JPH0730034A - 半導体用リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents
半導体用リードフレーム及び半導体装置Info
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- JPH0730034A JPH0730034A JP17323593A JP17323593A JPH0730034A JP H0730034 A JPH0730034 A JP H0730034A JP 17323593 A JP17323593 A JP 17323593A JP 17323593 A JP17323593 A JP 17323593A JP H0730034 A JPH0730034 A JP H0730034A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体用リードフレームとその製造方法に関す
る。インナーリードのダイパッド側先端への銀メッキを
施す際に銀メッキが漏れてもモールドエリア内にに止め
樹脂封止してしまいアウターリードの露出する部分へは
銀漏れ防止ができ安定した半導体の稼働と安価な半導体
用リードフレームの製造方法を得る。 【構成】半導体用リードフレームのインナーリード先端
からモールドエリア間に銀メッキ漏れ止め用突起、銀メ
ッキ漏れ止め用溝を設け漏れ出した銀メッキをモールド
エリア内に止めモールド工程で樹脂封止してしまいアウ
ターリードまで漏れ出す銀メッキを押さえ込む。 【効果】アウターリードまで漏れ出る銀メッキがない為
にモールド工程での樹脂封止後の脱銀工程を省く事が可
能となる。又アウターリードの漏れ銀による半田メッキ
ふくれ、漏れ銀によるアウターリード間のリークが完全
に防止できる。
る。インナーリードのダイパッド側先端への銀メッキを
施す際に銀メッキが漏れてもモールドエリア内にに止め
樹脂封止してしまいアウターリードの露出する部分へは
銀漏れ防止ができ安定した半導体の稼働と安価な半導体
用リードフレームの製造方法を得る。 【構成】半導体用リードフレームのインナーリード先端
からモールドエリア間に銀メッキ漏れ止め用突起、銀メ
ッキ漏れ止め用溝を設け漏れ出した銀メッキをモールド
エリア内に止めモールド工程で樹脂封止してしまいアウ
ターリードまで漏れ出す銀メッキを押さえ込む。 【効果】アウターリードまで漏れ出る銀メッキがない為
にモールド工程での樹脂封止後の脱銀工程を省く事が可
能となる。又アウターリードの漏れ銀による半田メッキ
ふくれ、漏れ銀によるアウターリード間のリークが完全
に防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体用リードフレー
ムとその製造方法に係わり、更に詳しくはリードフレー
ムインナーリード部インナーリードに銀メッキを施す際
の銀漏れ防止を行い半導体装置の信頼性向上に関するも
のである。
ムとその製造方法に係わり、更に詳しくはリードフレー
ムインナーリード部インナーリードに銀メッキを施す際
の銀漏れ防止を行い半導体装置の信頼性向上に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図６においてフレーム枠１の略中央に集
積回路チップを搭載固着するダイパッド２を有してい
る。更にダイパッド２はタイバー３によってフレーム枠
１に支持されている。又フレーム枠１の内壁からは多数
の細いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって
延在しており、各インナーリード４はモールド工程でモ
ールドエリア６内の樹脂封止時に樹脂の流出を防止する
為のダムバー５で支持されている。このダムバー５はダ
イパッド２に搭載固着された集積回路チップとインナー
リード４のダイパッド側先端部をワイヤで配線する際の
補強部材となっており樹脂封止後各リード間のダムバー
５を切断する。フレーム枠１の内壁からダイパッド２に
向かって延在しているインナーリード４のダイパッド２
側の先端には銀メッキ７が施してありダイパッド２に搭
載固着された集積回路チップとインナーリード４の先端
部をワイヤで配線した時のインナーリードとワイヤの合
金を促進しワイヤボンディングの熱圧着の強度を上げる
ためである。
積回路チップを搭載固着するダイパッド２を有してい
る。更にダイパッド２はタイバー３によってフレーム枠
１に支持されている。又フレーム枠１の内壁からは多数
の細いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって
延在しており、各インナーリード４はモールド工程でモ
ールドエリア６内の樹脂封止時に樹脂の流出を防止する
為のダムバー５で支持されている。このダムバー５はダ
イパッド２に搭載固着された集積回路チップとインナー
リード４のダイパッド側先端部をワイヤで配線する際の
補強部材となっており樹脂封止後各リード間のダムバー
５を切断する。フレーム枠１の内壁からダイパッド２に
向かって延在しているインナーリード４のダイパッド２
側の先端には銀メッキ７が施してありダイパッド２に搭
載固着された集積回路チップとインナーリード４の先端
