀メッキが
リード側面を伝いモールドエリア外へ漏れ出すことを防
止できるので、樹脂封止後の脱銀工程を省く事が可能と
なり、またアウターリードの漏れ銀による半田メッキふ
くれ、アウターリード間のリークが完全に防止でき、長
期間安定した稼働のできる半導体装置の供給を可能とす
るという優れた効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施例を示す部分平面図。
【図３】本発明の第２の実施例を示す部分平面図。
【図４】従来の方法を示す平面図。
１…フレーム枠 ２…ダイパッド ３…タイバー ４…インナーリード ５…ダムバー ６…モールドエリア ７…銀メッキ ８…アウターリード ９…銀メッキ漏れ止め用ダムバー １０…銀メッキ漏れ止め用の素材金属性ダムバーの切断
後の突起部 １１…銀メッキ漏れ止め用のＵＶ硬化型樹脂性ダムバー
後の突起部 １１…銀メッキ漏れ止め用のＵＶ硬化型樹脂性ダムバー
Claims (6)
- 【請求項１】 集積回路チップを搭載する略四角形のダ
イパッドと前記ダイパッドの周縁に配置され、一端をダ
イパッドに向けたインナーリードによって構成され、前
記インナーリード先端部に銀メッキを施したリードフレ
ームにおいて、樹脂封止時に樹脂の流出を防止し、リー
ドフレームの補強部材となっているダムバーの他に、さ
らに１つの素材金属性のダムバーをリードフレームの製
造工程でエッチング加工またはスタンピング加工により
設け、銀メッキを施した後に切断したことを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項２】 集積回路チップを搭載する略四角形のダ
イパッドと前記ダイパッドの周縁に配置され、一端をダ
イパッドに向けたインナーリードによって構成され、前
記インナーリード先端部に銀メッキを施したリードフレ
ームにおいて、前記インナーリードの中間部にＵＶ硬化
型樹脂性のダムバーを設けた事を特徴とするリードフレ
ーム。 - 【請求項３】 請求項１記載の前記インナーリードの中
間部にエッチング加工またはスタンピング加工により設
けた素材金属性のダムバーを銀メッキを施した後に切断
したことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の前記インナーリードの中
間部にＵＶ硬化型樹脂性のダムバーを銀メッキを施す前
に設けたことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項５】 前記インナーリードの中間部にエッチン
グ加工またはスタンピング加工により素材金属性のダム
バーを設け、銀メッキを施した後に切断したことを特徴
とする請求項１記載のリードフレームを用いた半導体装
置。 - 【請求項６】 前記インナーリードの中間部にＵＶ硬化
型樹脂性のダムバーを設けたことを特徴とする請求項２
記載のリードフレームを用いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17323493A JP3111759B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17323493A JP3111759B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000230646A Division JP2001024131A (ja) | 2000-01-01 | 2000-07-31 | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730033A true JPH0730033A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3111759B2 JP3111759B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=15956642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17323493A Expired - Fee Related JP3111759B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3111759B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042100A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びリードフレーム組立体の製法 |
| JP2017037898A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP17323493A patent/JP3111759B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042100A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びリードフレーム組立体の製法 |
| JP2017037898A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 |
| CN106449421A (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-22 | 新光电气工业株式会社 | 引线框、半导体装置以及引线框的制造方法 |
| CN106449421B (zh) * | 2015-08-07 | 2021-03-02 | 新光电气工业株式会社 | 引线框、半导体装置以及引线框的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3111759B2 (ja) | 2000-11-27 |
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