部をワイヤで配線した時のインナーリードとワイヤの合
金を促進しワイヤボンディングの熱圧着の強度を上げる
ためである。
【０００３】銀メッキの種類は、メッキを施す部分の違
いによって主に次の２つがある。
いによって主に次の２つがある。
【０００４】１）ダイパッド２の全体及びリード４の先
端部にメッキを施す部分銀メッキ。
端部にメッキを施す部分銀メッキ。
【０００５】２）リード４の先端部のみにメッキを施す
リング銀メッキ。
リング銀メッキ。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように半導体用
リードフレームは図６インナーリード４のダイパッド側
先端に銀メッキ７を施してあり半導体装置の組立時に集
積回路チップとインナーリード４とを結ぶワイヤ熱圧着
力を高める為にはどうしても銀メッキ７の部分必要であ
る。しかし銀メッキ７を施す際に銀メッキを必要としな
い部分を完全にマスキングする事は難しく特にインナー
リード側面への漏れはおさえられない。漏れ出した銀メ
ッキが図６モールドライン６を通過しダムバー５に至っ
てしまう。モールドライン６からダムバー５間に漏れだ
した銀メッキはモールドライン６の内側を樹脂封止後に
脱銀剤を使用し脱銀を行っているが漏れ銀を完全に除去
するのは困難である。銀漏れが極小なりとも含まれてい
る半導体装置は後工程である半田メッキでの半田メッキ
フクレ或いは銀漏れ残りによるアウターリード８間のリ
ーク等が発生し長期間安定的に半導体装置が稼働しなか
った。
リードフレームは図６インナーリード４のダイパッド側
先端に銀メッキ７を施してあり半導体装置の組立時に集
積回路チップとインナーリード４とを結ぶワイヤ熱圧着
力を高める為にはどうしても銀メッキ７の部分必要であ
る。しかし銀メッキ７を施す際に銀メッキを必要としな
い部分を完全にマスキングする事は難しく特にインナー
リード側面への漏れはおさえられない。漏れ出した銀メ
ッキが図６モールドライン６を通過しダムバー５に至っ
てしまう。モールドライン６からダムバー５間に漏れだ
した銀メッキはモールドライン６の内側を樹脂封止後に
脱銀剤を使用し脱銀を行っているが漏れ銀を完全に除去
するのは困難である。銀漏れが極小なりとも含まれてい
る半導体装置は後工程である半田メッキでの半田メッキ
フクレ或いは銀漏れ残りによるアウターリード８間のリ
ーク等が発生し長期間安定的に半導体装置が稼働しなか
った。
【０００７】本発明は上記の課題を解決する為になされ
たものであり、インナーリードのダイパッド側先端への
銀メッキを施す際に銀メッキが漏れてもモールドエリア
内に止め樹脂封止してしまいアウターリードの露出する
部分へは銀漏れ防止ができ安定した半導体の稼働と安価
な半導体用リードフレームの製造方法を得ることを目的
とするものである。
たものであり、インナーリードのダイパッド側先端への
銀メッキを施す際に銀メッキが漏れてもモールドエリア
内に止め樹脂封止してしまいアウターリードの露出する
部分へは銀漏れ防止ができ安定した半導体の稼働と安価
な半導体用リードフレームの製造方法を得ることを目的
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体用リード
フレームはダイパッド側インナーリード先端部への銀メ
ッキを施す際の銀メッキ漏れ対策として銀メッキ付け工
程でのマスキングは従来の方法で行い漏れた銀メッキを
モールド樹脂封止エリア内に止め、止めた銀メッキを樹
脂封止してしまう事にある。
フレームはダイパッド側インナーリード先端部への銀メ
ッキを施す際の銀メッキ漏れ対策として銀メッキ付け工
程でのマスキングは従来の方法で行い漏れた銀メッキを
モールド樹脂封止エリア内に止め、止めた銀メッキを樹
脂封止してしまう事にある。
【０００９】銀メッキをモールド樹脂封止エリア内に止
める手段としてインナーリード先端からモールドエリア
間に銀メッキ漏れ止め用突起を設け漏れ出した銀メッキ
の流れをこの突起で止め樹脂封止し漏れ銀メッキを樹脂
で封じ込めてしまう。又インナーリード先端からモール
ドエリア間に銀メッキ漏れ止め用返しの有る突起を設け
突起の付け根部分に銀溜まりを設定し漏れ出した銀メッ
キをこの銀溜まりに止め樹脂封止し漏れ銀メッキを樹脂
で封じ込めてしまう。又インナーリード先端からモール
ドエリア間に銀メッキ漏れ止め用銀溜まり溝を設け漏れ
出した銀メッキをこの銀溜まりに止め樹脂封止し漏れ銀
メッキを樹脂で封じ込めてしまう事ができる為に半導体
装置が組立完成後に銀メッキ漏れ残りによる半田メッキ
ふくれ、銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリ
ークがなくなり長期間安定した半導体装置の稼働が可能
となる。
める手段としてインナーリード先端からモールドエリア
間に銀メッキ漏れ止め用突起を設け漏れ出した銀メッキ
の流れをこの突起で止め樹脂封止し漏れ銀メッキを樹脂
で封じ込めてしまう。又インナーリード先端からモール
ドエリア間に銀メッキ漏れ止め用返しの有る突起を設け
突起の付け根部分に銀溜まりを設定し漏れ出した銀メッ
キをこの銀溜まりに止め樹脂封止し漏れ銀メッキを樹脂
で封じ込めてしまう。又インナーリード先端からモール
ドエリア間に銀メッキ漏れ止め用銀溜まり溝を設け漏れ
出した銀メッキをこの銀溜まりに止め樹脂封止し漏れ銀
メッキを樹脂で封じ込めてしまう事ができる為に半導体
装置が組立完成後に銀メッキ漏れ残りによる半田メッキ
ふくれ、銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリ
ークがなくなり長期間安定した半導体装置の稼働が可能
となる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す半導体装
置用リードフレームの平面図である。図１においてフレ
ーム枠１の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイ
パッド２を有している。更にダイパッド２はタイバー３
によってフレーム枠１に支持されている。又フレーム枠
１の内壁からは多数の細いインナーリード４が前記ダイ
パッド２に向かって延在しておりダイパッド側先端には
銀メッキ７が施してある。この銀メッキ７を施す際に銀
メッキ７の部分のインナーリード４の側面から銀メッキ
が漏れ出す、漏れ出した銀メッキはインナーリード４の
先端からモールドエリア６間に設けられた銀メッキ漏れ
止め用突起９により止められる。モールド工程でモール
ドエリア６内を樹脂封止して漏れ銀メッキを樹脂で封じ
込めてしまう。ダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは皆
無となり樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでな
くアウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田メッ
キふくれ、又銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間
のリークが押さえられ安価でしかも長期間安定した半導
体装置の稼働が可能となる。
置用リードフレームの平面図である。図１においてフレ
ーム枠１の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイ
パッド２を有している。更にダイパッド２はタイバー３
によってフレーム枠１に支持されている。又フレーム枠
１の内壁からは多数の細いインナーリード４が前記ダイ
パッド２に向かって延在しておりダイパッド側先端には
銀メッキ７が施してある。この銀メッキ７を施す際に銀
メッキ７の部分のインナーリード４の側面から銀メッキ
が漏れ出す、漏れ出した銀メッキはインナーリード４の
先端からモールドエリア６間に設けられた銀メッキ漏れ
止め用突起９により止められる。モールド工程でモール
ドエリア６内を樹脂封止して漏れ銀メッキを樹脂で封じ
込めてしまう。ダムバー５に至る漏れ出る銀メッキは皆
無となり樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでな
くアウターリード８の銀メッキ漏れ残りによる半田メッ
キふくれ、又銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間
のリークが押さえられ安価でしかも長期間安定した半導
体装置の稼働が可能となる。
【００１１】図２は本発明の第２の実施例を示す半導体
装置用リードフレームの部分平面図であり、図３は第２
の実施例を示す半導体装置用リードフレームのインナー
リードの部分拡大平面図である。図２、３においてフレ
ーム枠の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパ
ッド２を有している。フレーム枠の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に銀メッキ７の部分のイン
ナーリード４の側面に銀メッキが漏れ出す、漏れ出した
銀メッキはインナーリード４の先端からモールドエリア
６間に設けられた銀メッキ漏れ止め用返しのある突起１
０、更にはこの突起の付け根部分に設けてある漏れ銀溜
まり溝１１に溜まる溝に溜まった銀メッキをモールド工
程でモールドエリア６内を樹脂封止して漏れ銀メッキを
樹脂で封じ込めてしまう。ダムバーにまで至る漏れ出す
銀メッキは皆無となり樹脂封止後の脱銀工程が不要とな
るばかりでなくアウターリードの銀メッキ漏れ残りによ
る半田メッキふくれ、又銀メッキ漏れ残りによるアウタ
ーリード間のリークが押さえられ安価でしかも長期間安
定した半導体装置の稼働が可能となる。
装置用リードフレームの部分平面図であり、図３は第２
の実施例を示す半導体装置用リードフレームのインナー
リードの部分拡大平面図である。図２、３においてフレ
ーム枠の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパ
ッド２を有している。フレーム枠の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に銀メッキ７の部分のイン
ナーリード４の側面に銀メッキが漏れ出す、漏れ出した
銀メッキはインナーリード４の先端からモールドエリア
６間に設けられた銀メッキ漏れ止め用返しのある突起１
０、更にはこの突起の付け根部分に設けてある漏れ銀溜
まり溝１１に溜まる溝に溜まった銀メッキをモールド工
程でモールドエリア６内を樹脂封止して漏れ銀メッキを
樹脂で封じ込めてしまう。ダムバーにまで至る漏れ出す
銀メッキは皆無となり樹脂封止後の脱銀工程が不要とな
るばかりでなくアウターリードの銀メッキ漏れ残りによ
る半田メッキふくれ、又銀メッキ漏れ残りによるアウタ
ーリード間のリークが押さえられ安価でしかも長期間安
定した半導体装置の稼働が可能となる。
【００１２】図４は本発明の第３の実施例を示す半導体
装置用リードフレームの部分平面図であり、図５は第３
の実施例を示す半導体装置用リードフレームのインナー
リードの部分拡大平面図である。図４、５においてフレ
ーム枠の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパ
ッド２を有している。フレーム枠の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に銀メッキ７の部分のイン
ナーリード４の側面に銀メッキが漏れ出す、漏れ出した
銀メッキはインナーリード４の先端からモールドエリア
６間に設けられた銀メッキ漏れ止め用溝１２更にはこの
溝の底に設けてある漏れ銀溜まり溝１１に溜まる溝に溜
まった銀メッキをモールド工程でモールドエリア６内を
樹脂封止して漏れ銀メッキを樹脂で封じ込めてしまう事
によってダムバーにまで至る漏れ出す銀メッキは皆無と
なり樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでなくア
ウターリードの銀メッキ漏れ残りによる半田メッキふく
れ、又銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリー
クが押さえられ安価でしかも長期間安定した半導体装置
の稼働が可能となる。
装置用リードフレームの部分平面図であり、図５は第３
の実施例を示す半導体装置用リードフレームのインナー
リードの部分拡大平面図である。図４、５においてフレ
ーム枠の略中央に集積回路チップを搭載固着するダイパ
ッド２を有している。フレーム枠の内壁からは多数の細
いインナーリード４が前記ダイパッド２に向かって延在
しておりダイパッド側先端には銀メッキ７が施してあ
る。この銀メッキ７を施す際に銀メッキ７の部分のイン
ナーリード４の側面に銀メッキが漏れ出す、漏れ出した
銀メッキはインナーリード４の先端からモールドエリア
６間に設けられた銀メッキ漏れ止め用溝１２更にはこの
溝の底に設けてある漏れ銀溜まり溝１１に溜まる溝に溜
まった銀メッキをモールド工程でモールドエリア６内を
樹脂封止して漏れ銀メッキを樹脂で封じ込めてしまう事
によってダムバーにまで至る漏れ出す銀メッキは皆無と
なり樹脂封止後の脱銀工程が不要となるばかりでなくア
ウターリードの銀メッキ漏れ残りによる半田メッキふく
れ、又銀メッキ漏れ残りによるアウターリード間のリー
クが押さえられ安価でしかも長期間安定した半導体装置
の稼働が可能となる。
【００１３】銀メッキ漏れ止め用突起或いは銀メッキ漏
れ止め用返しのある突起或いは銀メッキ漏れ止め用溝付
きの半導体用リードフレームの製造方法の例としてエッ
チング加工或いはプレス加工で充分満足できるリードフ
レームの供給が可能である。
れ止め用返しのある突起或いは銀メッキ漏れ止め用溝付
きの半導体用リードフレームの製造方法の例としてエッ
チング加工或いはプレス加工で充分満足できるリードフ
レームの供給が可能である。
【００１４】
【発明の効果】以上述べたとおり本発明によれば半導体
用リードフレームのインナーリード、ダイパッド側先端
にワイヤを熱圧着した時のインナーリードとワイヤの結
線力を高める為に銀メッキを施す。この銀メッキを施す
際に平面的なマスクを使用してマスキングを行うがリー
ドの側面はマスキングできない為に銀メッキがリード側
面を伝い漏れ出す。漏れ出した銀メッキをモールドエリ
ア内に止まったままモールド工程で樹脂封止し漏れ銀メ
ッキを樹脂で封じこめてしまう。モールドエリア内に漏
れ銀メッキを止める手段としてインナーリードに漏れ銀
止め用突起或いは漏れ銀止め用銀溜まり溝を設け漏れ銀
をモールドエリア内に止めモールド工程で樹脂封止をす
るものである。アウターリードまで漏れ出る銀メッキが
ない為にモールド工程での樹脂封止後の脱銀工程を省く
事が可能となる。又アウターリードの漏れ銀による半田
メッキふくれ、漏れ銀によるアウターリード間のリーク
が完全に防止できる。又漏れ銀メッキ対策用リードフレ
ームはエッチング加工或いはプレス加工で安価に製作で
き本発明によって長期間安定した稼働のできる半導体装
置の供給を可能とする。
用リードフレームのインナーリード、ダイパッド側先端
にワイヤを熱圧着した時のインナーリードとワイヤの結
線力を高める為に銀メッキを施す。この銀メッキを施す
際に平面的なマスクを使用してマスキングを行うがリー
ドの側面はマスキングできない為に銀メッキがリード側
面を伝い漏れ出す。漏れ出した銀メッキをモールドエリ
ア内に止まったままモールド工程で樹脂封止し漏れ銀メ
ッキを樹脂で封じこめてしまう。モールドエリア内に漏
れ銀メッキを止める手段としてインナーリードに漏れ銀
止め用突起或いは漏れ銀止め用銀溜まり溝を設け漏れ銀
をモールドエリア内に止めモールド工程で樹脂封止をす
るものである。アウターリードまで漏れ出る銀メッキが
ない為にモールド工程での樹脂封止後の脱銀工程を省く
事が可能となる。又アウターリードの漏れ銀による半田
メッキふくれ、漏れ銀によるアウターリード間のリーク
が完全に防止できる。又漏れ銀メッキ対策用リードフレ
ームはエッチング加工或いはプレス加工で安価に製作で
き本発明によって長期間安定した稼働のできる半導体装
置の供給を可能とする。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す平面図。
【図２】 本発明の第２の実施例を示す部分平面図。
【図３】 本発明の第２の実施例を示す部分拡大平面
図。
図。
【図４】 本発明の第３の実施例を示す部分平面図。
【図５】 本発明の第３の実施例を示す部分拡大平面
図。
図。
【図６】 従来の方法を示す平面図。
１…フレーム枠 ２…ダイパッド ３…タイバー ４…インナーリード ５…ダムバー ６…モールドエリア ７…銀メッキ ８…アウターリード ９…銀メッキ漏れ止め用突起 １０…銀メッキ漏れ止め用返しのある突起 １１…漏れ銀溜まり溝 １２…銀メッキ漏れ止め用溝
Claims (3)
- 【請求項１】 集積回路チップを搭載する略四角形のダ
イパッド、と前記ダイパッドの周縁に配置され、一端を
ダイパッドに向けたインナーリードによって構成され前
記インナーリード先端部に銀メッキを施したリードフレ
ームにおいて、前記インナーリードの中間部に突起を設
けた事を特徴とする半導体用リードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のインナーリード先端部に
銀メッキを施したリードフレームにおいて、前記インナ
ーリードの中間部に溝を設けた事を特徴とする半導体用
リードフレーム。 - 【請求項３】 請求項１ないし請求項２記載の半導体用
リードフレームを用いたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05173235A JP3082518B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体用リードフレーム及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05173235A JP3082518B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体用リードフレーム及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730034A true JPH0730034A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3082518B2 JP3082518B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=15956663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05173235A Expired - Fee Related JP3082518B2 (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 半導体用リードフレーム及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3082518B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100135659A (ko) * | 2009-06-17 | 2010-12-27 | 엘에스아이 코포레이션 | 신뢰성 향상을 위한 리드 프레임 디자인 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP05173235A patent/JP3082518B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100135659A (ko) * | 2009-06-17 | 2010-12-27 | 엘에스아이 코포레이션 | 신뢰성 향상을 위한 리드 프레임 디자인 |
| JP2011003903A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Lsi Corp | 信頼性を改善するためのリード・フレーム設計 |
| US8869389B2 (en) | 2009-06-17 | 2014-10-28 | Lsi Corporation | Method of manufacturing an electronic device package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3082518B2 (ja) | 2000-08-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090630 Year of fee payment: 9 |
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